專利名稱：用于設(shè)置具有自適應等離子體源的等離子體室的方法、使用該等離子體室的等離子體蝕 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導體制造設(shè)備，并更具體而言，涉及一種設(shè)置具有自適應等離子體源的等離子體室的方法、一種使用該等離子體室的等離子體蝕刻方法以及一種制造自適應等離子體源的方法。
背景技術(shù)：
在過去二十年中，用于制造超大規(guī)模集成(ULSI)電路器件的技術(shù)顯著地進展。通過提供能支持需要根本技術(shù)的半導體制造工藝的半導體制造設(shè)備，這種顯著的進展是可能的。等離子體室越來越多地用在除蝕刻工藝之外的沉積工藝中，其中等離子體室是半導體制造設(shè)備中的一種類型，沉積工藝是等離子體室的主要工藝。
等離子體室用于在其中形成等離子體并利用等離子體執(zhí)行如蝕刻和沉積的工藝?；诘入x子體生成源，等離子體室可分類為若干類型。例如，等離子體室分類成電子回旋共振(ECR)等離子體源型等離子體室、螺旋波激發(fā)等離子體(HWEP)源型等離子體室、電容耦合等離子體(CCP)源型等離子體室以及感應耦合等離子體(ICP)源型等離子體室。最近，已提出了一種自適應等離子體源，其結(jié)構(gòu)修改為使得不僅具有感應耦合等離子體源的特征還具有電容耦合等離子體源的特征。
ICP源或自適應等離子體源將射頻功率供給到感應線圈以便于生成磁場，并使用由生成的磁場所感應的電場在等離子體室的內(nèi)部中心俘獲電子，以便甚至在低壓生成高密度等離子體。ICP源或自適應等離子體源具有的優(yōu)點在于，與ECR等離子體源或HWEP源相比，ICP源或自適應等離子體源結(jié)構(gòu)簡單，并且可相對地易于獲得大尺寸的等離子體。
當ICP源或自適應等離子體源安裝在等離子體室上來執(zhí)行蝕刻工藝時，對晶片的每個位置而言蝕刻速率可以不同。有若干原因引起蝕刻速率的不同，而且這些原因可按情形通過工藝技術(shù)的使用來解決。然而，因設(shè)備相關(guān)原因尤其是等離子體源特征造成的蝕刻速率的不同非常難以通過使用工藝技術(shù)來克服。
另一方面，由于半導體器件已迅速地大規(guī)模集成并且設(shè)計規(guī)則已迅速地減小，光致抗蝕劑逐漸地變薄，而且電路線寬也變窄。出于此原因，用于制造半導體器件的蝕刻工藝，例如用于形成金屬線的蝕刻工藝，需要非常高的蝕刻選擇比。
這主要是因為，雖然隨著半導體器件的大規(guī)模集成，在光刻過程中施加的光致抗蝕劑的厚度變得更薄，但是例如硬掩模層厚度的絕緣層厚度變得更厚，該絕緣層是待蝕刻的層。此外，由于有機底抗反射涂膜基本上提供在光致抗蝕劑層下，光致抗蝕劑層的厚度進一步減小。從而，在用于制造大規(guī)模集成半導體器件的蝕刻工藝中，實現(xiàn)高光致抗蝕劑選擇比是重要的。
然而，已知利用傳統(tǒng)ICP源型等離子體室裝置非常難以實現(xiàn)高光致抗蝕劑選擇比。這是因為必須施加例如約800W至1000W源功率的高等離子體源功率，以便于在傳統(tǒng)ICP源型等離子體室中在所需水平獲得金屬線圖案的垂直輪廓。
還已知這種高等離子體源功率的應用引起了光致抗蝕劑選擇比的減小。當將約1000W的等離子體源功率施加在傳統(tǒng)ICP源型等離子體室中時，難以實現(xiàn)甚至約2.5或更小的低光致抗蝕劑選擇比。同樣，當施加這種高等離子體源功率時，由于高等離子體源功率嚴重地引起晶片弧化問題，而且由于工藝室內(nèi)部元件的蝕刻嚴重地引起了粒子增加問題。
為了實現(xiàn)高光致抗蝕劑選擇比并為了解決粒子增加的問題，需要在較低水平施加等離子體源功率。然而，等離子體源功率必須保持在高水平以便于在傳統(tǒng)ICP源型等離子體室蝕刻裝置中獲得金屬線圖案的垂直輪廓，如上所述。從而，當降低等離子體源功率來解決粒子增加問題并增加光致抗蝕劑選擇比時，損傷了金屬線圖案的垂直輪廓。也就是說，在傳統(tǒng)型ICP源型等離子體裝置中，高光致抗蝕劑選擇比與金屬線圖案的垂直輪廓相矛盾。
有鑒于此，已經(jīng)需要開發(fā)一種新穎的等離子體蝕刻方法，該方法能使用新提出的自適應等離子體源在低等離子體源功率實現(xiàn)令人滿意的圖案垂直輪廓，在高水平保持蝕刻速率以便提高產(chǎn)率，并實現(xiàn)高光致抗蝕劑選擇比。
自適應等離子體源包括設(shè)置在其中心的線圈套以及多個單元線圈，該多個單元線圈螺旋地繞在線圈套上，而每個單元線圈的一端固定到線圈套。在具有上述結(jié)構(gòu)的等離子體源中，單元線圈之間的間隔和每個單元線圈的截面積影響等離子體室中生成的等離子體的密度和均勻性。從而，需要形成更精確的等離子體源。然而明顯地，等離子體源過度精確的制造追求嚴重地惡化了等離子體源的實用性。

發(fā)明內(nèi)容
因此，考慮上述問題而實現(xiàn)本發(fā)明，而且本發(fā)明的目的是提供一種設(shè)置具有自適應等離子體源的等離子體室的方法以便以與晶片位置無關(guān)的均勻蝕刻速率來執(zhí)行蝕刻工藝。
本發(fā)明的另一目的是提供一種等離子體蝕刻方法，該方法能以低的等離子體源功率實現(xiàn)令人滿意的圖案垂直輪廓，將蝕刻速率保持在高水平以便于增加產(chǎn)率，以及實現(xiàn)高的光致抗蝕劑選擇比。
本發(fā)明的又一目的是提供一種等離子體源制造方法，該方法適于具有的高可靠性、短的處理時間和降低的處理成本的大規(guī)模生產(chǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，通過提供一種等離子體室設(shè)置方法可實現(xiàn)以上和其它目的，該方法用于將自適應等離子體源線圈設(shè)置在等離子體室上，并使用等離子體源線圈在等離子體室中生成等離子體，其中等離子體室設(shè)置方法包括以下步驟制備包括第一等離子體源線圈、第二等離子體源線圈和第三等離子體源線圈的多個等離子體線圈，第二等離子體源線圈在其中心部分具有高于第一等離子體源線圈蝕刻速率的蝕刻速率，第三等離子體源線圈在其邊緣部分具有高于第一等離子體源線圈蝕刻速率的蝕刻速率；將第一等離子體源線圈設(shè)置在等離子體室上，并蝕刻測試芯片；以及對測試芯片的每個位置的蝕刻速率進行分析，并基于分析結(jié)果利用第二等離子體源線圈或第三等離子體源線圈代替第一等離子體源線圈。
