專利名稱：用于減小或消除半導(dǎo)體器件引線偏移的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及封裝半導(dǎo)體器件，尤其涉及設(shè)計減小和消除封裝的半導(dǎo)體器件中的引線偏移(wire sweep)和傾斜(sway)的方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件的制造中，通常利用導(dǎo)體(例如，鍵合引線)來提供在半導(dǎo)體器件的元件之間的互連。例如，圖1示出常規(guī)半導(dǎo)體器件100的一部分。半導(dǎo)體器件100包括引線框架102和引線框架觸點102a。將半導(dǎo)體元件(例如，管芯)104安裝在引線框架102上。鍵合引線106在半導(dǎo)體元件104與引線框架觸點102a之間提供互連。在鍵合引線106、半導(dǎo)體元件104和引線框架觸點102a上設(shè)置包覆模(overmold)108(即模塑化合物)。在圖1所示的結(jié)構(gòu)中，在半導(dǎo)體器件100中包含大量的鍵合引線106以在半導(dǎo)體元件104的各個連接點與相應(yīng)的引線框架觸點102a之間提供互連。
在半導(dǎo)體器件100的制造工藝期間，會在相鄰的鍵合引線106之間發(fā)生短路或在與一條或多條鍵合引線106的連接中發(fā)生開路。例如，在制造期間，鍵合引線106的移動(例如，傾斜、偏移等)會導(dǎo)致相鄰鍵合引線106之間的短路。
圖2示出包含覆蓋引線106的密封劑210的常規(guī)半導(dǎo)體器件200。密封劑210還覆蓋鍵合引線106與半導(dǎo)體元件104和引線框架102a中的每一個之間的連接點。在其他方面，圖2所示的元件與上述關(guān)于圖1所示和所述的元件相似。
圖3是與圖1所示的器件相似的常規(guī)半導(dǎo)體器件100的透視圖。示出半導(dǎo)體元件104安裝在引線框架102上。多條鍵合引線106在半導(dǎo)體元件104與相應(yīng)的引線框架觸點102a之間提供互連。在半導(dǎo)體元件104和鍵合引線106上提供包覆模108(在圖3中被部分切除)。
圖4是常規(guī)半導(dǎo)體器件400的剖面?zhèn)纫晥D。與在圖1-3中一樣，將半導(dǎo)體元件104安裝在引線框架102上，并且鍵合引線106在半導(dǎo)體元件104與引線框架觸點102a之間提供互連。在半導(dǎo)體元件104和鍵合引線106上提供密封劑410。在圖4所示的半導(dǎo)體元件104的上面和下面提供包覆模108。
發(fā)現(xiàn)在圖1-4所示的常規(guī)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)中存在各種問題。如上面所提及的那樣，在半導(dǎo)體器件的制造和移動期間，鍵合引線106在連接點之一(即在半導(dǎo)體元件104或引線框架觸點102a)上可能變得松動(即開路)。此外，相鄰的鍵合引線106可能朝向彼此移動(例如，傾斜)，由此在半導(dǎo)體器件中造成短路?？紤]到期望減小半導(dǎo)體器件的尺寸(并相應(yīng)地期望增加半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)體密度)，這些情況就特別成問題。這些制造缺點會在批量半導(dǎo)體中產(chǎn)生有缺陷的器件，導(dǎo)致更高的制造成本和很差的可靠性。同樣地，會期望提供一種改進的半導(dǎo)體器件的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，在本發(fā)明的典型實施例中，提供一種封裝半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括僅在多個導(dǎo)體中的至少兩個導(dǎo)體的一部分上施加絕緣材料，所述導(dǎo)體在半導(dǎo)體器件中的元件之間提供互連。該方法還包括密封導(dǎo)體和元件，由此封裝半導(dǎo)體器件。
