專利名稱：軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，特別是涉及一種可折彎(Flexible)的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程。
背景技術(shù)：
隨著科技的進步與生活品質(zhì)的持續(xù)提升，加上3C產(chǎn)業(yè)的整合與持續(xù)成長，使得集成電路(Integrated circuit，IC)的應用領域越來越廣。為了使結(jié)構(gòu)脆弱的集成電路裸晶片(die)能受到有效的保護，并同時使集成電路裸晶片能與外界相互傳遞訊號，才發(fā)展出晶片封裝(package)技術(shù)。目前已經(jīng)研發(fā)出的晶片封裝技術(shù)眾多，以晶片接合技術(shù)來說，常見的晶片接合技術(shù)為打線(Wire Bonding，W/B)、覆晶(Flip Chip，F(xiàn)/C)及卷帶式自動接合(Tape Automatic Bonding，TAB)等，其中卷帶式自動接合技術(shù)是將晶片接合于一軟片式承載器上，而封裝完成后的封裝體不但體積小、重量輕，且由于軟片本身具有可折彎的特性，故可使得封裝體在后續(xù)組裝上更具有彈性。
請參閱圖1A～1F所示，是現(xiàn)有習知的一種軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程。請參閱圖1A，首先，先提供一薄膜110與一粘著層120，其中粘著層120是配置于薄膜110上。請參閱圖1B，接著，使用一沖壓模具(圖中未示)對薄膜110與粘著層120進行沖孔(Punch)，而產(chǎn)生一晶片接觸窗口130、多個預定的接合墊開口132與多個傳動孔134。薄膜110及粘著層120是藉由這些傳動孔134而配置于一輸送帶(圖中未示)上，并藉由此輸送帶而帶動薄膜110及粘著層120前進。
請參閱圖1C，接著，將一金屬層140配置于粘著層120上，并藉由粘著層120的粘著性而將金屬層140接合于薄膜110上，其中這些預定的接合墊開口132是暴露出局部的金屬層140。請參閱圖1D，之后，形成多個軟性膠材(Flex Coat)150于這些預定的接合墊開口132內(nèi)，其中這些軟性膠材150是用以增加此軟片式承載器的折合性。請參閱圖1E，然后，蝕刻并圖案化金屬層140，使得這些預定的接合墊開口132所暴露的金屬層140可作為多個接合墊142。請參閱圖1F，接著，形成一金屬保護層160于裸露的金屬層140上，以防止裸露的金屬層140接觸到外界空氣而氧化。之后，進行一成品檢測步驟，以確保薄膜110與金屬層140的圖案的外觀良好，而完成現(xiàn)有習知軟片式承載器的晶片接觸窗口130及接合墊開口132與傳動孔134的制作。
值得注意的是，由于現(xiàn)有習知每一批軟片式承載器，必須針對不同晶片的尺寸規(guī)格與不同的接點位置(皆圖中未示)而設計出對應的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔位置，而這些晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔是利用沖壓模具對薄膜及粘著層進行沖孔而形成。因此，對于不同晶片的尺寸規(guī)格與不同的接點位置設計，則必須特別訂做并使用不同規(guī)格的沖壓模具，然而，制作模具所需耗費的時間、成本卻相當?shù)馗?，如此，在生產(chǎn)少量多樣的軟片式承載器時，將明顯大幅地增加了軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔的制造成本。
由此可見，上述現(xiàn)有的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程仍存在有諸多的缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程存在的問題，相關廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設計制造多年豐富的實務經(jīng)驗及專業(yè)知識，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設一種新型的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，能夠改進一般現(xiàn)有的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設計，并經(jīng)反復試作樣品及改進后，終于創(chuàng)設出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程存在的缺陷，而提供一種新的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，所要解決的技術(shù)問題是使其可有效地節(jié)省軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔的制造成本，從而更加適于實用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種雷射成孔方法，所要解決的技術(shù)問題是使其可有效地節(jié)省軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔的制造成本，從而更加適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，適用于一卷帶自動接合封裝體的制程技術(shù)，其至少包括如下步驟提供一薄膜；藉由一雷射而于該薄膜的一表面上形成多數(shù)個開口，其中該些開口的至少其中的一是適于暴露出一晶片，并作為該晶片的至少一晶片接觸窗口，且部分的該些開口是作為至少一傳動孔；以及形成一金屬層于該薄膜上，而其他的該些開口是暴露出局部的金屬層，并作為該金屬層的預定的多數(shù)個接合墊的開口。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，在其中所述的提供該薄膜之后，更包括形成一粘著層于該薄膜上，使得該金屬層藉由該粘著層而接合于該薄膜上。
