專(zhuān)利名稱(chēng)：光電轉(zhuǎn)換裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用波長(zhǎng)濾波器來(lái)調(diào)整濾波特性的光電轉(zhuǎn)換裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近幾年，為了謀求包括光電轉(zhuǎn)換元件的光電轉(zhuǎn)換裝置等的小型化，應(yīng)用從元件側(cè)面取出配線的芯片尺寸封裝(CSP)。
在圖12(a)和(b)中表示應(yīng)用CSP的半導(dǎo)體集成裝置外觀的俯視圖和仰視圖。CSP具有利用環(huán)氧樹(shù)脂等的樹(shù)脂層12，將上部支撐基體14和下部支撐基體16分別粘接在半導(dǎo)體芯片10的上表面和下表面的結(jié)構(gòu)。在夾在上部支撐基體14與下部支撐基體16之間的半導(dǎo)體芯片10上，從側(cè)面引出外部配線18，連接在CSP的背面設(shè)置的球狀端子20上。
在圖13中表示在光電轉(zhuǎn)換元件上應(yīng)用CSP的現(xiàn)有的光電轉(zhuǎn)換裝置的剖面圖。半導(dǎo)體芯片10作為上表面形成了光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體基板10a、以覆蓋光電轉(zhuǎn)換元件的至少一部分的方式吸收或反射規(guī)定波長(zhǎng)區(qū)域的彩色濾波器10b、10c和用于充填表面的凹凸、以進(jìn)行平坦化的平坦化膜10d的層疊體而構(gòu)成。用樹(shù)脂層12將上部支撐基體14粘接在半導(dǎo)體芯片10上表面上；用樹(shù)脂層12將下部支撐基體16粘接在半導(dǎo)體芯片10下表面上。此時(shí)，作為上部支撐基體14，通過(guò)利用玻璃等透光性基板，從而可以使來(lái)自外部的光射入形成于半導(dǎo)體芯片10上表面的光電轉(zhuǎn)換元件中。
作為可以讓可見(jiàn)光穿透的可見(jiàn)光濾波器的彩色濾波器，可以利用主要讓紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)的波長(zhǎng)穿透的濾波材料。在圖14中表示利用一般采用的紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)的濾波器的情況下的光電轉(zhuǎn)換元件的靈敏度特性。一般的彩色濾波器是在各自的波長(zhǎng)區(qū)域的基礎(chǔ)上，在700nm以上的紅外線區(qū)域中也具有高的穿透率。另外，硅光電轉(zhuǎn)換元件在700nm以上的紅外線區(qū)域中也具有高的穿透率。橫軸表示入射到濾波器的光的波長(zhǎng)，縱軸表示每一個(gè)波長(zhǎng)的靈敏度。在圖14中，用線A表示利用相對(duì)紅(R)波長(zhǎng)區(qū)域的彩色濾波器情況下的特性；用線B表示利用相對(duì)綠(G)波長(zhǎng)區(qū)域的彩色濾波器情況下的特性；用線C表示利用相對(duì)藍(lán)(B)波長(zhǎng)區(qū)域的彩色濾波器情況下的特性。同時(shí)，用線D表示形成在硅基板上的光電轉(zhuǎn)換元件(無(wú)彩色濾波器)的、相對(duì)每一個(gè)波長(zhǎng)的靈敏度的典型例。
這樣，在利用這些彩色濾波器來(lái)進(jìn)行彩色攝像的情況下，就變?yōu)橐虬谌肷涔庵械募t外線光成分所造成的干擾重疊在每一個(gè)顏色的輸出信號(hào)上。其結(jié)果，疊加了每一個(gè)顏色的輸出信號(hào)時(shí)，成為破壞圖像的白平衡的原因。
因此，如圖15所示，采用以覆蓋應(yīng)用CSP的光電轉(zhuǎn)換裝置100的入射面的方式，配置紅外線切斷濾波器102，利用透鏡104把入射光引入光電轉(zhuǎn)換元件的構(gòu)成。
非專(zhuān)利文獻(xiàn)1“PRODUCTS”、[online]、SHELLCASE社、[平成14年10月1日檢索]、互聯(lián)網(wǎng)<URL http∥www.Shellcase.com/pages/products-she110P-process.asp>
