專利名稱：場(chǎng)致發(fā)光顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有良好的發(fā)光狀態(tài)以及極好的發(fā)光效率的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件(以下稱為有機(jī)EL器件)是一種發(fā)光器件，其原理是熒光材料利用通過(guò)施加電場(chǎng)而從陽(yáng)極注入的空穴和從陰極注入的電子的復(fù)合能而發(fā)光。對(duì)這種有機(jī)EL器件研究的代表性實(shí)例包括一種利用堆疊器件的低壓驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL器件，已由C.W.Tang等作過(guò)報(bào)道(例如，見C.W.Tang，S.A.VanSlyke，Applied PhysicsLetters，Vol.51，p913，1987，等)。隨著這種堆疊器件的發(fā)展，有機(jī)EL器件的發(fā)光性能得以顯著增強(qiáng)。并且，由于這種高性能有機(jī)EL器件的發(fā)展，近來(lái)對(duì)有機(jī)EL器件進(jìn)行的實(shí)際應(yīng)用的研究和開發(fā)也十分活躍。
Tang等人的二層結(jié)構(gòu)使用三(8-羥基喹啉)合鋁(AIQ)作發(fā)光層，用三苯二胺衍生物(TDP)作空穴傳輸層。這種二層結(jié)構(gòu)顯示了優(yōu)良的特性，因?yàn)樗哂锌昭ㄗ⑷氚l(fā)光層的高效率，它還通過(guò)阻擋從陰極注入的電子而具有通過(guò)復(fù)合而形成的激子的高生產(chǎn)效率，且所形成的激子可以被密封在發(fā)光層中。而且，作為增強(qiáng)這種二層結(jié)構(gòu)的實(shí)例，有報(bào)道提出三層結(jié)構(gòu)，即，空穴傳輸(注入)層、發(fā)光層和電子傳輸(注入)層。這種三層結(jié)構(gòu)和上述空穴傳輸(注入)層和可傳輸電子的發(fā)光層的二層結(jié)構(gòu)一起通稱為有機(jī)EL器件的代表性結(jié)構(gòu)。此外，在這種堆疊結(jié)構(gòu)器件中所需要的就是增強(qiáng)空穴和電子的復(fù)合效率。為滿足這種需要，已進(jìn)行了許多研究。
順帶提一下，由于有機(jī)EL器件具有高的響應(yīng)時(shí)間，而且是自發(fā)光器件，可以期望有機(jī)EL器件實(shí)際用作便攜式終端或電視機(jī)的高清晰度顯示器，但必需要求提高有機(jī)EL發(fā)光體的發(fā)光效率，以便將高清晰度EL顯示器實(shí)現(xiàn)成為產(chǎn)品。因此，以下將詳細(xì)說(shuō)明提高有機(jī)EL發(fā)光體的發(fā)光效率的需求。
首先，考慮一下在有機(jī)EL器件中載流子的復(fù)合原理，從電極注入到發(fā)光層的電子和空穴固庫(kù)侖相互作用而成為電子-空穴對(duì)，其中一些電子-空穴對(duì)成為單態(tài)激子，而其它電子-空穴對(duì)形成三重態(tài)激子。根據(jù)量子力學(xué)密度，所述產(chǎn)量比為1∶3。就是說(shuō)，如果沒有從三重態(tài)觀察到的磷光，亮度中的量子生產(chǎn)率最大就是25％，這表明從有機(jī)EL器件只能獲得25％的最大效率。而且，有機(jī)EL器件還有一個(gè)問(wèn)題，即發(fā)光體的折射率會(huì)影響器件，出射角大于臨界角的光產(chǎn)生全反射，于是不能被發(fā)射到外部。就是說(shuō)，如果熒光物質(zhì)的折射率為1.6，那么，只有發(fā)光總量的20％是有效的。此外，上述單態(tài)(生產(chǎn)率25％)的總計(jì)產(chǎn)量比大約為總量的5％，有機(jī)EL器件的光提取效率顯著降低(例如，見〔The phenomenon and trend ofan organic electroluminescence〕，Tetsuo TsutsuiMonthlyDisplay，Vol.1，No.3，p11，Sep.1995)。為此，必需要求提高光的提取效率。否則，可能在有機(jī)EL器件中導(dǎo)致這種致命的降級(jí)。
因此，針對(duì)有機(jī)EL器件的研發(fā)技術(shù)，已研究了數(shù)種方法作為提高發(fā)光效率的解決方案。這些研究的實(shí)例包括允許襯底具有聚光能力的方法(例如，見日本公開特許公報(bào)No.Sho 63-314795)，以及在器件一側(cè)形成反射表面的方法(例如，見日本公開特許公報(bào)No.Hei1-220394)。
此外，作為一種傳統(tǒng)配置，在日本公開特許公報(bào)No.2001-60495中公開了一種有機(jī)EL器件，它依次包括襯底、彩色濾光層、阻擋層、空穴注入電極、有機(jī)發(fā)光層和電子注入層，其中通常使用氧化硅作阻擋層。在日本公開特許公報(bào)No.2002-260845中也公開了一種有機(jī)EL器件，它包括在微型透鏡整個(gè)表面上形成的SiO2底層等以及在所述底層上形成的氧化銦錫(ITO)層。
但此處列舉的方法適用于大面積的襯底，而且有個(gè)問(wèn)題，即，在配置成具有極小像素面積的高分辨率顯示器中，制造具有聚光能力的透鏡或形成反射表面作為側(cè)表面是很困難的。而且，在發(fā)光層的厚度僅為幾個(gè)微米或更小的有機(jī)EL器件中，很難在器件的側(cè)表面上形成反射鏡面，即使采用特別精細(xì)的加工技術(shù)也非常困難，即使反射鏡面能夠形成，但制造成本顯著增加，大大阻礙了實(shí)際應(yīng)用。
同時(shí)，也有報(bào)道在襯底玻璃和發(fā)光體之間引入一個(gè)平面層，用作抗反射層，它具有襯底玻璃和發(fā)光體的各折射率的中間值，作為與上述具有聚光能力的方法和在器件側(cè)面形成反射表面的方法不同的一種方法(例如，見日本公開特許公報(bào)No.Sho 62-172691)。但是，據(jù)認(rèn)為在這種方法中前向發(fā)光效率可能會(huì)提高，但不能避免總反射。就是說(shuō)，抗反射薄膜的原理有一個(gè)問(wèn)題，就是即使在有大折射率發(fā)光體(例如無(wú)機(jī)EL)中所述原理有效，它卻不能顯著提高有機(jī)EL器件的發(fā)光效率，與無(wú)機(jī)EL器件相比，有機(jī)EL器件是折射率較低的發(fā)光體。
雖然如上述對(duì)有機(jī)EL器件發(fā)光效率的許多研究已有報(bào)道，但它們都不能滿足所需的性能。因此需要有一種新觀念的對(duì)策。
