專利名稱：有機場致發(fā)光顯示設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及有機場致發(fā)光(下面稱為EL)顯示設備，特別是涉及復合結構的有機EL顯示設備。
背景技術：
現(xiàn)有的液晶顯示設備一般使用薄、輕而且平的顯示設備，但是由于液晶顯示設備通過改變液晶方向來控制透射的光，因此存在具有窄域視圖和弱響應特性這一問題。另一方面，近年具有寬域視圖和強響應特性的有源矩陣有機EL顯示設備已經(jīng)引起了人們的注意。由于有機EL元件是自發(fā)光元件，其中，通過在施加電場時從陽極注入的正電子穴和從陰極注入的電子再結合所產(chǎn)生的能量，熒光材料發(fā)射光，因此有機EL顯示元件的可見性是優(yōu)秀的，并且由于它不使用背光光源，因此能夠減少電源的消耗，并且預料可為各種設備充當顯示設備，包括諸如移動電話等便攜式終端設備。
在該有源矩陣有機EL顯示設備中，為了提高顯示性能，需要考察的不僅有EL元件本身的材料和結構，而且有作為開關元件的TFT(薄膜晶體管)的特性，設備的結構，等等。
近些年經(jīng)常使用多晶硅TFT，它使用了具有高承載靈活性的多晶硅膜。在使用玻璃、塑料等作為襯底的情況下，其制造過程使用了在約300℃或更低的低溫時，通過照射激光、紅外線等對非晶硅進行結晶的低溫處理過程。
由于有源矩陣有機EL顯示設備使用了通過這種低溫處理所制造的多晶硅TFT(下面稱為低溫多晶硅TFT)，因此存在兩種結構類型一種結構類型中，低溫多晶硅TFT和有機EL元件在同一個襯底上被放置在一起(下面稱為混合放置結構)，而另一種結構類型中，具有低溫多晶硅TFT形成于其上的襯底(下面稱為TFT電路形成襯底)和具有有機EL元件形成于其上的襯底(下面稱為有機EL元件形成襯底)被粘在一起(下面稱為復合結構)。通過低溫多晶硅TFT制造過程和有機EL元件制造過程，混合放置結構具有能夠可靠和容易地實現(xiàn)有源矩陣有機EL顯示設備的優(yōu)勢，其中低溫多晶硅TFT制造過程和有機EL元件制造過程作為目前已經(jīng)成型的技術，但具有有機EL元件的發(fā)光面積與每一個圖像元件的面積之比(下面稱為孔徑比)尤其在圖像間距變小的情況下會嚴重減小這一缺點，以及由于襯底表面被分成多個其中形成有低溫多晶硅TFT區(qū)域和多個其中形成有有機EL元件的區(qū)域，有機EL層受到TFT的凹陷和突出部分的影響這一缺點。企圖通過增加有機EL元件每單位面積的發(fā)光量來補償孔徑比的減少，會導致產(chǎn)生諸如縮短有機EL元件的壽命和降低發(fā)光效率等缺點?；旌戏胖媒Y構的缺點是，由于它的結構，使得很難在其內(nèi)部形成衍射光柵等，以用于有效地發(fā)射來自襯底外部的有機EL層的光。
復合結構能夠消除混合放置結構所具有的這些缺點。用于復合結構的第一個現(xiàn)有技術，是通過使用銦棒等作為粘合劑將TFT電路形成襯底和有機EL元件形成襯底粘在一起的技術，例如，在日本專利公開發(fā)表第2001-117509號中(參見那篇文檔的圖4)。圖1為根據(jù)這種現(xiàn)有技術的有源矩陣有機EL顯示設備的剖面圖。TFT電路形成襯底101具有TFT120形成于其上，并且它的源極125被電氣連接到互連層109。另一方面，有機EL元件形成襯底102具有透明電極110、有機EL層104和陰極111，其中陰極111為依此順序扁平地形成于其上的每一個圖像元件進行了分區(qū)。使用銦棒130作為粘合劑將這兩個襯底粘在一起，以便有TFT120形成于其上的表面和有有機EL層104形成于其上的襯底相面對。并且，銦棒130將TFT電路形成襯底101的互連層109和有機EL元件形成襯底102的陰極111互相電氣連接到一起。這時，可以施加驅動電壓，使有機EL層104從TFT電路形成襯底101一側發(fā)光到有機EL元件形成襯底102的每一個陰極111。并且理想情況下，可以使這種有源矩陣有機EL顯示設備的孔徑比接近于100％。
