專利名稱：有機電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電致發(fā)光顯示(ELD)，更具體地說，涉及能夠防止有機發(fā)光層損壞的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。
背景技術(shù)：
近來開發(fā)出各種重量減少和體積減小的平板顯示設(shè)備，它能夠克服陰極射線管(CRT)的缺點。這種平板顯示設(shè)備包括液晶顯示器(LCD)，場致發(fā)光顯示器(FED)，等離子體顯示面板(PDP)和電致發(fā)光(EL)顯示器等等。此外，一直有積極的工藝研究試圖制造高顯示質(zhì)量和大尺寸屏幕的平板顯示設(shè)備。
在這種平板顯示設(shè)備中，PDP的缺點在于，雖然一直在強調(diào)它因為其結(jié)構(gòu)和制造工藝簡單而在制造輕重量、小尺寸和大尺度屏幕方面最具優(yōu)勢，但是其發(fā)光效率低并且功率消耗大。另一方面，采用薄膜晶體管(TFT)作為開關(guān)器件的有源矩陣LCD的缺點在于，因為采用半導體工藝的緣故，它難于制造大尺度屏幕；并且由于采用了背光單元，其功率消耗大；且由于光學器件如偏振濾光器、棱鏡片、漫射片等等之故其光損失大，而視角小。
與此同時，EL顯示設(shè)備根據(jù)發(fā)光層材料不同大致可分為無機EL顯示設(shè)備和有機EL顯示設(shè)備，它是一種自發(fā)光設(shè)備。當與上述顯示設(shè)備比較的時候，該EL顯示設(shè)備具有響應(yīng)速度快、發(fā)光效率高、亮度高和視角大的優(yōu)點。無機EL顯示設(shè)備比有機EL顯示設(shè)備功率消耗大，并且比有機EL顯示設(shè)備能夠獲得的亮度低，而且不能發(fā)出不同的顏色例如紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)的光。另一方面，有機EL顯示設(shè)備采用幾十伏的低直流電壓驅(qū)動，并具有快的響應(yīng)速度。另外，有機EL顯示設(shè)備能夠獲得高亮度，并且能夠發(fā)出紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)各種顏色。因而，有機EL顯示設(shè)備適合于下一代平板顯示設(shè)備。
有機EL顯示設(shè)備的驅(qū)動系統(tǒng)可以分為無源矩陣型和有源矩陣型。
無源矩陣有機EL顯示設(shè)備具有簡單的結(jié)構(gòu)，因而其制造方法簡單，但是其功率消耗大，并且難于制造大尺度顯示設(shè)備。另外，無源矩陣有機EL顯示設(shè)備具有隨布線數(shù)量增加越多而孔徑比降低越多的缺點。
另一方面，有源矩陣有機EL顯示設(shè)備具有能夠提供高發(fā)光效率和高畫面質(zhì)量的優(yōu)點。
圖1示意性的示出現(xiàn)有技術(shù)的有源矩陣有機EL顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)。
參照圖1，該有機EL顯示設(shè)備包括設(shè)置在透明基板52上部的薄膜晶體管(T)陣列部分74，和第一電極100，隔離每個像素的絕緣膜(未示出)，設(shè)在薄膜晶體管(T)陣列部分74上部的有機發(fā)光層78和第二電極70。
在這種情況下，有機發(fā)光層78表現(xiàn)紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)，并且通常是通過將用于每個像素P的獨自發(fā)射紅色、綠色和藍色的有機材料構(gòu)圖而形成的。
在這種有機EL顯示設(shè)備中，如圖2所示，如果在第一電極100和第二電極70之間施加一個電壓，那么從第二電極70產(chǎn)生的電子發(fā)生遷移，經(jīng)過電子注入層78a和電子載流子層78b，進入發(fā)光層78c。此外，從第一電極1 00產(chǎn)生的空穴發(fā)生遷移經(jīng)過空穴注入層78e和空穴載流子層78d，進入發(fā)光層78c。因而，從電子載流子層78b和空穴載流子層78d供給的電子和空穴互相碰撞且復合，由此產(chǎn)生光。所述光通過第一電極100發(fā)出進入外部，從而顯示圖象。
這種有機EL顯示設(shè)備具有易受潮氣和氧劣化的性質(zhì)。為了克服這個問題，要實施封裝處理。因而，設(shè)置了有機EL陣列60的基板52要用密封劑76與罩65結(jié)合。
罩65排出因發(fā)光產(chǎn)生的熱量，并且保護有機EL陣列60不受外力或者空氣中的氧和潮氣的影響。
