專利名稱：有機電致發(fā)光顯示器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光顯示器，特別是涉及一種有機發(fā)光裝置形成于一凹槽結構內的有機電致發(fā)光顯示器。
背景技術：
一般來說，電致發(fā)光顯示器是一種由電激發(fā)熒光化合物發(fā)光的自發(fā)光顯示器。這些顯示器作為下一代顯示器吸引注意力，它克服了液晶顯示器(LCD)中有關視角和響應時間的缺陷。它們還可以以較低的電壓驅動，并能制作得比液晶顯示器薄。
電致發(fā)光顯示器根據(jù)組成發(fā)光層的材料是無機化合物還是有機化合物可分為無機或有機電致發(fā)光顯示器。
有機電致發(fā)光顯示器可具有一形成于例如玻璃的透明基底上的有機層，以及形成在有機層的上部和下部上的多個電極層。
如上所述的有機電致顯示器，當電極上施加陽極和陰極電壓，空穴(作為移動的正電荷載流子)從陽極注入，它們通過空穴傳輸層(HTL)移動到發(fā)光層(EML)，另外電子從陰極注入，并且它們經(jīng)由電子傳輸層(ETL)移動到發(fā)光層。電子和空穴在EML層結合產生激子，當激子從受激態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)，發(fā)光層上的熒光分子發(fā)光，從而形成圖像。
有源矩陣(AM)有機電致發(fā)光顯示器包括每個像素至少兩個薄膜晶體管(TFT)，一個TFT用來驅動像素，另一個用來控制像素的操作。典型的TFT由帶有高密度摻雜物的漏極區(qū)域和源極區(qū)域以及形成在柵極絕緣層上的柵極組成，半導體有源層有一個在漏極和源極區(qū)域之間定義的通道區(qū)域。柵極絕緣層通常形成于半導體有源層上，柵極通常形成于有源層的通道區(qū)域上。
將參考圖1對常用的有機電致發(fā)光顯示器進行描述，圖1示出使用無機鈍化層的常用有機電致發(fā)光顯示器的橫剖視圖。
參考圖1，TFT形成于下絕緣基底110上，該TFT由有源層111，柵極112和源/漏極113S和113D組成，并且與作為陽極的第一電極114電耦合。
第一電極114通常通過沉積一層例如銀或鋁這種有較好的反射率的金屬而形成，并且沉積和構圖一種有高功函數(shù)的透明導電材料例如ITO(氧化銦錫)或氧化銦鋅(IZO)，從而形成帶有反射層的透明陽極。
然后像素定義層115形成在下絕緣基底110的整個表面上，并且被構圖以形成開口115a，從而部分顯露第一電極的一部分。
接著有機發(fā)光層116形成在開口115a上。
在形成了有機發(fā)光層116之后，作為陰極的第二電極117形成在下絕緣基底110的整個表面上。因此有機發(fā)光裝置(OLED)得以形成，其包括第一電極114、有機發(fā)光層116和第二電極117。
第二電極117可以通過鍍一層例如鋁、鈣或鎂這種有低功函數(shù)的金屬而形成，并且沉積上一層透明例如ITO(氧化銦錫)或IZO(氧化銦鋅)導電材料。
然后第二鈍化層118形成于基底整個表面之上。
最后，上絕緣基底120用來封裝有TFT和OLED的下絕緣基底。
在上絕緣基底120和第二鈍化層118之間的空間119充滿了一種氣體，例如氮氣(N2)或氬氣(Ar)，或可以是真空，有機層通過沉積一層折射率為1.5的透明有機材料而形成。
然而如上述構成的頂部發(fā)光的有機電致發(fā)光顯示器至少有25％的光損失，因為當有機發(fā)光層產生的光輻射升高時，光線在第二鈍化層118和有機層119之間或在第二鈍化層118和充滿氮氣的空間119之間的交界處被反射，因此僅有產生光的20％作為可視圖像被傳送。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明旨在提供一種有機電致發(fā)光顯示器，從而充分地消除一個或多個由于相關領域中的局限和缺點而造成的問題。
本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光顯示器，能通過在凹槽結構中形成的有機發(fā)光裝置來改善發(fā)光效率和亮度。
本發(fā)明的其它特點將在說明書下面的部分進行描述，根據(jù)說明部分將很明顯，或可以從本發(fā)明的實施中領會到。
本發(fā)明公開了一種有機電致發(fā)光顯示器，其由提供一開口的像素定義層、以凹槽結構形成于像素定義層的開口上的第一電極層、形成在第一電極上的有機發(fā)光層和第二電極組成。有機發(fā)光層在第一電極中形成為凹形，因此第一電極圍繞著有機發(fā)光層。
