專利名稱：等離子體處理方法、半導(dǎo)體基板以及等離子體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用等離子體在半導(dǎo)體基板的表面上形成絕緣膜的等離子體處理方法以及由此制造的半導(dǎo)體基板，以及用于實施等離子體處理方法的等離子體處理裝置。
背景技術(shù)：
至今，在硅基板上形成的絕緣膜多使用通過在1000℃以上的高溫下進(jìn)行氧化處理而形成的熱氧化膜。最近，由于精微化技術(shù)的進(jìn)步，需要減少僅僅由熱能量而進(jìn)行Si與O的反應(yīng)的這種氧化膜(絕緣膜)的厚度。
但是，如果采用在高溫下進(jìn)行的熱氧化處理而得到絕緣膜的形成方法，隨著厚度變薄，漏電流等增大而難于得到可靠性高的絕緣膜。另外，對于通過絕緣膜使電流流動而進(jìn)行讀寫的非易失性存儲器，還有由于在絕緣膜中被俘獲的空穴或者電子，造成存儲器特性的降低。特別空穴的俘獲影響產(chǎn)品的可靠性。
為了解決該問題，與熱氧化法反應(yīng)機(jī)制不同而使用等離子體的活性原子態(tài)氧(以下稱“氧自由基”)而進(jìn)行的氧化處理被付諸實現(xiàn)。通過該方法，在將等離子體的電子溫度保持在低溫狀態(tài)下，可以形成氧化膜，其結(jié)果是可以降低被處理基板和處理裝置內(nèi)壁的損傷。另外，通過降低空穴俘獲，可以不降低可靠性而形成厚度薄的氧化膜。
作為使用等離子體的氧化膜的形成方法，有在日本國專利公開公報的特開平11-293470號公報中記載的方法。根據(jù)該方法，在向處理室內(nèi)導(dǎo)入含硅氣體以及含氧氣體后生成這些氣體的等離子體，在基板上堆積硅氧化膜而形成膜的硅氧化膜的成膜方法中，除了前述含硅氣體以及含氧氣體之外，向處理室內(nèi)導(dǎo)入氫氣，在處理室內(nèi)生成含氫的等離子體。由此，可以得到與熱氧化膜相匹敵的良好的膜質(zhì)量。
但是，使用等離子體在基板表面上形成的氧化膜(絕緣膜)，與通過高溫氧化處理得到的氧化膜相比，被認(rèn)為電子俘獲特性不好，所以電應(yīng)力變?nèi)?，作為成品的特性變壞?br> 另外，為了改良熱氧化膜的諸特性，還在熱氧化后進(jìn)行熱氮化。氮化彌補了在熱氧化時發(fā)生的不完全的SiO的結(jié)合，改善各種特性。但是，使用熱氮化法時，氮的深度方向的分布偏向基板界面部，均勻的氧化膜的改善不充分。所以，為了提高電應(yīng)力弱的等離子體氧化膜的特性，與熱氧化·氮化膜同樣研究了在等離子體氧化處理后進(jìn)行氮化處理的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述那樣的狀況，而以提供形成電氣特性良好的絕緣膜(硅氧氮化膜)的方法以及通過該方法制造的半導(dǎo)體基板和等離子體處理裝置為目的。
為了達(dá)到上述的目的，在涉及本發(fā)明的第1方式的等離子體處理方法中，對于半導(dǎo)體基板的表面同時進(jìn)行等離子體氧化處理和等離子體氮化處理。由此，改善被形成的絕緣膜的俘獲特性。另外，所謂同時進(jìn)行氧化和氮化是指至少穩(wěn)定地進(jìn)行各自的處理的主要處理期間是同時期的，各自的處理的開始和結(jié)束時間也可以不同。
等離子體的電子密度在1.0×1012(1/cm3)以上、而電子溫度在1.0(eV)以下是優(yōu)選的。另外，作為等離子體源，利用微波的等離子體源可以容易地生成具有這些值的電子密度、電子溫度的等離子體。而且利用微波的等離子體可以平坦地形成平的等離子體區(qū)域，適于本發(fā)明那樣的氧氮化膜。
也可以通過上述那樣的等離子體氧氮化處理而形成絕緣膜后，對于該絕緣膜再進(jìn)行等離子體氮化處理。由此，可以進(jìn)行在熱氮化、熱氧氮化處理中難于控制的氮深度方向的分布控制。另外，在同時進(jìn)行氧化、氮化處理時，可以通過進(jìn)行氧氣氣體混合比的控制，控制氮分布。
