專利名稱：具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多電路元件晶片的制造方法，特別是涉及一種具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法。
背景技術(shù)：
多電路元件晶片是于單一晶片內(nèi)并列設(shè)置多個(gè)電路元件，例如多電阻晶片、多電容晶片。這些電路元件相互間并未電性連接而各自擁有用以導(dǎo)接外界的兩電極，使多電路元件晶片具有多個(gè)電極。
如圖1與圖2，以往多電阻晶片形成于一陶瓷基板1上。陶瓷基板1規(guī)劃有多條縱向分割線11與橫向分割線12，以區(qū)隔成多個(gè)矩陣排列的陶瓷基體13。各陶瓷基體13上表面設(shè)有多組分置于兩側(cè)的導(dǎo)電區(qū)塊，每組導(dǎo)電區(qū)塊為兩個(gè)上電極131，及多個(gè)橋接對(duì)應(yīng)組內(nèi)的兩上電極131的電阻膜132。另外，以往方法于陶瓷基板1上更會(huì)貫穿設(shè)置多個(gè)穿孔133，各穿孔133是位于相鄰上電極131間，以確保兩相鄰上電極131間保持一定間距。又，在陶瓷基板1的下表面形成有多個(gè)下電極131’，其位置分別與各陶瓷基體13的各上電極131對(duì)應(yīng)。
而后，如圖3，在電阻膜132上形成一保護(hù)層134。緊接著，如圖4，先把陶瓷基板1沿縱向分割線11分割成多條，再于各條陶瓷基板1的兩端沾銀膠，如圖5，以兩側(cè)面形成多個(gè)導(dǎo)接上、下電極131、131’的側(cè)面電極135。在沾銀膠過程中，銀膠除形成于陶瓷基體13的上、下電極131、131’間的側(cè)面外，更會(huì)覆蓋部分上、下電極131、131’與穿孔133鄰近側(cè)面電極135的部分壁面上。
此后，再把各條陶瓷基板1沿橫向分割線12分割成單顆的陶瓷基體13后，如圖6與圖7，執(zhí)行電鍍，以形成覆蓋上、下電極131、131’與側(cè)面電極135的端電極136，來作為導(dǎo)接至諸如電路板之類的其它電子裝置的電極。
一般電鍍時(shí)，金屬會(huì)于導(dǎo)電面上沉積。然而，如前所述，以往多電阻晶片是以沾銀膠來形成側(cè)面電極135，使沾銀膠范圍無法作精密有效的控制，而會(huì)形成于穿孔133鄰近側(cè)面電極135的部分壁面上，致使端電極136電鍍過程中，金屬除沉積于上、下電極131、131’與側(cè)面電極135外，更會(huì)沉積于穿孔133的壁面上，使得端電極136的形狀會(huì)側(cè)向朝穿孔133部分延伸而形成類似香菇頭狀。如此，端電極136也會(huì)成長于穿孔133的壁面上，致使相鄰端電極136間的間隔距離縮小，于兩相鄰端電極136間傳輸數(shù)據(jù)容易發(fā)生串音(cross talk)情況，而無法正常工作。又，隨著電子元件的微小化趨勢(shì)，諸如多電阻晶片之類的多電路元件晶片也不可避免的體積微小化，使得多電路元件晶片上的各構(gòu)件的體積隨之縮小，兩端電極136間的穿孔133尺寸也隨之縮小至逼近絕緣距離，指不會(huì)產(chǎn)生串音的絕緣距離。然而，以往多電阻晶片的端電極136形成過程中，金屬層又會(huì)側(cè)向朝穿孔133部分延伸，有限穿孔133間距又縮小，導(dǎo)致不良品的發(fā)生機(jī)率又提高。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本案發(fā)明人思及于穿孔內(nèi)壁面形成絕緣層而改由濺鍍方式形成側(cè)面電極于上、下電極間，以有效控制側(cè)面電極的形成位置，進(jìn)而確保端電極電鍍時(shí)，兩端電極間的距離不會(huì)隨端電極的形成而下降，以解決前述問題。
本發(fā)明的一目的在于提供一種可提高產(chǎn)品良率的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種保持兩電極間的距離的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種有效避免短路與串音發(fā)生的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法。
