專利名稱：具有電路測(cè)量墊的有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有電路測(cè)量墊的有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法，尤其涉及一種能防止電路測(cè)量墊和對(duì)電極(opposite electrode)之間發(fā)生短路的具有電路測(cè)量墊的有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
在平板顯示器中，有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)具有1ms或更小的快速響應(yīng)速度、低功耗和由于發(fā)光顯示的寬視角，因此不論尺寸大小它作為一種顯示活動(dòng)圖像的介質(zhì)具有優(yōu)勢(shì)。而且，因?yàn)椴捎昧艘延械陌雽?dǎo)體制造工藝技術(shù)，OLED可以在低溫下制造并具有簡(jiǎn)單的制造工藝，因此，它作為下一代平板顯示器引起了公眾的注意。
OLED通過(guò)使用半導(dǎo)體制造工藝在基板上形成具有多個(gè)TFT和電容的薄膜晶體管(TFT)陣列，并且在形成TFT陣列的基板的發(fā)光區(qū)域沉積具有發(fā)射層的有機(jī)層。
在OLED中，硅半導(dǎo)體和金屬電極通過(guò)接觸孔有機(jī)地相互連接，并且對(duì)應(yīng)每個(gè)單元象素構(gòu)圖的象素電極通過(guò)經(jīng)通孔連接的TFT供應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件的電流。
驅(qū)動(dòng)電路測(cè)量墊設(shè)置在其中形成OLED單元象素的顯示區(qū)域周圍。在制造過(guò)程中形成驅(qū)動(dòng)電路測(cè)量墊以檢查OLED的電路操作是否正常運(yùn)行。
然而，驅(qū)動(dòng)電路測(cè)量墊可能引起與在OLED顯示區(qū)域形成的對(duì)電極的短路，導(dǎo)致OLED的故障和OLED的低可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明通過(guò)提供可防止電路測(cè)量墊和對(duì)電極之間短路從而改進(jìn)顯示器的可靠性的電路測(cè)量墊、具有該電路測(cè)量墊的OLED、以及其制造方法，解決了與傳統(tǒng)裝置相關(guān)的上述問(wèn)題。
本發(fā)明還提供一種通過(guò)實(shí)現(xiàn)具有薄象素限定層的OLED改進(jìn)OLED的制造工藝的方法。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一種有機(jī)發(fā)光顯示器包括具有顯示區(qū)域和電路測(cè)量墊區(qū)域的基板；設(shè)置在顯示區(qū)域上的源極和漏極電極，及設(shè)置在電路測(cè)量墊區(qū)域上并與源極和漏極電極在同一層上的第一導(dǎo)電層；設(shè)置在源極和漏極電極及第一導(dǎo)電層上的第一絕緣層；在第一絕緣層內(nèi)形成的第一和第二通孔，第一通孔暴露源極或漏極電極，第二通孔暴露第一導(dǎo)電層；通過(guò)第一通孔與源極或漏極電極接觸的象素電極，和通過(guò)第二通孔與第一導(dǎo)電層接觸的第二導(dǎo)電層；及在第二導(dǎo)電層上形成的暴露象素電極的象素限定層。
依據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)典型實(shí)施例，一種制造有機(jī)發(fā)光顯示器的方法包括制備具有顯示區(qū)域和電路測(cè)量墊區(qū)域的基板；在基板上沉積并構(gòu)圖導(dǎo)電層，從而在顯示區(qū)域上方形成源極和漏極電極的同時(shí)在電路測(cè)量墊區(qū)域上方形成第一導(dǎo)電層；在源極和漏極電極及第一導(dǎo)電層上形成第一絕緣層；同時(shí)在第一絕緣層內(nèi)形成第一和第二通孔，第一通孔暴露源極或漏極電極，第二通孔暴露第一導(dǎo)電層；沉積并構(gòu)圖導(dǎo)電層，從而形成通過(guò)第一通孔與源極或漏極接觸的象素電極，和通過(guò)第二通孔與第一導(dǎo)電層相接觸的第二導(dǎo)電層；以及沉積并構(gòu)圖絕緣層，從而形成暴露在顯示區(qū)域上方的象素電極并覆蓋在電路測(cè)量墊區(qū)域上方的第二導(dǎo)電層的象素限定層。