改變氧氣氮氣的混合比、即流量比例的話，可以改變絕緣膜中的氮濃度的峰值。所以，在這種情況下，在形成前述那樣的絕緣膜后不需要進(jìn)行等離子體的氮化處理。根據(jù)發(fā)明者的發(fā)現(xiàn)，氧氣與氮氣的流量比率設(shè)定為1∶4～1∶6的話，如后述的那樣，可分別在與基板的界面?zhèn)群徒^緣膜的表面?zhèn)刃纬傻獫舛确逯怠?br> 涉及本發(fā)明的第2方式的半導(dǎo)體基板，氮從絕緣膜的表面向著到與硅基板的界面的厚度方向擴(kuò)散，在比絕緣膜的表面更加靠近界面的地方具有氮分布的峰值?；蛘撸诮^緣膜的表面附近和界面附近的2處具有氮分布的峰值。由此，可以得到具有改善了等離子體形成的絕緣膜的俘獲特性的絕緣膜的半導(dǎo)體基板。在具有這種構(gòu)造的半導(dǎo)體基板上，防止在后工序中的不必要的再氧化，另外對于被注入的雜質(zhì)具有阻擋。所以，可以得到不容易受半導(dǎo)體制造工序的條件的影響的、具有穩(wěn)定的絕緣膜的半導(dǎo)體基板。
本發(fā)明的第3方式，在對半導(dǎo)體基板進(jìn)行等離子體處理的等離子體處理裝置，具有收容前述半導(dǎo)體基板的處理容器、向前述處理容器導(dǎo)入微波的微波導(dǎo)入部、向前述處理容器供給處理氣體的氣體供給部，前述氣體供給部向前述處理容器同時供給氧和氮，對前述半導(dǎo)體基板的表面同時進(jìn)行氧化處理和氮化處理，形成絕緣膜。
在該情況下，也可以構(gòu)成為，前述氣體供給部在前述半導(dǎo)體基板的氧化·氮化處理之后，向前述處理容器供給氮，再對前述絕緣膜進(jìn)一步進(jìn)行氮化處理。
根據(jù)該等離子體處理裝置，可以很好地實施前述等離子體處理方法，另外可以很好地制造前述的半導(dǎo)體基板。


圖1是表示涉及本發(fā)明的實施例的等離子體處理裝置的構(gòu)成的一個例子的示意圖(斷面圖)。
圖2(A)、(B)是表示實施例1的等離子體處理工序的一部分的示意圖。
圖3(A)是說明俘獲特性的圖，(B)是作為一個例子表示測量俘獲特性的示意的圖。
圖4是表示各種絕緣膜的俘獲特性的圖。
圖5是表示直到絕緣破壞為止的隨時間變化的特性的表。
圖6(A)、(B)是表示實施例2的等離子體處理工序的一部分的示意圖。
圖7是表示根據(jù)本發(fā)明的實施例1得到的絕緣膜中的氮分布的圖。
圖8是表示根據(jù)本發(fā)明的實施例2得到的絕緣膜中的氮分布的圖。
具體實施例方式
圖1表示用于本發(fā)明的等離子體基板處理裝置10的簡要構(gòu)成的一個例子。用于本發(fā)明的等離子體處理裝置10具有具備了保持作為被處理基板的硅晶片W的基板保持臺12的處理容器11，處理容器11內(nèi)的氣體(gas)通過未被圖示的排氣泵從排氣口11A以及11B排氣。另外基板保持臺12具有加熱硅晶片W的加熱器功能。
在處理容器11的裝置上方，與基板保持臺12上的硅晶片W相對應(yīng)而設(shè)置開口部。該開口部被由石英和氧化鋁組成的電介質(zhì)板13堵塞，在電介質(zhì)板13的上部(外側(cè))，設(shè)置起天線作用的槽板14。在槽板14的更上方(外側(cè))，配置由石英、氧化鋁、氮化鋁等組成的電介質(zhì)板15。該電介質(zhì)板15也被稱為滯波板或者波長縮短板。在電介質(zhì)板15的上部(外側(cè))配置冷卻板16。在冷卻板16的內(nèi)部設(shè)置流通冷媒的冷媒路16a。另外，在處理容器11的上端中央，設(shè)置導(dǎo)入微波的同軸波導(dǎo)管18。