本發(fā)明具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，包含以下步驟步驟一提供一基板，該基板界定多條橫向線與多條縱向線以區(qū)隔成多個(gè)呈矩陣排列的基體，各該基體的上表面由左而右并列間隔地延伸數(shù)條導(dǎo)電區(qū)塊，且各該基體分別于各該導(dǎo)電區(qū)塊中兩相鄰導(dǎo)電區(qū)塊中的間隔區(qū)域的左、右兩端設(shè)置一貫穿該基體的上、下表面的穿孔，該等穿孔更位于該對(duì)應(yīng)縱向線上；步驟二形成一覆蓋該基板的上表面、下表面與該等穿孔內(nèi)壁面的絕緣層；步驟三沿該等縱向線分割該基板成多個(gè)條狀體；步驟四濺鍍于該條狀體的左、右側(cè)壁面中未形成該絕緣層的剩余壁面上，以形成多個(gè)導(dǎo)接對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電區(qū)塊的左、右端的側(cè)面電極；步驟五沿該等橫向線分割該等條狀體成該等獨(dú)立基體；及步驟六電鍍?cè)摰然w，以于各該側(cè)面電極上形成一端電極。
本發(fā)明所述的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，該步驟二中是于該基板的上、下表面印刷絕緣材質(zhì)并分別于相反表面施加負(fù)壓抽吸，使該絕緣材質(zhì)溢流于該穿孔的內(nèi)壁面，以形成該絕緣層。
本發(fā)明所述的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，該步驟一中，各該導(dǎo)電區(qū)塊含有兩間隔地形成于該基體的左、右兩端的上電極、一橋接該上電極的導(dǎo)電薄膜及一覆蓋該導(dǎo)電薄膜與該上電極鄰近該導(dǎo)電薄膜的部分的保護(hù)層。
本發(fā)明所述的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，該縱向線是一預(yù)刻痕，而在該步驟二中，該絕緣層覆蓋該保護(hù)層并令該上電極鄰接該縱向線的部分裸露。
本發(fā)明所述的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，該步驟一中，該基板于下表面對(duì)應(yīng)該上電極位置更形成多個(gè)下電極，而在該子步驟二中該絕緣層是令該下電極鄰接該縱向線的部分裸露。
本發(fā)明所述的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，各該端電極是位于該對(duì)應(yīng)側(cè)面電極、上電極與下電極上。
本發(fā)明所述的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，更包含一位于該步驟四與該步驟五間的步驟七，移除該絕緣層。
本發(fā)明所述的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，該絕緣層是玻璃糊，而該步驟七把各該基體浸泡于美沙克隆中，并施加超聲波清洗來移除該絕緣層。
本發(fā)明所述的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，各該導(dǎo)電薄膜是一電阻膜。
本發(fā)明所述的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，該基板是一陶瓷基板。
本發(fā)明所述的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，該步驟四中該金屬膜的材質(zhì)為鎳鉻合金、鎳銅合金、鈦鎢合金及銅中的任一種。
本發(fā)明所述具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，可達(dá)到維持兩相鄰電極間距離的功效，進(jìn)而可避免串音與短路情況發(fā)生，以提升產(chǎn)品的良率。同時(shí)，可使得產(chǎn)品更可縮小，以符合產(chǎn)品微小化的趨勢(shì)。