每個等離子體源線圈包括設(shè)置在其中心的線圈套；以及多個單元線圈，螺旋地繞在線圈套上，而每個單元線圈的一端固定到線圈套，單元線圈的數(shù)目為m，其中m是2或更大的正數(shù)，每個單元線圈具有由以下等式表示的預定匝數(shù)(n)n＝ax(b/m)，其中a和b分別是正數(shù)。
第一等離子體源線圈具有其上表面為平坦的線圈套，第二等離子體源線圈具有其上表面為凹陷的線圈套，而第三等離子體源線圈具有其上表面為凸起的線圈套。
盡管距第一等離子體源線圈中心的徑向距離增加，但第一等離子體源線圈的單元線圈之間的間隔是均勻的，隨著距第二等離子體源線圈中心的徑向距離增加，第二等離子體源線圈的單元線圈之間的間隔逐漸增加，而隨著距第三等離子體源線圈中心的徑向距離增加，第三等離子體源線圈的單元線圈之間的間隔逐漸減小。
盡管距第一等離子體源線圈中心的徑向距離增加，但第一等離子體源線圈的每個單元線圈的截面積是均勻的，隨著距第二等離子體源線圈中心的徑向距離增加，第二等離子體源線圈的每個單元線圈的截面積逐漸增加，而隨著距第三等離子體源線圈中心的徑向距離增加，第三等離子體源線圈的每個單元線圈的截面積逐漸減少。
線圈套包括下套部分和上套部分，下套部分由與上套部分的材料不同的材料制成。
如果基于針對測試芯片的每個位置的蝕刻速率分析結(jié)果，確定在測試晶片的中心部分的蝕刻速率高于在測試晶片的邊緣部分的蝕刻速率，則第一等離子體源線圈由第三等離子體源線圈代替，然后使用第三等離子體源線圈執(zhí)行主蝕刻工藝。
如果基于針對測試芯片的每個位置的蝕刻速率分析結(jié)果，確定在測試晶片的邊緣部分的蝕刻速率高于在測試晶片的中心部分的蝕刻速率，則第一等離子體源線圈由第二等離子體源線圈代替，然后使用第二等離子體源線圈執(zhí)行主蝕刻工藝。
根據(jù)包括自適應等離子體源的等離子體室設(shè)置方法，制備針對位置具有不同等離子體密度分布的多個等離子體源線圈，執(zhí)行測試蝕刻工藝，并基于測試結(jié)果來設(shè)置等離子體源線圈中的一個，以便于執(zhí)行主蝕刻工藝。從而，本發(fā)明具有實現(xiàn)均勻蝕刻速率的效果，其不通過工藝參數(shù)的控制來獲得。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種等離子體蝕刻方法，包括以下步驟將晶片安裝在等離子體室裝置的等離子體室中，該等離子體室裝置包括在其中安裝晶片的等離子體室；用于將偏置功率施加到晶片后表面的偏置功率部分；設(shè)置在等離子體室上用于將引入到等離子體室的反應氣體轉(zhuǎn)換成等離子體的等離子體源線圈，等離子體源線圈包括線圈套和多個單元線圈，多個單元線圈螺旋地繞在線圈套上，而每個單元線圈的一端固定到線圈套；以及用于將源功率施加到等離子體源線圈以生成等離子體的源功率部分；以及將反應氣體供給到等離子體室，而在不大于500W的水平施加源功率以選擇性地蝕刻晶片的表面。
單元線圈的數(shù)目是三或更多，而每個單元線圈的匝數(shù)不大于三。
源功率以約300W至450W的水平施加。
源功率與偏置功率的比保持在約0.2∶1和5∶1之間的范圍內(nèi)。
反應氣體包括氯和三氯化硼。
根據(jù)該等離子體蝕刻方法，在以低水平例如以不大于500W的低水平施加源功率時實現(xiàn)令人滿意的圖案。雖然施加低的源功率，但具有改進結(jié)構(gòu)的等離子體源線圈的使用提供了圖案的垂直輪廓而無底切(undercut)的出現(xiàn)。同樣，在蝕刻過程中實現(xiàn)高的光致抗蝕劑選擇比，例如，約2.5或更多的光致抗蝕劑選擇比。此外，實現(xiàn)約8000/min至10000/min的高蝕刻速率。另外，在低源功率實現(xiàn)高的蝕刻速率、高的光致抗蝕劑選擇比和垂直輪廓。還有效地防止了歸因于等離子體的對室內(nèi)對元件的損傷。從而，本發(fā)明具有降低成本和解決粒子增加問題的效果。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種制造在等離子體室上設(shè)置的等離子體源線圈的方法，等離子體源線圈包括在其中心設(shè)置的線圈套和螺旋地繞在線圈套上的多個單元線圈，其中該方法包括以下步驟分別將單元線圈插到在線圈套的圓周部分形成的槽中，并將單元線圈固定到線圈套；制備具有在成形夾具體上形成的凹陷的成形夾具(jig)，成形夾具的凹陷具有與單元線圈形狀類似的形狀；制備具有在精確測量夾具體上形成的凹陷的精確測量夾具，精確測量夾具的凹陷具有與單元線圈形狀相同的形狀；將用于單元線圈的銅線插到成形夾具的凹陷中，而將熱施加到用于單元線圈的銅線，以形成具有與單元線圈的形狀類似的形狀的螺旋銅線；將螺旋銅線插到精確測量夾具的凹陷中，而將熱施加到螺旋銅線來形成單元線圈；以及將單元線圈固定到線圈套。
在成形夾具形成的凹陷的寬度分別大于單元線圈的直徑。
成形夾具的凹陷是在成形夾具體上形成的槽，使得成形夾具的凹陷具有分別對應于單元線圈直徑的深度。
精確測量夾具的凹陷是在精確測量夾具體上形成的槽，使得精確測量夾具的凹陷具有分別對應于單元線圈直徑的深度。
等離子體源線圈制造方法進一步包括以下步驟在將螺旋銅線插到精確測量夾具的凹陷中而將熱施加到螺旋線以形成單元線圈后，對單元線圈插在其中的精確測量夾具按壓預定的時間段。
等離子體源線圈制造方法進一步包括以下步驟利用銀來鍍單元線圈。
單元線圈借助于固定裝置來固定到線圈套。
等離子體源線圈制造方法進一步包括以下步驟對沒有固定到線圈套的單元線圈的端部進行滾動。
在形成螺旋銅線和單元線圈的步驟所進行的熱處理在250至350℃的溫度執(zhí)行。
成形夾具和精確測量夾具由無氧銅制成。