本發(fā)明的上述和其它特征將通過(guò)參考附圖詳細(xì)描述特定示例性實(shí)施例進(jìn)行描述，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明的OLED的平面圖；圖2至5是沿著圖1中線I-I′得到的說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的OLED的制造方法的橫截面視圖；和圖6至8是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的OLED的制造方法的橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，示例通過(guò)附圖進(jìn)行說(shuō)明，其中相同的附圖標(biāo)記始終代表相同的元件。為了解釋本發(fā)明，下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)的平面圖。
參考圖1，OLED包括具有象素單元的顯示區(qū)域5和用于驅(qū)動(dòng)顯示區(qū)域5的電路部分3a和3b。電路部分3a和3b包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器區(qū)域3a和掃描驅(qū)動(dòng)器區(qū)域3b。每個(gè)電路部分3a和3b包括與各象素對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管(TFT)，并通過(guò)互連線與顯示區(qū)域5連接。掃描線和數(shù)據(jù)線設(shè)置在顯示區(qū)域5中，用來(lái)傳輸來(lái)自電路部分3a和3b的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器區(qū)域3a和掃描驅(qū)動(dòng)器區(qū)域3b的信號(hào)，并且每個(gè)信號(hào)施加給一個(gè)指定的象素以操作OLED。
電路測(cè)量墊15可以設(shè)置在發(fā)光區(qū)域和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器區(qū)域3a之間的區(qū)域15a上或OLED邊緣的一側(cè)15b上。電路測(cè)量墊15與OLED中的TFT同時(shí)形成。電路測(cè)量墊15與數(shù)據(jù)線連接，因此可以通過(guò)經(jīng)由電路測(cè)量墊15檢測(cè)電特性而確定電路運(yùn)行是否正常。
圖5是沿著圖1的線I-I′得到的根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的OLED的橫截面視圖。
參考圖5，基板200包括顯示區(qū)域A和電路測(cè)量墊區(qū)域B。
緩沖層205設(shè)置在顯示區(qū)域A和電路測(cè)量墊區(qū)域B上，并且TFT設(shè)置在顯示區(qū)域A的緩沖層205上。TFT包括半導(dǎo)體層210、柵極絕緣層215、柵極電極220、層間絕緣層225、以及源極和漏極電極230a和230b。
與柵極絕緣層215和層間絕緣層225同時(shí)沉積的絕緣層設(shè)置在電路測(cè)量墊區(qū)域B的緩沖層205上。
第一導(dǎo)電層230c設(shè)置在電路測(cè)量墊區(qū)域B的層間絕緣層225上。
第一絕緣層設(shè)置在源極和漏極電極230a和230b及第一導(dǎo)電層230c上。第一絕緣層可以是鈍化層235。第一絕緣層還可以包括平坦化層240。
暴露源極電極230a或漏極電極230b的第一通孔245a和暴露導(dǎo)電層230c的第二通孔245b設(shè)置在第一絕緣層內(nèi)。設(shè)置通過(guò)第一通孔245a與源極電極230a或漏極電極230b連接的象素電極250a和通過(guò)第二通孔245b與第一導(dǎo)電層230c連接的第二導(dǎo)電層250b。
第二通孔245b的斜角(taper angle)θ1小于或等于50°。
第二導(dǎo)電層250b的厚度可以在100到1000范圍內(nèi)。
第二導(dǎo)電層250b邊緣的斜角θ2小于或等于50°。
