專利名稱：晶片承載器軌道的制作方法
晶片承載器軌道發(fā)明背景發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明的實(shí)施方案大體上涉及用于氣相沉積的裝置和方法，并且更具體地涉及化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)、反應(yīng)器及其工藝。相關(guān)技術(shù)的描述光電器件或太陽(yáng)能器件、半導(dǎo)體器件或其他電子器件通常通過(guò)利用多種制造工藝來(lái)處理襯底的表面而被制造。這些制造工藝可以包括沉積、退火、蝕刻、摻雜、氧化、氮化和許多其他工藝。外延層剝離技術(shù)(ELO)是較不普遍的用于制造薄膜器件和材料的技術(shù)，其中材料層被沉積至生長(zhǎng)襯底上，然后被從生長(zhǎng)襯底除去。外延層、膜或材料通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝或金屬有機(jī)物CVD (MOCVD)工藝被生長(zhǎng)或沉積在布置于生長(zhǎng)襯底例如砷化鎵晶片上的犧牲層上。然后，犧牲層在濕酸浴(wet acidbath)中被選擇性地蝕刻掉，同時(shí)外延材料在ELO蝕刻過(guò)程期間被從生長(zhǎng)襯底分離。被隔離的外延材料可以是薄層或膜，其通常被稱為ELO膜或外延膜。每個(gè)外延膜通常對(duì)于特定的器件，例如光電器件或太陽(yáng)能器件、 半導(dǎo)體器件或其他電子器件包括多個(gè)不同組分的層。CVD工藝包括通過(guò)氣相化學(xué)前驅(qū)體(vapor phase chemical precursor)的反應(yīng)來(lái)生長(zhǎng)或沉積外延膜。在MOCVD工藝期間，化學(xué)前驅(qū)體中的至少一種是金屬有機(jī)化合物，即具有金屬原子和至少一個(gè)包含有機(jī)片段的配體的化合物。對(duì)于非常不同的應(yīng)用有多種類型的CVD反應(yīng)器。例如，CVD反應(yīng)器包括單一的或塊體的晶片反應(yīng)器、大氣壓力和低壓力反應(yīng)器、環(huán)境溫度和高溫反應(yīng)器、以及等離子強(qiáng)化反應(yīng)器。這些不同的設(shè)計(jì)提出了在CVD工藝期間遇到的多種挑戰(zhàn)，例如耗盡效應(yīng)、污染問(wèn)題、 反應(yīng)器維護(hù)、處理能力和生產(chǎn)成本。因此，需要在襯底上生長(zhǎng)外延膜和材料比通過(guò)目前已知的CVD設(shè)備和工藝更有效、具有較少污染、較高處理能力和較低成本的CVD系統(tǒng)、反應(yīng)器和工藝。發(fā)明概述本發(fā)明的實(shí)施方案大體上涉及用于化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝的裝置和方法。在一個(gè)實(shí)施方案中，提供用于使晶片承載器在氣相沉積反應(yīng)器系統(tǒng)內(nèi)漂浮和橫移的晶片承載器軌道(wafer carrier track)，晶片承載器軌道包括軌道組件的上部，其被布置在軌道組件的下部上；氣體空腔，其被形成在軌道組件的上部和下部之間；導(dǎo)向路徑，其沿著上部的上表面延伸；以及兩個(gè)側(cè)表面，兩個(gè)側(cè)表面沿著導(dǎo)向路徑并且在導(dǎo)向路徑上方并且平行于彼此延伸，其中導(dǎo)向路徑在兩個(gè)側(cè)表面之間延伸。晶片承載器軌道還具有多個(gè)氣體孔，多個(gè)氣體孔在導(dǎo)向路徑內(nèi)并且從上部的上表面延伸，穿過(guò)上部，并且進(jìn)入氣體空腔中；以及被布置在軌道組件的一端處的上搭接接合部(upper lap joint)和被布置在軌道組件的相對(duì)端處的下搭接接合部，其中上搭接接合部沿著兩個(gè)側(cè)表面和導(dǎo)向路徑的一部分延伸，并且下搭接接合部具有比軌道組件的導(dǎo)向路徑和兩個(gè)側(cè)表面延伸得更遠(yuǎn)的上表面。在某些實(shí)施例中，軌道組件的上部和/或下部每個(gè)獨(dú)立地包括石英。軌道組件的下部可以是石英板。軌道組件的上部和下部可以被熔合在一起。在其他實(shí)施例中，氣體口從軌道組件的上部的側(cè)表面延伸，穿過(guò)軌道組件的上部的一部分，并且進(jìn)入氣體空腔中。氣體口可以被用于使漂浮氣體流動(dòng)經(jīng)過(guò)軌道組件的側(cè)表面，流入氣體空腔中并且從在軌道組件的上表面上的多個(gè)氣體孔流出。多個(gè)氣體孔的數(shù)量可以是約10個(gè)孔至約50個(gè)孔，優(yōu)選約20個(gè)孔至約40個(gè)孔。每個(gè)氣體孔可以具有在約 0. 005英寸至約0. 05英寸、優(yōu)選約0. 01英寸至約0. 03英寸的范圍內(nèi)的直徑。在另一個(gè)實(shí)施方案中，晶片承載器軌道具有被布置在導(dǎo)向路徑上的漂浮晶片承載器(levitating wafer carrier) 0在某些實(shí)施例中，漂浮晶片承載器具有被布置在下表面內(nèi)的至少一個(gè)凹陷窩(indentation pocket)。在其他實(shí)施例中，漂浮晶片承載器具有被布置在下表面內(nèi)的至少兩個(gè)凹陷窩。在其他實(shí)施方案中，晶片承載器軌道系統(tǒng)可以包括被布置為端至端串聯(lián)的兩個(gè)或更多個(gè)晶片承載器軌道。在一個(gè)實(shí)施方案中，提供晶片承載器軌道系統(tǒng)，包括第一晶片承載器軌道的上搭接接合部，其被布置在第二晶片承載器軌道的下搭接接合部上；排氣口，其被形成在第一晶片承載器軌道的上搭接接合部和第二晶片承載器軌道的下搭接接合部之間；以及第一導(dǎo)向路徑，其在第一晶片承載器軌道的上表面上且與第二晶片承載器軌道的上表面上的第二導(dǎo)向路徑對(duì)準(zhǔn)。在某些實(shí)施例中，第二晶片承載器軌道的上搭接接合部可以被布置在第三晶片承載器軌道的下搭接接合部上。在另一個(gè)實(shí)施方案中，提供用于使晶片承載器在氣相沉積反應(yīng)器系統(tǒng)內(nèi)漂浮和橫移的晶片承載器軌道，晶片承載器軌道包括軌道組件，其具有在其內(nèi)形成的氣體空腔；導(dǎo)向路徑，其沿著軌道組件的上表面延伸；多個(gè)氣體孔，其在導(dǎo)向路徑內(nèi)并且從軌道組件的上表面延伸并且延伸進(jìn)入氣體空腔中；以及被布置在軌道組件的一端處的上搭接接合部和被布置在軌道組件的相對(duì)端處的下搭接接合部，其中上搭接接合部沿著導(dǎo)向路徑的一部分延伸，并且下搭接接合部具有比軌道組件的導(dǎo)向路徑延伸得更遠(yuǎn)的上表面。附圖簡(jiǎn)述為了本發(fā)明的上文敘述的特征可以被詳細(xì)地理解，在上文簡(jiǎn)要地概括的本發(fā)明更具體的描述可以參照實(shí)施方案，其中的某些實(shí)施方式在附圖中圖示。然而，將注意，附圖僅圖示了本發(fā)明的典型的實(shí)施方案，并且因此將不被認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明范圍的限制，因?yàn)楸景l(fā)明可以允許其他等效的實(shí)施方案。

圖1A-1E描繪了根據(jù)本文描述的實(shí)施方案的CVD反應(yīng)器；圖IF描繪了根據(jù)本文描述的另一個(gè)實(shí)施方案的被耦合于溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)的CVD反應(yīng)器；圖2A-2C描繪了根據(jù)本文描述的實(shí)施方案的反應(yīng)器蓋子組件；圖2D描繪了根據(jù)本文描述的實(shí)施方案的反應(yīng)器蓋子支撐件；圖3描繪了根據(jù)本文描述的實(shí)施方案的反應(yīng)器體組件；圖4A-4E描繪了根據(jù)本文描述的實(shí)施方案的晶片承載器軌道；圖5A-5D描繪了根據(jù)本文描述的實(shí)施方案的隔離器組件；圖6描繪了根據(jù)本文描述的實(shí)施方案的加熱燈組件；圖7A-7D描繪了根據(jù)本文描述的實(shí)施方案的淋噴頭組件；圖8A-8D描繪了根據(jù)本文描述的實(shí)施方案的排氣組件；
圖9A-9F描繪了根據(jù)本文描述的實(shí)施方案的包括多個(gè)CVD反應(yīng)器的CVD系統(tǒng)；圖10A-10B描繪了根據(jù)本文描述的實(shí)施方案的燈；圖11A-11F描繪了多個(gè)根據(jù)本文描述的其他實(shí)施方案的燈；圖12A-12B描繪了根據(jù)本文描述的另一個(gè)實(shí)施方案的漂浮襯底承載器；以及圖12C-12E描繪了根據(jù)本文描述的另一個(gè)實(shí)施方案的其他漂浮襯底承載器。詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方案大體上涉及化學(xué)氣相沉積(CVD)，例如金屬有機(jī)物CVD (MOCVD) 工藝，的裝置和方法。如本文提出的，本發(fā)明的實(shí)施方案被描述為涉及大氣壓力CVD反應(yīng)器以及金屬有機(jī)物前驅(qū)體氣體。然而，將注意，本發(fā)明的各方面不限于用于大氣壓力CVD反應(yīng)器或金屬有機(jī)物前驅(qū)體氣體，而還可適用于其他類型的反應(yīng)器系統(tǒng)和前驅(qū)體氣體。為了更好地理解本發(fā)明的裝置以及其使用方法的新穎性，下文參照附圖。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案，提供大氣壓力CVD反應(yīng)器。CVD反應(yīng)器可以被用于提供在襯底例如砷化鎵襯底上的多重外延層。這些外延層可以包括砷化鋁鎵、砷化鎵和砷化鎵磷(phosphorous gallium arsenide)。這些外延層可以在砷化鎵襯底上生長(zhǎng)，以進(jìn)行之后的除去，使得襯底可以再使用以生成另外的材料。在一個(gè)實(shí)施方案中，CVD反應(yīng)器可以被用于提供太陽(yáng)能電池。這些太陽(yáng)能電池還可以包括單結(jié)、異質(zhì)結(jié)或其他配置。在一個(gè)實(shí)施方案中，CVD反應(yīng)器可以被配置為在10厘米乘10厘米的襯底上產(chǎn)生2. 5瓦特晶片。在一個(gè)實(shí)施方案中，CVD反應(yīng)器可以提供約1個(gè)襯底每分鐘至約10個(gè)襯底每分鐘的處理量范圍。圖1A-1E描繪了反應(yīng)器100，其是CVD反應(yīng)器或室，如本文描述的實(shí)施方案中描述的。反應(yīng)器100包括被布置在反應(yīng)器體組件102上的反應(yīng)器蓋子組件200。反應(yīng)器蓋子組件200和其部件在圖2A-2D中進(jìn)一步圖示，并且反應(yīng)器體組件102在圖3中進(jìn)一步圖示。反應(yīng)器蓋子組件200包括被布置在兩個(gè)淋噴頭，即淋噴頭組件700，之間的注入器或隔離器，即隔離器組件500。反應(yīng)器蓋子組件200還包括排氣組件800。圖IC描繪了包括兩個(gè)沉積站，例如室站160、162，的反應(yīng)器100。室站160包括淋噴頭組件700和隔離器組件500，并且室站162包括淋噴頭組件700和排氣組件800。在一個(gè)實(shí)施方案中，隔離器組件500可以被用于流動(dòng)氣體以將兩個(gè)淋噴頭組件700從彼此分離，并且排氣組件800可以被用于將反應(yīng)器100的內(nèi)部環(huán)境從另一個(gè)被連接于面板112的反應(yīng)器隔離。在本文描述的許多實(shí)施方案中，淋噴頭組件700中的每個(gè)可以是模塊化的淋噴頭組件，隔離器組件500中的每個(gè)可以是模塊化的隔離器組件，并且排氣組件800中的每個(gè)可以是模塊化的排氣組件。淋噴頭組件700、隔離器組件500和/或排氣組件800中的任何可以被從反應(yīng)器蓋子組件200除去，并且被相同的或不同的組件代替，如對(duì)于具體的工藝條件來(lái)說(shuō)期望的。淋噴頭組件700、隔離器組件500和/或排氣組件800的模塊化組件可以被獨(dú)立地配置以定位在CVD反應(yīng)器系統(tǒng)內(nèi)。在本文描述的可選擇的實(shí)施方案中，提供反應(yīng)器100的其他配置，而不是在附圖中圖示的。在一個(gè)實(shí)施方案中，反應(yīng)器100的反應(yīng)器蓋子組件200包括被兩個(gè)淋噴頭組件 700分隔的三個(gè)排氣組件800，使得反應(yīng)器蓋子組件200相繼地包括第一排氣組件、第一淋噴頭組件、第二排氣組件、第二淋噴頭組件和第三排氣組件。在另一個(gè)實(shí)施方案中，反應(yīng)器 100的反應(yīng)器蓋子組件200包括被兩個(gè)淋噴頭組件700分隔的三個(gè)隔離器組件500，使得反應(yīng)器蓋子組件200相繼地包括第一隔離器組件、第一淋噴頭組件、第二隔離器組件、第二淋噴頭組件和第三隔離器組件。在另一個(gè)實(shí)施方案中，反應(yīng)器100的反應(yīng)器蓋子組件200包括被兩個(gè)淋噴頭組件 700分隔的兩個(gè)隔離器組件500和一個(gè)排氣組件800，使得反應(yīng)器蓋子組件200相繼地包括第一隔離器組件、第一淋噴頭組件、第二隔離器組件、第二淋噴頭組件和第一排氣組件。在另一個(gè)實(shí)施例中，反應(yīng)器蓋子組件200可以相繼地包括第一隔離器組件、第一淋噴頭組件、 第一排氣組件、第二淋噴頭組件和第二隔離器組件。在另一個(gè)實(shí)施例中，反應(yīng)器蓋子組件 200可以相繼地包括第一排氣組件、第一淋噴頭組件、第一隔離器組件、第二淋噴頭組件和第二隔離器組件。在另一個(gè)實(shí)施方案中，反應(yīng)器100的反應(yīng)器蓋子組件200包括被兩個(gè)淋噴頭組件 700分隔的兩個(gè)排氣組件800和一個(gè)隔離器組件500，使得反應(yīng)器蓋子組件200相繼地包括第一排氣組件、第一淋噴頭組件、第二排氣組件、第二淋噴頭組件和第一隔離器組件。在另一個(gè)實(shí)施例中，反應(yīng)器蓋子組件200可以相繼地包括第一排氣組件、第一淋噴頭組件、第一隔離器組件、第二淋噴頭組件和第二排氣組件。在另一個(gè)實(shí)施例中，反應(yīng)器蓋子組件200可以相繼地包括第一隔離器組件、第一淋噴頭組件、第一排氣組件、第二淋噴頭組件和第二排氣組件。反應(yīng)器體組件102包括在一端上的面板110和在相對(duì)端上的面板112。面板110 和112可以各自獨(dú)立地用于將與反應(yīng)器100相似的或不同的另外的反應(yīng)器耦合在一起，或用于耦合端帽、端板、晶片/襯底把持器或另一個(gè)設(shè)備。在一個(gè)實(shí)施例中，反應(yīng)器100的面板110可以被耦合于另一個(gè)反應(yīng)器(未示出)的面板112。相似地，反應(yīng)器100的面板112 可以被耦合于另一個(gè)反應(yīng)器(未示出)的面板110。密封器、隔離件、0形環(huán)可以被布置在兩個(gè)接合的面板之間。在一個(gè)實(shí)施方案中，密封器可以包括金屬，例如鎳或鎳合金。在一個(gè)實(shí)施例中，密封器是刀口金屬密封器(knife edgemetal seal) 0在另一個(gè)實(shí)施方案中， 密封器包括聚合物或彈性體，例如可從DuPont Performance Elastomers L. L. C.獲得的 KALREZ 彈性體密封器。在另一個(gè)實(shí)施方案中，密封器可以是螺旋密封器或H形密封器。 密封器或0形環(huán)應(yīng)當(dāng)形成氣密密封，以防止或大大地減少環(huán)境氣體進(jìn)入反應(yīng)器100。反應(yīng)器100可以在使用或生產(chǎn)期間被保持為幾乎沒(méi)有或完全沒(méi)有氧氣、水或二氧化碳。在一個(gè)實(shí)施方案中，反應(yīng)器100可以被保持為獨(dú)立地具有約IOOppb (份每十億份)，或更低、優(yōu)選約 lOppb，或更低、更優(yōu)選約lppb，或更低并且更優(yōu)選約IOOppt (份每萬(wàn)億份)，或更低的氧氣濃度、水濃度和/或二氧化碳濃度。側(cè)部120和130沿反應(yīng)器體組件102的長(zhǎng)度延伸。側(cè)部120具有上表面128，并且側(cè)部130具有上表面138。反應(yīng)器體組件102的上表面114和116在上表面1 和138之間延伸。上表面114在反應(yīng)器體組件102上，正好在面板110內(nèi)部并且平行于面板110，并且上表面116在反應(yīng)器體組件102上，正好在面板112內(nèi)部并且平行于面板112。氣體入口 123被耦合于側(cè)部120并且從側(cè)部120延伸。漂浮氣體或載氣可以經(jīng)過(guò)氣體入口 123施用于反應(yīng)器100中。漂浮氣體或載氣可以包括氮?dú)?、氦氣、氬氣、氫氣或其混合物。圖IF描繪了根據(jù)本文描述的一個(gè)實(shí)施方案的反應(yīng)器100，包括反應(yīng)器體組件102 和反應(yīng)器蓋子組件200并且被耦合于溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)190。溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)190在圖1中被圖示為具有三個(gè)熱交換器180a、180b和180c。然而，溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)190可以具有被耦合于反應(yīng)器100的各個(gè)部分并且與反應(yīng)器100的各個(gè)部分流體連通的1、2、3、4、5或更多個(gè)熱交換器。熱交換器180a、180b或180c中的每個(gè)可以包括至少一個(gè)液體供應(yīng)部182和至少一個(gè)液體返回部184。每個(gè)液體供應(yīng)部182可以通過(guò)導(dǎo)管186被耦合于反應(yīng)器100上的入口并且與反應(yīng)器100上的入口流體連通，并且每個(gè)液體返回部184可以通過(guò)導(dǎo)管186被耦合于反應(yīng)器100上的出口并且與反應(yīng)器100上的出口流體連通。導(dǎo)管186可以包括管、管路、軟管、其他中空管線或其組合。閥188可以在液體供應(yīng)部182和入口之間的每個(gè)導(dǎo)管186上使用或在液體返回部184和出口之間的每個(gè)導(dǎo)管186上使用。反應(yīng)器體組件102被耦合于作為熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)一部分的至少一個(gè)熱交換器并且與作為熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)一部分的該至少一個(gè)熱交換器流體連通。在某些實(shí)施方案中，反應(yīng)器體組件102可以被耦合于兩個(gè)、三個(gè)或更多個(gè)熱交換器并且與該兩個(gè)、三個(gè)或更多個(gè)熱交換器流體連通。圖IB描繪了被耦合于反應(yīng)器100的下部分104并且與反應(yīng)器100的下部分104 流體連通并且與熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)流體連通的入口 118a和出口 118b。在一個(gè)實(shí)施方案中，入口 122a、122b和122c以及出口 U6a、126b和126c被耦合于側(cè)部120并且從側(cè)部120延伸。至少一個(gè)熱交換器被耦合于入口 122a、122b和122c以及出 口 126a、126b 和 126c 并且與入口 122a、122b 和 122c 以及出口 126a、126b 和 126c 流體連通。入口 122a、122b和122c可以接收來(lái)自熱交換器的液體，并且出口 U6a、126b和126c 將液體送回至熱交換器。在一個(gè)實(shí)施方案中，每個(gè)入口 122a、122b或122c被定位在比每個(gè)相應(yīng)出口 U6a、126b或126c低的位置中，使得來(lái)自每個(gè)入口 122a、122b或122c的流動(dòng)液體向上經(jīng)過(guò)每個(gè)連接通路流動(dòng)至每個(gè)相應(yīng)出口 U6a、12m3或126c。在另一個(gè)實(shí)施方案中，入口 132a、132b和132c以及出口 136a、136b和136c被耦合于側(cè)部130并且從側(cè)部130延伸。至少一個(gè)熱交換器被耦合于入口 132a、132b和132c 以及出口 136a、136b 和 136c 并且與入口 132a、132b 和 132c 以及出口 136a、136b 和 136c 流體連通。入口 132a、132b和132c可以接收來(lái)自熱交換器的液體，并且出口 136a、136b和 136c將液體送回至熱交換器。圖1C-1D圖示了包括流體通路12^、lMb、12^、i;34a、134b和13 的反應(yīng)器體組件102。在一個(gè)實(shí)施例中，流體通路12 在側(cè)部120內(nèi)延伸并且沿反應(yīng)器體組件102的一部分長(zhǎng)度延伸。流體通路12 被耦合于入口 12 和出口 126a并且與入口 12 和出口 126a流體連通。此外，流體通路13 在側(cè)部130內(nèi)延伸并且沿反應(yīng)器體組件102的一部分長(zhǎng)度延伸。流體通路134a被耦合于入口 13 和出口 136a并且與入口 13 和出口 136a 流體連通。在另一個(gè)實(shí)施例中，流體通路124b在反應(yīng)器體組件102內(nèi)的擱板或托架臂146內(nèi)延伸并且沿反應(yīng)器體組件102的一部分長(zhǎng)度延伸。流體通路124b被耦合于入口 122b和出口 126b并且與入口 122b和出口 126b流體連通。此外，流體通路134b在反應(yīng)器體組件102 內(nèi)的擱板或托架臂146內(nèi)延伸并且沿反應(yīng)器體組件102的一部分長(zhǎng)度延伸。流體通路134b 被耦合于入口 132b和出口 136b并且與入口 132b和出口 136b流體連通。在另一個(gè)實(shí)施例中，流體通路12 從側(cè)部120延伸，經(jīng)過(guò)反應(yīng)器體組件102的寬度，并且到達(dá)側(cè)部130。流體通路12 被耦合于入口 122c和出口 132c并且與入口 122c和出口 132c流體連通。此外，流體通路12 從側(cè)部130延伸，經(jīng)過(guò)反應(yīng)器體組件102的寬度， 并且到達(dá)側(cè)部130。流體通路12 被耦合于入口 126c和出口 136c并且與入口 126c和出口 136c流體連通。在另一個(gè)實(shí)施方案中，反應(yīng)器體組件102包括被布置在其中的晶片承載器軌道 400和加熱燈組件600。加熱燈系統(tǒng)可以被用于加熱被布置在反應(yīng)器100上方和在反應(yīng)器 100內(nèi)的晶片承載器軌道400、晶片承載器和晶片90。晶片承載器軌道400可以在擱板例如托架臂146上。通常，晶片承載器軌道400可以被布置在托架臂146和夾緊臂148之間。 托架臂146可以包括橫穿其中的流體通路124b和134b。在一個(gè)實(shí)施方案中，隔離件，例如墊圈或0形環(huán)，可以被布置在晶片承載器軌道 400的下表面和托架臂146的上表面之間。此外，另一個(gè)隔離件，例如墊圈或0形環(huán)，可以被布置在晶片承載器軌道400的上表面和夾緊臂148的下表面之間。隔離件可以被用于形成圍繞晶片承載器軌道400的空間或縫隙，這輔助晶片承載器軌道400的熱控制。在一個(gè)實(shí)施例中，托架臂146的上表面可以具有用于容納隔離件的凹槽。相似地，夾緊臂148的下表面可以具有用于容納隔離件的凹槽。圖2A-2C描繪了根據(jù)本文描述的另一個(gè)實(shí)施方案的反應(yīng)器蓋子組件200。反應(yīng)器蓋子組件200包括被布置在蓋子支撐件210上的淋噴頭組件700和隔離器組件500(室站 160)和淋噴頭組件700和排氣組件800(室站16 。圖2D描繪了被容納在反應(yīng)器蓋子組件200內(nèi)的蓋子支撐件210，如在一個(gè)實(shí)施方案中描述的。蓋子支撐件210具有下表面208 和上表面212。凸緣220從蓋子支撐件210向外延伸并且具有下表面222。當(dāng)反應(yīng)器蓋子組件200被布置在反應(yīng)器體組件102上時(shí)，凸緣220幫助支撐反應(yīng)器蓋子組件200。凸緣 220的下表面222可以與反應(yīng)器體組件102的上表面114、116、1觀和138物理接觸。在一個(gè)實(shí)施方案中，淋噴頭組件700可以被布置在蓋子支撐件210的淋噴頭口 230 和250內(nèi)，隔離器組件500可以被布置在蓋子支撐件210的隔離器口 MO內(nèi)，并且排氣組件 800可以被布置在蓋子支撐件210的排氣口沈0內(nèi)。氣體或排氣組件的幾何形狀通常匹配各自的口的幾何形狀。每個(gè)淋噴頭組件700和淋噴頭口 230和250可以獨(dú)立地具有矩形的或正方形的幾何形狀。工藝路徑，例如漂浮晶片承載器480在制造過(guò)程期間在其中沿晶片承載器軌道400向前行進(jìn)的路徑，沿蓋子支撐件210的長(zhǎng)度以及晶片承載器軌道400延伸。淋噴頭口 230具有長(zhǎng)度232和寬度234，并且淋噴頭口 250具有長(zhǎng)度252和寬度 254。隔離器組件500和隔離器口 240可以獨(dú)立地具有矩形的或正方形的幾何形狀。隔離器口 240具有長(zhǎng)度242和寬度M4。排氣組件800和排氣口 260可以獨(dú)立地具有矩形的或正方形的幾何形狀。排氣口 260具有長(zhǎng)度262和寬度264。工藝路徑沿淋噴頭口 230的長(zhǎng)度232和其中的第一淋噴頭組件延伸，沿隔離器口 240的長(zhǎng)度242和其中的隔離器組件延伸，沿淋噴頭口 250的長(zhǎng)度252和其中的第二淋噴頭組件延伸，并且沿排氣口 260的長(zhǎng)度262和其中的排氣組件延伸。此外，工藝路徑垂直于或?qū)嵸|(zhì)上垂直于淋噴頭口 230的寬度234和其中的第一淋噴頭組件延伸，垂直于或?qū)嵸|(zhì)上垂直于隔離器口 240的寬度244和其中的隔離器組件延伸，垂直于或?qū)嵸|(zhì)上垂直于淋噴頭口 250的寬度2M和其中的第二淋噴頭組件延伸，并且垂直于或?qū)嵸|(zhì)上垂直于排氣口 260的寬度264和其中的排氣組件延伸。在某些實(shí)施例中，第一淋噴頭組件700、隔離器組件500、第二淋噴頭組件700和排氣組件800被連貫地布置為鄰近彼此并且沿著沿蓋子支撐件的長(zhǎng)度延伸的工藝路徑。隔離器組件500和排氣組件800可以每個(gè)具有與工藝路徑的寬度實(shí)質(zhì)上相同或大于工藝路徑寬度的寬度。此外，隔離器組件500或排氣組件800可以獨(dú)立地具有與第一淋噴頭組件700和第二淋噴頭組件700的寬度實(shí)質(zhì)上相同或大于第一淋噴頭組件700和第二淋噴頭組件700 寬度的寬度。在一個(gè)實(shí)施方案中，淋噴頭組件700獨(dú)立地具有正方形的幾何形狀，并且隔離器組件500和排氣組件800具有正方形的幾何形狀。在一個(gè)實(shí)施例中，隔離器口 240的寬度 244和隔離器組件500的寬度可以延伸跨過(guò)室的內(nèi)部的寬度。在另一個(gè)實(shí)施例中，排氣口 260的寬度264和排氣組件800的寬度可以延伸跨過(guò)室的內(nèi)部的寬度。在某些實(shí)施方案中，淋噴頭口 230的寬度234、淋噴頭口 250的寬度254以及每個(gè)淋噴頭組件700的寬度可以獨(dú)立地在約3英寸至約9英寸、優(yōu)選約5英寸至約7英寸的范圍內(nèi)，例如寬度為約6英寸。此外，淋噴頭口 230的長(zhǎng)度232、淋噴頭口 250的長(zhǎng)度252以及每個(gè)淋噴頭組件700的長(zhǎng)度可以獨(dú)立地在約3英寸至約9英寸、優(yōu)選約5英寸至約7英寸的范圍內(nèi)，例如長(zhǎng)度為約6英寸。在其他實(shí)施方案中，隔離器口 240的寬度M4以及隔離器組件500的寬度可以獨(dú)立地在約3英寸至約12英寸、優(yōu)選約4英寸至約8英寸、并且更優(yōu)選約5英寸至約6英寸的范圍內(nèi)。此外，隔離器口 240的長(zhǎng)度242以及隔離器組件500的長(zhǎng)度可以獨(dú)立地在約0. 5 英寸至約5英寸、優(yōu)選約1英寸至約4英寸、約1. 5英寸至約2英寸的范圍內(nèi)。在其他實(shí)施方案中，排氣口 260的寬度沈4以及排氣組件800的寬度可以獨(dú)立地在約3英寸至約12英寸、優(yōu)選約4英寸至約8英寸、并且更優(yōu)選約5英寸至約6英寸的范圍內(nèi)。此外，排氣口 260的長(zhǎng)度沈2以及排氣組件800的長(zhǎng)度可以獨(dú)立地在約0. 5英寸至約5英寸、優(yōu)選約1英寸至約4英寸、約1. 5英寸至約2英寸的范圍內(nèi)。反應(yīng)器蓋子組件200可以被耦合于作為熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)一部分的至少一個(gè)熱交換器并且與作為熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)一部分的該至少一個(gè)熱交換器流體連通。在某些實(shí)施方案中，反應(yīng)器蓋子組件200可以被耦合于兩個(gè)、三個(gè)或更多個(gè)熱交換器并且與該兩個(gè)、三個(gè)或更多個(gè)熱交換器流體連通。反應(yīng)器蓋子組件200的熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)190(圖1F)包括入口 214a、216a和218a以及出口 214b、2im3和218b，如圖2A中描繪的。每對(duì)入口和出口被耦合于延伸貫穿反應(yīng)器蓋子組件200的通路并且與該延伸貫穿反應(yīng)器蓋子組件200的通路流體連通。入口 214a、 216a和218a可以接收來(lái)自熱交換器的液體，并且出口 214b、2im3和21 將液體送回至熱交換器，例如熱交換器180a-180c。在某些實(shí)施方案中，溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)190利用熱交換器180a-180c將反應(yīng)器體組件102和/或反應(yīng)器蓋子組件200獨(dú)立地保持在約250°C至約 350°C、優(yōu)選約275°C至約325°C、更優(yōu)選約290°C至約310°C的范圍內(nèi)的溫度，例如保持在約 300 "C。圖2B-2C圖示了流體通路224、2洸和228。流體通路2 被布置在入口 21 和出口 214b之間，入口 21 和出口 214b可以被耦合于熱交換器并且與熱交換器流體連通。流體通路2M被布置在淋噴頭組件700和排氣組件800之間。此外，流體通路2 被布置在入口 216a和出口 216b之間，并且流體通路2 被布置在入口 218a和出口 218b之間，入口 216a和出口 216b以及入口 218a和出口 218b 二者可以獨(dú)立地被耦合于熱交換器并且與熱交換器流體連通。流體通路2 被布置在淋噴頭組件700和隔離器組件500之間，并且流體通路2 被布置在淋噴頭組件700和隔離器組件500之間。
流體通路2M被部分地形成在凹槽213和板223之間。相似地，流體通路2 被部分地形成在凹槽215和板225之間，并且流體通路2 被部分地形成在凹槽217和板227 之間。凹槽213、215和217可以被形成在蓋子支撐件210的下表面208內(nèi)。圖2D描繪了分別覆蓋凹槽213,215和217的板223,225和227。在一個(gè)實(shí)施方案中，提供用于氣相沉積的反應(yīng)器蓋子組件200，包括被布置為在蓋子支撐件210上鄰近彼此的第一淋噴頭組件700和隔離器組件500，以及被布置為在蓋子支撐件210上鄰近彼此的第二淋噴頭組件700和排氣組件800，其中隔離器組件500被布置在第一淋噴頭組件700和第二淋噴頭組件700之間，并且第二淋噴頭組件700被布置在隔離器組件500和排氣組件800之間。在另一個(gè)實(shí)施方案中，提供用于氣相沉積的反應(yīng)器蓋子組件200，包括具有被布置為在蓋子支撐件210上鄰近彼此的第一淋噴頭組件700和隔離器組件500的室站160，以及具有被布置為在蓋子支撐件210上鄰近彼此的第二淋噴頭組件700和排氣組件800的室站 162，其中隔離器組件500被布置在第一淋噴頭組件700和第二淋噴頭組件700之間，并且第二淋噴頭組件700被布置在隔離器組件500和排氣組件800之間。在另一個(gè)實(shí)施方案中，提供用于氣相沉積的反應(yīng)器蓋子組件200，包括被連貫地且線性地布置為在蓋子支撐件210上鄰近彼此的第一淋噴頭組件700、隔離器組件500、第二淋噴頭組件700和排氣組件800，其中隔離器組件500被布置在第一淋噴頭組件700和第二淋噴頭組件700之間，并且第二淋噴頭組件700被布置在隔離器組件500和排氣組件800 之間。在另一個(gè)實(shí)施方案中，提供用于氣相沉積的反應(yīng)器蓋子組件200，包括被連貫地且線性地布置為在蓋子支撐件210上鄰近彼此的第一淋噴頭組件700、隔離器組件500、第二淋噴頭組件700和排氣組件800，并且包括具有至少一個(gè)液體或流體通路的溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng) 190，但是溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)190通常可以具有延伸貫穿蓋子支撐件210的兩個(gè)、三個(gè)或更多個(gè)液體或流體通路，例如流體通路2對(duì)、2沈和228。溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)190還具有被耦合于流體通路224、226和2 并且與流體通路224、226和2 流體連通的至少一個(gè)入口例如入口 214a、 216a和218a,以及至少一個(gè)出口例如出口 214b,216b和218b。