在腐蝕掉一部分封裝板78后，將吸氣劑72填充到這個腐蝕部分并且用半滲透膜75將其固定。
如圖3所示，有源矩陣有機EL顯示設(shè)備包括像素150，其設(shè)在由柵線GL和數(shù)據(jù)線DL所交叉的區(qū)域。每個像素150在柵脈沖施加到柵線GL的時候從數(shù)據(jù)線DL接收數(shù)據(jù)信號，由此產(chǎn)生對應(yīng)于數(shù)據(jù)信號的光。
為此，每個像素150包括其陰極連接到接地電壓源GND的EL單元(cell)OEL，和連接到柵線GL、數(shù)據(jù)線DL和電壓源VDD且連接到EL單元OEL的陽極以驅(qū)動該EL單元OEL的單元驅(qū)動器151。該單元驅(qū)動151包括開關(guān)晶體管T1、驅(qū)動晶體管T2和電容C。
開關(guān)晶體管T1在掃描脈沖施加到柵線GL上的時候?qū)?，這樣由數(shù)據(jù)線DL供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號就施加到第一節(jié)點N1。施加到第一節(jié)點N1的數(shù)據(jù)信號對電容C充電，并且被提供到驅(qū)動薄膜晶體管T2的柵極端子(gate terminal)。驅(qū)動薄膜晶體管T2響應(yīng)于施加到其柵極端子上的數(shù)據(jù)信號，控制從電壓源VDD所供給的電流量I進入EL單元OEL。即使斷開開關(guān)薄膜晶體管T1，數(shù)據(jù)信號也會從電容C中放出，使得驅(qū)動薄膜晶體管T2施加來自電壓源VDD的電流I，直到供應(yīng)下一幀數(shù)據(jù)信號為止，由此保持EL單元OEL發(fā)光。
圖4A到圖4E是用來解釋制造現(xiàn)有技術(shù)的有源矩陣有機EL顯示設(shè)備的方法的視圖。
首先，如圖4A所示，在基板52上設(shè)置薄膜晶體管(T)陣列部分74。這里，薄膜晶體管(T)陣列部分74包括由柵極、漏極、源極和半導體圖案等組成的薄膜晶體管T，以及信號線例如柵線等。
通過沉積技術(shù)例如濺射等，在設(shè)有薄膜晶體管(T)陣列部分74的基板52上全面沉積透明電極材料。然后，通過光刻和蝕刻工藝將該透明電極材料構(gòu)圖。因而，如圖4B所示，提供了與薄膜晶體管T相連且置于發(fā)光區(qū)域P1的第一電極100。這里，透明電極材料是由氧化錫銦(ITO)、氧化錫(TO)、氧化銦鋅(IZO)等等制成的。
在設(shè)有第一電極100的基板52上沉積光敏絕緣材料例如聚酰亞胺等，然后通過光刻構(gòu)圖，由此提供絕緣膜80，它使位于發(fā)光區(qū)域P1的第一電極100暴露出來，如圖4C所示。
通過沉積技術(shù)例如真空沉積和熱生長沉積(thermal growingdeposition)等，在設(shè)有絕緣膜80的基板52上沉積紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)有機材料，由此提供有機發(fā)光層78，如圖4D所示。在這種情況下，有機發(fā)光層78包括空穴載流子層，空穴注入層，發(fā)光層，電子載流子層和電子注入層，等等。
隨后，通過沉積技術(shù)例如濺射等，在有機發(fā)光層78上沉積導電金屬材料，由此提供第二電極70，如圖4E所示。這里，該導電金屬材料是由選自于鋁(Al)、鈣(Ca)和鎂(Mg)中的任一種制造，或者由氟化鋰/鋁(LiF/Al)雙金屬層形成。
如上所述，提供由薄膜晶體管(T)陣列74至第二電極70的基板52用密封劑76與罩65結(jié)合，由此獲得有源矩陣有機EL顯示設(shè)備。
與此同時，在這種有源矩陣有機EL顯示設(shè)備中，在形成有機發(fā)光層78時，粘附到陰影掩模表面的有機材料對于第一電極100上的有機材料施加了一劃痕(scratch)，并且暴露出第一電極100，因而使得第一電極100和第二電極70之間的電傳導可能會頻繁發(fā)生。
下面參照圖5A和圖5B詳細描述這一點。
首先，在設(shè)有第一電極100的基板52上定位一個公共掩模35。其后，在有機EL陣列60的整個表面形成空穴注入層和空穴載流子層(以下稱之為“第一有機材料”79)。這里，公共掩模35將有機EL陣列區(qū)域60完全暴露出來，使得第一有機材料79沉積在設(shè)有第一電極100的發(fā)光區(qū)域P1以及非發(fā)光區(qū)域P2，如圖5A所示。
