專利名稱：基板處理裝置及基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種對以半導(dǎo)體晶片、液晶顯示裝置用玻璃基板、等離子體顯示器用玻璃基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板以及光刻掩模用基板為代表的各種基板進行處理的基板處理裝置及基板處理方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，反復(fù)進行用于清潔半導(dǎo)體晶片的表面的清洗處理，以及從半導(dǎo)體晶片的表面除去不需要的薄膜的蝕刻處理等。在半導(dǎo)體生產(chǎn)線多樣化、并且制造工藝微細化的今天，對用于半導(dǎo)體晶片的清洗的基板處理裝置，要求更高的清洗技術(shù)。
用于半導(dǎo)體晶片等基板的清洗的基板處理裝置，大致分為一張張?zhí)幚砘宓膯螐埵教幚硌b置，和將多張(例如50張)基板統(tǒng)一處理的批量式處理裝置。在批量式處理裝置中，是將多張基板一起浸漬在處理液槽內(nèi)進行處理的結(jié)構(gòu)，所以不能避免污染從基板的非器件形成面向器件形成面的轉(zhuǎn)移，以及污染在基板之間的轉(zhuǎn)移。此外，當試圖將處理液槽內(nèi)的處理液循環(huán)再利用而降低成本時，污染物蓄積在處理液中，存在著基板的清潔度慢慢惡化的問題。
在單張式基板處理裝置中不存在這樣的問題，對于多張基板可以獲得均勻且高的清潔度。但是，現(xiàn)有技術(shù)所提供的單張式基板處理裝置，有除去顆粒用的裝置、擴散前或成膜前的前處理用的裝置、除去干法蝕刻及拋光后的抗蝕劑殘渣(聚合物)用的裝置、清洗基板的單個面及周端面附近用的裝置、氣相蝕刻用的裝置等，都是單一用途的裝置。所以，根據(jù)將應(yīng)執(zhí)行的工藝，必須在凈化間內(nèi)設(shè)置多臺不同種類的裝置，所以雖然適合于大量生產(chǎn)，但不適合于多品種少量生產(chǎn)。
此外，在單張式的基板處理裝置中，能夠?qū)宓膯蝹€面進行高均勻性的處理，但對于基板的兩個面，很難進行適合于各個表面的狀態(tài)的適當?shù)那逑刺幚?，難以在兩個面上都獲得高的清潔度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能夠?qū)鍖嵤┒喾N處理(特別是清洗處理)、由此能夠很好地適應(yīng)于多品種少量生產(chǎn)的基板處理裝置及基板處理方法。
本發(fā)明的另外的目的是提供一種能夠?qū)宓膬蓚€面實施良好的處理(特別是清洗處理)的基板處理裝置及基板處理方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面的基板處理裝置，包括至少兩種處理單元，和對所述至少兩種處理單元進行基板的搬入/搬出的基板搬送機構(gòu)。前述至少兩種處理單元，可以從下面所述的處理單元中選擇藥液處理單元，其利用基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)保持基板并使之旋轉(zhuǎn)，同時向該基板供應(yīng)來自藥液噴嘴的藥液，對該基板進行處理；擦洗清洗單元，其利用基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)保持基板并使之旋轉(zhuǎn)，向該基板供應(yīng)純水，同時以擦洗刷擦洗基板表面；聚合物除去單元，其利用基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)保持基板并使之旋轉(zhuǎn)，同時向該基板供應(yīng)聚合物除去液，除去該基板上的殘渣物；周端面處理單元，其利用基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)保持基板并使之旋轉(zhuǎn)，同時向該基板的包含一個面的整個區(qū)域及周端面的區(qū)域供應(yīng)處理液，選擇性地除去該區(qū)域的不需要的物質(zhì)；氣相處理單元，其向基板保持機構(gòu)所保持的基板供應(yīng)包含藥液的蒸氣或包含化學氣體的蒸氣，對該基板進行處理。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于在一臺基板處理裝置上，和基板搬送機構(gòu)一起配備有至少兩種處理單元，所以在一臺基板處理裝置上，可以連續(xù)地對基板進行兩種以上的處理。從而，可以很好地適應(yīng)于多品種少量的生產(chǎn)。
上述藥液處理單元，包含保持基板并使之旋轉(zhuǎn)的基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，以及向通過該基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)而被保持并旋轉(zhuǎn)的處理對象的基板上供應(yīng)藥液的藥液噴嘴，是一種一張張?zhí)幚砘宓膯螐埵降奶幚韱卧?。藥液處理單元，也可以進一步包括供應(yīng)從基板上排出藥液用的漂洗液(純水)的漂洗液噴嘴。
上述擦洗清洗單元，是一種包括保持基板并使之旋轉(zhuǎn)的基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，以及擦洗通過該基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)而被保持并旋轉(zhuǎn)的基板的表面的擦洗刷的單張式處理單元。此外，該擦洗清洗單元，還可以進一步包括向與基板處理對象面(例如，在以水平姿勢保持基板的情況下的上面)相反側(cè)的表面(例如下面)供應(yīng)保護液(例如純水)的保護液噴嘴。
此外，上述擦洗清洗單元，也可以包括向上述基板的表面上供應(yīng)處理液的液滴的噴流的液滴噴流供應(yīng)部。通過利用液滴噴流清洗基板的表面，在抑制基板表面的微細圖形(門圖形等)的破壞的同時，可以有效地除去基板表面的異物。該液滴噴流供應(yīng)部，也可以是通過使液體和氣體混合而形成液滴的噴流的雙流體噴射嘴。
雙流體噴射噴嘴，包括具有液體導(dǎo)入口以及氣體導(dǎo)入口和排出口的外殼。這種雙流體噴射噴嘴，有氣體和液體的混合在殼體內(nèi)的混合室內(nèi)生成、從排出口噴射液滴的內(nèi)部混合型噴射噴嘴，以及通過氣體和液體的混合在排出口的附近的殼體外生成、在殼體外形成液滴的外部混合型噴射噴嘴，可以采用任何一種形式的雙流體噴射噴嘴。
雙流體噴射噴嘴，優(yōu)選構(gòu)成至少能夠從基板的中央部到周端部的范圍內(nèi)移動的掃描式噴嘴?；蛘?，掃描噴嘴的移動范圍，也可以是從基板的周端部通過中央部，到達另一周端部的范圍(基板的大致直徑的范圍)。在這種情況下，在至少將雙流體噴射噴嘴從基板的中央部移動到周端部的過程中，通過將液滴噴射到基板表面上，可以將基板表面的異物(從基板表面分離出來的不需要的物質(zhì)(抗蝕劑殘渣等))，有效地排除到基板表面之外。
上述聚合物除去單元，是單張式處理單元，可以包括保持基板并使之旋轉(zhuǎn)的基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，向保持在該基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)上的基板表面上供應(yīng)聚合物除去液的聚合物除去液噴嘴。聚合物除去單元，還可以進一步包括向保持在上述基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)上的基板供應(yīng)漂洗液(純水)的漂洗液噴嘴。此外，聚合物除去單元，也可以進一步包括向保持在上述保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)上的基板的表面上供應(yīng)處理液的液滴的噴流的液滴噴流供應(yīng)部。該液滴噴流供應(yīng)部，可以用上述所述的雙流體噴射噴嘴構(gòu)成。此外，聚合物除去單元，可以進一步包括具有與作為處理對象的基板的表面相對的基板相對面的遮擋部件，以及使該遮擋部件相對于基板的表面接近/遠離的遮擋部件移動部。
上述周端面處理單元，是單張式處理單元，包括將基板基本上水平地保持并使之旋轉(zhuǎn)的基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，向保持在該基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)上的基板的下面供應(yīng)清洗用的處理液的處理液供應(yīng)部，具有與保持在上述基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)上的基板的上面相對的基板相對面的遮擋部件，使該遮擋部件相對于保持在上述基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)上的基板的上面而接近/遠離的遮擋部件移動機構(gòu)。優(yōu)選上述基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)進一步包括夾持部件驅(qū)動機構(gòu)，該夾持部件驅(qū)動機構(gòu)包含夾持基板的周端面的多個夾持部件，在利用上述基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)使基板旋轉(zhuǎn)的期間內(nèi)，使得利用所述多個夾持部件對基板進行的夾持緩和或?qū)⑦@種夾持解除。進而，優(yōu)選上述基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，包含各自至少具有兩個夾持基板的周端面的夾持部件的兩組夾持部件組，獨立地驅(qū)動該兩組夾持部件組的兩個夾持部件驅(qū)動機構(gòu)，在借助所述兩個夾持部件驅(qū)動機構(gòu)的動作，利用基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)使基板旋轉(zhuǎn)的期間內(nèi)，進行從利用一組夾持部件組對基板的夾持(第一夾持狀態(tài))向利用另外一組夾持部件組對基板的夾持(第二夾持狀態(tài))的切換。此外，優(yōu)選控制上述兩個夾持部件驅(qū)動機構(gòu)的動作，使得在這種切換過程中，產(chǎn)生利用兩個夾持部件組夾持基板的中間狀態(tài)。
上述氣相處理單元，是包括基板保持機構(gòu)、向保持在該基板保持機構(gòu)上的基板供應(yīng)包含藥液的蒸氣或含有化學氣體的蒸氣的蒸氣供應(yīng)部的單張式處理單元。優(yōu)選該氣相處理單元進一步包括將保持在基板保持機構(gòu)上的基板調(diào)整到規(guī)定的溫度的基板溫度調(diào)整部。
在氣相處理單元中，生成蒸氣用的藥液，可以是含氟酸、硝酸、醋酸、鹽酸、硫酸、草酸、檸檬酸等酸的藥液，也可以是含有氨等堿的藥液。進而，也可以是在這些酸或堿中添加過氧化氫溶液、臭氧等氧化劑、或者甲醇等有機溶劑的混合液。
此外，在氣相處理單元中，蒸氣生成用的化學氣體，可以是包含氟酸酐氣體、氨氣、氯化氫氣體、二氧化氮氣、以及SO3氣體中的任何一種的氣體，或者，是它們當中的兩種以上的氣體的混合氣體。此外，所謂包含化學氣體的蒸氣，可以是化學氣體與水蒸氣的混合氣體，也可以是化學氣體和甲醇等有機溶劑的蒸氣的混合氣體，此外，也可以是將它們進一步混合到惰性氣體等載氣中的氣體。
優(yōu)選上述基板處理裝置還包括翻轉(zhuǎn)處理單元，其使利用上述基板搬送機構(gòu)而從上述至少兩種的處理單元中的一個處理單元搬送來的基板的表面和背面翻轉(zhuǎn)。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于可以在兩種處理單元之間將基板的表面和背面翻轉(zhuǎn)，所以，可以對基板的表面和背面各個面，利用兩種處理單元進行不同的處理。由此，可以對基板的兩個面分別進行最佳處理。更詳細地說，在利用某種處理單元將基板的一個面處理完之后，將該基板搬入翻轉(zhuǎn)處理單元，使基板翻轉(zhuǎn)，將翻轉(zhuǎn)后的基板搬入另一個處理單元進行處理，可以對基板的另一個面進行處理。從而，可以對基板的各個面實施恰當?shù)奶幚?，可以很好地處理基板的兩個面。
在上述至少兩種處理單元包含上述擦洗清洗單元的情況下，優(yōu)選該擦洗清洗單元擦洗清洗用上述翻轉(zhuǎn)處理單元翻轉(zhuǎn)后的基板表面。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在利用某種處理單元(藥液處理單元、聚合物除去單元、周端面處理單元、或者氣相處理單元)完成基板的一個面(例如器件形成面)的處理之后，將該基板搬入翻轉(zhuǎn)處理單元，使基板翻轉(zhuǎn)，將翻轉(zhuǎn)后的基板搬入擦洗清洗單元進行處理，可以對基板的另一個面(例如非器件形成面)進行擦洗處理。從而，在將基板的一個面(例如器件形成面)進行良好的處理的同時，可以很好地擦洗清洗基板的另一個面(例如非器件形成面)，可以很好地處理基板的兩個面。
此外，優(yōu)選上述至少兩種處理單元包含上述藥液處理單元和上述擦洗清洗單元。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在一個基板處理裝置內(nèi)，可以對基板實施藥液處理和擦洗清洗處理。更具體地說，例如，對基板的一個面(例如器件形成面)在藥液處理單元中實施擴散前清洗或成膜前清洗用的藥液處理，之后，在擦洗清洗單元中，可以對基板的另一個面(例如非器件形成面)實施擦洗處理(例如用于清洗靜電卡盤痕跡的清洗處理)。在將基板搬入擦洗清洗單元之前，如果利用翻轉(zhuǎn)處理單元將基板的表面和背面翻轉(zhuǎn)的話，可以對擦洗清洗處理單元中的上述另一個面進行良好的處理。
在擦洗清洗處理單元中，利用基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，將基板基本上以水平姿勢保持，在對其上表面(例如非器件形成面)實施擦洗清洗處理時，優(yōu)選對基板的下表面(例如器件形成面)從保護液噴嘴供應(yīng)保護該下表面的保護液。由此，可以保護基板的下表面，并且，可以抑制污染物從基板的上表面向下表面蔓延。
在上述藥液處理單元中的藥液處理，包括從藥液噴嘴向基板的表面上供應(yīng)包含氟酸等藥液的蝕刻液而蝕刻基板的蝕刻處理?；蛘撸部梢园ü?yīng)含有氟酸、SC1(氨及過氧化氫的混合液)，或者SC2(鹽酸和過氧化氫溶液的混合液)等藥液的的清洗液，除去基板表面上的異物的藥液清洗處理。