入口 214a、216a禾口 218a以及出口 214b、216b和218b中的每個(gè)可以被獨(dú)立地耦合于儲(chǔ)液器、熱交換器或多個(gè)熱交換器例如熱交換器180a、180b和180c，并且與該儲(chǔ)液器、熱交換器或多個(gè)熱交換器例如熱交換器180a、180b和180c流體連通。在一個(gè)實(shí)施例中，儲(chǔ)液器可以包括或可以是水、醇、二醇、 二醇醚、有機(jī)溶劑或其混合物的源。在一個(gè)實(shí)施例中，第一淋噴頭組件700可以被布置在溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)190的延伸穿過(guò)反應(yīng)器蓋子組件200的兩個(gè)獨(dú)立流體通路之間。在另一個(gè)實(shí)施例中，第二淋噴頭組件700 可以被布置在溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)190的延伸穿過(guò)反應(yīng)器蓋子組件200的兩個(gè)獨(dú)立流體通路之間。在另一個(gè)實(shí)施例中，隔離器組件500可以被布置在溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)190的延伸穿過(guò)反應(yīng)器蓋子組件200的兩個(gè)獨(dú)立流體通路之間。在另一個(gè)實(shí)施例中，排氣組件800可以被布置在溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)190的延伸穿過(guò)反應(yīng)器蓋子組件200的兩個(gè)獨(dú)立流體通路之間。在另一個(gè)實(shí)施方案中，提供用于氣相沉積的反應(yīng)器蓋子組件200，包括具有被布置為在蓋子支撐件210上鄰近彼此的第一淋噴頭組件700和隔離器組件500的室站160， 具有被布置為在蓋子支撐件210上鄰近彼此的第二淋噴頭組件700和排氣組件800的室站162，以及溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)190，其中隔離器組件500被布置在第一淋噴頭組件700和第二淋噴頭組件700之間。在一個(gè)實(shí)施方案中，第一淋噴頭組件700、隔離器組件500、第二淋噴頭組件700和排氣組件800被連貫地布置為鄰近彼此并且沿著蓋子支撐件210的長(zhǎng)度。在某些實(shí)施方案中，隔離器組件500可以具有比第一淋噴頭組件700或第二淋噴頭組件700長(zhǎng)的寬度。在其他實(shí)施方案中，隔離器組件500可以具有比第一淋噴頭組件700或第二淋噴頭組件700短的長(zhǎng)度。在某些實(shí)施方案中，排氣組件800可以具有比第一淋噴頭組件700或第二淋噴頭組件700長(zhǎng)的寬度。在其他實(shí)施方案中，排氣組件800可以具有比第一淋噴頭組件700或第二淋噴頭組件700短的長(zhǎng)度。在某些實(shí)施例中，第一淋噴頭組件700、隔離器組件500、第二淋噴頭組件700和排氣組件800獨(dú)立地具有矩形的幾何形狀。在其他實(shí)施例中，第一淋噴頭組件700和第二淋噴頭組件700具有正方形的幾何形狀。蓋子支撐件210可以包括諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金或其組合的材料，或由諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、 鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金或其組合的材料制造。實(shí)施方案提供了 隔離器組件500或第一淋噴頭組件700或第二淋噴頭組件700 中的每個(gè)獨(dú)立地具有主體502或702，主體502或702包括被布置在下部分504或704上的上部分506或706 ；中央通道516或716，中央通道516或716延伸穿過(guò)上部分506或706 和下部分504或704，在主體502或702的內(nèi)表面509或709之間，并且平行于延伸穿過(guò)主體502或702的中心軸線501或701 ；以及具有第一多個(gè)孔532或732并且被布置在中央通道516或716內(nèi)的可選擇的擴(kuò)散板530或730。隔離器組件500或第一淋噴頭組件700 或第二淋噴頭組件700獨(dú)立地具有上管板540或740，上管板540或740具有第二多個(gè)孔 542或742并且被布置在中央通道516或716內(nèi)并且可選擇地在擴(kuò)散板530或730下方；以及下管板550或750，下管板550或750具有第三多個(gè)孔552或752并且被在上管板540或 740下方布置在中央通道516或716內(nèi)。淋噴頭組件700或隔離器組件500中的任何一個(gè)獨(dú)立地還可以具有從上管板540或740延伸至下管板550或750的多個(gè)氣體管580或780， 其中氣體管580或780中的每個(gè)被耦合于來(lái)自第二多個(gè)孔542或742的分別的孔和來(lái)自第三多個(gè)孔552或752的分別的孔，并且與該來(lái)自第二多個(gè)孔542或742的分別的孔和該來(lái)自第三多個(gè)孔552或752的分別的孔流體連通。在另一個(gè)實(shí)施方案中，排氣組件800包括主體802，主體802具有被布置在下部分804上的上部分806 ；中央通道816，中央通道816延伸穿過(guò)上部分806和下部分804，在主體802的內(nèi)表面809之間，并且平行于延伸穿過(guò)主體802的中心軸線801 ；排氣出口 860， 排氣出口 860被布置在主體802的上部分806上；具有第一多個(gè)孔832并且被布置在中央通道816內(nèi)的可選擇的擴(kuò)散板830 ；上管板840，上管板840具有第二多個(gè)孔842并且被布置在中央通道816內(nèi)并且可選擇地在擴(kuò)散板830(如果存在的話)下方；下管板850，下管板 850具有第三多個(gè)孔852并且被在上管板840下方布置在中央通道816內(nèi)。排氣組件800 還可以包括多個(gè)排氣管880，多個(gè)排氣管880從上管板840延伸至下管板850，其中排氣管 880中的每個(gè)被耦合于來(lái)自第二多個(gè)孔842的分別的孔和來(lái)自第三多個(gè)孔852的分別的孔并且與該來(lái)自第二多個(gè)孔842的分別的孔和該來(lái)自第三多個(gè)孔852的分別的孔流體連通。圖4A-4E描繪了根據(jù)本文描述的一個(gè)實(shí)施方案的晶片承載器軌道400。在另一個(gè)實(shí)施方案中，提供了用于使襯底襯托器(susceptor)例如漂浮晶片承載器480在氣相沉積反應(yīng)器系統(tǒng)例如反應(yīng)器100內(nèi)漂浮和橫移的晶片承載器軌道400，晶片承載器軌道400包括被布置在晶片承載器軌道400的下節(jié)段(lower segment) 412上的晶片承載器軌道400 的上節(jié)段410。氣體空腔430被形成在晶片承載器軌道400的上節(jié)段410和下節(jié)段412之間。兩個(gè)側(cè)表面416沿著晶片承載器軌道400的上節(jié)段410并且平行于彼此延伸。導(dǎo)向路徑420在兩個(gè)側(cè)表面416之間并且沿著上節(jié)段410的上表面418延伸。多個(gè)氣體孔438被布置在導(dǎo)向路徑420內(nèi)并且從上節(jié)段410的上表面418延伸，穿過(guò)上節(jié)段410，并且進(jìn)入氣體空腔430中。在另一個(gè)實(shí)施方案中，上搭接接合部440被布置在晶片承載器軌道400的一端處并且下搭接接合部450被布置在晶片承載器軌道400的相對(duì)端處，其中上搭接接合部440 沿著側(cè)表面416和導(dǎo)向路徑420的一部分延伸。上搭接接合部440具有比下節(jié)段412延伸得更遠(yuǎn)的下表面442。下搭接接合部450具有比晶片承載器軌道400的導(dǎo)向路徑420和側(cè)表面416延伸得更遠(yuǎn)的上表面452。通常，晶片承載器軌道400的上節(jié)段410和/或下節(jié)段412可以獨(dú)立地包括石英。 在某些實(shí)施例中，晶片承載器軌道400的下節(jié)段412可以是石英板。晶片承載器軌道400 的上節(jié)段410和下節(jié)段412可以被熔合在一起。在一個(gè)具體的實(shí)施例中，上節(jié)段410和下節(jié)段412 二者都包括石英并且被熔合在一起，形成在它們之間的氣體空腔。在晶片承載器軌道400的上節(jié)段410和/或下節(jié)段412中包括的石英通常是透明的，但是在某些實(shí)施方案中，晶片承載器軌道400的部分可以包括不透明的石英。在另一個(gè)實(shí)施方案中，氣體口 434從晶片承載器軌道400的側(cè)表面402延伸并且延伸入氣體空腔430中。在一個(gè)實(shí)施例中，氣體口 434延伸穿過(guò)上節(jié)段410。多個(gè)氣體孔 438的數(shù)量可以是約10個(gè)孔至約50個(gè)孔，優(yōu)選約20個(gè)孔至約40個(gè)孔。氣體孔438中的每個(gè)可以具有在約0. 005英寸至約0. 05英寸、優(yōu)選約0. 01英寸至約0. 03英寸的范圍內(nèi)的直徑。在其他實(shí)施方案中，晶片承載器軌道系統(tǒng)可以包括兩個(gè)或更多個(gè)被布置為端至端串聯(lián)的晶片承載器軌道400，如在圖4D-4E中描繪的。在一個(gè)實(shí)施方案中，提供晶片承載器軌道系統(tǒng)，包括被布置在第二晶片承載器軌道400的下搭接接合部450上的第一晶片承載器軌道400的上搭接接合部440 ；排氣口，排氣口被形成在第一晶片承載器軌道400的上搭接接合部440和第二晶片承載器軌道400的下搭接接合部450之間；以及第一導(dǎo)向路徑，第一導(dǎo)向路徑在第一晶片承載器軌道400的上表面上且與在第二晶片承載器軌道400的上表面上的第二導(dǎo)向路徑對(duì)準(zhǔn)。在某些實(shí)施例中，第二晶片承載器軌道400的上搭接接合部440 可以被布置在第三晶片承載器軌道400(未示出)的下搭接接合部450上。在另一個(gè)實(shí)施方案中，提供了用于使漂浮晶片承載器480在氣相沉積反應(yīng)器系統(tǒng)例如反應(yīng)器100內(nèi)漂浮和橫移的晶片承載器軌道400，其包括晶片承載器軌道400，晶片承載器軌道400具有在內(nèi)部形成的氣體空腔430 ；導(dǎo)向路徑420，導(dǎo)向路徑420沿著晶片承載器軌道400的上表面延伸；多個(gè)氣體孔438，多個(gè)氣體孔438在導(dǎo)向路徑420內(nèi)并且從晶片承載器軌道400的上表面延伸并且延伸入氣體空腔430中；以及上搭接接合部440，上搭接接合部440被布置在晶片承載器軌道400的一端處；以及下搭接接合部450，下搭接接合部 450被布置在晶片承載器軌道400的相對(duì)端處，其中上搭接接合部440沿導(dǎo)向路徑420的一部分延伸并且下搭接接合部450具有比晶片承載器軌道400的導(dǎo)向路徑420延伸得更遠(yuǎn)的上表面。至少一個(gè)側(cè)表面可以被布置在晶片承載器軌道400上并且沿著導(dǎo)向路徑420且在導(dǎo)向路徑420上方延伸。在某些實(shí)施例中，兩個(gè)側(cè)表面416被布置在晶片承載器軌道400上并且沿著導(dǎo)向路徑420且在導(dǎo)向路徑420上方延伸。導(dǎo)向路徑420可以在兩個(gè)側(cè)表面416 之間延伸。在一個(gè)實(shí)施方案中，晶片承載器軌道400的上節(jié)段410可以被布置在晶片承載器軌道400的下節(jié)段412上。晶片承載器軌道400的上節(jié)段410可以具有沿著上表面延伸的導(dǎo)向路徑420。氣體空腔430可以被形成在晶片承載器軌道400的上節(jié)段410和下節(jié)段 412之間。在某些實(shí)施例中，晶片承載器軌道400的上節(jié)段410和下節(jié)段412可以被熔合在一起。在某些實(shí)施方案中，晶片承載器軌道400包括石英。晶片承載器軌道400的上節(jié)段410和下節(jié)段412可以獨(dú)立地包括石英。在一個(gè)實(shí)施例中，晶片承載器軌道400的下節(jié)段412是石英板。在其他實(shí)施方案中，氣體口 434從晶片承載器軌道400的側(cè)表面延伸并且延伸進(jìn)入氣體空腔430中。氣體口 434可以被用于使漂浮氣體流動(dòng)經(jīng)過(guò)晶片承載器軌道400的側(cè)表面，流動(dòng)進(jìn)入氣體空腔430中并且從在晶片承載器軌道400的上表面上的多個(gè)氣體孔438 流出。多個(gè)氣體孔438的數(shù)量可以是約10個(gè)孔至約50個(gè)孔，優(yōu)選約20個(gè)孔至約40個(gè)孔。 每個(gè)氣體孔438可以具有在約0. 005英寸至約0. 05英寸、優(yōu)選約0. 01英寸至約0. 03英寸的范圍內(nèi)的直徑。在另一個(gè)實(shí)施方案中，圖12A-12E描繪了漂浮晶片承載器480，漂浮晶片承載器 480可以被用于將襯底攜帶經(jīng)過(guò)多種包括如本文描述的CVD反應(yīng)器的處理室，以及其他用于沉積或蝕刻的處理室。漂浮晶片承載器480具有短側(cè)471、長(zhǎng)側(cè)473、上表面472和下表面474。漂浮晶片承載器480被圖示為具有矩形的幾何形狀，但是還可以具有正方形的幾何形狀、圓形的幾何形狀或其他幾何形狀。漂浮晶片承載器480可以包括石墨或其他材料，或由石墨或其他材料形成。漂浮晶片承載器480通常行進(jìn)穿過(guò)CVD反應(yīng)器，使短側(cè)471面向前并且長(zhǎng)側(cè)473面向CVD反應(yīng)器的側(cè)面。圖12A-12B描繪了根據(jù)本文描述的一個(gè)實(shí)施方案的漂浮晶片承載器480。圖12A 圖示了包括上表面472上的3個(gè)凹陷475的漂浮晶片承載器480的俯視圖。晶片或襯底在工藝期間可以被定位在凹陷475內(nèi)，同時(shí)被輸送穿過(guò)CVD反應(yīng)器。雖然被圖示為具有3個(gè)凹陷475，但是上表面472可以具有更多或更少的凹陷，包括沒(méi)有凹陷。例如，漂浮晶片承載器480的上表面472可以包括0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、12或更多個(gè)用于容納晶片或襯底的凹陷。在某些實(shí)施例中，一個(gè)晶片/襯底或多重晶片/襯底可以被直接地布置在不具有凹陷的上表面472上。圖12B圖示了包括下表面474上的凹陷478的漂浮晶片承載器480的仰視圖，如在本文的一個(gè)實(shí)施方案中描述的。凹陷478可以被用于在氣墊(gas cushion)被引入到漂浮晶片承載器480下方時(shí)幫助使漂浮晶片承載器480漂浮。氣體流可以被引導(dǎo)在凹陷478 處，凹陷478積聚氣體以形成氣墊。漂浮晶片承載器480的下表面474可以沒(méi)有凹陷，或可以具有一個(gè)凹陷478(圖12B)、兩個(gè)凹陷478(圖12C-12E)、三個(gè)凹陷478(未示出)或更多個(gè)。凹陷478中的每個(gè)可以具有直的或錐形的側(cè)面。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)凹陷478具有錐形的側(cè)面，使得側(cè)面476比具有更多角度漸變的側(cè)面477陡峭或陡。在凹陷478內(nèi)的側(cè)