在基板保持臺12的周圍，配置由鋁構(gòu)成的氣體擋板(隔板)26。在氣體擋板26的下面設(shè)置石英罩28。
在處理容器11的內(nèi)壁上，設(shè)置為了導(dǎo)入用于等離子體處理的氣體的氣體噴嘴22。同樣地，在處理容器11的內(nèi)壁的內(nèi)側(cè)上，按照包圍容器整體那樣形成溫度調(diào)整媒體流通路24。
接下來表示使用該等離子體處理裝置10實施本發(fā)明的一個例子。首先，將作為半導(dǎo)體基板的硅晶片W設(shè)置在等離子體處理裝置10的處理容器11中之后，通過排氣口11A、11B進(jìn)行處理容器11內(nèi)部的空氣的排氣，處理容器11的內(nèi)部被設(shè)定到規(guī)定的處理壓力上。然后，在被設(shè)置了硅晶片W的處理容器11中從氣體噴嘴22，將非活性氣體和氧氣和氮氣進(jìn)行預(yù)先混合后導(dǎo)入。這些氣體也可以被導(dǎo)入具有多個氣體噴嘴22、而從各噴嘴分別導(dǎo)入處理容器11?；蛘?，也可以將多個分別流通氣體的配管在氣體噴嘴22的附近匯成一體，在噴嘴附近一邊將這些氣體進(jìn)行混合，一邊導(dǎo)入。不管怎樣，只要在同一等離子體處理機(jī)會按照同時存在這些氣體那樣供給的話，用哪一種方法供給都可以。
另外，通過同軸波導(dǎo)管18供給的幾GHz的頻率的微波通過電介質(zhì)板15、槽板14、電介質(zhì)板13被導(dǎo)入處理容器11中。由該微波激發(fā)等離子體，從非活性氣體、氧氣和氮氣的混合氣體中生成氧自由基和氮自由基。
這時的等離子體的電子密度在1.0×1012(1/cm3)以上，而電子溫度在1.0(eV)以下是優(yōu)選的。由此可以抑制對于所形成的氧氮化膜的破壞。
在這一點上，例如其他的高密度生成用的等離子體源，例如ECR等離子體對于基板給予等離子體的破壞的可能性大。即，存在對于基板蓄積不必要的電荷，或者切斷形成了的Si-N-O的鏈的危險，不能形成質(zhì)量好的氧氮化膜。
所以，如果用實施例那樣由利用了微波的高密度、低電子溫度的等離子體進(jìn)行處理的話，由于沒有那種蓄積不必要的電荷、或者切斷形成了的Si-N-O的鏈的危險，所以可以形成質(zhì)量好的氧氮化膜。
另外，由于是那種高密度、低電子溫度的等離子體，所以可以使硅晶片W相對于等離子體接近配置，所以可以抑制成膜速度的下降。
即，雖然在現(xiàn)有的等離子體源、例如ECR等離子體中，由于是高能量，所以硅晶片W需要從等離子體區(qū)域適當(dāng)離開配置，若如此，發(fā)生的氧自由基在到達(dá)硅晶片W之前其壽命早結(jié)束的概率大，所以帶來由此引起的成膜速度的降低。
在該實施例中，通過利用微波的等離子體進(jìn)行處理，所以可以將硅晶片W接近等離子體那樣配置，其結(jié)果是在氧自由基的壽命結(jié)束之前，可以使多數(shù)的氧自由基到達(dá)硅晶片W。所以，可以不降低成膜速度，形成好的氧化膜、氧氮化膜。
到達(dá)了硅基板21的表面氧自由基和氮自由基是指圖2(B)所示的那樣對硅基板21的表面進(jìn)行氧氮化處理，形成所需厚度(例如，～10nm)的硅氧氮化膜22。這樣，可以得到具有同時進(jìn)行氧化和氮化而形成的絕緣膜的半導(dǎo)體基板(實施例1)。
另外，為了進(jìn)行比較，準(zhǔn)備了具有熱氧化膜的半導(dǎo)體基板(現(xiàn)有的例子)、具有等離子體氧化后進(jìn)行等離子體氮化的絕緣膜的半導(dǎo)體基板(比較例1)和僅僅有等離子體氧化膜的半導(dǎo)體基板(比較例2)。然后，與前述的實施例1一起測量俘獲(TRAP)特性并進(jìn)行比較評價。將其結(jié)果在圖4(A)、(B)中表示。