因此，作為一種增強(qiáng)發(fā)光效率的新方法，報(bào)道了一種研究實(shí)例，即，在襯底上形成一種光學(xué)元件，例如衍射光柵等(例如，見日本公開特許公報(bào)No.Sho 62-172691)。據(jù)認(rèn)為這種方法對(duì)提高有機(jī)EL器件的發(fā)光效率是有效的。另一方面，在此處提出的衍射光柵型有機(jī)EL器件的情況下，高發(fā)光效率是可能的，但制造器件卻很困難。特別是，即使用最現(xiàn)代的制造技術(shù)，將衍射光柵掩蓋起來(lái)的槽加工過(guò)程，以及在形成器件之前使襯底平面化的平面技術(shù)都難實(shí)現(xiàn)，而且在襯底上形成電極，抑制在襯底表面上發(fā)光性能的偏差等，也都很困難。

發(fā)明內(nèi)容
因此，鑒于現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，本發(fā)明的目的就是提供具有良好發(fā)光性能和高發(fā)光效率的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件。
本發(fā)明人仔細(xì)考慮上述目的后發(fā)現(xiàn)，有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件(以下稱為有機(jī)EL器件)可以穩(wěn)定地制造成具有良好的發(fā)光狀態(tài)和高發(fā)光效率，方法是通過(guò)襯底上的中間層淀積包括陽(yáng)極和陰極之間的發(fā)光層的至少一層有機(jī)層，襯底上具有光學(xué)元件，所述光學(xué)元件是以下光學(xué)元件之一衍射光柵、散射部分、光柵和偏振濾光器。


現(xiàn)參閱附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，以使本專業(yè)的技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)有更清楚的了解，附圖中圖1為本發(fā)明的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件的配置圖；圖2為衍射光柵的截面圖；圖3為本發(fā)明的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光層的示意圖；圖4為在本發(fā)明的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件中使用的ITO圖案的示意圖；圖5為本發(fā)明有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件中的陽(yáng)極形成掩模的示意圖；圖6為在本發(fā)明有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件中的發(fā)光部分的示意圖；圖7為實(shí)施例5的結(jié)構(gòu)圖；圖8為比較實(shí)例1的結(jié)構(gòu)圖；圖9為示出用作評(píng)價(jià)的發(fā)光部分的位置的示意圖；圖10以使用圖1的有機(jī)發(fā)光元件的有機(jī)發(fā)光顯示器的形式說(shuō)明有源矩陣發(fā)光顯示器的實(shí)例；以及圖11和圖12以使用圖1的有機(jī)發(fā)光元件的有機(jī)發(fā)光顯示器的形式說(shuō)明有源矩陣發(fā)光顯示器的另一個(gè)實(shí)例。
具體實(shí)施例方式
以下將參閱附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例加以說(shuō)明。
本發(fā)明的有機(jī)EL器件包括襯底上的中間層，襯底上有光學(xué)元件，所述光學(xué)元件是衍射光柵、散射部分、光柵和偏振濾光器中之一；以及包括陽(yáng)極和陰極之間的發(fā)光層的至少一層有機(jī)層。在本發(fā)明中，所述光學(xué)元件是一個(gè)能定量地并穩(wěn)定地影響從有機(jī)EL發(fā)光體產(chǎn)生的光的衍射、散射、反射和折射現(xiàn)象的元件。所述光學(xué)元件的實(shí)例可以包括衍射光柵、散射結(jié)構(gòu)、光柵、透鏡、彩色濾光器、偏振濾光器等。在本發(fā)明中，衍射光柵是利用光的衍射獲得光譜的裝置。衍射光柵是這樣一種光學(xué)結(jié)構(gòu)它具有周期性開鑿的溝槽并利用從溝槽之間的光滑表面反射的光的干涉所產(chǎn)生的衍射圖像。散射結(jié)構(gòu)是引起散射現(xiàn)象的一種光學(xué)結(jié)構(gòu)，散射現(xiàn)象就是當(dāng)在某一方向上前進(jìn)的波(光)遇到障礙物時(shí)，光就擴(kuò)展到障礙物周圍的幾個(gè)方向上。將具有不同折射率的材料的粒子，突起部等分散成隨機(jī)形式，就可形成散射結(jié)構(gòu)。此外，透鏡是具有彎曲表面的各向同性均質(zhì)透明體?？梢酝ㄟ^(guò)使襯底或薄膜表面成為彎曲形狀來(lái)形成透鏡。同時(shí)，偏振濾光器是能引起偏振現(xiàn)象的一種光學(xué)結(jié)構(gòu)，偏振現(xiàn)象就是在垂直于前進(jìn)方向的平面中在互相垂直的方向上振動(dòng)的分量被混合。市售的偏振薄膜等可以用作偏振濾光器。
在本發(fā)明的有機(jī)EL器件中，光學(xué)元件最好是衍射光柵。利用具有衍射光柵的襯底，并按照與可見光相同的程度調(diào)節(jié)襯底上衍射光柵的衍射節(jié)距，就可獲得具有高發(fā)光效率的有機(jī)EL器件。
而且，在本發(fā)明的有機(jī)EL器件中，最好在光學(xué)元件上，距光學(xué)元件50nm的厚度之內(nèi)，設(shè)置中間層。這樣，就可在中間層上穩(wěn)定地形成電極并且因縮短了光學(xué)元件和有機(jī)EL層之間的距離而可穩(wěn)定地制造具有良好發(fā)光狀態(tài)的有機(jī)EL器件，所述有機(jī)EL層是以插在所述電極對(duì)之間的形式形成的。
在本發(fā)明中，如果形成中間層的材料的折射率小于在中間層上形成的電極材料的折射率，那么，中間層的薄膜厚度最好在10nm到200nm的范圍之內(nèi)。如果形成中間層的材料的折射率小于在中間層上所形成的電極材料的折射率，就會(huì)有一個(gè)問(wèn)題，即，很難在中間層上形成平面電極，且在中間層的薄膜厚度小于10nm時(shí)器件的壽命會(huì)顯著縮短。而且，如果中間層的折射率小于電極的折射率，還會(huì)有一個(gè)問(wèn)題，即，由于在中間層的薄膜厚度超過(guò)200nm時(shí)中間層的總反射不能被抑制，故發(fā)光效率會(huì)顯著降低。