15面477可以是錐形的，以補(bǔ)償在漂浮晶片承載器480上的熱梯度。此外，側(cè)面477可以是錐形的或有角度的，以幫助形成氣穴(air pocket)并且以在將漂浮晶片承載器480提升和沿著晶片承載器軌道400運(yùn)動(dòng)/橫移時(shí)將氣穴保持在漂浮晶片承載器480下方。在另一個(gè)實(shí)施例中，凹陷478具有直的或?qū)嵸|(zhì)上直的側(cè)面和錐形的側(cè)面，使得側(cè)面476是直的或?qū)嵸|(zhì)上直的，并且側(cè)面477具有錐形/角度，或側(cè)面477是直的或?qū)嵸|(zhì)上直的，并且側(cè)面476具有錐形/角度?？蛇x擇地，凹陷478可以具有全部直的側(cè)面，使得側(cè)面476和477是直的或?qū)嵸|(zhì)上直的。在另一個(gè)實(shí)施方案中，圖12C-12E圖示了包括下表面474上的兩個(gè)凹陷478的漂浮晶片承載器480的仰視圖。兩個(gè)凹陷478在氣墊被引入到漂浮晶片承載器480下方時(shí)幫助使漂浮晶片承載器480漂浮。氣體流可以被引導(dǎo)在凹陷478處，凹陷478積聚氣體以形成氣墊。凹陷478可以具有直的或錐形的側(cè)面。在一個(gè)實(shí)施例中，如在圖IOE中圖示的，凹陷478可以具有全部直的側(cè)面，使得側(cè)面476和477是直的，例如垂直于下表面474的平面。 在另一個(gè)實(shí)施例中，如在圖IOF中圖示的，凹陷478具有全部錐形的側(cè)面，使得側(cè)面476比具有更多角度漸變的側(cè)面477陡峭或陡。在凹陷478內(nèi)的側(cè)面477可以是錐形的，以補(bǔ)償在漂浮晶片承載器480上的熱梯度?？蛇x擇地，凹陷478可以具有直的側(cè)面和錐形的側(cè)面的組合，使得側(cè)面476是直的并且側(cè)面477具有錐形，或側(cè)面477是直的并且側(cè)面476具有錐形。漂浮晶片承載器480包括從下表面474延伸至上表面472并且延伸至任何被布置在上表面472上的襯底的熱通量。熱通量可以被處理系統(tǒng)的內(nèi)壓力和長(zhǎng)度二者控制。漂浮晶片承載器480的輪廓可以是錐形的，以補(bǔ)償來(lái)自其他源的熱損失。在工藝期間，熱通過(guò)漂浮晶片承載器480的邊緣例如短側(cè)471和長(zhǎng)側(cè)473而損失。然而，熱損失可以通過(guò)減少漂浮中通道的縫隙來(lái)允許更多熱通量進(jìn)入漂浮晶片承載器480的邊緣而被補(bǔ)償。在另一個(gè)實(shí)施方案中，晶片承載器軌道400包括被布置在導(dǎo)向路徑420上的漂浮晶片承載器480。在某些實(shí)施例中，漂浮晶片承載器480具有被布置在下表面內(nèi)的至少一個(gè)凹陷窩。在其他實(shí)施例中，漂浮晶片承載器480具有被布置在下表面內(nèi)的至少兩個(gè)凹陷窩。圖5A-5D描繪了根據(jù)本文描述的實(shí)施方案的用于氣相沉積室例如反應(yīng)器100的隔離器組件500。在一個(gè)實(shí)施方案中，隔離器組件500包括具有上部分506和下部分504的主體502，以及延伸穿過(guò)主體502的上部分506和下部分504的中央通道516。上部分506包括上表面507。中央通道516在主體502的內(nèi)表面509之間并且平行于延伸穿過(guò)主體502 的中心軸線501延伸。擴(kuò)散板530包括多個(gè)氣體孔532并且被布置在中央通道516內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施例中，擴(kuò)散板530被布置在凸緣或突出部分(ledge)510上。在另一個(gè)實(shí)施例中， 隔離器組件500不包括被布置在其中的擴(kuò)散板530。隔離器組件500還包括具有多個(gè)氣體孔542并且被在擴(kuò)散板530下方布置在中央通道516內(nèi)的上管板M0。隔離器組件500還包括具有多個(gè)氣體孔552并且被在上管板 540下方布置在中央通道516內(nèi)的下管板550。多個(gè)氣體管580從上管板540延伸至下管板陽(yáng)0，其中每個(gè)管被耦合于來(lái)自多個(gè)氣體孔542的分別的孔和來(lái)自多個(gè)氣體孔552的分別的孔，并且與該來(lái)自多個(gè)氣體孔M2的分別的孔和該來(lái)自多個(gè)氣體孔552的分別的孔流體連通。在本文描述的許多實(shí)施方案中，氣體管580中的每個(gè)平行于或?qū)嵸|(zhì)上平行于彼此并且平行于中心軸線501延伸。在可選擇的實(shí)施方案(未示出)中，氣體管580中的每個(gè)可以以相對(duì)于中心軸線501的預(yù)先確定的角度延伸，例如在約1°至約15°或更大的范圍內(nèi)。隔離器組件500可以被用于通過(guò)提供經(jīng)過(guò)入口孔(inlet port) 522并且進(jìn)入空腔 538,548和558的流動(dòng)路徑來(lái)分散氣體，例如吹掃氣體、前驅(qū)體氣體和/或載氣?？涨?38 被形成在中央通道516內(nèi)在上板520和擴(kuò)散板530之間?？涨?48被形成在中央通道516 內(nèi)在擴(kuò)散板530和上管板540之間?？涨?58被形成在中央通道516內(nèi)在上管板540和下管板550之間。在另一個(gè)實(shí)施方案中，隔離器組件500包括主體502，主體502包括上部分506和下部分504，其中上部分506包括在下部分504上延伸的凸緣；中央通道516，中央通道516 延伸穿過(guò)主體502的上部分506和下部分504，在主體502的內(nèi)表面509之間，并且平行于延伸穿過(guò)主體502的中心軸線501 ；擴(kuò)散板530，擴(kuò)散板530包括多個(gè)氣體孔532并且被布置在中央通道516內(nèi)；上管板M0，上管板540包括多個(gè)氣體孔542并且被在擴(kuò)散板530下方布置在中央通道516內(nèi)；下管板550，下管板550包括多個(gè)氣體孔552并且被在上管板540 下方布置在中央通道516內(nèi)；以及多個(gè)氣體管580，多個(gè)氣體管580從上管板540延伸至下管板陽(yáng)0，其中每個(gè)管被耦合于來(lái)自多個(gè)氣體孔542的分別的孔和來(lái)自多個(gè)氣體孔552的分別的孔，并且與該來(lái)自多個(gè)氣體孔M2的分別的孔和該來(lái)自多個(gè)氣體孔552的分別的孔流體連通。在另一個(gè)實(shí)施方案中，隔離器組件500包括主體502，主體502包括上部分506和下部分504，其中上部分506比下部分504從主體502的中心軸線501毗鄰地延伸更遠(yuǎn)，并且下部分504比上部分506平行于中心軸線501延伸得更遠(yuǎn)；中央通道516，中央通道516 延伸穿過(guò)主體502的上部分506和下部分504，在主體502的內(nèi)表面509之間，并且平行于中心軸線501 ；擴(kuò)散板530，擴(kuò)散板530包括多個(gè)氣體孔532并且被布置在中央通道516內(nèi)； 上管板MO，上管板540包括多個(gè)氣體孔542并且被在擴(kuò)散板530下方布置在中央通道516 內(nèi)；下管板陽(yáng)0，下管板550包括多個(gè)氣體孔552并且被在上管板540下方布置在中央通道 516內(nèi)；以及多個(gè)氣體管580，多個(gè)氣體管580從上管板540延伸至下管板550，其中每個(gè)管被耦合于來(lái)自多個(gè)氣體孔M2的分別的孔和來(lái)自多個(gè)氣體孔552的分別的孔，并且與該來(lái)自多個(gè)氣體孔討2的分別的孔和該來(lái)自多個(gè)氣體孔552的分別的孔流體連通。在另一個(gè)實(shí)施方案中，隔離器組件500包括主體502，主體502包括上部分506和下部分504 ；中央通道516，中央通道516延伸穿過(guò)主體502的上部分506和下部分504，在主體502的內(nèi)表面509之間，并且平行于延伸穿過(guò)主體502的中心軸線501 ；擴(kuò)散板530，擴(kuò)散板530包括多個(gè)氣體孔532并且被布置在中央通道516內(nèi)；上管板MO，上管板540包括多個(gè)氣體孔542并且被在擴(kuò)散板530下方布置在中央通道516內(nèi)；以及下管板550，下管板 550包括多個(gè)氣體孔552并且被在上管板540下方布置在中央通道516內(nèi)。在另一個(gè)實(shí)施方案中，隔離器組件500包括主體502，主體502包括上部分506 和下部分504 ；中央通道516，中央通道516延伸穿過(guò)主體502的上部分506和下部分504， 在主體502的內(nèi)表面509之間，并且平行于延伸穿過(guò)主體502的中心軸線501 ；上管板MO， 上管板540包括多個(gè)氣體孔532并且被在擴(kuò)散板530下方布置在中央通道516內(nèi)；下管板 550,下管板550包括多個(gè)氣體孔542并且被在上管板540下方布置在中央通道516內(nèi)；以及多個(gè)氣體管580，多個(gè)氣體管580從上管板540延伸至下管板550，其中每個(gè)管被耦合于來(lái)自多個(gè)氣體孔532的分別的孔和來(lái)自多個(gè)氣體孔M2的分別的孔，并且與該來(lái)自多個(gè)氣體孔532的分別的孔和該來(lái)自多個(gè)氣體孔542的分別的孔流體連通。在某些實(shí)施方案中，隔離器組件500是模塊化的淋噴頭組件。主體502的上部分 506和下部分504可以獨(dú)立地包括諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金或其組合的材料。在一個(gè)實(shí)施例中，主體502的上部分506和下部分504每個(gè)獨(dú)立地包括不銹鋼或其合金。在一個(gè)實(shí)施方案中，隔離器組件500包括被布置在主體502的上部分506上的氣體入口 560。上板520可以被布置在主體502的上部分506的上表面上，并且氣體入口 560 可以被布置在板上。板可以包括諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金或其組合的材料。在某些實(shí)施例中，板具有延伸穿過(guò)其的入口孔522。氣體入口 560具有延伸穿過(guò)入口孔522的入口管564。入口噴嘴562可以被耦合于入口管564的一端并且被布置在板上方。在另一個(gè)實(shí)施例中，淋噴頭主體的上部分506的上表面具有圍繞中央通道 516的凹槽508。0形環(huán)可以被布置在凹槽508內(nèi)。擴(kuò)散板530可以被布置到在中央通道 516內(nèi)從主體502的側(cè)表面突出的突出部分或凸緣上。在一個(gè)實(shí)施方案中，多個(gè)氣體管580可以具有數(shù)量在約500個(gè)管至約1，500個(gè)管、 優(yōu)選約700個(gè)管至約1，200個(gè)管并且更優(yōu)選約800個(gè)管至約1，000個(gè)管的范圍內(nèi)的管，例如具有約900個(gè)管。在某些實(shí)施例中，每個(gè)管可以具有在約0. 5cm至約2cm、優(yōu)選約0. 8cm 至約1. 2cm的范圍內(nèi)的長(zhǎng)度，例如具有約Icm的長(zhǎng)度。在其他實(shí)施例中，每個(gè)管可以具有在約0. 005英寸至約0. 05英寸、優(yōu)選約0. 01英寸至約0. 03英寸的范圍內(nèi)的直徑。在某些實(shí)施例中，管是皮下注射針。管可以包括諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金或其組合的材料，或由諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金或其組合的材料制造。在一個(gè)實(shí)施方案中，在擴(kuò)散板530上的多個(gè)氣體孔532中的每個(gè)孔具有比在上管板540上的多個(gè)氣體孔542中的每個(gè)孔大的直徑。此外，在擴(kuò)散板530上的多個(gè)氣體孔532 中的每個(gè)孔具有比在下擴(kuò)散板上的多個(gè)氣體孔陽(yáng)2中的每個(gè)孔大的直徑。此外，在上管板 540上的多個(gè)氣體孔M2中的每個(gè)孔具有與在下管板550上的多個(gè)氣體孔552中的每個(gè)孔相同的直徑或?qū)嵸|(zhì)上相同的直徑。在一個(gè)實(shí)施方案中，擴(kuò)散板530可以包括諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、 鉻、鉬、鋁、其合金或其組合的材料，或由諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、 其合金或其組合的材料制造。擴(kuò)散板530可以包括數(shù)量在約20個(gè)孔至約200個(gè)孔、優(yōu)選約 25個(gè)孔至約55個(gè)孔并且更優(yōu)選約40個(gè)孔至約60個(gè)孔的范圍內(nèi)的孔。擴(kuò)散板530的每個(gè)孔可以具有在約0. 005英寸至約0. 05英寸、優(yōu)選約0. 01英寸至約0. 03英寸的范圍內(nèi)的直徑。在另一個(gè)實(shí)施方案中，上管板540和/或下管板550可以獨(dú)立地包括諸如鋼、不銹鋼、 300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金或其組合的材料，或獨(dú)立地由諸如鋼、不銹鋼、300 系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金或其組合的材料制造。上管板540和/或下管板550 可以獨(dú)立地具有約500個(gè)孔至約1，500個(gè)孔，優(yōu)選約700個(gè)孔至約1，200個(gè)孔，并且更優(yōu)選約800個(gè)孔至約1，000個(gè)孔。上管板540和/或下管板550的每個(gè)孔可以獨(dú)立地具有在約 0. 005英寸至約0. 05英寸、優(yōu)選約0. 01英寸至約0. 03英寸的范圍內(nèi)的直徑。在另一個(gè)實(shí)施方案中，隔離器組件500可以具有在約10個(gè)孔/平方英寸(孔每平方英寸)至約60個(gè)孔/平方英寸、優(yōu)選約15個(gè)孔/平方英寸至約45個(gè)孔/平方英寸并且更優(yōu)選約20個(gè)孔/平方英寸至約36個(gè)孔/平方英寸的范圍內(nèi)的管氣體孔密度和/或數(shù)量。在一個(gè)實(shí)施例中，隔離器組件500的主體502的上部分506的上表面是金屬板。在其他實(shí)施例中，隔離器組件500可以具有矩形的幾何形狀或正方形的幾何形狀。在另一個(gè)實(shí)施方案中，隔離器組件500的主體502還包括溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)。溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)，例如溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)190，可以包括在主體502內(nèi)延伸的流體通路518，并且可以具有被耦合于流體通路 518并且與流體通路518流體連通的入口 514a和出口 514b。入口 514a和出口 514b可以被獨(dú)立地耦合于在溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)190內(nèi)的儲(chǔ)液器或至少一個(gè)熱交換器例如熱交換器180a、 180b或180c，并且與該在溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)190內(nèi)的儲(chǔ)液器或至少一個(gè)熱交換器例如熱交換器 180a、180b或180c流體連通，如在圖IF中描繪的。圖6描繪了加熱燈組件600以及在氣相沉積反應(yīng)器系統(tǒng)內(nèi)的晶片承載器或襯底支撐件，加熱燈組件600可以被用于加熱晶片或襯底，如在本文的實(shí)施方案中描述的。在一個(gè)實(shí)施方案中，提供加熱燈組件600，包括燈殼體610，燈殼體610被布置在支撐基部602的上表面606上并且包括第一燈保持器620a和第二燈保持器620b ；多個(gè)燈624，多個(gè)燈6M 從第一燈保持器620a延伸至第二燈保持器620b，其中每個(gè)燈6M具有分裂燈絲(split filament)或非分裂燈絲；以及反射器650，布置在支撐基部602上表面606上的反射器650 被布置在第一燈保持器620a和第二燈保持器620b之間。在另一個(gè)實(shí)施方案中，加熱燈組件600包括燈殼體610，燈殼體610被布置在支撐基部602的上表面606上并且包括第一燈保持器620a和第二燈保持器620b ；第一多個(gè)燈624，第一多個(gè)燈6M從第一燈保持器620a延伸至第二燈保持器620b，其中第一多個(gè)燈中的每個(gè)燈具有分裂燈絲；第二多個(gè)燈624，第二多個(gè)燈6M從第一燈保持器620a延伸至第二燈保持器620b，其中第二多個(gè)燈中的每個(gè)燈具有非分裂燈絲；以及反射器650，反射器 650被在第一燈保持器620a和第二燈保持器620b之間布置在支撐基部602的上表面606 上。在另一個(gè)實(shí)施方案中，加熱燈組件600包括燈殼體610，燈殼體610被布置在支撐基部602的上表面606上并且包括第一燈保持器620a和第二燈保持器620b ；第一多個(gè)燈 624，第一多個(gè)燈6M從第一燈保持器620a延伸至第二燈保持器620b，其中第一多個(gè)燈中的每個(gè)燈具有分裂燈絲；第二多個(gè)燈624，第二多個(gè)燈6M從第一燈保持器620a延伸至第二燈保持器620b，其中第二多個(gè)燈中的每個(gè)燈具有非分裂燈絲，并且第一多個(gè)燈6M被相繼地或交替地布置在第二多個(gè)燈6M之間同時(shí)在第一燈保持器和第二燈保持器之間延伸。 此外，反射器650可以被在第一燈保持器620a和第二燈保持器620b之間布置在支撐基部 602的上表面606上。在另一個(gè)實(shí)施方案中，加熱燈組件600包括燈殼體610，燈殼體610被布置在支撐基部602的上表面606上并且包括第一燈保持器620a和第二燈保持器620b ；多個(gè)燈624， 多個(gè)燈6M從第一燈保持器620a延伸至第二燈保持器620b，其中多個(gè)燈6M包括被相繼地或交替地布置在彼此之間的第一組燈和第二組燈，第一組燈中的每個(gè)燈包括分裂燈絲， 并且第二組燈中的每個(gè)燈包括非分裂燈絲；以及反射器650，反射器650被在第一燈保持器 620a和第二燈保持器620b之間布置在支撐基部602的上表面606上。