本發(fā)明還公開了一種有機電致發(fā)光顯示器，其由提供一開口的像素定義層、形成于凹槽結構中的像素定義層的開口上的第一電極層、提供帶有用于顯露部分第一電極的開口的絕緣層、形成在絕緣層的開口之上的有機發(fā)光層和第二電極組成。有機發(fā)光層在第一電極中形成為凹形，因此第一電極圍繞著有機發(fā)光層。
本發(fā)明還公開了一種有機電致發(fā)光顯示器，其由薄膜晶體管、覆蓋薄膜晶體管和裝有一定深度的凹槽部分的絕緣層、覆蓋絕緣層的凹槽部分且電連接于薄膜晶體管而形成的第一電極，以及第二電極組成。有機層置于第一和第二電極之間，其具有一發(fā)光層，且設置于凹槽部分的底部上。
以上概述和以下詳述都可以理解為是示范性的和解釋性的，并且根據(jù)權利要求為本發(fā)明提供進一步的解釋。


為了提供對本發(fā)明進一步的理解，包括的附圖被合并并且組成說明書的一部分來說明本發(fā)明的實施例，以及和說明書一起來解釋本發(fā)明的原理。
圖1是現(xiàn)有的有機電致發(fā)光顯示器的橫剖視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的有機電致發(fā)光顯示器的平面圖；圖3示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的一種有機電致發(fā)光顯示器；圖4示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的一種有機電致發(fā)光顯示器；圖5A和圖5B示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的一種有機電致發(fā)光顯示器。
具體實施例方式
圖2顯示根據(jù)本發(fā)明實施例的有源矩陣有機電致發(fā)光顯示器的像素部分的平面圖。
參考圖2，根據(jù)本發(fā)明實施例有機電致發(fā)光顯示器有多個像素。單個像素或單位像素被一掃描線SCAN、數(shù)據(jù)線DATA和電源線或驅動線VDD圍繞。每個像素由至少一個用來開關像素的開關TFT(TFTsw)、一個驅動像素的驅動TFT(TFTdr)、一個電容Cst和一個OLED組成。更多的TFT和電容可以用到每個像素中。
開關TFT TFTsw由用于掃描線SCAN的掃描信號驅動，并且傳輸將應用到數(shù)據(jù)線DATA的數(shù)據(jù)信號。根據(jù)通過開關TFTTFTsw傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號，其由柵極和源極之間的電壓差Vgs決定，驅動TFT TFTdr確定通過驅動線VDD進入OLED的電流量。電容Cst將通過開關TFT TFTsw傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號儲存一幀的時間周期。
接下來將描述凹槽部分585和平面化層580。
第一實施例圖3示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的一種有機電致發(fā)光顯示器。
如圖3所示，第一電極315形成在像素定義層314的開口內的凹槽結構中，有機發(fā)光層316形成在第一電極315上，第二電極317形成在基底的整個表面上。有機發(fā)光層316凹陷在第一電極315上，并且第一電極315圍繞著有機發(fā)光層316。
第一電極315形成在像素定義層314的開口內，因此第一電極的部分高于第二電極317平面區(qū)域的上表面。因此在第二電極317和鈍化層318的交界處橫向反射的光反過來被第一電極315向上反射。
下絕緣基底310有一個TFT，其由有源層311、柵極312和源/漏極313S和313D組成。為了定義上方的OLED像素區(qū)域，像素定義層314形成在基底上的凹槽結構中。像素定義層314被蝕刻以形成開口314a，該開口顯露出源/漏極313S和313D中的任一個，從上方看在凹槽結構中像素定義層314形成OLED。
優(yōu)選地，像素定義層314的厚度在200nm到大約10μm之間，開口314a有一在約15°到70°之間的傾斜角。另外像素定義層314優(yōu)選由氧化硅、氮化硅、BCB(苯環(huán)丁烯)、丙烯酸基可硬化樹脂、酚基可硬化樹脂、聚酰胺(PI)、ORMOCER或其它類似物質組成。