設(shè)置暴露象素電極250a的象素限定層260a，具有發(fā)射層的有機(jī)層270設(shè)置在暴露的象素電極250a上。象素限定層260b也設(shè)置在第二導(dǎo)電層250b上。象素限定層260a和260b以薄層形式形成，并且具有小于或等于3,000的厚度。
對(duì)電極280設(shè)置在象素限定層260a和260b上。
盡管象素限定層260a和260b以薄層形式形成，但是因?yàn)樾苯铅?和θ2小于或等于50°，所以即使在傾斜部分絕緣層也可形成均勻厚度，從而防止了電路測(cè)量墊和對(duì)電極之間的短路。
因此，實(shí)現(xiàn)了具有薄象素限定層的OLED，并且這樣的結(jié)構(gòu)可以改進(jìn)OLED的激光誘導(dǎo)熱成像工藝的特性。
而且，OLED的可靠性可通過(guò)防止短路而得到改進(jìn)。
圖2至5是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的OLED制作方法的橫截面視圖。
參考圖2，緩沖層205形成在具有顯示區(qū)域A和電路測(cè)量墊區(qū)域B的基板200上。緩沖層205的形成不是必需的，但是因?yàn)樗糜诜乐闺s質(zhì)從基板200進(jìn)入TFT元件，所以優(yōu)選形成緩沖層205。緩沖層205可以由氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)或氮氧化硅(SiOxNy)形成。
半導(dǎo)體層210在對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)域A的緩沖層205上形成。半導(dǎo)體層210可以由非晶硅和晶體硅形成。
柵極絕緣層215形成在具有半導(dǎo)體層210的基板200上。柵極絕緣層215由常規(guī)的絕緣層比如二氧化硅(SiO2)層形成。柵極電極220形成在具有柵極絕緣層215的基板200之上。
參考圖3，層間絕緣層225形成在具有柵極電極220的基板200之上。接觸孔在層間絕緣層225內(nèi)形成從而分別暴露半導(dǎo)體層210的源極和漏極區(qū)域。導(dǎo)電層在層間絕緣層225上沉積并被構(gòu)圖從而形成分別與暴露的源極區(qū)域和漏極區(qū)域接觸的源極和漏極電極230a和230b，同時(shí)在電路測(cè)量墊區(qū)域B上方形成第一導(dǎo)電層230c。
第一絕緣層形成在具有源極和漏極電極230a和230b和第一導(dǎo)電層230c的基板200上。
第一導(dǎo)電層可以是鈍化層235。鈍化層235可由氮化硅(SiNx)層或二氧化硅(SiO2)層形成。鈍化層235優(yōu)選由對(duì)半導(dǎo)體層210起鈍化作用和光阻擋作用的氮化硅(SiNx)形成。
平坦化層240可在鈍化層235上形成。平坦化層240可由從一組材料中挑選出的材料形成，這組材料包括聚丙烯酸酯類樹脂(polyacrylates resin)、環(huán)氧樹脂(epoxy resin)、酚醛樹脂(phenolic resin)、聚酰胺樹脂(polyamidesresin)、聚酰亞胺樹脂(polyimides resin)、不飽和聚酯樹脂(unsaturatedpolyesters resin)、聚苯醚樹脂(polyphenylenethers resin)、聚苯硫醚樹脂(polyphenylenesulfides resin)和苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene)(BCB)。
參考圖4，第一和第二通孔245a和245b在第一絕緣層內(nèi)形成從而暴露漏極電極230b和第一導(dǎo)電層230c。
第一或第二通孔的斜角θ1小于或等于50°。
導(dǎo)電層在具有第一和第二通孔245a和245b的基板200之上沉積并構(gòu)圖，從而分別在第一和第二通孔245a和245b上形成象素電極250a和第二導(dǎo)電層250b。
檢測(cè)其上形成第二導(dǎo)電層250b的電路測(cè)量墊區(qū)域B的電特性從而識(shí)別電路運(yùn)行是否正常進(jìn)行。
反射層可以置于象素電極250a和平坦化層240之間。
象素電極250a和第二導(dǎo)電層250b可以由氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)形成。第二導(dǎo)電層250b邊緣的斜角θ2小于或等于50°。