在另一個(gè)實(shí)施方案中，加熱燈組件600包括燈殼體610，燈殼體610被布置在支撐基部602的上表面606上并且包括第一燈保持器620a和第二燈保持器620b ；多個(gè)柱622，多個(gè)柱622被布置在第一燈保持器620a和第二燈保持器620b上；多個(gè)燈624，多個(gè)燈6M 從第一燈保持器620a延伸至第二燈保持器620b，其中每個(gè)燈具有分裂燈絲或非分裂燈絲； 以及反射器650，反射器650被在第一燈保持器620a和第二燈保持器620b之間布置在支撐基部602的上表面606上。在另一個(gè)實(shí)施方案中，加熱燈組件600包括燈殼體610，燈殼體610被布置在支撐基部602的上表面606上并且包括第一燈保持器620a和第二燈保持器620b ；多個(gè)柱622， 多個(gè)柱622被布置在第一燈保持器620a和第二燈保持器620b上；多個(gè)燈624，多個(gè)燈6M 從第一燈保持器620a延伸至第二燈保持器620b，其中每個(gè)燈具有分裂燈絲或非分裂燈絲， 并且每個(gè)燈具有被布置在第一燈保持器620a上的兩個(gè)柱622之間的第一端，以及被布置在第二燈保持器620b上的兩個(gè)柱622之間的第二端；以及反射器650，反射器650被在第一燈保持器620a和第二燈保持器620b之間布置在支撐基部602的上表面606上。在另一個(gè)實(shí)施方案中，加熱燈組件600包括燈殼體610，燈殼體610被布置在支撐基部602的上表面606上并且包括第一燈保持器620a和第二燈保持器620b ；多個(gè)柱622， 多個(gè)柱622被布置在第一燈保持器620a和第二燈保持器620b上；多個(gè)燈624，多個(gè)燈6M 從第一燈保持器620a延伸至第二燈保持器620b，其中每個(gè)燈具有被布置在第一燈保持器 620a上的兩個(gè)柱622之間的第一端，以及被布置在第二燈保持器620b上的兩個(gè)柱622之間的第二端；以及反射器650，反射器650被在第一燈保持器620a和第二燈保持器620b之間布置在支撐基部602的上表面606上。在另一個(gè)實(shí)施方案中，加熱燈組件600包括燈殼體610，燈殼體610被布置在支撐基部602的上表面606上并且包括第一燈保持器620a和第二燈保持器620b ；多個(gè)柱622， 多個(gè)柱622被布置在第一燈保持器620a和第二燈保持器620b上；多個(gè)燈624，多個(gè)燈6M 從第一燈保持器620a延伸至第二燈保持器620b ；以及反射器650，反射器650被在第一燈保持器620a和第二燈保持器620b之間布置在支撐基部602的上表面606上。在另一個(gè)實(shí)施方案中，提供用于氣相沉積反應(yīng)器系統(tǒng)的加熱燈組件600，加熱燈組件600包括燈殼體610，燈殼體610被布置在支撐基部602的上表面606上并且包括第一燈保持器620a和第二燈保持器620b ；多個(gè)燈624，多個(gè)燈6 從第一燈保持器620a延伸至第二燈保持器620b ；以及反射器650，反射器650被在第一燈保持器620a和第二燈保持器 620b之間布置在支撐基部602的上表面606上。在一個(gè)實(shí)施方案中，加熱燈組件600包括反射器650，和/或反射器650的上表面包括反射性金屬，例如金、銀、銅、鋁、鎳、鉻、其合金、或其組合。在許多實(shí)施例中，反射器650 和/或反射器650的上表面包括金或金合金。晶片承載器軌道400的下表面可以被暴露于從加熱燈組件600內(nèi)的燈擬4放射的和從反射器650、反射器650的上表面和/或每個(gè)鏡子 652反射的輻射。放射的輻射被反應(yīng)器100內(nèi)的晶片承載器軌道400、漂浮晶片承載器460 和晶片90吸收。在本文描述的工藝的某些實(shí)施方案中，晶片承載器軌道400、漂浮晶片承載器460和/或晶片90可以每個(gè)獨(dú)立地被放射的輻射加熱至在約250°C至約350°C、優(yōu)選約 275°C至約325°C、優(yōu)選約290°C至約310°C的范圍內(nèi)的溫度，例如加熱到約300°C。加熱燈組件600可以包括至少一個(gè)鏡子652，至少一個(gè)鏡子652沿著支撐基部602 的上表面606延伸并且可以垂直于或?qū)嵸|(zhì)上垂直于支撐基部602的上表面606。在某些實(shí)施例中，鏡子652可以是每個(gè)燈保持器620a或620b的內(nèi)側(cè)表面，該內(nèi)側(cè)表面具有被沉積或以其他方式布置在其上的反射性覆層。在其他實(shí)施例中，鏡子652可以是被附接或粘附于每個(gè)燈保持器620a或620b的內(nèi)側(cè)表面的預(yù)制造的或模塊化的鏡子或反射性材料。至少一個(gè)鏡子652被大體上定位為以相對(duì)于表面606的平面成大約90°角的方式面向反射器 650。優(yōu)選地，在本文描述的另一個(gè)實(shí)施方案中，加熱燈組件600包括兩個(gè)沿著支撐基部602 的上表面606延伸的鏡子652。兩個(gè)鏡子可以垂直于或?qū)嵸|(zhì)上垂直于支撐基部602的上表面606，并且兩個(gè)鏡子652可以面向彼此，使反射器650在它們之間。兩個(gè)鏡子652中的每個(gè)以相對(duì)于表面606的平面成大約90°角的方式面向反射器650。每個(gè)鏡子和/或每個(gè)鏡子652的上表面包括反射性金屬，例如金、銀、銅、鋁、鎳、鉻、其合金、或其組合。在許多實(shí)施例中，每個(gè)鏡子652和/或每個(gè)鏡子652的上表面包括金或金合金。在可選擇的實(shí)施方案(未示出)中，每個(gè)鏡子652可以被定位為以相對(duì)于表面 606的平面成大于90°角的方式略微地遠(yuǎn)離反射器650而朝向，例如以在從大于90°至約 135°的范圍內(nèi)的角度。以大于90°的角度定位的鏡子652可以被用于將能量引向晶片承載器軌道400、漂浮晶片承載器460或反應(yīng)器100內(nèi)的其他部分或表面。在可選擇的實(shí)施方案中，加熱燈組件600可以包括沿著支撐基部602的上表面606的三個(gè)或更多個(gè)鏡子652。加熱燈組件600內(nèi)的多個(gè)燈6M的數(shù)量可以是約10個(gè)燈至約100個(gè)燈，優(yōu)選約20 個(gè)燈至約50個(gè)燈，并且更優(yōu)選約30個(gè)燈至約40個(gè)燈。在一個(gè)實(shí)施例中，加熱燈組件600 包括約34個(gè)燈。實(shí)施方案提供每個(gè)燈可以與電源、獨(dú)立開(kāi)關(guān)和控制器電接觸。控制器可以被用于獨(dú)立地控制每個(gè)燈的動(dòng)力。在其他實(shí)施方案中，加熱燈組件600內(nèi)的支撐基部602和每個(gè)燈保持器620a或 620b可以獨(dú)立地包括諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金、或其組合的材料，或獨(dú)立地由諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金或其組合的材料制造。在某些實(shí)施例中，第一燈保持器620a或第二燈保持器620b可以獨(dú)立地包括不銹鋼或其合金，或由不銹鋼或其合金制造。第一燈保持器620a或第二燈保持器620b可以獨(dú)立地具有在約2，000ff/m2-K至約3，000W/m2-K、優(yōu)選約2，300ff/m2-K至約2，700ff/m2-K的范圍內(nèi)的冷卻系數(shù)。在一個(gè)實(shí)施例中，冷卻系數(shù)是約2，500W/m2-K。在其他實(shí)施方案中，第一燈保持器620a和第二燈保持器620b每個(gè)具有在約0. 001英寸至約0. 1英寸的范圍內(nèi)的厚度。根據(jù)本文描述的多個(gè)實(shí)施方案，圖IOA描繪了非分裂燈絲燈670，并且圖IOB描繪了分裂燈絲燈680。非分裂燈絲燈670包括燈泡672和非分裂燈絲674，并且分裂燈絲燈 680包括燈泡682和非分裂燈絲684。多個(gè)燈624，如在本文的實(shí)施方案中描述的，通常包括非分裂燈絲燈670、分裂燈絲燈680、或非分裂燈絲燈670和分裂燈絲燈680的組合。圖11A-11F描繪了不同的多個(gè)燈，其可以是燈擬4并且被用于調(diào)整在氣相沉積反應(yīng)器例如反應(yīng)器100內(nèi)的晶片承載器軌道例如晶片承載器軌道400、晶片承載器或襯底支撐件例如漂浮晶片承載器480和/或晶片或襯底例如晶片90的熱曲線，如在本文的實(shí)施方案中描述的。在一個(gè)實(shí)施方案中，圖IlA圖示了包括全部是非分裂燈絲燈670的多個(gè)燈，并且圖IlB圖示了包括全部是分裂燈絲燈680的多個(gè)燈。在另一個(gè)實(shí)施方案中，圖IlC圖示了相繼地或交替地包括非分裂燈絲燈670和分裂燈絲燈680的多個(gè)燈。在其他實(shí)施方案中， 圖IlD圖示了在每?jī)蓚€(gè)非分裂燈絲燈670之間包括分裂燈絲燈680的多個(gè)燈，并且圖IlE圖示了在每?jī)蓚€(gè)分裂燈絲燈680之間包括非分裂燈絲燈670的多個(gè)燈。圖IlF圖示了相繼地或交替地包括非分裂燈絲燈670和分裂燈絲燈680的多個(gè)燈，然而每個(gè)燈比圖1IA-IIE中的燈被更遠(yuǎn)離彼此地間隔開(kāi)。在其他實(shí)施方案中，提供用于通過(guò)加熱燈組件600來(lái)加熱氣相沉積反應(yīng)器系統(tǒng)例如反應(yīng)器100內(nèi)的襯底或襯底襯托器例如漂浮晶片承載器480的方法，方法包括將襯底襯托器的下表面暴露于從加熱燈組件600放射的能量，并且將襯底襯托器加熱至預(yù)先確定的溫度，其中加熱燈組件600包括被布置在支撐基部602的上表面606上并且包括至少一個(gè)燈保持器620a或620b的燈殼體610，從燈保持器中的至少一個(gè)延伸的多個(gè)燈624，以及被布置在支撐基部602的上表面606上，鄰近燈保持器并且在燈下方的反射器650。方法的實(shí)施方案還提供加熱燈組件600包括具有分裂燈絲燈680的燈、具有非分裂燈絲的燈、或包括分裂燈絲或非分裂燈絲的燈的組合。在一個(gè)實(shí)施方案中，燈中的每個(gè)具有分裂燈絲燈680。分裂燈絲燈680可以具有在第一端和第二端之間的中央部。分裂燈絲燈680的第一端和第二端可以被保持為比分裂燈絲燈680的中央部的溫度高。因此，襯底襯托器的外邊緣可以被保持為比襯底襯托器的中央點(diǎn)的溫度高。在另一個(gè)實(shí)施方案中，燈中的每個(gè)具有非分裂燈絲燈670。非分裂燈絲燈670可以具有在第一端和第二端之間的中央部。非分裂燈絲燈670的中央部可以被保持為比非分裂燈絲燈670的第一端和第二端的溫度高。因此，襯底襯托器的中央點(diǎn)可以被保持為比襯底襯托器的外邊緣的溫度高。在另一個(gè)實(shí)施方案中，多個(gè)燈6 具有分裂燈絲燈和非分裂燈絲燈。在一個(gè)實(shí)施方案中，分裂燈絲燈680和非分裂燈絲燈670被相繼地布置在彼此之間。每個(gè)燈可以獨(dú)立地與電源和控制器電接觸。方法還包括獨(dú)立地調(diào)整流動(dòng)至每個(gè)燈的電量。在一個(gè)實(shí)施例中， 分裂燈絲燈680可以具有在第一端和第二端之間的中央部。分裂燈絲燈680的第一端和第二端可以被保持為比分裂燈絲燈680的中央部的溫度高。因此，襯底襯托器的外邊緣可以被保持為比襯底襯托器的中央點(diǎn)的溫度高。在另一個(gè)實(shí)施例中，非分裂燈絲燈670可以具有在第一端和第二端之間的中央部。非分裂燈絲燈670的中央部可以被保持為比非分裂燈絲燈670的第一端和第二端的溫度高。因此，襯底襯托器的中央點(diǎn)可以被保持為比襯底襯托器的外邊緣的溫度高。在各種實(shí)施方案中，方法提供襯底襯托器可以是襯底承載器或晶片承載器。燈殼體610可以具有第一燈保持器620a和第二燈保持器620b。第一燈保持器620a和第二燈保持器620b可以平行于或?qū)嵸|(zhì)上平行于彼此。在一個(gè)實(shí)施例中，反射器650可以被布置在第一燈保持器620a和第二燈保持器620b之間。第一燈保持器620a和第二燈保持器620b每個(gè)具有在約0. 001英寸至約0. 1英寸的范圍內(nèi)的厚度。燈保持器的預(yù)先確定的厚度幫助保持燈保持器的恒定的溫度。因此，第一燈保持器620a和第二燈保持器620b可以每個(gè)獨(dú)立地被保持為在約275°C至約375°C、優(yōu)選約300°C至約350°C的范圍內(nèi)的溫度。圖7A-7D描繪了根據(jù)本文描述的實(shí)施方案的用于氣相沉積室例如反應(yīng)器100的淋噴頭組件700。在一個(gè)實(shí)施方案中，淋噴頭組件700包括具有上部分706和下部分704的主體702，以及延伸穿過(guò)主體702的上部分706和下部分704的中央通道716。上部分706包括上表面707。中央通道716在主體702的內(nèi)表面709之間并且平行于延伸穿過(guò)主體702 的中心軸線701延伸。擴(kuò)散板730包括多個(gè)氣體孔732并且被布置在中央通道716內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施例中，擴(kuò)散板730被布置在凸緣或突出部分710上。在另一個(gè)實(shí)施例中，淋噴頭組件700不包括被布置在其中的可選擇的擴(kuò)散板730。淋噴頭組件700還包括具有多個(gè)氣體孔742并且被在擴(kuò)散板730下方布置在中央通道716內(nèi)的上管板740。淋噴頭組件700還包括具有多個(gè)氣體孔752并且被布置在中央通道716內(nèi)在上管板740下方的下管板750。多個(gè)氣體管780從上管板740延伸至下管板 750，其中每個(gè)管被耦合于來(lái)自多個(gè)氣體孔742的分別的孔和來(lái)自多個(gè)氣體孔752的分別的孔，并且與該來(lái)自多個(gè)氣體孔742的分別的孔和該來(lái)自多個(gè)氣體孔752的分別的孔流體連通。在本文描述的許多實(shí)施方案中，氣體管780中的每個(gè)平行于或?qū)嵸|(zhì)上平行于彼此并且平行于中心軸線701延伸。在可選擇的實(shí)施方案(未示出)中，氣體管780中的每個(gè)可以以相對(duì)于中心軸線701成預(yù)先確定的角度延伸，例如在約1°至約15°或更大的范圍內(nèi)的角度。淋噴頭組件700可以被用于通過(guò)提供經(jīng)過(guò)入口孔722并且進(jìn)入空腔738、748和 758的流動(dòng)路徑來(lái)分散氣體，例如吹掃氣體、前驅(qū)體氣體和/或載氣?？涨?38在中央通道 716內(nèi)被形成于上板720和擴(kuò)散板730之間?？涨?48在中央通道716內(nèi)被形成在擴(kuò)散板 730和上管板740之間。空腔758在中央通道716內(nèi)被形成在上管板740和下管板750之間。在另一個(gè)實(shí)施方案中，淋噴頭組件700包括主體702，主體702包括上部分706和下部分704，其中上部分706包括在下部分704上延伸的凸緣；中央通道716，中央通道716 延伸穿過(guò)主體702的上部分706和下部分704，在主體702的內(nèi)表面709之間，并且平行于延伸穿過(guò)主體702的中心軸線701 ；擴(kuò)散板730，擴(kuò)散板730包括多個(gè)氣體孔732并且被布置在中央通道716內(nèi)；上管板740，上管板740包括多個(gè)氣體孔742并且被在擴(kuò)散板730下方布置在中央通道716內(nèi)；下管板750，下管板750包括多個(gè)氣體孔752并且被在上管板740 下方布置在中央通道716內(nèi)；以及多個(gè)氣體管780，多個(gè)氣體管780從上管板740延伸至下管板750，其中每個(gè)管被耦合于來(lái)自多個(gè)氣體孔742的分別的孔和來(lái)自多個(gè)氣體孔752的分別的孔，并且與該來(lái)自多個(gè)氣體孔742的分別的孔和該來(lái)自多個(gè)氣體孔752的分別的孔流體連通。在另一個(gè)實(shí)施方案中，淋噴頭組件700包括主體702，主體702包括上部分706和下部分704，其中上部分706比下部分704從主體702的中心軸線701毗鄰地延伸得更遠(yuǎn)， 并且下部分704比上部分706平行于中心軸線701延伸得更遠(yuǎn)；中央通道716，中央通道716 延伸穿過(guò)主體702的上部分706和下部分704，在主體702的內(nèi)表面709之間，并且平行于中心軸線701 ；擴(kuò)散板730，擴(kuò)散板730包括多個(gè)氣體孔732并且被布置在中央通道716內(nèi)； 上管板740，上管板740包括多個(gè)氣體孔742并且被在擴(kuò)散板730下方布置在中央通道716 內(nèi)；下管板750，下管板750包括多個(gè)氣體孔752并且被在上管板740下方布置在中央通道 716內(nèi)；以及多個(gè)氣體管780，多個(gè)氣體管780從上管板740延伸至下管板750，其中每個(gè)管被耦合于來(lái)自多個(gè)氣體孔742的分別的孔和來(lái)自多個(gè)氣體孔752的分別的孔，并且與該來(lái)自多個(gè)氣體孔742的分別的孔和該來(lái)自多個(gè)氣體孔752的分別的孔流體連通。