根據(jù)本發(fā)明的另一典型實施例，提供一種半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件包括多個半導(dǎo)體元件、以及在多個半導(dǎo)體元件之間提供互連的多個導(dǎo)體。該半導(dǎo)體器件還包括僅在多個導(dǎo)體中的至少兩個導(dǎo)體的一部分上所施加的絕緣材料。此外，該半導(dǎo)體器件包括密封導(dǎo)體和半導(dǎo)體元件的密封層，用于封裝半導(dǎo)體器件。
附圖簡述將參考附圖來說明本發(fā)明的典型實施例，在附圖中圖1是現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體元件之間的互連的剖面?zhèn)纫晥D；圖2是現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體元件之間的密封互連的剖面?zhèn)纫晥D；圖3是現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體元件之間的多個互連的透視圖；圖4是現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體元件之間的密封互連的剖面?zhèn)纫晥D；圖5是根據(jù)本發(fā)明的典型實施例的半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體元件之間的互連的剖面?zhèn)纫晥D；圖6是根據(jù)本發(fā)明的另一典型實施例的半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體元件之間的互連的剖面?zhèn)纫晥D；圖7是根據(jù)本發(fā)明的典型實施例的半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體元件之間的互連的透視圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一典型實施例的半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體元件之間的互連的透視圖；圖9是由根據(jù)本發(fā)明的典型實施例的絕緣材料分開的導(dǎo)體的剖面?zhèn)纫晥D；圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的典型實施例的絕緣材料中的硅石顆粒尺寸分布的圖表；圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的另一典型實施例的絕緣材料中的硅石顆粒尺寸分布的圖表；以及圖12是示出封裝根據(jù)本發(fā)明的典型實施例的半導(dǎo)體器件的方法的流程圖。
發(fā)明的詳細說明現(xiàn)在將參考


本發(fā)明的所選實施例的優(yōu)選特征。應(yīng)該理解的是本發(fā)明的精神和范圍不限于為說明而選擇的實施例。同樣，應(yīng)該注意的是沒有按照特定的刻度或比例來繪制附圖。應(yīng)該想到可以在本發(fā)明的范圍內(nèi)修改下文中所述的任何結(jié)構(gòu)和材料。
如在本文中所使用的那樣，術(shù)語半導(dǎo)體器件涉及范疇很廣的器件，其包括封裝的半導(dǎo)體器件，例如集成電路、存儲器件、DSP(即數(shù)字信號處理器)、QFP(即四平封裝)、PBGA(即塑料球柵陣列)、BOC(板級芯片(board on chip))、COB(即板上芯片)、CABGA(芯片陣列球柵陣列)；以及分立器件(即未封裝的器件，在一個電路板上可以有不止一個器件)。此外，術(shù)語半導(dǎo)體元件指的是半導(dǎo)體器件的任何部分，包括襯底、管芯、芯片、引線框架、引線框架觸點等。
一般來講，本發(fā)明涉及在鍵合導(dǎo)體(即鍵合引線)上設(shè)置絕緣材料(例如，采用聚合物珠、條或預(yù)先形成的形狀的形式)，所述鍵合導(dǎo)體在半導(dǎo)體器件中的各個半導(dǎo)體元件之間提供互連。