隨后，在基板52的上部定位一個陰影掩模45，并且如圖5B所示，在由掩模45的傳遞部分(transmitting part)46暴露的區(qū)域形成特定發(fā)光層78c，例如實現(xiàn)紅色(R)的發(fā)光層78c。然后，繼續(xù)移動同一掩模45，以提供實現(xiàn)綠色(G)的發(fā)光層78c和實現(xiàn)藍色(B)的發(fā)光層78c。這里，由于陰影掩模45與設(shè)在非發(fā)光層P2處的第一有機材料79接觸，例如在形成實現(xiàn)紅色(R)的發(fā)光層78c時，由于小的碰撞和加工余量(process margin)等，第一有機材料79被撕開(torn)，因而粘附到陰影掩模45上。當隨后移動粘附有第一有機材料79的陰影掩模45形成藍色和綠色發(fā)光層78c的時候，粘附到陰影掩模45上的第一有機材料79使得設(shè)在發(fā)光區(qū)域P1的有機材料引起損壞。這產(chǎn)生發(fā)光層的劃痕，并且在嚴重的情況下還會暴露出第一電極100，由此引發(fā)劣質(zhì)像素問題，例如在第一電極100和以后形成的第二電極70之間的電傳導。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目的是提供能夠防止有機發(fā)光層破壞并且因此防止像素劣質(zhì)的有機電致發(fā)光設(shè)備及其制造方法。
為了實現(xiàn)本發(fā)明的這些和其他目的，根據(jù)本發(fā)明一個方面的有機電致發(fā)光設(shè)備包括設(shè)在基板上的薄膜晶體管陣列；連接到該薄膜晶體管的第一電極；至少一個用來暴露第一電極并且隔離每個像素的絕緣膜；與第一電極重疊的有機發(fā)光層；和設(shè)在該有機發(fā)光層上的第二電極。
在該有機電致發(fā)光設(shè)備中，所述至少一個絕緣膜包括用來隔離每個像素的第一絕緣膜；和設(shè)在第一絕緣膜上的第二絕緣膜。
這里，第一和第二絕緣膜中的每個具有大約1～5μm的高度。
該有機電致發(fā)光設(shè)備還包括設(shè)在該絕緣膜上的間隔物。
這里，該間隔物具有大約2～7μm的高度。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面的制造該有機電致發(fā)光設(shè)備的方法包括步驟在基板上形成薄膜晶體管陣列；形成至少一個用來暴露第一電極并且隔離每個像素的絕緣膜；形成與該第一電極重疊的有機發(fā)光層；和在該有機發(fā)光層上形成第二電極。
在該方法中，所述形成所述至少一個絕緣膜的步驟包括形成用來隔離每個像素的第一絕緣膜；和在第一絕緣膜上形成的第二絕緣膜。
在該方法中，每個第一和第二絕緣膜具有大約1～5μm的高度。
該方法還包括在該絕緣膜上形成間隔物的步驟。
在該方法中，該間隔物具有大約2～7μm的高度。


本發(fā)明的這些和其他目的將從下面參照附圖對于本發(fā)明實施例的具體描述中變得清楚，其中圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)的有機電致發(fā)光顯示設(shè)備的斷面示意圖；圖2是用來解釋現(xiàn)有技術(shù)的有機電致發(fā)光顯示設(shè)備的發(fā)光原理的視圖；圖3是表示現(xiàn)有技術(shù)的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示設(shè)備的像素的電路圖；圖4A到圖4E是表示制造現(xiàn)有技術(shù)的有機電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法的視圖；圖5A和圖5B是用來具體解釋有機發(fā)光層的形成的視圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的有機電致發(fā)光顯示設(shè)備的有機電致發(fā)光陣列的結(jié)構(gòu)的斷面圖；圖7A到圖7F是表示一步一步制造圖6所示的有機電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法的視圖；圖8是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的有機電致發(fā)光顯示設(shè)備的有機電致發(fā)光陣列的結(jié)構(gòu)的斷面圖；圖9是圖8所示的有機電致發(fā)光陣列的平面圖；和圖10A到圖10D是表示一步一步制造圖8所示的有機電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法的視圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在詳細地討論本發(fā)明優(yōu)選實施例，其中的例子在附圖中示出。
