專利名稱：無接觸芯片卡或辨識系統(tǒng)之模塊的制作方法
技術領域：
本發(fā)明系相關于依照權利要求1之前言之一種用于無接觸芯片卡、或辨識系統(tǒng)的模塊。
背景技術：
如此之用于無接觸芯片、或辨識系統(tǒng)的模塊就其本身而言，系已藉由，舉例而言，Infineon Technologies AG.之設計MCC2而為已知，此外，用于生產(chǎn)這些模塊的一個可能程序系亦可自專利申請案WO96/05614獲知。
而此已知生產(chǎn)程序所需要考慮的一重要因子是，一具有接觸凸塊(contact bump)之芯片系會藉由一位在一導線架(leadframe)上的丙烯酸膜(acrylate film)而加以固定，在其中，該等接觸凸塊系加以按壓穿過該膜，以及，系藉由擴散焊接(diffusion soldering)而加以接觸連接至該導線架，并且，該丙烯酸膜系會位在該芯片以及該導線架之間。
不過，其卻已經(jīng)證實，在藉由此程序而加以生產(chǎn)的一模塊中，所會具有的缺點是，需要用于固定的該丙烯酸膜乃會直接地對該模塊的整體厚度做出貢獻，因此，為了將具有大約為330至400μm厚度的一習知模塊埋置于遵守ISO標準的一芯片卡中，系將會需要相當多的花費，才能確保該芯片卡會達到有一良好的表面品質(zhì)。
迄今，要實現(xiàn)大約200μm之較薄模塊以避免此些缺失、并且為了被使用于較薄之芯片卡中的企圖，系皆已由于相關于在芯片生產(chǎn)期間、以及在使用環(huán)境中之堅實度以及穩(wěn)定度所負加的需求而失敗。
因此，本發(fā)明的一目的系在于提供一用于無接觸芯片卡、或辨識系統(tǒng)的模塊，其系會較先前的模塊為薄，但卻仍然在芯片生產(chǎn)期間以及在使用環(huán)境中具有足夠的堅實度以及穩(wěn)定度。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，此目的系藉由用于無接觸芯片卡、或辨識系統(tǒng)的模塊而加以達成，而該模塊系包括-一第一天線接觸條帶以及一第二天線接觸條帶，而其每一個系具有一第一表面以及面向遠離該第一表面方向的一第二表面；-一半導體芯片，其系具有至少二接觸裝置，且至少一接觸裝置系會接觸連接于該第一天線條帶的該第一表面，以及至少另一接觸裝置系會接觸連接于該第二天線條帶的該第一表面；以及-至少一黏著膜條帶，其系至少會部分地覆蓋該第一天線接觸條帶以及該第二天線接觸條帶兩者的該第一表面，-其中，該至少一黏著膜條帶系會加以配置于該半導體芯片所覆蓋之一區(qū)域的外面。
由于該黏著膜條帶不再位在該半導體芯片以及該等天線接觸條帶之間，而是僅緊鄰于在該等天線接觸條帶上的該半導體芯片而加以配置，的事實，因此，系使得有可能減少該模塊的整體厚度，而這是因為該黏著膜條帶系不再會對該整體厚度做出任何貢獻的關系。
該等天線接觸條帶，舉例而言，藉由非常長之芯片接收表面而成為一導線架之部分，的一特殊設計，以及已改變的連接技術，系使得有可能在該半導體芯片下方的區(qū)域中省掉該黏著膜，再者，該連續(xù)的黏著膜則是由包括，舉例而言，一玻璃纖維增強環(huán)氧膜的，至少一黏著膜條帶所取代，而此黏著膜條帶雖然并未連續(xù)，但是卻會將該模塊維持在一起。
只要在不影響該模塊之該整體厚度的情形下，該黏著膜條帶的該厚度系可以依所需而加以選擇為落在該半導體芯片厚度的范圍內(nèi)，并且，若假定黏著膜厚度以及半導體芯片厚度之間有一適當結合時，則該黏著膜條帶即可以提供對該半導體芯片的一保護功能。
本發(fā)明的較具優(yōu)勢改進系敘述于附屬權利要求之中。
