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電觸點(diǎn)材料及開關(guān)的制作方法

文檔序號(hào):6830909閱讀:159來源:國(guó)知局
專利名稱:電觸點(diǎn)材料及開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及適用于家電產(chǎn)品所使用的開關(guān)的電觸點(diǎn)材料。特別涉及不含影響環(huán)境的Cd,開關(guān)小型化時(shí)耐熔敷性、耐消耗性也優(yōu)良的,并且將接觸電阻控制在低水平,可最大程度地抑制通電中溫度的上升的電觸點(diǎn)材料。
背景技術(shù)
機(jī)械式開閉電路的電觸頭一般稱為電觸點(diǎn)。該電觸點(diǎn)必須通過金屬和金屬接觸,無障礙地傳輸流入觸點(diǎn)的電流·信號(hào),以及斷開時(shí)無障礙地分離。
電觸點(diǎn)的結(jié)構(gòu)本身比較簡(jiǎn)單,但其觸點(diǎn)表面會(huì)發(fā)生各種物理、化學(xué)現(xiàn)象。例如吸附、氧化、硫化、有機(jī)化合物的合成,還有放電過程中的熔融、蒸發(fā)、消耗、轉(zhuǎn)移等,該現(xiàn)象非常復(fù)雜,有很多在學(xué)術(shù)上還無法解釋清楚。
如果發(fā)生氧化、硫化等如上所述現(xiàn)象,則會(huì)損害電觸點(diǎn)的接觸功能,有時(shí)甚至使接觸功能失效(例如導(dǎo)通不良),決定裝有電觸點(diǎn)的電氣制品等的壽命和性能。這意味著電觸點(diǎn)是決定電氣制品等的壽命和性能的重要部件之一。
近年來,隨著電子·電工技術(shù)的迅速發(fā)展,電觸點(diǎn)的使用范圍非常廣泛,從電信電話及各種電子設(shè)備等弱電領(lǐng)域擴(kuò)大到截?cái)啻箅娏鞯碾娏υO(shè)備等強(qiáng)電領(lǐng)域。由此,所要求的功能也是千差萬別,因此要開發(fā)具有符合使用目的的特性的電觸點(diǎn),目前市場(chǎng)上已有很多種電觸點(diǎn)。
到目前為止,電觸點(diǎn)材料中較早為人所熟知的有Ag-CdO系電觸點(diǎn)材料。該材料被認(rèn)為可均衡地滿足所需的特性,但是Cd是對(duì)人體有害的元素,而且還受到近來的環(huán)境問題等的制約,人們不希望該產(chǎn)品的制造及使用。而且,在歐洲,Cd系材料將于2006年7月起被禁止使用,因此今后就需要開發(fā)出不含Cd的電觸點(diǎn)材料。
人們熟知的不含Cd的電觸點(diǎn)材料例如有Ag-SnO2-In2O3-NiO系的電觸點(diǎn)材料,該電觸點(diǎn)材料在用于繼電器的情況下,耐熔敷性、耐消耗性優(yōu)良,在繼電器等方面具有多個(gè)實(shí)用化的實(shí)際成果,但是它存在接觸電阻不穩(wěn)定的問題。將這些電觸點(diǎn)材料實(shí)際應(yīng)用于開關(guān)時(shí),明顯不能滿足溫度上升在30℃以下的UL的標(biāo)準(zhǔn)。
與此相對(duì),所知的接觸電阻穩(wěn)定在較低水平的電觸點(diǎn)材料為Ag-CuO系的電觸點(diǎn)材料。該電觸點(diǎn)材料用于開關(guān)時(shí),是接觸電阻穩(wěn)定在較低水平,在溫度上升方面能滿足UL標(biāo)準(zhǔn)的優(yōu)良材料。但是,在材料的耐熔敷性及耐消耗性上還不具有令人充分滿意的特性,因此如何提高耐熔敷性、耐消耗性就成為技術(shù)上需要解決的問題。
