專利名稱：向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)和向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)的洗滌方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在構(gòu)成用于制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置或半導(dǎo)體裝置的裝置的配管系統(tǒng)中所使用的關(guān)閉閥，特別涉及一種在以供給液體材料為目的的配管系統(tǒng)中所使用、并且能夠有效地進(jìn)行閥內(nèi)部的洗滌和清洗的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
近年來，對于使用例如FeRAM(Ferroelectric-Random-Access-Memory鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)這樣的電容器的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置或半導(dǎo)體裝置，以更高的電容器的高集成化為目的，來探討研究電容率更高的介質(zhì)材料PZT[(Pb，Zr)TiO3]、BST[(Ba，Sr)TiO3]、SBT[SrBi、TayO2]等。這些介質(zhì)材料由CVD法而成膜于薄片上，但是，在薄片上以外的裝置內(nèi)或配管內(nèi)等，生成而附著堆積有(1)由成膜反應(yīng)而生成的副生成物、(2)由與具有相對殘留在配管內(nèi)的介質(zhì)成膜材料的反應(yīng)活性的分子的反應(yīng)而生成的反應(yīng)生成物。附著堆積在該薄片上以外的生成物，會(huì)成為微粒的產(chǎn)生源而導(dǎo)致產(chǎn)品合格率的降低，或者隨著材料供給配管內(nèi)的堵塞而導(dǎo)致材料供給流量不足，或者由堆積在構(gòu)成于材料供給配管系統(tǒng)的閥的閥座而產(chǎn)生閥座泄漏。用于解決這些問題的裝置內(nèi)清洗方法在日本特開2001-176807號(hào)公報(bào)等中被提出，但關(guān)于構(gòu)成裝置的閥內(nèi)部的洗滌和清洗則未被提出。
作為將液體原料供給到氣化器的系統(tǒng)，現(xiàn)有采用的是如圖X所示的系統(tǒng)。也就是說，在原料槽102中插入2根管105a、105b。管105a通過閥103c、管104b、閥V01而與氣體源相連接。在管105a和閥V03的連接中使用接頭103c。即使在其他部分，在管和閥的連接也使用接頭。
另一方面，管105b通過閥V04、管104a、閥V05、管104c、閥V07而與氣化器相連接。
此外，在管104b和管104a之間設(shè)置閥V02。
在向氣化器供給原料液時(shí)，關(guān)閉閥V02、閥V06而打開其他閥。由氣體源，將Ar等惰性氣體吹入到原料槽102內(nèi)。原料槽102內(nèi)的原料液承受壓力，通過管和閥而被壓送到氣化器101。
在成膜結(jié)束時(shí)，進(jìn)行系統(tǒng)的清洗。此時(shí)，關(guān)閉閥V03、閥V04、閥V07而打開其他閥。由氣體源導(dǎo)入氣體時(shí)，氣體通過閥V01、閥V02、閥V05、管104c、閥V06而清洗閥內(nèi)和管104內(nèi)。
但是，原料液通過的管103a、閥V04、管104a內(nèi)未被清洗。也就是說，管104a內(nèi)是成為死區(qū)而仍然殘留原料液。因此，不得不卸下接頭103b而對管104a內(nèi)進(jìn)行清洗。
本發(fā)明的目的通過提供一種以構(gòu)成用于制造由FeRAM所制成的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置或半導(dǎo)體裝置的裝置的液體材料供給為目的的配管系統(tǒng)的閥內(nèi)部的洗滌和清洗變得容易的結(jié)構(gòu)，而達(dá)到實(shí)現(xiàn)洗滌和清洗所需的時(shí)間的縮短和裝置的可靠化的目的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，多個(gè)通路和與該多個(gè)通路相連通的多個(gè)閥被形成在1個(gè)多面體塊體內(nèi)，至少1個(gè)面可通過密封部件而直接與液體供給槽或液體供給目標(biāo)裝置相連接。
本發(fā)明的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，其使用單體閥，該閥使在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有兩個(gè)通路的閥V1、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V2、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V3與該通路一起形成在1個(gè)塊體內(nèi)；閥V1的該一端的通路、閥V1的該另一端的1個(gè)通路、閥V2的該一端的通路、和閥V3的該一端的通路在該塊體外部分別具有開口部A、B、C、D；閥V1的該另一端的另一個(gè)通路、閥V2的該另一端的通路、和閥V3的該另一端的通路是連通的。