以下，參照圖6到圖10D詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖6示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有源矩陣有機電致發(fā)光(EL)顯示設(shè)備的有機發(fā)光陣列的結(jié)構(gòu)。
該有源矩陣有機EL顯示設(shè)備包括有機EL陣列160，如圖6所示，和一個用來封裝該有機EL陣列160的罩(未示出)。
參照圖6，該有源矩陣有機EL顯示設(shè)備的有機EL陣列包括具有設(shè)在透明基板152上部的開關(guān)和驅(qū)動薄膜晶體管T的陣列部分174，以及第一電極200，用來隔離每個像素的第一和第二絕緣膜180和182；設(shè)在薄膜晶體管(T)陣列部分174上部的有機發(fā)光層178和第二電極170。
有機發(fā)光層178包括空穴注入層、空穴載流子層、發(fā)光層、電子載流子層和電子注入層，等等。
如果在有機EL陣列160的第一電極200和第二電極170之間施加電壓，那么從第二電極170產(chǎn)生的電子發(fā)生遷移，經(jīng)過電子注入層和電子載流子層，進入發(fā)光層。此外，從第一電極200產(chǎn)生的空穴發(fā)生遷移經(jīng)過空穴注入層和空穴載流子層，進入發(fā)光層。因而，從電子載流子層和空穴載流子層供給的電子和空穴互相碰撞且復合，由此產(chǎn)生光。所述光通過第一電極200發(fā)出進入外部，從而顯示圖象。
與此同時，有機EL陣列160的第一絕緣膜180扮演著暴露第一電極200以及隔離每個像素P的角色。
第二絕緣膜182以按照一個預定高度的方式設(shè)置在第一絕緣膜180上，從而起作隔離每個像素并且防止在形成有機發(fā)光層178時像素劣化的作用。
更具體地說，在設(shè)有第一電極200的基板152上定位一個公共掩模。其后，在有機EL陣列160的整個表面上形成空穴注入層和空穴載流子層(以下稱之為“第一有機材料”)。隨后，依次移動一個陰影掩模，以提供實現(xiàn)紅色、綠色和藍色的發(fā)光層。這里，由于該陰影掩模與設(shè)在第二絕緣膜182上的非發(fā)光區(qū)域的第一有機材料接觸，因此第一有機材料被粘附到陰影掩模上。其后，順次移動該陰影掩模，以在第一絕緣膜180上提供具有預定高度的第二絕緣膜182，例如，當形成綠色和藍色發(fā)光層的時候，使得位于該陰影掩模和第一電極之間的距離變得彼此足夠遠離。
因此，即使移動粘附有第一有機材料的該陰影掩模，也不會發(fā)生第一有機材料和位于第一電極200上的有機材料之間的接觸，因為在該陰影掩模和第一電極200之間的距離彼此隔得足夠遠。這樣，有機發(fā)光層178的損壞得以避免，使得不會出現(xiàn)劣質(zhì)像素例如第一電極200和第二電極170之間的導電。這里，第一和第二絕緣膜180和182的各自高度d1和d2大約為1～5μm，優(yōu)選2～3μm。
圖7A到圖7F是用來解釋制造根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有源矩陣有機EL顯示設(shè)備的方法的視圖。
首先，如圖7A所示，在基板152上設(shè)置薄膜晶體管(T)陣列部分174。這里，該薄膜晶體管(T)陣列部分174包括由柵極、漏極、源極和半導體圖案等組成的薄膜晶體管T，以及信號線例如柵線等。
通過沉積技術(shù)例如濺射等，在設(shè)有薄膜晶體管(T)陣列部分74的基板52上全面沉積透明電極材料。然后，通過光刻和蝕刻工藝將該透明電極材料構(gòu)圖。這樣，如圖7B所示，提供與薄膜晶體管T相連且置于發(fā)光區(qū)域P1的第一電極200。這里，透明電極材料是由氧化錫銦(ITO)、氧化錫(TO)、氧化銦鋅(IZO)等等制成的。
在設(shè)有第一電極200的基板152上沉積光敏絕緣材料例如聚酰亞胺等，然后通過光刻構(gòu)圖，由此提供第一絕緣膜180，它使位于發(fā)光區(qū)域P1的第一電極200暴露出來，如圖7C所示。
在設(shè)有第一絕緣膜180的基板152上沉積光敏絕緣材料例如聚酰亞胺等，然后通過光刻構(gòu)圖，從而在第一絕緣膜180上設(shè)置第二絕緣膜182，如圖7D所示。
通過沉積技術(shù)例如真空沉積和熱生長沉積(thermal growingdeposition)等，在設(shè)有第一和第二絕緣膜180和182的基板152上沉積紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)有機材料，由此提供有機發(fā)光層178，如圖7E所示。該有機發(fā)光層178包括空穴載流子層、空穴注入層、發(fā)光層、電子載流子層和電子注入層，等等。這里，在形成空穴載流子層、空穴注入層、電子載流子層和電子注入層的時候使用將有機EL陣列完全暴露的公共掩模，而在形成發(fā)光層的時候使用僅僅暴露特定發(fā)光區(qū)域的陰影掩模。