根據(jù)該等離子體源線圈制造方法，在等離子體源線圈的制造期間，每個單元線圈的厚度不改變，因此每個單元線圈的厚度保持在所需水平。同樣，容易地形成螺旋地繞在線圈套上的每個單元線圈的形狀。從而，本發(fā)明具有減少制造成本和時間的效果，由此易于實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。


從以下結(jié)合附圖的詳細描述，將更清楚的理解本發(fā)明的以上和其它目的、特點以及其它優(yōu)勢，其中圖1是示意性圖示根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的等離子體室設(shè)置方法的流程圖；圖2是示出在根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的等離子體室設(shè)置方法中使用的自適應等離子體源線圈的視圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的等離子體室設(shè)置方法所應用到的等離子體室實例的截面視圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的等離子體室設(shè)置方法所應用到的等離子體室另一實例的截面視圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的等離子體室設(shè)置方法所應用到的等離子體室另一實例的截面視圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的等離子體室設(shè)置方法所應用到的等離子體室又一實例的截面視圖；圖7是示出在根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的等離子體室設(shè)置方法中使用的等離子體源線圈另一實例的視圖；圖8是圖示在圖7中所示距中心的徑向距離與等離子體源線圈的線圈間隔之間關(guān)系的曲線圖；圖9是示出在根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的等離子體室設(shè)置方法中使用的等離子體源線圈又一實例的視圖；圖10是圖示在圖9中所示距中心的徑向距離與等離子體源線圈的截面積之間關(guān)系的曲線圖；圖11是圖示在圖9中所示距中心的徑向距離與等離子體源線圈的線圈間隔之間關(guān)系的曲線圖；圖12和圖13分別是圖示根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例的等離子體室設(shè)置方法的截面視圖；圖14是示意性圖示根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實施例的等離子體蝕刻方法的流程圖；圖15和16分別是示意性圖示根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的等離子體蝕刻方法的截面視圖；圖17是圖示根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的等離子體蝕刻方法的效果的掃描電子顯微照片(SEM)；圖18是示意性圖示根據(jù)本發(fā)明又一優(yōu)選實施例的等離子體源線圈制造方法的流程圖；圖19至21是分別示出在根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的等離子體源線圈制造方法中使用的夾具的視圖；圖22是圖示在根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的等離子體源線圈制造方法中單元線圈附著到線圈套的視圖；以及圖23是示出通過根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的等離子體源線圈制造方法而制造的等離子體源的視圖。
具體實施例方式
圖1是示意性圖示根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的等離子體室設(shè)置方法的流程圖。
如圖1中所示，首先制備第一等離子體源線圈(步驟101)。隨后，制備第二等離子體源線圈(步驟102)，該第二等離子體源線圈在其中心部分具有高于第一等離子體源線圈蝕刻速率的蝕刻速率。同樣，制備第三等離子體源線圈(步驟103)，該第三等離子體源線圈在其邊緣部分具有高于第一等離子體源線圈蝕刻速率的蝕刻速率。第一、第二和第三等離子體源線圈具有相同的平面形狀，而第一、第二和第三等離子體源線圈具有不同的截面形狀。
參考圖2，第一、第二和第三等離子體源線圈中的每個包括線圈套210，設(shè)置在其中心；以及多個單元線圈201、202、203和204，螺旋地繞在線圈套210上。在此實施例中，單元線圈的數(shù)目是四。然而，單元線圈的數(shù)目不需要限制為四。例如，單元線圈的數(shù)目(m)可以是大于或等于二的正數(shù)。單元線圈201、202、203和204中的每個具有預定的匝數(shù)(n)。匝數(shù)(n)應為正數(shù)。例如，匝數(shù)n通過以下等式表示n＝ax(b/m)，其中a和b分別是正數(shù)。線圈套210由與多個單元線圈201、202、203和204相同的材料制成。例如，在單元線圈201、202、203和204中的每個由銅材料制成的情形下，線圈套210由銅材料制成。盡管，線圈套210可按情形由不同于單元線圈201、202、203和204中每個的材料制成。然而，在此情形中，應注意線圈套210可由導電材料制成。在線圈套210的中心設(shè)置了支持棒211，該支持棒從線圈套210的上表面垂直延伸。支持棒211也由如銅的導電材料制成。