根據(jù)本發(fā)明之該模塊的一較具優(yōu)勢改進系在于提供，該第一天線接觸條帶以及該第二天線接觸條帶的每一個皆會包括一天線連接區(qū)域以及一芯片接收區(qū)域，且該芯片接收區(qū)域系較該天線連接區(qū)域為窄，而此對于該等天線接觸條帶的分隔乃是會藉由允許節(jié)省空間的連接、以及該兩個天線接觸條帶的適當連結，而加以達成一具有優(yōu)勢的設計，再者，其系特別具有優(yōu)勢地是，若是該第一天線接觸條帶的該芯片接收區(qū)域系與該第二天線接觸條帶的該芯片接收區(qū)域進行平行配置的時候，而此配置的一個結果是，該半導體芯片可以利用一特別節(jié)省空間的方式而被連接至該天線接觸條帶，此外，若是該芯片接收區(qū)域系為非常長時，則該第一天線接觸條帶的該芯片接收區(qū)域即因此可以利用藉由緊鄰于該半導體芯片之一黏著膜條帶的一非常簡單的方式而被連接至該第二天線接觸條帶的該芯片接收區(qū)域，并且，該模塊系會藉此而獲得足夠的穩(wěn)定度。
因此，在一更進一步的實施例中，其系亦會提供為該芯片接收區(qū)域較該半導體芯片為長。
根據(jù)依照本發(fā)明之該模塊的一較佳實施例，一第二膜系加以施加于該第一天線接觸條帶的該第二表面，以及加以施加于該第二天線接觸條帶的該第二表面，且該第二膜系會架橋于該第一天線接觸條帶以及該第二天線接觸條帶之間的該間隔。
由于此通常為一可移除丙烯酸材質(zhì)，但亦可以為其它材質(zhì)，例如，舉例而言，紙，的第二膜，系主要地被用于產(chǎn)生該模塊的該程序，因此，施加于該第一表面的一液態(tài)黏著劑并無法流穿在該第一天線接觸條帶以及該第二天線接觸條帶之間的該間隔，并且，在該生產(chǎn)程序之后，此第二膜系可以加以移除，因此即不再會是形成該模塊之該整體厚度的一部分，此外，此第二膜的移除系亦使得起初連結在一起的模塊可以被分開，然而，其系亦有可能將該第二膜留在該第一以及第二天線接觸條帶的該第二表面之上，若是如此的話，其系接著會作用為額外的電絕緣，再者，根據(jù)本發(fā)明之該模塊的一更進一步具有優(yōu)勢地實施例，該黏著膜條帶系會具有高于丙烯酸膜之彈性模數(shù)的一彈性模數(shù)，而此較高的彈性模數(shù)則使得，相較于習知的模塊，增加可靠度以及堅實度成為可能。


本發(fā)明的一示范性實施例系以第一圖、第1B圖、以及第2圖做為參考而于之后進行更詳盡地解釋，其中第1A圖其系顯示依照本發(fā)明而進行架構之一模塊之前表面的一示意平面圖；第1B圖其系顯示依照本發(fā)明而進行架構之一模塊之后表面的一示意平面圖；以及第2圖其系顯示依照本發(fā)明而進行架構之一模塊的一示意剖面圖式。
具體實施例方式
第1A圖系舉例說明依照本發(fā)明而進行架構之一模塊之前表面的一示意平面圖，其系揭示一第一天線接觸條帶1以及一第二天線接觸條帶2，而該第一天線接觸條帶1以及該第二天線接觸條帶2的每一個系皆會包括一寬的天線連接區(qū)域，以及一窄的、指狀的芯片接收區(qū)域，其中，該芯片接收區(qū)域系較該天線連接區(qū)域為長。
該第一天線接觸條帶1以及該第二天線接觸條帶2系會以，該第一天線接觸條帶1之該芯片接收區(qū)域以及該第二天線接觸條帶2之該芯片接收區(qū)域乃會位于彼此緊鄰之位置、并且會于其長度上平行，的方式而進行配置，并且，一間隔8系會形成于該第一天線接觸條帶1以及該第二天線接觸條帶2之間。
一半導體芯片3，其系會自該第一天線接觸條帶1的該芯片接收區(qū)域延伸至該第二天線接觸條帶2的該芯片接收區(qū)域、并會越過位于其間的該間隔8，并且，其系會被配置于該第一天線接觸條帶1以及該第二天線接觸條帶2的一第一表面之上。