前述的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，在其中所述的將該金屬層配置于該薄膜上的方法包括一壓合制程。
前述的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，在其中所述的形成該金屬層于該薄膜上之后，更包括圖案化該金屬層，其中延伸于該晶片接觸窗口上的部分的該金屬層是多個引腳，且該些開口所暴露出局部的該金屬層為多個接合墊。
前述的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，在其中所述的形成該金屬層于該薄膜上之后，更包括形成多數(shù)個軟性膠材于預定的該些接合墊的開口內(nèi)。
前述的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，在其中所述的提供一薄膜之后，更包括形成多數(shù)個成孔記號于該薄膜上。
前述的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，在其中所述的開口是藉由該雷射貫穿該些成孔記號與該薄膜而形成。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種雷射成孔方法，適用于將一薄膜穿孔，其至少包括如下步驟藉由一雷射而于該薄膜的一表面上形成多數(shù)個開口，其中該些開口的至少其中的一是適于暴露出一晶片，并作為該晶片的至少一晶片接觸窗口，而部分的該些開口是適于暴露出局部的一金屬層，并作為該金屬層的預定的至少一接合墊開口，且其他的該些開口是作為至少一傳動孔。
前述的雷射成孔方法，在其中所述的形成該些開口之前，更包括形成多數(shù)個成孔記號于該薄膜上。
前述的雷射成孔方法，在其中所述的開口是藉由該雷射貫穿該些成孔記號與該薄膜而形成。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，適用于一卷帶自動接合(Tape Automated Bonding，TAB)封裝體的制程技術(shù)，此軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程至少包含下列數(shù)個步驟。首先，提供一薄膜。接著，藉由一雷射而于此薄膜的表面上形成多個開口，其中這些開口的一是適于暴露出一晶片，并作為此晶片的一晶片接觸窗口，且部分的這些開口是作為至少一傳動孔。之后，形成一金屬層于此薄膜上，而其他的這些開口是暴露出局部的金屬層，并作為此金屬層的預定的多個接合墊的開口。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，其中在提供薄膜之后，更包括形成一粘著層于薄膜上，使得金屬層可藉由粘著層而接合于薄膜上。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，其中將金屬層配置于薄膜上的方法包括一壓合制程。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，其中在形成金屬層于薄膜上之后，更包括圖案化金屬層，其中延伸于晶片接觸窗口上的部分的金屬層是多個引腳，且這些開口所暴露出局部的該金屬層為多個接合墊。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，其中在形成金屬層于薄膜上之后，更包括形成多個軟性膠材于預定的這些接合墊的開口內(nèi)。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，其中在提供薄膜之后，更包括形成多個成孔記號于薄膜上，且這些開口是藉由雷射貫穿這些成孔記號與薄膜而形成。
為達本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明另提出一種雷射成孔方法，適用于將一薄膜穿孔，而此雷射成孔方法包括以下的步驟藉由一雷射而于薄膜的表面上形成多個開口，其中這些開口的一是適于暴露出一晶片，并作為此晶片的一接觸窗口，而部分的這些開口是適于暴露出局部的預定的一金屬層，并作為金屬層的預定的多個接合墊開口，且其他的這些開口是作為多個傳動孔。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的雷射成孔方法，在形成這些開口之前，更包括形成多個成孔記號于薄膜上，且這些開口是藉由雷射貫穿這些成孔記號與薄膜而形成。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明至少具有下列優(yōu)點本發(fā)明的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程及其雷射成孔方法因僅藉由雷射就可貫穿薄膜而形成晶片接觸窗口、預定的接合墊開口與傳動孔。因此，相較于現(xiàn)有習知制程，本發(fā)明軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程將毋須制作模具，故可有效地節(jié)省制作軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔的成本。
綜上所述，本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，其具有上述諸多的優(yōu)點及實用價值，并在同類產(chǎn)品中未見有類似的結(jié)構(gòu)設計公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在結(jié)構(gòu)上或功能上皆有較大的改進，在技術(shù)上有較大的進步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程具有增進的多項功效，從而更加適于實用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新設計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。


