專利名稱：具有自適應(yīng)電力供應(yīng)源的受管理混合存儲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文中所揭示的標(biāo)的物涉及一種存儲器裝置，且更明確地說，涉及一種包含電力供應(yīng)源的受管理混合存儲器。
背景技術(shù)：
存儲器裝置用于許多類型的電子裝置中，例如計算機、蜂窩電話、PDA、數(shù)據(jù)記錄器及導(dǎo)航設(shè)備，此處僅列舉幾個實例。在此類電子裝置當(dāng)中，可采用各種類型的易失性或非易失性存儲器裝置，例如NAND或NOR快閃存儲器、SRAM、DRAM及相變存儲器，此處僅列舉幾個實例。每一類型的存儲器技術(shù)相對于各種應(yīng)用具有特定優(yōu)點及缺點。換句話說，此類類型的存儲器技術(shù)可比其它類型的存儲器技術(shù)更適合于特定應(yīng)用。


將參考以下各圖描述非限制性及非窮盡性實施例，其中除非另外說明，否則所有各圖中相似參考編號指代相似部件。圖1到圖4是根據(jù)數(shù)個實施例的混合存儲器的示意性框圖。圖5是圖解說明計算系統(tǒng)的例示性實施例的示意圖。圖6展示根據(jù)一實施例的電壓轉(zhuǎn)換器及相關(guān)聯(lián)增益標(biāo)繪圖。
具體實施例方式此說明書通篇所提及的“一個實施例”或“一實施例”意指結(jié)合所述實施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包含在所主張的標(biāo)的物的至少一個實施例中。因此，在此說明書通篇中的各個地方出現(xiàn)的短語“在一個實施例中”或“一實施例”未必全部指代同一實施例。此外，可將所述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性組合在一個或一個以上實施例中。本文中所描述的實施例涉及包括兩種或兩種以上存儲器技術(shù)的受管理混合存儲器。在本文中，存儲器技術(shù)是指一存儲器或一系列存儲器可以其為基礎(chǔ)的技術(shù)類型。舉例來說，不同存儲器技術(shù)可基于不同存儲器單元配置(例如，包括六個晶體管的SRAM存儲器單元、包括一個晶體管及電容器的DRAM存儲器單元)。在另一實例中，不同存儲器技術(shù)可基于不同存儲器是易失性還是非易失性。存儲器技術(shù)的其它實例包含，但不限于NOR、NAND、 快閃、相變存儲器(PCM)、NAND多電平單元(MLC)存儲器、NAND單電平單元(SLC)存儲器等等。如下文進一步詳細(xì)討論，此類不同存儲器技術(shù)可使用大致不同電壓來操作。在本文中， 術(shù)語“大致不同電壓”可以是指相差多于約5%到10%的電壓。舉例來說，一種存儲器技術(shù)可使用5. 0伏來操作而另一存儲器技術(shù)可使用大致不同電壓(包括4. 5伏)來操作，但所主張的標(biāo)的物并不受此限制。在本文中，術(shù)語“大致不同電壓”亦可以是指相差以下量的兩個電壓足以允許特定存儲器技術(shù)使用所述兩個(但非兩個)電壓中的僅一者來操作。舉例來說，NAND MLC存儲器裝置可使用3. 0伏來操作而NAND SLC存儲器裝置可使用1. 8伏來操作。當(dāng)然，存儲器裝置的此類細(xì)節(jié)僅為實例，且所主張的標(biāo)的物并不受此限制。
如上文所提及，兩種或兩種以上存儲器技術(shù)可使用彼此不同的電壓電平來操作。 舉例來說，受管理混合存儲器可包括使用3. 0伏來操作的第一存儲器裝置及使用1. 8伏來操作的第二存儲器裝置，但所主張的標(biāo)的物并不受此限制。為適應(yīng)此類不同操作電壓電平， 受管理混合存儲器可包括用以將所述不同操作電壓提供到所述受管理混合存儲器內(nèi)的個別存儲器裝置的自適應(yīng)電力供應(yīng)源。在實施方案中，此自適應(yīng)電力供應(yīng)源可包括電壓轉(zhuǎn)換器，如下文詳細(xì)討論。