絕緣材料(例如，聚合物橋)產(chǎn)生將為導(dǎo)體提供額外的穩(wěn)定性從而在進一步的處理過程中(例如在轉(zhuǎn)移模塑過程中)使導(dǎo)體分開(即沒有短路)的晶格(晶格橋)或結(jié)構(gòu)。此外，如果將絕緣材料以至少部分為流體的狀態(tài)進行施加，則在半導(dǎo)體器件的模塑過程中，其可以通過流體力而分布在整個互連導(dǎo)體網(wǎng)中。這種分開和力轉(zhuǎn)移減小了引線偏移和傾斜，并且減小或消除由包覆模工藝所引起的短路。
在施加絕緣材料(例如，諸如環(huán)氧樹脂的聚合物材料)之后，利用熱能或紫外線能中的至少一種來固化樹脂。然后可以施加包覆模以提供封裝的半導(dǎo)體器件，而使引線不會朝向彼此移動或“偏移”。
根據(jù)本發(fā)明的特定實施例，本文中公開的方法和器件特別適合于按照合同并由集成器件制造商(by contract and integrated devicemanufacturer)制造的鍵合引線半導(dǎo)體器件的組裝。對于具有長導(dǎo)體/鍵合引線或具有復(fù)雜的鍵合引線幾何形狀(例如，QFP、層疊的管芯器件和BGA)的半導(dǎo)體器件，本發(fā)明的特定實施例是特別有用。
與現(xiàn)有技術(shù)的制造方法相反，本發(fā)明的各個實施例在包含在半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體元件周圍或附近以環(huán)形、矩形和/或任何適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)來利用非常少量的絕緣材料(例如聚合物材料)。
如本文所述，與現(xiàn)有制造技術(shù)相比本發(fā)明的特定實施例具有額外的優(yōu)點，包括制造工藝中的額外靈活性、用于穩(wěn)定導(dǎo)體的昂貴聚合物的最小化、以及通用半導(dǎo)體器件的應(yīng)用。本發(fā)明的典型實施例減小了復(fù)雜半導(dǎo)體器件類型(例如，層疊的管芯器件)上的偏移，并且允許例如在QFP和BGA中延長導(dǎo)體長度。
圖5示出根據(jù)本發(fā)明的典型實施例的半導(dǎo)體器件500的剖面?zhèn)纫晥D。半導(dǎo)體器件500包括安裝在引線框架502上的半導(dǎo)體元件504(例如，管芯)。例如，可以利用粘合劑將半導(dǎo)體元件504安裝到引線框架502上。鍵合引線506在半導(dǎo)體元件504與引線框架觸點502a之間提供互連。在將包覆模508施加到器件之前，將絕緣材料512施加到鍵合引線506的一部分上。例如，可以在半導(dǎo)體元件504的周圍或附近以矩形、環(huán)形和/或任何適當(dāng)?shù)男螤顏硎┘咏^緣材料512。此外，可以將絕緣材料512設(shè)置成更接近于半導(dǎo)體元件504(與引線框架觸點502a相對)，因為鍵合引線506在半導(dǎo)體元件504處比在引線框架觸點502a處具有更近的引線間距(即，更接近于相鄰引線506)?；蛘?，可以將絕緣材料512設(shè)置在半導(dǎo)體元件504和引線框架觸點502a的中間。此外，可以將絕緣材料512設(shè)置在半導(dǎo)體元件504和引線框架觸點502a之間的大量位置中的任意處，如在特定器件中所期望的那樣。
通過在鍵合引線506上提供絕緣材料512，來穩(wěn)定鍵合引線506中的每一條相對于彼此的位置。通過利用絕緣材料512來使鍵合引線506相對于彼此保持穩(wěn)定，則即使沒有消除也會大大減小在施加包覆模508過程中使相鄰鍵合引線506短路的風(fēng)險。另外，通過穩(wěn)定鍵合引線506的位置，還可以大大減小在制造期間鍵合引線506的開路。
例如，絕緣材料512可以是諸如環(huán)氧樹脂的聚合物材料。另外，絕緣材料512可以包括在將絕緣材料512施加到鍵合引線506期間分布在鍵合引線506之間的絕緣顆粒或小珠。這種絕緣小珠也使鍵合引線506相對于彼此穩(wěn)定。根據(jù)本發(fā)明的典型實施例，分布在絕緣材料中的絕緣小珠具有近似為4.1μm的平均粒徑、4.5μm的中值粒徑、和20μm的最大粒徑。例如，這些絕緣小珠可以是球形的硅石顆粒。
