專利名稱：基板的蝕刻處理方法及蝕刻處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及向液晶顯示裝置用玻璃基板、等離子顯示器用玻璃基板、印刷電路板、半導(dǎo)體片等的基板的表面上供應(yīng)蝕刻液，將形成在基板表面上的金屬被膜蝕刻成規(guī)定的圖形的基板蝕刻處理方法及蝕刻處理裝置。
背景技術(shù)：
作為向基板的表面上供應(yīng)蝕刻液、將基板一個個進行蝕刻處理的方法，有將基板保持在旋轉(zhuǎn)卡盤上，一面使基板在水平面內(nèi)圍繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)，一面從噴射噴嘴中向基板的表面上噴射蝕刻液，而進行基板蝕刻的處理方法；一面利用多個搬運輥支承基板向水平方向搬運，一面從配置在基板搬運路徑的上方的多個噴射噴嘴向基板的表面上噴出蝕刻液，而進行基板蝕刻的處理方法；將蝕刻液儲存在處理槽內(nèi)，利用排列配置在處理槽內(nèi)部的多個輥，使基板在浸漬在蝕刻液中的狀態(tài)下沿水平方向往復(fù)移動，而進行基板蝕刻的處理方法等。
不過，在基板上形成金屬配線的圖形的情況下，為了提高在金屬配線上形成絕緣膜時的絕緣特性，要求將金屬配線的截面形成梯形。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，利用將基板浸漬在蝕刻液中的方法蝕刻處理基板。即，使用在處理槽的內(nèi)部配置多個搬運輥、設(shè)置為了適當?shù)鼗厥赵撎幚聿蹆?nèi)的蝕刻液用的接收槽的處理裝置，一面利用泵從接收槽向處理槽內(nèi)循環(huán)供應(yīng)蝕刻液，一面在使基板浸漬在存儲在處理槽內(nèi)的蝕刻液中的狀態(tài)下，利用搬運輥使基板沿水平方向往復(fù)移動，從而浸漬處理基板(例如，參照日本國平成7年專利申請公告第19767號公報)。
但是，近年來，基板有大型化的傾向，例如，對于液晶顯示裝置用玻璃基板來說，有采用一邊的長度為2m的大型基板的趨向。在浸漬處理基板的裝置中，為了適應(yīng)這種基板的大型化，處理槽也必須大型化，伴隨著這種處理槽的大型化，蝕刻液的使用量顯著增大，并且，從接收槽向處理槽循環(huán)供應(yīng)蝕刻液用的泵也需要大容量的泵。進而，需要提高處理槽的強度，并且，由于在企業(yè)內(nèi)儲存·保管作為危險品的蝕刻液的量增大，所以，還存在著其管理麻煩等問題。
此外，在浸漬處理基板的現(xiàn)有技術(shù)的方法中，發(fā)生利用蝕刻液溶解金屬被膜的一部分時在液體中產(chǎn)生的氫的微小的氣泡，不向液面方向浮起而附著在基板表面上原封不動地殘留下來的情況。這樣，當氣泡殘留在基板表面上時，由于氣泡會阻礙在該部分中金屬被膜與蝕刻液的接觸，所以不會發(fā)生金屬的溶解。其結(jié)果是，如圖11中的部分放大剖面圖所示，存在著在基板表面1的金屬配線圖形2之間，金屬膜4呈粒狀和膜狀殘留的問題。圖11中的標號3是抗蝕劑膜。
此外，在液晶顯示裝置及等離子體顯示器等的制造工藝中，如圖12(a)所示，在玻璃基板6的表面上，將兩種以上的金屬或合金的疊層膜，例如，由鋁(或鋁合金)的第一金屬層7及鉬、鉻等第二金屬層8構(gòu)成的金屬被膜蝕刻成規(guī)定的圖形。在這種情況下，在浸漬處理基板的現(xiàn)有技術(shù)的方法中，如圖12(b)所示，發(fā)生在蝕刻后的金屬膜的第二金屬層8c中，在第一金屬層7c上會殘留帽形的不需要的部分的情況。作為其原因，可以認為是由于金屬被膜是由兩種金屬疊層膜形成的，因此在浸漬處理基板的過程中，作為一側(cè)的金屬Mo及Cr鈍化，第二金屬層8的蝕刻反應(yīng)在中途停止而引起的。如圖12(b)所示，當在第一金屬層7c上面的第二金屬層8c上形成帽形的不需要的部分時，即使接著在金屬被膜上形成絕緣膜，在絕緣膜和金屬被膜之間也會產(chǎn)生空隙，存在著產(chǎn)生產(chǎn)品不良的問題。圖12(a)和圖12(b)中的標號9是抗蝕劑膜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而成的，其目的是，提供一種為了適應(yīng)基板的大型化而無需將處理槽與之相應(yīng)的大型化，在浸漬處理時也不會產(chǎn)生蝕刻不良的基板蝕刻處理方法，以及，能夠適合于實施該方法的蝕刻處理裝置。
與技術(shù)方案1相關(guān)的發(fā)明，在向基板的表面供應(yīng)蝕刻液，將形成在基板的表面上的金屬被膜蝕刻成規(guī)定的圖形的基板蝕刻處理方法中，其特征在于包括向基板的表面上噴射蝕刻液，主要沿膜厚方向蝕刻金屬被膜的第一工序，以及在利用該第一工序蝕刻之后，向基板的表面上供應(yīng)蝕刻液，在基板的整個表面上裝滿蝕刻液，主要沿膜面方向蝕刻金屬被膜的第二工序。
與技術(shù)方案2相關(guān)的發(fā)明，在技術(shù)方案1所述的蝕刻處理方法中，其特征在于，在前述第二工序中，利用相互平行排列配置的多個搬運輥支承并移動整個表面裝滿蝕刻液的基板，將前述搬運輥加熱到與裝滿在基板上的刻液相等的溫度。