另一方面，如果形成中間層的材料的折射率等于或大于在中間層上所形成的電極材料的折射率，那么，中間層的薄膜厚度最好為300nm或300nm以下。如果中間層的薄膜厚度超過(guò)了300nm，就會(huì)有以下問(wèn)題，即，包括中間層的襯底的透射率大大降低，導(dǎo)致器件的發(fā)光效率顯著下降。
在本發(fā)明的有機(jī)EL器件中，形成中間層的材料可以等同于構(gòu)成光學(xué)元件的材料，也可不同于構(gòu)成光學(xué)元件的材料。但形成中間層的材料的透射率最好是70％或更大。換句話說(shuō)，任何材料都可用作中間層的材料，只要它們具有滿足以上定義的透射率條件，而與襯底材料無(wú)關(guān)。而且，所述透射率是在具有厚度為200nm的中間層材料的石英玻璃中波長(zhǎng)為630nm時(shí)的透射率。中間層材料可以用濺射法、真空淀積法、旋涂法、CVD法等形成。此外，市售的分光光度計(jì)(Shimazu UV4000，等)可以用來(lái)測(cè)量透射率。
在本發(fā)明中，形成中間層的材料最好是以下材料中的任何一種氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiO2)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO2)、二氧化鋯(ZrO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、氧化鋁(Al2O3)以及薄膜金剛石。此處所列材料都具有高的透射率，并能在襯底上形成穩(wěn)定的均勻薄膜。所以，利用上述材料作為中間層就有可能容易地制造有機(jī)EL器件。
在本發(fā)明中，最好利用旋涂法作為形成中間層的工藝過(guò)程。利用本文提出的旋涂法形成中間層就可以容易地形成高度平整且均勻的薄膜。利用均勻的中間層，有機(jī)EL器件的壽命可靠性等可得到改進(jìn)，制造更容易，且大量生產(chǎn)也有可能。此外，本發(fā)明的旋涂法是將具有分散在溶劑中的中間層材料的所謂溶膠-凝較涂覆液旋涂在襯底上，然后用烘烤過(guò)程形成硬薄膜。但任何方法都可使用，只要它們是利用涂覆液來(lái)形成薄膜的方法，并且本發(fā)明并不特別限于這些方法。另外，這種旋涂方法的代表性實(shí)例包括利用溶膠-凝較玻璃作為涂覆材料的旋涂玻璃法(SOG法)。
在本發(fā)明的有機(jī)EL器件中，最好在其上附著有中間層的襯底上進(jìn)行平面化處理。就是說(shuō)，平面化處理的進(jìn)行是為了附著中間層，這樣就有可能在襯底表面上形成在薄膜厚度和薄膜質(zhì)量方面都沒有偏差的中間層，而且又有可能在中間層上堆疊具有良好特性的有機(jī)EL層。
另外，在本發(fā)明的有機(jī)EL器件中，對(duì)附著有中間層的襯底所作的平面化處理最好是拋光處理或反應(yīng)離子刻蝕(以下稱作RIE)過(guò)程。用拋光處理或RIE處理作為平面化處理，就有可能抑制襯底薄膜內(nèi)平面化的偏差或薄膜厚度的偏差，并能容易地制造出在大面積襯底的整個(gè)表面上具有均勻發(fā)光性能的有機(jī)EL器件。此外，在半導(dǎo)體制造過(guò)程中通常采用的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)法也可用作此處的拋光處理。CMP法是機(jī)械拋光和化學(xué)刻蝕同時(shí)進(jìn)行的一種拋光方式，使用諸如二氧化硅等粒子懸浮在堿性溶液中的拋光漿料。而且，在此拋光處理中，拋光是通過(guò)增強(qiáng)在拋光漿料下落狀態(tài)下附有拋光墊的拋光臺(tái)板和襯底之間的滑動(dòng)連接來(lái)實(shí)現(xiàn)的。粒子負(fù)責(zé)機(jī)械拋光，而堿性溶液負(fù)責(zé)刻蝕處理。而且，市售的裝置就可用作拋光機(jī)。NF3000(NANOFACTOR生產(chǎn))是一種代表性的裝置。此外，市售的拋光墊都可用作拋光墊，拋光墊的實(shí)例包括IC1000，Suba400等，但并不特別局限于這些。此外，對(duì)于拋光漿料，二氧化硅粉末或金剛石粉末可以用作粒子成分，并且可以使用懸浮在化學(xué)材料溶液中的溶液等，例如堿金屬系、氨系或胺系等。同時(shí)，RIE處理(反應(yīng)離子刻蝕處理)是利用含有鹵素化合物等的fron氣體的一種刻蝕方法，這種方法使得有可能重新產(chǎn)生比利用氬氣的典型濺射刻蝕高出數(shù)十倍的刻蝕速率。這是因?yàn)樵诘入x子體中產(chǎn)生的離子和激勵(lì)有源成分并存，它們共同作用于試樣，使物理和化學(xué)刻蝕都可進(jìn)行。在本發(fā)明中，可以利用典型生產(chǎn)線上所用的RIE裝置，并根據(jù)待刻蝕的材料類型，即，形成中間層的材料，使用最佳的材料氣體。材料氣體的代表性實(shí)例包括諸如CF4、CF3等含有鹵素的原子氣體，但材料氣體并不特別局限于此。
在本發(fā)明的有機(jī)EL器件中，最好光學(xué)元件是由折射率不同的兩種類型的材料形成的，這兩種類型材料的折射率之間相差0.3或更大。利用構(gòu)成光學(xué)元件的材料的折射率間的不同，就有可能將低折射率的材料和高折射率的材料組合起來(lái)制造光學(xué)元件，并顯著改善光學(xué)特征效率。例如，對(duì)于衍射光柵，增大兩種類型材料的折射率間的差別，衍射效率可望大大提高。這樣，改進(jìn)光學(xué)元件的光學(xué)特征效率就有可能顯著提高有機(jī)EL器件的發(fā)光效率。
以下將討論本發(fā)明的有機(jī)EL器件的有機(jī)EL層。本發(fā)明的有機(jī)EL器件的結(jié)構(gòu)是一種在陽(yáng)極和陰極之間堆疊有一層有機(jī)層或兩層或兩層以上有機(jī)層的結(jié)構(gòu)。器件的基本結(jié)構(gòu)包括陽(yáng)極、發(fā)光層和陰極依次堆疊的結(jié)構(gòu)；陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極依次堆疊的結(jié)構(gòu)；陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層和陰極依次堆疊的結(jié)構(gòu)；陽(yáng)極、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極依次堆疊的結(jié)構(gòu)，等等。