圖6是半導(dǎo)體器件600的剖面?zhèn)纫晥D，其中半導(dǎo)體器件600與圖5所示的半導(dǎo)體器件500相似。如與圖5所示的本發(fā)明的典型實施例一樣，圖6示出設(shè)置在鍵合引線506的一部分上的絕緣材料512。然而，除絕緣材料512之外，圖6還示出設(shè)置在鍵合引線506的另一部分上的絕緣材料514。可以以與絕緣材料512相似的結(jié)構(gòu)(例如，在半導(dǎo)體元件504的周圍或附近以矩形、環(huán)形和/或任何適當(dāng)?shù)男螤?來設(shè)置絕緣材料514。另外，絕緣材料514可以是諸如環(huán)氧樹脂的聚合物材料，并且可以包括如參考圖5所述的絕緣小珠。
圖7示出包含安裝在引線框架702上的半導(dǎo)體元件704的半導(dǎo)體器件700。鍵合引線706在半導(dǎo)體元件704與引線框架觸點702a之間提供互連。將絕緣材料712設(shè)置在鍵合引線706的一部分上以使鍵合引線706相對于彼此穩(wěn)定。在圖7所示的典型實施例中，在半導(dǎo)體元件704周圍或附近以基本上為環(huán)形的形狀(和/或任何適當(dāng)?shù)男螤?來設(shè)置鍵合引線706。通過將絕緣材料712設(shè)置在鍵合引線706的一部分上，在施加包覆模708之前和期間，可以大大減小鍵合引線706的開路或短路。
圖8是與圖7所示的器件相似的半導(dǎo)體器件800的透視圖。除圖7中所提供的環(huán)狀絕緣材料712之外，圖8示出設(shè)置在鍵合引線706的一部分上的絕緣材料814。通過提供除絕緣材料712之外的絕緣材料814，使鍵合引線706進一步相對于彼此穩(wěn)定。
雖然圖7示出包含單個絕緣材料環(huán)712的半導(dǎo)體器件700，并且圖8示出包含絕緣材料環(huán)712和絕緣材料環(huán)814的半導(dǎo)體器件800，但是可以提供額外的絕緣材料環(huán)(或其他形狀部分)。同樣，可以將一個、兩個、三個或任意數(shù)量的絕緣材料環(huán)/小珠施加到特定的半導(dǎo)體器件上，如所期望的那樣。
圖9是鍵合引線906a、906b和906c的剖面?zhèn)纫晥D。例如，鍵合引線906a、906b和906c在半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體元件(在圖9中未示出)和引線框架觸點(在圖9中未示出)之間提供互連。將絕緣材料912設(shè)置在鍵合引線906a、906b和906c的一部分上。在圖9所示的本發(fā)明的典型實施例中，絕緣材料912包括絕緣小珠。絕緣小珠可以具有各種不同的尺寸，并且因為絕緣小珠小于相鄰鍵合引線之間(例如，鍵合引線906a與906b之間)的距離，所以絕緣小珠分散到相鄰鍵合引線之間的位置中，由此在相鄰的鍵合引線之間提供增強的穩(wěn)定性和絕緣性。
圖9示出表示鍵合引線906a與906b之間的中心至中心的距離(即，引線間距)的距離“d1”。此外，圖9示出表示鍵合引線906a與906b之間的間隔的距離“d2”。根據(jù)本發(fā)明的典型實施例，可以將絕緣材料施加到引線間距非常細微的鍵合引線的半導(dǎo)體器件。例如，這種器件中的距離d1大約為35μm或以下，而這種器件中的距離d2可以大約為15μm或以下。通過將絕緣材料(例如，具有分散在其中的絕緣小珠)設(shè)置在鍵合引線的一部分上，可以將本發(fā)明的改進的鍵合引線穩(wěn)定性應(yīng)用于距離d1和d2的值很小的引線間距非常細微的鍵合引線的半導(dǎo)體器件。
通過根據(jù)本文中所述的方法制造半導(dǎo)體器件，可以增加半導(dǎo)體器件內(nèi)的導(dǎo)體密度，令人滿意地使半導(dǎo)體器件的尺寸減小。
根據(jù)本發(fā)明制造半導(dǎo)體器件的另一優(yōu)點是由于包括鍵合引線的一部分上的絕緣材料，所以用于密封器件的包覆模/密封材料可以由不太昂貴的材料和工藝(例如與“小滴封頂(glob-topping)”相對的模塑型密封)來構(gòu)造，因為不必由密封劑來穩(wěn)定鍵合引線。
包含在根據(jù)本發(fā)明的各典型實施例所采用的絕緣材料中的小珠可以是各種絕緣小珠類型中的任何一種。例如，小珠可以由硅石填充劑來構(gòu)成。此外，絕緣小珠可以是具有變化的尺寸和形狀的各種類型。