用于復合結構的第二個現(xiàn)有技術，是通過使用各向異性導電膠或各向異性導電膜將TFT電路形成襯底的圖像元件電極和有機EL元件形成襯底的陰極相互連接起來，從而將TFT電路形成襯底和有機EL元件形成襯底粘在一起，例如，在日本專利公開發(fā)表第2002-082633號中(參見那篇文檔的圖5)。圖2為根據(jù)這種現(xiàn)有技術的有源矩陣有機EL顯示設備的剖面圖。TFT電路形成襯底201有凹陷形成于其中，并且其中形成有TFT等的微結構220，與這種凹陷相適配，并且互連層209通過保護性絕緣薄膜240中的通孔引出。有機EL元件形成襯底202具有有機EL層204和陰極211，幾乎扁平地堆放在透明電極210上的絕緣層205中形成的每一個開口中，并且陰極211突出于絕緣層205中的每一個開口外部。TFT電路形成襯底201和有機EL元件形成襯底202通過各向異性導電膠或各向異性導電膜(它們在圖中均未示出)粘在一起，以便互連層209和陰極211相面對。
針對復合結構的有機EL顯示設備，本發(fā)明試圖解決的問題如下。
第一個問題是現(xiàn)有復合結構的有機EL顯示設備對來自設備外部的壓力的承受力差。由于有機EL層和有機EL元件形成襯底的陰極到TFT電路形成襯底的互連層的連接在垂直于兩個襯底的主表面的方向上相互重疊，因此在制造過程中的復合處理時，或者在實際使用顯示設備時，當在顯示設備的表面施加壓力的情況下，顯示設備會因為在有機EL元件形成襯底的陰極和陽極之間發(fā)生短路而可能無法顯示。這是由于有機EL層形成了很薄的蒸鍍膜而造成的。由于膜質(zhì)量的易碎性，薄蒸鍍膜容易被從外部施加的力所壓碎。
第二個問題是不容易實現(xiàn)便宜和可靠地將兩個襯底電氣相互連接起來。由于每一個圖像元件必須在顯示設備中相互獨立作用，因此有機EL元件形成襯底的陰極和TFT電路形成襯底的互連層必須被保護于針對每一個圖像元件的電氣連接中。為了例如通過在上述復合結構的第一個現(xiàn)有技術中所使用的銦棒來實現(xiàn)它，必須將成千上萬或更多個剖面直徑為0.2mm長或更短的銦棒以0.2mm或更短的間隔分布于扁平襯底上，以便它們在鄰近的圖像元件之間不互相接觸。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目標是提出能夠防止受到壓力損壞的復合結構的有機EL顯示設備，其中各組成襯底通過上述壓力連接起來，該顯示設備能夠便宜和可靠地將兩個襯底電氣相互連接起來。
本發(fā)明提出的有機場致發(fā)光顯示設備包括包括由依次堆放的第一電極、有機場致發(fā)光層和第二電極組成的發(fā)光區(qū)域的第一襯底和包括用于饋送驅動信號到所述第二電極的連接層的第二襯底，其中所述第一襯底具有連接區(qū)域，在該連接區(qū)域中所述第二電極的一部分與所述發(fā)光區(qū)域是垂直偏移的并且連接到所述第二襯底的所述連接層，并且其中所述連接區(qū)域不位于所述發(fā)光區(qū)域的上面。