與技術(shù)方案3相關(guān)的發(fā)明，在向基板的表面供應(yīng)蝕刻液，將形成在基板的表面上的金屬被膜蝕刻成規(guī)定的圖形的基板蝕刻處理方法中，其特征在于包括向基板的表面上噴射蝕刻液，主要沿膜厚方向蝕刻金屬被膜的第一工序，在利用該第一工序蝕刻之后，向被支承成傾斜姿勢的基板的表面的在其傾斜方向的上位側(cè)的端邊部供應(yīng)蝕刻液，使蝕刻液在基板表面上從上位側(cè)端邊部向下流到下位側(cè)端邊部，主要沿膜面方向蝕刻金屬被膜的第二工序。
與技術(shù)方案4相關(guān)的發(fā)明，在技術(shù)方案1至技術(shù)方案3中任意一個所述的蝕刻處理方法中，其特征在于，基板是玻璃基板，形成在該玻璃基板的表面上的金屬被膜是兩種以上的金屬或合金的疊層膜，在前述第一工序中使用的蝕刻液和在前述第二蝕刻工序中使用的蝕刻液是相同成分的藥液。
與技術(shù)方案5相關(guān)的發(fā)明，在向基板的表面上供應(yīng)蝕刻液，將形成在基板的表面上的金屬被膜蝕刻成規(guī)定的圖形的基板的蝕刻處理裝置中，其特征在于包括第一處理槽；配置在該第一處理槽內(nèi)，支承并搬運基板的基板搬運機構(gòu)；配置在該基板搬運機構(gòu)的基板搬運路徑的上方、向利用基板搬運機構(gòu)搬運的基板的表面上噴射蝕刻液的噴射噴嘴；與前述第一處理槽連接設(shè)置的第二處理槽；配置在該第二處理槽內(nèi)，支承基板的基板支承機構(gòu)；向從前述第一處理槽內(nèi)搬出、搬入到前述第二處理槽內(nèi)、利用前述基板支承機構(gòu)支承的基板的表面上供應(yīng)蝕刻液，在基板的整個表面上裝滿蝕刻液的排出噴嘴。
與技術(shù)方案6相關(guān)的發(fā)明，在技術(shù)方案5所述的蝕刻處理裝置中，其特征在于，前述基板搬運機構(gòu)由相互平行排列配置的多個搬運輥構(gòu)成，并包括將前述搬運輥加熱到與裝滿在基板上的蝕刻液相同的溫度的輥加熱機構(gòu)。
與技術(shù)方案7相關(guān)的發(fā)明，在向基板的表面上供應(yīng)蝕刻液，將形成在基板的表面上的金屬被膜蝕刻成規(guī)定的圖形的基板的蝕刻處理裝置中，其特征在于包括第一處理槽；配置在該第一處理槽內(nèi)，支承并搬運基板的基板搬運機構(gòu)；配置在該基板搬運機構(gòu)的基板搬運路徑的上方，向利用基板搬運機構(gòu)搬運的基板的表面上噴射蝕刻液的噴射噴嘴；與前述第一處理槽連接設(shè)置的第二處理槽；配置在該第二處理槽內(nèi)，使基板傾斜并支承的基板傾斜支承機構(gòu)；向從前述第一處理槽內(nèi)搬出、搬入到前述第二處理槽內(nèi)、利用前述基板傾斜支承機構(gòu)支承成傾斜姿勢的基板的表面的、位于其傾斜方向的上位側(cè)的端邊部供應(yīng)蝕刻液的排出噴嘴。
與技術(shù)方案8相關(guān)的發(fā)明，在技術(shù)方案5至技術(shù)方案7中任意一個所述的蝕刻處理裝置中，其特征在于，基板是玻璃基板，形成在該玻璃基板的表面上的金屬被膜是兩種以上的金屬或合金的疊層膜，從前述噴射噴嘴向基板表面上噴出的蝕刻液和從前述排出噴嘴向基板表面上供應(yīng)的蝕刻液是相同成分的藥液。
根據(jù)與技術(shù)方案1相關(guān)的發(fā)明所述的基板的蝕刻處理方法，在第一工序中，利用向基板表面上噴出的蝕刻液，主要沿膜厚方向蝕刻金屬被膜。即，如圖9的(a)中部分放大的剖面圖所示，由于蝕刻液5向基板表面1噴出，所以，形成在基板表面1上的金屬被膜2a的蝕刻速度，與沿著膜面的方向相比，在膜厚方向更大。因此，金屬被膜2a主要沿著膜厚方向被蝕刻，一直腐蝕到其底面，而露出基板表面1。然后，在第二工序中，利用在基板的整個表面裝滿的蝕刻液，與進行浸漬處理時同樣，主要沿膜面方向蝕刻金屬被膜。其結(jié)果是，如圖9的(b)中部分放大的剖面圖所示，金屬被膜2b被蝕刻，其截面成為梯形。同時，在該處理方法中，即使基板大型化，也無需如浸漬處理那樣的大型處理槽。并且，在這種處理方法中，由于在利用第一工序?qū)⒔饘俦荒のg刻到其底面上，使基板表面露出后，或者使蝕刻進行到底面附近之后，利用第二工序?qū)⒔饘俦荒ぱ仄淠っ娣较蛭g刻，所以，即使在第二工序中產(chǎn)生氫的氣泡，也不會成為特別的問題，不必擔心金屬膜呈粒狀和膜狀殘留在基板表面的金屬配線圖形之間。
此外，如與技術(shù)方案4相關(guān)的發(fā)明所述的蝕刻處理方法中那樣，在基板是玻璃基板、形成在該玻璃基板的表面上的金屬被膜是兩種以上的金屬或合金的疊層膜的情況下，即，如圖10的(a)部分放大剖面圖所示，在玻璃基板6的表面上蝕刻兩種以上的金屬或合金的疊層膜，例如，由鋁(或鋁合金)的第一金屬層7和鉬、鉻等第二金屬層8構(gòu)成的金屬被膜的情況下，根據(jù)技術(shù)方案1的發(fā)明所述的蝕刻處理方法，如上面所述，利用第一工序主要沿膜厚方向蝕刻第一金屬層7及第二金屬層8，如圖10(b)中部分放大剖面圖所示，由于在將蝕刻進行到使玻璃基板6的表面露出或者接近于該表面的狀態(tài)之后，利用第二工序沿著膜面方向蝕刻第一金屬層7a及第二金屬層8a，所以，不會形成如浸漬處理基板時那樣、在第一金屬層上的第二金屬層上帽形的不必要部分(參照圖12(b))，如圖10的(c)中部分放大的剖面圖所示，可以和第一金屬層7b一起很好地蝕刻第二金屬層8b，且由第一金屬層7b和第二金屬層8b構(gòu)成的金屬被膜的截面(成為金屬配線等的部分的截面)成為所希望的梯形。這可以認為是由于以下原因造成的由于在第一工序中的蝕刻方式是向基板的表面噴射蝕刻液的，可以抑制形成第二金屬層8a的金屬(Mo，或者MoNb、MoNd等的Mo合金等)的鈍化；利用第一工序?qū)⒌谝唤饘賹?a及第二金屬層8a蝕刻，直到玻璃基板6的表面露出或者成為接近于該表面的狀態(tài)，因此，在第二工序中，在沿著膜面以較短的時間內(nèi)蝕刻第一金屬層7a及第二金屬層8a，在引起金屬的鈍化之前，完成蝕刻。圖10(a)～(c)中的標號9是抗蝕劑膜。