絕緣層在象素電極250a和第二導(dǎo)電層250b上形成。將絕緣層構(gòu)圖以形成象素限定層260a和260b。象素限定層260a暴露象素電極260a，并且象素限定層260b覆蓋并保護(hù)第二導(dǎo)電層250b。
由于斜角θ1和θ2，在電路測(cè)量墊區(qū)域B上形成的象素限定層260b可以不間斷地保形地形成。
參考圖5，有機(jī)層270在暴露的象素電極250a上形成。有機(jī)層270除發(fā)射層之外還包括至少一個(gè)從包含空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層和電子注入層的組中選擇的層。
對(duì)電極280在顯示區(qū)域A的有機(jī)層270和電路測(cè)量墊區(qū)域B的象素限定層260b上形成，從而完成OLED。
因此，象素限定層260b可以不間斷地保形形成，因此防止了電路測(cè)量墊260b和對(duì)電極280之間的短路。
因此，可實(shí)現(xiàn)具有薄象素限定層的OLED，且薄象素限定層應(yīng)經(jīng)歷的OLED的激光誘導(dǎo)熱成像工藝可以容易地進(jìn)行。
而且因?yàn)榉乐沽硕搪?，OLED的可靠性可得到改進(jìn)。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的OLED的橫截面視圖。
參考圖6，就像本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例，基板300包括設(shè)置有源極和漏極電極330a和330b的顯示區(qū)域A以及設(shè)置有第一導(dǎo)電層330c的電路測(cè)量墊區(qū)域B。
第一絕緣層設(shè)置在源極和漏極電極330a和330b及第一導(dǎo)電層330c上。第一絕緣層可以是鈍化層335。在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，平坦化層340僅僅在除電路測(cè)量墊區(qū)域B以外的顯示區(qū)域A上方形成。
第二通孔的斜角θ1可為小于或等于50°。
第二導(dǎo)電層350b的厚度可在100到1000之間。
第二導(dǎo)電層350b邊緣的斜角θ2可為小于或等于50°。
設(shè)置為覆蓋第二導(dǎo)電層350b的第二絕緣層360b可形成為具有厚度小于或等于3,000的薄層。
因此，就像本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例，盡管象素限定層360b是一薄層，但因?yàn)橥椎男苯铅?和第二導(dǎo)電層350b邊緣的斜角θ2小于或等于50°，所以象素限定層360b即使在傾斜部分也能形成均勻的厚度，從而防止電路測(cè)量墊B和對(duì)電極380之間的短路。
因此，可以實(shí)現(xiàn)具有薄象素限定層的OLED，薄象素限定層應(yīng)經(jīng)歷的OLED的激光誘導(dǎo)熱成像工藝可以容易進(jìn)行。而且，因?yàn)榉乐沽硕搪?，OLED的可靠性能得到改進(jìn)。
圖6至8是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的OLED制作方法的橫截面視圖。
參考圖7，就像第一實(shí)施例，緩沖層310在具有顯示區(qū)域A和電路測(cè)量墊區(qū)域B的基板300上形成。在顯示區(qū)域A上方部分緩沖層310上形成半導(dǎo)體層320、柵極電極330、和源極和漏極電極330a和330b，由此形成TFT。
就像第一實(shí)施例，第一導(dǎo)電層330c形成在電路測(cè)量墊區(qū)域B上，與源極和漏極電極330a和330b同時(shí)形成。而后，第一絕緣層在具有源極和漏極電極330a和330b及第一導(dǎo)電層330c的基板上形成。第一絕緣層可以是鈍化層335。
平坦化層340可以在鈍化層335上形成。
平坦化層340經(jīng)歷使用具有根據(jù)顯示區(qū)域和電路測(cè)量墊區(qū)域的通孔、以及通孔周圍的顯示區(qū)域和電路測(cè)量墊區(qū)域的部分而曝光程度不同的部分400a到400c的半色調(diào)掩模(halftone mask)400的曝光工藝。
