專利名稱：：成膜方法、半導(dǎo)體裝置的制造方法、半導(dǎo)體裝置和成膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種在半導(dǎo)體基板上成膜的成膜方法，更具體地說，涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法、半導(dǎo)體裝置和成膜裝置。
背景技術(shù)：
：近些年來，隨著半導(dǎo)體裝置的高性能化，半導(dǎo)體器件向高集成化發(fā)展，細(xì)微化的要求變得顯著，布線規(guī)格從0.13μm向0.10μm以下的區(qū)域開發(fā)。另外，布線材料從已有的Al替換為布線延遲的影響小、電阻值低的Cu。為此，Cu成膜技術(shù)和細(xì)微布線技術(shù)的組合對(duì)于近年來高性能半導(dǎo)體裝置的制造技術(shù)是重要的。在使用前述那樣Cu布線的情況下，需要形成Cu擴(kuò)散防止膜，防止向在Cu布線的周圍形成的絕緣層擴(kuò)散Cu。對(duì)于上述擴(kuò)散防止層，要求例如膜中雜質(zhì)少取向性好等高品質(zhì)的膜質(zhì)，此外要求細(xì)微圖案形成時(shí)的覆蓋良好。作為滿足這些要求的成膜方法，提出了在成膜時(shí)對(duì)多種原料氣體交互地供給每一種，經(jīng)過向原料氣體的反應(yīng)表面的吸附，以接近原子層、分子層的級(jí)別來進(jìn)行成膜，重復(fù)這些工序，得到規(guī)定厚度的薄膜的這種方法。將這樣的成膜方法稱為AtomicLayerDeposition(ALD)。具體地說，向基板上提供第一原料氣體，在基板上形成吸附層。之后，向基板上提供第二原料氣體來進(jìn)行反應(yīng)。如按該方法，在基板上吸附第一原料氣體后與第二原料氣體進(jìn)行反應(yīng)，所以，能夠?qū)崿F(xiàn)成膜溫度的低溫化。另外，在得到雜質(zhì)少的高品質(zhì)膜質(zhì)的同時(shí)，在成膜成細(xì)微圖案中，以現(xiàn)有的CVD方法具有問題，原料氣體在整個(gè)上部反應(yīng)消耗，不形成空隙，能夠得到良好的覆蓋特性。作為上述Cu擴(kuò)散防止膜，通常使用高熔點(diǎn)金屬或者高熔點(diǎn)金屬的氮化物，現(xiàn)狀是，已經(jīng)知道使用TiN膜、TaN膜、Ta/TaN構(gòu)造的疊層膜、W膜、WN膜、W/WN構(gòu)造的疊層膜等。例如，如以形成TiN膜的情況為例，能夠使用等離子體激勵(lì)在上述第一原料氣體中包含Ti的化合物、例如TiCl4，在上述第二原料氣體中包含氮的還原性氣體、例如NH3，來形成TiN膜。這種情況下，等離子體激勵(lì)NH3的理由是由于降低了形成的TiN膜的膜中的雜質(zhì)濃度。這樣象前述那樣，根據(jù)向基板提供上述第一原料氣體，在基板上形成該吸附層，向基板上提供上述第二原料氣體進(jìn)行反應(yīng)，以接近原子層、分子層的級(jí)別來進(jìn)行的成膜法，能夠象上述那樣形成膜中雜質(zhì)少的低電阻率的高品質(zhì)TiN膜。專利文獻(xiàn)1特開平6-89873號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開平7-252660號(hào)公報(bào)非專利文獻(xiàn)1K-K.Elers，V.Saanila，P.S.Soininen&S.Haukka，”TheAtomicLayerCVDTMgrowthoftitaniumnitridefromin-situreducedtitaniumchloride”inProceedingsofAdVancedMetallizationConference2000，2000，p35-3非專利文獻(xiàn)2S.B.Kang，Y.S.Chae，M.Y.Yoon，H.S.Leen，C.S.Park，S.I.Lee&M.Y.Lee，“LowtemperatureprocessingofconformalTiNbyACVD(AdvancedChemicalVaporDeposition)formultilevelmetallizationinhighdensityULSIdevices”inProceedingsofInternationalInterconnectsTechnologyConference1998，1998，p102-10非專利文獻(xiàn)3W.M.Li，K.Elers，J.Kostamo，S.Kaipio，H.Huotari，M.Soinien，M.Tuominen，S.Smith&W.Besling，“DepositionofWNxCythinfilmbyALCVDTMmethodfordiffusionbarriersinmetallization”inProceedingsofInternationalInterconnectsTechnologyConference2002，200非專利文獻(xiàn)4J.S.Prak，M.J.Lee，C.S.Lee&S.W.Kang，“Plasma-enhancedatomiclayerdepositionoftantalumnitridesusinghydrogenradicalsasareducingagent”Electrochemical&Solid-StateLett.，2001，4，p17-19但是，在上述那樣的接近原子層、分子層級(jí)別地成膜來形成Cu擴(kuò)散防止膜的情況下，存在對(duì)該Cu擴(kuò)散防止膜的底膜有損害的問題。例如，作為上述底膜的具體例子，考慮由雙大馬士革法來形成Cu布線的情況，在成為該Cu擴(kuò)散防止膜的底的底膜上，存在著在該Cu布線的下層Cu布線或者W布線以及應(yīng)該形成的該Cu布線的周圍所形成的絕緣膜。首先，以上述TiN膜形成的情況為例來驗(yàn)證對(duì)Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)的上述絕緣膜的損害。這種情況下，等離子體激勵(lì)作為上述第二原料氣體的NH3來使用，所以，分解NH3所生成的離子或者自由基對(duì)上述絕緣膜造成損害。特別是，由于近些年來對(duì)上述絕緣膜使用低介電常數(shù)膜的情況較多，所以具有上述低介電常數(shù)膜受到離子或者自由基的損害，絕緣膜的介電常數(shù)變高這樣的問題。另外，同樣以形成上述TiN膜的情況為例子來驗(yàn)證對(duì)作為上述底膜的下層Cu的布線的損害。這種情況下，由于上述第一原料氣體使用作為鹵化合物氣體的TiCl4，所以具有下層Cu布線由鹵素所腐蝕，Cu布線的表面變得粗糙這樣的問題。
發(fā)明內(nèi)容這里，在本發(fā)明中，總的目的在于，解決上述問題，提供一種在形成Cu擴(kuò)散防止膜時(shí)對(duì)底膜不造成損害，而且膜質(zhì)好、新穎有用的成膜方法。本發(fā)明的具體的目的在于提供一種成膜方法，在形成雜質(zhì)少的高品質(zhì)的Cu擴(kuò)散防止膜時(shí)，對(duì)為底膜的絕緣膜不造成損害。本發(fā)明的其它目的在于提供一種成膜方法，在形成雜質(zhì)少的高品質(zhì)的Cu擴(kuò)散防止膜時(shí)，對(duì)為底膜的Cu膜不造成損害。在本發(fā)明中，上述問題通過下述方法來解決，其是一種在處理容器內(nèi)的被處理基板上成膜的成膜方法，包括第一膜生長工序，其重復(fù)進(jìn)行將包含金屬的第一原料氣體提供給上述處理容器內(nèi)后，從上述處理容器內(nèi)除去上述第一原料氣體的第一工序，和將包含氫或者氫化合物的第二原料氣體提供給上述處理容器內(nèi)之后，將上述第二原料氣體從上述處理容器內(nèi)除去的第二工序；以及第二膜生長工序，其重復(fù)進(jìn)行在將上述第一原料氣體提供給上述處理容器內(nèi)之后，將上述第一原料氣體從上述處理容器內(nèi)除去的第三工序，和將包含氫或者氫化合物的、被等離子體激勵(lì)的第三原料氣體提供給上述處理容器內(nèi)之后，將上述第三原料氣體從上述處理容器內(nèi)除去的第四工序。在本發(fā)明中，上述問題通過下述方法來解決，其是一種在處理容器內(nèi)的被處理基板上成膜的成膜方法，包括第一膜生長工序，其重復(fù)進(jìn)行將由不包含鹵元素的有機(jī)金屬化合物構(gòu)成的第一原料氣體提供給上述處理容器內(nèi)后，從上述處理容器內(nèi)除去上述第一原料氣體的第一工序，和將包含氫或者氫化合物的第二原料氣體提供給上述處理容器內(nèi)之后，將上述第二原料氣體從上述處理容器內(nèi)除去的第二工序；以及第二膜生長工序，其重復(fù)進(jìn)行在將由金屬鹵化物構(gòu)成的第三原料氣體提供給上述處理容器內(nèi)之后，將上述第三原料氣體從上述被處理基板除去的第三工序，和將包含氫或者氫化合物的第四原料氣體提供給上述處理容器內(nèi)之后，將上述第四原料氣體從上述處理容器內(nèi)除去的第四工序。在本發(fā)明中，上述問題通過下述方法來解決，其是一種對(duì)處理容器內(nèi)的被處理基板進(jìn)行成膜的成膜方法，包括第一膜生長工序，其重復(fù)進(jìn)行將由有機(jī)金屬化合物構(gòu)成的第一原料氣體提供給上述處理容器內(nèi)后，從上述處理容器內(nèi)除去上述第一原料氣體的第一工序，和將由電中性分子構(gòu)成的、包含氫或者氫化合物的第二原料氣體提供給上述處理容器內(nèi)之后，將上述第二原料氣體從上述處理容器內(nèi)除去的第二工序；第二膜生長工序，其重復(fù)進(jìn)行將由金屬鹵化物構(gòu)成的第三原料氣體提供給上述處理容器內(nèi)之后，將上述第三原料氣體從上述被處理基板除去的第三工序，和將包含氫或者氫化合物的、被等離子體激勵(lì)的第四原料氣體提供給上述處理容器內(nèi)之后，將上述第四原料氣體從上述處理容器內(nèi)除去的第四工序。如根據(jù)上述成膜方法，在形成Cu擴(kuò)散防止膜的情況下，能夠不對(duì)形成該Cu擴(kuò)散防止膜的底的膜造成損害，來進(jìn)行成膜。另外，形成的Cu擴(kuò)散防止膜雜質(zhì)少，是取向性好的高品質(zhì)，此外，向細(xì)微圖案形成該Cu擴(kuò)散防止膜時(shí)的覆蓋良好。另外，本發(fā)明通過下述成膜裝置來解決上述問題，其是一種由上述成膜方法來成膜的成膜裝置，其特征在于，包括處理被處理基板的處理容器；載置在上述處理容器內(nèi)設(shè)置的上述被處理基板的載置臺(tái)；第一氣體供給系統(tǒng)，向上述處理容器內(nèi)提供不包含上述鹵元素的有機(jī)金屬化合物的原料氣體，和上述第一原料氣體或者上述第三原料氣體；第二氣體供給系統(tǒng)，與上述第一氣體供給系統(tǒng)獨(dú)立，向上述處理容器內(nèi)提供上述第二原料氣體或者第四原料氣體；對(duì)上述第一原料氣體或者第二原料氣體進(jìn)行等離子體激勵(lì)的等離子體激勵(lì)部件。如根據(jù)該成膜裝置，在形成Cu擴(kuò)散防止膜的情況下，能夠?qū)Τ蔀樵揅u擴(kuò)散防止膜的底的膜不造成損害，來進(jìn)行成膜。圖1A～圖1C是表示實(shí)施例1的成膜方法的圖。圖2A～圖2C是表示實(shí)施例2的成膜方法的圖。圖3A～圖3C是表示實(shí)施例3的成膜方法的圖。圖4是本發(fā)明的實(shí)施成膜方法的成膜裝置的概略圖(之一)。圖5是表示實(shí)施例5的成膜方法的詳細(xì)流程的圖。圖6是表示實(shí)施例6的成膜方法的詳細(xì)流程的圖。圖7是表示實(shí)施例7的成膜方法的詳細(xì)流程的圖。圖8A～圖8F是將本發(fā)明的成膜方法應(yīng)用于半導(dǎo)體裝置的制造的圖。圖9是由本發(fā)明的成膜方法所形成的半導(dǎo)體裝置的概略截面圖。圖10是實(shí)施本發(fā)明的成膜方法的成膜裝置的概略圖(之二)。圖11是表示實(shí)施例12的成膜方法的詳細(xì)流程的圖。圖12是表示實(shí)施例12的成膜條件的圖(之一)。圖13是表示實(shí)施例12的成膜條件的圖(之二)。圖14是表示實(shí)施例12的由成膜形成的Cu擴(kuò)散防止膜的構(gòu)造的圖。圖15A、圖15B是表示由實(shí)施例12所形成的Ta(C)N膜的XPS(X射線光電子分光分析)的分析結(jié)果的圖。圖16是表示由實(shí)施例12所形成的Ta(C)N膜的XRD(X射線折射)的分析結(jié)果的圖。圖17是由實(shí)施例12所形成的Ta(C)N膜的截面SEM(掃描型電子顯微鏡)照片。圖18是表示由實(shí)施例12所形成的Ta膜的XPS的分析結(jié)果的圖。圖19是表示由實(shí)施例12所形成的Ta膜的XRD(X射線衍射)的分析結(jié)果的圖。