在與技術(shù)方案2相關(guān)的發(fā)明所述的蝕刻處理方法中，由于在第二工序中將搬運輥加熱到與裝滿到基板表面上的蝕刻液相同的溫度，所以，即使裝滿液體的基板與搬運輥接觸，也不會降低基板和蝕刻液的溫度。從而，由于基板的溫度在整個面上變成均勻的，不會發(fā)生溫度不均，所以，在基板的整個表面上不會產(chǎn)生蝕刻速度的差異，基板的整個表面均勻地被蝕刻處理。
根據(jù)與技術(shù)方案3相關(guān)的發(fā)明所述的基板蝕刻處理方法，在第一工序中，利用向基板的表面上噴射的蝕刻液，主要沿膜厚方向蝕刻金屬被膜。即，如圖9(a)所示，由于向基板表面1噴出蝕刻液5，所以，形成在基板表面1上的金屬被膜2a的蝕刻速度，與沿著膜面方向相比，在膜厚方向變得更大。因此，金屬被膜2a主要沿膜厚方向被蝕刻，直到腐蝕到其底面而露出基板表面1，或者腐蝕到接近底面而成為殘留極其薄的被膜的程度。然后，在第二工序中，利用在傾斜的基板的表面上從上位側(cè)的端邊部向下流到下位側(cè)的端邊部的蝕刻液，與進行浸漬處理時相同地、主要沿膜面方向蝕刻金屬被膜。其結(jié)果是，如圖9(b)所示，金屬被膜2b被蝕刻，其截面變成梯形。同時，在這種處理方法中，即使基板大型化，也無需如浸漬處理那樣大型的處理槽。此外，在這種處理方法中，由于利用第一工序?qū)⒔饘俦荒のg刻到其底面，使基板表面露出后，利用第二工序?qū)⒔饘俦荒ぱ仄淠っ娣较蜻M行蝕刻，所以，在第二工序中即使發(fā)生氫的氣泡，也不會成為特別的問題，不必擔心金屬膜呈粒狀及膜狀殘留在基板表面的金屬配線圖形之間。
此外，如與技術(shù)方案4相關(guān)的發(fā)明所述的蝕刻處理方法中那樣，在基板是玻璃基板、形成在該玻璃基板的表面上的金屬被膜是兩種以上的金屬或合金的疊層膜的情況下，即，如圖10(a)的部分放大剖面圖所示，在玻璃基板6的表面上蝕刻2種以上的金屬或者合金的疊層膜，例如由鋁(或鋁合金)的第一金屬層7和鉬或鉬鈮、鉬釹等鉬合金等的第二金屬層8構(gòu)成的金屬被膜的情況下，根據(jù)與技術(shù)方案3相關(guān)的發(fā)明所述的蝕刻處理方法，與上述與技術(shù)方案1相關(guān)的發(fā)明所述的蝕刻處理方法一樣，不會產(chǎn)生如浸漬處理基板時那樣在第一金屬層上的第二金屬層上形成帽形的不需要的部分(參照圖12(b))，如圖10(c)中的部分放大剖面圖所示，可以和第一金屬層7b一起很好地蝕刻第二金屬層8b，由第一金屬層7b和第二金屬層8b構(gòu)成的金屬被膜的截面(成為金屬配線等的部分的截面)成為所需的梯形。
在根據(jù)與技術(shù)方案5相關(guān)的發(fā)明所述的基板的蝕刻處理裝置中，在第一處理槽內(nèi)，利用噴射噴嘴向由基板搬運機構(gòu)搬運的基板的表面上噴出的蝕刻液，主要沿膜厚方向蝕刻金屬被膜。然后，在第二處理槽內(nèi)，從排出噴嘴向利用基板支承機構(gòu)支承的基板的表面上供應(yīng)蝕刻液、使蝕刻液裝滿基板的整個表面，利用在該基板的整個表面上裝滿的蝕刻液，與進行浸漬處理時同樣地主要沿膜面方向蝕刻金屬被膜。
在根據(jù)與技術(shù)方案6相關(guān)的發(fā)明所述的蝕刻處理裝置中，由于在第二處理內(nèi)，利用輥加熱機構(gòu)將搬運輥加熱到和裝滿在基板上的蝕刻液相同的溫度，所以，即使裝滿液體的基板與搬運輥接觸，基板和蝕刻液的溫度也不會降低。從而，基板的溫度在整個表面上是均勻的，不會發(fā)生溫度不均，所以，在基板的整個表面上不會產(chǎn)生蝕刻速度的差異，均勻地蝕刻處理基板的整個表面。
在根據(jù)與技術(shù)方案7相關(guān)的發(fā)明所述的基板蝕刻處理裝置中，在第一處理槽內(nèi)，利用從噴射噴嘴向由基板搬運機構(gòu)搬運的基板的表面上噴出蝕刻液，主要沿膜厚方向蝕刻金屬被膜。然后，在第二處理槽內(nèi)，從排出噴嘴向用基板傾斜支承機構(gòu)以傾斜姿勢支承的基板的表面的、在其傾斜方向的上位側(cè)的端邊部供應(yīng)蝕刻液，蝕刻液在基板表面上從上位側(cè)端邊部流到下位側(cè)端邊部，利用在該基板表面上流下的蝕刻液，與進行浸漬處理同樣地、主要沿膜面方向蝕刻金屬被膜。
在根據(jù)與技術(shù)方案8相關(guān)的發(fā)明所述的蝕刻處理裝置中，分別良好地蝕刻構(gòu)成形成于玻璃基板上的疊層膜的兩種以上的金屬或合金的各個層，疊層膜的截面(成為金屬配線等的部分的截面)如所希望的那樣成為梯形。
根據(jù)與技術(shù)方案1相關(guān)及與技術(shù)方案3相關(guān)的各個發(fā)明的基板的蝕刻處理方法，即使基板大型化，也沒有必要將處理槽與之相應(yīng)地大型化，因此，可以抑制蝕刻液的使用量的增大，沒有必要采用大容量的泵或者提高處理槽的強度，并且，作為危險品的蝕刻液的管理也不會變得那么麻煩。此外，不會如浸漬處理時那樣，金屬膜呈粒狀及膜狀殘留在基板表面的金屬配線圖形之間，或者，如根據(jù)與技術(shù)方案4相關(guān)的發(fā)明所述的蝕刻處理方法中那樣，在基板是玻璃基板、形成在該玻璃基板的表面上的金屬被膜是兩種以上的金屬或合金的疊層膜的情況下，不會造成在上層側(cè)的金屬層上形成帽形的不需要的部分等的蝕刻不良。