受管理混合存儲器可包含用以操作所述受管理混合存儲器內(nèi)的此類個別存儲器裝置的控制器。在一個實施方案中，電壓轉(zhuǎn)換器可與所述控制器集成在一起且由所述控制器來操作。在另一實施方案中，電壓轉(zhuǎn)換器可以是與所述控制器分離且位于受管理混合存儲器的不同部分中。然而，應(yīng)理解，這些僅為受管理混合存儲器的實例性實施方案，且所主張的標(biāo)的物在此方面并不受限制受管理混合存儲器可用于提供通過使用僅一種存儲器技術(shù)原本不可獲得的多個操作特性。舉例來說，混合受管理存儲器可包括NOR存儲器裝置及NAND存儲器裝置，因此提供每一此存儲器裝置技術(shù)可能必須提供的益處?；旌鲜芄芾泶鎯ζ鞯牧硪粚嵗砂∟AND MLC裝置及NAND SLC裝置?；旌鲜芄芾泶鎯ζ鞯挠忠粚嵗砂∟AND MLC裝置及PCM裝置。應(yīng)注意，除本文中所提到的那些方案以外，還可在受管理混合存儲器中包含任一數(shù)目的存儲器技術(shù)及任一存儲器技術(shù)的組合。當(dāng)然，僅出于圖解說明目的而在此處呈現(xiàn)此類所提到的實例，且所主張的標(biāo)的物并不受此限制。如上文所提及，包括并入于混合受管理存儲器中的不同存儲器技術(shù)的多個存儲器裝置可使用彼此不同的電壓來操作。混合受管理存儲器可包括用以從外部源(例如，相對于所述混合受管理存儲器在外部)接收電力供應(yīng)源信號的輸入端口。在一個實施方案中， 包含于混合存儲器中的第一存儲器裝置可使用大致與來自所述外部源的所述電力供應(yīng)源信號的電壓相同的電壓來操作。相比之下，包含于所述混合存儲器中的第二存儲器裝置可使用不同于所述電力供應(yīng)源信號的電壓的電壓來操作。因此，可將自適應(yīng)電力供應(yīng)源并入到受管理混合存儲器中以將適當(dāng)電壓提供到所述受管理混合存儲器內(nèi)的多個存儲器裝置。 此自適應(yīng)電力供應(yīng)源可包括用以轉(zhuǎn)換所述電力供應(yīng)源信號的一部分從而提供具有可由所述第二存儲器裝置使用的電壓的信號的電壓轉(zhuǎn)換器。在另一實施方案中，包含于混合存儲器中的第一及第二存儲器裝置兩者均可使用不同于所述電力供應(yīng)源信號的電壓的電壓來操作。因此，電壓轉(zhuǎn)換器可用于轉(zhuǎn)換所述電力供應(yīng)源信號的至少一部分從而提供具有可由所述第一及第二存儲器裝置使用的不同電壓的兩個或兩個以上信號。在一實施例中，用于受管理混合存儲器中的電壓轉(zhuǎn)換器可包括用以升高輸入信號的電壓的升壓轉(zhuǎn)換器。即，升壓轉(zhuǎn)換器可產(chǎn)生具有高于輸入信號的電壓的電壓的輸出信號。 另一方面，用于受管理混合存儲器中的電壓轉(zhuǎn)換器可包括用以降低輸入信號的電壓的降壓轉(zhuǎn)換器。即，降壓轉(zhuǎn)換器可產(chǎn)生具有低于輸入信號的電壓的電壓的輸出信號?？墒褂萌舾稍O(shè)計中的任一者來實施此類電壓轉(zhuǎn)換器。此類電壓轉(zhuǎn)換器可包括DC/DC電壓轉(zhuǎn)換器，其接收DC輸入電壓信號且產(chǎn)生(較低或較高)DC輸出電壓信號。除能夠增加或減小輸入DC電壓信號的量值以外，此類電壓轉(zhuǎn)換器還可顛倒輸入DC電壓信號的極性(例如，正/負(fù))。當(dāng)然，電壓轉(zhuǎn)換器的此類細(xì)節(jié)僅為實例，且所主張的標(biāo)的物并不受此限制。圖6展示根據(jù)一實施例的電壓轉(zhuǎn)換器及相關(guān)聯(lián)增益標(biāo)繪圖的實例的示意圖。電壓轉(zhuǎn)換器610可包括用以產(chǎn)生具有低于輸入信號的電壓的電壓的輸出信號的減壓轉(zhuǎn)換器(例如，降壓轉(zhuǎn)換器)。標(biāo)繪圖615圖解說明依據(jù)時鐘工作循環(huán)D的放大率M(D)。放大率M(D) 可包括增益比率V/Vg，例如，輸入電壓對輸出電壓的比率，如圖6中所展示。