圖1～圖7是一種以往多電阻晶片的制造流程示意圖；圖8是本發(fā)明具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法的較佳實(shí)施例的流程圖；圖9是本實(shí)施例的基板的局部示意圖；圖10是沿圖9的剖面線71-71’的剖面示意圖；圖11是本實(shí)施例基板的上表面形成上縱向絕緣條的示意圖；圖12是沿圖11的剖面線72-72’的剖面示意圖；圖13是本實(shí)施例基板的下表面形成下縱向絕緣條的示意圖；圖14是沿圖13的剖面線73-73’的剖面示意圖；圖15是沿圖13的剖面線74-74’的剖面示意圖；圖16是本實(shí)施例的基板分割成條狀體的示意圖；圖17是本實(shí)施例的條狀體堆疊的示意圖；圖18是本實(shí)施例的條狀體的左、右側(cè)面經(jīng)濺鍍的示意圖；圖19是沿圖18的剖面線75-75’的剖面示意圖；圖20是本實(shí)施例中移除絕緣層后的剖面示意圖；圖21是本實(shí)施例的條狀體分割成獨(dú)立基體的示意圖；圖22是本實(shí)施的基體經(jīng)電鍍端電極的示意圖；圖23是沿圖22的剖面線76-76’的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式
為避免以往問題，本發(fā)明具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法是先以絕緣材質(zhì)遮蔽穿孔的內(nèi)壁面，以于濺鍍形成側(cè)面電極時(shí)，兩電極間的穿孔壁面未裸露，自無法于后續(xù)電鍍端電極時(shí)沉積金屬，進(jìn)而可確保電極間的絕緣距離。
在下文中，配合圖8來說明本實(shí)施例中制造多電路元件晶片的方法。
首先，在步驟21中提供一基板3。如圖9與圖10，基板3的上表面延伸多條縱向預(yù)刻痕31(指縱向線)與多條與縱向預(yù)刻痕31正交的橫向預(yù)刻痕32(指橫向線)，以分隔成多個(gè)呈矩陣排列的基體4。又，為便于后續(xù)制程中分割基板3成獨(dú)立基體，本實(shí)施例預(yù)刻痕31、32是于基板3形成一V型刻痕，但也可為其它形狀的刻痕，如平底凹槽也可。然而，熟習(xí)該項(xiàng)技藝者當(dāng)知，可省略預(yù)刻痕31、32而于后續(xù)制程中直接分割基板3。
各基體4的上表面并列布設(shè)多個(gè)導(dǎo)電區(qū)塊，各導(dǎo)電區(qū)塊含兩個(gè)間隔地位于基體4的上表面兩端的上電極41、一橋接兩上電極41的導(dǎo)電薄膜42與一覆蓋這些導(dǎo)電薄膜42與該等上電極41中鄰近對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電薄膜42的部分的保護(hù)層43。本例中基板3是一陶瓷基板，而導(dǎo)電薄膜42是電阻膜。又，各基體4的下表面與上電極41相對(duì)的位置也形成有下電極44，使多電路元件晶片可以表面粘著(SMT)方式導(dǎo)接至其它電子裝置上。再者，陶瓷基板3上貫穿設(shè)有多個(gè)穿孔33，各穿孔33位于兩相鄰上電極41間。本例中保護(hù)層43的作用為絕緣及防焊，其材質(zhì)為環(huán)氧樹脂(Epoxy)，如Epoxy Molding Compounds(Fused Silica)。
其后，在濺鍍形成側(cè)面電極前，先于步驟22中形成一覆蓋基板3的上表面、下表面與穿孔33內(nèi)壁面的絕緣層。
詳細(xì)來說，如圖11與圖12，先于基板3的上表面以印刷機(jī)印刷多條縱向絕緣條45，各上縱向絕緣條45是于兩相鄰的縱向預(yù)刻痕31間延伸而覆蓋對(duì)應(yīng)的保護(hù)層43與上電極41中鄰近保護(hù)層43的部分，仍使這些上電極41遠(yuǎn)離導(dǎo)電薄膜42的部分裸露，即各上縱向絕緣條45的縱向側(cè)邊與縱向預(yù)刻痕31間保持一段距離但仍覆蓋各穿孔33的鄰近保護(hù)層43的部分。本實(shí)施例中上縱向絕緣條45的材質(zhì)為玻璃糊且其印刷厚度約為60μm。當(dāng)玻璃糊印刷至基板3之初，玻璃糊會(huì)接近液態(tài)，本實(shí)施例先把基板3置放于一吸真空臺(tái)面，由上往下吸真空，使玻璃糊溢流至穿孔33的內(nèi)壁面，而后再經(jīng)爐子進(jìn)行烘干程序。
其后，如圖13與圖14，再于基板3的下表面以印刷機(jī)印刷多條下縱向絕緣條46，各下縱向絕緣條46的位置分別與對(duì)應(yīng)的上縱向絕緣條45相對(duì)，且下縱向絕緣條46的縱向側(cè)邊也與縱向預(yù)刻痕31保持一定距離且覆蓋各穿孔33鄰近保護(hù)層43的部分，以覆蓋各下電極44鄰近中央的部分并使其遠(yuǎn)離中央的部分裸露。而后，本實(shí)施例的下縱向絕緣條46的材質(zhì)也為玻璃糊，制造時(shí)，先把基板3下表面朝上地置放吸真空臺(tái)面后，由上往下吸真空，使玻璃糊溢流至穿孔33內(nèi)壁面后，再經(jīng)爐子進(jìn)行烘干程序。如此，如圖15，各穿孔33內(nèi)壁面布滿玻璃糊而為絕緣條45、46的延伸。因而，絕緣層具有上縱向絕緣條45、下縱向絕緣條46與穿孔33內(nèi)壁面上的烘干玻璃糊。