在另一個(gè)實(shí)施方案中，淋噴頭組件700包括主體702，主體702包括上部分706和下部分704 ；中央通道716，中央通道716延伸穿過(guò)主體702的上部分706和下部分704，在主體702的內(nèi)表面709之間，并且平行于延伸穿過(guò)主體702的中心軸線701 ；擴(kuò)散板730，擴(kuò)散板730包括多個(gè)氣體孔732并且被布置在中央通道716內(nèi)；上管板740，上管板740包括多個(gè)氣體孔742并且被在擴(kuò)散板730下方布置在中央通道716內(nèi)；以及下管板750，下管板 750包括多個(gè)氣體孔752并且被在上管板740下方布置在中央通道716內(nèi)。在另一個(gè)實(shí)施方案中，淋噴頭組件700包括主體702，主體702包括上部分706 和下部分704 ；中央通道716，中央通道716延伸穿過(guò)主體702的上部分706和下部分704， 在主體702的內(nèi)表面709之間，并且平行于延伸穿過(guò)主體702的中心軸線701 ；上管板740， 上管板740包括多個(gè)氣體孔732并且被在擴(kuò)散板730下方布置在中央通道716內(nèi)；下管板 750,下管板750包括多個(gè)氣體孔742并且被在上管板740下方布置在中央通道716內(nèi)；以及多個(gè)氣體管780，多個(gè)氣體管780從上管板740延伸至下管板750，其中每個(gè)管被耦合于來(lái)自多個(gè)氣體孔732的分別的孔和來(lái)自多個(gè)氣體孔742的分別的孔，并且與該來(lái)自多個(gè)氣體孔732的分別的孔和該來(lái)自多個(gè)氣體孔742的分別的孔流體連通。在某些實(shí)施方案中，淋噴頭組件700是模塊化的淋噴頭組件。主體702的上部分 706和下部分704可以獨(dú)立地包括諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金、或其組合的材料。在一個(gè)實(shí)施例中，主體702的上部分706和下部分704每個(gè)獨(dú)立地包括不銹鋼或其合金。在一個(gè)實(shí)施方案中，淋噴頭組件700包括被布置在主體702的上部分706上的氣體入口 760。上板720可以被布置在主體702的上部分706的上表面上，并且氣體入口 760 可以被布置在板上。板可以包括諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金、 或其組合的材料。在某些實(shí)施例中，板具有延伸穿過(guò)其的入口孔722。氣體入口 760具有延伸穿過(guò)入口孔722的入口管764。入口噴嘴762可以被耦合于入口管764的一端并且被布置在板上方。在另一個(gè)實(shí)施例中，淋噴頭主體的上部分706的上表面具有圍繞中央通道 716的凹槽708。0形環(huán)可以被布置在凹槽708內(nèi)。擴(kuò)散板730可以被布置到在中央通道 716內(nèi)從主體702的側(cè)表面突出的突出部分或凸緣上。在一個(gè)實(shí)施方案中，多個(gè)氣體管780可以具有數(shù)量在約500個(gè)管至約1，500個(gè)管、 優(yōu)選約700個(gè)管至約1，200個(gè)管并且更優(yōu)選約800個(gè)管至約1，000個(gè)管的范圍內(nèi)的管，例如具有約900個(gè)管。在某些實(shí)施例中，每個(gè)管可以具有在約0. 5cm至約2cm、優(yōu)選約0. 8cm 至約1. 2cm的范圍內(nèi)的長(zhǎng)度，例如具有約Icm的長(zhǎng)度。在其他實(shí)施例中，每個(gè)管可以具有在約0. 005英寸至約0. 05英寸、優(yōu)選約0. 01英寸至約0. 03英寸的范圍內(nèi)的直徑。在某些實(shí)施例中，管是皮下注射針。管可以包括諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金、或其組合的材料，或由諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金、或其組合的材料制造。在一個(gè)實(shí)施方案中，擴(kuò)散板730上的多個(gè)氣體孔732中的每個(gè)孔具有比上管板740 上的多個(gè)氣體孔742中的每個(gè)孔大的直徑。此外，擴(kuò)散板730上的多個(gè)氣體孔732中的每個(gè)孔具有比下擴(kuò)散板上的多個(gè)氣體孔752中的每個(gè)孔大的直徑。此外，上管板740上的多個(gè)氣體孔742中的每個(gè)孔具有與下管板750上的多個(gè)氣體孔752中的每個(gè)孔相同的直徑或?qū)嵸|(zhì)上相同的直徑。在一個(gè)實(shí)施方案中，擴(kuò)散板730可以包括諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、 鉻、鉬、鋁、其合金、或其組合的材料，或由諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、 鋁、其合金、或其組合的材料制造。擴(kuò)散板730可以包括數(shù)量在約20個(gè)孔至約200個(gè)孔、 優(yōu)選約25個(gè)孔至約75個(gè)孔并且更優(yōu)選約40個(gè)孔至約60個(gè)孔的范圍內(nèi)的孔。擴(kuò)散板730的每個(gè)孔可以具有在約0. 005英寸至約0. 05英寸、優(yōu)選約0. 01英寸至約0. 03英寸的范圍內(nèi)的直徑。在另一個(gè)實(shí)施方案中，上管板740和/或下管板750可以獨(dú)立地包括諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金、或其組合的材料，或獨(dú)立地由諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金、或其組合的材料制造。上管板740和/或下管板750可以獨(dú)立地具有約500個(gè)孔至約1，500個(gè)孔，優(yōu)選約700個(gè)孔至約1，200個(gè)孔，并且更優(yōu)選約800個(gè)孔至約1，000個(gè)孔。上管板740和/或下管板750的每個(gè)孔可以獨(dú)立地具有在約0. 005英寸至約0. 05英寸、優(yōu)選約0. 01英寸至約0. 03英寸的范圍內(nèi)的直徑。在另一個(gè)實(shí)施方案中，淋噴頭組件700可以具有在約10個(gè)孔/平方英寸(孔每平方英寸)至約60個(gè)孔/平方英寸、優(yōu)選約15個(gè)孔/平方英寸至約45個(gè)孔/平方英寸并且更優(yōu)選約20 個(gè)孔/平方英寸至約36個(gè)孔/平方英寸的范圍內(nèi)的管氣體孔密度和/或數(shù)量。在一個(gè)實(shí)施例中，淋噴頭組件700的主體702的上部分706的上表面是金屬板。在其他實(shí)施例中，淋噴頭組件700可以具有矩形的幾何形狀或正方形的幾何形狀。在另一個(gè)實(shí)施方案中，淋噴頭組件700的主體702還包括溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)。溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)，例如溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)190，可以包括在主體702內(nèi)延伸的液體通路或流體通路718，并且可以具有被耦合于流體通路718并且與流體通路718流體連通的入口 71 和出口 714b。入口 71 和出口 714b可以被獨(dú)立地耦合于溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)190內(nèi)的儲(chǔ)液器或至少一個(gè)熱交換器例如熱交換器180a、180b或180c，并且與該溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)190內(nèi)的儲(chǔ)液器或至少一個(gè)熱交換器例如熱交換器180a、180b或180c流體連通，如在圖IF中描繪的。圖8A-8D描繪了根據(jù)本文描述的實(shí)施方案的用于氣相沉積室例如反應(yīng)器100的排氣組件800。在一個(gè)實(shí)施方案中，排氣組件800包括具有上部分806和下部分804的主體 802，以及延伸穿過(guò)主體802的上部分806和下部分804的中央通道816。上部分806包括上表面807。中央通道816在主體802的內(nèi)表面809之間并且平行于延伸穿過(guò)主體802的中心軸線801延伸。擴(kuò)散板830包括多個(gè)氣體孔832并且被布置在中央通道816內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施例中，擴(kuò)散板830被布置在凸緣或突出部分810上。在另一個(gè)實(shí)施例中，排氣組件 800不包括被布置在其中的可選擇的擴(kuò)散板830。排氣組件800還包括上管板840，上管板840具有多個(gè)氣體孔842并且被在擴(kuò)散板 830下方布置在中央通道816內(nèi)。排氣組件800還包括下管板850，下管板850具有多個(gè)氣體孔邪4并且被在上管板840下方布置在中央通道816內(nèi)。多個(gè)排氣管880從上管板840 延伸至下管板850，其中每個(gè)管被耦合于來(lái)自多個(gè)氣體孔842的分別的孔和來(lái)自多個(gè)氣體孔854的分別的孔，并且與該來(lái)自多個(gè)氣體孔842的分別的孔和該來(lái)自多個(gè)氣體孔854的分別的孔流體連通。在本文描述的許多實(shí)施方案中，排氣管880中的每個(gè)平行于或?qū)嵸|(zhì)上平行于彼此并且平行于中心軸線801延伸。在可選擇的實(shí)施方案中，排氣管880中的每個(gè)可以以相對(duì)于中心軸線801成預(yù)先確定的角度延伸，例如在約1°至約15°或更大的范圍內(nèi)的角度。排氣組件800通過(guò)排氣口 822和空腔838、848和858抽真空或減小內(nèi)部壓力?？涨?38在中央通道816內(nèi)被形成在上板820和擴(kuò)散板830之間?？涨?48在中央通道816 內(nèi)被形成在擴(kuò)散板830和上管板840之間?？涨?58在中央通道816內(nèi)被形成在上管板 840和下管板850之間。在另一個(gè)實(shí)施方案中，排氣組件800包括主體802，主體802包括上部分806和下部分804，其中上部分806包括在下部分804上延伸的凸緣；中央通道816，中央通道816延伸穿過(guò)主體802的上部分806和下部分804，在主體802的內(nèi)表面809之間，并且平行于延伸穿過(guò)主體802的中心軸線801 ；擴(kuò)散板830，擴(kuò)散板830包括多個(gè)氣體孔832并且被布置在中央通道816內(nèi)；上管板840，上管板840包括多個(gè)氣體孔842并且被在擴(kuò)散板830下方布置在中央通道816內(nèi)；下管板850，下管板850包括多個(gè)氣體孔邪4并且被在上管板840 下方布置在中央通道816內(nèi)；以及多個(gè)排氣管880，多個(gè)排氣管880從上管板840延伸至下管板850，其中每個(gè)管被耦合于來(lái)自多個(gè)氣體孔842的分別的孔和來(lái)自多個(gè)氣體孔邪4的分別的孔，并且與該來(lái)自多個(gè)氣體孔842的分別的孔和該來(lái)自多個(gè)氣體孔854的分別的孔流體連通。在另一個(gè)實(shí)施方案中，排氣組件800包括主體802，主體802包括上部分806和下部分804，其中上部分806比下部分804從主體802的中心軸線801毗鄰地延伸得更遠(yuǎn)，并且下部分804比上部分806平行于中心軸線801延伸得更遠(yuǎn)；中央通道816，中央通道816 延伸穿過(guò)主體802的上部分806和下部分804，在主體802的內(nèi)表面809之間，并且平行于中心軸線801 ；擴(kuò)散板830，擴(kuò)散板830包括多個(gè)氣體孔832并且被布置在中央通道816內(nèi)； 上管板840，上管板840包括多個(gè)氣體孔842并且被在擴(kuò)散板830下方布置在中央通道816 內(nèi)；下管板850，下管板850包括多個(gè)氣體孔邪4并且被在上管板840下方布置在中央通道 816內(nèi)；以及多個(gè)排氣管880，多個(gè)排氣管880從上管板840延伸至下管板850，其中每個(gè)管被耦合于來(lái)自多個(gè)氣體孔842的分別的孔和來(lái)自多個(gè)氣體孔854的分別的孔，并且與該來(lái)自多個(gè)氣體孔842的分別的孔和該來(lái)自多個(gè)氣體孔854的分別的孔流體連通。在另一個(gè)實(shí)施方案中，排氣組件800包括主體802，主體802包括上部分806和下部分804 ；中央通道816，中央通道816延伸穿過(guò)主體802的上部分806和下部分804，在主體802的內(nèi)表面809之間，并且平行于延伸穿過(guò)主體802的中心軸線801 ；擴(kuò)散板830，擴(kuò)散板830包括多個(gè)氣體孔832并且被布置在中央通道816內(nèi)；上管板840，上管板840包括多個(gè)氣體孔842并且被在擴(kuò)散板830下方布置在中央通道816內(nèi)；以及下管板850，下管板 850包括多個(gè)氣體孔邪4并且被在上管板840下方布置在中央通道816內(nèi)。在另一個(gè)實(shí)施方案中，排氣組件800包括主體802，主體802包括上部分806和下部分804 ；中央通道816，中央通道816延伸穿過(guò)主體802的上部分806和下部分804，在主體802的內(nèi)表面809之間，并且平行于延伸穿過(guò)主體802的中心軸線801 ；上管板840，上管板840包括多個(gè)氣體孔832并且被在擴(kuò)散板830下方布置在中央通道816內(nèi)；下管板850， 下管板850包括多個(gè)氣體孔842并且被在上管板840下方布置在中央通道816內(nèi)；以及多個(gè)排氣管880，多個(gè)排氣管880從上管板840延伸至下管板850，其中每個(gè)管被耦合于來(lái)自多個(gè)氣體孔832的分別的孔和來(lái)自多個(gè)氣體孔842的分別的孔，并且與該來(lái)自多個(gè)氣體孔 832的分別的孔和該來(lái)自多個(gè)氣體孔842的分別的孔流體連通。在某些實(shí)施方案中，排氣組件800是模塊化的淋噴頭組件。主體802的上部分806 和下部分804可以獨(dú)立地包括諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金、 或其組合的材料。在一個(gè)實(shí)施例中，主體802的上部分806和下部分804每個(gè)獨(dú)立地包括不銹鋼或其合金。在一個(gè)實(shí)施方案中，排氣組件800包括被布置在主體802的上部分806上的排氣出口 860。上板820可以被布置在主體802的上部分806的上表面上，并且排氣出口 860可