電子的俘獲的構(gòu)成在圖3(A)中作為例子表示。例如，在進(jìn)行閃存儲器30的改寫時，電子被從半導(dǎo)體基板31通過絕緣膜(氧化膜)32拉入浮動?xùn)?3。在這時，絕緣膜32的膜質(zhì)不好的話，許多電子35留在該絕緣膜中，而逐漸使電子(-)不通。將這種現(xiàn)象成為俘獲，在該例子當(dāng)中，閃存儲器30被改寫后，由于該被俘獲的電子35，存儲器的寫入特性變壞。
俘獲特性的測量，例如如圖3(B)將半導(dǎo)體基板作成MOS電容器36后測量。在如前述那樣形成的硅基板21上設(shè)置絕緣膜(氧化膜)22，通過按照在其上面流過規(guī)定電流那樣設(shè)置電極37而形成該MOS電容器。通過測量該電極37和半導(dǎo)體基板21之間的電位差，測量俘獲特性。
在使用N-MOS電容器的情況下，在電極37上加負(fù)電壓，測量電壓隨時間的變化。一般地，測量數(shù)據(jù)與圖4(A)、(B)大有區(qū)別，在測量初期(圖4B)，空穴俘獲被觀測，電子俘獲從以后的測量(圖4A)觀測到。加在半導(dǎo)體基板和電極之間的電壓的初期值隨著時間的經(jīng)過漸漸地轉(zhuǎn)向負(fù)側(cè)。表示出偏轉(zhuǎn)的電壓值愈大則被俘獲的電子就愈多，電子就變得不容易通過絕緣膜。如果是前述那樣的閃存儲器的話，在寫入時，俘獲愈大，則電子愈難通過，所以不容易寫入，結(jié)果是可以看到寫入的特性變壞。
圖4將這樣測量了的電子的俘獲特性用表示與初始電壓的偏差的關(guān)系來表示的。橫軸表示被標(biāo)準(zhǔn)化了的時間，縱軸表示與初始電壓值的偏差(Vg-shift)。該偏差是被加的初始電壓值和隨時間變化的絕緣膜的兩端之間的測量電壓之差。所以，顯示電子俘獲增加的話，則向負(fù)側(cè)偏移。
實線表示根據(jù)現(xiàn)有例子的熱氧化膜得到的結(jié)果，而單點劃線表示具有根據(jù)本發(fā)明的實施例1的同時進(jìn)行等離子體氧化和等離子體氮化而生成的等離子體氧氮化膜(絕緣膜)的半導(dǎo)體基板。另外，雙點劃線表示具有在等離子體氧化后進(jìn)行等離子體氮化而生成的比較例1的絕緣膜的半導(dǎo)體基板，虛線表示具有等離子體氧化膜的比較例2的半導(dǎo)體基板。由圖可知，相對于實施例1具有與現(xiàn)有的熱氧化膜幾乎相同的良好的特性，任意一個比較例因電子俘獲的量多而作為絕緣膜的性能不夠充分。
另外，為了比較一般的電氣特性，對于施加電荷流電流時直到絕緣破壞為止的隨時間變化的特性(TDDBTime Dependent DielectricBreakdown)以及漏(leak)電流，針對前述試樣分別求得的值在圖5的表中表示。在此，將熱氧化膜的值作為基準(zhǔn)進(jìn)行相對評價。另外，在該表中按照可以更加綜合地把握絕緣膜的特性那樣，將圖4所示的俘獲特性作為定性的表現(xiàn)而加以標(biāo)記。
由該結(jié)果可以知道，在TDDB、漏電流中的任何一個中，利用等離子體得到的絕緣膜相對于現(xiàn)有的熱氧化膜表現(xiàn)出同等或者更高的特性。對于TDDB根據(jù)本發(fā)明的實施例1特別良好，另外對于漏電流利用等離子體而形成的絕緣膜表現(xiàn)出超過現(xiàn)有例子的特性。另外，空穴俘獲被認(rèn)為是決定絕緣膜壽命(TDDB)的要素，與電子俘獲一起愈少，則絕緣膜愈良好。
接下來，使用該等離子體處理裝置10表示實施本發(fā)明的另一個例子。
不需要將在前述的實施例1中得到的半導(dǎo)體基板從處理容器11中取出，而繼續(xù)設(shè)置在處理容器11中。在實施例1中使用的氣體等通過排氣口11A、11B從處理容器11排出。然后，從氣體噴嘴22將非活性氣體和氮氣混合后導(dǎo)入處理容器11中。