圖20是由實(shí)施例12所形成的Ta膜的截面TEM(透過型電子顯微鏡)照片。圖21是大致表示實(shí)施例13的成膜裝置的圖。具體實(shí)施例方式在本發(fā)明中，作為在半導(dǎo)體基板上形成Cu擴(kuò)散防止膜的方法，進(jìn)行以下這樣的接近原子層、分子層級(jí)別的成膜，能夠得到高品質(zhì)的膜質(zhì)。將第一原料氣體提供給處理容器內(nèi)的基板上，在基板上形成其附著層，從處理容器內(nèi)除去未反應(yīng)的上述第一原料氣體。之后，將第二原料氣體提供給處理容器內(nèi)的基板上來進(jìn)行反應(yīng)，將未反應(yīng)的上述第二原料氣體從處理容器內(nèi)除去。這樣，通過進(jìn)行接近原子層、分子層級(jí)別的成膜，得到雜質(zhì)少、電的電阻值低的高品質(zhì)的膜質(zhì)。另外，在細(xì)微圖案上成膜，象利用現(xiàn)有的CVD方法具有問題那樣，原料氣體在整個(gè)上部反應(yīng)消耗，不形成空隙，能夠得到良好的覆蓋特性，此外，被處理基板平面內(nèi)的膜質(zhì)、成膜的膜厚均勻性優(yōu)異。另外，由于能夠?qū)崿F(xiàn)成膜溫度的低溫化，所以在特別是在底膜上使用低介電常數(shù)膜等在高溫(400℃以上)下變質(zhì)的膜的情況下，是有用的。另外，將這樣的成膜方法稱為AtomicLayerDeposition(ALD)。使用具有上述這樣特征的成膜方法，進(jìn)而為了在成為底的膜上不造成損害，關(guān)于形成Cu擴(kuò)散防止膜的本發(fā)明的實(shí)施例，下面參照附圖來進(jìn)行說明。圖1A～圖1C是按順序表示本發(fā)明的實(shí)施例1的成膜方法的圖。在本實(shí)施例中，作為Cu擴(kuò)散防止膜，按順序來說明形成TiN膜。另外，在本實(shí)施例中，在形成上述TiN膜時(shí)的底膜是絕緣膜的情況下，對(duì)于形成不對(duì)該絕緣膜造成損害，且上述那樣的高品質(zhì)Cu擴(kuò)散防止膜的方法，在下面進(jìn)行說明。首先，參照?qǐng)D1A，在被處理基板上形成的底膜1上，形成第一擴(kuò)散防止膜2。這種情況下，在向被處理基板上交互地提供上述這樣的第一原料氣體和第二原料氣體的方法中，第一原料氣體使用TiCl4，第二原料氣體使用NH3。接著，在圖1B中，在上述第一擴(kuò)散防止膜2上，形成第二Cu擴(kuò)散防止膜3。這種情況下，在向被處理基板上交互提供第一原料氣體和第二原料氣體的成膜方法中，第一原料氣體使用TiCl4，第二原料氣體使用等離子體激勵(lì)后的NH3來進(jìn)行。接著，在圖1C的工序中，在上述第二Cu擴(kuò)散防止膜3上，通過PVD法、CVD法或者電鍍法等來形成Cu層4。在本實(shí)施例的情況下，在圖1A的工序中，對(duì)于第二原料氣體，使用不經(jīng)等離子體激勵(lì)的NH3，由此在上述第二原料氣體中不存在離子或者自由基等對(duì)上述絕緣膜1造成損害的粒子，該第二原料氣體由實(shí)質(zhì)上電中性的粒子所構(gòu)成，對(duì)上述絕緣膜1不造成損害。這是因?yàn)?，在?jīng)等離子體激勵(lì)的NH3中，存在N*、H*、NH*等自由基，存在這些自由基蝕刻上述絕緣膜1的情況，此外，在存在離子的情況下造成物理的濺射的損害，但在使用不經(jīng)激勵(lì)等離子體氣體的情況下，不存在這樣的問題。另外，在上述絕緣膜1上多使用現(xiàn)有的硅氧化膜。但是，在近些年來的半導(dǎo)體裝置中，多使用與通常的硅氧化膜相比，更低介電常數(shù)(介電常數(shù)不到4)，即低介電常數(shù)的膜。這樣的低介電常數(shù)膜容易被化學(xué)的、物理的蝕刻，另外存在膜變質(zhì)、介電常數(shù)上升的情況。另外，也存在在膜中形成空孔實(shí)現(xiàn)低介電常數(shù)化的所謂使用多孔膜的情況，該情況下，由于膜的強(qiáng)度變?nèi)?，所以容易受到損害。由上述理由，低介電常數(shù)膜與硅氧化膜相比更容易受到損害，上述本實(shí)施例中的對(duì)底膜不造成損害的成膜方法，特別是在上述低介電常數(shù)膜上形成Cu擴(kuò)散防止膜的情況下，是更有效的技術(shù)。這里，在下面表示上述低介電常數(shù)膜的例子。作為上述低介電常數(shù)的例子，能夠大致區(qū)別為無機(jī)膜和有機(jī)膜。作為上述無機(jī)系的膜的例子，具有為無機(jī)SOD膜(由旋涂法成膜的絕緣膜)的烷基硅氧烷聚合物、HSQ(HydrogenSilsesquioxane)等。另外，由CVD(化學(xué)氣相沉積)法也能夠形成低介電常數(shù)膜，作為無機(jī)膜，具有例如添加氟的硅氧化膜等。另外，也具有這種情況，即上述無機(jī)膜和硅氧化膜任何一個(gè)都是多孔膜，由此進(jìn)一步降低了介電常數(shù)，可作為低介電常數(shù)膜來使用。另外，作為有機(jī)膜的例子，具有有機(jī)聚合物膜，作為有機(jī)聚合物的例子，具有PTFE系的膜、聚酰亞胺系的膜、添加氟的聚酰亞胺膜、BCB(苯并環(huán)丁烯)、甘油-戊酸酯-N、甘油-戊酸酯-F、MSQ(methylsilsesquioxane)、HOSP(hybrido-organosiloxanepolymer)等。此外作為有機(jī)系的膜，具有由CVD法形成的添加了氟的碳膜或者DLC(diamond-like-carbon)、SiCO膜或者SiCO(H)膜等。另外，也具有上述有機(jī)膜為任何一種多孔膜，由此進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低介電常數(shù)的情況。本發(fā)明的成膜方法，是對(duì)上述那樣的低介電常數(shù)膜特別有效的成膜方法。為此，在本實(shí)施例中，在上述絕緣層1上形成第一Cu擴(kuò)散防止膜的圖1A的工序中，為了不對(duì)上述絕緣層1造成損害，對(duì)原料氣體使用不進(jìn)行等離子體激勵(lì)、不存在造成離子或者自由基損害的反應(yīng)種的氣體。此外，在圖1B的工序中，對(duì)于第二原料氣體使用經(jīng)等離子體激勵(lì)的NH3。這是因?yàn)椋傻入x子體激勵(lì)NH3來進(jìn)行分解，促進(jìn)了與TiCl4的反應(yīng)。為此，形成的TiN膜中的殘留氯等雜質(zhì)減少，能夠形成電阻值更小的膜質(zhì)良好的TiN膜。這種情況下，由于上述絕緣膜1已經(jīng)由上述第一Cu擴(kuò)散防止膜2所覆蓋，所以不會(huì)由于在等離子體激勵(lì)中存在的離子或者自由基，導(dǎo)致該絕緣膜1受到損害。即，在本發(fā)明的實(shí)施例1所示的成膜方法中，形成由第一Cu擴(kuò)散防止膜和第二Cu擴(kuò)散防止膜所構(gòu)成的Cu擴(kuò)散防止膜，由此，作為底膜的上述絕緣膜1不受到損害，此外還可以形成作為膜中雜質(zhì)少的優(yōu)質(zhì)的Cu擴(kuò)散防止膜的TiN膜。在本實(shí)施例中，作為第一原料氣體能夠使用TiCl4以外的氣體，另外，作為第二原料氣體也能夠使用NH3和NH3的經(jīng)等離子體激勵(lì)的氣體以外的各種氣體。此外，以同樣的方法，作為其它Cu擴(kuò)散防止膜，除了TiN膜之外，也能夠形成TaN膜、Ta/TaN的疊層膜、WN膜、W/WN的疊層膜、Ti(C)N膜(所謂Ti(C)N膜，意味著在TiN膜中包含C作為雜質(zhì)的膜，例如在使用有機(jī)金屬氣體來形成包含TiN的膜的情況下所形成的膜)、Ta(C)N膜(所謂Ta(C)N膜，意味著在TaN膜中包含C作為雜質(zhì)的膜，例如在使用有機(jī)金屬氣體來形成包含TaN的膜的情況下所形成的膜)、W(C)N膜(所謂W(C)N膜，意味著在WN膜中包含C作為雜質(zhì)的膜，例如在使用有機(jī)金屬氣體來形成包含WN的膜的情況下所形成的膜)、W/W(C)N的疊層膜，可實(shí)現(xiàn)與在本實(shí)施例所記載的TiN膜的情況相同的效果。關(guān)于它們的詳細(xì)情況在后面描述。下面，作為實(shí)施例2，在下面說明在形成Cu擴(kuò)散防止膜時(shí)的底膜是Cu膜的情況下，形成不對(duì)該Cu膜造成損害且象上述那樣的高品質(zhì)的Cu擴(kuò)散防止膜的方法。圖2A～圖2C是按順序表示本發(fā)明實(shí)施例1的成膜方法。在本實(shí)施例中，作為Cu擴(kuò)散防止膜，說明形成TiN/Ti(C)N膜的順序。首先，參照?qǐng)D2A，在被處理基板上所形成的Cu膜5上，形成第一Cu擴(kuò)散防止膜6。這種情況下，在將上述那樣的第一原料氣體和第二原料氣體交互地提供給被處理基板上的方法中，對(duì)第一原料氣體使用TEMAT(Ti[N(C2H5CH3)]4)，對(duì)第二原料氣體使用NH3，形成由Ti(C)N膜所構(gòu)成的第一Cu擴(kuò)散防止膜6。接著，在圖2B中，在上述第一擴(kuò)散防止膜6上，形成第二Cu擴(kuò)散防止膜7。這種情況下，在對(duì)被處理基板交互地提供第一原料氣體和第二原料氣體的成膜方法中，對(duì)第一原料氣體使用TiCl4，對(duì)第二原料氣體使用NH3，形成由TiN膜所構(gòu)成的第二Cu擴(kuò)散防止膜7。接著，在圖2C的工序中，在上述第二Cu擴(kuò)散防止層7上，由PVD法、CVD法或者電鍍法等來形成Cu層4。在本實(shí)施例中，在圖2A的工序中，不使用鹵化合物氣體，使用作為有機(jī)金屬氣體的TEMAT。為此，對(duì)作為底膜的上述Cu膜5不造成損害，理由如下。作為底膜的上述Cu膜5，例如在將TiCl4等鹵化合物用于原料氣體的情況下，具有由作為鹵素的Cl腐蝕該Cu膜5這樣的問題。作為除了上述TiCl4之外的包含Ti的鹵素氣體，具有TiF4、TiBr4、Til4等。在本實(shí)施例中，優(yōu)選使用不包含鹵元素的有機(jī)金屬化合物、例如金屬酰胺化合物或者金屬羰基化合物，這種情況下，可防止作為底膜的上述Cu膜5的腐蝕。另外，底膜不限于Cu膜，對(duì)于W膜、Al膜也同樣具有防止腐蝕的效果。另外，在圖2B的工序中，使用作為鹵素氣體的TiCl4。這是因?yàn)榉乐沽嗽谛纬傻腡iN膜中進(jìn)入作為有機(jī)物的C或者CHx等雜質(zhì)，并可將TiN膜的電阻值抑制得較低。這種情況下，由于作為底膜的上述Cu膜5已被由Ti(C)N膜所構(gòu)成的上述第一Cu擴(kuò)散防止膜6所覆蓋，由TiN膜所構(gòu)成的Cu膜5不受到由第一原料氣體中所包含的鹵素的損害。即，在本發(fā)明的實(shí)施例2所示的成膜方法中，作為底膜的上述Cu膜5不受到損害，此外能夠形成作為膜中雜質(zhì)少的優(yōu)質(zhì)的Cu擴(kuò)散防止膜的TiN/Ti(C)N膜。在本實(shí)施例中，作為第一原料氣體，能夠使用TEMA和TiCl4以外的氣體，另外，作為第二原料氣體，也能夠使用NH3以外的各利氣體。此外，作為利用相同方法的其它Cu擴(kuò)散防止膜，除了TiN/Ti(C)N膜之外，也能夠形成TaN/Ta(C)N膜、Ta/Ta(C)N的疊層膜、WN/W(C)N膜、W/W(C)N的疊層膜，可達(dá)到與本實(shí)施例所記載的TiN/Ti(C)N膜的情況相同的效果。這些詳細(xì)內(nèi)容在后面描述。另外，在本實(shí)施例中，在圖2A和圖2B的工序中，也可以對(duì)第二原料氣體進(jìn)行等離子體激勵(lì)來使用。這種情況下，促進(jìn)第二原料氣體的分解，促進(jìn)了形成Cu擴(kuò)散防止膜的反應(yīng)，具有了所形成的Cu擴(kuò)散防止膜中的雜質(zhì)減少、Cu擴(kuò)散防止膜的電阻值降低的效果。此外，如作為下面的實(shí)施例3所示的那樣，在圖2A中的第一Cu擴(kuò)散防止膜的形成工序中，使用不進(jìn)行等離子體激勵(lì)的第二原料氣體，僅在圖2B的第二Cu擴(kuò)散防止膜的形成工序中，使用經(jīng)等離子體激勵(lì)的第二原料氣體，從而能夠進(jìn)行對(duì)作為底膜的Cu和絕緣膜兩者不造成損害的成膜方法。另外，底膜不限于Cu，在W或者Al的情況下，也能夠?qū)ι鲜龅牡啄ぃ碬或者Al不造成損害地來進(jìn)行成膜，能夠得到同樣的效果。這里，作為實(shí)施例3，在下面說明，在形成Cu擴(kuò)散防止膜時(shí)的底膜上存在絕緣膜和Cu膜兩者，對(duì)該絕緣膜和該Cu膜兩者不造成損害，而且，形成上述那樣的高品質(zhì)Cu擴(kuò)散防止膜的方法。圖3A～圖3C是按照順序表示本發(fā)明的實(shí)施例3的成膜方法的圖。在本實(shí)施例中，作為Cu擴(kuò)散防止膜，說明形成TiN/Ti(C)N膜的順序。首先，參照?qǐng)D3A，在被處理基板上形成的上述絕緣膜1和上述Cu膜5上，形成第一擴(kuò)散防止膜8。