參考圖8，通過(guò)曝光處理，形成暴露漏極電極330b的第一通孔和暴露第一導(dǎo)電層330c的第二通孔，同時(shí)形成一個(gè)曝露平坦化層340中的電路測(cè)量墊區(qū)域的開口。也就是說(shuō)，使用半色調(diào)掩模400，保留與顯示區(qū)域A對(duì)應(yīng)的平坦化層340的部分，而去除與電路測(cè)量墊區(qū)域B對(duì)應(yīng)的平坦化層340的部分。
第一或第二通孔的斜角θ1小于或等于50°。
導(dǎo)電層在具有第一和第二通孔的基板上沉積，而后構(gòu)圖從而在第一通孔上形成象素電極350a，并在第二通孔上形成第二導(dǎo)電層350b。
檢測(cè)在其上形成有第二導(dǎo)電層350b的電路測(cè)量墊區(qū)域B從而識(shí)別電路操作是否正常進(jìn)行。
就像本發(fā)明的第一實(shí)施例，可以將反射層置于象素電極350a和平坦化層340之間。
而且，象素電極350a和第二導(dǎo)電層350b可由ITO或IZO形成，并且第二導(dǎo)電層350b的邊緣的斜角可為小于或等于50°。
參考圖6，絕緣層在象素電極350a和導(dǎo)電層350b上形成。將導(dǎo)電絕緣層構(gòu)圖以形成象素限定層360a和360b。象素限定層360a暴露象素電極350a，并且象素限定層360b覆蓋并保護(hù)第二導(dǎo)電層350b。
由于斜角θ1和θ2，在電路測(cè)量墊區(qū)域B上形成的象素限定層360b可以不間斷地保形形成。
有機(jī)層370在暴露的象素電極350a上形成。有機(jī)層370除發(fā)射層之外還包括至少一個(gè)從包含空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層和電子注入層的組中選擇的層。
對(duì)電極380在顯示區(qū)域A的有機(jī)層370和電路測(cè)量墊區(qū)域B的象素限定層360b上形成，從而完成OLED。
因此，象素限定層360b可以不間斷地保形形成，從而防止了電路測(cè)量墊360b和對(duì)電極380之間的短路。
結(jié)果實(shí)現(xiàn)了具有薄象素限定層的OLED，薄象素限定層經(jīng)歷的OLED的激光誘導(dǎo)熱成像工藝可以容易地進(jìn)行。
而且，因?yàn)榉乐沽硕搪?，OLED的可靠性可得到改進(jìn)。
如上所述，由于其均勻的厚度即使在電路測(cè)量墊的傾斜部分本發(fā)明的OLED也可以防止電路測(cè)量墊和對(duì)電極之間的短路?？梢詫?shí)現(xiàn)具有薄象素限定層的OLED，并且OLED的激光誘導(dǎo)熱成像工藝的特性可以得到改進(jìn)。而且，因?yàn)榉乐沽硕搪?，OLED的可靠性也可得到改進(jìn)。
雖然本發(fā)明參照其特定的實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在不偏離權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可對(duì)本發(fā)明作出各種變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示器，其包括具有顯示區(qū)域和電路測(cè)量墊區(qū)域的基板；設(shè)置在顯示區(qū)域之上的源極和漏極電極，及設(shè)置在電路測(cè)量墊區(qū)域之上并與源極和漏極電極在同一層上的第一導(dǎo)電層；設(shè)置在源極和漏極電極及第一導(dǎo)電層上的第一絕緣層；在第一絕緣層內(nèi)形成的第一和第二通孔，第一通孔暴露源極或漏極電極，第二通孔暴露第一導(dǎo)電層；通過(guò)第一通孔與源極或漏極電極接觸的象素電極，和通過(guò)第二通孔與第一導(dǎo)電層接觸的第二導(dǎo)電層；及在第二導(dǎo)電層上形成的暴露象素電極的象素限定層。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中第二導(dǎo)電層具有在100到1000范圍內(nèi)的厚度。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中象素限定層的厚度小于或等于3,000。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中第二通孔具有小于或等于50°的斜角。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中第一導(dǎo)電層的邊緣具有小于或等于50°的斜角。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示器，其中第一絕緣層是鈍化層。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示器，其中第一絕緣層還包括設(shè)置在鈍化層上的平坦化層。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示器，其中第二通孔具有小于或等于50°的斜角。