因此,作為解決Ag-CuO系的電觸點(diǎn)材料的問題的手段,提出了在該電觸點(diǎn)材料中再添加第3金屬元素的方法。該第3元素例如有日本特許公開公報(bào)昭51-136171號(hào)公報(bào)所述的添加In或Sn的方法,以及日本特許公開公報(bào)昭51-137873號(hào)公報(bào)所述的將Mn、Sb及Ge等作為第3金屬元素添加的方法。
但是,受近年來要求開關(guān)小型化的影響,需要進(jìn)一步改善這些觸點(diǎn)材料的耐熔敷性、耐消耗性。特別是家電產(chǎn)品中所用的開關(guān)最近小型化進(jìn)程迅速,而采用以往技術(shù)生產(chǎn)的電觸點(diǎn)材料,在耐熔敷性、耐電壓特性、溫度上升的標(biāo)準(zhǔn)上顯然存在局限性。
本發(fā)明就是針對(duì)以上情況完成的,本發(fā)明提供一種電觸點(diǎn)材料,該材料能全面改善以往所用的Ag-CdO系觸點(diǎn)的環(huán)境問題,Ag-SnO2-In2O3-NiO系電觸點(diǎn)的缺點(diǎn),即接觸電阻的不穩(wěn)定性所引發(fā)的溫度上升的問題,還有Ag-CuO系電觸點(diǎn)的缺點(diǎn),即耐熔敷性、耐消耗性的問題。還提供一種開關(guān),該開關(guān)通過采用前述觸點(diǎn)材料,在比以往更小型的情況下,也具有優(yōu)良的耐熔敷性、耐消耗性、低接觸電阻等。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明者針對(duì)在保持Ag-CuO系電觸點(diǎn)材料的接觸電阻穩(wěn)定性的同時(shí),提高其耐熔敷性、耐消耗性的課題進(jìn)行了深入研究,結(jié)果發(fā)現(xiàn),使在Ag-Cu合金中添加Te或Bi所形成的合金發(fā)生內(nèi)部氧化制造出的電觸點(diǎn)材料與使Ag-Cu合金發(fā)生內(nèi)部氧化制造出的電觸點(diǎn)材料相比,其耐熔敷性、耐消耗性有飛躍性的提高。
但是,本發(fā)明者同時(shí)又發(fā)現(xiàn)存在如下問題僅通過使在Ag-Cu合金中添加Te或Bi所形成的合金發(fā)生內(nèi)部氧化制造出的電觸點(diǎn)材料,加工性差,不易加工成鉚釘型觸點(diǎn)這類實(shí)用的電觸點(diǎn)(電觸頭)。
因此本發(fā)明者又進(jìn)行了更深入地研究發(fā)現(xiàn)通過在Ag-Cu-Te合金或Ag-Cu-Bi合金中再添加In或Zn,具有防止添加Te或Bi所引起的加工性劣化的效果,并由此想到了本發(fā)明。
本發(fā)明的第1類電觸點(diǎn)材料為在Ag-Cu-Te合金中添加In或Zn所形成的材料。即本發(fā)明是使由0.5~10.0重量%的Cu,0.01~1.0重量%的Te,0.5~10.0重量%的In和剩余部分為Ag構(gòu)成的Ag-Cu-Te-In合金發(fā)生內(nèi)部氧化形成的電觸點(diǎn)材料,以及使由0.5~10.0重量%的Cu,0.01~1.0重量%的Te,0.5~10.0重量%的Zn和剩余部分為Ag構(gòu)成的Ag-Cu-Te-Zn合金發(fā)生內(nèi)部氧化形成的電觸點(diǎn)材料。