由于有機EL元件形成襯底的有機EL層的形成區(qū)域和用于將有機EL元件形成襯底的陰極和TFT電路形成襯底電氣相互連接起來的連接區(qū)域相互隔開，并且在該連接區(qū)域中，形成于從包括有機EL層形成于其上的有機EL元件形成襯底的表面突出的突出連接結構之上的陰極與互連層相接觸，并且該連接區(qū)域到透明襯底表面的垂直投影不與發(fā)光區(qū)域相重疊，因此可以防止有機EL層被來自設備外部的壓力損害，從而在良好生產(chǎn)率下實現(xiàn)了具有強大地抵抗外部壓力和具有高可靠性的有機EL顯示設備。


圖1為根據(jù)現(xiàn)有技術的有機EL顯示設備的剖面圖。
圖2為根據(jù)另一個現(xiàn)有技術的有機EL顯示設備的剖面圖。
圖3為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機EL顯示設備的剖面圖。
圖4為用于解釋圖3的有機EL元件形成襯底的制造過程的制造過程中的剖面圖。
圖5為圖4之后的制造過程中的剖面圖。
圖6為圖5之后的制造過程中的剖面圖。
圖7(a)為沿著圖6的線A-A的剖面圖，并且圖7(b)為沿著圖6的線B-B的剖面圖。
圖8為圖4的制造過程中的另一個剖面圖。
圖9為用于解釋根據(jù)本發(fā)明第二實施例的有機EL元件形成襯底的制造過程的制造過程中的剖面圖。
圖10為圖9之后的制造過程中的剖面圖。
圖11(a)為沿著圖10的線C-C的剖面圖，并且圖11(b)為沿著圖10的線D-D的剖面圖。
具體實施例方式
下面將參考附圖來講述本發(fā)明的一些實施例。為了保證圖形的清潔，這些圖形示出了圖像元件的2×2矩陣結構，并且用來提供TFT電路的TFT結構進行了簡化。
圖3為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機EL顯示設備的剖面圖。如圖3所示，在該實施例的有機EL顯示設備中，通過密封部分3將具有發(fā)光區(qū)域的有機EL元件形成襯底2和具有TFT20的TFT電路形成襯底1在它們周圍的邊緣部分進行密封，同時通過支持結構18來保持它們之間的特定間隔，其中的發(fā)光區(qū)域有透明電極10、有機EL層4和陰極11堆放起來用于玻璃、塑料等透明襯底2’之上的每一個圖像元件，而其中的TFT20形成用于使有機EL層4發(fā)光的圖像元件電路，用于驅動TFT20的驅動電路(圖中未示出)，從形成于襯底1’之上的TFT20等的源極中引出的互連層(圖像元件電極)9。陰極11形成連接區(qū)域，用于通過將它的一部分擴展到突出連接結構的上表面來電氣連接到互連層9。有機EL元件形成襯底2具有存放濕氣吸收劑6的濕氣吸收劑存放區(qū)域12。濕氣吸收劑存放區(qū)域12形成于TFT電路形成襯底1的TFT驅動電路的相對位置。用于輸入用于選擇和驅動TFT的信號的連接端子(未示出)和用于施加在有機EL元件形成襯底2的透明電極10上的陽極等，形成于TFT電路形成襯底之上，并且輸入陽極電壓從TFT電路形成襯底的特定電極通過形成于有機EL元件形成襯底2之上的凸起14和陽極連接布線13施加于透明電極10上。
要實現(xiàn)形成圖像元件電路的TFT20形成于其上的TFT電路形成襯底1，可以使用諸如用于利用激光退火方法或燈退火方法對非晶硅進行微結晶的多晶硅形成技術，利用了半導體制造技術的膜的形成、構圖和蝕刻技術等現(xiàn)有技術，以及其他技術。具體地說，例如，通過CVD處理，將內(nèi)層硅氧化膜21形成于像透明的非堿性玻璃襯底等這種襯底1’之上，并且通過CVD處理，在其上還形成非晶硅膜。