如圖3至5中所示，第一等離子體源線圈200a具有其上表面平坦的線圈套212，第二等離子體源線圈200b具有其上表面凹陷的線圈套214，而第三等離子體源線圈200c具有其上表面凸起的線圈套216。第二等離子體源線圈200b的線圈套214具有小于第一等離子體源線圈200a的線圈套212厚度的厚度。結(jié)果，等離子體密度在第二等離子體源線圈200b的中心部分高于在第二等離子體源線圈200a的邊緣部分，因此蝕刻速率在第二等離子體源線圈200b的中心部分高于在第二等離子體源線圈200a的邊緣部分。另一方面，第三等離子體源線圈200c的線圈套216具有大于第一等離子體源線圈200a的線圈套212厚度的厚度。結(jié)果，等離子體密度在第三等離子體源線圈200c的邊緣部分高于在第三等離子體源線圈200c的中心部分，因此蝕刻速率在第三等離子體源線圈200c的邊緣部分高于在第三等離子體源線圈200c的中心部分。上述特征在某些情形中可以相反，例如在蝕刻速率不僅受等離子體密度影響還受等離子體室中中子的出現(xiàn)和它們化學反應的結(jié)果影響。在此情形中，第二等離子體源線圈200b由第三等離子體源線圈200c代替，反之亦然。
如圖3中所示，其上設(shè)置第一等離子體源線圈200a的等離子體室300a具有內(nèi)空間304，該內(nèi)空間304具有由外室壁302和圓頂312所限定的預定尺寸。盡管為了清楚起見內(nèi)空間304在圖中示為向外界打開，但是內(nèi)空間304實際上與外界隔離，使得在內(nèi)空間304中保持真空狀態(tài)。在內(nèi)空間304中設(shè)置了晶片支持臺306，其放置在內(nèi)空間304的下部分中用于支持待處理的晶片308。連接到晶片支持臺306的RF功率供給316，該RF功率供給316是偏置功率部分。第一等離子體源線圈200a設(shè)置在圓頂312的外表面用于在內(nèi)空間304中生成等離子體310。第一等離子體源線圈200a具有如圖2中所示的平面形狀。連接到第一等離子體源線圈200a的支持棒211的是RF功率供給314，該RF功率供給314是源功率部分。雖然在圖中沒有示出，但是單元線圈201、202、203和204的端部分別連接到接地端子。其上設(shè)置有第一等離子體源線圈200a的等離子體室300a的上述結(jié)構(gòu)相同地應用為其上設(shè)置有第二等離子體源線圈200b的等離子體室300b以及其上設(shè)置有第三等離子體源線圈200c的等離子體室300c的結(jié)構(gòu)。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的等離子體室設(shè)置方法所應用到的等離子體室又一實例的截面視圖。與圖3中所示等離子體室元件相同的圖6中所示等離子體室元件通過與圖3中所示等離子體室元件相同的標號來表示。
參考圖6，等離子體源線圈200d與以上參考圖3至5所述的第一至第三等離子體源線圈不同在于，等離子體源線圈200d具有雙層化線圈套218，該雙層化的線圈套218包括下套部分218a和上套部分218b。雙層化線圈套218的下套部分218a可由不同于雙層化線圈套218的上套部分218a的材料制成，使得等離子體密度在其中心部分高于在其邊緣部分，反之亦然。
圖7是示出在根據(jù)本發(fā)明的等離子體室設(shè)置方法中使用的等離子體源線圈另一實例的視圖，以及圖8是圖示在圖7中所示距中心的徑向距離與等離子體源線圈的線圈間隔之間關(guān)系的曲線圖。
如圖7和8中所示，單個單元線圈701螺旋地繞在設(shè)置于等離子體源線圈中心的線圈套710上，而單元線圈701的一端固定到線圈套710。尤其地，單元線圈701特征在于，隨著x方向上距其中心的徑向距離增加，線圈間隔(d)逐漸減少。換句話說，線圈間距(d)向著其中心逐漸增加，而線圈間距(d)向著其邊緣逐漸減少。結(jié)果，隨著單元線圈701在徑向方向遠離其中心，流經(jīng)單元線圈701的電流之間的間隔減少，因此通過單元面積的電流總量增加。因而，隨著線圈在徑向方向遠離其中心，電流密度增加，因此增加對應于晶片邊緣的位置處的等離子體密度。這種等離子體源線圈710可用作第三等離子體源線圈。雖然在圖中沒有示出，但是第二等離子體源線圈具有相反的結(jié)構(gòu)。具體來說，單元線圈701特征在于，隨著x方向上距其中心的徑向距離增加，線圈間隔(d)逐漸增加。盡管以上將單個單元線圈作為實例來描述，但同一原理可相同地應用于多個單元線圈。
圖9是示出在根據(jù)本發(fā)明的等離子體室設(shè)置方法中使用的等離子體源線圈又一實例的視圖，圖10是圖示在圖9中所示距中心的徑向距離與等離子體源線圈的截面積之間關(guān)系的曲線圖，以及圖11是圖示在圖9中所示距中心的徑向距離與等離子體源線圈的線圈間隔之間關(guān)系的曲線圖。
參考圖9、10和11，單個單元線圈801螺旋地繞在設(shè)置于等離子體源線圈中心的線圈套810上，而單元線圈801的一端固定到線圈套810。尤其地，單元線圈801特征，在于隨著x方向上距其中心的徑向距離增加，線圈截面積(A)逐漸減少，而盡管x方向上距其中心的徑向距離增加，但是一致地保持線圈間隔(d)。換句話說，線圈截面積(A)向著其中心逐漸增加，而線圈截面積(A)向著其邊緣逐漸減少。結(jié)果，雖然電流量相同，但是隨著線圈在徑向方向遠離其中心，流經(jīng)單元線圈801的電流的密度增加，因此增加了對應于晶片邊緣的位置處的等離子體密度。這種等離子體源線圈810可用作第三等離子體源線圈。雖然在圖中沒有示出，但是第二等離子體源線圈具有相對的結(jié)構(gòu)。具體來說，單元線圈801特征在于，隨著x方向桑距其中心的徑向距離增加，線圈截面積(A)逐漸增加。盡管以上將單個單元線圈作為實例來描述，但是同一原理可相同地應用于多個單元線圈。
在上文中，已基于第一至第三等離子體源線圈的結(jié)構(gòu)描述了制備第一、第二和第三等離子體源線圈的步驟(步驟101，步驟102和步驟103)。然而應注意，第一至第三等離子體源線圈可使用與上述等離子體源線圈結(jié)構(gòu)不同的其它結(jié)構(gòu)來制造。在任何情形，與第一等離子體源線圈相比，第二等離子體源線圈在其中心部分具有高于在其邊緣部分的蝕刻速率，并且與第一等離子體源線圈相比，第三等離子體源線圈在其邊緣部分具有高于在其中心部分的蝕刻速率。