因此，增益標(biāo)繪圖615展示放大率M(D)可小于1. 0以使得輸出電壓小于輸入電壓。電壓轉(zhuǎn)換器620可包括用以產(chǎn)生具有高于輸入信號的電壓的電壓的輸出信號的增壓轉(zhuǎn)換器(例如，升壓轉(zhuǎn)換器)。標(biāo)繪圖625圖解說明依據(jù)時鐘工作循環(huán)D的放大率M(D)。 放大率M(D)可包括增益比率V/Vg，如圖6中所展示。因此，增益標(biāo)繪圖625展示放大率 M(D)可大于1. 0以使得輸出電壓大于輸入電壓。雖然圖6中未展示，但電壓轉(zhuǎn)換器可包括包含電感式及/或電容式能量存儲組件的電路，其中DC/DC轉(zhuǎn)換可以是至少部分地基于開關(guān)電容器技術(shù)，舉例來說。應(yīng)注意，電壓轉(zhuǎn)換器可在大致不消耗電力的情況下增加或減小輸入電壓。換句話說，電壓轉(zhuǎn)換器不需要包括導(dǎo)致歐姆損失的電阻式組件。相比之下，分壓器可包括若干電阻式組件，其在提供經(jīng)減小輸出電壓(例如，與輸入電壓相比)的同時損失能量。因此，舉例來說，不應(yīng)將如本文中所描述的電壓轉(zhuǎn)換器與可在操作期間損失能量的其它類型的電壓修改電路(例如，基于電阻的分壓器)相混淆。在特定實施方案中，將電壓轉(zhuǎn)換器并入于受管理混合存儲器中可提供將不同操作電壓有效供應(yīng)到具有所述受管理混合存儲器內(nèi)的不同存儲器技術(shù)的兩個或兩個以上存儲器裝置的益處。換句話說，可在不涉及大量電力或歐姆加熱損失的情況下將輸入電壓轉(zhuǎn)換為若干不同電壓。注意，一些實施例可包含電阻式元件。 因此，電壓轉(zhuǎn)換器的實施方案不需要排除對電阻式元件的使用，且所主張的標(biāo)的物在此方面并不受限制。圖1是根據(jù)一實施例的受管理混合存儲器100的示意性框圖。如上文所討論，此存儲器可包括具有不同存儲器技術(shù)的兩個或兩個以上存儲器裝置。明確地說，受管理混合存儲器100可包含具有第一存儲器技術(shù)的第一存儲器裝置120及具有第二存儲器技術(shù)的第二存儲器裝置130。舉例來說，控制器110可經(jīng)由線108從外部源(例如，處理器)接收信息及/或經(jīng)由線108將信息提供到所述外部源。此信息可包含讀取、寫入及/或擦除命令 (例如，存儲器存取命令)、存儲器地址、待存儲于第一及/或第二存儲器裝置120及130中的信息等等。舉例來說，控制器110可通過將存儲器存取命令及相關(guān)聯(lián)信息(例如，待存儲的存儲器地址及/或信息)選擇性地提供到所述第一及第二存儲器裝置來管理所述第一及第二存儲器裝置120及130。受管理混合存儲器100可包含用以從外部源(例如，位于所述受管理混合存儲器外部的源)接收電力的電力供應(yīng)源端口 105。此電力可以是呈具有大致恒定[例如，直流電(DC)]電壓電平的信號的形式，但所主張的標(biāo)的物并不受此限制。在特定實施方案中，存儲器裝置120可使用大致與在電力供應(yīng)源端口 105處提供的電力信號的電壓相同的電壓來操作。因此，可經(jīng)由節(jié)點103將所述電力供應(yīng)源信號的一部分提供到存儲器裝置120。另一方面，存儲器裝置130可使用大致不同于在電力供應(yīng)源端口 105處提供的電力信號的電壓的電壓來操作。因此，可將節(jié)點103處的電力供應(yīng)源信號的一部分提供到電壓轉(zhuǎn)換器140以產(chǎn)生具有對應(yīng)于存儲器裝置130的操作規(guī)范的電壓的經(jīng)修改電力供應(yīng)源信號。此經(jīng)修改電力供應(yīng)源信號可包括大于或小于節(jié)點103處的電力供應(yīng)源信號的電壓的電壓。隨后，可將此經(jīng)修改電力供應(yīng)源信號提供到存儲器裝置130。在一個實施方案中，電壓轉(zhuǎn)換器140可包括若干可能電路配置中的任一者，例如，圖6中所展示的電壓轉(zhuǎn)換器610或620，舉例來說。