在根據(jù)與技術(shù)方案2相關(guān)的發(fā)明所述的蝕刻處理方法中，在第二工序中，可以將基板的溫度在整個表面上保持均勻，因此，可以均勻地蝕刻處理基板的整個表面。
當使用根據(jù)與技術(shù)方案5及與技術(shù)方案7相關(guān)的各個發(fā)明的基板蝕刻處理裝置時，可以適合地實施根據(jù)技術(shù)方案1及技術(shù)方案3的各個發(fā)明的方法，獲得上述效果。
在根據(jù)與技術(shù)方案6相關(guān)的發(fā)明的蝕刻處理裝置中，在第二處理槽內(nèi)，可以在整個面上均勻地保持基板的溫度，因此，可以均勻地蝕刻處理基板的整個表面。
在根據(jù)與技術(shù)方案8相關(guān)的發(fā)明的蝕刻處理裝置中，可以將形成在玻璃基板上的兩種以上的金屬或合金的疊層膜的截面(成為金屬配線等的部分的截面)如所希望的那樣形成梯形。


圖1表示第一個發(fā)明的一種實施方式，是表示基板的蝕刻處理裝置的簡略結(jié)構(gòu)的一個例子的模式側(cè)視圖。
圖2表示根據(jù)第一個發(fā)明的蝕刻處理裝置中攪拌式處理部的簡略結(jié)構(gòu)，是表示與圖1所示的結(jié)構(gòu)不同的結(jié)構(gòu)例的模式側(cè)視圖。
圖3是作為圖2所示的攪拌式蝕刻處理部中搬運輥的加熱機構(gòu)的結(jié)構(gòu)要素的儲液容器的立體圖。
圖4是表示攪拌式蝕刻處理部中搬運輥的加熱機構(gòu)的另外的結(jié)構(gòu)例的立體圖。
圖5是表示攪拌式蝕刻處理部中搬運輥的加熱機構(gòu)的進一步的另外的結(jié)構(gòu)例，是以部分剖視的狀態(tài)表示的立體圖。
圖6表示第二個發(fā)明的一種實施方式，是表示基板的蝕刻處理裝置的簡略結(jié)構(gòu)的一個例子的模式側(cè)視圖。
圖7是表示設(shè)置在構(gòu)成圖6所示的蝕刻處理裝置的噴射式蝕刻處理部的處理槽內(nèi)的搬運輥的結(jié)構(gòu)的一個例子的主視圖。
圖8是表示設(shè)置在構(gòu)成圖6所示的蝕刻處理裝置的液體流動式蝕刻處理部的處理槽內(nèi)的搬運輥及蝕刻液供應(yīng)部的各個結(jié)構(gòu)的一個例子的主視圖。
圖9是說明本發(fā)明的作用的部分放大剖面圖。
圖10是說明在玻璃基板的表面上蝕刻兩種以上的金屬或合金疊層膜時的本發(fā)明的作用的部分放大剖面圖。
圖11是說明現(xiàn)有技術(shù)的浸漬式蝕刻處理中存在的問題用的部分放大剖面圖。
圖12(a)是表示在表面上形成由兩種以上的金屬或合金疊層膜構(gòu)成的金屬被膜的基板的部分放大剖面圖。
圖12(b)是用于說明利用浸漬基板的方式進行蝕刻處理時的現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題的部分放大剖面圖。
其中，附圖標記說明如下10、40 噴射式蝕刻處理部12、100攪拌式蝕刻處理部14、44 第一處理槽20、30、50a、50b、64、102、134搬運輥22、56 噴射噴嘴24、34、58、82、108蝕刻液供應(yīng)管28、62、106第二處理槽32、78、104排出噴嘴
38 蝕刻液42 液體流動式蝕刻處理部52 輥安裝構(gòu)件76 蝕刻液供應(yīng)部128儲液容器132液體排出噴嘴136液體通路142熱水供應(yīng)管具體實施方式
下面，參照圖1至圖8說明本發(fā)明的最佳實施方式。
圖1表示第一個發(fā)明的一種實施方式，是表示基板蝕刻處理裝置的簡略結(jié)構(gòu)的一個例子的模式側(cè)視圖。該蝕刻處理裝置將噴射式蝕刻處理部10和攪拌式蝕刻處理部12連接設(shè)置構(gòu)成。
噴射式蝕刻處理部10包括具有搬入側(cè)開口16和搬出側(cè)開口18的密閉的第一處理槽14。在第一處理槽14的內(nèi)部，相互平行地沿基板搬運路徑排列配置支承基板W、向水平方向搬運的能夠正、反旋轉(zhuǎn)的多個搬運輥20。借助這些搬運輥20，使基板W在處理槽14內(nèi)往復(fù)移動。此外，在基板搬運路徑的上方，沿基板搬運路徑排列配置多個噴射噴嘴22。在這些噴射噴嘴22上，連通連接有蝕刻液供應(yīng)管24，蝕刻液供應(yīng)管24通過流路連接到圖中未示出的蝕刻液供應(yīng)裝置上。同時，從噴射噴嘴22向用搬運輥20搬運的基板W的表面上噴出蝕刻液，例如，噴出磷酸和硝酸及醋酸的混合液。此外，在處理槽10的底部上，連通連接有排液管26，將使用過的蝕刻液收集到處理槽14的底部，從處理槽14內(nèi)通過排液管26排出。