本發(fā)明的第2類電觸點(diǎn)材料為在Ag-Cu-Bi合金中添加In或Zn形成的材料。即是使由0.5~10.0重量%的Cu,0.01~1.0重量%的Bi,0.5~10.0重量%的In和剩余部分為Ag構(gòu)成的Ag-Cu-Bi-In合金發(fā)生內(nèi)部氧化形成的電觸點(diǎn)材料,以及使由0.5~10.0重量%的Cu,0.01~1.0重量%的Bi,0.5~10.0重量%的Zn和剩余部分為Ag構(gòu)成的Ag-Cu-Bi-Zn合金發(fā)生內(nèi)部氧化形成的電觸點(diǎn)材料。
本發(fā)明的4種電觸點(diǎn)材料通過內(nèi)部氧化處理使CuO分散于Ag中,為提高耐熔敷性和耐消耗性而添加Te或Bi,為改善添加Te或Bi所引起的加工性劣化再分別添加In或Zn,因此將電觸點(diǎn)材料應(yīng)用于開關(guān)時(shí),可以充分滿足所需的特性。
Ag-Cu合金中的Cu通過內(nèi)部氧化處理形成CuO,分散于Ag基質(zhì)中,但CuO不同于其它氧化物之處是即使氧化物增加到12重量%左右,仍能保持接觸電阻低的狀態(tài)。因此可作為本發(fā)明電觸點(diǎn)材料中的基礎(chǔ)氧化物。在本發(fā)明的電觸點(diǎn)材料中,Cu必須在0.5~10.0的范圍,實(shí)際較好為3.0~8.0重量%。Cu如果未滿0.5重量%,難以制造出具有實(shí)用水平特性的電觸點(diǎn)材料。如果超過10.0重量%,雖然是對(duì)接觸電阻影響少的CuO,但接觸電阻開始顯著上升,而且實(shí)際負(fù)荷下的開閉過程中消耗量也增加,由此用于開關(guān)時(shí)絕緣劣化顯著。
Te或Bi是使本發(fā)明的電觸點(diǎn)材料的耐熔敷性、耐消耗性提高的主要的添加元素,在本發(fā)明的電觸點(diǎn)材料中,Te或Bi必須在0.01~0.1的范圍,實(shí)際較好為0.2~0.7重量%。
In或Zn是在本發(fā)明的電觸點(diǎn)材料中,為改善添加Te或Bi時(shí)所引起的加工性劣化而追加的添加元素。在本發(fā)明的電觸點(diǎn)材料中,In或Zn必須在0.5~10.0的范圍,實(shí)際較好為2.0~5.0重量%。
本發(fā)明的電觸點(diǎn)材料的制造,與以往的電觸點(diǎn)材料的制造方法基本相同。即,采用熔煉鑄造法等制造目標(biāo)組成的合金,通過在氧氣氛下將其加熱進(jìn)行內(nèi)部氧化處理后,實(shí)施規(guī)定的加工。這里,本發(fā)明的電觸點(diǎn)材料的內(nèi)部氧化處理時(shí)的條件,無論哪一種合金都較好為氧氣壓為0.2~10氣壓,溫度為600~850℃,加熱時(shí)間為12~72小時(shí)。
以上說明的本發(fā)明的電觸點(diǎn)材料都能將接觸電阻保持在較低的狀態(tài),并且同時(shí)還具有耐消耗性、耐熔敷性。使用本發(fā)明的電觸點(diǎn)材料作為電觸頭的開關(guān),可在小型化的同時(shí)仍具有上述特性,有助于今后家電產(chǎn)品的小型化。


圖1為實(shí)施例1的電觸點(diǎn)材料的剖面組織照片。
圖2為實(shí)施例4的電觸點(diǎn)材料的剖面組織照片。
圖3為比較例2的電觸點(diǎn)材料的剖面組織照片。
圖4為比較例3的電觸點(diǎn)材料的剖面組織照片。
具體實(shí)施例方式
以下,結(jié)合比較例說明本發(fā)明的最佳實(shí)施方式。在本實(shí)施方式中,實(shí)施例1~4為表1所示組成的電觸點(diǎn)材料,表1~表3所記載的比較例1~3是用于和實(shí)施例作比較的采用以往技術(shù)所形成的電觸點(diǎn)材料(單位為重量%)。
表1

表2

表3