形成像素定義層314之后，第一電極315形成于凹槽結構中與TFT電耦合。第一電極315優(yōu)選為緊貼在像素定義層314的上部平面區(qū)域上形成，因此第一電極315高于空間319和透明鈍化層318之間的交界面(也就是從有機層發(fā)射光的點可以被反射)。
第一電極315向上反射有機發(fā)光層發(fā)出的光，并且如上所述，還可以向上反射被第二電極317或透明鈍化層318橫向反射的光。
當?shù)谝浑姌O315作為陽極時，第一電極可以通過沉積和構圖一種相對有較高功函數(shù)的例如鋁、銀、鎳、鉑、鈀或其它類似的材料形成?？商鎿Q的，還可以通過沉積銀、鉻、鉬、鈦、鉭及其合金中的或其它類似材料中的任一種形成，然后沉積由ITO、IZO組成的透明導體材料，最后將沉積結果進行構圖。
相反的，當?shù)谝浑姌O315作為陰極時，第一電極可以通過沉積和構圖有相對較低功函數(shù)的例如鋁、鈣、鎂或其它類似的材料形成。
有機發(fā)光層316形成于第一電極315上，通常它由多層結構組成，其中包括至少一個空穴注入層(HIL)、一個空穴傳輸層(HTL)、一個空穴阻尼層(HBL)、一個電子傳輸層(ETL)以及一個包括發(fā)光層的電子注入層(EIL)。
有機發(fā)光層316形成于發(fā)光區(qū)域中，凹陷于第一電極315中，并被第一電極315包圍。
然后透明第二電極317形成于基底的整個表面上，從而完成OLED。OLED包括像素定義層314、第一電極315、有機發(fā)光層316和第二電極317，并且如圖3所示OLED有凹槽結構。
發(fā)光區(qū)域中的部分第二電極317優(yōu)選地形成為在比部分第一電極315位置較低處有一平面區(qū)域的上表面。這種構成允許第一電極315向上反射先前由于沒有透過第二電極317而橫向反射的光。
當作為陽極時，第二電極317可以由比陽極有相對較低功函數(shù)的材料形成。優(yōu)選地，第二電極317由鎂-銀、銀、鎂、鈣、鋁、鋇、或其它類似材料形成為較薄的厚度，從而傳輸從有機發(fā)光層316發(fā)出的光以及從位于有機發(fā)光層下部的部分第一電極315反射的光。
可替換的，第二電極317可通過沉積和構圖有相對較高功函數(shù)的透明導體材料例如ITO、IZO或其它類似物形成。
然后鈍化層318形成在基底的整個表面。同第二電極317一樣，發(fā)光區(qū)域中的部分鈍化層318較好的形成為在比部分第一電極315位置較低處有一平面區(qū)域的上表面。
另外鈍化層318可以由折射率在約1.4至2.4之間的無機材料形成，優(yōu)選地，該材料與形成第二電極317的材料相比折射率的差異較小。
然后形成上絕緣基底320封裝有TFT和OLED的下絕緣基底310。
附圖標記319表示鈍化層318和上絕緣基底320之間的空間或形成于鈍化層318上的有機層。
鈍化層318和上絕緣基底320之間的空間319充滿了例如氮氣(N2)或氬氣(Ar)的氣體，或者該空間為真空狀態(tài)。
形成于鈍化層318上的有機層319優(yōu)選地由與形成鈍化層318的材料相比折射率差異較小的材料形成。有機材料的折射率在約1.1至1.6之間，因此在鈍化層318和空間319之間交界處折射被減弱。
當上述的OLED通上電源，通過陽極注入的空穴和通過陰極注入的電子在有機發(fā)光層中復合而發(fā)光。有機發(fā)光層發(fā)出的光透過第二電極。然而由于鈍化層和有機層之間，或鈍化層和充滿氮氣的空間之間的交界處產生的全反射，至少25％的來自有機發(fā)光層的光被橫向反射。
當光線從稠密介質射向稀疏介質時，以及當稠密介質的折射率和稀疏介質的折射率的差異較大時，全反射發(fā)生在稠密介質和稀疏介質的交界或邊界面處。
當光線的入射角大于臨界角時發(fā)生全反射。這里，臨界角如下定義sinθ＝1/n1，2＝n1/n2其中n1，2是稠密介質的折射率和稀疏介質折射率的比值，n1是稠密介質折射率，n2是稀疏介質折射率。
換句話說，當稠密介質的折射率和稀疏介質的折射率之間的差異增加，則全反射的臨界角減小，從而增加了全反射。
因此根據(jù)本發(fā)明實施例，有凹槽結構OLED的有機電致發(fā)光顯示器中，鈍化層和有機層由折射率相同的材料制成，從而減少全反射。另外，橫向反射光可以被第一電極向上順序反射。
雖然實施例已描述并且透明鈍化層已被說明，但是該層結構并不是必需的。在沒有透明鈍化層的有機電致發(fā)光顯示器中，第二電極平坦的上表面可以置于比部分第一電極更低的位置，從而在透明第二電極和空氣之間交界處發(fā)生全反射。
換句話說，部分第一電極優(yōu)選地形成于高于全反射發(fā)生的位置。