然而，如圖15所示，在光電轉(zhuǎn)換裝置100的上部設(shè)置紅外線切斷濾波器102的結(jié)構(gòu)中，存在裝置整體尺寸變?yōu)榉浅４蟮膯?wèn)題。
另外，紅外線切斷濾波器102由于是在玻璃基板上層疊幾層特性相互不同的紅外線吸收材料而制作成的，所以其價(jià)格非常高，成為增加光電轉(zhuǎn)換裝置100的制造成本的一個(gè)原因。另外，在玻璃基板的表面上形成紅外線吸收膜的構(gòu)成中，多數(shù)存在在制造工序中處理紅外線切斷濾波器102時(shí)會(huì)破壞紅外線吸收膜的現(xiàn)象。此外，由于玻璃基板與紅外線吸收膜之間的收縮率不同，多產(chǎn)生紅外線切斷濾波器102被彎曲或紅外線吸收膜的一部分被剝離的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是借鑒上述現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題而進(jìn)行的，其目的在于提供一種使裝置的尺寸小型化、且減少紅外線光影響的可靠性高的光電轉(zhuǎn)換裝置。
本發(fā)明是一種光電轉(zhuǎn)換裝置，其中包括在表面形成了光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體基板；以覆蓋所述半導(dǎo)體基板表面的至少一部分的方式設(shè)置的可見(jiàn)光濾波器；和粘接在所述半導(dǎo)體基板表面上的支撐基體，其特征在于，所述支撐基體是用吸收紅外線光的樹(shù)脂材料粘接了多個(gè)具有透光性的基體的部件。
并且，所述支撐基體最好是用吸收紅外線光的樹(shù)脂材料來(lái)粘接在所述半導(dǎo)體基板表面上。在此，優(yōu)選包含使所述半導(dǎo)體基板表面的凹凸平坦化的平坦化膜，所述平坦化膜由吸收紅外線光的樹(shù)脂構(gòu)成，粘接所述支撐基體所包含的基體的樹(shù)脂、把所述支撐基體粘接在所述半導(dǎo)體基板上的樹(shù)脂和構(gòu)成所述平坦化膜的樹(shù)脂具有相互不同的紅外線光吸收特性。
此時(shí)，所述吸收紅外線光的樹(shù)脂材料最好是混合了二價(jià)銅離子金屬絡(luò)合物的樹(shù)脂材料。
在所述具有透光性的基體為玻璃板的情況下，不僅可以吸收紅外線光，也可以防止支撐基體的破裂等損傷。特別是在所述基體為具有100μm以上1mm以下厚度的玻璃基板的情況下，效果顯著。
另外，本發(fā)明是一種光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，包括在半導(dǎo)體基板的表面上形成光電轉(zhuǎn)換元件的第一工序；以覆蓋所述光電轉(zhuǎn)換元件的至少一部分的方式設(shè)置可見(jiàn)光濾波器的第二工序；和用吸收紅外線光的樹(shù)脂，將粘接了具有透光性的多個(gè)基體的支撐基體粘接在所述半導(dǎo)體基板表面上的第三工序。
此時(shí)，優(yōu)選在所述第一工序中，在由劃線所區(qū)劃的所述半導(dǎo)體基板表面的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)形成光電轉(zhuǎn)換元件；在所述第三工序后，進(jìn)行沿著所述劃線切削所述半導(dǎo)體基板和所述支撐基體的至少一部分的第四工序。
另外，本發(fā)明可以是一種光電轉(zhuǎn)換裝置，其是包括在表面形成了光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體基板、以覆蓋所述半導(dǎo)體基板表面的至少一部分的方式設(shè)置的可見(jiàn)光濾波器和粘接在所述半導(dǎo)體基板表面上的支撐基體、的光電轉(zhuǎn)換元件；其特征在于，所述支撐基體是用吸收紅外線光的樹(shù)脂粘接在所述半導(dǎo)體基板上的。