這種情況下，在對(duì)被處理基板上交互地提供上述那樣的第一原料氣體和第二原料氣體的方法中，對(duì)于第一原料氣體使用TEMAT，對(duì)第二原料氣體使用NH3，形成由Ti(C)N膜構(gòu)成的第一Cu擴(kuò)散防止膜8。接著，在圖3B中，在上述第一擴(kuò)散防止膜8上，形成第二Cu擴(kuò)散防止膜9。這種情況下，在對(duì)被處理基板上交互地提供第一原料氣體和第二原料氣體的成膜方法中，第一原料氣體使用TiCl4，第二原料氣體使用經(jīng)等離子體激勵(lì)的NH3，形成由TiN膜構(gòu)成的第二Cu擴(kuò)散防止膜9。接著，在圖3C的工序中，在上述第二Cu擴(kuò)散防止層9上，由PVD法、CVD法或者電鍍法等來形成Cu層4。在本實(shí)施例的情況下，在圖3A的工序中，使用不進(jìn)行等離子體激勵(lì)的NH3，在上述第二原料氣體中不存在著離子或者自由基等對(duì)上述絕緣膜1造成損害的粒子，所以不對(duì)上述絕緣層1造成損害。即，實(shí)施例1的情況與上述情況相同，絕緣膜沒有由N自由基、H自由基、NH自由基等、對(duì)NH3進(jìn)行等離子體激勵(lì)所產(chǎn)生的反應(yīng)種來進(jìn)行蝕刻，或者，沒有通過對(duì)NH3進(jìn)行等離子體激勵(lì)所產(chǎn)生的離子的沖擊來進(jìn)行物理的蝕刻。另外，在圖3B的工序中，對(duì)第二原料氣體使用經(jīng)等離子體激勵(lì)的NH3作為原料氣體。這是因?yàn)?，通過等離子體激勵(lì)NH3來進(jìn)行分解，可促進(jìn)與TiCl4的反應(yīng)。為此，可減少形成的TiN膜中的殘留氯等雜質(zhì)，形成電阻值更小的膜質(zhì)好的TiN膜，結(jié)果能夠?qū)⒂蒚iN/Ti(C)膜構(gòu)成的Cu擴(kuò)散防止膜的電阻值抑制得較低。這種情況下，由于上述絕緣膜1已經(jīng)由上述第一Cu擴(kuò)散防止膜2所覆蓋，所以該絕緣膜1不受到由等離子體激勵(lì)中所存在的離子或者自由基導(dǎo)致的損害。另外，實(shí)施例2的情況如前面上述，在圖3A的工序中，對(duì)于第一原料氣體，使用作為有機(jī)金屬氣體的TEMAT。為此，對(duì)作為底膜的上述Cu膜5不造成由鹵素導(dǎo)致的損害。另外，在圖3B的工序中，對(duì)于第一原料氣體使用作為鹵素化合物氣體的TiCl4，在TiN膜中形成防止C或者CHx等雜質(zhì)加入的電阻值更小的膜質(zhì)好的TiN膜，結(jié)果能夠?qū)⒂蒚iN/Ti(C)N膜構(gòu)成的Cu擴(kuò)散防止膜的電阻值抑制得較低。這種情況下，由于作為底膜的上述Cu膜5已由上述第一Cu擴(kuò)散防止膜8來覆蓋，所以，上述Cu膜5不受到第一原料氣體中所包含的鹵素導(dǎo)致的損害。即，在本發(fā)明的實(shí)施例3所示的成膜方法中，作為底膜的上述絕緣膜1和上述Cu膜5兩者不受到損害，此外能夠形成作為膜中雜質(zhì)少的質(zhì)量好的Cu擴(kuò)散防止膜的TiN/Ti(C)N膜。在本實(shí)施例中，作為第一原料氣體能夠使用TEMAT和TiCl4以外的氣體，另外，作為第二原料氣體也能夠使用NH3以外的各種氣體。此外，作為利用相同方法的其它Cu擴(kuò)散防止膜，除了TiN/Ti(C)N膜之外，也能夠形成TaN/Ta(C)N膜、Ta/Ta(C)N的疊層膜、WN/W(C)N膜、W/W(C)N的疊層膜，可達(dá)到與本實(shí)施例所記載的TiN/Ti(C)N膜的情況相同的效果。這些詳細(xì)內(nèi)容在后面描述。另外，底膜不限于Cu，在W或者Al的情況下也能夠不對(duì)上述那樣的底膜、即W或者Al造成損害地來進(jìn)行成膜，能夠得到同樣的效果。接著，基于圖4在下面說明進(jìn)行實(shí)施例1～實(shí)施例3上述的成膜方法的成膜裝置。圖4表示能夠?qū)嵤┥鲜鰧?shí)施例1～實(shí)施例3的成膜方法的成膜裝置10。參照?qǐng)D4，上述成膜裝置10為這樣的構(gòu)造，即具有由例如鋁、對(duì)表面進(jìn)行氧化鋁膜處理的鋁或者不銹鋼所構(gòu)成的處理容器11，在上述處理容器11內(nèi)部設(shè)置由基板保持臺(tái)支持部15所支持的由AlN所構(gòu)成的基板保持臺(tái)12，在上述基板保持臺(tái)12的中心，載置作為被處理基板的半導(dǎo)體被處理基板W。在上述基板保持臺(tái)12中，內(nèi)置未圖示的加熱器，將上述被處理基板加熱到希望的溫度。上述基板處理容器11內(nèi)，通過與排氣口18連接的未圖示的排氣系統(tǒng)來進(jìn)行真空排氣，能夠?qū)⑸鲜鎏幚砣萜?1內(nèi)變?yōu)闇p壓狀態(tài)。另外，上述被處理基板W，通過在上述處理容器11上設(shè)置的未圖示的門閥來進(jìn)行搬入或者搬出。為此，在上述基板保持臺(tái)12上，設(shè)置升降銷13，該升降銷在上述被處理基板W向上述處理容器11內(nèi)搬入、搬出時(shí)保持上述被處理基板W，從上述基板保持臺(tái)15脫離或者載置。上述升降銷13通過連接棒14與由波紋管16進(jìn)行真空密封的上下機(jī)構(gòu)17連接，上下移動(dòng)上述升降銷13，能夠?qū)⑸鲜霰惶幚砘錡從上述基板載置臺(tái)12上脫離或者載置在其上。在上述處理容器11的上部設(shè)置氣體導(dǎo)入路徑11A，將用于對(duì)上述被處理基板W進(jìn)行成膜的原料氣體或者稀釋氣體等導(dǎo)入。在上述氣體導(dǎo)入路徑11A上，連接氣體線路24，其導(dǎo)入第一原料氣體和稀釋該第一原料氣體的稀釋氣體，上述氣體線路24還與鹵素第一原料氣體線路25、有機(jī)金屬第一原料氣體線路26和稀釋氣體線路27連接。上述鹵素第一原料氣體線路25通過質(zhì)量流量控制器25A和閥門25B與鹵素第一原料氣體源25C連接。在上述鹵素第一原料氣體源25C，連接例如包含Ti、Ta或者W的鹵素化合物的氣體源，分別將包含Ti、Ta或者W的鹵素化合物的第一原料氣體提供給上述處理容器11。上述有機(jī)金屬第一原料氣體線路26通過質(zhì)量流量控制器26A和閥門26B與有機(jī)金屬第一原料氣體源26C連接。在上述有機(jī)金屬第一原料氣體源26C，連接例如包含Ti、Ta或者W的有機(jī)金屬化合物的氣體源，分別將為包含Ti、Ta或者W的有機(jī)金屬化合物的第一原料氣體提供給上述處理容器11。另外，上述稀釋氣體線路27通過質(zhì)量流量控制器27A和閥門27B與稀釋氣體源27C連接，設(shè)置用于根據(jù)需要稀釋第一原料氣體的、例如N2、Ar、He等稀釋氣體源，將N2、Ar、He等通過上述氣體線路24提供給上述處理容器11內(nèi)。另外，將稀釋氣體從上述氣體線路24導(dǎo)入，也具有了防止從上述處理容器11內(nèi)向上述氣體線路24進(jìn)行氣體倒流的效果。另外，在上述氣體導(dǎo)入路徑11A中，通過后面描述的遠(yuǎn)程等離子體源19連接氣體線路20。在上述氣體線路20上，連接氮化第二原料氣體線路21、氫第二原料氣體線路22和稀釋線路23。在氮化第二原料氣體線路21中，通過質(zhì)量流量控制器21A、閥門21B連接氮化第二原料氣體源21C，與作為第二原料氣體供給源的氮化合物、例如NH3、N2H4、NH(CH3)2、N2H3CH3等氣體源連接，向上述處理容器11內(nèi)導(dǎo)入氮化合物氣體。另外，在上述氫第二原料氣體線路22中，通過質(zhì)量流量控制器22A、閥門22B連接氫原料氣體源22C，連接作為第二原料氣體的供給源的還原性氣體的例如H2的氣體源，從而向上述處理容器11內(nèi)導(dǎo)入H2氣體。另外，上述稀釋氣體線路23通過質(zhì)量流量控制器23A、閥門23B連接稀釋原料氣體源23C，設(shè)置用于根據(jù)需要稀釋第二原料氣體的、例如N2、Ar、He等稀釋氣體源，將N2、Ar、He等通過上述氣體線路20提供給上述處理容器11內(nèi)。另外，通過將稀釋氣體從氣體線路20導(dǎo)入，也具有了防止從上述處理容器11內(nèi)向上述氣體線路20、上述遠(yuǎn)程等離子體源19進(jìn)行氣體倒流的效果。上述遠(yuǎn)程等離子體源19內(nèi)置等離子體發(fā)生裝置，該離子體發(fā)生裝置通過施加高頻電力，對(duì)導(dǎo)入上述遠(yuǎn)程等離子體源19的氣體進(jìn)行等離子體激勵(lì)。上述遠(yuǎn)程等離子體源19，根據(jù)需要對(duì)提供給上述遠(yuǎn)程等離子體源19的上述氮原料氣體或者氫原料氣體進(jìn)行等離子體激勵(lì)。另外，在不進(jìn)行上述那樣等離子體激勵(lì)的情況下，所提供的氣體原樣地通過上述遠(yuǎn)程等離子體源19，提供至上述處理容器11內(nèi)。由等離子體激勵(lì)的氣體產(chǎn)生氣體分解的離子、自由基等反應(yīng)種，由上述氣體導(dǎo)入路徑11A向上述處理容器11內(nèi)導(dǎo)入。例如在等離子體激勵(lì)第二原料氣體的情況下，向上述處理容器11內(nèi)導(dǎo)入NHx*(自由基)、H*(自由基)、N*(自由基)等。在本實(shí)施例中，上述遠(yuǎn)程等離子體源的等離子體激勵(lì)方法使用了利用2MHz高頻的ICP(電感耦合型等離子體)裝置，但不限于上述方法。等離子體激勵(lì)例如也可以為平行平板等離子體或ECR等離子體。另外，也可以使用例如頻率400kHz、800kHz等較低頻率，另外也可以使用13.56MHz等高頻或者微波(2.45GHz)，只要能夠進(jìn)行等離子體激勵(lì)來分解氣體，施加的頻率或等離子體激勵(lì)方法無論是哪種方法都可以。另外，上述那樣的閥門21B～27B的開閉操作、上述升降銷13的操作、上述遠(yuǎn)程等離子體源19的等離子體激勵(lì)操作等與成膜有關(guān)的上述成膜裝置10的操作，由控制裝置10A統(tǒng)一控制，實(shí)施例5以下上述的工藝流程由上述控制裝置10A來控制。接著，關(guān)于實(shí)施例1～實(shí)施例3說明的上述圖1～圖3所示的成膜方法，在使用成膜裝置10的情況下更具體地說明。圖5是表示使用上述成膜裝置10來進(jìn)行的本發(fā)明的Cu擴(kuò)散防止膜的成膜方法的工藝流程的圖。是更具體地表示圖1所示的實(shí)施例1的圖。在本實(shí)施例中，作為在被處理基板上的作為底膜的氧化膜上形成Cu擴(kuò)散防止膜的例子，形成TiN膜。該工藝流程由步驟101(表示為圖中的S101，下面同樣)～步驟116所構(gòu)成。首先，在步驟101，將作為被處理基板的被處理基板W搬入上述成膜裝置10中。接著，在步驟102，將上述被處理基板W載置在上述基板保持臺(tái)12上。在步驟103，由內(nèi)置于上述基板載置臺(tái)12中的加熱器來升溫上述被處理基板，大致保持在400℃。在以后的工序中，上述被處理基板W大致保持在400℃。接著在步驟104，開放上述閥門25B，由上述質(zhì)量流量控制器25A控制流量，向上述處理容器11內(nèi)提供30sccm的為第一原料的TiCl4。與此同時(shí)，開放閥門27B和閥門23B，由上述質(zhì)量流量控制器27A和23A來控制流量，將作為稀釋氣體的N2，從上述稀釋氣體線路27和稀釋氣體線路23分別向上述處理容器11內(nèi)導(dǎo)入100sccm合計(jì)200sccm。在本步驟中，TiCl4提供給被處理基板上，在被處理基板上所形成的上述絕緣膜1上吸附TiCl4。接著，在步驟105，關(guān)閉上述閥門23B、25B和27B，停止向上述處理容器11提供TiCl4和N2。這里，未吸附到上述絕緣層1上的殘留在上述處理容器11內(nèi)的TiCl4，由上述排氣口18向上述處理容器11外排出。接著，在步驟106，開放上述閥門21B，由上述質(zhì)量流量控制器21A控制流量，向上述處理容器11內(nèi)提供800sccm的NH3。與此同時(shí)，開放閥門27B和閥門23B，由上述質(zhì)量流量控制器27A和23A來控制流量，將作為稀釋氣體的N2，從上述稀釋氣體線路27和稀釋氣體線路23，向上述處理容器11內(nèi)分別導(dǎo)入100sccm合計(jì)200sccm。在本步驟中，NH3提供給大致為400℃的被處理基板上，吸附在被處理基板上的TiCl4和NH3反應(yīng)，形成TiN。接著，在步驟107，關(guān)閉上述閥門21B、23B和27B，停止向上述處理容器11提供NH3和N2。這里，未反應(yīng)的殘留在上述處理容器11內(nèi)的NH3，由上述排氣口18向上述處理容器11外排出。