電壓轉(zhuǎn)換器140可駐存于用以制作受管理混合存儲器100的襯底的一部分上。電壓轉(zhuǎn)換器140可包括在與用以制作受管理混合存儲器100的過程分離的過程中制作的裸片。在另一實施方案中，電壓轉(zhuǎn)換器140可包括在用以同時制作電壓轉(zhuǎn)換器140的至少一部分的過程中制作的裸片。為給出存儲器技術(shù)的實例，存儲器裝置120可包括NAND MLC存儲器裝置且存儲器裝置130可包括NAND SLC存儲器裝置。在此情形下， 電力供應(yīng)源端口 105處的電力供應(yīng)源信號可包括3. 0伏而電壓轉(zhuǎn)換器140可產(chǎn)生包括1. 8 伏的經(jīng)修改電力供應(yīng)源信號。當(dāng)然，受管理混合存儲器的此類細(xì)節(jié)僅為實例，且所主張的標(biāo)的物并不受此限制。圖2是根據(jù)一實施例的受管理混合存儲器200的框圖。類似于受管理混合存儲器 100，此存儲器可包括具有不同存儲器技術(shù)的兩個或兩個以上存儲器裝置。明確地說，受管理混合存儲器200可包含具有第一存儲器技術(shù)的第一存儲器裝置220及具有第二存儲器技術(shù)的第二存儲器裝置230。如上文所闡釋，控制器210可經(jīng)由線208從外部源(例如，處理器)接收信息及/或經(jīng)由線208將信息提供到所述外部源。舉例來說，控制器210可通過將存儲器存取命令及相關(guān)聯(lián)信息選擇性地提供到所述第一及第二存儲器裝置來管理第一及第二存儲器裝置220及230。受管理混合存儲器200可包含用以從外部源接收電力的電力供應(yīng)源端口 205。此電力可以是呈具有大致恒定電壓電平的信號的形式，但所主張的標(biāo)的物并不受此限制。在特定實施方案中，存儲器裝置220可使用大致不同于在電力供應(yīng)源端口 205處提供的電力信號的電壓的電壓來操作。類似地，存儲器裝置230可使用大致不同于在電力供應(yīng)源端口 205處提供的電力信號的電壓且不同于由存儲器裝置220使用的電壓的電壓來操作。因此，可將在電力供應(yīng)源端口 205處接收的電力供應(yīng)源信號提供到電壓轉(zhuǎn)換器MO以產(chǎn)生具有對應(yīng)于存儲器裝置220及230的操作規(guī)范的電壓的一個或一個以上經(jīng)修改電力供應(yīng)源信號。此等經(jīng)修改電力供應(yīng)源信號可包括大于及/或小于電力供應(yīng)源端口 205處的電力供應(yīng)源信號的電壓的電壓。隨后，可將此類經(jīng)修改電力供應(yīng)源信號提供到存儲器裝置220及230。為給出實例，存儲器裝置220可包括NAND MLC存儲器裝置且存儲器裝置230可包括PCM裝置。在此情形下，電力供應(yīng)源端口 205處的電力供應(yīng)源信號可包括2. 5伏而電壓轉(zhuǎn)換器140可產(chǎn)生包括1. 8伏及3. 0伏的經(jīng)修改電力供應(yīng)源信號。在另一實施方案中，存儲器裝置220及230可使用同一電力供應(yīng)源電壓來操作。在此情形下，電壓轉(zhuǎn)換器240可將此電力供應(yīng)源電壓提供到存儲器裝置220及230。當(dāng)然，受管理混合存儲器的此類細(xì)節(jié)僅為實例，且所主張的標(biāo)的物并不受此限制。圖3是根據(jù)一實施例的受管理混合存儲器300的示意性框圖。類似于受管理混合存儲器100，此存儲器可包括具有不同存儲器技術(shù)的兩個或兩個以上存儲器裝置。明確地說，受管理混合存儲器300可包含具有第一存儲器技術(shù)的第一存儲器裝置320及具有第二存儲器技術(shù)的第二存儲器裝置330。如上文所闡釋，控制器310可經(jīng)由線308從外部源 (例如，處理器)接收信息及/或經(jīng)由線308將信息提供到所述外部源。