向回參考圖1，在其上設(shè)置有第一等離子體源線圈的離子體室中執(zhí)行蝕刻測試晶片的步驟(步驟104)。在蝕刻步驟完成后，分析對于測試晶片的每個位置的蝕刻速率(步驟105)。基于分析結(jié)果，確定在其中心部分的蝕刻速率是否等于在其邊緣部分的蝕刻速率(步驟106)。用語“等于”表示蝕刻速率在可允許的誤差范圍內(nèi)。如果確定在其中心部分的蝕刻速率等于在其邊緣部分的蝕刻速率，則使用第一等離子體源線圈執(zhí)行主蝕刻工藝(步驟107)。另一方面，如果確定在其中心部分的蝕刻速率不等于在其邊緣部分的蝕刻速率，則確定蝕刻速率在一個部分或在另一部分較高，例如在其中心部分的蝕刻速率是否高于在其邊緣部分的蝕刻速率(步驟108)。如果確定在其中心部分的蝕刻速率高于在其邊緣部分的蝕刻速率，則將第一等離子體源線圈用第三等離子體源線圈代替，然后使用第三等離子體源線圈執(zhí)行主蝕刻工藝(步驟109)。當使用第三等離子體源線圈時，在其邊緣部分的蝕刻速率增加更多，因此獲得基本均勻的蝕刻結(jié)果。如果確定在其邊緣部分的蝕刻速率高于在其中心部分的蝕刻速率，則將第一等離子體源線圈用第二等離子體源線圈代替，然后使用第二等離子體源線圈執(zhí)行主蝕刻工藝(步驟110)。當使用第二等離子體源線圈時，在其中心部分的蝕刻速率增加更多，因此獲得基本均勻的蝕刻結(jié)果。
圖12和圖13是圖示以在步驟108的確定為基礎(chǔ)的蝕刻結(jié)果的截面視圖。
參考圖12和圖13，可將預定圖案形成在晶片308，該晶片308載入等離子體室中并且在等離子體室中加以蝕刻。例如，多晶硅膜圖案308a可形成在晶片308的表面上。在晶片表面與多晶硅膜圖案308a之間可插入絕緣膜(未示出)，使得多晶硅膜圖案308a可用作柵導電膜?？商鎿Q地，多晶硅膜圖案308a可直接形成在晶片表面上或形成在另一膜上，使得多晶硅膜圖案308a可用于其它目的。多晶硅膜圖案308a不僅設(shè)置在晶片308的中心部分308C上，還設(shè)置在晶片308的邊緣部分308E上。為了形成這種多晶硅膜圖案308a，將多晶硅膜形成在晶片308的表面上，然后將掩模膜圖案(未示出)形成在多晶硅膜上。隨后，使用掩模膜圖案作為蝕刻掩模來執(zhí)行蝕刻工藝，以去除由掩模膜圖案所暴露的多晶硅膜。結(jié)果，獲得了圖中所示的多晶硅膜圖案308a。
根據(jù)本發(fā)明的等離子體室設(shè)置方法的步驟108，即確定在中心部分的蝕刻速率是否高于在邊緣部分的蝕刻速率的步驟，是通過分析所蝕刻的測試晶片來進行。當在晶片中心部分的蝕刻速率高于在晶片邊緣部分的蝕刻速率時，晶片308的中心部分308C完全地蝕刻，而晶片308的邊緣部分308E不完全地蝕刻，如圖12中所示。另一方面，當在晶片中心部分的蝕刻速率低于在晶片邊緣部分的蝕刻速率時，晶片308的中心部分308C不完全地蝕刻，而晶片308的邊緣部分308E完全地蝕刻，如圖13中所示。從而，在圖12中的情形中執(zhí)行步驟109，而在圖13的情形中執(zhí)行步驟110。
盡管在以上描述中使用了三個等離子體源線圈，但是也可使用多于三個的等離子體源線圈，例如針對晶片位置具有不同蝕刻速率的多個等離子體源線圈。
圖14是示意性圖示根據(jù)本發(fā)明的等離子體蝕刻方法的流程圖，以及圖15和16分別是示意性圖示根據(jù)本發(fā)明的等離子體蝕刻方法的截面視圖。
參考圖14，根據(jù)本發(fā)明的等離子體蝕刻方法開始于將晶片308(見圖3)安裝在等離子體室300a中(見圖3)，其已參考圖3進行了描述(步驟1610)。
這時，晶片308是具有阻擋層1320、金屬層1330和抗反射層1340的晶片，這些層依次形成在如氧化硅層的下材料層1310如氧化硅層上，如圖15中所示。在抗反射層1340上形成光致抗蝕劑層圖案1350，使得利用金屬線圖案來圖案化金屬層1330。
在等離子體室300a中將晶片308設(shè)置在晶片支持臺306上后，反應氣體，例如包括氯(Cl2)和三氯化硼(BCl3)的反應氣體，作為用于蝕刻金屬層的蝕刻劑，供給到工藝室300a(見圖3)中。優(yōu)選地，氯與三氯化硼的比是2∶1或更多。將來自RF功率供給314(見圖3)的RF功率施加到等離子體源線圈200a(見圖3)以便生成等離子體，其中RF功率供給314是源功率部分。將來自RF功率供給316(見圖3)的偏置功率施加到晶片308的后表面(見圖3)以便執(zhí)行蝕刻工藝(步驟1630)，其中RF功率供給316是偏置功率部分。
這時，從RF功率供給314供給的源功率不大于約500W，其中RF功率供給314是源功率部分。同樣，最小RF源功率是約10W到100W，這對于待激發(fā)成等離子體的反應氣體而言是必需的。優(yōu)選地，源功率是約300W至450W。另一方面，RF偏置功率是約100W至約200W。這時，源功率與偏置功率的比優(yōu)選地保持在約0.2∶1和5∶1之間的范圍內(nèi)。為何施加低源功率即不超過500W的源功率的原因在于，可獲得較高的光致抗蝕劑選擇比。
傳統(tǒng)IPC源型的等離子體裝置提供了約800W至1000W的高RF源功率。在這種情形中，雖然防止了蝕刻量的減少，但沒有實現(xiàn)高光致抗蝕劑選擇比，因此損失抗反射層或待圖案化的金屬層的上邊緣。為了解決以上問題，根據(jù)本發(fā)明的自適應等離子體室提供了不大于約500W的RF源功率來生成等離子體。
通過上述的蝕刻工藝，獲得阻擋層圖案1320’、金屬層圖案1330’和抗反射層圖案1340’，如圖16中所示。這時，剩余光致抗蝕劑圖案1350’充分地覆蓋抗反射層圖案1340’。這是因為基于根據(jù)本發(fā)明的蝕刻方法實現(xiàn)了高光致抗蝕劑選擇比。此外，可與高光致抗蝕劑選擇比的實現(xiàn)同時地實現(xiàn)高蝕刻速率，并且所形成的圖案可具有垂直輪廓。