接著，在步驟108，為了形成需要的膜厚的第一Cu擴(kuò)散防止層，再次將成膜工序返回到步驟104，重復(fù)步驟104～107直到變成希望的膜厚，在需要的次數(shù)結(jié)束后，移到下一步驟109。這種情況下，對(duì)第二原料氣體，使用不進(jìn)行等離子體激勵(lì)的NH3，由于在上述第二原料氣體中不存在離子或者自由基等對(duì)絕緣膜造成損害的粒子，所以對(duì)底的絕緣膜不造成損害。下面的步驟109～110分別與前面上述的步驟104～105相同。接著，在步驟111，開放上述閥門21B，由上述質(zhì)量流量控制器21A來控制流量，向上述處理容器11內(nèi)提供400sccm的NH3。與此同時(shí)，開放閥門27B和閥門23B，由上述質(zhì)量流量控制器27A和23A來控制流量，將作為稀釋氣體的N2，從上述稀釋氣體線路27和稀釋氣體線路23，向上述處理容器11內(nèi)分別導(dǎo)入100sccm合計(jì)200sccm。此時(shí)，在由上述遠(yuǎn)程等離子體源19施加400W高頻電力，進(jìn)行等離子體激勵(lì)。在上述遠(yuǎn)程等離子體源中，所提供的NH3分解，變?yōu)镹Hx*，提供給上述處理容器11內(nèi)。這里，由上述步驟109～110，吸附到上述被處理基板上的TiN膜上的TiCl4和NHx*反應(yīng)，形成TiN。在本實(shí)施例的情況下，為了形成TiN，由于使用NHx*來替換NH3，促進(jìn)與TiCl4的反應(yīng)，促進(jìn)TiN的形成，所以具有在形成的TiN膜中殘留氯等雜質(zhì)少，膜質(zhì)好的特點(diǎn)。接著，在步驟112，停止上述遠(yuǎn)程電源19的高頻電力的施加，關(guān)閉上述閥門21B、23B和27B，停止向上述處理容器11的NH3和N2的供給。這里，未反應(yīng)的殘留在上述處理容器11內(nèi)的NH3，由上述排氣口18向上述處理容器11外排出。接著，在步驟113，為了形成需要的膜厚的第二Cu擴(kuò)散防止層，再次將成膜工序返回到步驟109，重復(fù)步驟109～112直到變成希望的膜厚，在需要的次數(shù)結(jié)束后，移到下一步驟114。接著，在步驟114，升高上述升降銷13，將上述被處理基板W與上述基板保持臺(tái)12分離。接著，在步驟115，將上述被處理基板W從上述處理容器11中搬出。接著，在步驟116，為了在形成的上述第二Cu擴(kuò)散防止層3上形成上述Cu膜4，向Cu成膜裝置搬送，形成上述Cu膜4。這種情況下，象前述那樣，Cu膜也可以利用PVD裝置、CVD裝置、電鍍裝置中的任何一種來成膜。另外，在本實(shí)施例中，作為在步驟104和109導(dǎo)入的第一原料氣體使用TiCl4，作為第二原料氣體，在步驟106導(dǎo)入的第一Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)使用NH3，在步驟111導(dǎo)入的第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)使用經(jīng)等離子體激勵(lì)的NH3，由此來形成TiN膜，但這些不限于此。例如，在對(duì)第一原料氣體使用鹵素化合物氣體來形成TiN膜的情況下，表示了在第一Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體，以及在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體的例子。通過使用表中所示的任何一種氣體，能夠與本實(shí)施例所示的情況相同地形成TiN膜，達(dá)到與本實(shí)施例的情況相同的效果。另外，同樣地，在對(duì)第一原料氣體使用鹵素化合物氣體來形成TaN膜的情況下，表示了在第一Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體，以及在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體的例子。通過使用表中所示的任何一種氣體，能夠與本實(shí)施例所示的情況相同地形成TaN膜。但是，在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)，作為第二原料氣體，在使用對(duì)H2進(jìn)行等離子體激勵(lì)的H+/H*的情況下，形成Ta/TaN膜。在任何一種情況下可達(dá)到與本實(shí)施例的情況相同的效果。另外，同樣地，在對(duì)第一原料氣體使用鹵素化合物氣體來形成WN膜的情況下，表示了在第一Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體，以及在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體的例子。通過使用表中所示的任何一種氣體，能夠與本實(shí)施例所示的情況相同地形成TaN膜。但是，在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)，作為第二原料氣體，在使用對(duì)H2等離子體激勵(lì)的H+/H*的情況下，形成W/WN膜。在任何一種情況下也可達(dá)到與本實(shí)施例表示的情況相同的效果。另外，同樣地，在對(duì)第一原料氣體使用有機(jī)金屬氣體來形成Ti(C)N膜的情況下，表示了在第一Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體，以及在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體的例子。通過使用表中所示的任何一種氣體，能夠與本實(shí)施例所示的情況相同地形成Ti(C)N膜?？蛇_(dá)到與本實(shí)施例的情況相同的效果。另外，同樣地，在對(duì)第一原料氣體使用有機(jī)金屬氣體來形成Ta(C)N膜的情況下，表示了在第一Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體，以及在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體的例子。通過使用表中所示的任何一種氣體，能夠與本實(shí)施例所示的情況相同地形成Ta(C)N膜。另外，同樣地，在對(duì)第一原料氣體使用有機(jī)金屬氣體來形成W(C)N膜的情況下，表示了在第一Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體，以及在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體的例子。通過使用表中所示的任何一種氣體，能夠與本實(shí)施例所示的情況相同地形成W(C)N膜。但是，在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)，作為第二原料氣體，在使用對(duì)H2等離子體激勵(lì)的H+/H*的情況下，形成W(C)/W(C)N膜。在任何一種情況下也可達(dá)到與本實(shí)施例表示的情況相同的效果。下面，同樣地，在圖6中表示對(duì)圖2所示的作為底膜的Cu不造成損害的Cu擴(kuò)散防止膜的成膜方法的工藝流程。但在圖中，對(duì)先前說明的部分使用相同的參考符號(hào)，省略了一部分說明。本實(shí)施例還更具體地表示圖2所示的實(shí)施例2，該工藝流程由步驟201～216所構(gòu)成。本實(shí)施例中的步驟201～203以及214～216分別與實(shí)施例5所述的步驟101～103以及114～116相同。參照?qǐng)D6，在步驟204，開放上述閥門26B，由上述質(zhì)量流量控制器26A來控制流量，向上述處理容器11內(nèi)提供30sccm的作為第一原料氣體的TEMAT。與此同時(shí)，開放閥門27B和閥門23B，由上述質(zhì)量流量控制器27A和23A來控制流量，將作為稀釋氣體的N2，從上述稀釋氣體線路27和稀釋氣體線路23分別向上述處理容器11內(nèi)導(dǎo)入100sccm合計(jì)200sccm。在本步驟中，TEMAT提供給被處理基板上，TEMAT吸附在被處理基板上所形成的上述絕緣膜1上。接著，在步驟205，關(guān)閉上述閥門23B、26B和27B，停止向上述處理容器11內(nèi)供給TEMAT和N2。這里，未吸附到上述絕緣層1上的未吸附且殘留在上述處理容器11內(nèi)的TEMAT，由上述排氣口18向上述處理容器11外排出。接著，在步驟206，開放上述閥門21B，由上述質(zhì)量流量控制器21A來控制流量，向上述處理容器11內(nèi)提供800sccm的NH3。與此同時(shí)，開放閥門27B和閥門23B，由上述質(zhì)量流量控制器27A和23A來控制流量，將作為稀釋氣體的N2，從上述稀釋氣體線路27和稀釋氣體線路23分別向上述處理容器11內(nèi)導(dǎo)入100sccm合計(jì)200sccm。在本步驟中，NH3提供給大致為400℃的被處理基板上，吸附在被處理基板上的TEMAT和NH3反應(yīng)，形成Ti(C)N。接著，在步驟207，關(guān)閉上述閥門21B、23B和27B，停止向上述處理容器11提供NH3和N2。這里，未反應(yīng)的殘留在上述處理容器11內(nèi)的NH3，由上述排氣口18向上述處理容器11外排出。接著，在步驟208，為了形成需要的膜厚的由Ti(C)N膜構(gòu)成的第一Cu擴(kuò)散防止層，再次將成膜工序返回到步驟204，重復(fù)步驟204～207直到變成希望的膜厚，在需要的次數(shù)結(jié)束后，移到下一步驟209。接著，在步驟209～212，對(duì)第一原料氣體使用TiCl4來形成TiN。步驟209～212，與圖5的步驟104～107相同。之后，在步驟213，為了形成需要的膜厚的由TiN膜構(gòu)成的第二Cu擴(kuò)散防止層，再次將成膜工序返回到步驟209，重復(fù)步驟209～212直到變成希望的膜厚，在需要的次數(shù)結(jié)束后，移到下一步驟214。在本實(shí)施例中，在這樣的第一Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)的步驟204中使用有機(jī)金屬氣體作為第一原料氣體，來形成Ti(C)N膜，在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)的步驟209中使用鹵素化合物氣體來形成TiN膜。為此，在實(shí)施例2的情況下如前述那樣，作為底膜的Cu膜不受到鹵素的腐蝕，且能夠形成膜中雜質(zhì)少的電阻值低的Cu擴(kuò)散防止膜。另外，在本實(shí)施例的情況下，例如，作為步驟204所使用的第一原料氣體使用有機(jī)金屬氣體TEMAT，作為步驟209所使用的第一原料氣體使用鹵素化合物氣體TiCl4，另外，作為步驟206和步驟211所使用的第二原料氣體使用NH3，但不限于此。例如，表示了在第一Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體，以及在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體的例子。通過使用表中所示的任何一種氣體，能夠與本實(shí)施例所示的情況相同地形成TiN/Ti(C)N膜，可達(dá)到與本實(shí)施例的情況相同的效果。另外，同樣地，在形成TaN/Ta(C)N膜的情況下，表示了在第一Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體，以及在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體的例子。通過使用表中所示的任何一種氣體，能夠與本實(shí)施例所示的情況相同地形成TaN/Ta(C)N膜。在任何一種情況下也可達(dá)到與本實(shí)施例表示的情況相同的效果。另外，同樣地，在形成WN/W(C)N膜的情況下，表示了在第一Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體，以及在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體的例子。通過使用表中所示的任何一種氣體，能夠與本實(shí)施例所示的情況相同地形成WN/W(C)N膜。在任何一種情況下也可達(dá)到與本實(shí)施例表示的情況相同的效果。另外，在本實(shí)施例中，如實(shí)施例2上述的那樣，在步驟206和步驟211中，也可以對(duì)第二原料氣體進(jìn)行等離子體激勵(lì)來使用。這種情況下，促進(jìn)了第二原料氣體的分解，促進(jìn)了形成Cu擴(kuò)散防止膜的形成的反應(yīng)，具有減少了形成的Cu擴(kuò)散防止膜中的雜質(zhì)且降低Cu擴(kuò)散防止膜的電阻的效果。