首先，本發(fā)明的空穴傳輸劑可以是用作典型空穴傳輸材料的任何材料。其代表性實(shí)例包括三苯二胺類，例如雙(二(對(duì)-trile)氨基苯基)-1，1-環(huán)己烷(1)，N-N’-二苯基-N-N’-雙(3-甲基苯基)-1-1’-聯(lián)苯基-4-4’-二胺(2)，以及N-N’-二苯基-N-N-雙(1-萘基-1，1’-聯(lián)苯)-4，4’-二胺(3)，星形(starburst)分子((04)～(06))，等等，但并不特別局限于這些。
本發(fā)明的電荷傳輸材料可以是任何材料，只要它是通常使用的電荷傳輸材料即可。電荷傳輸材料的代表性實(shí)例包括惡二唑衍生物((09)，(10))，例如2-(4-聯(lián)苯基)5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-惡二唑(07)，以及雙{2-84-叔丁基苯基}-1，3，4-惡二唑}-間-亞苯(08)，三唑衍生物，8-羥基喹啉金屬絡(luò)合物((11)～(14))，等等，但電荷傳輸材料并不特別局限于這些。
本發(fā)明的有機(jī)EL器件中使用的有機(jī)EL材料可以是任何材料，只要它是通常使用的發(fā)光材料即可。有機(jī)EL材料的代表性實(shí)例包括distirylaryllene衍生物，香豆素衍生物，二氰基亞甲基吡喃衍生物，紫蘇唏衍生物，在日本公開特許公報(bào)No.Hei 8-298186和Hei9-268284中公開的芳香族材料，在日本公開特許公報(bào)No.Hei 9-157643和Hei 9-268283中公開的蒽材料，在日本公開特許公報(bào)No.Hei5-70773中公開的喹丫啶酮衍生物，等等，但有機(jī)EL材料并不特別局限于這些。
在本發(fā)明的有機(jī)EL器件中使用的陽(yáng)極具有將空穴注入空穴傳輸材料或發(fā)光材料的功能，并最好具有4.5eV或4.5eV以上的功函數(shù)。有一個(gè)問(wèn)題，即，如果在有機(jī)EL器件中使用功函數(shù)低于4.5eV的陽(yáng)極，就不能獲得足夠的空穴注入特性，也不能獲得足夠的發(fā)光效率。另外，代表性的陽(yáng)極材料包括氧化銦錫合金(ITO)、氧化銦鋅合金(IZO)、氧化物、金、銀、鉑、銅等，但陽(yáng)極材料并不特別局限于這些。
在本發(fā)明的有機(jī)EL器件中使用的陰極用于將電子注入電荷載體或發(fā)光材料。最好使用功函數(shù)小的材料作陰極。使用功函數(shù)大的材料作陰極很難獲得良好的亮度特性。另外，代表性的陰極材料包括銦、鋁、鎂、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、鋁-鋰合金、鋁-鈧-鋰合金，鎂-銀合金等，但陰極材料并不特別局限于這些。
本發(fā)明的有機(jī)EL器件的各層可以用已知方法形成。代表性的方法包括真空淀積法、分子束外延法(MBE法)、將層形成材料溶解在溶劑中并用此溶液進(jìn)行涂覆的漂網(wǎng)法(deeping method)、旋涂法，鑄造法、繞線棒刮涂法、輥涂法等，但并不特別局限于這些方法。
(實(shí)施例)以下將詳細(xì)討論本發(fā)明的實(shí)施例，但本發(fā)明不限于以下實(shí)施例，只要其它實(shí)施例不背離本發(fā)明的要點(diǎn)。
(實(shí)施例1)實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示于圖1。在50mm×50mm的玻璃襯底上(HOYA生產(chǎn)的NA45，1.1mm厚)形成圖2所示的衍射光柵。首先，用旋涂法在玻璃襯底上形成2μm厚的i-射線抗蝕劑(TOKYO OHKA KOGYO公司生產(chǎn)的THMR-iP1700)，再用i-射線分檔器形成寬為0.1μm，間距為0.1μm的圖案。隨后將已經(jīng)在其中形成圖案的襯底浸入氫氟酸溶液中，形成深度為100nm的溝槽，然后用專用的剝膜液去掉其余的抗蝕劑，得到衍射光柵2。隨后，用碳化硅(Si3N4)作為靶子用濺射法形成厚度為300nm的Si3N4薄膜。另外，用濺射法在Si3N4薄膜上形成厚度為50nm的二氧化硅(SiO2)層作為中間層3，然后將陽(yáng)極4、有機(jī)EL層5和陰極6依次堆疊在中間層3上，制成有機(jī)EL器件。
此外，形成有機(jī)EL層5(這一層中依次堆疊有陽(yáng)極4、空穴注入層8、發(fā)光層9和陰極6，如圖3所示)的方法如下。用濺射法在襯底1上形成氧化銦錫合金(ITO)，作為陽(yáng)極4。此處提出的ITO薄膜厚度為100nm，表面電阻為20Ω/□。且用2mm×50mm的金屬掩模條對(duì)所形成的ITO進(jìn)行圖案形成處理。在襯底1上形成5個(gè)2mm×50mm的條，如圖4所示的部分ITO圖案。
隨后，用電阻加熱的真空淀積法在ITO層上依次形成空穴注入層8、發(fā)光層9和陰極6。形成所述有機(jī)EL層5的真空淀積裝置(未示出)包括充填有蒸發(fā)材料的鉬舟，將鉬舟定位在設(shè)置在真空室上部的襯底下方相距250mm處，相對(duì)襯底的入射角為38°。襯底以每分鐘30轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。另外，在此實(shí)施例中，薄膜形成(淀積)條件為當(dāng)壓力達(dá)到5×10-7Torr時(shí)淀積開始，淀積速率由縱向安裝在襯底上的晶振型薄膜厚度控制裝置控制。另外將淀積速率設(shè)定為0.15nm/s。然后用共同淀積法依次形成50nm的N，N’-二甲基-N-N-雙(1-萘基)-1，1’-聯(lián)苯)-4，4’-二胺(以下稱為α-NMP)作為空穴注入層，70nm的三(8-羥基喹啉)合鋁(以下稱為ALQ)作為發(fā)光材料，以及150nm的鎂銀合金作為陰極，淀積速率為10∶1，制造有機(jī)EL器件。再用金屬掩模形成如圖5所示的圖案(陰極圖案12)。結(jié)果，在本實(shí)施例的有機(jī)EL器件中，在襯底1上陰極4和陽(yáng)極6的圖案形狀中形成了面積各為2mm×2mm的5個(gè)有機(jī)EL部分13，如圖6所示。
(實(shí)施例2)實(shí)施例2和實(shí)施例1相同，不同的僅是在其結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中，衍射光柵2的節(jié)距改為寬度為0.05μm，間距為0.05μm，深度為100nm。
(實(shí)施例3)實(shí)施例3和實(shí)施例1相同，不同的是在其結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中，將50mm×50mm的玻璃襯底(HOYA生產(chǎn)的NA45，1.1mm厚)浸入標(biāo)準(zhǔn)氫氟酸液體，使襯底表面粗糙，形成散射部分。