隨后，通過沉積技術(shù)例如濺射等，在有機發(fā)光層178上沉積導電金屬材料，由此提供第二電極170，如圖7F所示。這里，該導電金屬材料是由選自于鋁(Al)、鈣(Ca)和鎂(Mg)中的任一種制成，或者由氟化鋰/鋁(LiF/Al)雙金屬層形成。由此設(shè)置有機EL陣列160。
將設(shè)置有薄膜晶體管(T)陣列174至第二電極170的有機EL陣列160以罩(未示出)的方式封裝，由此獲得有源矩陣有機EL顯示設(shè)備。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機EL顯示設(shè)備及其制造方法中，在第一絕緣膜180上進一步設(shè)置具有預定高度的第二絕緣膜182。第二絕緣膜182起到了在形成有機發(fā)光層178的時候?qū)㈥幱把谀：臀挥诘谝浑姌O200上的有機材料充分隔開的作用。因而，能夠防止有機發(fā)光層178的損壞，該損壞是由于在形成有機發(fā)光層178的時候第一有機材料粘附到陰影掩模上造成的，因此避免像素變壞(例如第一和第二電極之間的導電)就成為可能。
圖8是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的有機電致發(fā)光顯示設(shè)備的有機電致發(fā)光陣列的結(jié)構(gòu)的斷面圖，而圖9是圖8所示的有機電致發(fā)光陣列的平面圖。
圖8所示的有機EL陣列160具有與圖6所示的有機EL陣列相同的元件，除了用間隔物183代替第二絕緣膜182之外。相同的數(shù)字指的是相同的元件，并且省去對相同元件的詳細解釋。
在圖8所示的有機EL陣列160中，在第一絕緣膜180上設(shè)置具有預定高度的間隔物183。這個間隔物183具有大約2～7μm，優(yōu)選3～6μm的高度d3。換句話說，該間隔物183形成的高度要比第一實施例中的第二絕緣膜183相對要大，因此有機發(fā)光層178和第二電極170在設(shè)有間隔物183的區(qū)域彼此部分地斷開。如圖9所示，在第一絕緣膜180上以隨機的方式設(shè)置至少一個間隔物183，因此它起到在形成有機發(fā)光層178時將陰影掩模和位于第一電極200上的有機材料充分隔離的作用。因此，能夠避免在形成有機發(fā)光層178時因第一有機材料粘附到陰影掩模上造成的有機發(fā)光層178的損壞，使得防止像素變壞(例如第一和第二電極200和170之間的導電)成為可能。
圖10A到圖10D是用來解釋制造根據(jù)本發(fā)明第二實施例的有機電致發(fā)光顯示設(shè)備的方法的視圖。
首先，如圖10A所示，以類似于本發(fā)明第一實施例的圖7A到圖7C的方式，在基板152上設(shè)置薄膜晶體管(T)陣列部分174、第一電極200和第一絕緣膜180。
其后，沉積光敏絕緣材料例如聚酰亞胺等，然后通過光刻將其構(gòu)圖，由此在第一絕緣膜180上提供間隔物183，如圖10B所示。這里，與第一實施例中的第二絕緣膜182不同，在第一絕緣膜182上以隨機的方式形成至少一個間隔物183，使之具有大約2～7μm，優(yōu)選3～6μm的高度。
通過沉積技術(shù)例如真空沉積和熱生長沉積(thermal growingdeposition)等，在設(shè)有間隔物183的基板152上沉積紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)有機材料，由此設(shè)置有機發(fā)光層178，如圖10C所示。該有機發(fā)光層178包括空穴載流子層、空穴注入層、發(fā)光層、電子載流子層和電子注入層，等等，并且其以這樣的方式來提供，即使得由于間隔物183的臺階敷層之故，在設(shè)有該間隔物183的區(qū)域產(chǎn)生局部斷開。這里，在形成空穴載流子層、空穴注入層、電子載流子層和電子注入層的時候使用將有機EL陣列完全暴露的公共掩模，而在形成發(fā)光層的時候使用僅僅暴露特定發(fā)光區(qū)域的陰影掩模。
隨后，通過沉積技術(shù)(例如濺射)等，在有機發(fā)光層178上沉積導電金屬材料，由此提供第二電極170，如圖10D所示。這里，該導電金屬材料是由選自于鋁(Al)，鈣(Ca)和鎂(Mg)中的任一種制成，或者由氟化鋰/鋁(LiF/Al)雙金屬層形成。這樣設(shè)置了有機EL陣列160。