本發(fā)明的絕緣材料可以包括高粘性、可紫外線固化的硅石。例如，可以以50-85％之間的重量百分比來利用硅石填充絕緣材料。
圖10是示出在根據(jù)本發(fā)明的典型實施例的絕緣材料中使用的兩種截然不同的硅石填充劑(例如，SiO2)的典型顆粒大小(即，顆粒直徑)分布的柱形統(tǒng)計圖表。在圖10所示的典型分布中，硅石2的小珠的顆粒大小的范圍從大約0.05微米到大約0.5微米。此外，硅石1的小珠的顆粒大小的分布范圍從大約0.5微米到大約20微米。圖10的柱形統(tǒng)計圖表的y-軸示出硅石1顆粒和硅石2顆粒中的每一種的各個尺寸的百分比。
已經(jīng)證明圖10中示出的硅石填充劑當(dāng)被分散在根據(jù)本發(fā)明的特定典型實施例的絕緣材料(例如，環(huán)氧樹脂)中時特別有利。對于指定為硅石1的球形硅石類型，單獨的硅石直徑大小的分布為0％大于24微米；1.1％小于24微米而大于16微米；4.0％小于16微米而大于12微米；11.5％小于12微米而大于8微米；12.8％小于8微米而大于6微米；35.8％小于6微米而大于3微米；13.3％小于3微米而大于2微米；12.5％小于2微米而大于1微米；7.0％小于1微米而大于0.5微米，以及2.0％小于0.5微米而大于0微米。對于指定為硅石2的球形硅石類型，單獨的硅石直徑大小的分布為0％大于0.6微米；0.5％小于0.6微米而大于0.5微米；7.03％小于0.5微米而大于0.45微米；9.13％小于0.45微米而大于0.4微米；12.83％小于0.4微米而大于0.35微米；13.43％小于0.35微米而大于0.3微米；13.33％小于0.35微米而大于0.3微米；9.33％小于0.3微米而大于0.25微米；5.83％小于0.25微米而大于0.2微米，4.33％小于0.2微米而大于0.15微米；5.83％小于0.15微米而大于0.1微米，5.93％小于0.1微米而大于0.09微米；5.53％小于0.09微米而大于0.08微米，4.93％小于0.08微米而大于0.07微米；1.73％小于0.07微米而大于0.06微米，以及0.31％小于0.06微米。
如上所提及的那樣，可以將不同類型和尺寸的絕緣小珠(例如，硅石顆粒)混合在根據(jù)本發(fā)明的特定典型實施例的絕緣材料中。例如，以硅石1分布的顆?？梢耘c以硅石2分布的顆?；旌?。在一個實施例中，將10份的以硅石1分布的顆粒與3份的以硅石2分布的顆?；旌?。在圖11中提供示出這種混合物的SiO2顆粒大小分布的柱形統(tǒng)計圖表。
對于圖11所示的球形硅石的混合物，硅石直徑大小的單獨分布為0％大于24微米；0.85％小于24微米而大于16微米；3.08％小于16微米而大于12微米；8.85％小于12微米而大于8微米；9.85％小于8微米而大于6微米；27.54％小于6微米而大于3微米；10.23％小于3微米而大于2微米；9.62％小于2微米而大于1微米；5.5％小于1微米而大于0.6微米；3.16％小于0.6微米而大于0.5微米；2.11％小于0.5微米而大于0.45微米；2.96％小于0.45微米而大于0.4微米；3.1％小于0.4微米而大于0.35微米；3.08％小于0.35微米而大于0.3微米；2.15％小于0.3微米而大于0.25微米；1.35％小于0.25微米而大于0.2微米；1.0％小于0.2微米而大于0.15微米；1.35％小于0.15微米而大于0.1微米；1.37％小于0.1微米而大于0.09微米；1.28％小于0.09微米而大于0.08微米；1.14％小于0.08微米而大于0.07微米；0.4％小于0.07微米而大于0.06微米；0.07％小于0.06微米而大于0.05微米；以及0％小于0.05微米。
圖12是示出封裝半導(dǎo)體器件的方法的流程圖。在步驟1202，僅在多個導(dǎo)體中的至少兩個導(dǎo)體的一部分上施加絕緣材料，所述多個導(dǎo)體在半導(dǎo)體器件中的元件之間提供互連。在步驟1204，密封導(dǎo)體和半導(dǎo)體元件，由此封裝半導(dǎo)體器件。在可選步驟1206，在施加步驟之后將絕緣材料固化。