此外，上述藥液處理包括供應(yīng)作為藥液的一種的抗蝕劑剝離液的抗蝕劑剝離處理。此外，上述藥液處理，也包括從藥液噴嘴向基板的表面上供應(yīng)作為藥液的一種的聚合物除去液，在抗蝕劑剝離處理后，將殘留在基板表面上的抗蝕劑殘渣(聚合物)除去的聚合物除去處理。
上述抗蝕劑剝離液，可以是硫酸和過氧化氫溶液的混合液。
此外，作為上述聚合物除去液，可以使用含有有機堿液的液體、含有有機酸的液體、含有無機酸的液體、含有氟化銨類物質(zhì)的液體中的至少其中的一種。其中，作為含有有機堿液的液體，可以列舉出含有DMF(二甲基甲酰胺)、DMSO(二甲亞砜)、羥胺、膽堿中的至少其中之一的液體。此外，作為含有有機酸的液體，可以列舉出含有檸檬酸、草酸、亞氨基酸、以及琥珀酸中至少其中之一的液體。此外，作為含有無機酸的液體，可以列舉出含有氟酸及磷酸的至少其中之一的液體。此外，作為聚合物除去液，有包含1-甲基-2吡咯烷酮、四氫噻吩1.1-二氧化物、異丙醇胺、單乙醇胺、2-(2氨乙氧基)乙醇、兒茶酚、N-甲基吡咯烷酮、芳香基丁二醇、石炭酸等液體中的至少其中之一的液體，更具體地說，可以列舉出下述混合液中之一，所述混合液包括1-甲基-2吡咯烷酮和四氫噻吩1.1-二氧化物及異丙醇胺的混合液、二甲基甲酰胺和單乙醇胺的混合液、2-(2氨乙氧基)乙醇和羥胺及兒茶分等混合液、2-(2氨乙氧基)乙醇和N-甲基吡咯烷酮的混合液、單乙醇胺和水及芳香基丁二醇的混合液等。此外，還可以列舉出包含三乙醇胺、戊三胺等胺類、丙二醇、二丙二醇一甲基醚等當中的至少其中之一的液體。
供應(yīng)聚合物除去液的藥液噴嘴，可以是通常的直線型噴嘴(標準噴嘴)，但優(yōu)選由上述這樣的雙流體噴射噴嘴構(gòu)成，由此，在物理力的作用下，可以進行聚合物除去液進行的化學的抗蝕劑殘渣除去處理。
此外，上述至少兩種處理單元，可以包括上述藥液處理單元和上述聚合物除去單元。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在一個基板處理裝置內(nèi)，可以對基板實施藥液處理和聚合物除去處理。
更具體地說，在上述藥液處理單元的藥液噴嘴包含供應(yīng)剝離由上述基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)保持的基板的表面上的抗蝕劑膜用抗蝕劑剝離液的噴嘴(可以是直線型噴嘴，也可以是雙流體噴嘴)的情況下，在一個基板處理裝置內(nèi)，進行抗蝕劑剝離處理及其后的聚合物除去處理。
此外，通過利用在一個基板處理裝置內(nèi)的另外的處理單元(另外的處理室)進行抗蝕劑剝離處理和聚合物除去處理，可以防止利用抗蝕劑剝離處理從基板上一度剝離的抗蝕劑附著在處理室的內(nèi)壁上，并防止它們從內(nèi)壁上脫落再次附著在基板上造成再污染。此外，即使在抗蝕劑剝離處理中，采用硫酸及過氧化氫溶液的混合液等酸類(無機物類)的藥液，對聚合物除去處理采用有機物類的藥液的情況下，也可以抑制或防止這些藥液相互污染(交叉污染)。從而，在可以抑制各個藥液(特別是聚合物除去液)的污染的同時，能夠回收再利用。
此外，上述至少兩種處理單元，可以包括上述擦洗清洗單元和上述聚合物除去單元。在一個基板處理裝置內(nèi)，可以對基板實施聚合物除去處理和擦洗清洗處理。更具體地說，例如，可以對基板的一個面(例如器件形成面)在聚合物除去單元中實施上述聚合物除去處理，然后，在擦洗清洗單元中，對基板的另一個面(例如非器件形成面)實施擦洗清洗處理(例如清洗靜電卡盤痕跡用的清洗處理)。在將基板搬入到擦洗清洗單元之前，如果利用翻轉(zhuǎn)處理單元將基板的表面和背面翻轉(zhuǎn)的話，可以很好地在擦洗清洗單元中進行對上述另一個面的處理。
在聚合物除去單元中的聚合物除去處理，包括從聚合物液供應(yīng)噴嘴向基板上供應(yīng)聚合物除去液的工序，然后，從漂洗液供應(yīng)噴嘴向基板上供應(yīng)漂洗液、排除基板上的聚合物除去液的工序，通過由液滴噴流供應(yīng)部向基板上供應(yīng)純水的液滴噴流，精密地排除基板表面的微細圖形內(nèi)的抗蝕劑殘渣的工序。
此外，上述至少兩種處理單元，可以包括上述聚合物除去單元和周端面處理單元。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在一個基板處理裝置中，可以對基板實施聚合物除去處理和周端面處理。更具體地說，例如，對基板的一個面(例如器件形成面)，在聚合物除去單元中實施上述聚合物除去處理，然后，在周端面處理單元中，可以在對基板的上述一個面不造成影響的狀態(tài)下，對包含基板的另一個面(例如非器件形成面)和周端面的區(qū)域，選擇性地實施不需要的物質(zhì)的除去處理(例如，清洗靜電卡盤痕跡用的清洗處理)。
利用周端面處理單元的處理，在利用基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)基本上水平地保持基板并使之旋轉(zhuǎn)的同時，通過向基板的下表面供應(yīng)處理液(例如氟酸及過氧化氫溶液的混合液)，使處理液遍布從基板的下表面起至基板的周端面的區(qū)域，進行處理。在這種情況下，使遮擋部件的基板相對面接近基板的上表面并與之相對，并且，在基板相對面與基板之間供應(yīng)惰性氣體(氮氣等)，可以防止處理液對基板上表面(器件形成面)的器件形成區(qū)域產(chǎn)生影響。
上述至少兩種處理單元，可以包括上述藥液處理單元和上述氣相處理單元。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在一個基板處理裝置中，可以對基板施由在藥液處理單元進行的處理，和利用氣相處理單元進行的處理。
氣相處理單元，例如，可以在基本上不對同樣在基板上形成的氧化膜(例如氧化硅膜)產(chǎn)生影響的情況下，進行選擇性地除去基板上的BPSG(硼磷硅酸鹽玻璃)膜的氣相蝕刻處理。更具體地說，在向基板上供應(yīng)含有氟酸的蒸氣的同時，通過將基板的溫度保持在能夠加大對氧化膜的BPSG膜的蝕刻選擇比的溫度，可以進行良好的選擇蝕刻。
優(yōu)選上述藥液處理單元，進一步包括對保持在上述基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)上的基板供應(yīng)處理液的液滴的噴流的液滴噴流供應(yīng)部。在這種情況下，利用藥液處理單元進行的處理例如，可以包括進行向基板上供應(yīng)處理液(藥液或純水)的液滴噴流，利用液滴噴流的物理作用除去進入到基板的微細基板圖形內(nèi)的反應(yīng)生成物的處理。即，藥液處理單元，可以同時具有利用物理力除去基板表面的異物的功能。
此外，利用藥液處理單元進行的處理，可以進一步包括利用漂洗液(純水)漂洗基板表面的處理，以及在該漂洗處理之后，使基板表面干燥的干燥處理。
此外，在藥液處理單元中使基板干燥的情況下，該干燥處理，可以是在使遮擋部件的基板相對面接近基板表面的同時，在向基板和基板相對面之間供應(yīng)惰性氣體(氮氣等)的狀態(tài)下，使基板旋轉(zhuǎn)，甩掉基板上的液滴而進行干燥的處理。這樣，通過在惰性氣體環(huán)境中進行干燥處理，可以抑制親水性部分和憎水性部分混合存在的基板表面上形成水跡。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面的基板處理方法，包括下述工序中的至少兩個工序藥液處理工序，向通過基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)而被保持并旋轉(zhuǎn)的基板供應(yīng)藥液，對該基板進行處理；擦洗清洗工序，向通過基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)而被保持并旋轉(zhuǎn)的基板供應(yīng)純水，同時以擦洗刷對該基板表面進行擦洗，從而除去基板表面的異物；聚合物除去工序，向通過基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)而被保持并旋轉(zhuǎn)的基板供應(yīng)聚合物除去液，除去該基板上的殘渣物；周端面處理工序，向通過基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)而被保持并旋轉(zhuǎn)的基板的包含一個面的整個區(qū)域以及周端面的區(qū)域供應(yīng)處理液，選擇性地除去該區(qū)域的不需要的物質(zhì)；氣相處理工序，向基板保持機構(gòu)所保持的基板供應(yīng)包含藥液的蒸氣或包含化學氣體的蒸氣，對該基板進行處理。
優(yōu)選上述至少兩個工序，不將上述基板容納到可容納多個基板的容納容器中，經(jīng)由搬送基板的基板搬送工序而連續(xù)地執(zhí)行。
此外，在至少上述兩個工序之間，可以進一步包括將基板的表面和背面翻轉(zhuǎn)的翻轉(zhuǎn)處理工序。
在這種情況下，優(yōu)選在上述翻轉(zhuǎn)處理工序后進行上述擦洗清洗工序，對上述基板的作為與器件形成面相反的面的非器件形成面進行擦洗清洗處理。
此外，上述至少兩個工序，可以包括上述藥液處理工序和上述擦洗清洗工序。在這種情況下，優(yōu)選在上述藥液處理工序中，對上述基板的器件形成面進行藥液處理，在上述擦洗清洗工序中，對上述基板的作為與器件形成面相反的面的非器件形成面，進行擦洗清洗處理。
此外，上述至少兩個工序，可以包括上述藥液處理工序和上述聚合物除去工序，在上述藥液處理工序中，進行對上述基板的器件形成面供應(yīng)藥液，進行藥液處理，在上述聚合物除去工序中，對上述基板的器件形成面進行聚合物除去處理。
更具體地說，上述藥液處理工序，可以包括作為上述藥液，通過對上述基板的器件形成面供應(yīng)抗蝕劑剝離液，剝離形成在上述器件形成面的抗蝕劑膜的工序。
利用這種方法，進行剝離基板上的抗蝕劑膜，然后，除去基板上的聚合物的處理。
抗蝕劑剝離處理和聚合物除去處理，可以在另外的處理室中進行。由此，可以防止附著在室內(nèi)壁上的抗蝕劑再次附著到基板上，或者防止抗蝕劑剝離液與聚合物除去液相互混合。
此外，如果在同一個處理室內(nèi)進行抗蝕劑剝離處理和聚合物除去處理的話，由于在這些處理之間，無需在處理室之間進行基板的搬送，所以，在抗蝕劑剝離之后，可以不進行基板的干燥，繼續(xù)進行聚合物除去處理。更具體地說，將抗蝕劑剝離液供應(yīng)給基板、進行抗蝕劑剝離處理之后，在基板表面上供應(yīng)純水等漂洗液，將抗蝕劑剝離液置換成漂洗液，然后，不經(jīng)過基板干燥處理(將液滴甩掉的干燥處理等)，向基板上供應(yīng)聚合物除去液，可以進行聚合物除去處理。由此，由于從一開始就可以對濕潤狀態(tài)的基板表面進行聚合物除去處理，所以，可以提高聚合物除去效率。
此外，由于沒有必要在抗蝕劑剝離處理和聚合物除去處理之間進行基板的搬送，所以，可以縮短整個基板處理時間，并且減少處理室的數(shù)目，能夠?qū)⒒逄幚硌b置小型化。
其中，在同一個處理室內(nèi)進行抗蝕劑剝離處理和聚合物除去處理時，作為聚合物除去液，優(yōu)選使用無機物類的聚合物除去液(例如氟酸和純水的混合溶液等)。由此，由于對抗蝕劑剝離液和聚合物除去液兩者可以采用無機物類的藥液，所以可以抑制無機物類藥液和有機物類藥液的相互混入。
上述至少兩個工序，可以包括上述擦洗清洗工序和上述聚合物除去工序。同時，在上述聚合物除去工序中，對上述基板的器件形成面進行聚合物殘渣除去處理，在上述擦洗清洗工序中，對上述基板的作為與器件形成面相反的面的非器件形成面進行擦洗清洗處理。
此外，上述至少兩個工序，可以包括上述聚合物除去工序和上述周端面處理工序。同時，在上述聚合物除去工序中，對上述基板的器件形成面進行聚合物除去處理，在上述周端面處理工序中，對上述基板的作為與器件形成面相反的面的非器件形成面及周端面的不必要的物質(zhì)進行選擇性的除去。
此外，上述至少兩個工序，可以包括上述氣相處理工序和上述藥液處理工序。同時，在上述氣相處理工序中，對上述基板的器件形成面進行氣相處理，在上述藥液處理工序中，對上述基板的器件形成面進行藥液處理。
在上述藥液處理中，可以向上述器件形成面供應(yīng)處理液的液滴的噴流。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面的基板處理裝置，包括基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，其保持基板并使之旋轉(zhuǎn)；抗蝕劑剝離液噴嘴，其向通過該基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)而被保持并旋轉(zhuǎn)的處理對象的基板供應(yīng)抗蝕劑剝離液；聚合物除去液噴嘴，其向通過上述基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)而被保持并旋轉(zhuǎn)的處理對象的基板供應(yīng)聚合物除去液。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在將作為處理對象的基板保持在基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)上并使之旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，可以利用抗蝕劑剝離液進行抗蝕劑的剝離處理，然后，可以利用聚合物除去液進行聚合物除去處理。從而，由于在抗蝕劑剝離處理和聚合物除去處理之間沒有必要進行基板的搬送(例如，在處理室之間的搬送)，所以，在抗蝕劑剝離處理后，在聚合物除去處理之前，沒有必要一度使基板干燥。從而，由于可以在保持抗蝕劑剝離處理后的潮濕的狀態(tài)，進行聚合物除去處理，所以，可以高效率地進行聚合物除去處理。
此外，由于可以節(jié)省抗蝕劑剝離處理后的干燥工序，所以，可以縮短整個基板處理的時間。進而，與抗蝕劑剝離處理和聚合物除去處理在不同的處理室中進行時的情況下相比，由于可以減少處理室的數(shù)量，所以，可以將基板處理裝置小型化。
此外，優(yōu)選抗蝕劑剝離處理后，為了排除基板上的抗蝕劑剝離液，對于保持在基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)上的基板，從漂洗液噴嘴中供應(yīng)純水等漂洗液，然后，進行聚合物除去處理。
此外，優(yōu)選上述聚合物除去液噴嘴，是供應(yīng)無機物類的聚合物除去液(例如，稀氟酸水溶液)的噴嘴。由此，由于可以和由硫酸及過氧化氫溶液的混合物這樣的酸類(無機物類)藥液構(gòu)成的抗蝕劑剝離液同樣，將聚合物除去液作為無機物類的藥液，所以，可以抑制有機物類的藥液和無機物類的藥液的相互混入。