攪拌式蝕刻處理部12包括與第一處理槽14鄰接配置的第二處理槽28。在第二處理槽28的內(nèi)部，相互平行地沿基板搬運路徑排列配置支承基板W并向水平方向搬運的能夠正、反旋轉(zhuǎn)的多個搬運輥30。利用這些搬運輥30，使基板W在處理槽28內(nèi)往復(fù)移動。此外，在基板搬運路徑的正上方位置處，在與第一處理槽14的搬出側(cè)開口18對向的搬入口附近，配置在下端面上形成設(shè)置狹縫狀的排出口的排出噴嘴32。在排出噴嘴32上，連通連接有蝕刻液供應(yīng)管34，蝕刻液供應(yīng)管34通過流路連接到圖中未示出的蝕刻液供應(yīng)裝置上。同時，從排出噴嘴32的狹縫狀排出口，向搬入到第二處理槽28內(nèi)、由搬運輥30支承的通過排出噴嘴32的正下方的基板W的表面上，以簾幕狀排出蝕刻液，例如，所述蝕刻液為和噴射式蝕刻處理部10中使用的蝕刻液具有相同成分的磷酸和硝酸及醋酸的混合液，在基板W的整個表面上裝滿蝕刻液38。此外，在處理槽28的底部上，連通連接有排液管36，從基板W上向下流到處理槽28內(nèi)的底部的蝕刻液，從處理槽28內(nèi)通過排液管36被排出。
在具有圖1所示的結(jié)構(gòu)的蝕刻處理裝置中，首先，在噴射式蝕刻處理部10的第一處理槽14內(nèi)，通過一面利用搬運輥20使基板W向水平方向往復(fù)移動，一面從噴射噴嘴22向基板W的表面上噴出蝕刻液，用蝕刻液主要沿膜厚方向蝕刻形成在基板W的表面上的金屬被膜。然后，直到金屬被膜的未被抗蝕劑膜被覆的部分被深深地蝕刻到金屬被膜的底面上、變成基板表面完全露出的狀態(tài)時(參照圖9(a)及圖10(b))，基板W從第一處理槽14內(nèi)經(jīng)過搬出側(cè)開口18被搬出，被搬運到攪拌式處理部12。
當把基板W被搬入到攪拌式蝕刻處理部12的第二處理槽28內(nèi)時，從排出噴嘴32向基板W的表面上供應(yīng)蝕刻液，在基板W的整個表面上裝滿蝕刻液38。然后，在基板W以裝滿液體的狀態(tài)在第二處理槽28內(nèi)被搬運輥30向水平方向往復(fù)移動的期間內(nèi)，利用裝滿在基板W的整個表面上的蝕刻液，與進行浸漬處理時同樣地，主要沿膜面方向蝕刻金屬被膜。借此，金屬被膜的被抗蝕劑膜被覆的部分被蝕刻，其截面成為梯形(參照圖9(b)及圖10(c))。當在攪拌式蝕刻處理部12的蝕刻完畢時，基板W從第二處理槽28內(nèi)被搬出，被搬運到下一個水洗處理部(圖中未示出)。
圖2是表示攪拌式蝕刻處理部的簡略結(jié)構(gòu)的模式側(cè)視圖，是表示與上述實施方式不同的結(jié)構(gòu)例的圖。這種攪拌式蝕刻處理部100，包括相互平行地沿基板搬運路徑排列配置的多個搬運輥102，利用這些多個搬運輥102，支承基板W并使之進行直線性的往復(fù)移動(在水平面內(nèi)搖動)。在基板搬運路徑的一端側(cè)，在基板搬運路徑的正上方位置上，配置在下端面形成設(shè)置狹縫狀排出口的排出噴嘴104。此外，在基板搬運路徑的下方，配置回收蝕刻液用的液體回收槽(第二處理槽)106。
在排出噴嘴104上，連通連接有蝕刻液供應(yīng)管108，蝕刻液供應(yīng)管108通過流路連接到儲存蝕刻液110的儲液槽112上。在蝕刻液供應(yīng)管108上，加裝設(shè)置送液用泵114，并且，分別加裝過濾器116和開閉控制閥118。同時，通過打開開閉控制閥118，從儲液槽112內(nèi)將蝕刻液110利用送液用泵114經(jīng)過蝕刻液供應(yīng)管108供應(yīng)給排出噴嘴104，從排出噴嘴104的狹縫狀的排出口，將蝕刻液以簾幕狀排出，在經(jīng)過排出噴嘴104的正下方的基板W的整個表面上裝滿蝕刻液。此外，在液體回收槽106的底部，連通連接有回收用配管120，回收用配管120的前端出口配置在儲液槽112內(nèi)。
在儲液槽112上，附設(shè)一個端口連通連接到其底部上、另一個端口配置在儲液槽112內(nèi)的液體循環(huán)用配管122。在該液體循環(huán)用配管122上，加裝設(shè)置液體循環(huán)用泵124，此外，中間插設(shè)加熱器126。同時，通過使儲存在儲液槽112內(nèi)的蝕刻液110經(jīng)過液體循環(huán)用配管122循環(huán)，蝕刻液在流過加熱器126的內(nèi)部時被加熱，通過利用控制器(圖中未示出)控制加熱器126，將儲液槽112內(nèi)的蝕刻液110的溫度調(diào)節(jié)成一定的溫度，例如40℃。此外，將儲液槽112內(nèi)的蝕刻液110調(diào)節(jié)并保持在一定溫度的機構(gòu)，并不局限于圖中所示的例子的結(jié)構(gòu)。
各個搬運輥102，分別能夠向正·反方向旋轉(zhuǎn)，在基板的處理過程中，除基板搬入時及基板反轉(zhuǎn)時的很少的時間外，一直旋轉(zhuǎn)驅(qū)動。在各個搬運輥102的正下方，分別配置儲液容器128。在各個儲液容器128上，分別連通連接有從蝕刻液供應(yīng)管108在過濾器116與開閉控制閥118之間分支的分支配管130。同時，在基板的處理過程中，從儲液槽112內(nèi)通過蝕刻液供應(yīng)管108和分支配管130向各個儲液容器128內(nèi)分別連續(xù)供應(yīng)調(diào)節(jié)到一定溫度的蝕刻液，變成蝕刻液分別從各個儲液容器128內(nèi)溢出的狀態(tài)。從儲液容器128內(nèi)溢出的蝕刻液，向下流入到液體回收槽106內(nèi)，從液體回收槽106內(nèi)通過回收用配管120返回到儲液槽112內(nèi)。