圖1A～1F是現(xiàn)有習知的一種軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程。
圖2A～2E是本發(fā)明較佳實施例的一種軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程。
圖2F是圖2E的軟片式承載器，其金屬保護層形成于圖案化的金屬層的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2G是圖2F的軟片式承載器，其焊罩層(solder mask)形成于部分的金屬保護層上的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2H是圖2G的軟片式承載器，其金屬保護層形成于未被焊罩層覆蓋的金屬保護層上的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本發(fā)明較佳實施例的一種軟片式承載器，其具有多個成孔記號于薄膜上的示意圖。
110薄膜120粘著層130接觸窗口132接合墊開口134傳動孔 140金屬層142接合墊 150軟性膠材160金屬保護層 210薄膜212成孔記號220粘著層230晶片接觸窗口232接合墊開口234傳動孔 240金屬層242接合墊 244引腳250軟性膠材260金屬保護層270焊罩層 280金屬保護層
具體實施例方式
以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細說明如后。
請參閱圖2A～2E所示，是本發(fā)明較佳實施例的一種軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程。本發(fā)明軟片式承載器是適用于一卷帶自動接合(Tape Automated Bonding，TAB)封裝體的制程技術(shù)。請參閱圖2A，首先，先提供一薄膜210，此薄膜210的材質(zhì)例如為聚乙酰胺(polyimide)等。請繼續(xù)參閱圖2A，接著，將一粘著層220配置于薄膜210上。請參閱圖2B，之后，例如使用一雷射而于薄膜210與粘著層220內(nèi)形成多個開口，其中這些開口是貫穿薄膜210與粘著層220而形成一晶片接觸窗口230、多數(shù)個預定的接合墊開口232以及多數(shù)個傳動孔234。晶片接觸窗口230是適于暴露出一晶片(圖中未示)。這些預定的接合墊開口232是適于暴露出局部的預定的一金屬層(圖中未示)。薄膜210及粘著層220是可藉由這些傳動孔234而配置于一輸送帶(圖中未示)上，并藉由此輸送帶而帶動薄膜210及粘著層220前進。
請參閱圖2C所示，然后，形成一金屬層240于薄膜210上，此金屬層240乃是例如藉由粘著層220而壓合(laminate)于薄膜210上，其中金屬層240的材質(zhì)例如為銅箔或其他金屬等。請參閱圖2D，接著，形成多個軟性膠材(Flex Coat)250于這些預定的接合墊開口232內(nèi)，其中這些軟性膠材250的材質(zhì)包括聚乙酰胺(polyimide)，而這些軟性膠材250是用以增加此軟片式承載器的折合性。請參閱圖2E，之后，蝕刻金屬層240，使得這些預定的接合墊開口232所暴露的金屬層240可作為多個接合墊242。至于蝕刻金屬層240的制程步驟例如包括先以一化學研磨(chemical polish)制程而平坦化金屬層240的表面，之后，涂布光阻于金屬層240上、光阻曝光、顯影、涂布膠體并底面覆蓋(back coat)于薄膜210上、以浸漬法將金屬層240浸泡于蝕刻液中而圖案化金屬層240及去光阻等多道步驟(皆圖中未示)，在此便不再贅述。值得一提的是，延伸于晶片接觸窗口230上的部分的金屬層240為多個引腳244，這些引腳244可與一晶片的多數(shù)個凸塊(bonding pad)電性連接(圖中未示)。然后，例如進行一成品檢測步驟，以確保薄膜210與金屬層240的圖案外觀良好，以完成本發(fā)明軟片式承載器的晶片接觸窗口230及接合墊開口232與傳動孔234的制作。
至于在制作完成本發(fā)明軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔之后之后續(xù)制程，更包括下列的步驟。圖2F是圖2E的軟片式承載器，其金屬保護層形成于圖案化金屬層的結(jié)構(gòu)示意圖。請參閱圖2F，接著，例如以一電鍍(plating)制程而形成一金屬保護層260于金屬層240的圖案上，以防止裸露的金屬層240接觸到外界空氣而氧化，其中金屬保護層260的材質(zhì)例如為錫等。圖2G是圖2F的軟片式承載器，其焊罩層(solder mask)形成于部分的金屬保護層上的結(jié)構(gòu)示意圖。請參閱圖2G，接著，例如以一印刷(plating)制程而形成一焊罩層(solder mask)270于部分的金屬保護層260上。圖2H是圖2G的軟片式承載器，其金屬保護層形成于未被焊罩層覆蓋的金屬保護層上的結(jié)構(gòu)示意圖。請參閱圖2H，接著，使用例如一電鍍(plating)制程而形成一金屬保護層280于未被焊罩層270覆蓋的金屬保護層260上，其中金屬保護層280的材質(zhì)例如為錫等。之后，進行一成品檢測步驟，以確保薄膜210與金屬層240的圖案外觀良好。