該等芯片接收區(qū)域系會較該半導體芯片3為長，而如此結果是，會剩下緊鄰于在該第一以及第二天線接觸條帶1以及2之該第一表面上的該半導體芯片3，右手以及左手側(cè)，而加以配置之兩個黏著膜條帶4以及5(以畫線形式表示)的空間，其中，該第一黏著膜條帶4系會覆蓋于與該第一天線接觸條帶1的該天線連接區(qū)域相毗鄰之該第一天線接觸條帶1之該芯片接收區(qū)域的一部分，再者，該第一黏著膜條帶4則是會覆蓋上述該天線連接區(qū)域的一部分，以及形成該第二天線接觸條帶2之一末端的該芯片接收區(qū)域的一部分。
該第二黏著膜條帶5則是會利用一雙重配置的方式，而覆蓋與該第二天線接觸條帶之該天線連接區(qū)域相毗鄰的該第二天線接觸條帶2之該芯片接收區(qū)域的一部分、該天線連接區(qū)域的一部分、以及形成該第一天線接觸條帶1之末端的該第一天線接觸條帶1之該芯片接收區(qū)域的一部分。
因此，黏著膜條帶4以及5兩者系會延伸越過該第一天線接觸條帶1以及該第二天線接觸條帶2之間的該間隔8，并且，藉此而接觸該兩個天線接觸條帶1以及2，而此則會引導出該模塊所需要的穩(wěn)定度。
在每一個例子中，該第一天線接觸條帶1以及該第二天線接觸條帶2的該等天線連接區(qū)域的一部分系會被維持為未被分別該黏著膜4或5所覆蓋，以藉此而允許在此些位置處之接續(xù)的接觸連接，此外，該第一天線接觸條帶1以及該第二天線接觸條帶2系會為，舉例而言，一導線架的一部分，并且，典型地，該等黏著膜4以及5系會為一玻璃纖維增強環(huán)氧膜。
第1B圖系顯示依照本發(fā)明而進行架構之一模塊之后表面的一示意平面圖，其系舉例說明該第一天線接觸條帶1以及該第二天線接觸條帶2，以及位在其間的該間隔8，其中，會越過該間隔8而將該第一天線接觸條帶1連接至該第二天線接觸條帶2的一第二膜6(以畫線形式表示)系已經(jīng)被施加至該天線接觸條帶1以及該第二天線接觸條帶2的該第二表面，此外，該第二膜6系會延伸越過整個間隔8，并且，避免為了固定該半導體芯片3而已經(jīng)被施加至該第一表面的一液態(tài)黏著劑穿出該間隔8，再者，典型地，一可移除丙烯酸膜系會被使用作為該膜6的膜材質(zhì)，然而，其系亦有可能使用其它的材質(zhì)，例如，舉例而言，紙，另外，該第二膜6系會延伸越過在該第二表面上之該等天線連接區(qū)域的至少部分。
該第二膜6系亦可以利用使其作用為用于一架設程序之一承載膜(carrier film)的方式而進行架構，并且，在不需要一切割、或模壓(stamping)程序的情形下，該等模塊系可以在該模塊藉由該第二膜6之移除而加以完成之后即被分開，然而，該第二膜6系亦可以作用為在該已完成模塊之該后表面上的一額外絕緣膜，不過，在此狀況下，該第二膜6并不會被移除。
第2圖系顯示已經(jīng)依照本發(fā)明而進行架構之一模塊沿著第1A圖之線A-A’的示意剖面圖，其系舉例說明該模塊就其構件方面的結構，以及該等構件對于該模塊之該整體厚度的影響。
一半導體芯片3系已經(jīng)被施加至一第一天線接觸條帶1以及一第二天線接觸條帶2的一第一表面，其中，系為，舉例而言，一導線架之部分，之該大約60μm厚的天線接觸條帶系會經(jīng)由接觸裝置7，通常為10μm厚的NiAu凸塊，而被連接至該大約120μm厚的半導體芯片3。
于第2圖中示意地加以描繪的是，已經(jīng)被施加至該模塊的該后表面之通常為一大約30μm厚、可移除之丙烯酸膜的一第二膜6，而此第二膜6則是會延伸越過在該第一天線接觸條帶1以及該第二天線接觸條帶2之間的該間隔8。