另外，通過同軸波導(dǎo)管18供給的頻率為幾GHz的微波通過電介質(zhì)板15、槽板14、電介質(zhì)板13被導(dǎo)入處理容器11中。由該微波激發(fā)等離子體，從已經(jīng)被導(dǎo)入的非活性氣體和氮氣的混合氣體中生成氮自由基。
到達(dá)了半導(dǎo)體基板的表面的氮自由基如圖6(B)所示的那樣將位于半導(dǎo)體基板表面的絕緣膜22進(jìn)一步進(jìn)行氮化處理，形成所需厚度(例如，～10nm)的硅氧氮化膜22A。如此，得到了具有在同時進(jìn)行氧化和氮化之后進(jìn)一步進(jìn)行了氮化處理的絕緣膜22A的半導(dǎo)體基板(實施例2)。
對于這樣得到的根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體基板，將調(diào)查絕緣膜厚度方向的氮分布狀況的結(jié)果在圖7中表示。在圖7中，橫軸表示蝕刻時間。表示出與絕緣膜的厚度方向的距離相對應(yīng)，時間愈多則被蝕刻的愈多，距離絕緣膜的表面就愈遠(yuǎn)而變深的情況?？v軸表示氮的相對頻譜強(qiáng)度，強(qiáng)度愈大，則氮大量分布而存在。
圖7表示對于實施例1的氮分布，氮至少沿從絕緣膜的表面到與半導(dǎo)體基板的界面的厚度方向擴(kuò)散，在比表面更加靠近界面的地方具有氮分布的峰值。由此，可以得到具備良好俘獲特性的絕緣膜的半導(dǎo)體基板。
圖8表示對于實施例2的氮分布，絕緣膜中的氮分布的峰值，在表面的附近和界面附近的2處發(fā)生。由此，除了等離子體形成的絕緣膜的俘獲特性得到改善之外，防止在后續(xù)工序中的再氧化，相對于被注入的雜質(zhì)形成阻擋。所以可以得到不易受到半導(dǎo)體制造工序條件影響的具有穩(wěn)定的絕緣膜的半導(dǎo)體基板。
這樣，在實施例2中，通過設(shè)定適當(dāng)?shù)奶幚項l件，可以改變氮分布的峰值位置。由此，可以進(jìn)行對于在現(xiàn)有的高溫氧氮化處理中難于控制的氮分布的絕緣膜厚度方向的控制。
在如實施例2那樣同時進(jìn)行了氧化和氮化之后，即使不再進(jìn)行氮化處理，如圖8所示的那樣，可以形成絕緣膜中的氮分布峰值在表面的附近和界面附近的2處發(fā)生的絕緣膜。
即，首先在處理容器11內(nèi)使氧氣和非活性氣體等離子體化，對于硅晶片W形成氧化膜。接下來，將非活性氣體、氧氣和氮氣的混合氣體導(dǎo)入處理容器11內(nèi)，進(jìn)行等離子體化，對于硅晶片W進(jìn)行氧氮化處理，形成氧氮化膜。例如在形成8nm的絕緣膜的情況下，使氧化膜的厚度為6nm，氧氮化膜的厚度為2nm。那時，設(shè)定氧氣和氮氣的混合氣體的流量比為1∶4～1∶6左右。
如此，可以形成絕緣膜中的氮分布峰值在表面的附近和界面附近的2處發(fā)生的絕緣膜。
如以上說明的那樣，根據(jù)本發(fā)明，由于對于半導(dǎo)體基板的表面同時進(jìn)行等離子體的氧化處理和等離子體的氮化處理，形成的絕緣膜的俘獲特性得到了改善。另外，從TDDB和漏電流來看的話，可以得到比現(xiàn)有好的多的絕緣膜。
另外，在上述那樣的等離子體氧化·氮化處理之后，再進(jìn)行等離子體氮化處理的情況下，可以進(jìn)行在高溫氧氮化處理中難于控制的氮深度方向的分布的控制。其結(jié)果是，可以與用途相對應(yīng)而得到適當(dāng)特性的氧氮化膜。
如以上那樣，根據(jù)本發(fā)明，即使在低溫下形成絕緣膜也可以得到具有電氣特性和可靠性能夠與熱絕緣膜相匹敵或者超過熱絕緣膜的半導(dǎo)體基板。
在產(chǎn)業(yè)上利用的可能性本發(fā)明對于半導(dǎo)體裝置、特別是非易失性存儲器的絕緣膜的形成是有用的。
權(quán)利要求