進而，在進行了使用雜質(zhì)摻雜處理的多晶硅形成處理和激光退火處理等處理之后，通過使用被構圖成期望形狀并作為掩模的光阻材料的蝕刻處理，在指定的TFT形成區(qū)域中形成多晶硅7。接著，形成由例如硅氧化物膜組成的柵絕緣膜(圖中未示出)，然后通過構圖由濺射方法形成的例如WSi(鎢硅化物)膜，在其上形成柵電極8。接著，使用柵電極8作為掩模，通過摻雜來形成TFT20，為多晶硅7提供與通過在第一摻雜處理中摻入的雜質(zhì)所給定的導電類型相反的導電類型。在TFT20上，通過CVD方法形成由硅氧化物做成的層間膜22，并且通過平版印刷技術和蝕刻技術，在多晶硅TFT的柵極、源極和漏極區(qū)上分別形成接觸孔(圖中僅示出了源極區(qū)的接觸孔)。進而，在通過濺射方法等形成金屬互連鋁膜之后，通過使用平版印刷技術和蝕刻技術將其構圖成期望形狀，形成互連層，從而完成了制造TFT電路形成襯底1的圖像元件電路的處理過程。用于驅動圖像元件電路等的驅動器電路的制造可以在與制造該圖像元件電路同時進行。
接著，參考圖4～6來講述制造有機EL元件形成襯底2的方法。圖4～6為平面圖，按照用于解釋根據(jù)該實施例的有機EL元件形成襯底制造方法的制造過程順序來分布。在圖4～6中，等價于圖3中那些部件的部件被賦予相同的標號，并且適當省去了對它們的重復性講述。首先，準備了非堿性玻璃襯底，用于TFT電路形成襯底1或等價于它的透明襯底中，其中事先通過蝕刻方法等形成了濕氣吸收劑存放區(qū)域12，用于存放濕氣吸收劑6。
在通過濺射方法等在該透明襯底2’之上形成ITO等的透明傳導膜之后，通過已經(jīng)公開的平版印刷技術和蝕刻技術進行構圖，從而在圖像元件區(qū)域中形成了具有期望形狀的透明電極10，以便以矩陣的形狀形成圖像元件。接著，在透明襯底2’之上形成突出連接結構5，以便將透明電極10的一部分置于它和透明襯底2’之間。并且同時在透明襯底2’的邊緣部分形成支持結構18(圖4)。
在該過程中，當通過濺射方法或CVD方法在襯底全部表面上形成了硅氧化物膜之后，再在其上形成被構圖成期望形狀的光阻材料，并且使用光阻材料為掩模，通過濕蝕刻方法、干蝕刻方法或兩種方法的結合來蝕刻硅氧化物膜，從而能夠實現(xiàn)這些結構。另外，通過使用在有透明電極10形成于其上的襯底上形成具有期望圖案的光敏樹脂、并在約200℃的高溫惰性氣體環(huán)境中通過加熱來烤硬光敏樹脂的方法，也可以實現(xiàn)這些結構。并且如圖3所示，形成該頁橫向上的突出連接結構5的兩側中的至少一側，使得其由于更加遠離透明襯底2’的表面，從而傾斜向突出結構5的內(nèi)部。這可以通過控制蝕刻條件或更大程度地減少在構圖光敏樹脂中所使用的掩模的光透射區(qū)域的周圍部分的透射性能從而更加遠離光透射區(qū)域的中心來實現(xiàn)。
之后，已經(jīng)公開作為有機EL元件結構的組成部分的孔注入層、孔透射層、發(fā)光層、電子傳輸層等，根據(jù)其必要性依次形成，并且形成有機EL層4，以便連接在該頁的橫向上相互鄰接的突出結構5之間(圖5)。該有機EL層4不局限于所述層結構，例如，可以是單個發(fā)光層結構。并且，為了實現(xiàn)具有全色顯示的有機EL設備，形成了所述發(fā)光層，以便通過使用對應于三基色的三種有機EL光發(fā)射材料，使每個圖像元件發(fā)射不同顏色的光。
接著，通過蒸鍍技術，為每個圖像元件形成了由鋰(Li)或鋰化合物和鋁(Al)組成的陰極11(圖6)。如圖6所示，每一個圖像元件的陰極11獨立形成于有機EL層4上，并且擴展覆蓋到在該頁橫向上相互鄰接的兩個突出連接結構5之一(圖6中的右側那個)的上扁平部分。
此時，陰極11從發(fā)光區(qū)域擴展到連接區(qū)域，以便穿過突出連接結構5的傾斜側面。這具有改善陰極11連接到突出連接結構5的膜均一性的功能，同時還具有在該頁橫向上使發(fā)光區(qū)域和連接區(qū)域相互分開的功能。陰極11不僅充當陰極，而且充當布線，用于電氣連接到位于突出連接結構5之上的TFT電路形成襯底的互連層。