舉例來說，控制器 310可通過將存儲器存取命令及相關(guān)聯(lián)信息選擇性地提供到所述第一及第二存儲器裝置來管理第一及第二存儲器裝置320及330。受管理混合存儲器300可包含用以從外部源接收電力的電力供應(yīng)源端口 305。此電力可以是呈具有大致恒定電壓電平的信號的形式，但所主張的標(biāo)的物并不受此限制。在特定實施方案中，存儲器裝置320可使用大致不同于在電力供應(yīng)源端口 305處提供的電力信號的電壓的電壓來操作。類似地，存儲器裝置330可使用大致不同于在電力供應(yīng)源端口 305處提供的電力信號的電壓且不同于由存儲器裝置320 使用的電壓的電壓來操作。因此，可將在電力供應(yīng)源端口 305處接收的電力供應(yīng)源信號提供到電壓轉(zhuǎn)換器340以產(chǎn)生具有對應(yīng)于存儲器裝置320及330的操作規(guī)范的電壓的一個或一個以上經(jīng)修改電力供應(yīng)源信號。在實施方案中，電壓轉(zhuǎn)換器340可與控制器310集成在一起。舉例來說，此整合可在減小待堆疊的半導(dǎo)體裸片的數(shù)目，借此減小集成電路封裝復(fù)雜性時提供益處。此情形與圖1及2中所展示的實施例形成對比，其中電壓轉(zhuǎn)換器140及MO 可包括分別與控制器110及210分離的半導(dǎo)體裸片。電壓轉(zhuǎn)換器340可包括通過與用以制作受管理混合存儲器300的過程分離的過程而制作的裸片。然而，在此情形下，電壓轉(zhuǎn)換器 340可包括通過同時制作控制器310的至少一部分的過程而制作的裸片。如上文所討論，電壓轉(zhuǎn)換器340可產(chǎn)生包括大于及/或小于電力供應(yīng)源端口 305 處的電力供應(yīng)源信號的電壓的電壓的經(jīng)修改電力供應(yīng)源信號。隨后，可將此類經(jīng)修改電力供應(yīng)源信號提供到存儲器裝置320及330。為給出實例，存儲器裝置320可包括NAND MLC 存儲器裝置且存儲器裝置330可包括PCM裝置。在此情形下，電力供應(yīng)源端口 305處的電力供應(yīng)源信號可提供1. 5伏而電壓轉(zhuǎn)換器340可產(chǎn)生提供1. 8伏及3. 0伏的經(jīng)修改電力供應(yīng)源信號。在另一實施方案中，如上文所提及，存儲器裝置320及330可使用同一電力供應(yīng)源電壓來操作。在此情形下，電壓轉(zhuǎn)換器340可將此電力供應(yīng)源電壓提供到存儲器裝置320 及330。當(dāng)然，受管理混合存儲器的此類細(xì)節(jié)僅為實例，且所主張的標(biāo)的物并不受此限制。圖4是根據(jù)一實施例的受管理混合存儲器400的示意性框圖。與在上文所討論的受管理混合存儲器100的情形下一樣，此存儲器可包括具有不同存儲器技術(shù)的兩個或兩個以上存儲器裝置，如上文所討論。明確地說，受管理混合存儲器400可包含具有第一存儲器技術(shù)的第一存儲器裝置420及具有第二存儲器技術(shù)的第二存儲器裝置430。舉例來說，控制器410可經(jīng)由線408從外部源(例如，處理器)接收信息及/或經(jīng)由線408將信息提供到所述外部源?？刂破?10可通過選擇性地提供存儲器存取命令及相關(guān)聯(lián)信息來管理第一及第二存儲器裝置420及430。受管理混合存儲器400可包含用以從外部源接收電力的電力供應(yīng)源端口 405。此電力可以是呈具有大致恒定的電壓電平的信號的形式，但所主張的標(biāo)的物并不受此限制。在特定實施方案中，存儲器裝置420可使用大致與在電力供應(yīng)源端口 405 處提供的電力信號的電壓相同的電壓來操作。因此，可經(jīng)由節(jié)點403將所述電力供應(yīng)源信號的一部分提供到存儲器裝置420。另一方面，存儲器裝置430可使用大致不同于在電力供應(yīng)源端口 405處提供的電力信號的電壓的電壓來操作。