本發(fā)明也可以是一種光電轉(zhuǎn)換裝置，其是包括在表面形成了光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體基板、以覆蓋所述半導(dǎo)體基板表面的至少一部分的方式設(shè)置的可見(jiàn)光濾波器、使所述半導(dǎo)體基板表面的凹凸平坦化的平坦化膜和粘接在所述半導(dǎo)體基板表面上的支撐基體、的光電轉(zhuǎn)換元件；其特征在于，所述平坦化膜由吸收紅外線光的樹(shù)脂構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明，可以實(shí)現(xiàn)減少了紅外線光影響的可靠性高的光電轉(zhuǎn)換裝置。另外，可以使裝置的尺寸小型化。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的構(gòu)成的剖面圖。
圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的主要部分的剖面圖。
圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法的流程圖。
圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的步驟S10的內(nèi)部構(gòu)成的剖面圖的圖。
圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的步驟S12的內(nèi)部構(gòu)成的剖面圖的圖。
圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的步驟S14的內(nèi)部構(gòu)成的剖面圖的圖。
圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的步驟S16的內(nèi)部構(gòu)成的剖面圖的圖。
圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的步驟S18的內(nèi)部構(gòu)成的剖面圖的圖。
圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的步驟S20的內(nèi)部構(gòu)成的剖面圖的圖。
圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的步驟S22的內(nèi)部構(gòu)成的剖面圖的圖。
圖11是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的步驟S24的內(nèi)部構(gòu)成的剖面圖的圖。
圖12是表示現(xiàn)有的光電轉(zhuǎn)換裝置的外觀的立體圖。
圖13是表示現(xiàn)有的光電轉(zhuǎn)換裝置的內(nèi)部構(gòu)成的剖面圖。
圖14是表示一般的彩色濾波器的穿透率的曲線圖。
圖15是表示現(xiàn)有的光電轉(zhuǎn)換裝置的構(gòu)成的剖面圖。
圖中10—半導(dǎo)體芯片，10a—半導(dǎo)體基板，10b、10c—彩色濾波器，10d—平坦化膜，12—樹(shù)脂層，14—上部支撐基體，16—下部支撐基體，18—外部配線，20—球狀端子，30—半導(dǎo)體基板，32—半導(dǎo)體集成電路(包括光電轉(zhuǎn)換元件)，34(34a、34b)—彩色濾波器(可見(jiàn)光濾波器)，36—內(nèi)部配線，38—平坦化膜，40—樹(shù)脂層，42—上部支撐基體，42a—基體，42b—樹(shù)脂層，44—下部支撐基體，46—樹(shù)脂層，48—外部配線，50—保護(hù)膜，52—緩沖部件，54—球狀端子，60—缺口，62—端部，100—光電轉(zhuǎn)換裝置，102—紅外線切斷濾波器，104—透鏡，200—光電轉(zhuǎn)換裝置。
具體實(shí)施例方式
參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置。圖1是應(yīng)用芯片尺寸封裝(CSP)的本實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置200的剖面圖。圖2是放大了本實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置200的主要部分的剖面圖。在此，為了明確說(shuō)明，適當(dāng)變更各部的膜厚等而示出。