在形成陰極11的處理過程中，同時以與陰極11相同的材料形成了陽極連接布線13。陽極連接布線13形成電氣連接，使得可以為分布于該頁的橫向上的所有透明電極10施加同樣的陽極電壓，如圖6所示。進而，為了將陽極連接布線13和TFT電路形成襯底1的指定電極電氣相互連接起來，在陽極連接布線13之上形成由例如銀(Ag)所形成的凸起14。圖7示出了沿著圖6(a)的線A-A和圖6(b)的線B-B的剖面圖。在圖7中，等價于圖6中的組件被賦予相同的標號。
如圖3所示的有機EL顯示設備是通過完成該實施例的制造過程來完成的，其中該實施例的制造過程是通過使用紫外促硬樹脂的密封部分3，在TFT形成表面和有機EL層形成表面相對的情況下，對由上述處理所形成的TFT電路形成襯底1和有機EL元件形成襯底2的外周邊緣進行密封來完成的。如圖3所示，突出連接結構5距透明襯底2’的表面的高度高于在發(fā)光區(qū)域中的陰極11距透明襯底2’的表面的高度。并且在與互連層9進行電氣連接的連接區(qū)域中，形成于從有機EL元件形成襯底2的表面突出出去的突出連接結構5的上表面之上的陰極與互連層9相接觸。因此，即使通過從外部向TFT電路形成襯底1施加壓力，使其改變形狀以接近有機EL元件形成襯底2，有機EL層也不會遭受因為與和它相對的TFT形成襯底發(fā)生接觸而造成的損害。并且其中形成有有機EL層4的發(fā)光區(qū)域和用于與TFT電路形成襯底1的互連層9進行電氣連接的連接區(qū)域在圖像元件中相互分開。
并且由于形成的突出連接結構5的形成有陰極11的側面向著距離透明襯底2’的表面更遠的突出連接結構5的內(nèi)部傾斜，因此連接區(qū)域到透明襯底2’表面的垂直投影不與發(fā)光區(qū)域相重疊。因此，來自外部的壓力沒到達有機EL層。由于上述因素，該實施例的有機EL層顯示設備具有更強的抵抗外部壓力的特征。
進而，進行密封處理，以便在兩個襯底之間密封的空間被填滿經(jīng)過降壓的惰性氣體。當有機EL顯示設備工作于用戶的平常生活環(huán)境中時，這一密封空間的壓力就總是低于大氣的壓力。具體地說，密封空間的壓力將等于或低于0.7個大氣壓(＝710hPa)。由于大氣的壓力與密封空間的壓力之間的差別，所述顯示設備將保持在其表面被大氣的壓力均勻地向下按壓這一狀態(tài)。正由于此，在每個圖像元件的有機EL元件形成襯底2的突出連接結構5之上形成的陰極11和TFT電路形成襯底1的互連層9之間的電氣相互連接保持得很好。
如圖4所示的每個圖像元件的突出連接結構5不需要被分割開來，而是在該頁的垂直方向上可以形成直線的形狀?；蛘呖梢栽谠擁摰臋M向上將它形成直線的形狀，或者形成格子的形狀。并且在上面所述中，在制造該實施例的有機EL顯示設備之前，事先在透明襯底2’中形成了用于存放濕氣吸收劑6的濕氣吸收劑存放區(qū)域12，該區(qū)域12也可以形成于用于形成有機EL層4的任何上述處理過程之間。
并且由于根據(jù)本發(fā)明實施例的有機EL顯示設備的組成使得在所有工作狀態(tài)和環(huán)境中它的內(nèi)壓相對大氣壓均為負值，因此給整個設備施加了均一的壓力，這使得每個圖像元件的具有高可靠性能的有機EL元件形成襯底的陰極和TFT電路形成襯底的互連層電氣相互連接在一起。
并且由于為本發(fā)明的有機EL顯示設備提供了濕氣吸收劑存放區(qū)域，并且進一步提供了沿著襯底周圍的凹槽，因此在復合結構的有機EL顯示設備中可以保持密封空間的低濕度，進而擴大區(qū)域中的密封空間，保持設備內(nèi)部的低濕度并且將濕氣吸收劑的濕氣吸收效應均一地擴展到整個的設備內(nèi)部，并且從而防止了有機EL顯示設備在濕度特性方面的惡化。