因此，可將節(jié)點403處的電力供應(yīng)源信號的一部分提供到電壓轉(zhuǎn)換器440以產(chǎn)生具有對應(yīng)于存儲器裝置430的操作規(guī)范的電壓的經(jīng)修改電力供應(yīng)源信號。與圖1中所展示的受管理混合存儲器100及200不同，電壓轉(zhuǎn)換器440可與控制器410集成在一起。此經(jīng)修改電力供應(yīng)源信號可提供大于或小于節(jié)點403處的電力供應(yīng)源信號的電壓的電壓。隨后，可經(jīng)由控制器410將此經(jīng)修改電力供應(yīng)源信號提供到存儲器裝置430。舉例來說，存儲器裝置420可包括NAND MLC存儲器裝置且存儲器裝置430可包括NAND SLC存儲器裝置。在此情形下，電力供應(yīng)源端口 405處的電力供應(yīng)源信號可提供3. 0伏，而電壓轉(zhuǎn)換器440可產(chǎn)生提供1. 8伏的經(jīng)修改電力供應(yīng)源信號。 當(dāng)然，受管理混合存儲器的此類細(xì)節(jié)僅為實例，且所主張的標(biāo)的物并不受此限制。圖5是圖解說明包含存儲器裝置510的計算系統(tǒng)500的例示性實施例的示意圖。 舉例來說，此計算裝置可包括用以執(zhí)行應(yīng)用程序及/或其它代碼的一個或一個以上處理
8器。計算裝置504可表示可配置以管理存儲器裝置510的任一裝置、器具或機器。存儲器裝置510可包含存儲器控制器515及存儲器522。通過舉例而非限制的方式，計算裝置504 可包含一個或一個以上計算裝置及/或平臺，例如(舉例來說)桌上型計算機、膝上型計算機、工作站、服務(wù)器裝置等；一個或一個以上個人計算或通信裝置或器具，例如(舉例來說)個人數(shù)字助理、移動通信裝置等；計算系統(tǒng)及/或相關(guān)聯(lián)服務(wù)提供商能力，例如(舉例來說)數(shù)據(jù)庫或數(shù)據(jù)存儲服務(wù)提供商/系統(tǒng)；及/或其任一組合。認(rèn)識到，系統(tǒng)500中所展示的各種裝置以及如本文中進一步描述的過程及方法中的全部或部分可使用或以其它方式包含硬件、固件、軟件或其任一組合來實施。因此，通過舉例而非限制的方式，計算裝置504可包含經(jīng)由總線540在操作上耦合到存儲器522的至少一個處理單元520及一主機或存儲器控制器515。處理單元520表示可配置以執(zhí)行數(shù)據(jù)計算程序或過程的至少一部分的一個或一個以上電路。通過舉例而非限制的方式，處理單元520可包含一個或一個以上處理器、控制器、微處理器、微控制器、專用集成電路、數(shù)字信號處理器、可編程邏輯裝置、現(xiàn)場可編程門陣列等或其任一組合。處理單元520可包含經(jīng)配置以與存儲器控制器515通信的操作系統(tǒng)。舉例來說，此操作系統(tǒng)可產(chǎn)生待在總線540上發(fā)送到存儲器控制器515的命令。在一個實施方案中，舉例來說，存儲器控制器515可包括內(nèi)部存儲器控制器或內(nèi)部寫入狀態(tài)機，其中外部存儲器控制器(未展示)可以是在存儲器裝置510外部且可充當(dāng)系統(tǒng)處理器與存儲器本身之間的接口。此類命令可包括讀取及/或?qū)懭朊睢４鎯ζ?10表示任何數(shù)據(jù)存儲機構(gòu)。舉例來說，存儲器510可包含受管理混合存儲器，例如，圖1中所展示的受管理混合存儲器100。在實施方案中，存儲器522可包含初級存儲器5M及/或二級存儲器526。舉例來說，初級存儲器5M可包括PCM而二級存儲器5 可包括NAND存儲器。雖然在此實例中圖解說明為與處理單元520分離，但應(yīng)理解， 初級存儲器5M的全部或部分可提供在處理單元520內(nèi)或以其它方式與處理單元520位于同一地點/耦合。