儲液容器128，如圖3的立體圖所示，具有搬運輥102的周面的一部分在其整個長度上浸漬在儲存于其內(nèi)部的蝕刻液中的形狀及大小。此外，在圖中所示的例子的裝置中，每一個搬運輥102上都設(shè)置儲液容器128，但也可以對每多個搬運輥102設(shè)置較大的儲液容器，將多個搬運輥102浸漬在儲存在一個儲液容器內(nèi)的蝕刻液中，此外，也可以設(shè)置大型的儲液容器，將全部搬運輥102浸漬在儲存在一個儲液容器內(nèi)的蝕刻液中。
當如圖2所示地構(gòu)成攪拌式蝕刻處理部100時，在將各個搬運輥102的周面的一部分分別浸漬在儲存在各個儲液容器128內(nèi)的一定溫度的蝕刻液中的同時，通過在這種狀態(tài)下各個搬運輥102一直旋轉(zhuǎn)，將各個搬運輥102的整個周面分別加熱到與裝滿在基板W上的蝕刻液相等的溫度。因此，即使裝滿液體的基板W與搬運輥102接觸，基板W和裝滿在其整個表面上的蝕刻液的溫度不會降低。從而，由于基板W的溫度在整個面上是均勻的，不會發(fā)生溫度不均，所以，在基板W的整個表面上，蝕刻速度是均勻的，不會產(chǎn)生處理不均。
其次，圖4是表示加熱搬運輥102用的另外的結(jié)構(gòu)例的立體圖。在該例中，設(shè)置有在搬運輥102的附近配置的液體排出噴嘴132。同時，不設(shè)置儲液容器128，將從蝕刻液供應(yīng)管108分支的分支配管130連通連接到液體排出噴嘴132上。
在具有這種結(jié)構(gòu)的裝置中，向液體排出噴嘴132供應(yīng)調(diào)節(jié)到一定溫度的蝕刻液，通過從液體排出噴嘴132的排出口向一直旋轉(zhuǎn)的搬運輥102的周面上排出一定溫度的蝕刻液，將搬運輥102的整個周面加熱到裝滿在基板W上的蝕刻液相等的溫度。因此，即使裝滿液體的基板W和搬運輥102接觸，基板W和裝滿在其整個表面上的蝕刻液的溫度也不會降低，基板W的溫度在其整個表面上是變成均勻的。從而，蝕刻速度在基板W的整個表面上成為均勻的，防止處理不均的發(fā)生。此外，從液體排出噴嘴132向搬運輥102的周面上排出的、從搬運輥102的周面落下的蝕刻液，向下流入到液體回收槽106內(nèi)，從液體回收槽106內(nèi)通過回收用配管120返回到儲液槽112內(nèi)。
此外，圖5表示加熱攪拌式蝕刻處理部的搬運輥用的進一步的另外一種結(jié)構(gòu)例，是表示搬運輥的一部分剖視的狀態(tài)的立體圖。該搬運輥134在其內(nèi)部形成液體通路136。此外，在搬運輥134的左、右的各個旋轉(zhuǎn)支承軸138a、138b的軸心部，分別形成與液體通路136連通的液體通路(圖中未示出)。同時，一個旋轉(zhuǎn)支承軸138a，連接到回轉(zhuǎn)接頭140a上，旋轉(zhuǎn)支承軸138a的液體通路，經(jīng)由回轉(zhuǎn)接頭140a，通過流路連接到與加熱用液體、例如連接到熱水供應(yīng)裝置(圖中未示出)的熱水供應(yīng)管142上。此外，另一個旋轉(zhuǎn)支承軸138b，連接到回轉(zhuǎn)接頭140b上，旋轉(zhuǎn)支承軸138b的液體通路經(jīng)由回轉(zhuǎn)接頭140b通過流路連接到排水管144上，排水管144通過流路連接到熱水供應(yīng)裝置上。
在配備具有這種結(jié)構(gòu)的搬運輥134的基板處理裝置中，通過從熱水供應(yīng)裝置將調(diào)節(jié)到一定溫度，例如40℃的熱水，經(jīng)由熱水供應(yīng)管142，供應(yīng)給搬運輥134的內(nèi)部的液體通路136，使熱水流過液體通路136內(nèi)，可將整個搬運輥134加熱到與裝滿在基板W上的蝕刻液相等的溫度。同時，在流過液體通路136內(nèi)的期間進行熱交換而溫度降低的熱水，從液體通路136內(nèi)排出，通過排水管144返回到熱水供應(yīng)裝置，并被加熱循環(huán)使用。這樣，通過搬運輥134從其內(nèi)部被加熱，即使裝滿液體的基板W與搬運輥134接觸，基板W及裝滿在其整個表面上的蝕刻液的溫度也不會降低，基板W的溫度在整個表面上變成均勻的。從而，在基板W的整個表面上蝕刻速度變成均勻的，不會發(fā)生處理不均。
此外，加熱搬運輥的機構(gòu)，并不局限于圖2至圖5所示的結(jié)構(gòu)。例如，也可以采取用橡膠加熱器等直接加熱搬運輥的結(jié)構(gòu)。
其次，圖6表示第二個發(fā)明的一種實施方式，是表示基板的蝕刻處理裝置的簡略結(jié)構(gòu)的一個例子的模式側(cè)視圖。該蝕刻處理裝置，通過連接設(shè)置噴射式蝕刻處理部40和液流式蝕刻處理部42而構(gòu)成。
噴射式蝕刻處理部40，與圖1所示的噴射式蝕刻處理部10一樣，包括具有搬入側(cè)開口46和搬出側(cè)開口48的密閉的第一處理槽44。在第一處理槽44的內(nèi)部，相互平行地沿基板搬運路徑排列配置支承基板W并將其向水平方向搬運的可正、反旋轉(zhuǎn)的多個搬運輥50a、50b。利用這些搬運輥50a、50b，將基板W支承在水平姿勢，并使之在處理槽44內(nèi)往復(fù)移動。此外，靠近搬出側(cè)開口48的多個搬運輥50b，分別用軸安裝到左、右一對輥安裝構(gòu)件52上。輥安裝構(gòu)件52，如圖7從正面所看到的圖所示，以通過搬運輥50b的旋轉(zhuǎn)軸54的延長線上的點O、并且與基板搬運方向平行的直線(圖7中通過點O且垂直于紙面的直線)作為中心，利用圖中未示出的驅(qū)動裝置只能向上下方向旋轉(zhuǎn)規(guī)定的角度(點劃線A和A’的夾角)的方式設(shè)置。這樣，通過配備能夠使搬運輥50b適當旋轉(zhuǎn)的機構(gòu)，在第一處理槽44內(nèi)將基板W從水平姿勢變化到傾斜姿勢，可以將基板W在傾斜姿勢從第一處理槽44內(nèi)搬出。