上述抗蝕劑剝離液噴嘴，可以是直線型噴嘴，也可以是雙流體噴射噴嘴。同樣地，上述聚合物除去液噴嘴，可以是直線型噴嘴，也可以是雙流體噴射噴嘴。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面的基板處理方法，優(yōu)選包括基板保持旋轉(zhuǎn)工序，利用處理室內(nèi)所配置的基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)在保持基板的同時使之旋轉(zhuǎn)；抗蝕劑剝離工序，向通過該基板保持旋轉(zhuǎn)工序而被保持并旋轉(zhuǎn)的基板的表面供應(yīng)抗蝕劑剝離液，剝離基板上的抗蝕劑膜；聚合物除去工序，在該抗蝕劑剝離工序之后，向由上述基板保持工序所保持的基板的表面供應(yīng)聚合物除去液。
優(yōu)選上述聚合物除去工序包括向基板上供應(yīng)無機物類的聚合物除去液的工序。
本發(fā)明的上述以及進一步的其它目的、特征及效果，通過對下面參照附圖描述的實施形式進行的說明，可以變得更加清楚。


圖1是用于說明本發(fā)明的一個實施形式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖解的平面圖。
圖2是用于說明藥液處理單元的結(jié)構(gòu)的圖解的縱截面圖。
圖3A及圖3B是表示雙流體噴射噴嘴的結(jié)構(gòu)例的圖解的截面圖。
圖4是用于說明擦洗清洗單元的結(jié)構(gòu)的圖解圖。
圖5是用于說明聚合物除去單元的結(jié)構(gòu)的圖解圖。
圖6是用于說明剖口(ベベル)清洗單元的結(jié)構(gòu)的圖解截面圖。
圖7是用于說明剖口清洗處理的圖解的局部放大截面圖。
圖8是用于說明備有旋轉(zhuǎn)卡盤的夾持部件的配置和動作的平面圖。
圖9是用于說明氣相清洗單元的結(jié)構(gòu)的圖解的截面圖。
圖10是表示上述基板處理裝置的第一個具體的結(jié)構(gòu)例的圖解平面圖。
圖11A、圖11B及圖11C是按工序順序表示圖10所示結(jié)構(gòu)的基板處理工序的圖解截面圖。
圖12是表示上述基板處理裝置的第二個具體的結(jié)構(gòu)例的圖解平面圖。
圖13A～圖13E是按工序順序表示圖12所示結(jié)構(gòu)的基板處理工序的圖解截面圖。
圖14是表示上述基板處理裝置的第三個具體的結(jié)構(gòu)例的圖解平面圖。
圖15A、圖15B及圖15C是按工序順序表示圖14所示結(jié)構(gòu)的基板處理工序的圖解截面圖。
圖16是表示上述基板處理裝置的第四個具體的結(jié)構(gòu)例的圖解平面圖。
圖17是用于說在圖16所示結(jié)構(gòu)的剖口清洗單元中的處理的圖解截面圖。
圖18是表示上述基板處理裝置的第五個具體的結(jié)構(gòu)例的圖解平面圖。
圖19A～19D是按工序順序表示圖18所示結(jié)構(gòu)的基板處理工序的圖解截面圖。
具體實施例方式
圖1是用于說明本發(fā)明的一個實施形式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖解的平面圖。該基板處理裝置是對以半導(dǎo)體晶片及液晶顯示裝置用玻璃基板為代表的基板W用處理液、處理氣體等實施處理的單張式的裝置。
該基板處理裝置包括對基板W實施處理的基板處理部1；結(jié)合到該基板處理部1上的分度器部2；容納處理流體(液體或氣體)的供應(yīng)/排出用的結(jié)構(gòu)的處理流體箱3、4。
分度器部2包括盒保持部21，其可以保持多個容納基板W用的盒C(以密閉狀態(tài)容納多張基板W的FOUP(Front Opening Unified Pod前開口聯(lián)合倉)，SMIF(Standard Mechanical Inter Face標準機械連接)倉，OC(Open Cassette敞口盒)等)；分度器機器人22，其能夠訪問保持在該盒保持部21上的盒C，將未處理的基板W從盒C中取出，或者將處理完畢的基板W收存到盒C內(nèi)。各盒C包括將多個基板W隔開微小的間隔而沿上下方向疊層保持用的多級擱板，在各級擱板上，可以一張張地保持基板W。各級擱板接觸基板W的下面的周緣部，從下方保持基板W，基板W，以其表面朝向上方，其背面朝向下方的基本水平的姿勢容納在盒C內(nèi)。
基板處理部1具有在平面視圖中配置在大致中央的基板搬送機器人11；安裝該基板搬送機器人11的機架30。在該機架30上，以包圍基板搬送機器人11的方式而設(shè)置有多個(在該實施形式中為4個)單元配置部31、32、33、34，進而，基板翻轉(zhuǎn)單元12安裝在基板搬送機器人11能夠訪問的位置上。
在單元配置部31、32、33、34中，可以安裝從藥液處理單元MP、擦洗清洗單元SS、聚合物除去單元SR、剖口(ベベル)清洗單元CB、以及氣相清洗單元VP中選擇出的任意的處理單元。即，機架30，對上述多種(在本實施形式中為5種)處理單元提供公用的平臺，可以將多種(最多為4種)處理單元任意組合而進行裝載。從而，可以容易地對應(yīng)對新材料的工藝、或者應(yīng)對微細化的工藝進行應(yīng)對，另外，在裝載兩種處理單元的情況下，對應(yīng)于處理效率，可以裝載一個第一種處理單元、裝載三個第二種處理單元，或者，也可以裝載兩個第一種處理單元，裝載兩個第二種處理單元。
基板搬送機器人11可以從分度器機器人22接受未經(jīng)處理的基板W，并且可以將處理完畢的基板W交接給分度器機器人22。此外，基板搬送機器人11，可以訪問配置在單元配置部31～34上的處理單元及基板翻轉(zhuǎn)單元12，能夠在它們之間相互進行基板W的交接。
更具體地說，例如，基板搬送機器人11包括固定于該基板處理裝置的機架30上的臺座部；可升降地安裝于該臺座部的升降底座，可圍繞垂直軸線旋轉(zhuǎn)地安裝于該升降底座的旋轉(zhuǎn)底座，安裝于該旋轉(zhuǎn)底座上的一對基板保持手。一對基板保持手分別能夠相對于上述旋轉(zhuǎn)底座的旋轉(zhuǎn)軸線而向接近/遠離的方向進退。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，基板搬送機器人11可以將基板保持手朝向分度器機器人22、配置在單元配置部31～34上的處理單元及基板翻轉(zhuǎn)單元12中的任意之一，而在這種狀態(tài)下使基板保持手進退，由此能夠進行基板W的交接。
一對基板保持手也可以分開使用，將其中之一用于保持未處理的基板W，將其中另一個用于保持處理完畢的基板。此外，一對基板保持手在與分度器機器人22、配置在單元配置部31～34上的處理單元及基板翻轉(zhuǎn)單元12進行基板W的交接時，也能夠以由其中一個基板保持手從對方側(cè)接受基板W，接著，由其中另一個基板保持手將基板W交接到對方側(cè)的方式進行動作。
分度器機器人22進行動作，從任意一個盒C中取出未處理的基板W而交接給基板搬送機器人11，同時從基板搬送機器人11接受處理完畢的基板W而收存到盒C內(nèi)。處理完畢的基板W可以收存到在該基板W處于未處理狀態(tài)時被收存的盒C內(nèi)，也可以分成收存未處理的基板W的盒C和收存處理完畢的基板W的盒C，將處理完畢的基板W收存到與未處理狀態(tài)時收存的盒不同的盒C內(nèi)。
由于利用基板搬送機器人11，將基板W搬入到基板翻轉(zhuǎn)單元12，可以使該基板W的表面和背面翻轉(zhuǎn)，所以在配置于單元配置部31～34上的處理單元中，可以對基板W的器件(デバイス)形成面及非器件形成面的任意一個面進行處理。
圖2是用于說明藥液處理單元MP的結(jié)構(gòu)的圖解縱截面圖。藥液處理單元MP，例如是對半導(dǎo)體晶片這樣的基本上圓形的基板W實施利用處理液進行的處理用的單張式的處理單元，在處理室60內(nèi)配備有旋轉(zhuǎn)卡盤51，其以基本上水平的姿勢保持基板W，同時使之圍繞通過其中心的基本上垂直的旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)。
旋轉(zhuǎn)卡盤51固定于通過卡盤旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)61而旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)軸62的上端，包括基本上為圓盤形狀的旋轉(zhuǎn)底座63；基本上以等角度間隔而設(shè)置在該旋轉(zhuǎn)底座63的周緣部的多個部位的、夾持基板W用的多個夾持部件64。旋轉(zhuǎn)軸62為中空軸，在該旋轉(zhuǎn)軸62的內(nèi)部插通有可選擇性地供應(yīng)作為處理液的藥液或純水的下面處理液供應(yīng)管65。該下面處理液供應(yīng)管65一直延伸到靠近旋轉(zhuǎn)卡盤51上所保持的基板W的下面中央的位置處，在其前端形成有向基板W的下面中央噴出處理液的下面噴嘴66。
來自藥液(特別是蝕刻液)供應(yīng)源的藥液可以經(jīng)由藥液供應(yīng)管67而供應(yīng)到下面處理液供應(yīng)管65內(nèi)，來自純水供應(yīng)源的純水(去離子化的純水)可以經(jīng)由純水供應(yīng)管68而供應(yīng)到該下面處理液供應(yīng)管65。
在旋轉(zhuǎn)卡盤51的上方設(shè)置有與基板W基本上具有相同的直徑、在下面具有與基板W的上面相對的基板相對面52a的圓盤狀的遮擋板52。在遮擋板52的上面固定有沿著與旋轉(zhuǎn)卡盤51的旋轉(zhuǎn)軸62公用的軸線的旋轉(zhuǎn)軸71。該該旋轉(zhuǎn)軸71是中空軸，在其內(nèi)部插通有向基板W的上面供應(yīng)處理液(來自藥液供應(yīng)噴嘴72A的藥液或來自純水供應(yīng)噴嘴72B的純水)用的處理液噴嘴72。此外，在旋轉(zhuǎn)軸72的內(nèi)壁面與處理液噴嘴72的外壁面之間，形成向基板W的上面的中央供應(yīng)作為惰性氣體的氮氣用的氮氣供應(yīng)通路73。將從該氮氣供應(yīng)通路73供應(yīng)的氮氣供應(yīng)到基板W的上面與遮擋板52的下面之間的空間內(nèi)，形成朝向基板W的周緣部的氣流。來自氮氣供應(yīng)通路73A的氮氣供應(yīng)給氮氣供應(yīng)通路73。
旋轉(zhuǎn)軸71在從基本上沿水平方向設(shè)置的臂74的前端附近下垂的狀態(tài)下進行安裝。設(shè)置遮擋板升降機構(gòu)75，該遮擋板升降機構(gòu)75與臂74相關(guān)聯(lián)，通過使該臂74升降，使遮擋板52在接近于保持在旋轉(zhuǎn)卡盤51上的基板W的上面的接近位置、與在旋轉(zhuǎn)卡盤51的上方進行大的退避的退避位置之間升降。而且設(shè)置遮擋板旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)76，該遮擋板旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)76與臂74相關(guān)聯(lián)，使遮擋板52基本上與借助于旋轉(zhuǎn)卡盤51引起的基板W的旋轉(zhuǎn)同步而旋轉(zhuǎn)。
在使遮擋板52的基板相對面52a接近基板W的上面的同時，通過將氮氣導(dǎo)入到基板相對面52a與基板W之間，可以將基板W的上面附近保持在氮氣環(huán)境中。在這種狀態(tài)下通過進行基板W的旋轉(zhuǎn)干燥處理，可以抑制干燥時的水跡的發(fā)生。特別是，如硅化物之前那樣要求高精度清洗的清洗處理中，例如，在利用氟酸蝕刻氧化膜之后，可以在抑制自然氧化膜的生長的同時，抑制水跡的發(fā)生而使之干燥。此外，通過使基板W高速旋轉(zhuǎn)，獲得高的置換性，可以將氟酸蝕刻時的側(cè)壁(附著在門側(cè)壁上的側(cè)壁)的損失(膜的減少)抑制到最低限度。
旋轉(zhuǎn)卡盤51容納在有底容器狀的處理杯53中。在處理杯53的底部上，以包圍旋轉(zhuǎn)卡盤51的周圍的方式形成將用于基板W的處理之后的處理液排出用的排液槽81，進而，以包圍該排液槽81的方式形成將用于基板W的處理之后的處理液(特別是藥液)回收用的回收槽82。排液槽81和回收槽82由形成在它們之間的筒狀的間隔壁83區(qū)分開。此外，在排液槽81連接有將處理液引導(dǎo)到圖外的排液處理設(shè)備用的排液管線84，在回收槽82連接有將處理液引導(dǎo)到圖外的回收處理設(shè)備用的回收管線85。
在處理杯53的上方，設(shè)置有防止來自基板W的處理液向外部飛散用的防濺護板54。該防濺護板54具有相對于基板W的旋轉(zhuǎn)軸線而基本上旋轉(zhuǎn)對稱的形狀，其上方部的內(nèi)表面構(gòu)成與基板W的旋轉(zhuǎn)軸線對向的打開的截面橫向為V字形的排液捕獲部91。此外，在防濺護板54的下方部形成有回收液捕獲部92，該回收液捕獲部92形成為隨著朝向基板W的旋轉(zhuǎn)半徑方向的外方而朝向下方的凹彎曲傾斜面的形式。在回收液捕獲部92的上端附近，形成有接受處理杯53的間隔壁83用的間隔壁容納槽93。
設(shè)置有與防濺護板54相關(guān)聯(lián)的、例如包含有滾珠絲杠機構(gòu)等的防濺護板升降驅(qū)動機構(gòu)94。防濺護板升降驅(qū)動機構(gòu)94使防濺護板54在回收液捕獲部92與保持在旋轉(zhuǎn)卡盤51上的基板W的周端面相對的回收位置(圖2所示的位置)、和排液捕獲部91與保持在旋轉(zhuǎn)卡盤51上的基板W的端面相對的排液位置之間上下移動。此外，防濺護板升降驅(qū)動機構(gòu)94在基板W相對于旋轉(zhuǎn)卡盤51而搬入/搬出時，使防濺護板54退避到比排液位置更靠下方的退避位置。
進而，在藥液處理單元MP中配備有移動噴嘴95，其在向基板W的表面上供應(yīng)處理液(藥液或純水)的同時，可以使基板W上的處理液供應(yīng)位置移動。移動噴嘴95在本實施形式中由直線型(標準)噴嘴構(gòu)成。在本實施形式中，向該移動噴嘴95選擇性地供應(yīng)作為藥液的抗蝕劑剝離液(例如，硫酸及過氧化氫溶液的混合液的高溫、高濃度的藥液)和作為漂洗液的純水。由此，可以進行抗蝕劑剝離處理。