并且由于為根據(jù)本發(fā)明實施例的有機EL顯示設備提供了高效率的發(fā)光結構，因此可以實現(xiàn)高效率的有機EL顯示設備。
圖9和圖10為用于解釋根據(jù)本發(fā)明第二實施例的有機EL元件形成襯底的制造處理順序的平面視圖。圖11(a)為沿著圖10的線C-C的剖面圖，并且圖11(b)為沿著圖10的線D-D的剖面圖。
在圖9～11中，等價于圖3～6中那些組件的組件被賦予相同的標號，并且適當省去了對它們的重復性講述。該實施例不同于如圖1～4中所述的第一實施例之處在于，為有機EL元件形成襯底2提供了凹槽15，從沿著透明襯底2’周圍的濕氣吸收劑存放區(qū)域12的兩端形成；和衍射光柵16，形成于透明電極10和透明襯底2’之間，并且還在于使用粘合劑層17將有機EL元件形成襯底2的陰極11和TFT電路形成襯底1的互連層9粘在一起。
凹槽15是在形成濕氣吸收劑存放區(qū)域12的同時形成的。通過提供的凹槽15，使有機EL顯示設備的密封氣體空間更大。在發(fā)生來自襯底周圍的密封部分的濕氣的侵入和/或來自襯底表面的所吸收濕氣釋放時，絕對數(shù)量同樣多的濕氣使得在更大的密封氣體空間中，水蒸氣的壓力更低。
因此，凹槽15具有防止EL有機層的特性因為濕氣而得到惡化的效果。凹槽15具有將濕氣吸收劑9的濕氣吸收效果在整個的密封氣體空間中擴散得更為均勻這一功能。由于此，僅通過在有機EL顯示設備的單個位置放置濕氣吸收劑，例如，在與有TFT電路形成襯底2的驅動電路形成于其中的某區(qū)域的相對位置處，可以有效地將它的濕氣吸收效果擴散到整個密封氣體空間，而且這樣有助于使該設備小型化。
衍射光柵16具有提高來自襯底外部的發(fā)光量與來自透明電極10的發(fā)光量之比的作用。衍射光柵16是通過例如如下處理過程來實現(xiàn)的。
首先，將光阻材料施加于透明襯底2’，并且通過利用由半鏡等所分解的激光束之間的光程差所產(chǎn)生的干涉條紋帶形成了間距有幾百納米的條帶狀或島狀圖案。之后，通過干蝕刻技術，使用這種圖案的光阻材料作為掩膜，將透明襯底2’蝕刻到期望的圖案之中。接著，在除去光阻材料之后，通過諸如CVD方法等膜形成技術，就將諸如例如硅氮化物等折射系數(shù)較高的材料形成于透明襯底2’之上的膜中。進而，通過深蝕刻硅氮化物膜的表面或機械拋光硅氮化物膜的表面，使透明襯底2’的表面扁平化，然后在透明襯底2’的表面之上形成所述的反射光柵16。
在形成衍射光柵之后，根據(jù)該實施例的有機EL元件形成襯底的制造過程與圖4～6的第一實施例的制造過程相同。
也就是說，當在透明襯底2’之上形成了透明電極10和突出連接結構5之后(圖9)，形成了有機EL層4、陰極11和陽極連接布線13等，并且布置了凸起14(圖10)，并且因此完成了根據(jù)該實施例的有機EL元件形成襯底的制造過程。
根據(jù)該實施例的TFT電路形成襯底的制造過程與根據(jù)第一實施例的TFT電路形成襯底的制造過程完全一樣。
該實施例中的密封處理是當在大氣壓環(huán)境中向TFT電路形成襯底1和有機EL元件形成襯底2之間引入惰性氣體時進行的，其中為所述的襯底1和2在它們之間均提供了諸如例如各向異性導電膜等導電膠層。由于有機EL元件形成襯底2的突出連接結構5之上的陰極11和TFT電路形成襯底1的互連層9之間用粘合劑層17粘合并電氣連接在一起，因此可以保持大氣壓下有機EL顯示設備的密封空間，并且在大氣壓環(huán)境下進行密封操作。