隨后將散射部分隱埋，形成中間層3，在實(shí)施例1同樣的條件下形成有機(jī)EL層5，制成有機(jī)EL器件。
(實(shí)施例4)實(shí)施例4和實(shí)施例1相同，不同的是在其結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中，將50mm×50mm玻璃襯底(HOYA生產(chǎn)的NA45，1.1mm厚)的表面用砂紙#300打磨，使表面粗糙。于是得到散射部分。
隨后將散射部分隱埋，形成中間層3，在實(shí)施例1同樣的條件下形成有機(jī)EL層5，制成有機(jī)EL器件。
(實(shí)施例5)實(shí)施例5的有機(jī)EL器件的結(jié)構(gòu)示于圖7。
在實(shí)施例1的同樣條件下制造衍射光柵。Si3N4薄膜要經(jīng)過(guò)平面化處理。用機(jī)械拋光法進(jìn)行平面化處理。對(duì)Si3N4薄膜的衍射光柵2進(jìn)行侵蝕，把Si3N4薄膜侵蝕成剩下的薄膜厚度在10nm之內(nèi)。然后，在實(shí)施例1同樣的條件下在Si3N4薄膜上形成厚度為50nm的SiO2薄膜作為中間層3。再將陽(yáng)極4、有機(jī)層5和陰極6依次形成在SiO2薄膜上，如圖7所示，制成有機(jī)EL器件。有機(jī)層5是將空穴注入層8、發(fā)光層9和陰極依次堆疊在陽(yáng)極4上而獲得的。
(實(shí)施例6)實(shí)施例6和實(shí)施例5相同，不同的是在其結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中，作為中間層3的SiO2薄膜的厚度改為20nm。
(實(shí)施例7)實(shí)施例7和實(shí)施例5相同，不同的是在其結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中，作為中間層3的SiO2薄膜的厚度改為200nm。
(實(shí)施例8)實(shí)施例8和實(shí)施例5相同，不同的是在其結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中，用氮化硅(Si3N4)薄膜作為中間層3的材料。另外，該Si3N4薄膜的厚度改為50nm。
(實(shí)施例9)實(shí)施例9和實(shí)施例8相同，不同的是在其結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中，作為中間層3的Si3N4薄膜的厚度改為100nm。
(實(shí)施例10)實(shí)施例10和實(shí)施例8相同，不同的是在其結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中，作為中間層3的Si3N4薄膜的厚度改為300nm。
(實(shí)施例11)實(shí)施例11和實(shí)施例5相同，不同的是在其結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中，用二氧化鈦(TiO2)薄膜作為中間層3的材料。另外，TiO2薄膜的厚度為50nm。
(實(shí)施例12)實(shí)施例12和實(shí)施例5相同，不同的是在其結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中，用二氧化鋯(ZrO2)薄膜作為中間層3的材料。另外，ZrO2薄膜的厚度為50nm。
(實(shí)施例13)實(shí)施例13和實(shí)施例5相同，不同的是在其結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中，用五氧化鉭(Ta2O5)薄膜作為中間層3的材料。另外，Ta2O5薄膜的厚度為50nm。
(實(shí)施例14)實(shí)施例14和實(shí)施例5相同，不同的是在其結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中，用氧化銦錫(ITO)薄膜作為中間層3的材料。另外，ITO薄膜的厚度為50nm。
(實(shí)施例15)實(shí)施例15和實(shí)施例5相同，不同的是在其結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中，只是形成中間層的方法改變了。用旋涂法利用形成SiO2薄膜所使用的溶膠-凝較涂覆液(High Pure Chemical Research Institute生產(chǎn)的Si-05S)形成中間層(SiO2)。另外。旋涂以2000到5000rpm的轉(zhuǎn)速進(jìn)行，在500℃對(duì)溶膠-凝較涂覆液烘烤4小時(shí)。此外，SiO2薄膜的厚度為50nm。
(實(shí)施例16)實(shí)施例16和實(shí)施例11相同，不同的是在其結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中，只是形成中間層的方法改變了。用旋涂法利用形成TiO2薄膜所使用的有機(jī)金屬分解法涂覆液(High Pure Chemical Research Institute生產(chǎn)的Ti-05S)形成中間層(TiO2)。另外。旋涂以2000到5000rpm的轉(zhuǎn)速進(jìn)行，在400℃對(duì)溶膠-凝較涂覆液烘烤2小時(shí)。此外，TiO2薄膜的厚度為50nm。
(實(shí)施例17)實(shí)施例17和實(shí)施例12相同，不同的是在其結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中，只是形成中間層的方法改變了。用旋涂法利用形成ZrO2薄膜所使用的有機(jī)金屬分解法涂覆液(High Pure Chemical Research Institute生產(chǎn)的Zr-05-P)形成中間層(ZrO2)。另外。旋涂以2000到5000rpm的轉(zhuǎn)速進(jìn)行，在400℃對(duì)涂覆液烘烤2小時(shí)。此外，ZrO2薄膜的厚度為50nm。
(實(shí)施例18)實(shí)施例18和實(shí)施例5相同，不同的是在其結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中，只是對(duì)中間層3的平面化處理改變了，此時(shí)用CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)過(guò)程使溝槽加工薄膜(Si3N4)平坦。在此CMP過(guò)程中，用Suba400作拋光墊，用顆粒直徑為200nm的膠態(tài)氧化硅拋光液作拋光漿料。另外，用市售的CMP裝置作拋光機(jī)。