第二實施例圖4示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的一種有機電致發(fā)光顯示器。
除了為了顯露第一電極415的部分平坦區(qū)域而提供開口416a的絕緣層416之外，圖4所示的有機電致發(fā)光顯示器與第一實施例中的結構相同。
如圖4所示，根據(jù)第二實施例的有機電致發(fā)光顯示器包括像素定義層414、第一電極415、有顯露出部分第一電極415的開口416a的絕緣層416、形成于開口416a中部分第一電極415上的有機發(fā)光層417、以及第二電極418。第一電極415圍繞著有機發(fā)光層417。
因此如同第一實施例，根據(jù)第二實施例的有機電致發(fā)光顯示器可以向上傳輸光，并且向上反射先前橫向反射的光。
另外，優(yōu)選地，絕緣層416比像素定義層414更薄，并且更優(yōu)選地，其厚度為大約200nm到3μm之間。
優(yōu)選地，開口416a形成有比開口414a小的傾斜角，并且更優(yōu)選地，開口416a的傾斜角在約15°到60°之間。另外，絕緣層416可以由氧化硅、氮化硅、BCB(苯環(huán)丁烯)、丙烯酸基可硬化樹脂、酚基可硬化樹脂、聚酰胺(PI)、ORMOCER或其它類似材料組成。
第三實施例圖5A和5B示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的一種有機電致發(fā)光顯示器。圖2示出本實施例的平面圖。
圖2提供一開關TFT TFTsw，一驅動TFT TFTdr、一電容Cst和一OLED。下面描述驅動TFT TFTdr的結構，開關TFT TFTsw具有相同的結構。在圖5A中，由例如SiO2組成的緩沖層510形成于由透明玻璃形成的絕緣基底500上?？商娲模芰喜牧峡梢杂糜诮^緣基底500中。如果絕緣基底500由玻璃形成，緩沖層510形成于基底500上，從而阻止雜質被傳輸以及提供一平坦表面。緩沖層510能通過PECVD(等離子體增強化學汽相淀積)、APCVD(大氣壓化學汽相淀積)、LPCVD(低壓化學汽相淀積)、ECR(電子回旋共振)，或其它類似方法沉積。另外，緩沖層510的沉積厚度大約為3000驅動TFT TFTdr由形成于緩沖層510上的半導體有源層521、形成于半導體有源層521上的柵極絕緣層530、形成于柵極絕緣層530上的柵極541、以及與半導體有源層521相連的源/漏極561S和561D組成。
半導體有源層521可以由大約500厚度的無機或有機半導體材料形成。它可以由多晶硅形成，該多晶硅通過利用不同種類中的任一種結晶技術結晶的非晶硅形成。半導體有源層521有源和漏極區(qū)域，N型或P型雜質以高密度參雜于此，在源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間形成通道區(qū)域。
無機半導體材料可以包括CdS、GaS、ZnS、CdSe、CaSe、ZnSe、CdTe、SiC和硅，例如a-Si(非晶硅)或多晶-Si(多晶硅)。
有機半導體材料可以包括具有1到4eV之間的能帶間隙的半導體有機材料，高分子(聚合體)材料和低分子材料。聚合體材料諸如聚噻吩及其衍生物、聚對苯乙烯及其衍生物、聚對苯及其衍生物、聚丙烯及其衍生物、聚噻吩乙烯及其衍生物、聚噻吩-異形環(huán)芳香族共聚物及其衍生物。低分子材料諸如少碳化物(并五苯、并四苯、蒽和萘)及其衍生物，少碳噻吩(α-6-噻吩，α-5-噻吩)及其衍生物，含有或不含有金屬的苯二甲藍染料及其衍生物、二價氫化均苯四酸酯或均苯四酸酯二酰亞胺及其衍生物、二價氫化二萘嵌苯四羧酸酯或二萘嵌苯四羧酸酯二酰亞胺及其衍生物。
柵極絕緣層530形成在半導體有源層521上，可以由SiO2組成。柵極541形成在柵極絕緣層530上面部分的預定區(qū)域上，帶有導電金屬層例如MoW、Al、Cr、Al/Cu或其它類似材料，不同種類的導電材料例如導電聚合體可以用于柵極541中，柵極541區(qū)域對應于半導體有源層521的通道區(qū)域。
夾層絕緣層550形成于柵極541和柵極絕緣層530上，可以由SiO2和/或SiNx組成。當接觸空穴形成在夾層絕緣層550和柵極絕緣層530中，源極和漏極561S和561D則形成于絕緣層550上。由導電金屬例如MoW、Al、Cr、Al/Cu或其它類似材料，或導電聚合體組成的層可以用來形成源極和漏極561S和561D。
通常的TFT可以作為本發(fā)明中TFT的結構，同時并不限于上述結構。