本發(fā)明以上所述的效果通過圖17中所示掃描電子顯微照片來證實。
圖17是圖示根據(jù)本發(fā)明的等離子體蝕刻方法的效果的掃描電子顯微照片(SEM)。
參考圖17可看出，使用根據(jù)本發(fā)明的等離子體蝕刻方法所形成的圖案具有垂直輪廓而沒有頂肩損失。圖17的顯微照片是從使用根據(jù)本發(fā)明的蝕刻方法在晶片308上的材料層結(jié)構(gòu)處形成的圖案結(jié)構(gòu)而獲得，該圖案結(jié)構(gòu)已參考圖15和圖16進行了描述。
更具體而言，如圖15中所示，首先將如氧化硅層的下材料層1310形成在晶片308上。將具有約300至1500厚度的阻擋層1320如鈦/氮化鈦層(Ti/TiN層)形成在下材料層1310上。將具有約8000厚度的金屬層1330如鋁層形成在阻擋層1320上。將具有約500至1000厚度的抗反射層1340如氮化鈦層形成在金屬層1330上。最后，將光致抗蝕劑層圖案1350形成在抗反射層1340上。
隨后，如參考圖14所述在施加低的源功率時執(zhí)行選擇蝕刻工藝以圖案化如圖16中所示的晶片。更具體來說，將如圖2中所示的自適應等離子體源線圈設(shè)置在如圖3中所示的等離子體室上。這時，單元線圈的數(shù)目為三，而每個單元線圈的繞數(shù)為二。
盡管可使用兩個或更多單元線圈，并且每個單元的繞數(shù)可以是任意正數(shù)，但是采用上述構(gòu)造來證明根據(jù)本發(fā)明的等離子體蝕刻方法的效果。
在具有上述構(gòu)造的等離子體室中將晶片308放置在晶片支持臺306上后，將包括比率約為2∶1的氯和三氯化硼的反應氣體供給到等離子體室，然后在施加約450W的源功率和約300W的偏置功率時執(zhí)行蝕刻工藝。此后，剩余光致抗蝕劑層借助于灰化和剝離來去除。圖17中示出的所得結(jié)構(gòu)垂直截面的顯微照片是通過掃描電子顯微鏡來拍攝。
從圖17的顯微照片可以看出，金屬層圖案1330’即鋁層圖案具有垂直輪廓。這證實了如下事實，即盡管施加例如約450W源功率的低源功率，仍然防止了底切的出現(xiàn)。這時，實際的蝕刻量非常大。例如，蝕刻量為約8000/min到約10000/min。這證實了如下事實，即根據(jù)本發(fā)明的等離子體蝕刻方法實現(xiàn)了非常高的工藝效率。
同樣，還證實了沒有損失鋁層圖案的上肩，其基本上是氮化鈦層圖案，該氮化鈦層圖案是抗反層圖案1340’。上肩的無損失證實了維持光致抗蝕劑圖案1350’直到完成蝕刻工藝。換句話說，證實了可實現(xiàn)非常高的光致抗蝕劑選擇比。實際上，可實現(xiàn)約三或更多的光致抗蝕劑選擇比。
使用傳統(tǒng)IPC源型等離子體室非常難以實現(xiàn)上述效應。在傳統(tǒng)IPC源型等離子體室中，必須施加約1000W或更多的源功率來獲得圖17的顯微照片中所見的同一晶片結(jié)構(gòu)，以便實現(xiàn)約8000/min的蝕刻速率并實現(xiàn)垂直輪廓。在此情形中，難以實現(xiàn)約2或更大的光致抗蝕劑選擇比，因此損失上肩。這種上肩損失影響了鋁層圖案的線寬和電阻。從而，難以將傳統(tǒng)IPC源型的等離子體室應用于大規(guī)模生產(chǎn)。
在降低源功率來增加光致抗蝕劑選擇比以便在傳統(tǒng)IPC源型等離子體室中防止上肩損失的情形中，非常難以獲得圖案的垂直輪廓。當在傳統(tǒng)IPC源型等離子體室中實際施加約500W的低源功率時，觀察到在圖案過度地形成底切。
當根據(jù)本發(fā)明施加約500W的低源功率來生成等離子體時，另一方面，有效地防止了由于等離子體造成的晶片弧化和對等離子體室內(nèi)部元件的損傷，這在施加高的源功率時必然發(fā)生。從而，補救了由于該損傷而過度出現(xiàn)的粒子問題，并因此降低用以執(zhí)行蝕刻工藝而必需的成本。
圖18是示意性圖示根據(jù)本發(fā)明的等離子體源線圈制造方法的流程圖，而圖23是示出通過根據(jù)本發(fā)明的等離子體源線圈制造方法而制造的離子體源線圈的視圖。
首先參考圖23，通過根據(jù)本發(fā)明的等離子體源線圈制造方法所制造的等離子體源線圈2900包括線圈套2910，設(shè)置在其中心；以及多個單元線圈2921、2922和2923，螺旋地繞在線圈套2910上，而每個單元套的一端固定到線圈套2910。
現(xiàn)在參考圖18，首先制備成形夾具和精確測量夾具，以便制造具有上述構(gòu)造的等離子體源線圈2900(步驟2401和步驟2402)。成形夾具和精確測量夾具具有同一形狀。因而，以下將詳細描述成形夾具，然后將接連描述成形夾具與精確測量夾具之間的差別。
圖19至21分別示意性地示出上述成形夾具。圖20和21是沿著圖19的線XV-XV’獲得的截面視圖，示出了成形夾具的實例。
如圖19至21中所示，成形夾具包括成形夾具體2500；以及多個凹陷2510、2521、2522和2523，形成在成形夾具體2500上。尤其是，凹陷2510、2521、2522和2523中的每個形成為與等離子體源線圈2900的形狀類似的形狀(見圖23)，通過該形狀使成形夾具區(qū)別于精確測量夾具。具體來說，成形夾具具有凹陷2510、2521、2522和2523，所述凹陷形成為與等離子體源線圈2900的單元線圈的形狀類似的形狀，而精確測量夾具具有凹陷2510、2521、2522和2523，所述凹陷形成為與等離子體源線圈2900的單元線圈的形狀相同的形狀。從而，成形夾具的凹陷2521、2522和2523的寬度分別大于等離子體源線圈2900的單元線圈2921、2922和2923的直徑。另一方面，精確測量夾具的凹陷2521、2522和2523的寬度等于等離子體源線圈2900的單元線圈2921、2922和2923的直徑。除了上述不同外，成形夾具和精確測量夾具基本上相同。
凹陷2510對應于線圈套2910，而凹陷2521、2522和2523分別對應于單元線圈2921、2922和2923。如圖20中所示，凹陷2521、2522和2523可以是在成形夾具體2500上形成的槽，使得凹陷2521、2522和2523分別具有與單元線圈2921、2922和2923的直徑對應的深度。