(實(shí)施例19)實(shí)施例19和實(shí)施例5相同，不同的是在其結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中，只是中間層3的平面化處理改為反應(yīng)離子刻蝕過(guò)程(以下稱為RIE處理)。此RIE處理進(jìn)行時(shí)使用的是市售的RIE裝置，用四氟甲烷(CF4)作材料氣體。
(實(shí)施例20)實(shí)施例20和實(shí)施例5相同，不同的是在其結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中，只是將作衍射光柵2的溝槽加工薄膜的材料改變了，用氧化銦錫(ITO)薄膜作為溝槽加工薄膜。另外，用濺射法形成ITO薄膜，薄膜厚度為200nm，折射率為1.83。
(實(shí)施例21)實(shí)施例21和實(shí)施例5相同，不同的是在其結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中，只是將作衍射光柵2的溝槽加工薄膜的材料改變了，用氧化鈦(TiO2)薄膜作為隱埋薄膜。另外，用濺射法形成TiO2薄膜，薄膜厚度為200nm，折射率為2.1。
(實(shí)施例22)實(shí)施例22和實(shí)施例5相同，不同的是在其結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中，只是將作衍射光柵的溝槽加工薄膜的材料改變了，用氧化鋯(ZrO2)薄膜作為隱埋薄膜。另外，用濺射法形成ZrO2薄膜，薄膜厚度為200nm，折射率為2.04。
(比較實(shí)例1)
示出在比較實(shí)例1中所使用的制造有機(jī)薄膜場(chǎng)致發(fā)光器件的順序。圖8為比較實(shí)例1的結(jié)構(gòu)視圖。
圖8中，器件的結(jié)構(gòu)是依次堆疊玻璃襯底31、陽(yáng)極(ITO)32、空穴注入層(α-NMP)33、發(fā)光層(AIQ)34和陰極(MgAg)35。
用濺射法在50mm×25mm的玻璃襯底31(HOYA生產(chǎn)的NA45，1.1mm厚)形成氧化銦錫合金(ITO)并用作陽(yáng)極32。ITO的薄膜厚度為100nm，表面電阻為20Ω/□。并且，用2mm×50mm條狀金屬掩模對(duì)所形成的ITO進(jìn)行圖案形成處理。
然后將空穴注入層33、發(fā)光層34和陰極35依次堆疊在陽(yáng)極32的ITO層上。另外，用電阻加熱真空淀積法形成有機(jī)層(空穴注入層33和發(fā)光層34)和陰極35。
以下詳細(xì)說(shuō)明用真空淀積法形成薄膜的順序。在所用的真空淀積裝置中，相對(duì)于設(shè)置在真空室上部的襯底，將充填有淀積材料的鉬舟布置在襯底下方距襯底250mm距離處，并設(shè)置成具有相對(duì)于襯底的38°的入射角。襯底以每分鐘30轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。如果是在比較實(shí)例1中形成薄膜，當(dāng)壓力達(dá)到5×10-7Torr時(shí)淀積開始，淀積速率由縱向安裝在襯底上的晶振型薄膜厚度控制裝置控制。另外在淀積速率為0.15nm/s時(shí)制造有機(jī)EL器件，方法是用共同淀積法依次堆疊50nm的N，N’-二苯基-N-N-雙(1-萘基)-1，1’-聯(lián)苯)-4，4’-二胺(以下稱為α-NMP)作為空穴注入層，70nm的三(8-羥基喹啉)合鋁(以下稱為ALQ)作為發(fā)光材料，以及150nm的鎂銀合金作為陰極，淀積速率為10∶1。
(比較實(shí)例2)在石英玻璃上(1.1m厚)依次堆疊陽(yáng)極、空穴注入層、發(fā)光層和陰極，制成有機(jī)EL器件。另外，用與比較實(shí)例1相同的條件進(jìn)行陽(yáng)極形成過(guò)程之后的各個(gè)過(guò)程。
(比較實(shí)例3)比較實(shí)例3和實(shí)施例1相同，不同之處只是從結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中去掉了中間層。
(比較實(shí)例4)比較實(shí)例4和實(shí)施例2相同，不同之處只是從結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中去掉了中間層。
(比較實(shí)例5)比較實(shí)例5和實(shí)施例3相同，不同之處只是從結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中去掉了中間層。
(比較實(shí)例6)比較實(shí)例6和實(shí)施例4相同，不同之處只是從結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中去掉了中間層。
(比較實(shí)例7)比較實(shí)例7和實(shí)施例5相同，不同之處只是從結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中去掉了中間層。
(比較實(shí)例8)比較實(shí)例8和實(shí)施例18相同，不同之處只是從結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中去掉了中間層。
(比較實(shí)例9)比較實(shí)例9和實(shí)施例19相同，不同之處只是從結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中去掉了中間層。
(比較實(shí)例10)比較實(shí)例10和實(shí)施例20相同，不同之處只是從結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中去掉了中間層。
(比較實(shí)例11)比較實(shí)例11和實(shí)施例21相同，不同之處只是從結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中去掉了中間層。
(比較實(shí)例12)比較實(shí)例12和實(shí)施例22相同，不同之處只是從結(jié)構(gòu)和制造過(guò)程中去掉了中間層。
(評(píng)價(jià))對(duì)實(shí)施例1到22和比較實(shí)例1到12的有機(jī)EL器件作了評(píng)價(jià)1到6的特性評(píng)價(jià)。另外，實(shí)施例和比較實(shí)例的襯底有5個(gè)面積為2mm×2mm的發(fā)光部分(在位置A，B，C，D和E)，如圖9所示。