綜上所述，根據(jù)圖11的實施例的有機EL顯示設備就實現(xiàn)了。由于該實施例的有機EL顯示設備與圖3的第一實施例的有機EL顯示設備相比具有凹槽15，使得兩個襯底之間的空間中的濕度很難上升，因此可以防止有機EL層因濕氣的影響而得到惡化，并從而實現(xiàn)了長壽命和高可靠性的有機EL顯示設備。
用于有效發(fā)射來自襯底外部的有機EL層的光的這種結構(高效發(fā)射光結構)不僅局限于如上所述的衍射光柵，而且可以是利用了低粗糙度表面上漫反射的散射層，或者是與例如多孔硅石(硅氧化物)等的透明襯底2’相比具有更低的折射系數(shù)的低折射系數(shù)層。
盡管上面對本發(fā)明的講述是基于它的優(yōu)選實施例，但是本發(fā)明的有機EL顯示設備不僅局限于上述各實施例，在不改變本發(fā)明主旨的情況下進行各種修改的任何有機EL顯示設備仍舊落在本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，該應用的有機EL顯示設備不僅局限于有源矩陣類型的液晶顯示設備，而且可以是靜態(tài)驅動類型等的有機EL顯示設備。
權利要求
1.一種有機場致發(fā)光顯示設備，包括包括由依次堆放的第一電極、有機場致發(fā)光層和第二電極組成的發(fā)光區(qū)域的第一襯底和包括用于饋送驅動信號到所述第二電極的連接層的第二襯底，其中所述第一襯底具有連接區(qū)域，在該連接區(qū)域中所述第二電極的一部分與所述發(fā)光區(qū)域是垂直偏移的并且連接到所述第二襯底的所述連接層，并且其中所述連接區(qū)域不位于所述發(fā)光區(qū)域的上面。
2.如權利要求1所述的有機場致發(fā)光顯示設備，其中所述連接區(qū)域具有帶有斜坡的投影。
3.如權利要求1所述的有機場致發(fā)光顯示設備，其中所述第一襯底具有凹陷，用于存放濕氣吸收劑。
4.如權利要求3所述的有機場致發(fā)光顯示設備，其中所述凹陷的形成與其中有所述第二襯底的所述驅動電路的區(qū)域相對。
5.如權利要求3所述的有機場致發(fā)光顯示設備，其中凹槽從沿著所述第一襯底的周圍邊緣部分的所述凹陷延伸出來。
6.如權利要求3所述的有機場致發(fā)光顯示設備，其中凹槽從沿著所述第一襯底的周圍邊緣部分的所述凹陷延伸出來。
7.如權利要求1所述的有機場致發(fā)光顯示設備，其中在所述第一襯底和所述第二襯底之間的氣體空間充滿壓強等于或低于710hPa的惰性氣體。
8.如權利要求1所述的有機場致發(fā)光顯示設備，其中所述第一襯底的所述連接區(qū)域和所述第二襯底的所述連接區(qū)域用粘合劑層粘在一起。
9.如權利要求1所述的有機場致發(fā)光顯示設備，其中在與所述透明電極相接觸的所述第一襯底的表面上形成衍射光柵、比所述第一襯底具有更低折射系數(shù)的低折射系數(shù)層、或者用于散射光的光散射層。
10.如權利要求1所述的有機場致發(fā)光顯示設備，其中所述發(fā)光區(qū)域是以二維矩陣形狀形成的。
全文摘要
一種有機場致發(fā)光顯示設備，包括包括由依次堆放的第一電極、有機場致發(fā)光層和第二電極組成的發(fā)光區(qū)域的第一襯底和包括用于饋送驅動信號到第二電極的連接層的第二襯底。第一襯底具有連接區(qū)域，在該連接區(qū)域中第二電極的一部分與發(fā)光區(qū)域發(fā)生垂直偏移并且連接到第二襯底的連接層。連接區(qū)域不位于所述發(fā)光區(qū)域的上面。
文檔編號H01L51/52GK1551695SQ20041004324
公開日2004年12月1日 申請日期2004年5月14日 優(yōu)先權日2003年5月15日
發(fā)明者井村裕則 申請人:日本電氣株式會社