在形成絕緣層后，執(zhí)行步驟23，如圖16，先沿縱向預(yù)刻痕31分割基板3成多條狀體34，其后，如圖17，在堆疊這些條狀體34，使各條狀體34的左、右側(cè)面朝外。
其次，在步驟24，于各條狀體34的左、右側(cè)面進(jìn)行濺鍍金屬，以于各條狀體34未有絕緣層的裸露壁面沉積金屬，因而如圖18與圖19，側(cè)面電極47會(huì)形成于條狀體34的左、右壁面中的裸露壁面(指兩相鄰穿孔33間的側(cè)壁面)上、上電極41的裸露部分與下電極44的裸露部分上，以確保側(cè)面電極47電性導(dǎo)接至上、下電極41、44。本例中，側(cè)面電極47于條狀體34的左、右壁面的厚度約為1000及于基板3的上、下電極部分41、44的厚度約為5000，及濺鍍的材質(zhì)為鎳鉻合金，但也可為鎳銅合金、鈦鎢合金及銅中的任一種。
在側(cè)面電極47形成后，于步驟25中，如圖20，移除不再需要的絕緣層(指上、下縱向絕緣條45、46與各穿孔33內(nèi)壁面的部分絕緣層)。本實(shí)施例中，把條狀體34浸泡于美沙克隆中并施加超聲波來清除絕緣層。
緊接著，在步驟26中，在沿橫向預(yù)割痕32分割各條狀體34成如圖21的獨(dú)立基體4。此刻，各基體4左、右側(cè)面的兩相鄰側(cè)面電極47間的穿孔33的內(nèi)壁面因?yàn)R鍍步驟24中絕緣層的覆蓋與濺鍍后步驟25移除絕緣層的步驟，其上自不會(huì)有因形成側(cè)面電極步驟24所沉積的金屬膜。
因而，最后，在步驟27，以諸如滾鍍方式電鍍各基體4，金屬會(huì)沉積于各基體4的側(cè)面電極47、上電極41、下電極44的裸露部分上，以形成端電極48。如此，端電極48于電鍍過程中除于上、下電極41、44上沉積金屬外，只會(huì)于側(cè)面電極47上沉積金屬，使兩側(cè)面電極47間的穿孔33內(nèi)壁面裸露而未沉積金屬，致使端電極48成為凸出端電極。本例中端電極48電鍍過程中，先電鍍鎳再電鍍錫，而為兩層的金屬結(jié)構(gòu)。
據(jù)前所述，本發(fā)明是先以絕緣層覆蓋基板3的上、下表面與各穿孔33的內(nèi)壁面，施以濺鍍形成側(cè)面電極47，而后再把絕緣層移除，以確保只于基體4左右側(cè)壁面中與穿孔33位置錯(cuò)開的壁面形成金屬膜，以有效限制側(cè)面電極47的形成位置，進(jìn)而確保兩側(cè)面電極47間的穿孔33壁面不會(huì)有任何金屬，因而電鍍端電極48自不會(huì)于兩側(cè)面電極47間的壁面沉積金屬，以確保端電極48成長時(shí)不會(huì)縱向(指沿縱向分割線的方向)發(fā)展，使得兩相鄰端電極48間的距離不會(huì)隨端電極48的形成而改變，以達(dá)到可維持兩相鄰電極間距離的功效，進(jìn)而可避免串音與短路情況發(fā)生，以提升產(chǎn)品的良率。同時(shí)，由于兩相鄰端電極48間的間隔距離不會(huì)隨制造過程而縮小，于設(shè)計(jì)時(shí)，可令兩者間的間隔距離更接近絕緣距離，甚至等于絕緣距離，使得產(chǎn)品更可縮小，以符合產(chǎn)品微小化的趨勢(shì)。
再者，雖前述實(shí)施例以同時(shí)制造多個(gè)多電路元件晶片流程來說明，然而熟習(xí)該項(xiàng)技藝者當(dāng)知，本發(fā)明也可只制造單一多電路元件晶片，并不應(yīng)受限于本實(shí)施例所揭露。
權(quán)利要求
1.一種具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，其特征在于該方法包含以下步驟步驟一提供一基板，該基板界定多條橫向線與多條縱向線以區(qū)隔成多個(gè)呈矩陣排列的基體，各該基體的上表面由左而右并列間隔地延伸數(shù)條導(dǎo)電區(qū)塊，且各該基體分別于各該導(dǎo)電區(qū)塊中兩相鄰導(dǎo)電區(qū)塊的間隔區(qū)域左、右兩端設(shè)置一貫穿該基體上、下表面的穿孔，該穿孔更位于該對(duì)應(yīng)縱向線上；步驟二形成一覆蓋該基板的上表面、下表面與該穿孔內(nèi)壁面的絕緣層；步驟三沿該縱向線分割該基板成多個(gè)條狀體；步驟四濺鍍于該條狀體的左、右側(cè)壁面中未形成該絕緣層的剩余壁面上，以形成多個(gè)導(dǎo)接對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電區(qū)塊的左、右端的側(cè)面電極；步驟五沿該橫向線分割該條狀體成該獨(dú)立基體；及步驟六電鍍?cè)摶w，以于各該側(cè)面電極上形成一端電極。