具體地說，來自混合閥86的流出口的處理液經(jīng)由處理液供應(yīng)管87而供應(yīng)給移動噴嘴95。在混合閥86設(shè)置有三個流人口，向它們經(jīng)由硫酸閥88而供應(yīng)高溫的硫酸(例如，加熱到80℃左右的硫酸)，經(jīng)由過氧化氫溶液閥89而供應(yīng)過氧化氫溶液(例如，室溫的過氧化氫溶液)，經(jīng)由純水供應(yīng)閥90而供應(yīng)純水(去離子水)。此外，在處理液供應(yīng)管87中加裝有用于攪拌來自混合閥86的處理液的帶有攪拌葉片的流通管96。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，通過在關(guān)閉純水供應(yīng)閥90的狀態(tài)下打開硫酸閥88及過氧化氫溶液閥89，使硫酸及過氧化氫溶液在混合閥86中混合，進而，在帶有攪拌葉片的流通管96中充分攪拌，由此生成包含具有強氧化力的H2SO5的SMP(sulfuric acid/hydrogen perroxide mixture硫酸過氧化氫溶液)液，該SPM液作為抗蝕劑剝離液，從移動噴嘴95中排出到基板W的表面上。此外，通過關(guān)閉硫酸閥88和過氧化氫溶液閥89，打開純水供應(yīng)閥90，從而將從混合閥86經(jīng)由處理液供應(yīng)管87及帶攪拌葉片的流通管96而向移動噴嘴95供應(yīng)純水，可以從該移動噴嘴95向基板W的表面排出純水。此外，也可以與供應(yīng)抗蝕劑剝離液的移動噴嘴95分開，而單獨設(shè)置向基板W供應(yīng)純水的純水噴嘴。
在利用硫酸和過氧化氫溶液的混合液進行的抗蝕劑剝離處理中，在形成在基板W上的門的周圍的抗蝕劑剝離工序中，也可以抑制氧化膜的生長、氧化膜的減少。此外，也能夠進行離子注入處理后的抗蝕劑的剝離，與進行干法拋光的情況相比，可以減少對基板W的損傷。
帶有攪拌葉片的流體管96是在管部件內(nèi)，使圍繞沿液體流通方向的管中心軸的旋轉(zhuǎn)角度每90度而相互不同地配置有由長方形板狀體構(gòu)成的多個攪拌葉片，所述攪拌葉片使液體流通方向相對于軸產(chǎn)生180度的扭轉(zhuǎn)，例如可以采用株式會社ノリタケカンパニ一リミテド·アドバンス電氣工業(yè)株式會社制的商品名“MXシリ一ズインラインミキサ一”(MX系列串列式混合器)。通過在帶有攪拌葉片的流通管96內(nèi)將硫酸和過氧化氫溶液的混合液充分攪拌，從而產(chǎn)生硫酸和過氧化氫溶液的化學反應(yīng)，生成包含具有將氧化力的H2SO5的SPM液。這時，由于化學反應(yīng)而發(fā)熱(反應(yīng)熱)，由于這種發(fā)熱，SPM液的液體溫度確實地升溫到能夠很好地剝離形成在基板W的表面上的抗蝕劑膜的高溫(例如，80℃以上。更具體地說，120℃左右)。
在移動噴嘴95上結(jié)合有使該移動噴嘴95移動用的噴嘴移動機構(gòu)98。利用旋轉(zhuǎn)卡盤51使基板W旋轉(zhuǎn)，同時使移動噴嘴95移動，從該移動噴嘴95供應(yīng)處理液，從而可以對基板W的上表面進行均勻的處理。
在圖2中，示出了作為藥液而將抗蝕劑剝離液供應(yīng)到移動噴嘴95中的例子，而作為藥液，可以向移動噴嘴95供應(yīng)基板表面的清洗或蝕刻處理用的氟酸、SC1(氨和過氧化氫的混合液)，或者SC2(鹽酸和過氧化氫溶液的混合液)等表面處理液。
進而，藥液處理單元MP備有向基板W的表面供應(yīng)處理液的液滴的噴流用的雙流體噴射噴嘴100。可以經(jīng)由藥液供應(yīng)閥115向該雙流體噴射噴嘴100中供應(yīng)藥液，經(jīng)由116可以供應(yīng)純水，經(jīng)由惰性氣體供應(yīng)閥117可以供應(yīng)氮氣等惰性氣體。此外，雙流體噴射噴嘴100，結(jié)合于擺動臂118，該擺動臂118借助噴嘴擺動機構(gòu)119而沿著基板W的上表面擺動，同時借助噴嘴升降機構(gòu)120而進行升降。由此，雙流體噴射噴嘴100在基板W上擺動，例如，描畫出從基板W的旋轉(zhuǎn)半徑中心至基板W的周緣部的弧而進行移動。
例如，作為藥液可以向雙流體噴射噴嘴100供應(yīng)聚合物除去液。由此，通過聚合物除去液的化學作用，和液滴噴流的沖擊引起的物理作用，可以很好地進行用于除去抗蝕劑剝離處理后殘留在基板W的表面上的抗蝕劑殘渣(聚合物)的處理。此外，可以一并除去微小的顆粒。此外，例如可以向雙流體噴射噴嘴100供應(yīng)純水，由此，可以利用純水的液滴噴流的沖擊造成的物理作用，很好地除去附著在基板W的表面上的顆粒。
在上述各個噴嘴中，優(yōu)選地裝載有預(yù)分配功能。由此可以進行溫度穩(wěn)定的藥液排出。
圖3A及圖3B是表示雙流體噴射噴嘴100的結(jié)構(gòu)例的圖解截面圖。在圖3A中示出了所謂的外部混合型的雙流體噴射噴嘴的結(jié)構(gòu)，在圖3B中示出了所謂的內(nèi)部混合型的雙流體噴射噴嘴的結(jié)構(gòu)。
圖3A所示的外部混合型雙流體噴射噴嘴，將液體導(dǎo)入部101和比該液體導(dǎo)入部101直徑大的氣體導(dǎo)入部102同軸配合，構(gòu)成其殼體。
液體導(dǎo)入部101基本上貫通氣體導(dǎo)入部102，形成于內(nèi)部的液體供應(yīng)路徑101a與噴嘴前端附近的外部空間連通，其入口部形成有液體導(dǎo)入口107。
另一方面，氣體導(dǎo)入部102在側(cè)面上具有氣體導(dǎo)入口108，該氣體導(dǎo)入口108是在氣體導(dǎo)入部102的內(nèi)部，與形成在該內(nèi)壁和液體導(dǎo)入部101的外壁之間的空間103連通。在液體導(dǎo)入部101的前端部形成為向外方擴展的凸緣狀，在該凸緣狀部形成有使上述空間103和該雙流體噴射噴嘴的前端附近的外部空間之間連通的氣體通路104。
借助這種結(jié)構(gòu)，當向液體供應(yīng)路徑101a供應(yīng)液體的同時，從氣體導(dǎo)入口102供應(yīng)氣體時，在噴嘴前端附近的外部空間105，液體和氣體在殼體外的空中混合，形成液滴。該液滴沿著液體和氣體的吹出方向、即沿著液體導(dǎo)入部101的軸向方向而噴射。被導(dǎo)入到氣體導(dǎo)入口108內(nèi)的氣體，優(yōu)選是干燥氣體(空氣)或氮氣等惰性氣體。
另一方面，圖3B所示的內(nèi)部混合型的雙流體噴射噴嘴，具有將氣體導(dǎo)入部111、液體導(dǎo)入部110、液滴形成排出部112連接起來的殼體，將它們連接起來而構(gòu)成。氣體導(dǎo)入部111、液體導(dǎo)入部110以及液滴形成排出部112均具有管狀的形狀，將它們串聯(lián)連接而構(gòu)成雙流體噴射噴嘴100。
液滴形成排出部112連接到液體導(dǎo)入部110的下側(cè)端，包括隨著朝向下方而內(nèi)徑變小的錐形部112a；連接到該錐形部112a的下端、內(nèi)徑相同的直管狀的直線部112b。
氣體導(dǎo)入部111包括配合到液體導(dǎo)入部110的上側(cè)部的大直徑部；連接到該大直徑部的下方、一直達到液滴形成排出部112的錐形部112a的內(nèi)部空間的小直徑部，在其內(nèi)部形成前端變細的形狀的氣體導(dǎo)入路徑111a，其入口部形成氣體導(dǎo)入口113。
在液體導(dǎo)入部110形成有在側(cè)方開口的導(dǎo)入液體用的液體導(dǎo)入口114，該液體導(dǎo)入口114與氣體導(dǎo)入部111的小直徑部和液體導(dǎo)入部110的內(nèi)壁之間的環(huán)狀的空間SP1連通。該空間SP1經(jīng)由氣體導(dǎo)入部111的小直徑部與液滴形成排出部112的內(nèi)壁之間的環(huán)狀的空間SP2，而與液滴形成排出部112的錐形部112a的內(nèi)壁空間SP3(混合室)連通。
在該內(nèi)部混合型的雙流體噴射噴嘴100中，從氣體導(dǎo)入口113供應(yīng)的氣體，和從液體導(dǎo)入口114經(jīng)由空間SP1、SP2供應(yīng)的液體，在空間SP3內(nèi)混合，其結(jié)果是形成液滴。該液滴在錐形部112a內(nèi)被加速，經(jīng)由直線部112b而向基板W噴射。該液滴的噴流借助直線部112b的作用而具有極其良好的直線前進性。
當對外部混合型雙流體噴射噴嘴與內(nèi)部混合型雙流體噴射噴嘴進行比較時，在外部混合型雙流體噴射噴嘴中，比起內(nèi)部混合型雙流體噴射噴嘴來，液滴的直線前進性不是很好，液滴的噴流擴展成傘狀。另一方面，在外部混合型雙流體噴射噴嘴中，由于內(nèi)部不存在液體與氣體的化合物，所以，具有氣體的壓力不會返回到液體側(cè)，即使氣體的流量發(fā)生變化，液體的流量值也基本上不發(fā)生變化的優(yōu)點。
此外，也可以用雙流體噴射噴嘴構(gòu)成上述移動噴嘴95，另外，也可以用直線型噴嘴代替上述雙流體噴射噴嘴100。
圖4是用于說明擦洗清洗單元SS的結(jié)構(gòu)的圖解圖。擦洗清洗單元SS是單張式的處理單元，包括基本上水平保持并旋轉(zhuǎn)基板W的旋轉(zhuǎn)卡盤130；對該旋轉(zhuǎn)卡盤130的旋轉(zhuǎn)軸131賦予旋轉(zhuǎn)力的卡盤旋轉(zhuǎn)機構(gòu)132；擦洗清洗保持在旋轉(zhuǎn)卡盤130上的基板W的上表面的擦洗刷133；向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤130上的基板W的上表面供應(yīng)處理液的液滴噴流的雙流體噴射噴嘴134。進而，擦洗清洗單元SS包括向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤130上的基板W的上表面供應(yīng)藥液(例如，稀的蝕刻液)的藥液噴嘴135；同樣向基板W的上表面供應(yīng)純水的上面純水噴嘴136，向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤130上的基板W的下表面供應(yīng)純水的下面純水噴嘴137。
藥液經(jīng)由藥液供應(yīng)閥140而供應(yīng)給藥液噴嘴135，純水經(jīng)由純水供應(yīng)閥141供應(yīng)給上面純水噴嘴136，純水從純水供應(yīng)閥142，經(jīng)由插入到中空的旋轉(zhuǎn)軸131的處理液供應(yīng)管143而供應(yīng)給下面純水噴嘴137。下面純水噴嘴137結(jié)合到處理液供應(yīng)管143的上端，向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤130上的基板W的下面的旋轉(zhuǎn)中心排出純水。該純水受到離心力而在基板W的下表面?zhèn)鬟f，向旋轉(zhuǎn)半徑的外方擴展，達到基板W的下表面的整個區(qū)域。
此外，向著雙流體噴射噴嘴134，從純水供應(yīng)閥145供應(yīng)純水，從惰性氣體供應(yīng)閥146供應(yīng)惰性氣體(氮氣等)。此外，雙流體噴射噴嘴134結(jié)合到沿基板W擺動的擺動臂147上。噴嘴擺動機構(gòu)148和噴嘴升降機構(gòu)149結(jié)合到該擺動臂147上。借助它們的作用，通過使擺動臂147擺動，雙流體噴射噴嘴134在保持于旋轉(zhuǎn)卡盤130上的基板W的旋轉(zhuǎn)中心至周緣部的范圍內(nèi)擺動，此外，通過使擺動臂147升降，使雙流體噴射噴嘴134相對于基板W而進行接近/遠離的位移。
在使旋轉(zhuǎn)卡盤130旋轉(zhuǎn)的同時，一面從雙流體噴射噴嘴134使處理液噴流噴出，一面使該雙流體噴射噴嘴134從基板W的旋轉(zhuǎn)中心向周緣部移動，從而可以對基板W的整個面實施利用液滴噴流進行的清洗處理。在利用該雙流體噴射噴嘴134進行的清洗處理中，對于基板W上的微細圖形不造成損傷，可以除去顆粒，可以抑制在基板W上的門圖形的破壞等。
優(yōu)選噴嘴擺動機構(gòu)148以可變控制的方式控制雙流體噴射噴嘴134的移動速度。由此，在基板W的旋轉(zhuǎn)中心附近和周緣部附近，可以使雙流體噴射噴嘴134的移動速度變化，能夠均勻地清洗基板W的各個部分。
另一方面，擦洗刷133以與保持在旋轉(zhuǎn)卡盤130上的基板W相對的方式朝向下方而保持在擺動臂150的一端上。擺動臂150的另一端結(jié)合到沿著與旋轉(zhuǎn)軸131平行的垂直方向的轉(zhuǎn)動軸151上。在該轉(zhuǎn)動軸151上結(jié)合有刷擺動機構(gòu)152和刷升降機構(gòu)153。借助它們的作用，擺動臂150沿著基板W擺動，擦洗刷133在基板W的旋轉(zhuǎn)中心和周緣部之間往復(fù)移動，同時擺動臂150上下運動，擦洗刷133接近、遠離基板W的上表面。通過使旋轉(zhuǎn)卡盤130旋轉(zhuǎn)的同時，使擦洗刷133與基板W的上表面接觸，從其旋轉(zhuǎn)中心向周緣部移動，從而對基板W的整個面進行擦洗清洗。這時，并行地進行來自藥液噴嘴135的藥液的供應(yīng)或來自上面純水噴嘴136的純水的供應(yīng)。作為擦洗刷133，可以采用聚氯乙稀、安哥拉山羊毛、尼龍、聚丙烯等材料的刷。
與雙流體噴射噴嘴134的情況一樣，優(yōu)選刷擺動機構(gòu)152以可變地控制擦洗刷133的移動速度的方式進行控制。由此，可以在基板W的旋轉(zhuǎn)中心附近與周緣部附近，使擦洗刷133的移動速度變化，均勻地清洗基板W的各個部分。
在利用雙流體噴射噴嘴134或擦洗刷133對基板W的上表面進行物理清洗處理時，如果從下面純水噴嘴137向基板W的下面供應(yīng)純水的話，可以進行利用純水的液膜保護基板W的下表面的覆蓋清洗。由此，可以防止污染物從基板W的上表面?zhèn)认蛳卤砻鎮(zhèn)嚷?，再次附著?br> 在擦洗清洗單元SS，代替雙流體噴射噴嘴134，或者在雙流體噴射噴嘴134的基礎(chǔ)上，也可以配備將賦予了超聲波振動(例如，1.5Mhz的振動)的處理液供應(yīng)給基板W的超聲波噴嘴；具有利用以高壓向基板上吹附處理液的高壓射流噴嘴等其它物理作用而產(chǎn)生的清洗效果的噴嘴。
此外，優(yōu)選例如刷清洗、超聲波清洗、高壓射流清洗、雙流體噴射清洗等全部的清洗應(yīng)用的機構(gòu)，能夠裝載到一個頭(擺動臂)上。此外，優(yōu)選能夠在一個頭上裝載兩種以上的清洗刷(例如材質(zhì)不同的清洗刷)。借助這種結(jié)構(gòu)，能夠適應(yīng)于廣泛的清洗工藝。
圖5是用于說明聚合物除去單元SR的結(jié)構(gòu)例的圖解圖。聚合物除去單元SR是單張式的處理單元，用于除去在利用上述藥液處理單元MP進行的抗蝕劑剝離處理、或者利用拋光進行的抗蝕劑剝離處理后的基板W上所附著的聚合物(抗蝕劑殘渣)。更具體地說，例如在圖形形成銅配線、鎢配線、或者多晶硅配線的工序中，在選擇性地除去基板W上基本上同樣地形成的銅配線膜、鎢配線膜或者多晶硅配線膜用的蝕刻處理、除去在該蝕刻處理中使用的抗蝕劑圖形用的抗蝕劑剝離處理之后，將在抗蝕劑剝離處理中未被除去的、成為聚合物而殘留的抗蝕劑殘渣除去的情況下使用。