在下面表示該實(shí)施例。例如，在形成TiN/Ti(C)N膜的情況下，表示了在第一Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體，以及在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體的例子。通過使用表中所示的任何一種氣體，能夠與本實(shí)施例所示的情況相同地形成TiN/Ti(C)N膜。可達(dá)到與本實(shí)施例的情況相同的效果。另外，同樣地，在形成TaN/Ta(C)N膜的情況下，表示了在第一Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體，以及在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體的例子。通過使用表中所示的任何一種氣體，能夠與本實(shí)施例所示的情況相同地形成TaN/Ta(C)N膜。但是，在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)，作為第二原料氣體，在使用對(duì)H2等離子體激勵(lì)的H+/H*的情況下，形成Ta/Ta(C)N膜。在任何一種情況下也可達(dá)到與本實(shí)施例的情況相同的效果。另外，如果使用等離子體激勵(lì)的氣體，還具有形成的膜中的雜質(zhì)減少的效果。另外，同樣地，在形成WN/W(C)N膜的情況下，表示了在第一Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體，以及在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體的例子。通過使用表中所示的任何一種氣體，能夠與本實(shí)施例所示的情況相同地形成WN/W(C)N膜。但是，在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)，作為第二原料氣體，在使用對(duì)H2等離子體激勵(lì)的H+/H*的情況下，形成W/W(C)N膜。在任何一種情況下也可達(dá)到與本實(shí)施例表示的情況相同的效果。此外，如作為下面的實(shí)施例7所示的那樣，在步驟206中的第一Cu擴(kuò)散防止膜的形成工序中，使用不進(jìn)行等離子體激勵(lì)的第二原料氣體，僅在步驟211中的第二Cu擴(kuò)散防止膜的形成工序中，使用經(jīng)等離子體激勵(lì)的第二原料氣體，能夠進(jìn)行對(duì)作為底膜的Cu和絕緣膜兩者不造成損害的成膜方法。圖7是對(duì)作為底膜的絕緣膜和Cu膜兩者不造成損害的Cu擴(kuò)散防止膜的成膜方法的工藝流程。但在圖中，對(duì)先前說明的部分使用相同的參考符號(hào)，省略了一部分說明。本實(shí)施例還更具體地表示圖3所示的實(shí)施例3，該工藝流程由步驟301～316所構(gòu)成。在本實(shí)施例中，步驟301～310以及313～316分別與上述的圖6的步驟201～210以及213～216相同。另外，步驟311～312與上述的圖5的111～112相同。即，在實(shí)施例3的情況下，如前述那樣，能夠?qū)ψ鳛榈啄さ慕^緣膜和Cu膜兩者不造成損害，此外能夠形成膜中雜質(zhì)少的作為優(yōu)質(zhì)的Cu擴(kuò)散防止膜的TiN/Ti(C)N膜。另外，改變第一原料氣體和第二原料氣體，同樣能夠形成TiN/Ti(C)N膜。例如，在形成TiN/Ti(C)N膜的情況下，表示了在第一Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體，以及在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體的例子。通過使用表中所示的任何一種氣體，能夠與本實(shí)施例所示的情況相同地形成TiN/Ti(C)N膜。可達(dá)到與本實(shí)施例的情況相同的效果。另外，同樣地，在形成TaN/Ta(C)N膜的情況下，表示了在第一Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體，以及在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體的例子。通過使用表中所示的任何一種氣體，能夠與本實(shí)施例所示的情況相同地形成TaN/Ta(C)N膜。但是，在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)，作為第二原料氣體，在使用對(duì)H2等離子體激勵(lì)的H+/H*的情況下，形成Ta/Ta(C)N膜。在任何一種情況下也可達(dá)到與本實(shí)施例表示的情況相同的效果。<tablesid="table7"num="007"><tablewidth="781">Ta(NC(CH3)3)(N(C2H5)2)3(TBTDET)Ta(NC2H5)(N(C2H5)2)3Ta(NC(CH3)2C2H5)(N(CH3)2)3Ta(NC(CH3)3)(N(CH3)2)3N2H3CH3第二Cu擴(kuò)散防止膜TaF5TaCl5TaBr5TaI5對(duì)NH3進(jìn)行等離子體激勵(lì)的NHx*對(duì)N2/H2混合氣體進(jìn)行等離子體激勵(lì)的NHx*對(duì)H2進(jìn)行等離子體激勵(lì)的H+/H*</table></tables>另外，同樣地，在形成WN/W(C)N膜的情況下，表示了在第一Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體，以及在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)所使用的第一原料氣體和第二原料氣體的例子。通過使用表中所示的任何一種氣體，能夠與本實(shí)施例所示的情況相同地形成WN/W(C)N膜。但是，在第二Cu擴(kuò)散防止膜形成時(shí)，作為第二原料氣體，在使用對(duì)H2等離子體激勵(lì)的H+/H*的情況下，形成W/W(C)N膜。在任何一種情況下也可達(dá)到與本實(shí)施例表示的情況相同的效果。另外，上述任何一種情況同樣地能夠不對(duì)底膜造成損害地形成高品質(zhì)的Cu擴(kuò)散防止膜。下面，就下面的圖8A～圖8F來按順序說明將實(shí)施例5的上述成膜方法使用于半導(dǎo)體裝置的制造工序中的例子。首先，圖8A是表示在未圖示的半導(dǎo)體基板上所形成的半導(dǎo)體裝置的一部分的制造過程的圖。根據(jù)關(guān)于該構(gòu)成來說明，首先，形成在由硅構(gòu)成的該半導(dǎo)體基板上所形成的、例如與MOS晶體管等元件電連接的布線層(未圖示)；和與它們電連接的、例如由Cu構(gòu)成的布線膜31。在布線膜31的上部，形成蓋罩(cap)膜32、第一絕緣膜33、第一掩膜34、第二絕緣膜35、第二掩膜36。接著，在圖8B，例如，由等離子體的干蝕刻來進(jìn)行孔狀的蝕刻，進(jìn)行在上述第二掩膜36、上述第二絕緣膜35、上述第二掩膜34、上述第一絕緣膜33和蓋罩膜32上設(shè)置圓筒狀的孔部37即通孔蝕刻(ViaEtching)。此時(shí)，例如在上述第一絕緣膜33和第二絕緣膜35是硅氧化膜、向硅氧化物中添加氟等的無機(jī)膜的情況下，使用CF4、C2F6等碳氟化合物氣體。另外在上述第一絕緣膜33和第二絕緣膜35是有機(jī)膜的情況下，將O2和H2或者N2等用于蝕刻氣體。另外關(guān)于上述蓋罩膜32、上述第一掩膜34和第二掩膜36，可一面對(duì)于材料適當(dāng)選擇、變更合適的蝕刻所使用的氣體，一面來進(jìn)行蝕刻。接著，在圖8C的工序中，進(jìn)行對(duì)于上述第二絕緣膜35和第二掩膜36形成溝部的所謂的溝槽的蝕刻，形成溝部38。這種情況下也象圖8B的通孔蝕刻的情況所述的那樣，進(jìn)行干蝕刻。這種情況也象前述那樣，需要與上述第二絕緣膜35和上述第二掩膜36的材質(zhì)相匹配，選擇干蝕刻的氣體，根據(jù)需要改變干蝕刻的氣體，來進(jìn)行干蝕刻。而且，也可以將圖8B的工序和圖8C的工序順序交換，最初進(jìn)行溝槽蝕刻，再進(jìn)行通孔蝕刻也可以。接著，在圖8D的工序中，應(yīng)用圖5的步驟104～108工序，形成由TiN構(gòu)成的第一Cu擴(kuò)散防止膜39。這種情況下，如前面上述，以接近原子層、分子層的級(jí)別來進(jìn)行成膜，例如能夠形成上述孔部37和上述溝部38的覆蓋優(yōu)異、細(xì)微圖案均勻且好膜質(zhì)的覆蓋好的TiN層39。另外，如實(shí)施例1上述的那樣，在圖8D所示的本工序中，對(duì)第二原料氣體使用不進(jìn)行等離子體激勵(lì)的NH3，由于在上述第二原料氣體中不存在離子或者自由基等對(duì)上述第一絕緣膜33和上述第二絕緣膜35造成損害的粒子，所以對(duì)上述第一絕緣膜33和上述第二絕緣膜35不造成損害。接著，在圖8E的工序中，應(yīng)用圖5的步驟109～113的工序，來進(jìn)行由TiN構(gòu)成的第二Cu擴(kuò)散防止膜40的形成。這種情況下也與形成上述第一Cu擴(kuò)散防止膜39的情況相同，以接近原子層、分子層的級(jí)別來進(jìn)行成膜，例如能夠形成上述孔部37和上述溝部38的覆蓋優(yōu)異、細(xì)微圖案均勻且膜質(zhì)良好的覆蓋好的TiN層40。另外，在上述這樣的本工序中，對(duì)第二原料氣體使用經(jīng)等離子體激勵(lì)的NH3。這是因?yàn)?，通過將第二原料氣體進(jìn)行等離子體激勵(lì)來進(jìn)行分解，可促進(jìn)與作為第一原料氣體提供的TiCl4的反應(yīng)。為此，可減少所形成的TiN膜中的Cl等雜質(zhì)，形成電阻值更小的膜質(zhì)良好的TiN膜。這種情況下，由于上述第一絕緣膜33和第二絕緣膜35已經(jīng)由上述第一Cu擴(kuò)散防止膜39所覆蓋，所以上述第一絕緣膜33和第二絕緣膜35不受到由等離子體激勵(lì)中所存在的離子或者自由基導(dǎo)致的損害。即，在本實(shí)施例的成膜方法中，通過形成由第一Cu擴(kuò)散防止膜和第二Cu擴(kuò)散防止膜所構(gòu)成的Cu擴(kuò)散防止膜，能夠不對(duì)作為底膜的上述第一絕緣膜33和第二絕緣膜35造成損害，還能夠形成膜中雜質(zhì)少的優(yōu)質(zhì)的Cu擴(kuò)散防止膜。接著，在圖8F的工序中，使得充滿上述孔部37和上述溝部38來形成Cu膜41。在形成上述Cu膜41的情況下，能夠使用PVD法、CVD法或者電鍍法等任何一種方法。另外，在之后的工序中，對(duì)在上述第二掩膜36上所形成的、上述Cu膜41的上部、上述第一Cu擴(kuò)散防止膜39和上述第二Cu擴(kuò)散防止膜40，通過例如CMP(化學(xué)機(jī)械研磨)等進(jìn)行研磨，使得上述第二掩膜36的上面露出，使得上述Cu層41的上面和上述第二掩膜層36的上面為同一平面。根據(jù)需要，上述掩膜層36也可以通過CMP全部削除。另外，使用本實(shí)施例的成膜方法，如圖9所示那樣，能夠形成具有多層布線構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置。但是在圖中，對(duì)先前說明的部分賦予相同的參考符號(hào)，省略了其說明。圖9是在圖8F所示的工序后、進(jìn)而應(yīng)用本實(shí)施例的成膜方法所形成的、具有多層布線構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置的概略截面圖。但是在圖中，對(duì)先前說明的部分賦予相同的參考符號(hào)，省略了說明。該半導(dǎo)體裝置如下面這樣形成。首先，在圖8F所示的工序之后，在CMP后的上述Cu布線41上，形成另外的蓋罩膜32A、另外的第一絕緣膜33A、另外的第一掩膜34A、另外的第二絕緣膜35A和另外的第二掩膜36A，使用與前述那樣的圖8B～圖8F同樣的工序。結(jié)果，通過形成另外的第一Cu擴(kuò)散防止膜39A、另外的第二Cu擴(kuò)散防止膜40A和另外的Cu膜41A，形成所謂的多膜布線構(gòu)造。根據(jù)需要，還應(yīng)用在上述Cu膜41上形成上述那樣的絕緣膜和導(dǎo)電膜的本發(fā)明的基板處理方法，可以進(jìn)一步多層化。另外，如實(shí)施例5的說明所描述的那樣，在形成TiN膜作為Cu擴(kuò)散防止膜的情況下，能夠改變第一原料氣體、第二原料氣體。