26以被布置在板上。板可以包括諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金、或其組合的材料。在某些實(shí)施例中，板具有延伸穿過(guò)其的排氣口 822。排氣出口 860具有延伸穿過(guò)排氣口 822的排氣出口管864。排氣噴嘴862可以被耦合于排氣出口管864的一端并且被布置在板上方。在另一個(gè)實(shí)施例中，淋噴頭主體的上部分806的上表面具有圍繞中央通道816的凹槽808。0形環(huán)可以被布置在凹槽808內(nèi)。擴(kuò)散板830可以被布置到在中央通道816內(nèi)從主體802的側(cè)表面突出的突出部分或凸緣上。在一個(gè)實(shí)施方案中，多個(gè)排氣管880可以具有數(shù)量在約5個(gè)管至約50個(gè)管、優(yōu)選約7個(gè)管至約30個(gè)管并且更優(yōu)選約10個(gè)管至約20個(gè)管的范圍內(nèi)的管，例如具有約14個(gè)管。在某些實(shí)施例中，每個(gè)管可以具有在約0. 5cm至約2cm、優(yōu)選約0. 8cm至約1. 2cm的范圍內(nèi)的長(zhǎng)度，例如具有約Icm的長(zhǎng)度。在其他實(shí)施例中，每個(gè)管可以具有在約0. 1英寸至約 0. 4英寸、優(yōu)選約0. 2英寸至約0. 3英寸的范圍內(nèi)的直徑，例如具有約0. 23英寸的直徑。在一個(gè)實(shí)施例中，排氣組件800包括單一列的管和孔。在另一個(gè)實(shí)施方案中，多個(gè)排氣管880可以具有數(shù)量在約500個(gè)管至約1，500個(gè)管、優(yōu)選約700個(gè)管至約1，200個(gè)管并且更優(yōu)選約800個(gè)管至約1，000個(gè)管的范圍內(nèi)的管， 例如具有約900個(gè)管。在某些實(shí)施例中，每個(gè)管可以具有在約0. 5cm至約2cm、優(yōu)選約0. 8cm 至約1.2cm的范圍內(nèi)的長(zhǎng)度，例如具有約Icm的長(zhǎng)度。在其他實(shí)施例中，每個(gè)管可以具有在約0. 005英寸至約0. 05英寸、優(yōu)選約0. 01英寸至約0. 03英寸的范圍內(nèi)的直徑。在某些實(shí)施例中，管是皮下注射針。管可以包括諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、 鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金、或其組合的材料，或由諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、 鉻、鉬、鋁、其合金、或其組合的材料制造。在一個(gè)實(shí)施方案中，擴(kuò)散板830上的多個(gè)氣體孔832中的每個(gè)孔具有比上管板840 上的多個(gè)氣體孔842中的每個(gè)孔大的直徑。此外，擴(kuò)散板830上的多個(gè)氣體孔832中的每個(gè)孔具有比下擴(kuò)散板上的多個(gè)氣體孔854中的每個(gè)孔大的直徑。此外，上管板840上的多個(gè)氣體孔842中的每個(gè)孔具有與下管板850上的多個(gè)氣體孔邪4中的每個(gè)孔相同的直徑或?qū)嵸|(zhì)上相同的直徑。在一個(gè)實(shí)施方案中，擴(kuò)散板830可以包括諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、 鉻、鉬、鋁、其合金、或其組合的材料，或由諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、 鋁、其合金、或其組合的材料制造。在另一個(gè)實(shí)施方案中，擴(kuò)散板830可以包括數(shù)量在約5 個(gè)孔至約50個(gè)孔、優(yōu)選約7個(gè)孔至約30個(gè)孔并且更優(yōu)選約10個(gè)孔至約20個(gè)孔的范圍內(nèi)的孔，例如包括約14個(gè)孔。擴(kuò)散板830的每個(gè)孔可以具有在約0. 1英寸至約0.4英寸、優(yōu)選約0. 2英寸至約0. 3英寸的范圍內(nèi)的直徑，例如具有約0. 23英寸的直徑。在一個(gè)實(shí)施例中，擴(kuò)散板830包括單一列的孔。在另一個(gè)實(shí)施方案中，擴(kuò)散板830可以包括數(shù)量在約20 個(gè)孔至約200個(gè)孔、優(yōu)選約25個(gè)孔至約55個(gè)孔并且更優(yōu)選約40個(gè)孔至約60個(gè)孔的范圍內(nèi)的孔。擴(kuò)散板830的每個(gè)孔可以具有在約0. 005英寸至約0. 05英寸、優(yōu)選約0. 01英寸至約0. 03英寸的范圍內(nèi)的直徑。在另一個(gè)實(shí)施方案中，上管板840和/或下管板850可以獨(dú)立地包括諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金、或其組合的材料，或獨(dú)立地由諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金、或其組合的材料制造。在一個(gè)實(shí)施方案中，上管板840和/或下管板850可以獨(dú)立地具有數(shù)量在約5個(gè)孔至約50個(gè)孔、優(yōu)選約7個(gè)孔至約30個(gè)孔并且更優(yōu)選約10個(gè)孔至約20個(gè)孔的范圍內(nèi)的孔，例如具有約14個(gè)孔。上管板 840和/或下管板850的每個(gè)孔可以獨(dú)立地具有在約0. 1英寸至約0. 4英寸、優(yōu)選約0. 2英寸至約0. 3英寸的范圍內(nèi)的直徑，例如具有約0. 23英寸的直徑。在另一個(gè)實(shí)施方案中，排氣組件800可以具有在約5個(gè)孔/平方英寸(孔每平方英寸)至約30個(gè)孔/平方英寸、優(yōu)選約8個(gè)孔/平方英寸至約25個(gè)孔/平方英寸并且更優(yōu)選約10個(gè)孔/平方英寸至約20 個(gè)孔/平方英寸的范圍內(nèi)的管氣體孔密度和/或數(shù)量。在另一個(gè)實(shí)施方案中，上管板840和/或下管板850可以獨(dú)立地具有約500個(gè)孔至約1，500個(gè)孔，優(yōu)選約700個(gè)孔至約1，200個(gè)孔，并且更優(yōu)選約800個(gè)孔至約1，000個(gè)孔。 上管板840和/或下管板850的每個(gè)孔可以獨(dú)立地具有在約0. 005英寸至約0. 05英寸、優(yōu)選約0. 01英寸至約0. 03英寸的范圍內(nèi)的直徑。在一個(gè)實(shí)施例中，排氣組件800的主體802的上部分806的上表面是金屬板。在其他實(shí)施例中，排氣組件800可以具有矩形的幾何形狀或正方形的幾何形狀。在另一個(gè)實(shí)施方案中，排氣組件800的主體802還包括溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)。溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)，例如溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)190，可以包括在主體802內(nèi)延伸的液體通路或流體通路818，并且可以具有被耦合于流體通路818并且與流體通路818流體連通的入口 81 和出口 814b。入口 81 和出口 814b可以被獨(dú)立地耦合于溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)190內(nèi)的儲(chǔ)液器或至少一個(gè)熱交換器例如熱交換器180a、180b或180c，并且與該溫度調(diào)節(jié)系統(tǒng)190內(nèi)的儲(chǔ)液器或至少一個(gè)熱交換器例如熱交換器180a、180b或180c流體連通，如在圖IF中描繪的。在其他實(shí)施方案中，可以在氣相沉積室中使用的排氣組件800具有主體802，主體802包括被布置在下部分804上的上部分806 ；中央通道816，中央通道816延伸穿過(guò)主體802的上部分806和下部分804，在主體802的內(nèi)表面809之間，并且平行于延伸穿過(guò)主體802的中心軸線801 ；排氣出口 860，排氣出口 860被布置在主體802的上部分806上；擴(kuò)散板830，擴(kuò)散板830包括多個(gè)氣體孔832并且被布置在中央通道816內(nèi)；上管板840，上管板840包括多個(gè)氣體孔842并且被在擴(kuò)散板830下方布置在中央通道816內(nèi)；下管板850， 下管板850包括多個(gè)氣體孔852并且被在上管板840下方布置在中央通道816內(nèi)；以及多個(gè)排氣管880，多個(gè)排氣管880從上管板840延伸至下管板850，其中每個(gè)管被耦合于來(lái)自多個(gè)氣體孔842的分別的孔和來(lái)自多個(gè)氣體孔852的分別的孔，并且與該來(lái)自多個(gè)氣體孔 842的分別的孔和該來(lái)自多個(gè)氣體孔852的分別的孔流體連通。排氣組件800還可以包括被布置在主體802的上部分806的上表面上的上板820。 排氣出口 860可以被布置在上板820上。上板820可以包括諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、鎳、鉻、鉬、鋁、其合金、或其組合的材料，或由諸如鋼、不銹鋼、300系列不銹鋼、鐵、 鎳、鉻、鉬、鋁、其合金、或其組合的材料制造。上板820通常具有延伸穿過(guò)其的排氣口。排氣出口 860可以具有延伸穿過(guò)排氣口 822的排氣出口管864。在一個(gè)實(shí)施例中，排氣噴嘴 862可以被耦合于排氣出口管864的一端并且被布置在上板820上方。在另一個(gè)實(shí)施例中， 排氣組件主體的上部分806的上表面具有圍繞中央通道816的凹槽808。0形環(huán)可以被布置在凹槽808內(nèi)。擴(kuò)散板830可以被布置到在中央通道816內(nèi)從主體802的側(cè)表面突出的突出部分或凸緣上。圖9A-9F描繪了包括多重反應(yīng)器1100a、1 IOOb和1 IOOc的反應(yīng)器系統(tǒng)1000，即CVD 系統(tǒng)，如由本文的實(shí)施方案描述的。反應(yīng)器1100a、1100b和IlOOc可以是與反應(yīng)器100相同的反應(yīng)器，或可以是反應(yīng)器100的被改進(jìn)的衍生體。在一個(gè)實(shí)施方案中，反應(yīng)器IlOOa被耦合于反應(yīng)器1100b，反應(yīng)器IlOOb被耦合于反應(yīng)器1100c，如在圖9A-9C中圖示的。反應(yīng)器IlOOa的一端在接口 1012處被耦合于端帽1050，并且反應(yīng)器IlOOa的另一端在接口 1014 處被耦合于反應(yīng)器IlOOb的一端。反應(yīng)器IlOOb的另一端在接口 1016處被耦合于反應(yīng)器 IlOOc的一端，并且反應(yīng)器IlOOc的另一端在接口 1016處被耦合于端板1002。圖9D-9F描繪了在反應(yīng)器IlOOb和IlOOc之間的接口 1018的部分的近視圖。在另一個(gè)實(shí)施方案中，反應(yīng)器IlOOb包括具有下搭接接合部1450的晶片承載器軌道1400，并且反應(yīng)器IlOOc包括具有上搭接接合部1440的晶片承載器軌道1400。排氣吹掃口 1080可以被布置在反應(yīng)器IlOOb內(nèi)的晶片承載器軌道1400和反應(yīng)器IlOOc內(nèi)的晶片承載器軌道1400之間。排氣吹掃口 1080與通路1460流體連通，通路 1460從排氣吹掃口 1080延伸至晶片承載器軌道1400下方。排氣組件1058相似于排氣組件800，被布置在反應(yīng)器IlOOb的反應(yīng)器蓋子組件上。排氣組件1058可以被用于從排氣吹掃口 1080除去氣體。排氣組件1058包括排氣出口 1060、排氣噴嘴1062和排氣管1064。在另一個(gè)實(shí)施方案中，反應(yīng)器系統(tǒng)1000可以包括除反應(yīng)器1100a、IlOOb和IlOOc 之外的另外的反應(yīng)器(未示出)。在一個(gè)實(shí)施例中，第四反應(yīng)器被包括在反應(yīng)器系統(tǒng)1000 中。在另一個(gè)實(shí)施例中，第五反應(yīng)器被包括在反應(yīng)器系統(tǒng)1000中。在不同的配置和實(shí)施方案中，反應(yīng)器系統(tǒng)1000可以具有1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或更多個(gè)反應(yīng)器。在其他實(shí)施方案中，反應(yīng)器1100a、1100b和IlOOc或未示出的其他反應(yīng)器可以在每個(gè)反應(yīng)器(未示出) 中包括1、2、3、4或更多個(gè)淋噴頭組件。在本文描述的可選擇的實(shí)施方案中，提供反應(yīng)器1100a、1100b和IlOOc的其他配置，而不是附圖中圖示的。在一個(gè)實(shí)施方案中，反應(yīng)器1100a、1100b或IlOOc中的每個(gè)可以包括被兩個(gè)淋噴頭組件分隔的三個(gè)排氣組件，使得反應(yīng)器蓋子組件中的任何可以相繼地包括第一排氣組件、第一淋噴頭組件、第二排氣組件、第二淋噴頭組件和第三排氣組件。在另一個(gè)實(shí)施方案中，反應(yīng)器1100a、1100b或1100c中的每個(gè)可以包括被兩個(gè)淋噴頭組件分隔的三個(gè)隔離器組件，使得反應(yīng)器蓋子組件相繼地包括第一隔離器組件、第一淋噴頭組件、第二隔離器組件、第二淋噴頭組件和第三隔離器組件。在另一個(gè)實(shí)施方案中，反應(yīng)器1100a、1100b或1100c中的每個(gè)可以包括被兩個(gè)淋
噴頭組件分隔的兩個(gè)隔離器組件和一個(gè)排氣組件，使得反應(yīng)器蓋子組件中的任何可以相繼地包括第一隔離器組件、第一淋噴頭組件、第二隔離器組件、第二淋噴頭組件和第一排氣組件。在另一個(gè)實(shí)施例中，反應(yīng)器蓋子組件中的任何可以相繼地包括第一隔離器組件、第一淋噴頭組件、第一排氣組件、第二淋噴頭組件和第二隔離器組件。在另一個(gè)實(shí)施例中，反應(yīng)器蓋子組件中的任何可以相繼地包括第一排氣組件、第一淋噴頭組件、第一隔離器組件、第二淋噴頭組件和第二隔離器組件。在另一個(gè)實(shí)施方案中，反應(yīng)器1100a、1100b或1100c中的每個(gè)可以包括被兩個(gè)淋噴頭組件分隔的兩個(gè)排氣組件和一個(gè)隔離器組件，使得反應(yīng)器蓋子組件中的任何可以相繼地包括第一排氣組件、第一淋噴頭組件、第二排氣組件、第二淋噴頭組件和第一隔離器組件。在另一個(gè)實(shí)施例中，反應(yīng)器蓋子組件中的任何可以相繼地包括第一排氣組件、第一淋噴頭組件、第一隔離器組件、第二淋噴頭組件和第二排氣組件。在另一個(gè)實(shí)施例中，反應(yīng)器蓋子組件中的任何可以相繼地包括第一隔離器組件、第一淋噴頭組件、第一排氣組件、第二淋噴頭組件和第二排氣組件。反應(yīng)器100，反應(yīng)器系統(tǒng)1000和這些反應(yīng)器的衍生體可以被用于多種CVD、MOCVD 和/或外延沉積工藝，以在晶片或襯底上形成各種材料，如在本文的實(shí)施方案中描述的。在一個(gè)實(shí)施方案中，第III/V族材料，包括至少一種第III族的元素(例如硼、鋁、鎵或銦)和至少一種第V族的元素(例如氮、磷、砷或銻)，可以被形成或沉積在晶片上。被沉積的材料的實(shí)例可以包括氮化鎵、磷化銦、磷化鎵銦(gallium indium phosphide)、砷化鎵、砷化鋁鎵、其衍生物、其合金、其多層、或其組合。在本文的某些實(shí)施方案中，被沉積的材料可以是外延材料。被沉積的材料或外延材料可以包括一層，但是通常包括多層。在某些實(shí)施例中，外延材料包括具有砷化鎵的層和具有砷化鋁鎵的另一層。在另一個(gè)實(shí)施例中，外延材料包括砷化鎵緩沖層、砷化鋁鎵鈍化層和砷化鎵活性層。砷化鎵緩沖層可以具有在約IOOnm 至約500nm的范圍內(nèi)的厚度，例如具有約300nm的厚度，砷化鋁鎵鈍化層具有在約IOnm至約50nm的范圍內(nèi)的厚度，例如具有約30nm的厚度，并且砷化鎵活性層具有在約500nm至約 2，OOOnm的范圍內(nèi)的厚度，例如具有約1，OOOnm的厚度。在某些實(shí)施例中，外延材料還包括第二砷化鋁鎵鈍化層。在一個(gè)實(shí)施方案中，在反應(yīng)器100或反應(yīng)器系統(tǒng)1000中使用的工藝氣體可以包括胂、氬氣、氦氣、氮?dú)?、氫氣或其混合物。在一個(gè)實(shí)施例中，工藝氣體包括砷前驅(qū)體，例如胂。 在其他實(shí)施方案中，第一前驅(qū)體可以包括鋁前驅(qū)體、鎵前驅(qū)體、銦前驅(qū)體或其組合，并且第二前驅(qū)體可以包括氮前驅(qū)體、磷前驅(qū)體、砷前驅(qū)體、銻前驅(qū)體或其組合。在一個(gè)實(shí)施方案中，CVD反應(yīng)器可以被配置為向反應(yīng)器供應(yīng)氮?dú)?，以在入口和出口使襯底沿著反應(yīng)器的軌道漂浮。氫氣/胂混合物也可以被用于使襯底沿著CVD反應(yīng)器的軌道在出口和入口之間漂浮。沿著軌道的各階段可以包括入口氮?dú)飧綦x區(qū)、預(yù)熱排氣、氫氣/ 胂混合物預(yù)熱隔離區(qū)、砷化鎵沉積區(qū)、砷化鎵排氣、砷化鋁鎵沉積區(qū)、砷化鎵N層沉積區(qū)、砷化鎵P層沉積區(qū)、磷氫胂隔離區(qū)(phosphorous hydrogen arsine isolation zone)、第一磷石串化招嫁沉禾只區(qū)(first phosphorous aluminum gallium arsenidedeposition zone)、憐砷化鋁鎵排氣、第二磷砷化鋁鎵沉積區(qū)、氫氣/胂混合物冷卻隔離區(qū)、冷卻排氣、以及出口氮?dú)飧綦x區(qū)。行進(jìn)經(jīng)過(guò)反應(yīng)器的襯底的溫度可以在通過(guò)入口隔離區(qū)時(shí)被升高、或可以在行進(jìn)經(jīng)過(guò)區(qū)域時(shí)被保持，或可以在接近胂冷卻隔離區(qū)時(shí)被下降。在另一個(gè)實(shí)施方案中，CVD反應(yīng)器可以被配置為向反應(yīng)器供應(yīng)氮?dú)?，以在入口和出口使襯底沿著反應(yīng)器的軌道漂浮。