這種聚合物除去單元SR，在處理室155內(nèi)配備有用于水平保持基板W而使之旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤160，進而包括向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤160上的基板W的上表面供應(yīng)用于除去聚合物的藥液用的藥液噴嘴161；向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤160上的基板W的上表面供應(yīng)純水用的純水噴嘴162。聚合物除去用藥液的例子如前面所述。
作為旋轉(zhuǎn)卡盤160，例如采用在將基板W的器件形成面朝向上方的狀態(tài)下，借助真空吸附該基板W的非器件形成面(下表面)，可以將基板W基本上水平地保持的真空吸附式的卡盤(真空卡盤)。該真空吸附式的旋轉(zhuǎn)卡盤160例如在保持基板W的狀態(tài)下，通過圍繞垂直的軸線旋轉(zhuǎn)，可以使所保持的基板W在水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。
旋轉(zhuǎn)卡盤160容納在處理杯163內(nèi)。處理杯163包圍旋轉(zhuǎn)卡盤160的周圍，在底部具有將用于基板W的處理后的純水等排出用的環(huán)狀的排液槽164；將用于基板W的處理后的藥液回收用的環(huán)狀的回收槽165。排液槽164和回收槽165用筒狀的間隔壁166間隔開，在該間隔壁166的下方形成一端面向排液槽164開口的排氣通路167。在排氣通路167的另一端連接有向排氣設(shè)備延伸的杯內(nèi)排氣管168。
與處理杯163相關(guān)聯(lián)，設(shè)置有捕獲從基板W飛散的藥液或純水用的防濺護板170。防濺護板170具有相對于基板W的旋轉(zhuǎn)軸線而基本上旋轉(zhuǎn)對稱的形狀，上方部的內(nèi)表面構(gòu)成相對于基板W的旋轉(zhuǎn)軸線而敞開的截面為“ㄑ”字形的排液捕獲部171。此外，在防濺護板170的下方部形成具有隨著向基板W的旋轉(zhuǎn)半徑方向的外方而朝向下方的傾斜曲面的的回收液捕獲部172。在回收液捕獲部172的上端附近形成有接受處理杯163的間隔壁166用的間隔壁容納槽173。
防濺護板170可相對于處理杯163升降地構(gòu)成，可以使排液捕獲部171或回收液捕獲部172與保持在旋轉(zhuǎn)卡盤160上的基板的周端面相對，或者可以退避到比利用旋轉(zhuǎn)卡盤160進行的基板W的保持位置更靠下方處，從而不妨礙基板W相對于旋轉(zhuǎn)卡盤160的搬入、搬出。在使排液捕獲部171與基板W的周端面相對的狀態(tài)下，可以用排液捕獲部171捕獲從基板W飛散的藥液或純水。被該排液捕獲部171捕獲的藥液或純水，順著排液捕獲部171而流下，集中到處理杯163的排液槽164內(nèi)，從排液槽164向圖外的排液處理設(shè)備排液。此外，在使回收液捕獲部172與基板W的周端面相對的狀態(tài)下，可以用回收液捕獲部172捕獲從基板W飛散的處理液(主要是藥液)。用回收液捕獲部172捕獲的處理液，順著回收液捕獲部172流下，集中到處理杯163的回收槽165內(nèi)，從該回收槽165被回收到圖外的回收液處理設(shè)備中。
在藥液噴嘴161上連接有供應(yīng)來自藥液供應(yīng)源的藥液的的藥液供應(yīng)配管175。在該藥液供應(yīng)配管175的中途部，從藥液供應(yīng)源側(cè)依次加裝將藥液調(diào)節(jié)到適于處理的溫度用的溫度調(diào)節(jié)器176、控制來自藥液噴嘴161的藥液的排出用的藥液供應(yīng)噴嘴177。
在純水噴嘴162上連接有供應(yīng)來自純水供應(yīng)源的純水的純水供應(yīng)配管178。在純水供應(yīng)配管178的途中部加裝有純水供應(yīng)閥179，通過開閉該純水供應(yīng)閥179，可以從純水噴嘴162將純水供應(yīng)給基板W，或者停止對基板W上的純水的供應(yīng)。
該聚合物除去單元SR還包括向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤160上的基板W的上表面供應(yīng)處理液的液滴的噴流的雙流體噴射噴嘴180。對該雙流體噴射噴嘴180，供應(yīng)來自處理液供應(yīng)管181的處理液，從惰性氣體供應(yīng)閥182供應(yīng)惰性氣體(氮氣等)。對處理液供應(yīng)管181，可以選擇性地供應(yīng)來自藥液供應(yīng)閥186的藥液(例如，聚合物除去液)或者來自純水供應(yīng)閥187的純水(去離子水)。此外，雙流體噴射噴嘴180結(jié)合到沿著保持在旋轉(zhuǎn)卡盤160上的基板W的上表面擺動的擺動臂183的一端上。在該擺動臂183上結(jié)合有通過擺動該擺動臂183而使雙流體噴射噴嘴180在基板W上移動的噴嘴擺動機構(gòu)184，以及通過使擺動臂183升降而使雙流體噴射噴嘴180接近/遠離保持在旋轉(zhuǎn)卡盤160上的基板W的上表面的噴嘴升降機構(gòu)185。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，即使在殘渣牢固地附著在基板W上而不能用藥液完全除去的情況下，借助從雙流體噴射噴嘴180排出的液滴的噴流產(chǎn)生的物理力，也可以從基板W上除去殘渣。此外，向雙流體噴射噴嘴180供應(yīng)作為處理液的藥液(聚合物除去液等)時，因為將藥液的液滴的噴流供應(yīng)給基板W，所以借助藥液的化學作用和液滴噴流的物理作用的復(fù)合效果，可以更有效地除去殘渣(聚合物等)。
圖6是用于說明剖口清洗單元CB的結(jié)構(gòu)的圖解截面圖。該例的剖口清洗單元CB是單張式的處理單元，具有多個與藥液處理單元MP的結(jié)構(gòu)部件類似的結(jié)構(gòu)部件。這里，對于和圖2所示的各個部分具有同樣功能的部分，在圖6中付與和圖2相同的標號，省略其說明。
該例的剖口清洗單元CB，沒有移動噴嘴95和與之相關(guān)的結(jié)構(gòu)，此外，也沒有雙流體噴射噴嘴100及與之相關(guān)的結(jié)構(gòu)。此外，在藥液處理單元MP中，向?qū)⑻幚硪汗?yīng)給基板W的上表面的處理液噴嘴72，供應(yīng)藥液或純水，但在該例的剖口清洗單元CB中，向處理液噴嘴72專門供應(yīng)純水。
當把基板W保持在旋轉(zhuǎn)卡盤51上時，在遮擋板52一直下降到接近保持在旋轉(zhuǎn)卡盤51上的基板W的上表面的接近位置(例如，基板相對面52a與基板W的上表面的間隔為0.3mm的位置)處而被保持的狀態(tài)下開始處理。即，以預(yù)定的速度使旋轉(zhuǎn)卡盤51旋轉(zhuǎn)，由此，基板W圍繞通過其中心的垂直軸線旋轉(zhuǎn)。
另一方面，遮擋板52在接近基板W的上表面的狀態(tài)下，以基本上相同的速度沿著與基板W相同的方向旋轉(zhuǎn)。在這種狀態(tài)下，打開藥液供應(yīng)閥67，向著和旋轉(zhuǎn)卡盤51一起旋轉(zhuǎn)的基板W的下面(表面)的中央，從下面噴嘴66噴射藥液。該藥液到達基板W的下面的中心附近，受到伴隨著基板W旋轉(zhuǎn)的離心力，沿著基板W的下面，被引導(dǎo)到其周緣部。由此，藥液在基板W下面的基本上整個區(qū)域上遍布，可以對基板W的下面用藥液實施良好的處理。
如圖7放大所示，該藥液順著基板W的周端面而繞到其上面。該繞過來的藥液處理基板W的周端面以及上面的周緣部(剖口部)，然后，借助離心力而被排出到基板W之外。在基板W的上面的周緣部的處理寬度，可以通過旋轉(zhuǎn)卡盤51的旋轉(zhuǎn)速度、從遮擋板52的中央噴出的氮氣的流量、以及從下面噴嘴66排出的藥液的流量控制。由此，可以防止藥液達到作為比基板W的背面的周緣部更靠近內(nèi)部的區(qū)域的中央?yún)^(qū)域，可以限制該中央?yún)^(qū)域的處理。由于基板W的上面被遮擋板52覆蓋，所以，可以從藥液的彈回等方面保護器件形成面(上面)，并且，可以對基板W的背面及周端面高精度地進行選擇性的蝕刻處理。
這樣，在用藥液處理基板W的整個表面區(qū)域、周端面及背面的周緣部區(qū)域時，使防濺護板54上升到圖6所示的回收位置。由此，被排除到基板W之外的藥液，被防濺護板54的回收液捕獲部92捕獲，順著該回收液捕獲部92而從該回收液92的下端緣向下落到處理杯53的回收槽82內(nèi)。這樣，集中到回收槽82內(nèi)的藥液，經(jīng)由回收管線85被回收，在以后的藥液處理中再次加以利用。
這樣，在規(guī)定的時間對基板W實施藥液處理之后，關(guān)閉藥液供應(yīng)閥67，停止從下面噴嘴66的藥液的排出。而防濺護板54從回收位置下降到防濺護板54的排液捕獲部91與保持在旋轉(zhuǎn)卡盤51上的基板W的端面相對的排液位置。另一方面從處理液噴嘴72向基板W的上面供應(yīng)純水，并且，打開純水供應(yīng)閥68，從下面噴嘴66向基板W的下面的中央供應(yīng)純水。使旋轉(zhuǎn)卡盤51的旋轉(zhuǎn)繼續(xù)進行，由此，供應(yīng)給基板W的上下面的純水受到離心力向基板W的上下面的整個區(qū)域擴展。由此，進行沖洗附著在基板W的上下面上的藥液用的漂洗處理。
從基板W的周緣被甩掉、向側(cè)方飛散的漂洗處理后的純水，被防濺護板54的排液捕獲部91捕獲后，順著該排液捕獲部91到達其下端緣，落入到處理杯53的排液槽81內(nèi)，經(jīng)由排液管線84排出。
這樣當漂洗處理結(jié)束時，停止從處理液噴嘴72的純水的排出，此外，也關(guān)閉純水供應(yīng)閥68，停止從下面噴嘴66的純水的排出。使旋轉(zhuǎn)卡盤51高速旋轉(zhuǎn)，進行利用離心力而甩掉附著在基板W的上下面上的液滴而使其干燥的干燥處理。當該干燥處理結(jié)束后，將遮擋板52上升到上方的退避位置，同時停止旋轉(zhuǎn)卡盤51的旋轉(zhuǎn)。然后將防濺護板54下降到退避位置。在這種狀態(tài)下，利用基板搬送機器人11，將保持在旋轉(zhuǎn)卡盤51上的處理完畢的基板W搬出。
圖8是用于說明旋轉(zhuǎn)卡盤51所配備的夾持部件64的配置及動作的平面圖。在旋轉(zhuǎn)卡盤51上，例如基本上等間隔地在圓盤狀的旋轉(zhuǎn)底座63的周緣部配置6個夾持部件F1～F3，S1～S3(夾持部件64)。各夾持部件F1～F3，S1～S3，具有以點接觸支承基板W的周緣部的下面的支承部195和夾持基板W的周端面的夾持部196，以支承部195為中心圍繞垂直軸線轉(zhuǎn)動地構(gòu)成，由此，可以獲得夾持部196與基板W的周端面接觸的夾持狀態(tài)，以及使夾持部196從基板W的周端面退避的解除狀態(tài)。
在它們當中，每隔一個的3個夾持部件F1～F3形成的第一夾持部件組，由第一夾持部件驅(qū)動機構(gòu)191(參照圖6)同步驅(qū)動，剩下的每隔一個的3個夾持部件S1～S3形成的第二夾持部件組，由第二夾持部件驅(qū)動機構(gòu)192(參照圖6)同步驅(qū)動。
第一及第二夾持部件驅(qū)動機構(gòu)191、192，即使在旋轉(zhuǎn)卡盤51的旋轉(zhuǎn)過程當中，也能夠開閉驅(qū)動夾持部件F1～F3，S1～S3。因此，在基板W的處理中，進行控制，使得從利用第一夾持部件組F1～F3夾持基板W的周端面的第一夾持狀態(tài)，經(jīng)過利用第一及第二夾持部件組F1～F3，S1～S3兩者夾持基板W的周端面的中間夾持狀態(tài)，切換到利用第二夾持部件組S1～S3夾持基板W的周端面的第二夾持狀態(tài)。進而，當變成第二夾持狀態(tài)時，進一步經(jīng)過中間夾持狀態(tài)，切換到第一夾持狀態(tài)。通過在基板W的處理中反復(fù)執(zhí)行這種的動作，可以使基板W的周端面的夾持位置變化，所以可以使處理液遍布基板W的周端面的整個區(qū)域，可以在全周上進行很好的處理。
圖9是用于說明氣相清洗單元VP的結(jié)構(gòu)的圖解截面圖。氣相清洗單元VP，是單張式的處理單元，用于例如使氟酸過程干式化，以高選擇比蝕刻硅氧化膜，同時抑制有機物、無機物、顆粒附著在活化的硅表面上等的目的。
氣相清洗單元VP，在外殼241內(nèi)備有以密閉狀態(tài)貯存作為含酸的水溶液的一個例子的氟酸水溶液242的氟酸蒸氣發(fā)生容器243。在該氟酸蒸氣發(fā)生容器243的下方，設(shè)置有形成多個將氟酸蒸氣向下方放出用的通孔的沖孔板244。
在沖孔板244的下方，設(shè)置有以與沖孔板244相對的狀態(tài)而水平保持作為處理對象的基板W的加熱板245。該加熱板245固定到借助包含馬達等的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)246而圍繞垂直軸線旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)軸247的上端。
在加熱板245的平面視圖中的外方側(cè)，設(shè)置有相對于外殼241的底面241a而上下收縮的波紋管248。該波紋管248，使其上端緣與沖孔板244的周圍接觸，在將加熱板245的周緣的空間密閉而形成處理室的密閉位置(圖9中實線表示的位置)、與其上端緣退避到比加熱板245的上表面245a更靠下方的退避位置(圖9中虛線表示的位置)之間，借助圖中未示出的驅(qū)動機構(gòu)，進行伸長/收縮驅(qū)動。這樣，利用波紋管248和外殼241形成雙重結(jié)構(gòu)的處理室，提高安全性。為了更加安全，優(yōu)選采用氣體檢測系統(tǒng)，以防氟酸蒸氣的泄漏。
波紋管248的內(nèi)部空間，經(jīng)由連接到外殼241的底面241a上的排氣管249，由排氣部255排氣。該排氣部255，可以是排氣鼓風機或者噴射器等強制排氣機構(gòu)，也可以是配備在設(shè)置于該基板表面處理裝置的凈化間內(nèi)的排氣設(shè)備。
在加熱板245的側(cè)方，將基板W搬入/搬出用的搬入/搬出用開口221形成在外殼241的側(cè)壁上。在該搬入/搬出用開口221上配置有閘門238。在將基板W搬入/搬出時，使波紋管248下降到退避位置(圖9的虛線位置)，同時，打開閘門238，在基板搬送機器人11(參照圖1)和加熱板245之間交接基板W。
在氟酸蒸氣發(fā)生容器243上連接有向氟酸水溶液242的液面的上方的空間235供應(yīng)作為載氣的氮氣的氮氣供應(yīng)配管254。此外，該空間235經(jīng)由閥237，可以連接到向沖孔板244引導(dǎo)氟酸蒸氣用的氟酸蒸氣供應(yīng)路徑236上。向氟酸蒸氣供應(yīng)路徑236，經(jīng)由流量控制器(MFC)232、閥233及氮氣供應(yīng)配管234，而供應(yīng)來自氮氣供應(yīng)源231的氮氣。