此外，在基板搬運路徑的上方，沿基板搬運路徑排列配置多個噴射噴嘴56。在這些噴射噴嘴56上，連通連接有蝕刻液供應(yīng)管58，蝕刻液供應(yīng)管58通過流路連接到圖中未示出的蝕刻液供應(yīng)裝置上。同時，從噴射噴嘴56，向利用搬運輥50a、50b支承成水平姿勢而被搬運的基板W的表面上噴出蝕刻液。此外，處理槽44的底部，連通連接有排液管60，使用過的蝕刻液集中到處理槽44的底部從處理槽44內(nèi)通過排液管60被排出。
液體流動式蝕刻處理部42配備有與第一處理槽44鄰接配置的第二處理槽62。在第二處理槽62的內(nèi)部，沿著基板搬運路徑相互平行地排列配置支承基板W、并將其向水平方向搬運的能夠正、反旋轉(zhuǎn)的多個搬運輥64。搬運輥64，例如，如圖8中從正面看到的圖所示，具有輥軸66，輥軸66相對于水平面傾斜，例如，以相對于水平面成5°～20°的角度傾斜，并可自由旋轉(zhuǎn)地被支承(圖中未示出支承機構(gòu))。在輥軸66上，中央輥68固定在其中央部上，在兩個端部上分別固定有側(cè)部輥70、70。此外，在輥軸66上，在各個側(cè)部輥70的外側(cè)分別固定有凸緣部72、74。同時，基板W使其下面?zhèn)缺桓鱾€輥68、70、70支承并保持在傾斜姿勢，同時，使其下位側(cè)端邊部與下位側(cè)凸緣部72接觸，而不會使起滑落。利用具有這種結(jié)構(gòu)的多個搬運輥64，將基板W支承成傾斜姿勢，使之在處理槽62內(nèi)往復(fù)移動。
此外，在基板搬運路徑的上方，在沿基板搬運方向、遍及處理槽62的幾乎整個長度上，配置蝕刻液供應(yīng)部76。蝕刻液供應(yīng)部76配置在用搬運輥64支承成傾斜姿勢的基板W的表面的、在其傾斜方向的上位側(cè)的端邊部的正上方位置處。蝕刻液供應(yīng)部76，例如如圖8所示，配備有管狀的排出噴嘴78，以及在該排出噴嘴78的正下方與之平行地配置的液體托板80。在排出噴嘴78上，在下面?zhèn)妊亻L度方向均等地配置形成多個排出口。在該排出噴嘴78上，連通連接有蝕刻液供應(yīng)管82，蝕刻液供應(yīng)管82用流路連接到圖中未示出的蝕刻液供應(yīng)裝置上。在這種結(jié)構(gòu)的蝕刻液供應(yīng)部76中，從排出噴嘴78的多個排出口向液體托板80上排出的蝕刻液，在液體托板80上向下流的期間，沿著基板W的上位側(cè)端邊方向均等地擴展，然后，從液體托板80上向基板W的上位側(cè)端邊部流下。同時，供應(yīng)給基板W的上位側(cè)端邊部的蝕刻液，在基板W的表面上從上位側(cè)端邊部向下流到下位側(cè)端邊部，在此期間，基板W的表面被蝕刻。
此外，在處理槽62的底部上，連通連接有排液管84，從基板W上向下流到處理槽62內(nèi)底部的蝕刻液從處理槽62內(nèi)通過排液管84被排出。
在具有如圖6所示的結(jié)構(gòu)的蝕刻處理裝置中，首先，在噴射式蝕刻處理部40的第一處理槽44內(nèi)，和圖1所示的裝置一樣，用蝕刻液主要沿膜厚方向蝕刻形成在基板W的表面上的金屬被膜。當在第一處理槽44內(nèi)的蝕刻處理完畢時，利用搬運輥50b將基板W從水平姿勢變換成傾斜姿勢之后，將其從第一處理槽44內(nèi)通過搬出側(cè)開口48搬出，搬運到液體流動式蝕刻處理部42。
當將基板W搬入液體流動式蝕刻處理部42的第二處理槽62內(nèi)時，一面利用搬運輥64將基板W支承成傾斜姿勢向水平方向往復(fù)移動，一面從蝕刻液供應(yīng)部76向基板W的表面的、其傾斜方向的上位側(cè)的端邊部供應(yīng)蝕刻液。借此，在基板W的表面上，蝕刻液從上位側(cè)端邊部流動下位側(cè)端邊部，利用在該基板W的表面上流動的蝕刻液，和進行浸漬處理時同樣地主要沿膜面方向蝕刻金屬被膜。當流動式蝕刻處理部42的蝕刻處理完畢時，基板W從第二處理槽62內(nèi)被搬出，被搬運到下一個水洗處理部(圖中未示出)。
此外，在圖6所示的實施方式中，在噴射式蝕刻處理部40的第一處理槽44內(nèi)，一面將基板W支承成水平姿勢使之向水平方向往復(fù)移動，一面向基板W的表面上噴出蝕刻液而進行蝕刻處理，然后，將基板W的姿勢從水平姿勢變換成傾斜姿勢，從第一處理槽44內(nèi)將基板W搬出，以傾斜姿勢向液體流動式蝕刻處理部42搬運基板W，但也可以采用如下結(jié)構(gòu)，即在噴射式蝕刻處理部40的第一處理槽44內(nèi)，一面將基板W支承成傾斜姿勢向水平往復(fù)移動，一面向基板W的表面上噴出蝕刻液而進行蝕刻處理，以原封不動的傾斜姿勢將基板W從第一處理槽44內(nèi)搬出，搬運到液體流動式蝕刻處理部42。此外，在液體流動式蝕刻處理部42的第二處理槽62內(nèi)，將基板W支承成傾斜姿勢進行搬運的搬運輥62的結(jié)構(gòu)，以及向被支承成傾斜姿勢的基板W的表面的上位側(cè)端邊部供應(yīng)蝕刻液的蝕刻液供應(yīng)部76的結(jié)構(gòu)等，并不局限于圖中所示的例子的結(jié)構(gòu)。例如，代替管狀的排出噴嘴78和液體托板80，可以采用沿垂直于圖8的紙面方向具有長的狹縫狀的排出口的噴嘴，將液體以簾幕狀排出而向基板W的上位側(cè)端邊部供應(yīng)的結(jié)構(gòu)，總之，只要將液體形成層流狀流向基板供應(yīng)即可。