同樣地，通過改變實(shí)施例5所描述那樣的第一原料氣體、第二原料氣體，能夠形成TaN膜、Ta/TaN構(gòu)造的疊層膜、WN膜、W/WN構(gòu)造的疊層膜、Ti(C)N膜、Ta(C)N膜、W(C)N膜、W(C)/W(C)N的疊層膜。在任何一種情況下，同樣的，通過形成由第一Cu擴(kuò)散防止膜和第二Cu擴(kuò)散防止膜所構(gòu)成的Cu擴(kuò)散防止膜，能夠不對(duì)作為底膜的上述第一絕緣膜33和第二絕緣膜35造成損害，還能夠形成膜中雜質(zhì)少的優(yōu)質(zhì)的Cu擴(kuò)散防止膜。另外，作為上述第一絕緣膜39和第二絕緣膜所使用的絕緣膜的例子，象前述那樣，具有大致區(qū)分為無機(jī)膜和有機(jī)膜。作為上述無機(jī)系的膜的例子，具有為無機(jī)SOD膜(由旋涂法成膜的絕緣膜)的烷基硅氧烷聚合物、HSQ(HydrogenSilsesquioxane)等。另外，由CVD(化學(xué)氣相沉積)法也能夠形成低介電常數(shù)膜，作為無機(jī)膜，具有例如添加氟的硅氧化膜等。另外，也具有這種情況，上述無機(jī)膜和硅氧化膜任何一個(gè)都是多孔膜，由此進(jìn)一步降低了介電常數(shù)，可作為低介電常數(shù)膜來使用。另外，作為有機(jī)膜的例子，具有有機(jī)聚合物膜，作為有機(jī)聚合物的例子，具有PTFE系的膜、聚酰亞胺系的膜、添加氟的聚酰亞胺膜、BCB(苯并環(huán)丁烯)、甘油-戊酸酯-N、甘油-戊酸酯-F、MSQ(methylsilsesquioxane)、HOSP(hybrido-organosiloxanepolymer)等。此外作為有機(jī)系的膜，具有由CVD法形成的添加了氟的碳膜或者DLC(diamond-like-carbon)、SiCO膜或者SiCO(H)膜等。另外，也具有這種情況上述有機(jī)膜為任何一種多孔膜，由此進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低介電常數(shù)。使用前述的任何一種膜，本實(shí)施例都可達(dá)到上述這樣的效果。下面，說明將實(shí)施例6上述的成膜方法應(yīng)用于半導(dǎo)體裝置的制造工序的例子。本實(shí)施例也可以改變實(shí)施例8中圖8D和圖8E的第一Cu擴(kuò)散防止膜39和第二擴(kuò)散防止膜40的形成工序。首先，關(guān)于圖8D的第一Cu擴(kuò)散防止膜的形成工序，可以應(yīng)用圖6所示的步驟204～208。在本工序中，對(duì)第一原料氣體，不使用鹵素化合物氣體，使用作為有機(jī)金屬氣體的TEMAT。為此，作為底膜的上述Cu膜31不會(huì)由鹵素腐蝕，不會(huì)受到損害。接著，關(guān)于圖8E的第二Cu擴(kuò)散防止膜的形成工序，也可以使用圖6所示的步驟209～213工序。在本工序中，對(duì)于第一原料氣體，使用作為鹵素化合物氣體的TiCl4。這是因?yàn)榉乐沽嗽谛纬傻哪ぶ屑尤胱鳛橛袡C(jī)物的C或者CHx等雜質(zhì)、降低了TiN膜的電阻值。這種情況下，由于作為底膜的上述Cu膜31已經(jīng)由上述第一Cu擴(kuò)散防止膜39所覆蓋，所以上述Cu膜31不受到由第一原料氣體中所包含的鹵素導(dǎo)致的損害。另外，這種情況下，在底膜是由W(鎢)或者Al(鋁)構(gòu)成的情況也具有同樣的效果。即，在本實(shí)施例的成膜方法中，通過形成由第一Cu擴(kuò)散防止膜和第二Cu擴(kuò)散防止膜構(gòu)成的Cu擴(kuò)散防止膜，能夠不對(duì)作為底膜的上述Cu膜31造成損害，此外能夠形成膜中雜質(zhì)少的優(yōu)質(zhì)的作為Cu擴(kuò)散防止膜的Ti(C)N膜。另外，象實(shí)施例6的說明中所描述的那樣，在形成Ti(C)N膜作為Cu擴(kuò)散防止膜的情況下，能夠改變第一原料氣體、第二原料氣體。同樣的，通過改變實(shí)施例6所述的第一原料氣體、第二原料氣體，能夠形成TaN/Ta(C)N膜、Ta/Ta(C)N的疊層膜、WN/W(C)N膜、W/W(C)N的疊層膜。在任何一種情況下，同樣的，通過形成由第一Cu擴(kuò)散防止膜和第二Cu擴(kuò)散防止膜所構(gòu)成Cu擴(kuò)散防止膜，能夠不對(duì)作為底膜的Cu膜造成損害，還能夠形成膜中雜質(zhì)少的優(yōu)質(zhì)的Cu擴(kuò)散防止膜。下面，說明將實(shí)施例7所述的成膜方法應(yīng)用于半導(dǎo)體裝置的制造工序的例子。本實(shí)施例也可以改變實(shí)施例8中圖8D和圖8E的第一Cu擴(kuò)散防止膜39和第二擴(kuò)散防止膜40的形成工序。首先，關(guān)于圖8D的第一Cu擴(kuò)散防止膜，可以應(yīng)用圖7所示的步驟304～308的工序。在圖8D所示的本工序中，對(duì)第二原料氣體，使用不進(jìn)行等離子體激勵(lì)的NH3，由于上述第二原料氣體中不存在離子或者自由基等對(duì)上述第一絕緣膜33和上述第二絕緣膜35造成損害的粒子，所以，不對(duì)上述第一絕緣膜33和上述第二絕緣膜35造成損害。此外，在本工序中，對(duì)第一原料氣體不使用鹵素化合物氣體，使用作為有機(jī)金屬氣體的TEMAT。為此，作為底膜的上述Cu膜31不會(huì)受到鹵素的腐蝕，不受到損害。這樣，在本實(shí)施例中，是這樣的成膜方法作為Cu擴(kuò)散防止膜的底膜的第一絕緣膜33、第二絕緣膜35和Cu膜31兩者不受到損害。接著，關(guān)于圖8E的第二Cu擴(kuò)散防止膜，也可以使用圖7所示的步驟309～313工序。在本工序中，對(duì)第二原料氣體使用經(jīng)等離子體激勵(lì)的NH3。這是因?yàn)?，通過對(duì)第二原料氣體進(jìn)行等離子體激勵(lì)來進(jìn)行分解，促進(jìn)了與第一原料氣體的反應(yīng)。為此，能夠減少形成的Cu擴(kuò)散防止膜中的雜質(zhì)，能夠形成電阻值更小的膜質(zhì)好的Cu擴(kuò)散防止膜。這種情況下，由于上述第一絕緣膜33和第二絕緣膜35已經(jīng)由上述第一Cu擴(kuò)散防止膜39所覆蓋，所以上述第一絕緣膜33和第二絕緣膜35不會(huì)受到由等離子體激勵(lì)的氣體中所存在的離子或者自由基導(dǎo)致的損害。此外，在本工序中，對(duì)第一原料氣體，使用作為鹵素化合物氣體的TiCl4。這是因?yàn)?，防止在形成的TiN膜中，加入作為有機(jī)物的C或者CHx等雜質(zhì)，從而降低TiN膜的電阻值。這種情況下，由于作為底膜的上述Cu膜31已經(jīng)由上述第一Cu擴(kuò)散防止膜39所覆蓋，所以上述Cu膜31不受到第一原料氣體中所包含的鹵素的損害。另外，這種情況下，在底膜是W(鎢)的情況下也具有同樣的效果。即，在本實(shí)施例的成膜方法中，通過形成由第一Cu擴(kuò)散防止膜和第二Cu擴(kuò)散防止膜構(gòu)成的Cu擴(kuò)散防止膜，能夠不對(duì)作為底膜的上述第一絕緣膜、第二絕緣膜35和Cu膜31造成損害，此外能夠形成膜中雜質(zhì)少的優(yōu)質(zhì)的Cu擴(kuò)散防止膜。另外，象實(shí)施例7的說明所描述的那樣，在形成TiN/Ti(C)N膜作為Cu擴(kuò)散防止膜的情況下，能夠改變第一原料氣體、第二原料氣體。同樣的，通過改變實(shí)施例7上述的第一原料氣體、第二原料氣體，能夠形成TaN/Ta(C)N膜、Ta/Ta(C)N的疊層膜、WN/W(C)N膜、W/W(C)N的疊層膜。在任何一種情況下，同樣的，通過形成由第一Cu擴(kuò)散防止膜和第二Cu擴(kuò)散防止膜所構(gòu)成Cu擴(kuò)散防止膜，能夠不對(duì)作為底膜的上述第一絕緣膜33、第二絕緣膜35和Cu膜31造成損害，還能夠形成膜中雜質(zhì)少的優(yōu)質(zhì)的Cu擴(kuò)散防止膜。另外，作為上述第一絕緣膜33和第二絕緣膜35所使用的絕緣膜的例子，關(guān)于實(shí)施例8所述的膜，與實(shí)施例8上述的情況相同地有效。另外，本實(shí)施例所記載的第一Cu擴(kuò)散防止膜和第二Cu擴(kuò)散防止膜也能夠使用下面的圖10所示的成膜裝置50來形成。參照?qǐng)D10，上述成膜裝置50具有這樣的構(gòu)造由例如鋁、對(duì)表面進(jìn)行氧化鋁膜處理的鋁或者不銹鋼等所構(gòu)成的處理容器51，在上述處理容器51內(nèi)部設(shè)置在基板保持臺(tái)支持部52a上所支持的由AlN所構(gòu)成的基板保持臺(tái)52，在上述基板保持臺(tái)52的中心，載置作為被處理基板的半導(dǎo)體被處理基板W。在上述基板保持臺(tái)52中，內(nèi)置未圖示的加熱器，將上述被處理基板加熱到希望的溫度。上述基板處理容器51內(nèi)的處理空間51A與排氣口55連接，通過例如渦輪分子泵等排氣部件53來真空排氣，能夠?qū)⑸鲜鎏幚砜臻g51A變?yōu)闇p壓狀態(tài)。另外，上述被處理基板W可通過在上述處理容器51內(nèi)設(shè)置的未圖示的門閥來搬入或者搬出。在上述處理容器51的上部，在上述處理容器51內(nèi)，設(shè)置導(dǎo)入第一原料氣體和第二原料氣體的氣體導(dǎo)入通路51C，該氣體導(dǎo)入通路51C與上述處理容器51的開口部51B連接。在上述氣體導(dǎo)入通路51C中，連接導(dǎo)入第一原料氣體的氣體路線60，在上述氣體路線60中，連接帶有閥門62a的鹵素第一原料氣體路線62、帶有閥門61a的有機(jī)金屬第一原料氣體線路61。在上述氣體路線61中，連接汽化器61A，在上述汽化器61A上，連接具有閥門63a、63b、63c和液體質(zhì)量流量控制器63A的氣體路線63，上述氣體路線63與保持作為有機(jī)金屬第一原料氣體的、例如由Taimata(注冊(cè)商標(biāo)，Ta(NC(CH3)2C2H5)(N(CH3)2)3)構(gòu)成的原料66A的原料容器66連接。在上述原料容器66上，連接帶有閥門65a的氣體線路65，由上述氣體線路65，將例如He等惰性氣體向上述原料容器66中導(dǎo)入，由此通過未圖示的加熱器加熱到50℃成為液體，將上述原料容器66中所保持的上述原料66A進(jìn)行加壓。加壓的上述原料66A通過上述氣體線路63，由上述液體流量質(zhì)量控制器63A來控制流量，導(dǎo)入上述汽化器61A進(jìn)行汽化。在上述汽化器61A上，連接帶有閥門64a、64b和質(zhì)量流量控制器64A的氣體線路64，在上述汽化器61A中汽化的上述原料66A從上述氣體線路64導(dǎo)入，與例如由Ar構(gòu)成的載氣一起，通過上述氣體線路61，還通過上述氣體線路60，導(dǎo)入上述氣體導(dǎo)入管51C，提供給上述處理空間51A。另外，上述原料66A也可以溶解到例如辛烷或者己烷等有機(jī)溶劑中來提供。這種情況下，不需要原料容器66的加熱。另外在這種情況下，優(yōu)選將例如攪拌棒等插入上述原料容器66中，攪拌有機(jī)溶劑，由此上述原料66A均勻地溶解到有機(jī)溶劑中。在上述氣體線路62中，連接具有閥門68a、68b、68c和質(zhì)量流量控制器68A的氣體線路68，上述氣體線路68與保持作為鹵素化合物的第一原料氣體的、例如由TaCl5構(gòu)成的原料69A的原料容器69連接。上述原料容器69加熱到例如150℃，由TaCl5構(gòu)成的上述原料69A汽化，汽化后的上述原料69A由上述質(zhì)量流量控制器68A控制流量，通過上述氣體線路62，以及上述氣體線路60導(dǎo)入上述氣體導(dǎo)入管51C，提供給上述處理空間51A。另外，在這種情況下，也能夠同時(shí)提供從帶有閥門67a、67b和質(zhì)量流量控制器67A的氣體線路67所提供的、例如Ar氣體。另外，在上述氣體導(dǎo)入通路51C中，通過后面描述的等離子體源54連接氣體線路57。在上述氣體線路57上，連接將由例如H2構(gòu)成的第二原料氣體導(dǎo)入上述等離子體源54的、帶有閥門58a、58b和質(zhì)量流量控制器58A的氣體線路58。另外，同樣的，在上述氣體線路57上，連接將由例如Ar構(gòu)成的載氣導(dǎo)入上述等離子體源54的、帶有閥門59a、59b和質(zhì)量流量控制器59A的氣體線路59。上述等離子體源54由例如Al2O3、石英、SiN和BN等大致圓筒狀的介電材料構(gòu)成，在上述等離子體源54的外側(cè)卷繞線圈54a，對(duì)上述線圈54a連接高頻電源56。對(duì)上述線圈54a，由上述高頻電源56施加高頻電力，對(duì)導(dǎo)入上述等離子體源54的氣體進(jìn)行等離子體激勵(lì)。上述等離子體源54，根據(jù)需要等離子體激勵(lì)導(dǎo)入上述等離子體源54的上述第二原料氣體。從經(jīng)等離子體激勵(lì)的第二原料氣體，生成氣體分解的離子、自由基等反應(yīng)種，由上述氣體導(dǎo)入通路51C向上述處理空間51A導(dǎo)入。