設(shè)置有薄膜晶體管(T)陣列174至第二電極170的有機EL陣列160通過罩(未示出)來封裝，由此提供有源矩陣有機EL顯示設(shè)備。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明該實施例的有機EL顯示設(shè)備及其制造方法中，在第一絕緣膜180上提供了具有預定高度的第二絕緣膜182和間隔物183中任何一種。第二絕緣膜182和間隔物183中的每一種起到了將陰影掩模和位于第一電極200上的有機材料在形成有機發(fā)光層178的時候充分隔開的作用。因而，能夠防止有機發(fā)光層178的損壞，該損壞是由于在形成有機發(fā)光層178的時候第一有機材料粘附到陰影掩模上造成的，因此避免像素變壞(例如第一電極200和第二電極170之間的導電)就成為可能。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，絕緣膜形成為雙層，或者在絕緣膜上形成間隔物，由此將掩模和電極之間的距離充分地隔離。因而，避免有機發(fā)光層的損壞以及因第一和第二電極之間的導電而造成的像素變壞等成為可能。
盡管本發(fā)明通過上述附圖所示的實施例進行了解釋，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，本發(fā)明不限于這些實施例，相反，在不脫離本發(fā)明精神的前提下可以進行各種改變或者修改。因此，本發(fā)明的范疇僅由所附的權(quán)利要求及其等效權(quán)利要求所決定。
權(quán)利要求
1.一種有機電致發(fā)光設(shè)備，包括設(shè)在基板上的薄膜晶體管陣列；與該薄膜晶體管相連的第一電極；用來暴露該第一電極并且隔離每個像素的至少一個絕緣膜；與該第一電極重疊的有機發(fā)光層；和設(shè)在該有機發(fā)光層上的第二電極。
2.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光設(shè)備，其中所述至少一個絕緣膜包括用來隔離每個像素的第一絕緣膜；和設(shè)在該第一絕緣膜上的第二絕緣膜。
3.如權(quán)利要求2所述的有機電致發(fā)光設(shè)備，其中第一和第二絕緣膜各自具有大約1～5μm的高度。
4.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光設(shè)備，還包括設(shè)在該絕緣膜上的間隔物。
5.如權(quán)利要求4所述的有機電致發(fā)光設(shè)備，其中該間隔物具有大約2～7μm的高度。
6.一種有機電致發(fā)光設(shè)備的制造方法，包括以下步驟在基板上形成薄膜晶體管陣列；形成與該薄膜晶體管相連的第一電極；形成用來暴露第一電極并且隔離每個像素的至少一個絕緣膜；形成與該第一電極重疊的有機發(fā)光層；以及在該有機發(fā)光層上形成第二電極。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述形成所述至少一個絕緣膜的步驟包括形成用來隔離每個像素的第一絕緣膜；和在該第一絕緣膜上形成第二絕緣膜。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中第一絕緣膜和第二絕緣膜各自具有大約1～5μm的高度。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，還包括步驟在該絕緣膜上形成間隔物。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該間隔物具有大約2～7μm的高度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有源矩陣有機電致發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法，其能避免有機發(fā)光層的損壞以及像素損壞。在該有機電致發(fā)光顯示設(shè)備中，在基板上設(shè)置薄膜晶體管陣列。將第一電極連接到該薄膜晶體管。至少一個絕緣膜暴露第一電極并且隔離每個像素。有機發(fā)光層與該第一電極重疊。在該有機發(fā)光層上設(shè)置第二電極。
文檔編號H01L51/50GK1700814SQ20051007282
公開日2005年11月23日 申請日期2005年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月21日
發(fā)明者金祐贊, 樸洪基, 裵孝大, 卓潤興 申請人:Lg電子株式會社