此外，來自氮氣供應(yīng)源231的氮氣，經(jīng)由流量控制器252和閥253，供應(yīng)給氮氣供應(yīng)配管254。氟酸蒸氣的流量，可以用供應(yīng)給氮氣供應(yīng)配管254的氮氣(惰性氣體)的流量加以控制。從而，可以很容易且穩(wěn)定地進行供應(yīng)給基板W的氟酸蒸氣的濃度控制，可以實現(xiàn)再現(xiàn)性優(yōu)異的處理。
將貯存在氟酸蒸氣發(fā)生容器243內(nèi)的氟酸水溶液242調(diào)制成所謂的擬共氟組成的濃度(例如，在一個大氣壓，室溫(20℃)下，約39.6％)。該擬共氟組成的氟酸水溶液242，水和氟化氫的蒸發(fā)速度相等，因此，即使從閥237經(jīng)由氟酸蒸氣供應(yīng)路徑236將氟酸蒸氣引導(dǎo)到?jīng)_孔板244，氟酸蒸氣發(fā)生容器243內(nèi)的氟酸水溶液242減少，引導(dǎo)到氟酸蒸氣供應(yīng)路徑236的氟酸蒸氣的濃度也會保持不變。
在進行除去基板的表面的不需要的物質(zhì)的氣相蝕刻工序時，在使波紋管248上升到貼緊到?jīng)_孔板244的周緣的貼緊位置(圖9中的實線的位置)的同時，打開閥233、253、237。由此，在氟酸蒸氣發(fā)生容器243內(nèi)的空間235中生成的氟酸蒸氣，借助來自氟酸蒸氣供應(yīng)配管254的氮氣，經(jīng)由閥237，向氟酸蒸氣供應(yīng)路徑236中推出。該氟酸蒸氣進一步借助來自氮氣供應(yīng)配管234的氮氣，被運送到?jīng)_孔板244。然后，經(jīng)由形成在沖孔板244上的通孔，而供應(yīng)給基板W的表面上。
在基板W的表面，在基板W附近的水分子的參與下，發(fā)生蝕刻反應(yīng)，由此，將不需要的物質(zhì)從基板W上分離出去。
由氟酸蒸氣進行的蝕刻速度，在很大程度上依賴于基板W的溫度。因此，為了將基板保持在規(guī)定的溫度，加熱板245向其內(nèi)部的加熱器進行通電。
為了在基板W的平面內(nèi)進行均勻的處理，加熱板245經(jīng)由旋轉(zhuǎn)軸247，借助旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)246，以一定的速度圍繞垂直軸線旋轉(zhuǎn)。
圖10是表示上述基板處理裝置的第一個具體的結(jié)構(gòu)例的圖解平面圖。在該結(jié)構(gòu)例中，在單元配置部31～34上，配置有兩個藥液處理單元MP，和兩個擦洗清洗單元SS，即，將兩種處理單元安裝內(nèi)置于機架30上。更具體地說，兩個擦洗清洗單元SS配置在分度器部2側(cè)的單元配置部31、33上，兩個藥液處理單元MP配置在遠離分度器部2側(cè)的單元配置部32、34上。此外，在靠近單元配置部32、34的兩個藥液處理單元MP之間的處理流體箱4的位置上，配置有將利用基板搬送機器人11而從處理單元(在這里是藥液處理單元32、34)搬送的基板W表面背面翻轉(zhuǎn)的基板翻轉(zhuǎn)單元12。
圖11A、圖11B及圖11C是按工序順序表示圖10所示的第一個具體例的基板處理裝置進行的基板處理工序的圖解截面圖?；錡在該例中是半導(dǎo)體晶片。在該基板W的表面上，形成由溝槽301分離的多個元件形成區(qū)域302，在各個元件形成區(qū)域302上，形成有門303。形成該門303后的基板W的抗蝕劑剝離及清洗過程，示于圖11A～圖11C。
例如，在未處理的基板W的器件形成面Wa上，作為門303的圖形形成用的干法蝕刻的掩模而使用后的抗蝕劑305殘留在門303上。此外，在門303的側(cè)壁，或者基板W的器件形成面Wa上，附著有在干法蝕刻時的反應(yīng)生成物等殘渣(抗蝕劑殘渣聚合物)306。進而，在非器件形成面Wb上，附著干法蝕刻時的靜電卡盤痕跡(污染物質(zhì))307。
未處理的基板W由分度器機器人22從盒C中搬出，交接給基板搬送機器人11。這時，基板W呈器件形成面Wa朝向上方的水平姿勢。該姿勢的基板W由基板搬送機器人11搬入到藥液處理單元MP內(nèi)。
如圖11A所示，在藥液處理單元MP的處理室60內(nèi)，首先，從移動噴嘴95向基板W的表面供應(yīng)由SPM液構(gòu)成的抗蝕劑剝離液308，進行抗蝕劑剝離處理。即，在旋轉(zhuǎn)卡盤51被驅(qū)動旋轉(zhuǎn)的同時，移動噴嘴95沿著基板W的器件形成面Wa擺動，進而，打開硫酸閥88及過氧化氫溶液閥89，向移動噴嘴95供應(yīng)抗蝕劑剝離液308。由此，在基板W的整個面上進行抗蝕劑剝離處理。
為了除去門303上的抗蝕劑305而執(zhí)行足夠時間的抗蝕劑剝離處理后，關(guān)閉硫酸閥88及過氧化氫溶液閥89，停止抗蝕劑剝離液308的供應(yīng)，代之以打開純水供應(yīng)閥90，向基板W上供應(yīng)純水，置換基板W上的抗蝕劑剝離液。然后，關(guān)閉純水供應(yīng)閥90，使移動噴嘴95退避到旋轉(zhuǎn)卡盤51的側(cè)方。
接著，如圖11B所示，在藥液處理單元MP的處理室60內(nèi)，利用雙流體噴射噴嘴100，向基板W的表面上供應(yīng)聚合物除去液的液滴的噴流309。即，作為藥液，向雙流體噴射噴嘴100從藥液供應(yīng)閥115供應(yīng)聚合物除去液(優(yōu)選稀氟酸水溶液等無機物類液體)，進而，從惰性氣體供應(yīng)閥117供應(yīng)惰性氣體。另一方面，這時，旋轉(zhuǎn)卡盤51被旋轉(zhuǎn)驅(qū)動，同時雙流體噴射噴嘴100在從基板W的旋轉(zhuǎn)中心至周緣部的范圍內(nèi)往復(fù)擺動。雙流體噴射噴嘴100的擺動范圍，也可以是從基板W的周緣部起，通過基板W的旋轉(zhuǎn)中心，至基板W的相反側(cè)的周緣部的范圍(通過旋轉(zhuǎn)中心橫切基板W的范圍)。
通過這種處理，借助聚合物除去液的液滴的噴流，同時利用化學作用及物理作用，有效地除去基板W上的微細圖形內(nèi)的抗蝕劑殘渣。而且，在同一個處理室60內(nèi)，可以夾雜著純水漂洗處理而連續(xù)地進行抗蝕劑剝離處理及聚合物除去處理，所以在抗蝕劑剝離處理后，不需要使基板干燥。由此，可以有效地進行聚合物除去處理，而且可以縮短整個基板處理時間。此外，可以減少處理室的數(shù)目，實現(xiàn)基板處理裝置的小型化。
此外，在抗蝕劑剝離處理中，由于使用作為無機酸類的藥液，所以作為聚合物除去液最好使用無機物類的液體。由此，可以抑制無機物類的藥液與有機物類的藥液的混合。
如上所述，當抗蝕劑剝離處理結(jié)束時，關(guān)閉藥液供應(yīng)閥115及惰性氣體供應(yīng)閥117，停止向雙流體噴射噴嘴100供應(yīng)聚合物除去液，代之以打開純水供應(yīng)閥116，向雙流體噴射噴嘴100供應(yīng)純水。由此將純水的液滴的噴流供應(yīng)給基板W的器件形成面Wa上，將基板W上的聚合物除去液、以及從基板W上分離的聚合物殘渣排出到基板W之外。
然后，關(guān)閉藥液供應(yīng)閥115，使雙流體噴射噴嘴100退避到旋轉(zhuǎn)卡盤51的側(cè)方，同時使旋轉(zhuǎn)卡盤51高速旋轉(zhuǎn)，執(zhí)行將附著在基板W上的液滴甩掉的干燥處理。這時，優(yōu)選將遮擋板52下降到基板W的器件形成面Wa的附近的位置，通過從氮氣供應(yīng)通路73向基板W的器件形成面上供應(yīng)氮氣，在惰性氣體的環(huán)境中進行基板W的干燥處理。
接著，將遮擋板52引導(dǎo)到上方的退避位置，同時停止旋轉(zhuǎn)卡盤51的旋轉(zhuǎn)，利用基板搬送機器人11將基板W從藥液處理單元MP中搬出。基板搬送機器人11將該基板W搬入到基板翻轉(zhuǎn)單元12內(nèi)?；宸D(zhuǎn)單元12使搬入的基板W的上下面翻轉(zhuǎn)。即，器件形成面Wa成為下面，非器件形成面Wb成為上面。這種姿勢的基板W由基板搬送機器人11從基板翻轉(zhuǎn)單元12中搬出，搬入到擦洗清洗單元SS中。
在擦洗清洗單元SS內(nèi)，如圖11C所示，利用擦洗刷133執(zhí)行基板W的非器件形成面Wb的擦洗清洗。即在旋轉(zhuǎn)卡盤130旋轉(zhuǎn)的同時，打開純水供應(yīng)閥141，從上面純水噴嘴136向非器件形成面Wb上供應(yīng)純水。在這種狀態(tài)下，擦洗刷133以按規(guī)定的接觸壓與基板W的非器件形成表面Wb接觸的方式向基板W的旋轉(zhuǎn)中心下降，然后向基板W的周緣部擺動。當擦洗刷133到達基板W的周緣部時，離開非器件形成面Wb而上升，進而，向基板W的旋轉(zhuǎn)中心的上方移動。然后，再次向著基板W的旋轉(zhuǎn)中心下降。通過反復(fù)執(zhí)行這種動作，利用擦洗刷133，將基板W的非器件形成面Wb上的異物(在這種情況下，是靜電卡盤痕跡307)排出到基板W之外。
為了抑制異物繞到作為基板W的下面的器件形成面Wa上，優(yōu)選打開純水閥142，從下面純水噴嘴137向基板W的器件形成面Wa上供應(yīng)純水，并行地進行利用純水的液膜310覆蓋保護器件形成面Wa的漂洗處理。
圖12是表示第二個具體的結(jié)構(gòu)例的圖解平面圖。在該結(jié)構(gòu)例中，在單元配置部31～34配置有兩個藥液處理單元MP、兩個聚合物除去單元SR。即，將兩種處理單元安裝內(nèi)置于機架30內(nèi)。更具體地說，兩個聚合物除去單元SR配置在分度器部2側(cè)的單元配置部31、33上，兩個藥液處理單元MP配置在遠離分度器部2側(cè)的單元配置部32、34上。在圖12的結(jié)構(gòu)中，在靠近單元配置部32、34的兩個藥液處理單元MP之間的處理流體箱4的位置上，配置有基板翻轉(zhuǎn)單元12，但下面說明的處理中，并不一定必須設(shè)置該基板翻轉(zhuǎn)單元12。
圖13A～圖13E是按照工序順序表示圖12所示的第二個具體例的基板處理裝置進行的基板處理工序的圖解截面圖。在該圖13A～圖13E中，與上述圖11A～圖11C所示的各部分同等的部分，賦予和圖11A～圖11C的情況相同的附圖標記。在該圖13A～圖13E中，表示出形成門303后的基板W的抗蝕劑剝離及清洗過程。
將未處理的基板W利用發(fā)送器機器人22而從盒C中搬出，交接給基板搬送機器人11。這時，基板W變成器件形成面Wa朝向上方的水平姿勢。該姿勢的基板W利用基板搬送機器人11而被搬入到藥液處理單元MP中。
如圖13A所示，在藥液處理單元MP的處理室60內(nèi)，首先從移動噴嘴95向基板W的表面供應(yīng)由SPM液構(gòu)成的抗蝕劑剝離液308，進行抗蝕劑剝離處理。即，在旋轉(zhuǎn)驅(qū)動旋轉(zhuǎn)卡盤51的同時，使移動噴嘴95沿基板W的器件形成面Wa擺動，進而，打開硫酸閥88及過氧化氫溶液閥89，向移動噴嘴95供應(yīng)抗蝕劑剝離液308。由此，在基板W的整個面上進行抗蝕劑剝離處理。
在為了除去門303上的抗蝕劑305而執(zhí)行足夠時間的抗蝕劑剝離處理后，關(guān)閉硫酸閥88及過氧化氫溶液閥89，停止抗蝕劑剝離液308的供應(yīng)，代之以打開純水供應(yīng)閥90，向基板W上供應(yīng)純水，置換基板W上的抗蝕劑剝離液。即，如圖13B所示，從移動噴嘴95向基板W的器件形成面Wa(上面)上供應(yīng)純水311，進而，打開純水供應(yīng)閥68，從下面噴嘴66向基板W的非器件形成面Wb(下面)供應(yīng)純水312。由此，進行基板W的兩面的漂洗處理。
然后，關(guān)閉純水供應(yīng)閥90、68，使移動噴嘴95退避到旋轉(zhuǎn)卡盤51的側(cè)方。
然后，如圖13C所示，使遮擋板52下降到接近基板W的器件形成面Wa的位置，進而，使旋轉(zhuǎn)卡盤51及遮擋板52向相同的方向、以相同的速度同步旋轉(zhuǎn)。此外，從氮氣供應(yīng)通路73向器件形成面Wa與遮擋板52的基板相對面52a之間供應(yīng)氮氣。這樣，在惰性氣體的環(huán)境中進行基板W的旋轉(zhuǎn)干燥處理。
接著，將遮擋板52引導(dǎo)到上方的退避位置，同時停止旋轉(zhuǎn)卡盤51的旋轉(zhuǎn)，利用基板搬送機器人11，將基板W從藥液處理單元MP搬出。基板搬送機器人11將該基板W搬入到聚合物除去單元SR。
在聚合物除去單元SR，基板W將器件形成面Wa作為上面而被保持在旋轉(zhuǎn)卡盤160上。然后，令旋轉(zhuǎn)卡盤160旋轉(zhuǎn)，同時打開藥液供應(yīng)閥186及惰性氣體供應(yīng)閥182。由此，如圖13D所示，作為藥液的聚合物除去液和作為惰性氣體的氮氣在雙流體噴射噴嘴180中混合而形成混合流體，包含在該混合流體中的聚合物除去液的液滴的噴流313被供應(yīng)給基板W的器件形成面Wa。由此，利用聚合物除去液的化學作用、和液滴噴流313的物理作用的復(fù)合效果，有效地除去聚合物306。
然后，關(guān)閉藥液供應(yīng)閥186和惰性氣體供應(yīng)閥182，代之以打開純水供應(yīng)閥179，從純水噴嘴162將純水供應(yīng)到基板W的器件形成面Wa上。由此，將器件形成面Wa上的聚合物除去液置換成純水。
接著，關(guān)閉純水供應(yīng)閥179，代之以打開純水供應(yīng)閥187及惰性氣體供應(yīng)閥182。由此，如圖13E所示，執(zhí)行利用由雙流體噴射噴嘴180生成的純水的液滴噴流315進行的物理清洗處理。在這種狀態(tài)下，使雙流體噴射噴嘴180在從基板W的旋轉(zhuǎn)中心起至周緣部的范圍內(nèi)往復(fù)擺動。雙流體噴射噴嘴180的擺動范圍，也可以是從基板W的周緣部起，通過基板W的旋轉(zhuǎn)中心，至基板W的相反側(cè)的周緣部的范圍(通過旋轉(zhuǎn)中心而橫切基板W的范圍)。
然后，關(guān)閉純水供應(yīng)閥187和惰性氣體供應(yīng)閥182，使雙流體噴射噴嘴180退避到旋轉(zhuǎn)卡盤160的側(cè)方，同時使旋轉(zhuǎn)卡盤160高速旋轉(zhuǎn)，執(zhí)行甩掉附著在基板W上的液滴的干燥處理。
在聚合物除去單元SR，也可以如藥液處理單元MP的情況那樣配備遮擋板。在配備遮擋板的情況下，優(yōu)選在使該遮擋板下降到接近器件形成面Wa的位置的同時，向該遮擋板與基板W的器件形成面Wa之間供應(yīng)惰性氣體，從而在惰性氣體的環(huán)境中進行基板W的干燥處理。
當干燥處理結(jié)束時，停止旋轉(zhuǎn)卡盤160的旋轉(zhuǎn)，利用基板搬送機器人11將基板W從聚合物除去單元SR搬出，交接給分度器機器人22，容納到盒C中。