9.如權(quán)利要求7所述的顯示器，其中平坦化層包括暴露電路測(cè)量墊區(qū)域的開口，而第二通孔設(shè)置在鈍化層內(nèi)。
10.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示器的方法，其包括制備具有顯示區(qū)域和電路測(cè)量墊區(qū)域的基板；在基板上沉積并構(gòu)圖導(dǎo)電層，從而在顯示區(qū)域上方形成源極和漏極電極的同時(shí)在電路測(cè)量墊區(qū)域上方形成第一導(dǎo)電層；在源極和漏極電極及第一導(dǎo)電層上形成第一絕緣層；同時(shí)在第一絕緣層內(nèi)形成第一和第二通孔，第一通孔暴露源極或漏極電極，第二通孔暴露第一導(dǎo)電層；沉積并構(gòu)圖導(dǎo)電層，從而形成通過(guò)第一通孔與源極或漏極接觸的象素電極，和通過(guò)第二通孔與第一導(dǎo)電層相接觸的第二導(dǎo)電層；以及沉積并構(gòu)圖絕緣層，從而形成暴露顯示區(qū)域上方的象素電極并覆蓋電路測(cè)量墊區(qū)域上方的第二導(dǎo)電層的象素限定層。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中形成第一絕緣層包括形成鈍化層。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中形成第一絕緣層還包括在鈍化層上形成平坦化層。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中第二通孔具有小于或等于50°的斜角。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在第一和第二通孔使用半色調(diào)掩模形成時(shí)，暴露電路測(cè)量墊區(qū)域的開口在平坦化層內(nèi)形成。
15.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括在暴露的象素電極上形成具有發(fā)射層的有機(jī)層，并在具有有機(jī)層的顯示區(qū)域上方和具有第二絕緣層的電路測(cè)量墊區(qū)域上方形成對(duì)電極。
16.如權(quán)利要求10所述的方法，其中第二導(dǎo)電層具有在100到1000范圍內(nèi)厚度。
17.如權(quán)利要求10所述的方法，其中象素限定層的厚度小于或等于3,000。
18.如權(quán)利要求10所述的方法，其中第一通孔具有小于或等于50°的斜角。
19.如權(quán)利要求10所述的方法，其中第一導(dǎo)電層的邊緣具有小于或等于50°的斜角。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法。發(fā)光顯示器包括具有顯示區(qū)域和電路測(cè)量墊區(qū)域的基板；設(shè)置在顯示區(qū)域上的源極和漏極電極，及設(shè)置在電路測(cè)量墊區(qū)域上并與源極和漏極電極在同一層上的第一導(dǎo)電層；設(shè)置在源極和漏極電極及第一導(dǎo)電層上的第一絕緣層；在第一絕緣層內(nèi)形成的第一和第二通孔，第一通孔暴露源極或漏極電極，第二通孔暴露第一導(dǎo)電層；通過(guò)第一通孔與源極或漏極電極接觸的象素電極，和通過(guò)第二通孔與第一導(dǎo)電層接觸的第二導(dǎo)電層；及在第二導(dǎo)電層上形成的暴露象素電極的象素限定層。
文檔編號(hào)H01L27/32GK1744771SQ20041009542
公開日2006年3月8日 申請(qǐng)日期2004年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月2日
發(fā)明者金茂顯, 金男 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社