鈍化層570由SiNx形成在源極和漏極561S和561D上，第一通孔575形成在鈍化層570中。
平面化層580形成于鈍化層570上，它可以由丙烯酸、BCB(苯環(huán)丁烯)、聚酰亞胺或其它類似材料形成。
第二通孔581形成于平面化層580中以便與鈍化層570的第一通孔575連通。第一電極591形成于平面化層580上，通過第一和第二通孔575和581與源極和漏極561S和561D電耦合。像素定義層593形成于第一電極591上，它可以由丙烯酸、BCB(苯環(huán)丁烯)、聚酰亞胺或其它類似材料形成。像素定義層593配備預定開口593a，然后形成了OLED的有機層595和第二電極597。可替換的，平面化層580和像素定義層593可以整體被形成，這種情況下第一電極591可以形成于鈍化層570上。
當電流流動時，OLED發(fā)出紅、綠、藍光來顯示預定的圖像信息，OLED由第一電極591、第二電極597和有機層595組成。
第一和第二電極591和597相互被有機層595隔開一預定的距離，它們施加不同極性的電壓到有機層595上，由此導致有機層595發(fā)光。
有機層595中可以使用低分子或高分子有機層。對于低分子有機層，HIL(空穴注入層)、HTL(空穴傳輸層)、EML(發(fā)光層)、ETL(電子傳輸層)、EIL(電子注入層)以及其它類似的層可以以單一結構或組合結構堆疊起來。多種有機材料可以利用，例如CuPc(銅苯二甲藍染料)、NPB(N，N-di(萘-1-v1)-N，N’-聯(lián)苯-對二氨基聯(lián)苯)、以及Alq3(3-8-羥基喹啉鋁)。低分子有機層可以通過真空沉積方法或其它類似方法形成。
可替代的，當使用高分子有機層時，它通常帶有HTL和EML結構，其中HTL由PEDOT(聚乙烯二氧化噻吩)組成，EML由高分子有機材料例如PPV基(聚苯乙烯)有機材料或多熒光基有機材料組成。高分子有機層通過拍攝過程、噴墨打印方法或其它類似過程形成。
有機層不限于上述描述，還可以由不同的方法實現(xiàn)。
在下述實施例中，第一電極591作為陽極，而第二電極597作為陰極，然而第一和第二電極591和597的極性可以被反轉。
作為陽極，第一電極591可以是透明電極或反射電極。如果是透明電極，第一電極可以由ITO、IZO、ZnO、In2O3或其它類似材料形成；如果是反射電極，第一電極可以由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其混合物形成反射層，然后ITO、IZO、ZnO、In2O3或其它類似材料形成在反射層上。
作為陰極，第二電極597也可是透明電極或反射電極，如果是透明電極，功函數(shù)低的金屬如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或它們的混合物面對有機層595沉積，然后輔助電極層或總線電極線由用于透明電極的材料形成于沉積層上，例如ITO、IZO、ZnO、In2O3或其它類似材料。如果是反射電極，第二電極通過Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或它們的混合物，或其它類似材料全面沉積而形成。
本發(fā)明通過形成凹陷在圖5A的平面化層580中的凹槽部分585來增加發(fā)光效率，其中第一電極591形成為一預定深度。
從圖2中可以看出，凹槽部分585的面積比整個子像素區(qū)域的面積小，并且它提供在形成第一電極591的區(qū)域上。如圖5A所示，凹槽部分585陷于平面化層580中一定深度，其擁有側邊585a和底邊585b。從圖5A中可知每側邊585a可以以一定角度傾斜，但是側邊585a并不限于這種構造，例如側邊585a可以形成為垂直于底邊585b。
第一電極591形成為覆蓋凹槽部分585。有機層595被形成為至少被設置于凹槽部分585的底邊585b之上。這種情況下，第一電極591還形成為覆蓋凹槽部分585的側邊或邊緣585a。
凹槽部分585形成于平面化層580內，第一電極591置于凹槽部585中。從有機層595發(fā)射出來的光設置為直射到第一和第二電極591和597上，并被第一電極591反射，從而發(fā)光效率得到增加。因此為了增加凹槽部分585的效能，第一電極591優(yōu)選地由反射電極組成，這種情況下，第二電極597優(yōu)選地設置為透明電極，從而圖像能顯示在第二電極597上。
為了允許有機層595發(fā)出的光被第一電極591反射，凹槽部分585的深度必須大于有機層595的厚度，因為有機層595能反射橫向發(fā)射的光。有機層的厚度必須薄于凹槽585形成其中的平面化層580的厚度。