在一個實施例中，計算系統(tǒng)500可包括受管理混合存儲器裝置510，其包括具有第一存儲器技術(shù)的第一存儲器裝置524、具有不同于所述第一存儲器技術(shù)的第二存儲器技術(shù)的第二存儲器裝置5 及用以將第一電壓提供到所述第一存儲器裝置且將第二電壓提供到所述第二存儲器裝置的電壓轉(zhuǎn)換器M0，其中所述第二電壓不同于所述第一電壓。在實施方案中，電壓轉(zhuǎn)換器540可從節(jié)點505接收電力供應(yīng)源信號，節(jié)點505可選擇性地連接到外部電力供應(yīng)源，如上文所提及。系統(tǒng)500還可包含用以回應(yīng)于讀取/寫入/擦除操作而將存儲器存取操作施加到第一及第二存儲器裝置的控制器515。系統(tǒng)500可進一步包含用以托管一個或一個以上應(yīng)用程序且起始讀取/寫入/擦除操作從而提供對所述第一及第二存儲器裝置的存取的處理器520。舉例來說，二級存儲器5 可包含與初級存儲器相同或類似類型的存儲器及/或一個或一個以上數(shù)據(jù)存儲裝置或系統(tǒng)，例如(舉例來說)磁盤驅(qū)動器、光盤驅(qū)動器、磁帶驅(qū)動器、固態(tài)存儲器驅(qū)動器等。在一些實施方案中，二級存儲器5 可以在操作上可接納計算機可讀媒體5 或可以其它方式配置以耦合到計算機可讀媒體528。舉例來說，計算機可讀媒體5 可包含可攜載用于系統(tǒng)500中的裝置中的一者或一者以上的數(shù)據(jù)、代碼及/或指令及/或使得所述數(shù)據(jù)、代碼及/或指令可存取的任一媒體。
舉例來說，計算裝置504可包含輸入/輸出532。輸入/輸出532表示可配置以接受或以其它方式引入人類及/或機器輸入的一個或一個以上裝置或特征，及/或可配置以遞送或以其它方式提供人類及/或機器輸出的一個或一個以上裝置或特征。通過舉例而非限制的方式，輸入/輸出裝置532可包含在操作上配置的顯示器、揚聲器、鍵盤、鼠標(biāo)、軌跡球、觸摸屏、數(shù)據(jù)端口等。雖然已圖解說明及描述了目前被視為實例性實施例的實施例，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解可做出各種其它修改且可替代等效物，此并不背離所主張的標(biāo)的物。另外，可在不背離本文中所描述的中心概念的情況下做出許多修改以使特定情形適應(yīng)所主張的標(biāo)的物的教示。因此，打算所主張的標(biāo)的物不限于所揭示的特定實施例，而是此所主張的標(biāo)的物還可包含歸屬于所附權(quán)利要求書及其等效物的范圍內(nèi)的所有實施例。
權(quán)利要求
1.一種受管理混合存儲器裝置，其包括 第一存儲器裝置，其包括第一存儲器技術(shù)；第二存儲器裝置，其包括不同于所述第一存儲器技術(shù)的第二存儲器技術(shù)；及電壓轉(zhuǎn)換器，其用以將第一電壓提供到所述第一存儲器裝置且將第二電壓提供到所述第二存儲器裝置，其中所述第二電壓不同于所述第一電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的受管理混合存儲器裝置，其進一步包括 存儲器控制器，其適于管理所述第一及第二存儲器裝置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的受管理混合存儲器裝置，其進一步包括 輸入端口，其用以將包括單個DC電壓的外部信號提供到所述電壓轉(zhuǎn)換器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的受管理混合存儲器裝置，其中所述電壓轉(zhuǎn)換器包括升壓轉(zhuǎn)換器或降壓轉(zhuǎn)換器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的受管理混合存儲器裝置，其中所述電壓轉(zhuǎn)換器包括升壓轉(zhuǎn)換器及降壓轉(zhuǎn)換器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的受管理混合存儲器裝置，其中所述電壓轉(zhuǎn)換器存在于所述存儲器控制器中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的受管理混合存儲器裝置，其中所述第一存儲器裝置包括相變存儲器且所述第二存儲器裝置包括NAND存儲器。