此外，在圖和圖6分別所示的實施方式中，在各個處理槽14、28、44、62內(nèi)，一面分別使基板W往復(fù)移動(搖動)一面進行蝕刻處理，但對于一面將基板W連續(xù)地向一個方向搬運一面進行蝕刻處理的結(jié)構(gòu)的裝置，本發(fā)明也能夠適用。
權(quán)利要求
1.一種基板的蝕刻處理方法，向基板的表面供應(yīng)蝕刻液，將形成在基板的表面上的金屬被膜蝕刻成規(guī)定的圖形，其特征在于包括向基板的表面上噴射蝕刻液，主要沿膜厚方向蝕刻金屬被膜的第一工序；在根據(jù)該第一工序的蝕刻之后，向基板的表面上供應(yīng)蝕刻液，在基板的整個表面上裝滿蝕刻液，主要沿膜面方向蝕刻金屬被膜的第二工序。
2.如權(quán)利要求1所述的基板的蝕刻處理方法，其特征在于，在前述第二工序中，由相互平行排列配置的多個搬運輥支承并移動整個表面裝滿蝕刻液的基板，將前述搬運輥加熱到與裝滿在基板上的蝕刻液相等的溫度。
3.一種基板的蝕刻處理方法，在向基板的表面供應(yīng)蝕刻液，將形成在基板的表面上的金屬被膜蝕刻成規(guī)定的圖形的基板蝕刻處理方法中，其特征在于包括向基板的表面上噴射蝕刻液，主要沿膜厚方向蝕刻金屬被膜的第一工序；在根據(jù)該第一工序的蝕刻之后，向被支承成傾斜姿勢的基板的表面的、在其傾斜方向的上位側(cè)的端邊部供應(yīng)蝕刻液，使蝕刻液在基板表面上從上位側(cè)端邊部向下流到下位側(cè)端邊部，主要沿膜面方向蝕刻金屬被膜的第二工序。
4.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任意一個所述的基板蝕刻處理方法，其特征在于，基板是玻璃基板，形成在該玻璃基板的表面上的金屬被膜是兩種以上的金屬或合金的疊層膜，在前述第一工序中使用的蝕刻液和在前述第二工序中使用的蝕刻液是相同成分的藥液。
5.一種基板蝕刻處理裝置，該裝置為向基板的表面上供應(yīng)蝕刻液，將形成在基板的表面上的金屬被膜蝕刻成規(guī)定的圖形的裝置，其特征在于包括第一處理槽；配置在該第一處理槽內(nèi)，支承并搬運基板的基板搬運機構(gòu)；配置在該基板搬運機構(gòu)的基板搬運路徑的上方，向利用基板搬運機構(gòu)搬運的基板的表面上噴射蝕刻液的噴射噴嘴；與前述第一處理槽連接設(shè)置的第二處理槽；配置在該第二處理槽內(nèi)，支承基板的基板支承機構(gòu)；向從前述第一處理槽內(nèi)搬出、搬入到前述第二處理槽內(nèi)、利用前述基板支承機構(gòu)支承的基板的表面上供應(yīng)蝕刻液，在基板的整個表面上裝滿蝕刻液的排出噴嘴。
6.如權(quán)利要求5所述的基板蝕刻處理裝置，其特征在于，前述基板搬運機構(gòu)由相互平行排列配置的多個搬運輥構(gòu)成，并包括將前述搬運輥加熱到與裝滿在基板上的蝕刻液相同的溫度的輥加熱機構(gòu)。
7.一種基板蝕刻處理裝置，該裝置為向基板的表面上供應(yīng)蝕刻液，將形成在基板的表面上的金屬被膜蝕刻成規(guī)定的圖形的裝置，其特征在于包括第一處理槽；配置在該第一處理槽內(nèi)，支承并搬運基板的基板搬運機構(gòu)；配置在該基板搬運機構(gòu)的基板搬運路徑的上方、向利用基板搬運機構(gòu)搬運的基板的表面上噴射蝕刻液的噴射噴嘴；與前述第一處理槽連接設(shè)置的第二處理槽；配置在該第二處理槽內(nèi)，使基板傾斜并支承的基板傾斜支承機構(gòu)；向從前述第一處理槽內(nèi)搬出、搬入到前述第二處理槽內(nèi)、利用前述基板傾斜支承機構(gòu)支承成傾斜姿勢的基板的表面的、位于其傾斜方向的上位側(cè)的端邊部供應(yīng)蝕刻液的排出噴嘴。
8.如權(quán)利要求5至權(quán)利要求7中任意一個所述的基板蝕刻處理裝置，其特征在于，基板是玻璃基板，形成在該玻璃基板的表面上的金屬被膜是兩種以上的金屬或合金的疊層膜，從前述噴射噴嘴向基板表面上噴出的蝕刻液和從前述排出噴嘴向基板表面上供應(yīng)的蝕刻液是相同成分的藥液。
全文摘要
本發(fā)明提供一種為了適應(yīng)于基板的大型化，但不必將處理槽與之相應(yīng)地大型化，也不會產(chǎn)生如浸漬處理時那樣的蝕刻不良的裝置。裝置的構(gòu)成包括第一處理槽14；配置在第一處理槽14內(nèi)、支承并搬運基板W的搬運輥20；配置在基板搬運路徑的上方、向基板W的表面上噴出蝕刻液的噴射噴嘴22；與第一處理槽連接設(shè)置的第二處理槽28；配置在第二處理槽28內(nèi)、支承并搬運基板W的搬運輥30；向從第一處理槽14內(nèi)被搬出、并被搬入到第二處理槽28內(nèi)的基板W的表面供應(yīng)蝕刻液、在基板W的整個表面上裝滿蝕刻液的排出噴嘴32。
文檔編號H01L21/027GK1574251SQ200410047378
公開日2005年2月2日 申請日期2004年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月3日
發(fā)明者鈴木聰, 富藤幸雄 申請人:大日本網(wǎng)目版制造株式會社