請參閱圖3所示，是本發(fā)明較佳實施例的一種軟片式承載器，其具有多個成孔記號于薄膜上的示意圖。請參閱圖3，值得注意的是，本發(fā)明的另一軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，亦可以在提供薄膜210之后，再于薄膜210上形成多個成孔記號212。接著，請參閱圖2B，藉由雷射貫穿這些成孔記號212、薄膜210及粘著層220而形成這些開口230、232及234，至于其他步驟則與圖2C、2D、2E、2F、2G及2H所代表的步驟相同，故在此便不再贅述。此外，本實施例軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程亦可以一雷射而圍繞著這些成孔記號212的周圍而于薄膜210上燒灼出這些開口230、232及234，亦包含在本發(fā)明的保護的范圍內(nèi)。
值得注意的是，上述的雷射于薄膜210上燒灼出多個開口230、232及234的步驟(如圖2B所示)，未必要在提供薄膜210(如圖2A所示)之后執(zhí)行，亦可以在圖2C、2E、2F、2G或2H的步驟之后才進行，亦包含在本發(fā)明的保護的范圍內(nèi)。此外，本發(fā)明的軟片式承載器未必要藉由粘著層220才可將金屬層240接合于薄膜210上。
因此，相較于現(xiàn)有習知軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，本發(fā)明軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程及其雷射成孔方法將以一雷射制程就可彈性地于薄膜210上燒灼出接觸窗口230及接合墊開口232與傳動孔234，而毋須制作多種不同規(guī)格的模具，故可大幅地減少制作這些不同規(guī)格的模具所需的成本，進而有效地節(jié)省制作軟片式承載器的晶片接觸窗口230及接合墊開口232與傳動孔234的成本。
綜上所述，由于本發(fā)明的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔及其雷射成孔方法因僅藉由一雷射制程就可于薄膜上燒灼出接觸窗口、接合墊開口與傳動孔，故可符合少量、多樣地、彈性地制作軟片式承載器的需求，并可大幅地節(jié)省現(xiàn)有習知制作軟片式承載器的晶片接觸窗口、接合墊開口與傳動孔所需的模具的成本。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員；在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，適用于一卷帶自動接合封裝體的制程技術(shù)，其特征在于其至少包括如下步驟提供一薄膜；藉由一雷射而于該薄膜的一表面上形成多數(shù)個開口，其中該些開口的至少其中的一是適于暴露出一晶片，并作為該晶片的至少一晶片接觸窗口，且部分的該些開口是作為至少一傳動孔；以及形成一金屬層于該薄膜上，而其他的該些開口是暴露出局部的金屬層，并作為該金屬層的預定的多數(shù)個接合墊的開口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，其特征在于在其中所述的提供該薄膜之后，更包括形成一粘著層于該薄膜上，使得該金屬層藉由該粘著層而接合于該薄膜上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，其特征在于在其中所述的將該金屬層配置于該薄膜上的方法包括一壓合制程。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，其特征在于在其中所述的形成該金屬層于該薄膜上之后，更包括圖案化該金屬層，其中延伸于該晶片接觸窗口上的部分的該金屬層是多個引腳，且該些開口所暴露出局部的該金屬層為多個接合墊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，其特征在于在其中所述的形成該金屬層于該薄膜上之后，更包括形成多數(shù)個軟性膠材于預定的該些接合墊的開口內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，其特征在于在其中所述的提供一薄膜之后，更包括形成多數(shù)個成孔記號于該薄膜上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，其特征在于在其中所述的開口是藉由該雷射貫穿該些成孔記號與該薄膜而形成。
8.一種雷射成孔方法，適用于將一薄膜穿孔，其特征在于其至少包括如下步驟藉由一雷射而于該薄膜的一表面上形成多數(shù)個開口，其中該些開口的至少其中的一是適于暴露出一晶片，并作為該晶片的至少一晶片接觸窗口，而部分的該些開口是適于暴露出局部的一金屬層，并作為該金屬層的預定的至少一接合墊開口，且其他的該些開口是作為至少一傳動孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的雷射成孔方法，其特征在于在其中所述的形成該些開口之前，更包括形成多數(shù)個成孔記號于該薄膜上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的雷射成孔方法，其特征在于在其中所述的開口是藉由該雷射貫穿該些成孔記號與該薄膜而形成。
全文摘要
本發(fā)明是關于一種軟片式承載器的晶片接觸窗口及接合墊開口與傳動孔制程，適用于一卷帶自動接合(Tape Automated Bonding，TAB)封裝體的制程技術(shù)，并包含下列數(shù)個步驟。首先，提供一薄膜。接著，藉由一雷射加工于薄膜的表面上，以形成多個開口，其中這些開口包括至少一晶片接觸窗口、至少一接合墊開口以及多數(shù)個傳動孔。之后，形成一金屬層于薄膜上，并圖案化金屬層，以形成多數(shù)個引腳而延伸于晶片接觸窗口上，以及形成多數(shù)個接合墊對應地位于接合墊開口上，以作為供應后續(xù)的晶片封裝制程所需的承載器。
文檔編號H01L23/50GK1783442SQ20041009555
公開日2006年6月7日 申請日期2004年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月29日
發(fā)明者胡迪群, 吳建男, 林仁杰 申請人:晶強電子股份有限公司