8.一種方法，其包括管理單個集成電路封裝中的兩種或兩種以上存儲器技術(shù)； 將第一電壓轉(zhuǎn)換為第二電壓；及將所述第一電壓提供到第一存儲器裝置且將所述第二電壓提供到第二存儲器裝置，其中所述第一存儲器裝置包括不同于所述第二存儲器裝置的存儲器技術(shù)的存儲器技術(shù)，且其中所述第一電壓不同于所述第二電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中從所述單個集成電路封裝內(nèi)執(zhí)行所述管理。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其進一步包括 接收具有所述第一電壓的外部信號；及將所述外部信號提供到存在于所述單個集成電路封裝中的電壓轉(zhuǎn)換器。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述單個集成電路封裝包括受管理混合存儲器。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第二電壓大于所述第一電壓。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一存儲器裝置包括相變存儲器且所述第二存儲器裝置包括NAND存儲器。
14.一種系統(tǒng)，其包括受管理混合存儲器裝置，其包括 第一存儲器裝置，其包括第一存儲器技術(shù)；第二存儲器裝置，其包括不同于所述第一存儲器技術(shù)的第二存儲器技術(shù)；及電壓轉(zhuǎn)換器，其用以將第一電壓提供到所述第一存儲器裝置且將第二電壓提供到所述第二存儲器裝置，其中所述第二電壓不同于所述第一電壓；及處理器，其用以托管一個或一個以上應(yīng)用程序且用以起始讀取及/或?qū)懭氩僮饕蕴峁λ龅谝淮鎯ζ餮b置及所述第二存儲器裝置的存取。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其進一步包括存儲器控制器，其適于管理所述第一及第二存儲器裝置且執(zhí)行所述讀取及/或?qū)懭氩僮鳌?br> 16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其進一步包括輸入端口，其用以將包括單個DC電壓的外部信號提供到所述電壓轉(zhuǎn)換器。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中所述電壓轉(zhuǎn)換器包括升壓轉(zhuǎn)換器或降壓轉(zhuǎn)換器。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中所述電壓轉(zhuǎn)換器包括升壓轉(zhuǎn)換器及降壓轉(zhuǎn)換器。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中所述電壓轉(zhuǎn)換器存在于所述存儲器控制器中。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中所述第一存儲器裝置包括相變存儲器且所述第二存儲器裝置包括NAND存儲器。
全文摘要
本文中所揭示的標(biāo)的物涉及一種存儲器裝置，且更明確地說，涉及一種包含電力供應(yīng)源的受管理混合存儲器。
文檔編號G06F1/26GK102346531SQ201110219308
公開日2012年2月8日 申請日期2011年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月30日
發(fā)明者埃馬努埃萊·孔法洛涅里 申請人:美光科技公司