在本實(shí)施例中，上述等離子體源54的等離子體激勵(lì)方法，使用了利用例如13.56MHz的高頻的ICP(電感耦合型等離子體)裝置，但上述方法不限于此。等離子體激勵(lì)是例如平行平板等離子體也可以ECR等離子體也可以。另外，也可以使用例如頻率400kHz、800kHz等較低頻率，另外也可以使用13.56MHz等高頻或者微波(2.45GHz)，只要能夠等離子體激勵(lì)、分解氣體，施加的頻率或等離子體激勵(lì)方法，哪種方法都可以。另外，上述閥門或者上述等離子體源54的等離子體激勵(lì)的操作等與成膜有關(guān)的上述成膜裝置50的操作，由未圖示的控制裝置來統(tǒng)一控制。接著，關(guān)于使用上述成膜裝置50，形成Cu擴(kuò)散防止膜的方法，來具體地說明。圖11是表示使用上述成膜裝置50來進(jìn)行的本發(fā)明的Cu擴(kuò)散防止膜的成膜方法的工藝流程的圖。在本實(shí)施例中，作為在被處理基板上的為底膜的氧化膜上形成Cu擴(kuò)散防止膜的例子，形成Ta/Ta(C)N膜。該工藝流程由步驟401～步驟417所構(gòu)成。首先，在步驟401，將作為被處理基板的被處理基板W搬入上述成膜裝置50中。接著，在步驟402，將上述被處理基板W載置在上述基板保持臺(tái)52上。在步驟403，由內(nèi)置于上述基板載置臺(tái)12中的加熱器來升溫上述被處理基板，大致保持在270℃。在以后的工序中，上述被處理基板W大致保持在270℃。接著在步驟404，開放上述閥門65a、63a、63b、63c和61a，加壓上述原料容器66，為液體的由Ta(NC(CH3)2C2H5)(N(CH3)2)3構(gòu)成的原料66A從上述氣體線路63提供。這種情況下，上述原料66A由上述液體質(zhì)量流量控制器63A來控制流量，向上述汽化器61A中提供20mg/min的上述原料66A，進(jìn)行汽化。汽化的上述原料66A，與從上述氣體線路64向上述汽化器61A提供的200sccm的Ar一起，提供給上述處理空間51A。與此同時(shí)，開放閥門59a和閥門59b，由上述質(zhì)量流量控制器59A來控制流量，將Ar通過上述氣體線路57向上述處理空間51A中導(dǎo)入100sccm。為此，防止了汽化的上述原料氣體66A通過上述氣體導(dǎo)入通路51C向上述等離子體源54的方向逆流。在本步驟中，通過向被處理基板上提供原料66A，在被處理基板上吸附原料66A。接著，在步驟405，關(guān)閉上述閥門65a、63a、63b、63c和61a，停止向上述處理空間51A提供原料66A。這里，未吸附到上述被處理基板上的、殘留在上述處理空間51A的原料66A，通過上述排氣口55向上述處理容器51外排出。另外，在本步驟中，開放上述閥門58a和58b，由上述質(zhì)量流量控制器58A來控制流量，通過上述氣體線路57向上述處理空間51A導(dǎo)入200sccm的H2。另外，控制上述質(zhì)量流量控制器59A，將從上述氣體線路57提供的Ar的流量設(shè)為200sccm。接著，在步驟406，對(duì)上述線圈54a施加800W的高頻電力，由上述等離子體源54進(jìn)行等離子體激勵(lì)。這種情況下，在上述步驟405開始H2的提供，由于在本步驟開始時(shí)所提供的H2的流量是穩(wěn)定的，所以在本步驟施加高頻電力的情況下，容易進(jìn)行等離子體激勵(lì)。接著，在步驟407停止從上述氣體線路57提供的Ar的供給，對(duì)上述等離子體源54提供的氣體僅為H2。在上述等離子體源54中，提供的H2分解為H+/H*(氫離子和氫自由基)，提供給上述處理空間51A。這里，在步驟404吸附到被處理基板上的原料66A和H+/H*反應(yīng)，形成Ta(C)N。另外，這種情況下，停止了Ar的提供，H+/H*充分地提供到被處理基板的周緣部，促進(jìn)了與上述原料66A的反應(yīng)。接著，在步驟408，關(guān)閉上述閥門58a，58b，停止向上述處理空間51A提供H+/H*。這里，未反應(yīng)的殘留在上述處理空間內(nèi)的H+/H*或者H2或者反應(yīng)副生成物，通過上述排氣口55向上述處理容器51外排出。這樣的步驟404，405，406，407，408的處理，典型的分別進(jìn)行3秒，3秒，10秒，10秒，1秒。接著，在步驟409，為了形成需要膜厚的由Ta(C)N膜構(gòu)成的第一Cu擴(kuò)散防止層，將成膜工序再次返回到步驟404，重復(fù)由步驟404～408所構(gòu)成的成膜工序a，直到變?yōu)橄Ｍ哪ず?。這里，實(shí)施需要次數(shù)的上述成膜工序a，在形成希望膜厚的由Ta(C)N膜構(gòu)成的第一Cu擴(kuò)散防止膜之后，移到下一步驟410。接著，在步驟410，開放上述閥門68a、68b、68c和62a，由上述質(zhì)量流量控制器68A控制流量，將3sccm的汽化的由TaCl5構(gòu)成的原料69A提供給上述處理空間51A。另外，在本步驟中，還開放閥門59a和59b，由上述質(zhì)量流量控制器59A控制流量，將200sccm的Ar通過上述氣體線路57導(dǎo)入上述處理空間51A。為此，防止了汽化后的上述原料69A通過上述氣體導(dǎo)入通路51C向上述等離子體源54的方向的倒流。在本步驟中，原料69A提供給被處理基板上，原料69A吸附到被處理基板上。接著，在步驟411，關(guān)閉上述閥門68a、68b、68c和62a，停止向上述處理空間51A提供原料69A。這里，未吸附到上述被處理基板上的、殘留在上述處理空間51A內(nèi)的原料66A，與提供給上述處理空間51A的Ar一起，通過上述排氣口55向上述處理容器51外排出。接著，在步驟412，停止從上述氣體線路57提供Ar，同時(shí)，開放上述閥門58a和58b，由上述質(zhì)量流量控制器59A控制流量，將750sccm的H2通過上述氣體線路58，導(dǎo)入上述等離子體源54。此時(shí)，對(duì)上述線圈54a施加1000W的高頻電力，由上述等離子體源54進(jìn)行等離子體激勵(lì)。在上述等離子體源54中，提供的H2分解為H+/H*，提供給上述處理空間51A。由此，在上述步驟410吸附到被處理基板上的原料69A和H+/H*反應(yīng)，在被處理基板上形成Ta。接著，在步驟413，停止高頻電力的施加，同時(shí)，關(guān)閉上述閥門58a和58b，停止H2的提供。為此，未反應(yīng)的殘留在上述處理空間51A內(nèi)的H+/H*或者H2或者反應(yīng)副生成物，通過上述排氣口55向上述處理容器51外排出。接著，在步驟414，為了形成需要膜厚的由Ta膜構(gòu)成的第二Cu擴(kuò)散防止層，將成膜工序再次返回到步驟410，重復(fù)由步驟410～413所構(gòu)成的成膜工序b，直到變?yōu)橄Ｍ哪ず?。這里，實(shí)施需要次數(shù)的上述成膜工序b，在形成希望膜厚的由Ta膜構(gòu)成的第二Cu擴(kuò)散防止膜之后，移到下一步驟415。接著，在步驟416，將被處理基板W從上述處理容器51搬出。接著，在步驟417，為了在形成的上述第二Cu擴(kuò)散防止膜上形成Cu膜，搬送到Cu成膜裝置，由例如電鍍裝置形成Cu膜。這種情況下，Cu膜可由PVD裝置、CVD裝置、電鍍裝置中的任何一種來進(jìn)行成膜。在圖12和圖13中，表示了圖11所示的各個(gè)上述成膜工序a和成膜工序b的成膜條件。而且，在圖中，Ar(a)表示從上述氣體線路64提供的載氣，Ar(b)表示從上述氣體線路59提供的Ar氣體。圖14表示了通過上述圖11～圖13所示的成膜方法形成的Cu擴(kuò)散防止膜的例子。參照?qǐng)D14，在被處理基板500上形成的膜厚100nm的硅氧化膜(SiO2膜)501上，通過重復(fù)實(shí)施32次圖12所示的成膜工序a，形成了由所形成的膜厚為5nm的Ta(C)N膜構(gòu)成的第一Cu擴(kuò)散防止膜502。此外，在該第一Cu擴(kuò)散防止膜502上，通過重復(fù)實(shí)施300次圖11所示的成膜工序b，形成了由所形成的膜厚為3nm的Ta膜構(gòu)成的第二Cu擴(kuò)散防止膜503，在該第二Cu擴(kuò)散防止膜503上，形成在圖11的步驟417中所形成的膜厚為100nm的Cu層504。此外，分析這樣形成的作為第一Cu擴(kuò)散防止膜的Ta(C)N膜和作為第二Cu擴(kuò)散防止膜的Ta膜的結(jié)果，在圖15A、圖15B～圖20中表示。圖15A、圖15B～圖17，是對(duì)作為第一Cu擴(kuò)散防止膜的Ta(C)N膜分析的結(jié)果，該Ta(C)N膜是通過在成膜溫度220℃下重復(fù)實(shí)施200次圖11所示的成膜工序a所形成的，圖18～20，是對(duì)作為第二Cu擴(kuò)散防止膜的Ta膜分析的結(jié)果，該Ta膜是通過在成膜溫度270℃下重復(fù)實(shí)施300次圖11所示的成膜工序b所形成的。首先，圖15A，圖15B是由XPS(X射線光電子光譜分析)對(duì)Ta(C)N膜進(jìn)行分析的結(jié)果，圖15A表示Cls的光譜，圖15B表示Ta4f的光譜。參照?qǐng)D15A，圖15B，可理解，在形成的Ta(C)N膜中，存在著Ta-C，N-C、Ta-N的結(jié)合。圖16表示通過XRD(X射線衍射)對(duì)Ta(C)N膜分析的結(jié)果。參照?qǐng)D16，觀察Ta(C)N膜中，TaN，TaC的(111)面、(200)面、(220)面、(311)面。圖17表示了在被處理基板上的SiO2膜上所形成的Ta(C)N的狀態(tài)，是截面SEM(掃描型電子顯微鏡)照片。參照?qǐng)D17，可理解，在被處理基板上所形成的SiO2膜上，由圖11所記載的方法所形成的Ta(C)N膜形成29nm。另外，圖17所示的Ta(C)N膜的電阻率值是740μΩ-cm。圖18是對(duì)作為第二Cu擴(kuò)散防止膜的Ta膜通過XPS分析的結(jié)果。參照?qǐng)D18，可理解存在Ta-Ta結(jié)合。圖19是由XRD分析Ta膜的結(jié)果。參照?qǐng)D19，觀測(cè)Ta膜中αTa的(110)面。圖20表示了在被處理基板上的SiO2膜上所形成的Ta膜的狀態(tài)，是截面TEM(透過型電子顯微鏡)照片。參照?qǐng)D20，可理解，在被處理基板上形成2.7nm的Ta膜。另外，實(shí)施例中所記載的由第一Cu擴(kuò)散防止膜和第二Cu擴(kuò)散防止膜所構(gòu)成的Cu擴(kuò)散防止膜，能夠使用下面的圖21所示的成膜裝置70，與使用上述成膜裝置10或者上述成膜裝置50的情況相同地來形成。但在圖中，對(duì)先前說明的部分賦予相同的參考符號(hào)，省略了說明。參照?qǐng)D21，成膜裝置70具有由例如鋁、對(duì)表面進(jìn)行氧化鋁膜處理的鋁或者不銹鋼等所構(gòu)成的處理容器71，在上述處理容器71內(nèi)部設(shè)置在基板保持臺(tái)支持部72a上所支持的由例如耐熱耐蝕鎳基合金所構(gòu)成的基板保持臺(tái)72，在上述基板保持臺(tái)72的中心，載置作為被處理基板的半導(dǎo)體被處理基板W。在上述基板保持臺(tái)72中，內(nèi)置未圖示的加熱器，將上述被處理基板加熱到希望的溫度。上述基板處理容器71內(nèi)的處理空間71A與排氣口75連接，通過未圖示的排氣部件來真空排氣，能夠?qū)⑸鲜鎏幚砜臻g71A變?yōu)闇p壓狀態(tài)。另外，上述被處理基板W可通過在上述處理容器71上設(shè)置的未圖示的門閥搬入或者搬出。另外，在上述處理容器71內(nèi)，設(shè)置與上述基板保持臺(tái)72相對(duì)的大致圓筒狀的噴頭部73，為了覆蓋上述噴頭部73的側(cè)壁面和該噴頭部73的與上述基板保持臺(tái)72相對(duì)的面相對(duì)的面，設(shè)置絕緣體，例如由石英或者SiN、AlN等陶瓷構(gòu)成的絕緣器76。另外，在上述處理容器的上部設(shè)置開口部，插入由絕緣體構(gòu)成的絕緣器74。在上述絕緣器74上，插入與高頻電源77連接的導(dǎo)入線77a，上述導(dǎo)入線77a與上述噴頭部73連接，通過上述導(dǎo)入線77a對(duì)上述噴頭部73施加高頻電源。此外，在上述氣體線路60上，插入絕緣體，例如由石英或者SiN、AlN、Al2O3等陶瓷構(gòu)成的絕緣器60A，上述氣體線路60通過上述絕緣器60A，與上述噴頭部73連接，在向上述噴頭部73提供上述原料66A或者69A的同時(shí)，將上述氣體線路60與上述噴頭部73電絕緣。同樣的，在上述氣體線路57上，插入絕緣體，例如由石英或者SiN、AlN、Al2O3等陶瓷構(gòu)成的絕緣器57A，上述氣體線路57通過上述絕緣器57A，與上述噴頭部73連接，在向上述噴頭部73提供H2氣體和Ar氣體的同時(shí)，將上述氣體線路57與上述噴頭部73電絕緣。