利用半色調掩模技術能同時形成凹槽585和第二通孔581，這時第二通孔581形成于平面化層580中。
另一方面如上所述，平面化層580可以與像素定義層593整體成型，這時第一電極591可以形成于鈍化層570上，凹槽部分可以形成于鈍化層570中，與形成在平面化層580中的凹槽部分585具有相同的面積和深度。當?shù)谝煌?75形成時，成型于鈍化層570中的凹槽部分可與第一通孔同時形成。
獨立的反射層(未示出)可能形成于除了第一電極591之外的凹槽部分585的側邊585a上。這時第一電極591可以設置為透明電極，第二電極597可以設置為反射電極，用作為底部發(fā)光電極。當?shù)谝浑姌O設置為透明電極時，第二電極597可以被用作雙倍發(fā)光電極。
如圖2所示，本發(fā)明的實施例用了兩個TFTs，然而本發(fā)明并不限于這種情況，兩個或更多的TFTs可以用于一個像素中，這時附加的TFT置于OLED形成的位置下方，如圖5B所示。
具體地，如圖5B所示，第一TFTTFT1和第二TFTTFT2置于OLED形成的下部分上，OLED連接第一和第二TFT中的任何一個。圖中僅示出了兩個TFT，但是在實際的平面結構中可以設置兩個或更多的TFT。
在這種結構的有機電致發(fā)光顯示器中，如上所述凹槽部分585形成于平面化層580中，從而提高的發(fā)光效率。圖5B中其它詳細的部件與圖5A中的相同，這里不再贅述。
如上所述根據(jù)本發(fā)明實施例，有機電致發(fā)光顯示器能通過集中從OLED的有機層發(fā)射并照射到第一電極的光線，以及通過反射和吸收由于在各層之間交界處全反射而橫向反射的光線，來改善發(fā)光效率和光亮度。
另外，有機電致發(fā)光顯示器能通過改善發(fā)光效率和光亮度來改善能耗和使用壽命。
很明顯對于本領于技術人員來說，針對本發(fā)明的不同的修改和變更并不脫離本發(fā)明的精神和范圍。因此可知本發(fā)明覆蓋了針對本發(fā)明的修改和變更，它們仍然包括在所附的權利要求和等同物的范圍之內。
權利要求
1.一種有機電致發(fā)光顯示器，包括一帶有開口的像素定義層；一以凹槽結構形成于像素定義層的開口上的第一電極；一形成于第一電極上的有機發(fā)光層；一第二電極；其中有機發(fā)光層在第一電極中形成為凹形，使得第一電極圍繞著有機發(fā)光層。
2.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中發(fā)光區(qū)域中第一電極具有一高于第二電極的最低部分的上表面的部分。
3.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示器，還包括一形成于第二電極上的鈍化層，其中發(fā)光區(qū)域中鈍化層的最低部分低于部分第一電極。
4.如權利要求3所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中鈍化層的折射率在約1.4至2.4之間。
5.如權利要求4所述的有機電致發(fā)光顯示器，還包括形成于鈍化層上的有機層，其中有機發(fā)光層的折射率在約1.1至1.6之間。
6.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中像素定義層的厚度在約200nm至10μm之間。
7.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中像素定義層的開口的傾斜角在約15度至70度之間。
8.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中像素定義層由氧化硅、氮化硅、BCB(苯環(huán)丁烯)、丙烯酸基可硬化樹脂、酚基可硬化樹脂、聚酰胺、ORMOCER組成的組合中選出的任一種形成。
9.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示器，還包括一絕緣層，該絕緣層帶有用于暴露部分第一電極的開口。
10.如權利要求9所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中絕緣層由氧化硅、氮化硅、BCB(苯環(huán)丁烯)、丙烯酸基可硬化樹脂、酚基可硬化樹脂、聚酰胺、ORMOCER組成的組合中選出的任一種形成。