在半導(dǎo)體基板30的表面上形成包括光電轉(zhuǎn)換元件在內(nèi)的半導(dǎo)體集成電路32。以覆蓋半導(dǎo)體基板30上形成的光電轉(zhuǎn)換元件一部分的方式，設(shè)置作為可見(jiàn)光濾波器的彩色濾波器34a、34b。如圖14所示，該彩色濾波器34a、34b可以由將紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)的波長(zhǎng)區(qū)域作為穿透區(qū)域的一般彩色濾波器構(gòu)成。另外，在半導(dǎo)體基板30的表面上形成連接在半導(dǎo)體集成電路32上的內(nèi)部配線36。該內(nèi)部配線36通過(guò)設(shè)置在氧化膜等絕緣膜上的接觸孔，連接半導(dǎo)體集成電路32所包含的配線，承擔(dān)半導(dǎo)體集成電路32與外部之間的電連接的作用。
在設(shè)有彩色濾波器34a、34b和內(nèi)部配線36的半導(dǎo)體基板30的表面上，設(shè)置用于平坦化表面凹凸的平坦化膜38。該平坦化膜38可以以環(huán)氧樹(shù)脂等樹(shù)脂為主要材料而形成。
上部支撐基體42是用樹(shù)脂層40粘接在表面被平坦化的半導(dǎo)體基板30的表面上的。另外，下部支撐基體44用樹(shù)脂層46粘接在半導(dǎo)體基板30的背面。上部支撐基體42和下部支撐基體44起提高光電轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的作用。
從半導(dǎo)體基板30的側(cè)面到下部支撐基體44，以接觸內(nèi)部配線36的方式設(shè)置導(dǎo)電性的外部配線48。用該外部配線48連接設(shè)在下部支撐基體44下表面的球狀端子54與內(nèi)部配線36。球狀端子54設(shè)在用于減少與下部支撐基體44之間的應(yīng)力而設(shè)置的緩沖部件52上。設(shè)有外部配線48的下部支撐基體44的表面，為了防止腐蝕而由保護(hù)膜50覆蓋。
如圖1和2所示，上部支撐基體42是用樹(shù)脂層42b粘接多個(gè)基體42a而構(gòu)成的。在半導(dǎo)體集成電路32包含光電轉(zhuǎn)換元件的情況下，基體42a由玻璃等透光性高的材料構(gòu)成。此時(shí)，基體42a的厚度最好是100μm以上1mm以下。通過(guò)設(shè)為這個(gè)范圍的厚度，從而可以使上部支撐基體42具有充分的機(jī)械強(qiáng)度和穿透性。樹(shù)脂層42b由包含紅外線光吸收材料的材料構(gòu)成。例如，最好是由將作為紅外線光吸收材料的二價(jià)銅離子金屬絡(luò)合物混合在環(huán)氧樹(shù)脂等中的材料構(gòu)成。
這樣，通過(guò)利用包含紅外線光吸收材料的樹(shù)脂層42b來(lái)粘接基體42a的上部支撐基體42，從而在光電轉(zhuǎn)換裝置200的外部沒(méi)有必要單獨(dú)設(shè)置紅外線切斷濾波器，可以減少光電轉(zhuǎn)換裝置200的尺寸。另外，也可以抑制光電轉(zhuǎn)換裝置200的制造成本。
此外，因?yàn)闃?shù)脂層42b被玻璃等硬質(zhì)基體42a夾持，故可以抑制在光電轉(zhuǎn)換裝置200的制造過(guò)程中，處理上部支撐基體42時(shí)，對(duì)樹(shù)脂層42b造成損壞等損傷的產(chǎn)生。并且，由于作用在樹(shù)脂層42b兩面的應(yīng)力相互平衡，所以可以避免由于基體42a和樹(shù)脂層42b的收縮率不同而產(chǎn)生的上部支撐基體42彎曲或樹(shù)脂層42b剝離等問(wèn)題。因此，制造過(guò)程中的處理變得容易，不僅可以降低制造成本，還可以提高長(zhǎng)期使用光電轉(zhuǎn)換裝置200時(shí)的可靠性和耐久性。
另外，在本實(shí)施方式中，上部支撐基體42是用一層樹(shù)脂層42b來(lái)粘接兩個(gè)基體42a的構(gòu)成，但不限于這些，也可以是多層層疊了更多基體42a的構(gòu)成。在上部支撐基體42包含二層以上的樹(shù)脂層42b的情況下，通過(guò)調(diào)整每一個(gè)樹(shù)脂層42b所含紅外線光吸收材料的材料、含有率，從而作為具有不同紅外線光吸收特性的層也是優(yōu)選的。