另外，在上述氣體線路57上，除了H2氣體外，能夠連接例如包含氫化合物的氣體。另外，在將H2氣體或者Ar氣體提供給上述處理空間71A時(shí)，根據(jù)需要，對(duì)上述噴頭部73由高頻電力77施加高頻電力，在上述處理空間71A中進(jìn)行等離子體激勵(lì)。這里，在上述成膜裝置70中，進(jìn)行等離子體激勵(lì)，對(duì)H2氣體進(jìn)行分解。這樣，通過使用上述成膜裝置70，利用與實(shí)施例12記載的情況相同的方法，能夠形成作為第一Cu擴(kuò)散防止膜的Ta(C)N膜，或者作為第二Cu擴(kuò)散防止膜Ta膜。另外，也能夠?qū)嵤?shí)施例1～實(shí)施例3所記載的成膜方法。上面關(guān)于優(yōu)選實(shí)施例說明了本發(fā)明，但本發(fā)明不限于上述特定的實(shí)施例，在權(quán)利要求的范圍內(nèi)所記載的宗旨內(nèi)，能夠進(jìn)行各種變形、改變。產(chǎn)業(yè)上的可利用性如根據(jù)本發(fā)明，在形成Cu擴(kuò)散防止膜的情況下，能夠不對(duì)為該Cu擴(kuò)散防止膜的底的膜造成損害，來進(jìn)行成膜。另外，形成的Cu擴(kuò)散防止膜雜質(zhì)少，是取向性好的高品質(zhì)的膜，此外，向細(xì)微圖案形成該Cu擴(kuò)散防止膜時(shí)的覆蓋良好。權(quán)利要求1.一種在處理容器內(nèi)的被處理基板上成膜的成膜方法，包括第一膜生長工序，其重復(fù)進(jìn)行將包含金屬的第一原料氣體提供給所述處理容器內(nèi)后，從所述處理容器內(nèi)除去所述第一原料氣體的第一工序，和將包含氫或者氫化合物的第二原料氣體提供給所述處理容器內(nèi)之后，將所述第二原料氣體從所述處理容器內(nèi)除去的第二工序；以及第二膜生長工序，其重復(fù)進(jìn)行在將所述第一原料氣體提供給所述處理容器內(nèi)之后，將所述第一原料氣體從所述處理容器內(nèi)除去的第三工序，和將包含氫或者氫化合物的、被等離子體激勵(lì)的第三原料氣體提供給所述處理容器內(nèi)之后，將所述第三原料氣體從所述處理容器內(nèi)除去的第四工序。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述第一膜生長工序在包含所述被處理基板上所形成的絕緣膜的底膜之上來進(jìn)行膜生長。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜方法，其特征在于，所述絕緣膜是無機(jī)SOD膜。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜方法，其特征在于，所述絕緣膜是有機(jī)聚合物膜。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜方法，其特征在于，所述絕緣膜是在該絕緣膜中形成有空孔的多孔膜。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于，在所述第一膜生長工序和所述第二膜生長工序中所形成的膜是Cu擴(kuò)散防止膜。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜方法，其特征在于，在所述第一膜生長工序之前，還包括蝕刻所述絕緣膜的工序。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成膜方法，其特征在于，所述蝕刻是在所述絕緣膜上形成孔部的通孔蝕刻。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成膜方法，其特征在于，所述蝕刻是在所述絕緣膜上形成溝部的溝槽蝕刻。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于，還包括在所述第二膜生長工序之后，形成Cu膜的工序。11.一種包含權(quán)利要求1所述的成膜方法的半導(dǎo)體裝置的制造方法。12.一種利用權(quán)利要求1所述的成膜方法所形成的半導(dǎo)體裝置。13.一種在處理容器內(nèi)的被處理基板上成膜的成膜方法，包括第一膜生長工序，其重復(fù)進(jìn)行將由不包含鹵元素的有機(jī)金屬化合物構(gòu)成的第一原料氣體提供給所述處理容器內(nèi)后，從所述處理容器內(nèi)除去所述第一原料氣體的第一工序，和將包含氫或者氫化合物的第二原料氣體提供給所述處理容器內(nèi)之后，將所述第二原料氣體從所述處理容器內(nèi)除去的第二工序；以及第二膜生長工序，其重復(fù)進(jìn)行在將由金屬鹵化物構(gòu)成的第三原料氣體提供給所述處理容器內(nèi)之后，將所述第三原料氣體從所述被處理基板除去的第三工序，和將包含氫或者氫化合物的第四原料氣體提供給所述處理容器內(nèi)之后，將所述第四原料氣體從所述處理容器內(nèi)除去的第四工序。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的成膜方法，其特征在于，提供給所述處理容器內(nèi)的所述第二原料氣體和所述第四原料氣體被等離子體激勵(lì)。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的成膜方法，其特征在于，所述有機(jī)金屬化合物是金屬酰胺化合物或者金屬羰基化合物。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的成膜方法，其特征在于，所述第一膜生長工序在包含所述被處理基板上所形成的金屬膜的底膜上進(jìn)行膜生長。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的成膜方法，其特征在于，所述金屬膜由Cu、W、Al中的任何一種所構(gòu)成。18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的成膜方法，其特征在于，在所述第一膜生長工序和所述第二膜生長工序中所形成的膜，是Cu擴(kuò)散防止膜。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的成膜方法，其特征在于，所述底膜包含絕緣膜，在所述第一膜生長工序之前，還包括蝕刻所述絕緣膜的工序。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的成膜方法，其特征在于，所述蝕刻是在所述絕緣膜上形成孔部的通孔蝕刻。21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的成膜方法，其特征在于，所述蝕刻是在所述絕緣膜上形成溝部的溝槽蝕刻。22.根據(jù)權(quán)利要求13所述的成膜方法，其特征在于，還包括在所述第二膜生長工序之后，形成Cu膜的工序。23.一種包含權(quán)利要求13所述的成膜方法的半導(dǎo)體裝置的制造方法。24.一種使用權(quán)利要求13所述的成膜方法所形成的半導(dǎo)體裝置。25.一種在處理容器內(nèi)的被處理基板上成膜的成膜方法，包括第一膜生長工序，其重復(fù)進(jìn)行將由不包含鹵素的有機(jī)金屬化合物構(gòu)成的第一原料氣體提供給所述處理容器內(nèi)后，從所述處理容器內(nèi)除去所述第一原料氣體的第一工序，和將包含氫或者氫化合物的第二原料氣體提供給所述處理容器內(nèi)之后，將所述第二原料氣體從所述處理容器內(nèi)除去的第二工序；第二膜生長工序，其重復(fù)進(jìn)行將由金屬鹵化物構(gòu)成的第三原料氣體提供給所述處理容器內(nèi)之后，將所述第三原料氣體從所述被處理基板除去的第三工序，和將包含氫或者氫化合物的、被等離子體激勵(lì)的第四原料氣體提供給所述處理容器內(nèi)之后，將所述第四原料氣體從所述處理容器內(nèi)除去的第四工序。26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的成膜方法，其特征在于，所述有機(jī)金屬化合物是金屬酰胺化合物或者金屬羰基化合物。27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的成膜方法，其特征在于，所述第一膜生長工序是在包含所述被處理基板上所形成的絕緣膜和金屬膜的底膜上進(jìn)行膜生長。28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的成膜方法，其特征在于，所述絕緣膜是無機(jī)SOD膜。29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的成膜方法，其特征在于，所述絕緣膜是有機(jī)聚合物膜。30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的成膜方法，其特征在于，所述絕緣膜是在該絕緣膜中形成空孔的多孔膜。31.根據(jù)權(quán)利要求27所述的成膜方法，其特征在于，所述金屬膜由Cu、W、Al中的任何一種所構(gòu)成。32.根據(jù)權(quán)利要求25所述的成膜方法，其特征在于，在所述第一膜生長工序和所述第二膜生長工序中所形成的膜，是Cu擴(kuò)散防止膜。33.根據(jù)權(quán)利要求27所述的成膜方法，其特征在于，在所述第一膜生長工序之前，還包括蝕刻所述絕緣膜的工序。34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的成膜方法，其特征在于，所述蝕刻是在所述絕緣膜上形成孔部的通孔蝕刻。35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的成膜方法，其特征在于，所述蝕刻是在所述絕緣膜上形成溝部的溝槽蝕刻。36.根據(jù)權(quán)利要求25所述的成膜方法，其特征在于，還包括在所述第二成膜工序之后，形成Cu膜的工序。37.一種包含權(quán)利要求25所述的成膜方法的半導(dǎo)體裝置的制造方法。38.一種使用權(quán)利要求25所述的成膜方法所形成的半導(dǎo)體裝置。39.一種由權(quán)利要求13所述的成膜方法來成膜的成膜裝置，其特征在于，包括處理被處理基板的處理容器；在所述處理容器內(nèi)設(shè)置的載置所述被處理基板的載置臺(tái)；第一氣體供給系統(tǒng)，向所述處理容器內(nèi)提供所述第一原料氣體或者所述第三原料氣體；第二氣體供給系統(tǒng)，與所述第一氣體供給系統(tǒng)獨(dú)立，向所述處理容器內(nèi)提供所述第二原料氣體或者所述第四原料氣體；對(duì)所述第二原料氣體或者第四原料氣體進(jìn)行等離子體激勵(lì)的等離子體激勵(lì)部件。40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的成膜裝置，其特征在于，具有噴頭，其與所述第一氣體供給系統(tǒng)和所述第二氣體供給系統(tǒng)連接、向所述處理容器內(nèi)提供所述第一原料氣體、所述第二原料氣體、所述第三原料氣體或者所述第四原料氣體中的任何一種。41.根據(jù)權(quán)利要求39所述的成膜裝置，其特征在于，構(gòu)造為能夠通過對(duì)所述噴頭施加高頻電力來進(jìn)行等離子體激勵(lì)。全文摘要一種在處理容器內(nèi)的被處理基板上成膜的成膜方法，由第一膜生長工序和第二膜生長工序構(gòu)成。該第一膜生長工序重復(fù)進(jìn)行將不包含鹵素的由有機(jī)金屬化合物構(gòu)成的第一原料氣體提供給所述處理容器內(nèi)后，從所述處理容器內(nèi)除去所述第一原料氣體的第一工序、和將包含氫或者氫化合物的第二原料氣體提供給所述處理容器內(nèi)之后，將所述第二原料氣體從所述處理容器內(nèi)除去的第二工序。該第二膜生長工序重復(fù)進(jìn)行在將由金屬鹵化物構(gòu)成的第三原料氣體提供給所述處理容器內(nèi)之后，將所述第三原料氣體從所述被處理基板除去第三工序、和將包含氫或者氫化合物的第四原料氣體提供給所述處理容器內(nèi)之后，將所述第四原料氣體從所述處理容器內(nèi)除去的第四工序。文檔編號(hào)H01L21/285GK1706034SQ200480001409公開日2005年12月7日申請(qǐng)日期2004年4月27日優(yōu)先權(quán)日2003年6月16日發(fā)明者石坂忠大,大島康弘,吉井直樹,重岡隆,川村剛平,福田幸夫,小島康彥申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社