這樣，在本實施形式中，在藥液處理單元MP的處理室60內(nèi)進行抗蝕劑剝離處理，將這種抗蝕劑剝離處理后的基板搬入到聚合物除去單元SR中，在其處理室155內(nèi)進行聚合物除去處理。因此，通過在藥液處理單元MP的抗蝕劑剝離處理而從基板W上剝離的大量的抗蝕劑，不會對其后的聚合物除去處理產(chǎn)生影響。即，當在處理室60內(nèi)進行抗蝕劑剝離處理和聚合物除去處理兩者時，在抗蝕劑剝離處理中產(chǎn)生的大量的抗蝕劑附著在處理室60的內(nèi)壁上，它們在聚合物除去處理中或者之后的旋轉(zhuǎn)干燥處理中脫落而再次附著到基板W上，有可能造成基板W的再污染。這種問題可以通過本實施形式的結(jié)構(gòu)加以解決，可以從基板W上精密地除去抗蝕劑和聚合物。
此外，如果有必要除去基板W的非器件形成面Wb側(cè)的靜電卡盤痕跡等污染的話，例如在藥液處理單元MP中，可以從下面噴嘴66向非器件形成面Wb供應(yīng)蝕刻液(清洗液，例如，氟酸和過氧化氫溶液的混合液)。
圖14是表示第三個具體的結(jié)構(gòu)例的圖解平面圖。在該結(jié)構(gòu)例中，在單元配置部31～34上，配置兩個聚合物除去單元SR、和兩個擦洗清洗單元SS。即，在機架30中安裝內(nèi)置兩種處理單元。更具體地說，兩個擦洗處理單元SS配置在分度器部2側(cè)的單元配置部31、33上，兩個聚合物除去單元SR配置在遠離分度器部2側(cè)的單元配置部32、34上。此外，在靠近單元配置部32、34的兩個聚合物除去單元SR之間的處理流體箱4的位置上，配置把利用基板搬送機器人11從處理單元(這里為聚合物除去單元)中搬送的基板W進行表面背面翻轉(zhuǎn)的基板翻轉(zhuǎn)單元12。
圖15A、圖15B及圖15C是按工序順序表示圖14所示的第三個具體例的基板處理裝置進行的基板處理工序的圖解截面圖。在該例中，基板W為半導(dǎo)體晶片。在基板W上形成半導(dǎo)體器件，進而形成多層配線層320。在該多層配線層320中，例如包括銅配線321、作為層間絕緣膜的低介電常數(shù)膜(比氧化硅的介電常數(shù)低，所謂low-k膜)322。在銅配線321上的規(guī)定位置形成有層間連接用的開口323。在圖15A、圖15B及圖15C中，表示出這樣的工序剝離用于形成開口323的干法蝕刻處理中作為掩模使用的抗蝕劑之后，除去殘留在基板W上的抗蝕劑殘渣326。即，在基板W的器件形成面Wa上殘留有抗蝕劑殘渣326。另外，在基板W的非器件形成面Wb上附著有作為來自干法蝕刻處理時使用的靜電卡盤的污染物質(zhì)的靜電卡盤痕跡327。
將未處理的基板W利用分度器機器人22從盒C中搬出，交接給基板搬送機器人11。這時，基板W成為器件形成面Wa朝向上方的水平的姿勢。這種姿勢的基板W利用基板搬送機器人11而搬入到聚合物除去單元SR內(nèi)。
在聚合物除去單元SR中，基板W以器件形成面Wa為上面而保持在旋轉(zhuǎn)卡盤160上。然后，如圖15A所示，在使旋轉(zhuǎn)卡盤160旋轉(zhuǎn)的同時，打開藥液供應(yīng)閥177，將作為藥液的聚合物除去液328從藥液噴嘴161供應(yīng)給基板W的器件形成面Wa。由此，聚合物除去液散布在基板W的整個區(qū)域上，除去抗蝕劑殘渣326，或者，減弱它們在基板W上的附著力。此外，聚合物除去液的供應(yīng)也可以由雙流體噴射噴嘴180進行。
然后，如圖15B所示，關(guān)閉藥液供應(yīng)閥177，代之以打開純水供應(yīng)閥179，從純水噴嘴162向基板W的器件形成面Wa供應(yīng)純水。由此，將器件形成面Wa上的聚合物除去液置換成純水325。
接著，關(guān)閉純水供應(yīng)閥179，如圖15C所示，執(zhí)行利用雙流體噴射噴嘴180的物理清洗處理。即，通過打開純水供應(yīng)閥181和惰性氣體供應(yīng)閥182，從雙流體噴射噴嘴180向基板W的器件形成面Wa供應(yīng)純水的液滴的噴流329。在這種狀態(tài)下，雙流體噴射噴嘴180在從基板W的旋轉(zhuǎn)中心至周緣部的范圍內(nèi)往復(fù)擺動。雙流體噴射噴嘴180的擺動范圍也可以是從基板W的周緣部起，通過基板W的旋轉(zhuǎn)中心，至基板W的相反側(cè)的周緣部的范圍(通過旋轉(zhuǎn)中心而橫切基板W的范圍)。
這樣，將借助聚合物除去液的作用而減弱了附著力的抗蝕劑殘渣326從基板W上排除。特別是，附著在微細的層間連接用開口323的內(nèi)壁上的抗蝕劑殘渣326，僅用來自藥液噴嘴161的聚合物除去液328的供應(yīng)，難以被除去，但借助雙流體噴射噴嘴180進行的物理清洗，可以有效地將所述殘渣排除到基板W之外。
然后，關(guān)閉純水供應(yīng)閥181和惰性氣體供應(yīng)閥182，使雙流體噴射噴嘴180退避到旋轉(zhuǎn)卡盤160的側(cè)方，同時使旋轉(zhuǎn)卡盤160高速旋轉(zhuǎn)，執(zhí)行甩掉附著在基板W上的液滴的干燥處理。
在聚合物除去單元SR中，也可以像藥液處理單元MP那樣配備遮擋板。在配備遮擋板的情況下，優(yōu)選使該遮擋板下降到接近器件形成面Wa的位置，同時通過向該遮擋板與基板W的器件形成面Wa之間供應(yīng)惰性氣體，在惰性氣體的環(huán)境中進行基板W的干燥處理。
當干燥處理結(jié)束時，停止旋轉(zhuǎn)卡盤160的旋轉(zhuǎn)，利用基板搬送機器人11將基板W從聚合物除去單元SR搬出?；灏崴蜋C器人11將該基板W搬入到基板翻轉(zhuǎn)單元12?；宸D(zhuǎn)單元12將所搬入的基板W的上下面翻轉(zhuǎn)。即，器件形成面Wa成為下面，非器件形成面Wb成為上面。這種姿勢的基板W由基板搬送機器人11從基板翻轉(zhuǎn)單元12中搬出，搬入到擦洗清洗單元SS內(nèi)。
在擦洗清洗單元SS內(nèi)的處理，由于和參照上述的圖11C說明的處理實質(zhì)上相同，所以省略其說明。
圖16是表示上述基板處理裝置的第四個具體的結(jié)構(gòu)例的圖解平面圖。在該結(jié)構(gòu)例中，在單元配置部31～34中，配置兩個聚合物除去單元SR、兩個剖口清洗單元CB。即，將兩種處理單元安裝內(nèi)置于機架30上。更具體地說，兩個剖口清洗單元CB配置在分度器部2側(cè)的單元配置部31、33上，兩個聚合物除去單元SR配置在遠離分度器部2側(cè)的單元配置部32、34上。
在該第四個具體例的基板處理裝置中，進行與上述第三個具體例的裝置的情況相同的目的的處理，在聚合物除去單元SR的處理中，如上述圖15A、圖15B及圖15C所示相同。
在該第四個具體例的基板處理裝置中，在聚合物除去單元SR的處理結(jié)束后的基板W，由基板搬送機器人11搬出，保持器件形成面Wa朝向上方的姿勢不變(即，不經(jīng)過利用基板翻轉(zhuǎn)單元12進行的翻轉(zhuǎn)處理)，搬入到剖口清洗單元CB中。即，在這結(jié)構(gòu)例的情況下，不一定必須設(shè)置基板翻轉(zhuǎn)單元12。
圖17是用于說明在剖口清洗單元CB的處理的圖解截面圖。在該圖17中，對于和圖15A、圖15B及圖15C所示的各個部分相同的部分，賦予和圖15A、圖15B及圖15C相同的附圖標記?；錡以器件形成面Wa朝上的姿勢保持在旋轉(zhuǎn)卡盤51上而進行旋轉(zhuǎn)。然后，使遮擋板52接近基板W的器件形成面Wa，與旋轉(zhuǎn)卡盤51沿相同的方向以相同的速度同步旋轉(zhuǎn)。與此同時，從氮氣供應(yīng)通路73向器件形成面Wa與遮擋板52的基板相對面52a之間吹出氮氣。
另一方面，打開藥液供應(yīng)閥67，從下面噴嘴66向基板W的非器件形成面Wb的中央供應(yīng)作為藥液的蝕刻液(清洗液例如氟酸和過氧化氫溶液的混合液)330。該蝕刻液330順著基板W的非器件形成面Wb向旋轉(zhuǎn)半徑方向的外方擴展，處理非器件形成面Wb的整個區(qū)域，進而順著基板W的周端面到達基板W的器件形成面Wa的周緣部，也處理這些區(qū)域。由此，排除附著在非器件形成面Wb上的異物(靜電卡盤痕跡327等)。
在基板W的旋轉(zhuǎn)中，如上所述，通過改變夾持部件64的夾持位置，可以清洗基板W的周端面的全部區(qū)域。
接著，關(guān)閉藥液供應(yīng)閥67，停止蝕刻液的供應(yīng)之后，打開純水供應(yīng)閥68，從下面噴嘴66噴出純水。由此，從基板W的非器件形成面Wb、周端面及器件形成面的周緣部排除蝕刻液。這時，也可以從處理液噴嘴72排出純水，并行地進行對基板W的器件形成面Wa的純水漂洗處理。
然后，關(guān)閉純水供應(yīng)閥68，停止對基板W的純水的供應(yīng)，同時使旋轉(zhuǎn)卡盤51高速旋轉(zhuǎn)，進行甩掉基板W上的液滴而進行干燥的干燥處理。這時，遮擋板52保持在接近基板W的器件形成面Wa的位置，阻止彈回造成的液滴附著。
如圖15A、圖15B及圖15C以及圖17所示的處理那樣，對于形成了低介電常數(shù)膜322的基板W利用處理液進行處理之后，優(yōu)選對該基板W執(zhí)行減壓干燥處理。這是因為，一般Low-k(低介電常數(shù))材料為多孔質(zhì)的，大多易于吸濕，此外，在蝕刻或拋光時，內(nèi)部有可能吸入氣體而使介電常數(shù)發(fā)生變化，從而，有使器件特性惡化的危險性。進入到該內(nèi)部的液體和氣體，難以僅用旋轉(zhuǎn)干燥處理清除。
因此，在本實施形式的基板處理裝置中，在單元配置部31～34的上方，設(shè)置有用于配置減壓加熱干燥單元用的單元配置部(圖中未示出)。減壓干燥單元包括加熱基板W用的加熱板；容納該加熱板的加熱處理室；將該加熱處理室排氣使之減壓的排氣機構(gòu)。利用這種減壓加熱干燥單元，通過一面同時進行加熱和減壓而一面使基板干燥，從而使進入到多孔質(zhì)結(jié)構(gòu)的內(nèi)部的殘留物(特別是液體)蒸發(fā)而將其排除，可以保持低介電常數(shù)膜322的介電常數(shù)不變。
圖18是表示第五個具體的結(jié)構(gòu)例的平面圖。在該結(jié)構(gòu)例中，在單元配置部31～34上配置有兩個藥液處理單元MP、兩個氣相清洗單元VP。即，將兩種處理單元安裝內(nèi)置于機架30中。更具體地說，兩個藥液處理單元MP配置在分度器部2側(cè)的單元配置部31、33上，兩個氣相清洗單元VP配置在遠離分度器部2側(cè)的單元配置部32、34上。
圖19A～圖19D是按工序順序表示圖18所示的第五個具體例的基板處理裝置進行的基板處理工序的圖解截面圖。在該例中，基板W是半導(dǎo)體晶片。在基板W的器件形成面Wa上，疊層形成門氧化膜331、氮化膜332及BPSG膜333。在基板W的整個面上疊層形成這些膜之后，在BPSG膜333上形成抗蝕劑圖形，利用該抗蝕劑圖形，BPSG膜333如圖19A所示進行圖形形成。然后，通過將形成圖形的BPSG膜333作為掩模進行干法蝕刻處理，從而將氮化膜332及門氧化膜331形成圖形，同時在基板W上形成元件分離用的溝槽335。在基板W上也存在干法蝕刻時的反應(yīng)生成物。圖19A～圖19D所示的處理，是一種在將對門氧化膜331的影響(特別是側(cè)蝕刻)抑制到最小限度的同時、選擇性從基板W上除去BPSG膜333及反應(yīng)生成物336用的選擇性蝕刻過程。
未處理的基板W利用分度器機器人22而從盒C中搬出，交接給基板搬送機器人11。這時，基板W呈器件形成面Wa朝向上方的水平姿勢。這種姿勢的基板W借助基板搬送機器人11而被搬入到氣相清洗單元VP內(nèi)。
在氣相清洗單元VP中，如圖19A所示，將基板W以器件形成面Wa朝上地置于加熱板245上，在加熱基板W的狀態(tài)下，向基板W供應(yīng)氟酸的蒸氣337?？刂萍訜岚?45，通過將基板W的溫度調(diào)整到獲得相對于門氧化膜331的BPSG膜333的高的蝕刻選擇比(例如，100對1)的溫度，可以將對門氧化膜331的損傷(特別是側(cè)蝕刻)抑制到最低限度，同時將BPSG膜333除去。
進行利用氟酸的蒸氣進行的選擇蝕刻處理，直到完全將BPSG膜333除去之后，基板搬送機器人11將基板W從氣相清洗單元VP中搬出，保持該姿勢不變(即，不經(jīng)過基板翻轉(zhuǎn)單元12的翻轉(zhuǎn)處理)，將該基板W搬入到藥液處理單元MP中。在藥液處理單元MP中，進行將利用氟酸的蒸氣進行的選擇蝕刻處理未能除去的反應(yīng)生成物336(特別是溝槽335內(nèi)的反應(yīng)生成物)除去的處理。
如圖19B所示，在藥液處理單元MP中，首先進行利用雙流體噴射噴嘴100的物理清洗處理。這時，對雙流體噴射噴嘴100供應(yīng)來自純水供應(yīng)閥116的純水和來自惰性氣體供應(yīng)閥117的惰性氣體。從而，雙流體噴射噴嘴100朝向基板W的器件形成面Wa供應(yīng)純水的液滴的噴流338。這時，使保持基板W的旋轉(zhuǎn)卡盤51旋轉(zhuǎn)，同時使雙流體噴射噴嘴100以在基板W的旋轉(zhuǎn)中心和周緣部之間往復(fù)移動的方式擺動。雙流體噴射噴嘴100的擺動范圍可以是從基板W的周緣部起，通過基板W的旋轉(zhuǎn)中心，至基板W的相反側(cè)的周緣的范圍(通過旋轉(zhuǎn)中心而橫切基板W的范圍)。
這樣，借助純水的液滴的噴流產(chǎn)生的物理力，將附著在基板W的器件形成面Wa(特別是溝槽335的內(nèi)壁)上的反應(yīng)生成物從基板W上剝離，將其排除到基板W之外。
然后，關(guān)閉純水供應(yīng)閥116和惰性氣體供應(yīng)閥117，使雙流體噴射噴嘴100退避到旋轉(zhuǎn)卡盤51的側(cè)方之后，進行基板W的純水清洗處理。
即，如圖19C所示，打開純水供應(yīng)閥90，從移動噴嘴95向基板W的器件形成面Wa(上面)上供應(yīng)純水339，進而打開純水供應(yīng)閥68，從下面噴嘴66向基板W的非器件形成面Wb(下面)供應(yīng)純水340。由此，進行基板W的兩面漂洗處理。
然后，關(guān)閉純水供應(yīng)閥90、68，使移動噴嘴95退避到旋轉(zhuǎn)卡盤51的側(cè)方。
然后，如圖19D所示，將遮擋板52下降到接近基板W的器件形成面Wa的位置，進而使旋轉(zhuǎn)卡盤51和遮擋板52沿相同的方向、以同樣的高速度同步旋轉(zhuǎn)。此外，從氮氣供應(yīng)通路73向器件形成面Wa與遮擋板52的基板相對面52a之間供應(yīng)氮氣。這樣，在惰性氣體的環(huán)境中進行基板W的旋轉(zhuǎn)干燥處理。
在基板W的器件形成面Wa上，門氧化膜331、氮化膜332及基板W本身的表面露出，親水性部分及憎水性部分混合存在，成為易于生成水跡的狀態(tài)。即使在這種狀態(tài)下，通過在惰性氣體的環(huán)境中的旋轉(zhuǎn)干燥，也能夠進行不會生成水跡的良好的干燥處理。