〔評(píng)價(jià)1〕發(fā)光效率向有機(jī)EL器件加10V電壓后測(cè)量電流密度(mA/cm2)和亮變(cd)，并從亮度和電流密度計(jì)算發(fā)光效率(cd/m2)。此外，在襯底的中心部分作為測(cè)量位置用光度計(jì)進(jìn)行測(cè)量。而且是在襯底上的四個(gè)發(fā)光部分(位置A，B，C，D，和E)進(jìn)行發(fā)光效率的評(píng)價(jià)。
〔評(píng)價(jià)2〕發(fā)光性能向有機(jī)EL器件加10V電壓后觀察發(fā)光部分的亮度狀態(tài)。用眼進(jìn)行觀察，并用以下指數(shù)確定發(fā)光性能。另外，對(duì)每個(gè)襯底上的四個(gè)發(fā)光部分(位置A，B，C和D)進(jìn)行評(píng)價(jià)。
○所有發(fā)光部分在整個(gè)發(fā)光表面上呈現(xiàn)良好的發(fā)光。觀察到局部不發(fā)光。
×觀察到發(fā)光部分不發(fā)光。
〔評(píng)價(jià)3〕壽命評(píng)價(jià)向有機(jī)EL器件加5mA/cm2的直流電流100小時(shí)后測(cè)量壽命。在此評(píng)價(jià)中，對(duì)加電流后經(jīng)過(guò)100小時(shí)后的發(fā)光效率(Ea)和加電流后2分鐘內(nèi)的發(fā)光效率(Eb)之間的變化比(Ea/Eb)進(jìn)行計(jì)算，并用以下符號(hào)確定壽命性能。另外，是在位置E測(cè)定的壽命。
○La/Lb大于0.90La/Lb大于0.80，小于0.90×La/Lb小于0.80〔襯底中特性偏差的評(píng)價(jià)〕對(duì)每個(gè)實(shí)施例和比較實(shí)例中襯底表面上發(fā)光效率的偏差作了評(píng)價(jià)。作此評(píng)價(jià)時(shí)，在襯底上的四個(gè)發(fā)光部分(位置A，B，C，和D)測(cè)量發(fā)光效率，并用以下確定符號(hào)確定偏差，其中四個(gè)發(fā)光部分的最大值為Emax，最小值為Emin。另外，和評(píng)價(jià)1相同，是在加上10V電壓后測(cè)量發(fā)光效率來(lái)評(píng)價(jià)發(fā)光效率的。
○Emin/Emax大于0.90Emin/Emax大于0.80而小于0.90×Emin/Emax小于0.80〔評(píng)價(jià)5〕生產(chǎn)穩(wěn)定性1(確認(rèn)良好發(fā)光的再現(xiàn)性)在同樣制造條件下制造三個(gè)在實(shí)施例中所示的襯底和三個(gè)在比較實(shí)例中所示的襯底，并評(píng)價(jià)生產(chǎn)穩(wěn)定性(確認(rèn)良好亮度的再現(xiàn)性)。用眼觀察所制造的三個(gè)襯底上器件的發(fā)光狀態(tài)以確認(rèn)其生產(chǎn)再現(xiàn)性，并用以下符號(hào)進(jìn)行評(píng)價(jià)。另外，作此評(píng)價(jià)時(shí)，觀察三個(gè)襯底中每個(gè)襯底上的四個(gè)發(fā)光部分(位置A，B，C，和D)，共計(jì)12個(gè)發(fā)光部分。
○所有發(fā)光部分在整個(gè)發(fā)光表面上呈現(xiàn)良好的發(fā)光。觀察到局部不發(fā)光。
×觀察到發(fā)光部分不發(fā)光。
〔評(píng)價(jià)6〕生產(chǎn)穩(wěn)定性2(確認(rèn)發(fā)光效率的再現(xiàn)性)在同樣制造條件下制造三個(gè)在實(shí)施例中所示的襯底和三個(gè)在比較實(shí)例中所示的襯底，以評(píng)價(jià)生產(chǎn)穩(wěn)定性(確認(rèn)發(fā)光效率的再現(xiàn)性)。此評(píng)價(jià)是生產(chǎn)穩(wěn)定性的評(píng)價(jià)，在三個(gè)所制造的襯底上的四個(gè)發(fā)光部分(位置A，B，C，和D)測(cè)量效率(總計(jì)12個(gè)，四個(gè)發(fā)光部分x三個(gè)襯底)。利用以下符號(hào)確定再現(xiàn)性，其中在12個(gè)發(fā)光部分所測(cè)量的值中的最大值為Emax，最小值為Emin。另外，和評(píng)價(jià)1相同，是在加上10V電壓后測(cè)量發(fā)光效率來(lái)評(píng)價(jià)發(fā)光效率的。
○Emin/Emax大于0.90Emin/Emax大于0.80而小于0.90×Emin/Emax小于0.80〔評(píng)價(jià)7〕生產(chǎn)穩(wěn)定性3(確認(rèn)器件壽命的再現(xiàn)性)在同樣制造條件下制造三個(gè)在實(shí)施例中所示的襯底和三個(gè)在比較實(shí)例中所示的襯底，以評(píng)價(jià)生產(chǎn)穩(wěn)定性(確認(rèn)器件壽命的再現(xiàn)性)。壽命評(píng)價(jià)就是向有機(jī)EL器件加5mA/cm2的直流電流100小時(shí)，而后測(cè)量發(fā)光效率。在每個(gè)襯底上的發(fā)光部分E作此評(píng)價(jià)。另外，用以下符號(hào)確定壽命的再現(xiàn)性，其中每個(gè)實(shí)施例和比較實(shí)例的三個(gè)襯底的評(píng)價(jià)值中最大值為Emax，最小值為Emin。
○Emin/Emax大于0.90Emin/Emax大于0.80而小于0.90×Emin/Emax小于0.80
表1評(píng)價(jià)1


表2評(píng)價(jià)2


表3評(píng)價(jià)3到5



表4評(píng)價(jià)6到7


由實(shí)施例和比較實(shí)例的結(jié)果可見，本發(fā)明的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件具有良好的發(fā)光性能和高的發(fā)光效率。
同時(shí)，圖10示出使用圖1的有機(jī)發(fā)光元件的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器作為有機(jī)發(fā)光顯示器的實(shí)例。
參閱此圖，在透明襯底90上形成緩沖層91。緩沖層91被分隔成像素區(qū)200(有各像素和透明電極92以形成像素)以及驅(qū)動(dòng)區(qū)300(其中形成有薄膜晶體管和電容器)。