雖然已經(jīng)主要針對在包含在半導(dǎo)體器件中的半導(dǎo)體元件周圍或者附近的環(huán)形或矩形絕緣材料，對本發(fā)明進行了說明，但本發(fā)明不限于此?？梢砸愿鞣N結(jié)構(gòu)(例如，絕緣材料的線性橋)來提供絕緣材料，只要穩(wěn)定導(dǎo)體以減小引線偏移就行。
此外，可以在半導(dǎo)體器件的內(nèi)部元件周圍以基本上呈環(huán)繞的形狀來施加絕緣化合物?；旧铣虱h(huán)繞的形狀可以是大量幾何形狀中的任何一種，例如環(huán)形、圓形、橢圓形、正方形或長方形。此外，由于幾何形狀基本上呈環(huán)繞狀，因此不必完全包圍半導(dǎo)體器件的內(nèi)部元件。
雖然已經(jīng)主要針對絕緣材料是諸如環(huán)氧樹脂的聚合物材料的情況，對本發(fā)明進行了說明，但本發(fā)明不限于此?？梢岳酶鞣N可選的絕緣材料，只要該材料為在半導(dǎo)體器件的元件之間提供互連的導(dǎo)體提供穩(wěn)定性就行。例如，可以將具有粘合性襯背(adhesive backing)的固態(tài)或基本為固態(tài)的絕緣體設(shè)置到鍵合引線的一部分上，由此穩(wěn)定鍵合引線并且大大減小了在相鄰的鍵合引線當(dāng)中產(chǎn)生短路的可能性。或者，可以將絕緣膠帶施加到鍵合引線的一部分上，同樣可以穩(wěn)定鍵合引線并且大大減小了在相鄰的鍵合引線當(dāng)中產(chǎn)生短路的可能性。
在絕緣材料中包含絕緣顆粒的本發(fā)明的實施例中，已經(jīng)主要針對硅石顆粒，對所述顆粒進行了說明；然而，所述顆粒并不限于此。在絕緣材料中可以利用各種可選的顆?；蛐≈椋灰w?？梢苑稚⒃谙噜彽膶?dǎo)體之間就行，其中所述導(dǎo)體在半導(dǎo)體器件的元件之間提供互連。
應(yīng)該理解的是，在不脫離本發(fā)明范圍的情況下可以對所示的實施例進行其他修改，本發(fā)明的范圍被單獨地限定在附屬的權(quán)利要求中。
權(quán)利要求
1.一種封裝半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括以下步驟僅在多個導(dǎo)體中的至少兩個導(dǎo)體的一部分上施加絕緣材料，所述多個導(dǎo)體在所述半導(dǎo)體器件中的元件之間提供互連；以及密封所述導(dǎo)體和所述元件，由此封裝所述半導(dǎo)體器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括以下步驟在所述施加步驟之后固化所述絕緣材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述固化步驟包括加熱所述絕緣材料和將所述絕緣材料暴露給UV輻射中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述施加步驟包括將包含球形硅石顆粒的絕緣化合物施加到多個導(dǎo)體的所述部分上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中在所述半導(dǎo)體器件的內(nèi)部元件附近，以大體環(huán)繞的方式施加所述絕緣化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中以至少兩種幾何形狀結(jié)構(gòu)來施加所述絕緣化合物，所述幾何形狀結(jié)構(gòu)中的每一種以環(huán)繞的方式基本包圍所述半導(dǎo)體器件的內(nèi)部元件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述施加步驟包括將具有粘合性襯背的固態(tài)絕緣體施加到多個導(dǎo)體的所述部分上，從而所述粘合性襯背與多個導(dǎo)體的所述部分接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述施加步驟包括將絕緣膠帶施加到多個導(dǎo)體的所述部分上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述施加步驟包括僅在多個導(dǎo)體中的至少兩個導(dǎo)體的一部分上施加所述絕緣材料的連續(xù)小珠，所述多個導(dǎo)體在所述半導(dǎo)體器件中的元件之間提供互連。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述施加步驟包括在所述半導(dǎo)體器件的內(nèi)部元件的外圍部分周圍施加所述絕緣材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述施加步驟包括在所述半導(dǎo)體器件的內(nèi)部元件的外圍部分周圍以至少兩種截然不同的結(jié)構(gòu)來施加所述絕緣材料，所述兩種結(jié)構(gòu)彼此不接觸。