實(shí)施例1~4及比較例1~3的電觸點(diǎn)材料的制造方法為如下的方法用通常的高頻熔化爐,將表1~3的各組成的Ag合金熔化后,鑄成錠。然后將該錠用熱擠壓法加工成φ6mm的線材。接著,通過反復(fù)退火和拉絲,將該線材加工到φ2mm,按長(zhǎng)2mm進(jìn)行切斷,制成φ2mm×2mmL的小片。將該小片在氧氣壓為5個(gè)大氣壓、溫度700℃下進(jìn)行48小時(shí)的內(nèi)部氧化處理,集中內(nèi)部氧化處理后的小片,將其壓縮成型,形成φ50mm的圓柱坯條。
將該圓柱坯條裝入圓筒容器中,從圓柱的橫向施加壓力,對(duì)圓柱坯條進(jìn)行擠壓加工。在該擠壓加工中,由于圓柱坯條的側(cè)面被圓柱容器固定,所以可在圓柱橫向變形,而不能在與其垂直的圓柱側(cè)面方向變形。該擠壓加工后,進(jìn)行850℃、4小時(shí)的燒結(jié)處理。該擠壓加工及燒結(jié)處理反復(fù)進(jìn)行6次。
經(jīng)過擠壓加工及燒結(jié)處理的坯條再次用熱擠壓法加工成φ6mm的線材。然后,通過拉絲加工形成直徑2.3mm的線材,用鐓鍛機(jī)制造出頭徑3.5mm,頭厚1mm的鉚釘型觸點(diǎn)。
接著,用以下方法對(duì)經(jīng)上述工序制造出的實(shí)施例1~4及比較例1~3的鉚釘型觸點(diǎn)進(jìn)行評(píng)價(jià)。
溫度上升值的測(cè)定將鉚釘型觸點(diǎn)裝入具有20g接觸力的開閉機(jī)構(gòu)的溫度上升測(cè)定試驗(yàn)機(jī)中,在AC125C、10A的電阻負(fù)荷下進(jìn)行了1萬次的預(yù)開閉后,測(cè)定在AC125V、10A的電阻負(fù)荷下連續(xù)通電中的溫度上升值。觀察試驗(yàn)后的鉚釘型觸點(diǎn)的狀態(tài),研究有無熔敷。還有,實(shí)際開關(guān)中,接觸力多為100g以上,就本試驗(yàn)條件的溫度上升,為加速的試驗(yàn),可認(rèn)為40℃以下為實(shí)用化的水平。
耐熔敷性的研究對(duì)各鉚釘型觸點(diǎn)進(jìn)行了耐熔敷性試驗(yàn)。耐熔敷性試驗(yàn)是將鉚釘型觸點(diǎn)裝入20g接觸力的開閉機(jī)構(gòu)中,在AC125V下以沖擊電流78A、穩(wěn)態(tài)電流5A的TV-5標(biāo)準(zhǔn)的燈為負(fù)荷,開閉1萬5千次,調(diào)查在開閉中有無觸點(diǎn)熔敷的試驗(yàn)。開閉中發(fā)生熔敷,即使是一次也為NG,不發(fā)生熔敷為OK。
表4為溫度上升值的測(cè)定結(jié)果及耐熔敷性的評(píng)價(jià)結(jié)果。從該溫度上升值的測(cè)定結(jié)果可知,實(shí)施例1~4和比較例1、3達(dá)到可實(shí)用化的水平,但比較例2的溫度上升值高升為78℃,較高。這意味著Ag-SnO2-In2O3-NiO系電觸點(diǎn)材料應(yīng)用于開關(guān)時(shí),難以滿足溫度上升的標(biāo)準(zhǔn)。
表4

從耐熔敷性的試驗(yàn)結(jié)果可知,所有的實(shí)施例和比較例2、3都為OK,只有比較例1為NG。無添加元素的Ag-CuO系電觸點(diǎn)材料的耐熔敷性較低。根據(jù)以上的研究,比較例1在耐熔敷性上存在問題,而比較例2在通電中的溫度上升上存在實(shí)用化問題。另外比較例3雖在耐熔敷性、溫度上升上不存在問題,但畢竟是含有Cd的材料,因此會(huì)給今后的實(shí)用化帶來障礙。