向回參考圖18，制備用于單元線圈的銅線(步驟2403)。用于單元線圈的銅線由具有幾乎100％純度的無氧銅制成，不過在某些情形中用于單元線圈的銅線可以由其它材料制成。用于單元線圈的銅線是長直銅線。將用于單元線圈的銅線插到凹陷2521、2522或2523中。用于單元線圈的銅線形成為直的形狀，而凹陷2521、2522或2523形成為螺旋形狀，因此用于單元線圈的銅線可能不易于插到凹陷2521、2522或2523中。在這種情形中，可使用附加裝置，例如輔助螺旋夾具。將用于單元線圈的銅線插到凹陷2521、2522或2523中，而將熱施加到用于單元線圈的銅線以形成螺旋銅線(步驟2404)。熱施加工藝可在約250至350℃的溫度執(zhí)行。為何將熱施加到用于單元線圈的銅線的原因在于，成螺旋形狀彎曲的用于單元線圈的銅線容易地設(shè)置成螺旋形狀。同樣，成形夾具的凹陷2521、2522或2523的尺寸大于用于單元線圈的銅線的尺寸。從而，沒有困難地執(zhí)行步驟2404。由執(zhí)行步驟2404所獲得的螺旋銅線具有不同于但類似于單元線圈2921、2922或2923形狀的螺旋形狀。
隨后，將螺旋銅線插到精確測量夾具中，而將熱施加到螺旋銅線以形成單元線圈2921、2922或2923(步驟2405)。由于螺旋銅線具有類似于單元線圈2921、2922或2923形狀的螺旋形狀，螺旋銅線易于插到精確測量夾具的凹陷中。當螺旋銅線在此狀態(tài)中加熱到約250℃到350℃的溫度時，完成單元線圈2921、2922或2923。此后，精確測量夾具通過如表面板的附加按壓裝置來按壓，直到單元線圈2921、2922或2923冷卻，以便防止單元線圈2921、2922或2923的熱變形(步驟2406)。隨后，單元線圈2921、2922或2923與精確測量夾具相分離，然后滾動單元線圈2921、2922或2923的端部(步驟2407)。此后，利用銀來鍍單元線圈2921、2922或2923(步驟2408)。使用電鍍方法進行鍍銀?？紤]趨膚深度，決定鍍銀部分的厚度。
最后，借助于固定裝置(步驟2409)將單元線圈2921、2922或2923固定到線圈套2910。具體來說，將單元線圈2921、2922或2923的一端插到在線圈套2910的圓周部分所形成的槽中的一個中，如圖22中所示，然后借助于附加固定裝置2931、2932或2933將單元線圈2921、2922或2923固定到線圈套2910。對于在線圈套2910的槽中所插入的單元線圈2921、2922或2923的端部不進行滾動。根據(jù)情況，可在單元線圈2921、2922或2923插到線圈套2910中并固定倒線圈套2910后，執(zhí)行滾動工藝。可替選地，可首先進行借助于固定裝置將單元線圈2921、2922或2923固定到線圈套2910的步驟。在此情形中，應確保成形夾具和精確測量夾具提供有線圈套2910將插入到其中的槽。
在上述描述中，單元線圈2921、2922和2923的數(shù)目例如是三，不過可以無限制地使用四個或更多單元線圈。
工業(yè)可用性本發(fā)明應用于采用自適應等離子體源的半導體制造設(shè)備領(lǐng)域和使用該半導體制造設(shè)備的半導體制造領(lǐng)域。
權(quán)利要求
1.一種等離子體室設(shè)置方法，用于將自適應等離子體源線圈設(shè)置在等離子體室上，并使用所述等離子體源線圈在所述等離子體室中生成等離子體，其中所述等離子體室設(shè)置方法包括以下步驟制備包括第一等離子體源線圈、第二等離子體源線圈和第三等離子體源線圈的多個等離子體源線圈，所述第二等離子體源線圈在其中心部分具有高于所述第一等離子體源線圈蝕刻速率的蝕刻速率，所述第三等離子體源線圈在其邊緣部分具有高于所述第一等離子體源線圈蝕刻速率的蝕刻速率；將所述第一等離子體源線圈設(shè)置在所述等離子體室上，并蝕刻測試芯片；以及對所述測試芯片的每個位置的蝕刻速率進行分析，并基于分析結(jié)果利用所述第二等離子體源線圈或所述第三等離子體源線圈代替所述第一等離子體源線圈。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述等離子體源線圈中的每個包括設(shè)置在其中心的線圈套；以及多個單元線圈，螺旋地繞在所述線圈套上，而所述單元線圈中每個的一端固定到所述線圈套，所述單元線圈的數(shù)目為m，其中m是二或更大的正數(shù)，所述單元線圈中的每個具有由以下等式所表示的預定匝數(shù)(n)n＝a×(b/m)，其中a和b分別是正數(shù)。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第一等離子體源線圈具有其上表面為平坦的線圈套，所述第二等離子體源線圈具有其上表面為凹陷的線圈套，而所述第三等離子體源線圈具有其上表面為凸起的線圈套。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中盡管距所述第一等離子體源線圈中心的徑向距離增加，但所述第一等離子體源線圈的單元線圈之間的間隔是均勻的，隨著距所述第二等離子體源線圈中心的徑向距離增加，所述第二等離子體源線圈的單元線圈之間的間隔逐漸增加，以及隨著距所述第三等離子體源線圈中心的徑向距離增加，所述第三等離子體源線圈的單元線圈之間的間隔逐漸減小。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中盡管距所述第一等離子體源線圈中心的徑向距離增加，但所述第一等離子體源線圈的單元線圈中每個的截面積是均勻的，隨著距所述第二等離子體源線圈中心的徑向距離增加，所述第二等離子體源線圈的單元線圈中每個的截面積逐漸增加，以及隨著距所述第三等離子體源線圈中心的徑向距離增加，所述第三等離子體源線圈的單元線圈中每個的截面積逐漸減少。