氫氣/胂混合物也可以被用于將襯底沿著CVD反應(yīng)器的軌道在出口和入口之間漂浮。沿著軌道的各階段可以包括入口氮?dú)飧綦x區(qū)、預(yù)熱排氣、氫氣 /胂混合物預(yù)熱隔離區(qū)、排氣、沉積區(qū)、排氣、氫氣/胂混合物冷卻隔離區(qū)、冷卻排氣、以及出口氮?dú)飧綦x區(qū)。行進(jìn)經(jīng)過(guò)反應(yīng)器系統(tǒng)的襯底的溫度可以在通過(guò)入口隔離區(qū)時(shí)被升高，可以在行進(jìn)經(jīng)過(guò)沉積區(qū)時(shí)被保持，并且可以在其接近胂冷卻隔離區(qū)時(shí)被下降。在另一個(gè)實(shí)施方案中，CVD反應(yīng)器可以被配置為向反應(yīng)器供應(yīng)氮?dú)猓栽谌肟诤统隹谑挂r底沿著反應(yīng)器的軌道漂浮。氫氣/胂混合物也可以被用于將襯底沿著CVD反應(yīng)器的軌道在出口和入口之間漂浮。沿著軌道的各階段可以包括入口氮?dú)飧綦x區(qū)、具有流動(dòng)平衡節(jié)流器的預(yù)熱排氣、活性氫氣/胂混合物隔離區(qū)、砷化鎵沉積區(qū)、砷化鋁鎵沉積區(qū)、砷化鎵N 層沉積區(qū)、砷化鎵P層沉積區(qū)、磷砷化鋁鎵沉積區(qū)、冷卻排氣、以及出口氮?dú)飧綦x區(qū)。行進(jìn)經(jīng)過(guò)反應(yīng)器的襯底的溫度可以在通過(guò)入口隔離區(qū)時(shí)升高、或可以在行進(jìn)經(jīng)過(guò)沉積區(qū)時(shí)被保持，或可以在接近冷卻排氣時(shí)被下降。在另一個(gè)實(shí)施方案中，CVD反應(yīng)器可以被配置為向反應(yīng)器供應(yīng)氮?dú)?，以在入口和出口使襯底沿著反應(yīng)器的軌道漂浮。氫氣/胂混合物也可以被用于將襯底沿著CVD反應(yīng)器的軌道在出口和入口之間漂浮。沿著軌道的各階段可以包括入口氮?dú)飧綦x區(qū)、具有流動(dòng)平衡節(jié)流器的預(yù)熱排氣、砷化鎵沉積區(qū)、砷化鋁鎵沉積區(qū)、砷化鎵N層沉積區(qū)、砷化鎵P層沉積區(qū)、磷砷化鋁鎵沉積區(qū)、具有流動(dòng)平衡節(jié)流器的冷卻排氣、以及出口氮?dú)飧綦x區(qū)。行進(jìn)經(jīng)過(guò)反應(yīng)器的襯底的溫度可以在通過(guò)入口隔離區(qū)時(shí)被升高、或可以在行進(jìn)經(jīng)過(guò)沉積區(qū)時(shí)被保持，或可以在接近冷卻排氣時(shí)被下降。圖17圖示了第七配置800。CVD反應(yīng)器可以被配置為向反應(yīng)器供應(yīng)氮?dú)?，以在入口和出口使襯底沿著反應(yīng)器的軌道漂浮。氫氣/胂混合物也可以被用于將襯底沿著CVD反應(yīng)器的軌道在出口和入口之間漂浮。沿著軌道的各階段可以包括入口氮?dú)飧綦x區(qū)、預(yù)熱排氣、沉積區(qū)、冷卻排氣、以及出口氮?dú)飧綦x區(qū)。行進(jìn)經(jīng)過(guò)反應(yīng)器的襯底的溫度可以在通過(guò)入口隔離區(qū)時(shí)被升高、或可以在行進(jìn)經(jīng)過(guò)沉積區(qū)時(shí)被保持，或可以在接近冷卻排氣時(shí)被下降。在一個(gè)實(shí)施方案中，CVD反應(yīng)器可以被配置為外延地生長(zhǎng)包括砷化鎵材料和砷化鋁鎵材料的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)，以及被配置為外延地生長(zhǎng)包括砷化鋁材料的橫向過(guò)度生長(zhǎng)犧牲層。在某些實(shí)施例中，砷化鎵、砷化鋁鎵和砷化鋁材料可以被以約1 μ m/min的速率沉積。在某些實(shí)施方案中，CVD反應(yīng)器可以具有約6個(gè)晶片每分鐘至約10個(gè)晶片每分鐘的處理量。在實(shí)施方案中，CVD反應(yīng)器可以被配置為提供每分鐘一個(gè)IOcm乘IOcm襯底的沉積速率。在一個(gè)實(shí)施方案中，CVD反應(yīng)器可以被配置為提供300nm砷化鎵緩沖層。在一個(gè)實(shí)施方案中，CVD反應(yīng)器可以被配置為提供30nm砷化鋁鎵鈍化層。在一個(gè)實(shí)施方案中，CVD 反應(yīng)器可以被配置為提供1，OOOnm砷化鎵活性層。在一個(gè)實(shí)施方案中，CVD反應(yīng)器可以被配置為提供30nm砷化鋁鎵鈍化層。在一個(gè)實(shí)施方案中，CVD反應(yīng)器可以被配置為提供小于 1 X IO4每平方厘米的位錯(cuò)密度、99%的光致發(fā)光效率、以及250納秒的光致發(fā)光壽命。在一個(gè)實(shí)施方案中，CVD反應(yīng)器可以被配置為提供具有5nm沉積+-0. 5nm的外延橫向過(guò)度生長(zhǎng)層；大于IX IO6的蝕刻選擇性；零針孔；以及大于0. 2mm每小時(shí)的砷化鋁蝕刻速率。在一個(gè)實(shí)施方案中，CVD反應(yīng)器可以被配置為對(duì)于高于300°C的溫度提供不大于 10°c的中央至邊緣溫度不均一性；不大于5的V-III比率；以及700°C的最大溫度。在一個(gè)實(shí)施方案中，CVD反應(yīng)器可以被配置為提供沉積層，該沉積層具有300nm 砷化鎵緩沖層；5nm砷化鋁犧牲層；IOnm砷化鋁鎵窗口層(window layer) ；700nm砷化鎵 1 X IO17硅活性層；300nm砷化鋁鎵1 X IO19C P+層；以及300nm砷化鎵1 X IO19 CP+層。在一個(gè)實(shí)施方案中，CVD反應(yīng)器可以被配置為提供沉積層，該沉積層具有300nm砷化鎵緩沖層；5nm砷化鋁犧牲層；IOnm磷化鎵銦窗口層；700nm砷化鎵1 X IO17硅活性層； IOOnm砷化鎵C P層；300nm磷化鎵銦P窗口層；20nm磷化鎵銦1 X 102°P+隧道結(jié)層(tunnel junction layer) ；20nm磷化鎵銦1 X 102° N+隧道結(jié)層；30nm砷化鋁鎵窗口 ；400nm磷化鎵銦N活性層；IOOnm磷化鎵銦P活性層；30nm砷化鋁鎵P窗口 ；以及300nm砷化鎵P+接觸層。雖然上文涉及本發(fā)明的實(shí)施方案，但是本發(fā)明的其他的和另外的實(shí)施方案可以被設(shè)想，而不偏離本發(fā)明的基本范圍，并且本發(fā)明的范圍由以下的權(quán)利要求確定。
權(quán)利要求
1.一種用于使晶片承載器在氣相沉積反應(yīng)器系統(tǒng)內(nèi)漂浮和橫移的晶片承載器軌道，包括軌道組件的上部，其被布置在所述軌道組件的下部上； 氣體空腔，其被形成在所述軌道組件的所述上部和所述下部之間； 導(dǎo)向路徑，其沿著所述上部的上表面延伸；兩個(gè)側(cè)表面，其沿著所述導(dǎo)向路徑并且在所述導(dǎo)向路徑上方并且平行于彼此延伸，其中所述導(dǎo)向路徑在所述兩個(gè)側(cè)表面之間延伸；多個(gè)氣體孔，其在所述導(dǎo)向路徑內(nèi)并且從所述上部的所述上表面延伸，穿過(guò)所述上部， 并且進(jìn)入所述氣體空腔中；以及被布置在所述軌道組件的一端處的上搭接接合部和被布置在所述軌道組件的相對(duì)端處的下搭接接合部，其中所述上搭接接合部沿著所述兩個(gè)側(cè)表面和所述導(dǎo)向路徑的一部分延伸，并且所述下搭接接合部包括比所述軌道組件的所述導(dǎo)向路徑和所述兩個(gè)側(cè)表面延伸得更遠(yuǎn)的上表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片承載器軌道，其中所述軌道組件的所述上部包括石英。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片承載器軌道，其中所述軌道組件的所述下部包括石英。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片承載器軌道，其中所述軌道組件的所述上部和所述下部中的每個(gè)獨(dú)立地包括石英。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片承載器軌道，其中所述軌道組件的所述上部和所述下部被熔合在一起。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片承載器軌道，其中所述軌道組件的所述上部和所述下部包括石英。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片承載器軌道，其中所述軌道組件的所述下部包括石英板。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片承載器軌道，其中氣體口從所述軌道組件的所述上部的側(cè)表面延伸，穿過(guò)所述軌道組件的所述上部的一部分，并且進(jìn)入所述氣體空腔中。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片承載器軌道，其中所述多個(gè)氣體孔包括約10個(gè)孔至約 50個(gè)孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片承載器軌道，其中所述多個(gè)氣體孔包括約20個(gè)孔至約 40個(gè)孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片承載器軌道，其中每個(gè)氣體孔具有在約0.005英寸至約0. 05英寸的范圍內(nèi)的直徑。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片承載器軌道，其中所述直徑在約0.01英寸至約0. 03 英寸的范圍內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片承載器軌道，還包括被布置在所述導(dǎo)向路徑上的漂浮晶片承載器，并且所述漂浮晶片承載器包括被布置在下表面內(nèi)的至少一個(gè)凹陷窩。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片承載器軌道，其中所述漂浮晶片承載器包括被布置在所述下表面內(nèi)的至少兩個(gè)凹陷窩。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片承載器軌道，其中所述漂浮晶片承載器包括石墨。
16.一種晶片承載器軌道系統(tǒng)，包括至少兩個(gè)如權(quán)利要求1所述的晶片承載器軌道，所述晶片承載器軌道系統(tǒng)包括第一晶片承載器軌道的上搭接接合部，其被布置在第二晶片承載器軌道的下搭接接合部上；排氣口，其被形成在所述第一晶片承載器軌道的所述上搭接接合部和所述第二晶片承載器軌道的所述下搭接接合部之間；以及第一導(dǎo)向路徑，其在所述第一晶片承載器軌道的上表面上且與所述第二晶片承載器軌道的上表面上的第二導(dǎo)向路徑對(duì)準(zhǔn)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片承載器軌道系統(tǒng)，包括所述第二晶片承載器軌道的上搭接接合部，其被布置在第三晶片承載器軌道的下搭接接合部上。
18.一種用于使晶片承載器在氣相沉積反應(yīng)器系統(tǒng)內(nèi)漂浮和橫移的晶片承載器軌道， 包括軌道組件，其具有在其內(nèi)形成的氣體空腔；導(dǎo)向路徑，其沿著所述軌道組件的上表面延伸；多個(gè)氣體孔，其在所述導(dǎo)向路徑內(nèi)并且從所述軌道組件的所述上表面延伸并且延伸進(jìn)入所述氣體空腔中；以及被布置在所述軌道組件的一端處的上搭接接合部和被布置在所述軌道組件的相對(duì)端處的下搭接接合部，其中所述上搭接接合部沿著所述導(dǎo)向路徑的一部分延伸，并且所述下搭接接合部包括比所述軌道組件的所述導(dǎo)向路徑延伸得更遠(yuǎn)的上表面。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片承載器軌道，還包括至少一個(gè)側(cè)表面，所述至少一個(gè)側(cè)表面被布置在所述軌道組件上，并且沿著所述導(dǎo)向路徑且在所述導(dǎo)向路徑上方延伸。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的晶片承載器軌道，其中兩個(gè)側(cè)表面被布置在所述軌道組件上，并且沿著所述導(dǎo)向路徑且在所述導(dǎo)向路徑上方延伸。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的晶片承載器軌道，其中所述導(dǎo)向路徑在所述兩個(gè)側(cè)表面之間延伸。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片承載器軌道，其中所述軌道組件包括石英。
23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片承載器軌道，還包括所述軌道組件的上部，所述軌道組件的所述上部被布置在所述軌道組件的下部上。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片承載器軌道，其中所述軌道組件的所述上部包括沿著所述上表面延伸的所述導(dǎo)向路徑。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片承載器軌道，其中所述氣體空腔被形成在所述軌道組件的所述上部和所述下部之間。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片承載器軌道，其中所述軌道組件的所述上部和所述下部被熔合在一起。
27.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的晶片承載器軌道，其中所述軌道組件的所述上部和所述下部包括石英。
28.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片承載器軌道，其中所述軌道組件的所述下部包括石英板。
29.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片承載器軌道，其中氣體口從所述軌道組件的側(cè)表面延伸并且延伸入所述氣體空腔中。
30.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片承載器軌道，其中所述多個(gè)氣體孔包括約10個(gè)孔至約 50個(gè)孔。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的晶片承載器軌道，其中所述多個(gè)氣體孔包括約20個(gè)孔至約 40個(gè)孔。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的晶片承載器軌道，其中每個(gè)氣體孔具有在約0.005英寸至約0. 05英寸的范圍內(nèi)的直徑。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的晶片承載器軌道，其中所述直徑在約0.01英寸至約0. 03 英寸的范圍內(nèi)。
34.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片承載器軌道，還包括被布置在所述導(dǎo)向路徑上的漂浮晶片承載器，并且所述漂浮晶片承載器包括被布置在下表面內(nèi)的至少一個(gè)凹陷窩。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的晶片承載器軌道，其中所述漂浮晶片承載器包括被布置在所述下表面內(nèi)的至少兩個(gè)凹陷窩。
36.根據(jù)權(quán)利要求34所述的晶片承載器軌道，其中所述漂浮晶片承載器包括石墨。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施方案大體上涉及用于化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝的裝置。在一個(gè)實(shí)施方案中，提供用于使晶片承載器在氣相沉積反應(yīng)器系統(tǒng)內(nèi)漂浮和橫移的晶片承載器軌道，晶片承載器軌道包括軌道組件的上部和下部，上部和下部具有在其之間形成的氣體空腔。導(dǎo)向路徑沿著上部的上表面并且在兩個(gè)側(cè)表面之間延伸，兩個(gè)側(cè)表面沿著導(dǎo)向路徑并且在導(dǎo)向路徑上方并且平行于彼此延伸。沿著導(dǎo)向路徑的多個(gè)氣體孔從上部的上表面延伸，穿過(guò)上部，并且進(jìn)入氣體空腔中。在某些實(shí)施例中，軌道組件的上部和下部可以獨(dú)立地包括石英，并且在某些實(shí)施例中可以被熔合在一起。
文檔編號(hào)H01L21/205GK102422407SQ201080020492
公開(kāi)日2012年4月18日 申請(qǐng)日期2010年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月16日
發(fā)明者何甘, 凱思德·索拉布吉, 安德瑞斯·海吉杜斯, 羅杰·哈曼吉, 雷格·東克 申請(qǐng)人:奧塔裝置公司