11.如權利要求9所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中絕緣層比像素定義層薄，絕緣層的開口的傾斜角小于像素定義層開口的傾斜角。
12.如權利要求11所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中絕緣層的厚度在約200nm至3μm之間。
13.如權利要求12所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中絕緣層開口的傾斜角在約15度至60度之間。
14.一種有機電致發(fā)光顯示器，包括一薄膜晶體管；一覆蓋薄膜晶體管并帶有凹槽部分的平面化層；形成一用于覆蓋平面化層的凹槽部分并與薄膜晶體管相連的第一電極；一第二電極；以及一置于第一電極和第二電極之間的有機層，包括一發(fā)光層且設置在凹槽部分的底部上。
15.如權利要求14所述的有機電致發(fā)光顯示器，還包括多個子像素，其中每個子像素具有一薄膜晶體管，并且凹槽部分的區(qū)域小于子像素的區(qū)域。
16.如權利要求14所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中凹槽部分的深度大于有機層的厚度。
17.如權利要求14所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中凹槽部分的深度小于平面化層的厚度。
18.如權利要求14所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中有機層還被設置于凹槽部分的側邊上。
19.如權利要求14所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中凹槽部分具有一帶有傾斜表面的側邊，且第一電極覆蓋該傾斜表面。
20.如權利要求14所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中發(fā)光區(qū)域中平面化層具有一高于第二電極平坦區(qū)域的上表面的。
21.如權利要求14所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中平面化層具有至少一個通孔，并且第一電極通過該通孔與薄膜晶體管連接。
22.如權利要求14所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中凹槽部分和通孔同時形成。
23.如權利要求14所述的有機電致發(fā)光顯示器，還包括一鈍化層，其具有一第二通孔，形成于薄膜晶體管和平面化層之間，且第一電極通過該第二通孔與薄膜晶體管連接。
24.如權利要求16所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中凹槽部分與通孔同時形成。
25.如權利要求14所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中平面化層由一有機材料形成。
26.如權利要求14所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中第一電極由一反射材料形成。
27.如權利要求14所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中第二電極由一透明材料形成。
28.如權利要求14所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中凹槽部分的側邊具有一反射層。
29.如權利要求28所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中第一電極由一透明材料形成。
30.如權利要求28所述的有機電致發(fā)光顯示器，其中第二電極由一反射材料形成。
全文摘要
公開了一種有機電致發(fā)光顯示器，其通過在凹槽結構中形成有機發(fā)光裝置能提高亮度和發(fā)光效率。該有機電致發(fā)光顯示器包括帶有開口的像素定義層、以凹槽結構形成于像素定義層的開口上的第一電極、形成于第一電極上的有機發(fā)光層、以及第二電極。有機發(fā)光層凹狀形成于第一電極中，因此第一電極圍繞著有機發(fā)光層。
文檔編號H01L27/32GK1607879SQ20041009592
公開日2005年4月20日 申請日期2004年8月30日 優(yōu)先權日2003年8月28日
發(fā)明者樸鎮(zhèn)宇, 權章赫 申請人:三星Sdi株式會社