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述線圈套包括下套部分和上套部分，所述下套部分由不同于所述上套部分材料的材料制成。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，如果基于對所述測試芯片的每個位置的蝕刻速率分析結(jié)果，確定在所述測試晶片的中心部分的蝕刻速率高于在所述測試晶片的邊緣部分的蝕刻速率，則所述第一等離子體源線圈由所述第三等離子體源線圈代替，然后使用所述第三等離子體源線圈執(zhí)行主蝕刻工藝。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，如果基于對所述測試芯片的每個位置的蝕刻速率分析結(jié)果，確定在所述測試晶片的邊緣部分的蝕刻速率高于在所述測試晶片的中心部分的蝕刻速率，則所述第一等離子體源線圈由所述第二等離子體源線圈代替，然后使用所述第二等離子體源線圈執(zhí)行主蝕刻工藝。
9.一種等離子體蝕刻方法，包括以下步驟將晶片安裝在等離子體室裝置的等離子體室中，所述等離子體室裝置包括其中安裝晶片的等離子體室，偏置功率部分，用于將偏置功率施加到所述晶片的后表面，等離子體源線圈，設(shè)置在所述等離子體室上，用于將引入到所述等離子體室的反應氣體轉(zhuǎn)換成等離子體，所述等離子體源線圈包括線圈套和多個單元線圈，所述多個單元線圈螺旋地繞在所述線圈套上，而所述單元線圈中每個的一端固定到所述線圈套，以及源功率部分，用于將源功率施加到所述等離子體源線圈以生成等離子體；以及將反應氣體供給到所述等離子體室中，而在不大于500W的水平施加所述源功率以選擇性地蝕刻所述晶片的表面。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述單元線圈的數(shù)目是三或更多，而所述單元線圈中每個的匝數(shù)不大于三。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述源功率以約300W至450W的水平施加。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述源功率與所述偏置功率的比保持在約0.2∶1和5∶1之間的范圍內(nèi)。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述反應氣體包括氯和三氯化硼。
14.一種制造在等離子體室上設(shè)置的等離子體源線圈的方法，所述等離子體源線圈包括在其中心設(shè)置的線圈套和螺旋地繞在所述線圈套上的多個單元線圈，其中所述方法包括以下步驟分別將所述單元線圈插到在所述線圈套的圓周部分形成的槽中，并將所述單元線圈固定到所述線圈套；制備具有在成形夾具體上形成的凹陷的成形夾具，所述成形夾具的凹陷具有與所述單元線圈的形狀類似的形狀；制備具有在精確測量夾具體上形成的凹陷的精確測量夾具，所述精確測量夾具的凹陷具有與所述單元線圈的形狀相同的形狀；將用于所述單元線圈的銅線插到所述成形夾具的凹陷中，而將熱施加到用于所述單元線圈的銅線以形成具有與所述單元線圈的形狀類似的形狀的螺旋銅線；將所述螺旋銅線插到所述精確測量夾具的凹陷中，而將熱施加到所述螺旋銅線以形成單元線圈；以及將所述單元線圈固定到所述線圈套。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中在所述成形夾具形成的凹陷的寬度分別大于所述單元線圈的直徑。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述成形夾具的凹陷是在所述成形夾具體上形成的槽，使得所述成形夾具的凹陷具有分別對應于所述單元線圈直徑的深度。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述精確測量夾具的凹陷是在所述精確測量夾具體上形成的槽，使得所述精確測量夾具的凹陷具有分別對應于所述單元線圈直徑的深度。
18.如權(quán)利要求14所述的方法，進一步包括以下步驟在將所述螺旋銅線插到所述精確測量夾具的凹陷中而將熱施加到所述螺旋銅線以形成所述單元線圈后，對所述單元線圈插在其中的所述精確測量夾具按壓預定的時間段。
19.如權(quán)利要求14所述的方法，進一步包括以下步驟利用銀來鍍所述單元線圈。
20.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述單元線圈借助于固定裝置來固定到所述線圈套。
21.如權(quán)利要求14所述的方法，進一步包括以下步驟對沒有固定到所述線圈套的所述單元線圈的端部進行滾動。
22.如權(quán)利要求14所述的方法，其中在形成所述螺旋銅線和所述單元線圈的步驟所進行的所述熱處理在250至350℃的溫度執(zhí)行。
23.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述成形夾具和所述精確測量夾具由無氧銅制成。
全文摘要
這里所公開的是一種用于在等離子體室中生成等離子體的等離子體室設(shè)置方法。制備多個等離子體線圈，包括第一等離子體源線圈、第二等離子體源線圈和第三等離子體源線圈，該第二等離子體源線圈在其中心部分具有高于第一等離子體源線圈蝕刻速率的蝕刻速率，該第三等離子體源線圈在其邊緣部分具有高于第一等離子體源線圈蝕刻速率的蝕刻速率。將第一等離子體源線圈設(shè)置在等離子體室上，并蝕刻測試芯片。對測試芯片的每個位置的蝕刻速率進行分析，并基于分析結(jié)果利用第二等離子體源線圈或第三等離子體源線圈代替第一等離子體源線圈。
文檔編號H01L21/3065GK1898780SQ200480038583
公開日2007年1月17日 申請日期2004年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月22日
發(fā)明者宋榮洙, 吳相龍, 金升基, 金南憲, 吳榮根, 李堵漢 申請人:自適應等離子體技術(shù)公司