再有，在平坦化膜38或樹(shù)脂層40中也優(yōu)選利用包含紅外線光吸收材料的材料。紅外線光吸收材料最好是由將二價(jià)銅離子混合在環(huán)氧樹(shù)脂等中的材料構(gòu)成。通過(guò)在平坦化膜38或樹(shù)脂層40中混合紅外線光吸收材料，從而和樹(shù)脂層42b合并，可以構(gòu)成多層的紅外線光吸收濾波器。此時(shí)，通過(guò)改變各層的紅外線光吸收特性，從而可以實(shí)現(xiàn)寬頻帶且高吸收率的紅外線光吸收濾波器。
接著，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置200的制造方法。圖3是表示光電轉(zhuǎn)換裝置200的制造工序的流程圖。另外，圖4～圖11是表示每一個(gè)工序的光電轉(zhuǎn)換裝置200的剖面結(jié)構(gòu)的圖。光電轉(zhuǎn)換裝置200是通過(guò)在由劃線所區(qū)劃的半導(dǎo)體基板的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)形成半導(dǎo)體集成電路，最終沿著劃線分割切斷，而形成被密封在芯片尺寸封裝中的裝置的。因此，為了明確、簡(jiǎn)單地進(jìn)行說(shuō)明，在每一個(gè)工序中，示意性表示各工序中劃線附近的剖面結(jié)構(gòu)。
在步驟S10中，如圖4所示，在半導(dǎo)體基板30的表面區(qū)域內(nèi)形成半導(dǎo)體集成電路32即光電轉(zhuǎn)換元件的攝像部、存儲(chǔ)部、水平傳輸部和輸出部等。并且，在半導(dǎo)體基板30的表面上形成絕緣膜。絕緣膜例如可以是硅氧化膜。另外，利用光刻技術(shù)等，在絕緣膜的規(guī)定處形成貫通絕緣膜的接觸孔，以與半導(dǎo)體集成電路32的內(nèi)部配線連接的方式形成內(nèi)部配線36。內(nèi)部配線36形成為向相鄰的半導(dǎo)體集成電路32邊界架設(shè)劃線。
在步驟S12中，如圖5所示，在形成了半導(dǎo)體集成電路32的光電轉(zhuǎn)換元件的表面區(qū)域的至少一部分上形成彩色濾波器34。此時(shí)，利用光刻法等現(xiàn)有的掩模技術(shù)，在必要的區(qū)域?qū)盈B彩色濾波器34。例如，在半導(dǎo)體集成電路32包含矩陣配置了光電轉(zhuǎn)換元件的受光像素的情況下，通過(guò)以規(guī)定排列層疊相對(duì)每一個(gè)像素使紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)三原色的任一種通過(guò)的濾波器，從而進(jìn)行彩色圖像的攝像成為可能。另外，也優(yōu)選通過(guò)在彩色濾波器34和內(nèi)部配線36的表面上涂敷平坦化膜38，而平坦化由彩色濾波器34和內(nèi)部配線36而形成的表面的凹凸。作為平坦化膜38的材料，例如可以利用丙烯樹(shù)脂和環(huán)氧樹(shù)脂等樹(shù)脂材料。
在此，作為平坦化膜38，最好利用混合了二價(jià)銅離子金屬絡(luò)合物等紅外線光吸收材料的材料。通過(guò)使其含有紅外線光吸收材料，以便具有不同于以后形成的樹(shù)脂層40或上部支撐基體42所包含的樹(shù)脂層42b的紅外線光吸收特性，從而和樹(shù)脂層40或支撐基體42合并，構(gòu)成多層的紅外線光吸收濾波器，可以實(shí)現(xiàn)寬頻帶且高吸收率的紅外線光吸收濾波器。
在步驟S14中，如圖6所示，在被平坦化的半導(dǎo)體基板30的表面上涂敷樹(shù)脂層40，把樹(shù)脂層40作為粘接材料來(lái)粘接上部支撐基體42。作為樹(shù)脂層40，例如可以利用丙烯樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂等樹(shù)脂材料。如圖1和2所示，上部支撐基體42是用樹(shù)脂層42b粘接了光穿透性高材料如基體42a的構(gòu)成。樹(shù)脂層42b最好利用將二價(jià)銅離子金屬絡(luò)合物等紅外線光吸收材料混合在環(huán)氧樹(shù)脂中的材料。上部支撐基體42可以作為層疊體預(yù)先形成。