材料組織的觀察最后,對(duì)觀察金屬剖面組織(倍率400倍)后的結(jié)果進(jìn)行說明。圖1、2分別為實(shí)施例1、4的剖面組織,圖3、4分別為比較例2、3的剖面組織。實(shí)施例1、4分散著較大的氧化物,具有和比較例3的Ag-CdO系觸點(diǎn)材料相同的剖面組織。而比較例2的剖面組織分散著非常細(xì)微的氧化物。一般認(rèn)為,觸點(diǎn)表面因觸點(diǎn)開閉中所產(chǎn)生的電弧發(fā)生熔融時(shí),氧化物細(xì)微的情況下易發(fā)生氧化物的凝集,由此引起溫度上升。通過剖面組織觀察也驗(yàn)證了比較例3(比較例2)的觸點(diǎn)材料的溫度上升值高。
本發(fā)明所屬的實(shí)施例1、4的電觸點(diǎn)材料由于分散著大的氧化物,因此有利于控制通電過程中的溫度上升,并且還通過添加Te或Bi確保了耐熔敷性。又通過添加In或Zn來改善添加Te或Bi所降低的加工性,是一種更新?lián)Q代的材料。根據(jù)以上所述,本發(fā)明的觸點(diǎn)材料是能夠同時(shí)解決環(huán)境問題、溫度上升問題、耐熔敷性問題這3個(gè)問題的非常優(yōu)異的觸點(diǎn)材料,而這3個(gè)問題以往觸點(diǎn)材料是不能同時(shí)解決的。
權(quán)利要求
1.電觸點(diǎn)材料,其特征在于,使由0.5~10.0重量%的Cu,0.01~1.0重量%的Te,0.5~10.0重量%的In和剩余部分為Ag所構(gòu)成的Ag-Cu-Te-In合金發(fā)生內(nèi)部氧化而形成。
2.電觸點(diǎn)材料,其特征在于,使由0.5~10.0重量%的Cu,0.01~1.0重量%的Te,0.5~10.0重量%的Zn和剩余部分為Ag所構(gòu)成的Ag-Cu-Te-Zn合金發(fā)生內(nèi)部氧化而形成。
3.電觸點(diǎn)材料,其特征在于,使由0.5~10.0重量%的Cu,0.01~1.0重量%的Bi,0.5~10.0重量%的In和剩余部分為Ag所構(gòu)成的Ag-Cu-Bi-In合金發(fā)生內(nèi)部氧化而形成。
4.電觸點(diǎn)材料,其特征在于,使由0.5~10.0重量%的Cu,0.01~1.0重量%的Bi,0.5~10.0重量%的Zn和剩余部分為Ag所構(gòu)成的Ag-Cu-Bi-Zn合金發(fā)生內(nèi)部氧化而形成。
5.開關(guān),其特征在于,使用權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的電觸點(diǎn)材料作為電觸頭。
全文摘要
本發(fā)明為電觸點(diǎn)材料,該電觸點(diǎn)材料通過使在Ag-Cu合金中添加Te或Bi,再添加可改善加工性的In或Zn而形成的合金發(fā)生內(nèi)部氧化制得。在Ag-Cu合金中所添加的Te或Bi不僅保持Ag-CuO系電觸點(diǎn)材料的接觸電阻穩(wěn)定性,而且提高耐熔敷性、耐消耗性。合金中各成分的濃度較好為Cu0.5~10.0重量%,Te或Bi0.01~1.0重量%,In或Zn0.5~10.0重量%。
文檔編號(hào)H01H1/023GK1574135SQ20041004570
公開日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2004年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月27日
發(fā)明者坂口理, 高橋光彌, 柳原宣仁, 山本俊哉 申請(qǐng)人:田中貴金屬工業(yè)株式會(huì)社
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