12.一種半導(dǎo)體器件，包括多個半導(dǎo)體元件；多個導(dǎo)體，在所述多個半導(dǎo)體元件之間提供互連；以及僅在所述多個導(dǎo)體中的至少兩個導(dǎo)體的一部分上施加的絕緣材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，還包括密封所述導(dǎo)體和元件的密封層，用于封裝所述半導(dǎo)體器件。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述多個半導(dǎo)體元件包括至少一個具有多個第一觸點的半導(dǎo)體管芯；以及具有多個第二觸點的引線框架，所述多個導(dǎo)體在所述多個第一觸點與所述多個第二觸點之間提供互連。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中在所述多個導(dǎo)體中的所述至少兩個導(dǎo)體的與所述半導(dǎo)體管芯相鄰的所述部分上設(shè)置所述絕緣材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中在所述多個導(dǎo)體中的所述至少兩個導(dǎo)體的大約處在所述半導(dǎo)體管芯與所述引線框架之間的中間位置處的所述部分上設(shè)置所述絕緣材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述絕緣材料是可固化的絕緣材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述絕緣材料是熱感應(yīng)可固化絕緣材料和UV輻射可固化絕緣材料中的至少一種。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述絕緣材料由多個球形硅石顆粒組成。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中在所述半導(dǎo)體器件的內(nèi)部元件的外圍部分周圍施加所述絕緣材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中在所述半導(dǎo)體器件的內(nèi)部元件的外圍部分周圍以至少兩種截然不同的結(jié)構(gòu)來施加所述絕緣材料，所述兩種結(jié)構(gòu)彼此不接觸。
22.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述絕緣材料包括具有粘合性部件的基本上為固態(tài)的絕緣體，從而所述粘合性部件與所述多個導(dǎo)體中的所述至少兩個導(dǎo)體的所述部分接觸。
23.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述絕緣材料為絕緣膠帶。
全文摘要
提供一種封裝半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括僅在多個導(dǎo)體中的至少兩個導(dǎo)體的一部分上施加絕緣材料，所述多個導(dǎo)體在半導(dǎo)體器件中的元件之間提供互連。該方法還包括密封導(dǎo)體和元件，由此封裝半導(dǎo)體器件。
文檔編號H01L21/607GK1868058SQ200480030220
公開日2006年11月22日 申請日期2004年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月16日
發(fā)明者拉凱什·巴蒂施, 安德魯·F·赫梅爾, 格倫·桑德格倫, 沃爾特·馮澤格恩, 斯科特·C·庫利克 申請人:庫利克和索夫工業(yè)公司