另外，作為樹(shù)脂層40最好也利用把二價(jià)銅離子金屬絡(luò)合物等紅外線光吸收材料混合在環(huán)氧樹(shù)脂中的材料。通過(guò)使樹(shù)脂層40含有紅外線光吸收材料，以便具有不同于平坦化膜38或上部支撐基體42所包含的樹(shù)脂層42b的紅外線光吸收特性，從而和平坦化膜38或樹(shù)脂層42b合并，構(gòu)成多層的紅外線光吸收濾波器，可以實(shí)現(xiàn)寬頻帶、且高吸收率的紅外線光吸收濾波器。
在步驟S16中，如圖7所示，半導(dǎo)體基板30從下部沿著劃線被蝕刻，內(nèi)部配線36在半導(dǎo)體基板30的背面?zhèn)嚷冻觥＠?，作為半?dǎo)體基板30而利用硅基板的情況下，可以通過(guò)利用氫氟酸、醋酸等的混合溶液的化學(xué)蝕刻來(lái)進(jìn)行蝕刻。另外，在利用化學(xué)蝕刻之前，最好是利用機(jī)械研磨法，使半導(dǎo)體基板30厚度變薄。
進(jìn)一步地，在半導(dǎo)體基板30的背面涂敷樹(shù)脂層46，以粘接下部支撐基體44。在下部支撐基體44的主面即光電轉(zhuǎn)換裝置的背面?zhèn)刃纬删彌_部件52。該緩沖部件52起緩和施加在緩沖部件52上形成的球狀端子54的應(yīng)力的緩沖墊(cushion)的作用。
在步驟S18中，如圖8所示，利用切片鋸等切削機(jī)構(gòu)，沿著劃線從下部支撐基體44側(cè)開(kāi)始進(jìn)行切削。在下部支撐基體44、樹(shù)脂層46、內(nèi)部配線36、樹(shù)脂層40和上部支撐基體42上形成倒V字型的缺口(notch)60。內(nèi)部配線36的端部62露出到該缺口60的內(nèi)部側(cè)面。
在步驟S20中，如圖9所示，在下部支撐基體44的外部表面和缺口60的內(nèi)面形成金屬膜，該金屬膜作為取得內(nèi)部配線36與緩沖部件52為止的接觸用的外部配線48而形成圖案。在圖案形成中，可以利用現(xiàn)有的光刻技術(shù)或蝕刻技術(shù)。
在步驟S22中，如圖10所示，形成保護(hù)膜50和球狀端子54。作為保護(hù)膜50可以利用EVA材料等的有機(jī)材料。球狀端子54可以通過(guò)在緩沖部件52的表面上加熱軟熔球狀焊錫材料而形成。
在步驟S24中，如圖11所示，沿劃線進(jìn)行切斷。通過(guò)利用切片鋸等，沿劃線進(jìn)行切斷，從而分割切斷為應(yīng)用了芯片尺寸封裝的光電轉(zhuǎn)換裝置。
此時(shí)，由于采用具有以樹(shù)脂層42b粘接了基體42a的層疊結(jié)構(gòu)的上部支撐基體42，所以在切削工序中，在上部支撐基體42所包含的基體42a上不易產(chǎn)生破裂等缺陷。特別是，在樹(shù)脂層42b為具有100μm以上1mm以下厚度的玻璃板的情況下，效果顯著。因此，在制造光電轉(zhuǎn)換裝置200時(shí)，可以提高成品率。另外，可以提高光電轉(zhuǎn)換裝置200的可靠性和耐久性。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，在彩色圖像的攝像中，可以減少成為破壞白色平衡主要原因的不必要的紅外線光的影響。另外，不僅可以小型化應(yīng)用了芯片尺寸封裝的光電轉(zhuǎn)換裝置的尺寸，還可以抑制制造時(shí)破裂等不合理現(xiàn)象的發(fā)生，可以提高制造的成品率。
權(quán)利要求
1.一種光電轉(zhuǎn)換裝置，其中包括在表面形成了光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體基板；以覆蓋所述半導(dǎo)體基板表面的至少一部分的方式設(shè)置的可見(jiàn)光濾波器；和粘接在所述半導(dǎo)體基板表面上的支撐基體，其特征在于，所述支撐基體是用吸收紅外線光的樹(shù)脂材料粘接了多個(gè)具有透光性的基體的部件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述支撐基體是用吸收紅外線光的樹(shù)脂粘接在所述半導(dǎo)體基板的表面上的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述吸收紅外線光的樹(shù)脂是混合了二價(jià)銅離子金屬絡(luò)合物的樹(shù)脂材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述具有透光性的基體是具有100μm以上1mm以下的厚度的玻璃板。