1.一種使用等離子體對于處理容器內(nèi)的半導(dǎo)體基板進(jìn)行處理的等離子體處理方法，其特征在于，具有對所述半導(dǎo)體基板的表面同時進(jìn)行氧化處理和氮化處理的絕緣膜形成工序。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于，具有在所述絕緣膜形成工序后，再對該絕緣膜進(jìn)行氮化處理的工序。
3.一種使用等離子體對于處理容器內(nèi)的半導(dǎo)體基板形成絕緣膜的等離子體處理方法，其特征在于，具有在同一處理時至少供給非活性氣體和氧氣和氮氣的氣體供給工序；和通過該供給的氣體和微波激發(fā)等離子體的等離子體激發(fā)工序。
4.如權(quán)利要求3所述的等離子體處理方法，其特征在于，在所述等離子體激發(fā)工序后，還具有在同一處理時至少供給非活性氣體和氮氣的氣體供給工序；和通過該供給的氣體和微波激發(fā)等離子體的等離子體激發(fā)工序。
5.如權(quán)利要求3所述的等離子體處理方法，其特征在于，所述等離子體的電子密度在1.0×1012(1/cm3)以上，所述等離子體的電子溫度在1.0(eV)以下。
6.如權(quán)利要求3所述的等離子體處理方法，其特征在于，改變氧氣和氮氣的流量比例，而改變絕緣膜中的氮濃度的峰值。
7.如權(quán)利要求6所述的等離子體處理方法，其特征在于，氧氣與氮氣的流量比率為1∶4～1∶6。
8.一種在半導(dǎo)體設(shè)備中使用的半導(dǎo)體基板，其特征在于，具有通過如下兩個工序而形成的絕緣膜在同一處理時至少供給非活性氣體和氧氣和氮氣的氣體供給工序；和通過該供給的氣體和微波激發(fā)等離子體的等離子體激發(fā)工序。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，氧氣與氮氣的流量比率為1∶4～1∶6。
10.一種半導(dǎo)體基板，其特征在于，包括硅基板；和在該硅基板的表面上形成的絕緣膜，氮在從所述絕緣膜的表面到與硅基板的界面的厚度方向擴(kuò)散，在比所述絕緣膜的表面更加靠近所述界面的地方具有氮分布的峰值。
11.一種半導(dǎo)體基板，其特征在于，包括硅基板；和在該硅基板的表面上形成的絕緣膜，氮在從所述絕緣膜的表面到與硅基板的界面的厚度方向擴(kuò)散，在所述絕緣膜的表面附近和所述界面附近的2處具有氮分布的峰值。
12.一種對半導(dǎo)體基板進(jìn)行等離子體處理的等離子體處理裝置，其特征在于，該等離子體處理裝置包括收容所述半導(dǎo)體基板的處理容器；向所述處理容器導(dǎo)入微波的微波導(dǎo)入部；和向所述處理容器供給處理氣體的氣體供給部，通過所述氣體供給部對所述處理容器在同時期供給氧和氮，對所述半導(dǎo)體基板的表面同時進(jìn)行氧化處理和氮化處理，形成絕緣膜。
13.如權(quán)利要求12所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述氣體供給部在所述半導(dǎo)體基板的氧化·氮化處理之后，向所述處理容器供給氮，對所述絕緣膜進(jìn)一步進(jìn)行氮化處理。
全文摘要
本發(fā)明對于半導(dǎo)體基板的表面通過利用了微波的等離子體，同時進(jìn)行等離子體氧化處理和氮化處理，還根據(jù)需要，在基于所述那種等離子體氧氮化處理而形成絕緣膜之后，再對該絕緣膜進(jìn)一步進(jìn)行等離子體氮化處理。由此，可以形成電氣性能良好的絕緣膜(硅氧化膜)。
文檔編號H01L21/318GK1748296SQ20048000366
公開日2006年3月15日 申請日期2004年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月6日
發(fā)明者北川淳一 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社