驅(qū)動(dòng)區(qū)包括柵極層94和隱埋柵極層94的第一絕緣層95，它們對(duì)應(yīng)于緩沖層91上排列成規(guī)定圖案的n或p型半導(dǎo)體層92，緩沖層91處在隱埋半導(dǎo)體層92的柵極絕緣層93上；薄膜晶體管，它具有漏極96和源極97，漏極96和源極97各自通過(guò)在第一絕緣薄膜95和柵極絕緣層93上形成的以及在第一絕緣薄膜95的上部形成的接觸孔96a和97a連接到半導(dǎo)體層92的兩側(cè)；以及電容器110，它包括在第一絕緣層95上形成的并連接到源極97的第一輔助電極111和與第一電極相對(duì)并被第一絕緣層95隱埋的第二輔助電極112。
在第一絕緣層95上形成第二絕緣層98，并形成具有在像素形成區(qū)形成的開口99a的平面化薄膜99。
第一電極層100形成在平面化薄膜99的開口底部并電連接到漏極96。
平面化薄膜99具有在像素形成區(qū)中形成的溝槽80。
此時(shí)，在所述具有溝槽的平面化薄膜的像素形成區(qū)中形成SiO2薄膜作為中間層3。
把有機(jī)層70堆疊在第一電極層100上。第二電極層101形成在有機(jī)層和平面化薄膜99上。
同時(shí)，在包括由透明導(dǎo)電材料ITO形成的第一電極層100并包括襯底90、緩沖層91、柵極絕緣層93和各自由透明材料形成的第一和第二絕緣層95和98的底部有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中，如上述，在透明電極100和第二絕緣層98之間的第二絕緣層98上以規(guī)定圖案形成衍射光柵的溝槽80。溝槽80具有和上述實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)。
此處，形成溝槽80的位置不限于所述實(shí)施例，而可以在具有高折射率的各層之間。例如，溝槽層80可以形成在襯底90和緩沖層91之間的襯底90上，如圖11和12所示。
如上所述，在本發(fā)明的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件中，通過(guò)在具有光學(xué)元件(如衍射光柵、散射部分、光柵或偏振濾光器)的襯底上的中間層，在陽(yáng)極和陰極之間淀積至少一層包括發(fā)光層的有機(jī)層，就有可能穩(wěn)定地制造具有良好發(fā)光性能和高發(fā)光效率的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，它包括經(jīng)過(guò)在具有光學(xué)元件的襯底上的中間層，在陽(yáng)極和陰極之間的至少一層包括發(fā)光層的有機(jī)層，所述光學(xué)元件是以下光學(xué)元件之一衍射光柵、散射部分、光柵和偏振濾光器。
2.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于所述中間層設(shè)置在所述光學(xué)元件上，在離開所述光學(xué)元件50nm的厚度范圍內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于所述中間層設(shè)置在其上具有所述光學(xué)元件的襯底和所述陽(yáng)極之間。
4.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于所述中間層是由折射率比構(gòu)成陽(yáng)極的材料的折射率要小的材料制成的，其薄膜厚度為10到200nm。
5.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于構(gòu)成所述中間層的材料的折射率等于或大于構(gòu)成陽(yáng)極的材料的折射率，且所述中間層的薄膜厚度為300nm或小于300nm。
6.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于形成所述中間層的材料與構(gòu)成光學(xué)元件的材料相同或不同，且所述中間層的透射率為70％或大于70％，所述透射率是在形成所述中間層的材料厚度為200nm時(shí)石英玻璃在630nm波長(zhǎng)下的透射率。
7.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于形成所述中間層的材料是以下材料中的任一種氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiO2)、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO2)、二氧化鋯(ZrO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、氧化鋁(Al2O3)和薄膜金剛石。
8.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于所述中間層是用旋涂法形成的。
9.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于所述中間層附著其上的所述襯底的表面要經(jīng)過(guò)平面化處理，所述平面化處理是拋光處理和反應(yīng)離子刻蝕過(guò)程之一。
10.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于所述光學(xué)元件由折射率不同的兩種類型的材料形成，所述兩種類型材料的折射率之間的差為0.3或大于0.3。
全文摘要
本發(fā)明涉及有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件。提供了具有良好發(fā)光性能和高發(fā)光效率的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件，其中，所述有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件具有襯底1表面上的衍射光柵2以及經(jīng)過(guò)中間層3在陽(yáng)極和陰極之間的包括發(fā)光層的有機(jī)EL層5。
文檔編號(hào)H01L51/52GK1575075SQ200410047498
公開日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2004年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月22日
發(fā)明者大西康晴, 東口達(dá), 山成淳一, 石川仁志, 五藤智久, 上條敦 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社