因此，總體的結果是，若是在該后表面之該丙烯酸膜系加以移除的情況下，該模塊乃會具有一大約190μm的整體厚度、或者，大約為220μm，在該丙烯酸膜若未被移除的情況下。
該等配置于該第一表面上之該半導體芯片3之側(cè)邊的黏著膜條帶4以及5，系不會對該模塊之該整體厚度有所影響，因為它們并未超過該半導體芯片厚度加上該等接觸裝置7厚度所得之厚度，因此，在本發(fā)明中，一大約130μm的黏著膜條帶厚度是有可能的，然而，該黏著膜條帶厚度通常系大約為70μm。
參考符號列表1 First antenna contact strip 第一天線接觸條帶2 Second antenna contact strip 第二天線接觸條帶3 Semiconductor chip半導體芯片4 First adhesive film strip 第一黏著膜條帶5 Second adhesive film strip第二黏著膜條帶6 Second film 第二膜7 Contact means 接觸裝置8 Spacing 間隔
權利要求
1.一種用于無接觸芯片卡或辨識系統(tǒng)的模塊，其包括-一第一天線接觸條帶(1)以及一第二天線接觸條帶(2)，各具有一第一表面，以及面向遠離該第一表面方向的一第二表面；-一半導體芯片(3)，其具有至少二接觸裝置(7)，而至少一接觸裝置(7)接觸連接于該第一天線條帶(1)的該第一表面，以及至少一另一接觸裝置系會接觸連接于該第二天線條帶(2)的該第一表面；以及-至少一黏著膜條帶(4，5)，其至少會部分地覆蓋該第一天線接觸條帶以(1)及該第二天線接觸條帶(2)兩者的該第一表面，其中，該至少一黏著膜條帶(4，5)乃配置在該半導體芯片(3)所覆蓋的一區(qū)域的外面。
2.根據(jù)權利要求1所述的模塊，其中，該第一天線接觸條帶(1)以及該第二天線接觸條帶(2)各包括一天線連接區(qū)域以及一芯片接收區(qū)域，且該等芯片接收區(qū)域較該等天線連接區(qū)域為窄。
3.根據(jù)權利要求2所述之模塊，其中，該第一天線接觸條帶(1)的該芯片接收區(qū)域乃以平行于該第二天線接觸條帶(2)的該芯片接收區(qū)域的方式配置。
4.根據(jù)權利要求2所述之模塊，其中，該芯片接收區(qū)域乃較該半導體芯片(3)為長。
5.根據(jù)權利要求1所述之模塊，其中，一第二膜(6)乃被施加于該第一天線接觸條帶(1)的該第二表面以及該第二天線接觸條帶(2)的該第二表面，且該第二膜(6)在該第一天線接觸條帶(1)以及該第二天線接觸條帶(2)之間乃橋接出一間隔(8)。
6.根據(jù)權利要求1所述之模塊，其中，該黏著膜條帶(4，5)具有高于丙烯酸膜的彈性模數(shù)的一彈性模數(shù)。
全文摘要
一種無接觸芯片卡或辨識系統(tǒng)的模塊包括一第一天線接觸條帶以及一第二天線接觸條帶，而其分別具有一第一表面以及面向遠離該第一表面方向的一第二表面。另外，該模塊亦包括具有至少二接觸裝置的一半導體芯片，而其中，至少一接觸裝置會接觸連接于該第一天線條帶的該第一表面，以及至少另一接觸裝置會接觸連接于該第二天線條帶的該第一表面。再者，該模塊更包括至少一黏著膜條帶，其至少會部分地覆蓋該第一天線接觸條帶以及該第二天線接觸條帶兩者的該第一表面，并且至少會有另一黏著膜條帶被配置于被該半導體芯片所覆蓋的一區(qū)域的外面。
文檔編號H01L21/56GK1624718SQ20041009806
公開日2005年6月8日 申請日期2004年12月2日 優(yōu)先權日2003年12月2日
發(fā)明者F·佩施納, A·米勒－希佩, A·卡爾 申請人:因芬尼昂技術股份公司