2.如權(quán)利要求1所述的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，其特征在于該步驟二中是于該基板的上、下表面印刷絕緣材質(zhì)并分別于相反表面施加負(fù)壓抽吸，使該絕緣材質(zhì)溢流于該穿孔的內(nèi)壁面，以形成該絕緣層。
3.如權(quán)利要求2所述的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，其特征在于該步驟一中，各該導(dǎo)電區(qū)塊含有兩間隔地形成于該基體的左、右兩端的上電極、一橋接該上電極的導(dǎo)電薄膜及一覆蓋該導(dǎo)電薄膜與該上電極鄰近該導(dǎo)電薄膜的部分的保護(hù)層。
4.如權(quán)利要求3所述的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，其特征在于該縱向線是一預(yù)刻痕，而在該步驟二中，該絕緣層覆蓋該保護(hù)層并令該上電極鄰接該縱向線的部分裸露。
5.如權(quán)利要求4所述的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，其特征在于該步驟一中，該基板于下表面對(duì)應(yīng)該上電極位置更形成多個(gè)下電極，而在該子步驟二中該絕緣層是令該下電極鄰接該縱向線的部分裸露。
6.如權(quán)利要求5所述的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，其特征在于各該端電極是位于該對(duì)應(yīng)側(cè)面電極、上電極與下電極上。
7.如權(quán)利要求3所述的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，其特征在于該方法更包含一位于該步驟四與該步驟五間的步驟七，移除該絕緣層。
8.如權(quán)利要求7所述的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，其特征在于該絕緣層是玻璃糊，而該步驟七把各該基體浸泡于美沙克隆中，并施加超聲波清洗來移除該絕緣層。
9.如權(quán)利要求3所述的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，其特征在于各該導(dǎo)電薄膜是一電阻膜。
10.如權(quán)利要求1所述的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，其特征在于該基板是一陶瓷基板。
11.如權(quán)利要求1所述的具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，其特征在于該步驟四中該金屬膜的材質(zhì)為鎳鉻合金、鎳銅合金、鈦鎢合金及銅中的任一種。
全文摘要
本發(fā)明是一種具凸出端電極多電路元件晶片的制造方法，先形成一覆蓋基板上表面、下表面與穿孔內(nèi)壁面的絕緣層，基板具有多個(gè)呈矩陣排列且分別于其上表面間隔并列數(shù)條導(dǎo)電區(qū)塊的基體，兩相鄰導(dǎo)電區(qū)塊間的左、右兩端設(shè)置貫穿基體上、下表面的穿孔，而后縱向分割基板成多個(gè)條狀體，并于條狀體的左、右側(cè)壁面中濺鍍形成側(cè)面電極，其后再分割條狀體成獨(dú)立基體，最后電鍍基體以于各側(cè)面電極上形成一端電極。本發(fā)明可達(dá)到可維持兩相鄰電極間距離的功效，進(jìn)而可避免串音與短路情況發(fā)生，以提升產(chǎn)品的良率。同時(shí)，可使得產(chǎn)品更可縮小，以符合產(chǎn)品微小化的趨勢(shì)。
文檔編號(hào)H01L21/00GK1812004SQ20051000289
公開日2006年8月2日 申請(qǐng)日期2005年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月28日
發(fā)明者曹茂松, 江財(cái)寶 申請(qǐng)人:大毅科技股份有限公司