5.一種光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，包括在半導(dǎo)體基板的表面上形成光電轉(zhuǎn)換元件的第一工序；以覆蓋所述光電轉(zhuǎn)換元件的至少一部分的方式設(shè)置可見(jiàn)光濾波器的第二工序；和用吸收紅外線光的樹(shù)脂，將粘接了具有透光性的多個(gè)基體的支撐基體粘接在所述半導(dǎo)體基板表面上的第三工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光電轉(zhuǎn)換裝置制造方法，其特征在于，在所述第一工序中，在由劃線所區(qū)劃的所述半導(dǎo)體基板表面的每一個(gè)區(qū)域內(nèi)形成光電轉(zhuǎn)換元件；在所述第三工序后，進(jìn)行沿著所述劃線切削所述半導(dǎo)體基板和所述支撐基體的至少一部分的第四工序。
7.一種光電轉(zhuǎn)換裝置，其是包括在表面形成了光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體基板；以覆蓋所述半導(dǎo)體基板表面的至少一部分的方式設(shè)置的可見(jiàn)光濾波器；和粘接在所述半導(dǎo)體基板表面上的支撐基體、的光電轉(zhuǎn)換元件；其特征在于，所述支撐基體是用吸收紅外線光的樹(shù)脂粘接在所述半導(dǎo)體基板上的。
8.一種光電轉(zhuǎn)換裝置，其是包括在表面形成了光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體基板；以覆蓋所述半導(dǎo)體基板表面的至少一部分的方式設(shè)置的可見(jiàn)光濾波器；使所述半導(dǎo)體基板表面的凹凸平坦化的平坦化膜；和粘接在所述半導(dǎo)體基板表面上的支撐基體、的光電轉(zhuǎn)換元件；其特征在于，所述平坦化膜由吸收紅外線光的樹(shù)脂構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光電轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，還包括使所述半導(dǎo)體基板表面的凹凸平坦化的平坦化膜；所述平坦化膜由吸收紅外線光的樹(shù)脂構(gòu)成；連接所述支撐基體所包含的基體的樹(shù)脂、把所述基體粘接在所述半導(dǎo)體基板上的樹(shù)脂和構(gòu)成所述平坦化膜的樹(shù)脂具有相互不同紅外線光吸收特性。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可以排除不必要的紅外線光，且提高可靠性的光電轉(zhuǎn)換裝置。本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置包括在表面上形成了光電轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體基板(30)；以覆蓋半導(dǎo)體基板(30)表面的至少一部分的方式設(shè)置的可見(jiàn)光濾波器(34)；粘接在半導(dǎo)體基板(30)表面上的上部支撐基體(42)；上部支撐基體(42)用吸收紅外線光的樹(shù)脂層(42b)粘接了多個(gè)具有透光性的基體(42a)。
文檔編號(hào)H01L31/02GK1700479SQ20051007274
公開(kāi)日2005年11月23日 申請(qǐng)日期2005年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月19日
發(fā)明者松山久, 北村勇也 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社