此外，在圖19A所示的氣相清洗處理之后，在借助圖19B所示的雙流體噴射噴嘴100進行的物理清洗處理之前，也可以追加圖19C所示的純水清洗處理。這樣的話，可以借助這種純水清洗處理，迅速地使圖19A的氣相清洗處理停止，可以在器件形成面Wa內(nèi)均勻地進行氣相清洗處理。
以上對本發(fā)明的實施形式進行了說明，但本發(fā)明也可以進一步利用其它的形式加以實施。例如，裝配到單元配置部31～34的處理單元的組合，也可以是除上面所述的之外的組合，在利用各個處理單元能夠?qū)嵤┑奶幚淼慕M合的范圍內(nèi)，可以進行任意組合。利用上述處理單元能夠?qū)嵤┑奶幚?，匯總表示在下面的表1中。
表1

在表1中，F(xiàn)EOL(Front End of the Line)表示半導(dǎo)體制造工藝中的前面的工序(直到第一層金屬配線層的工序)。此外，BEOL(Back End of the Line)，表示在上述前面的工序之后，形成多層配線層的工序。例如，在FEOL中的背面蝕刻，是在利用CVD(化學氣相生長)法形成多晶硅膜或氮化硅膜時，選擇性地除去附著在非器件形成面(背面)上的這些膜的處理。與此相對，在BEOL中的背面蝕刻，例如是在形成配線用的銅薄膜之后，選擇性地除去附著在非器件形成面(背面)上的不需要的銅薄膜的處理。
此外，所謂成膜前的清洗處理，是指在基板W上覆膜之前的清洗，所謂擴散前的清洗，是指在為了使基板W內(nèi)注入的雜質(zhì)離子的擴散所進行的熱處理之前的清洗。在這些清洗處理中，例如使用氟酸、SC1(氨和過氧化氫的混合液)、SC2(鹽酸和過氧化氫溶液的混合液)等藥液。
此外，CMP(化學機械拋光)表示化學機械研磨處理。進而，高精度蝕刻，是指門氧化膜的蝕刻等要求高精度的平面內(nèi)均勻性的蝕刻處理。此外，晶片再生，是指在配線錯誤等不適當?shù)那闆r下，剝離形成在表面上的結(jié)構(gòu)，再次利用半導(dǎo)體晶片的處理。
進而，在上述實施形式中，對于利用兩種處理單元的情況進行了說明，但是，例如，也可以像聚合物除去單元SR、剖口清洗單元CB及擦洗清洗單元SS這樣，將三種處理單元組合。在這種情況下的處理，例如在聚合物除去單元SR中除去基板W的器件形成面的抗蝕劑殘渣，接著，在剖口清洗單元CB中除去基板W的非器件形成面及周端面的金屬污染，然后，利用基板翻轉(zhuǎn)單元12使基板W的上下面翻轉(zhuǎn)，之后在擦洗清洗單元SS中進行基板W的器件形成面的擦洗清洗處理。不言而喻，也可以將四種處理單元組合，只要在機架30內(nèi)設(shè)置五個單元配置部的話，也可以進行五種處理單元的組合。
此外，在上述實施形式中，對于在機架30內(nèi)設(shè)置四個單元配置31～34的情況進行了說明，但單元配置部至少有兩個即可，其個數(shù)沒有其它的限制。
上面對于本發(fā)明的實施形式進行了詳細說明，但它們只不過是用作了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容的具體的例子，不能理解為本發(fā)明僅限于這些具體例子，本發(fā)明的精神及范圍僅由權(quán)利要求書加以限定。
本申請對應(yīng)于2003年12月2日向日本專利局提交的特愿2003-403575號及2004年3月26日向日本專利局提交的特愿2004-93487號，該申請的全部公開內(nèi)容在這里均加以引用。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，包括下面所述的處理單元中的至少兩種處理單元藥液處理單元，其利用基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)保持基板并使之旋轉(zhuǎn)，同時向該基板供應(yīng)來自藥液噴嘴的藥液，對該基板進行處理；擦洗清洗單元，其利用基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)保持基板并使之旋轉(zhuǎn)，向該基板供應(yīng)純水，同時以擦洗刷擦洗基板表面；聚合物除去單元，其利用基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)保持基板并使之旋轉(zhuǎn)，同時向該基板供應(yīng)聚合物除去液，除去該基板上的殘渣物；周端面處理單元，其利用基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)保持基板并使之旋轉(zhuǎn)，同時向該基板的包含一個面的整個區(qū)域及周端面的區(qū)域供應(yīng)處理液，選擇性地除去該區(qū)域的不需要的物質(zhì)；氣相處理單元，其向基板保持機構(gòu)所保持的基板供應(yīng)包含藥液的蒸氣或包含化學氣體的蒸氣，對該基板進行處理，以及基板搬送機構(gòu)，其對這些至少兩種的處理單元進行基板的搬入/搬出。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，還包括翻轉(zhuǎn)處理單元，其使利用上述基板搬送機構(gòu)而從上述至少兩種的處理單元中的一個處理單元搬送來的基板的表面和背面翻轉(zhuǎn)。
3.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，上述至少兩種的處理單元包括上述擦洗清洗單元，該擦洗清洗單元對通過上述翻轉(zhuǎn)處理單元而被翻轉(zhuǎn)后的基板表面進行擦洗清洗。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，上述至少兩種的處理單元包括上述藥液處理單元和上述擦洗清洗單元。
5.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，上述至少兩種的處理單元包括上述藥液處理單元和上述聚合物除去單元。
6.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，上述藥液處理單元的藥液噴嘴包括供應(yīng)抗蝕劑剝離液的噴嘴，該抗蝕劑剝離液用于剝離由上述基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)保持的基板的表面的抗蝕劑膜。
7.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，上述至少兩種的處理單元包括上述擦洗清洗單元和上述聚合物除去單元。
8.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，上述至少兩種的處理單元包括上述聚合物除去單元和周端面處理單元。
9.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，上述至少兩種的處理單元包括上述藥液處理單元及上述氣相處理單元。
10.如權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，上述藥液處理單元還包括液滴噴流供應(yīng)部，其對上述基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)所保持的基板供應(yīng)處理液的液滴的噴流。
11.一種基板處理方法，包括下述工序中的至少兩個工序藥液處理工序，向通過基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)而被保持并旋轉(zhuǎn)的基板供應(yīng)藥液，對該基板進行處理；擦洗清洗工序，向通過基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)而被保持并旋轉(zhuǎn)的基板供應(yīng)純水，同時以擦洗刷對該基板表面進行擦洗，從而除去基板表面的異物；聚合物除去工序，向通過基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)而被保持并旋轉(zhuǎn)的基板供應(yīng)聚合物除去液，除去該基板上的殘渣物；周端面處理工序，向通過基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)而被保持并旋轉(zhuǎn)的基板的包含一個面的整個區(qū)域以及周端面的區(qū)域供應(yīng)處理液，選擇性地除去該區(qū)域的不需要的物質(zhì)；氣相處理工序，向基板保持機構(gòu)所保持的基板供應(yīng)包含藥液的蒸氣或包含化學氣體的蒸氣，對該基板進行處理。
12.如權(quán)利要求11所述的基板處理方法，其特征在于，上述至少兩個工序，不將上述基板容納到可容納多個基板的容納容器中，經(jīng)由搬送基板的基板搬送工序而連續(xù)地執(zhí)行。
13.如權(quán)利要求11所述的基板處理方法，其特征在于，在上述至少兩個工序之間還包括將基板的表面和背面翻轉(zhuǎn)的翻轉(zhuǎn)處理工序。
14.如權(quán)利要求12所述的基板處理方法，其特征在于，在上述至少兩個工序之間還包括將基板的表面和背面翻轉(zhuǎn)的翻轉(zhuǎn)處理工序。
15.如權(quán)利要求13所述的基板處理方法，其特征在于，在上述翻轉(zhuǎn)處理工序后進行上述擦洗清洗工序，對上述基板的作為與器件形成面相反的面的非器件形成面進行擦洗清洗處理。
16.如權(quán)利要求14所述的基板處理方法，其特征在于，在上述翻轉(zhuǎn)處理工序后進行上述擦洗清洗工序，對上述基板的作為與器件形成面相反的面的非器件形成面進行擦洗清洗處理。
17.如權(quán)利要求11至16中任一項所述的基板處理方法，其特征在于，上述至少兩個工序包括上述藥液處理工序及上述擦洗清洗工序，在上述藥液處理工序中，進行對上述基板的器件形成面的藥液處理，在上述擦洗清洗工序中，對上述基板的作為與器件形成面相反的面的非器件形成面進行擦洗清洗處理。
18.如權(quán)利要求11至16中任一項所述的基板處理方法，其特征在于，上述至少兩個工序包括上述藥液處理工序及上述聚合物除去工序，在上述藥液處理工序中，對上述基板的器件形成面供應(yīng)藥液而進行藥液處理，在上述聚合物除去工序中，對上述基板的器件形成面進行聚合物除去處理。
19.如權(quán)利要求18所述的基板處理方法，其特征在于，上述藥液處理工序包括通過將抗蝕劑剝離液作為上述藥液而供應(yīng)給上述基板的器件形成面，剝離上述器件形成面的抗蝕劑膜的工序。
20.如權(quán)利要求11至16中任一項所述的基板處理方法，其特征在于，上述至少兩個工序包括上述擦洗清洗工序及上述聚合物除去工序，在上述聚合物除去工序中，對上述基板的器件形成面進行聚合物殘渣除去處理，在上述擦洗清洗工序中，對上述基板的作為與器件形成面相反的面的非器件形成面進行擦洗清洗處理。
21.如權(quán)利要求11至16中任一項所述的基板處理方法，其特征在于，上述至少兩個工序包括上述聚合物除去工序及上述周端面處理工序，在上述聚合物除去工序中，對上述基板的器件形成面進行聚合物除去處理，在上述周端面處理工序中，選擇性地除去上述基板的作為與器件形成面相反的面的非器件形成面及周端面的不需要的物質(zhì)。
22.如權(quán)利要求11至16中任一項所述的基板處理方法，其特征在于，上述至少兩個工序包括上述氣相處理工序及上述藥液處理工序，在上述氣相處理工序中，選擇性地蝕刻上述基板的器件形成面的薄膜，在上述藥液處理工序中，進行對上述基板的器件形成面的藥液處理。
23.如權(quán)利要求22所述的基板處理方法，其特征在于，在上述藥液處理工序中，向上述器件形成面供應(yīng)處理液的液滴的噴流。
24.一種基板處理裝置，包括基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，其保持基板并使之旋轉(zhuǎn)；抗蝕劑剝離液噴嘴，其向通過該基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)而被保持并旋轉(zhuǎn)的處理對象的基板供應(yīng)抗蝕劑剝離液；聚合物除去液噴嘴，其向通過上述基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)而被保持并旋轉(zhuǎn)的處理對象的基板供應(yīng)聚合物除去液。
25.如權(quán)利要求24所述的基板處理裝置，其特征在于，上述聚合物除去液噴嘴是供應(yīng)無機物類的聚合物除去液的噴嘴。
26.一種基板處理方法，包括基板保持旋轉(zhuǎn)工序，利用處理室內(nèi)所配置的基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)在保持基板的同時使之旋轉(zhuǎn)；抗蝕劑剝離工序，向通過該基板保持旋轉(zhuǎn)工序而被保持并旋轉(zhuǎn)的基板的表面供應(yīng)抗蝕劑剝離液，剝離基板上的抗蝕劑膜；聚合物除去工序，在該抗蝕劑剝離工序之后，向由上述基板保持工序所保持的基板的表面供應(yīng)聚合物除去液。
27.如權(quán)利要求26所述的基板處理方法，其特征在于，上述聚合物除去工序包括向基板供應(yīng)無機物類的聚合物除去液的工序。
全文摘要
基板處理裝置，含至少兩種單元、對至少兩種單元進行基板搬入/搬出的基板搬送機構(gòu)。至少兩種單元可從下述單元選擇藥液處理單元，用基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)保持基板并使之旋轉(zhuǎn)，并向基板供應(yīng)藥液，處理基板；擦洗清洗單元，用基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)保持基板并使之旋轉(zhuǎn)，向基板供應(yīng)純水，并以擦洗刷擦洗基板表面；聚合物除去單元，用基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)保持基板并使之旋轉(zhuǎn)，并向基板供應(yīng)聚合物除去液，除去基板上殘渣物；周端面處理單元，用基板保持旋轉(zhuǎn)機構(gòu)保持基板并使之旋轉(zhuǎn)，并向基板的含一個面整個區(qū)域及周端面的區(qū)域供應(yīng)處理液，選擇除去該區(qū)域不需要物質(zhì)；氣相處理單元，向基板保持機構(gòu)保持的基板供應(yīng)含藥液的蒸氣或含化學氣體的蒸氣，處理基板。
文檔編號H01L21/00GK1624871SQ20041009805
公開日2005年6月8日 申請日期2004年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月2日
發(fā)明者荒木浩之 申請人:大日本網(wǎng)目版制造株式會社