本發(fā)明的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，其使用單體閥，該閥使在一端具有一額通路并在另一端具有三個(gè)通路的閥V1、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V2、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V3、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有兩個(gè)通路的閥V4與該通路一起形成在1個(gè)塊體內(nèi)；閥V1的該一端的通路、閥V1的該另一端的1個(gè)通路、閥V2的該一端的通路、閥V4的該一端的通路和閥V4的該另一端的1個(gè)通路是在該塊體外部分別具有開口部A、C、B、D、E；閥V1的該另一端的另一個(gè)通路和閥V2的該另一端的通路是連通的，閥V1的該另一端的再一個(gè)通路和閥V3的一端的通路是連通的，閥V3的另一端的通路和閥V4的另一端的另外通路是連通的。
本發(fā)明的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，其使用單體閥，該閥使在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有兩個(gè)通路的閥V1、在一端具有兩個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V2、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V3、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V4與該通路一起形成在1個(gè)塊體內(nèi)；閥V1的該一端的通路、閥V2的該一端的1個(gè)通路、閥V3的該一端的通路和、閥V4的該一端的通路在該塊體外部分別具有開口部E、C、D、B；閥V1的該另一端的1個(gè)通路和閥V3的該其另一端的通路是連通的，閥V1的該另一端的另一個(gè)通路和閥V2的另一端的通路是連通的，閥V2的一端的另一個(gè)通路和閥V4的另一端的通路是連通的；該單體閥的一端在塊體外部具有開口部A，另一端與連通閥V1的該另一端的另一個(gè)通路和閥V2的另一端的通路的通路相連通。
本發(fā)明的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，其使用單體閥，該閥在一端具有一額通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V1、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有三個(gè)通路的閥V2、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V3、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有兩個(gè)通路的閥V4、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V5與該通路一起形成在1個(gè)塊體內(nèi)；閥V1的該一端的通路、閥V2的該一端的1個(gè)通路、閥V3的該一端的通路、閥V4的該一端的通路、和閥V5的該一端的通路在該塊體外部分別具有開口部B、A、D、E、F；閥V1的該另一端的1個(gè)通路和閥V2的該一端的通路是連通的，閥V2的該另一端的1個(gè)通路和閥V3的另一端的通路是連通的，閥V2的該另一端的另一個(gè)通路和閥V4的另一端的通路是連通的，閥V4的另一端的另一個(gè)通路和閥V5的另一端的通路是連通的；該單體閥的一端在塊體外部具有開口部C，另一端與閥V2的該另一端的再一個(gè)通路相連通。
本發(fā)明的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，使原料溶液在閥內(nèi)的通路中不因表面張力而落下，使凈化氣體在該通路中流動(dòng)。
(作用)為了使閥內(nèi)部的洗滌和清洗變得容易，而考慮成為下述的(1)-(4)為特征的結(jié)構(gòu)的關(guān)閉閥，抑制具有相對閥內(nèi)部的介質(zhì)成膜材料的反應(yīng)活性的分子的殘留。
(1)使停留部變少為了在閥內(nèi)流路有效地實(shí)施濕式洗滌和氣體凈化清洗，而考慮流體的特性(表面張力)和重力，而成為使用了設(shè)計(jì)在閥內(nèi)部的、由流體位置頂部的作用而輔助流入及流出的金屬制隔膜的超高純度流體用閥。
(2)成為內(nèi)容積少的閥成為使用了管(配管)內(nèi)徑小于等于2mm、進(jìn)而與配管內(nèi)徑相配合的例如隔膜外徑尺寸小于等于φ14mm的金屬制隔膜的超高純度流體用閥。此外，通過將該超高純度流體用閥與多個(gè)相同的閥箱(Body(體))組合而構(gòu)成，從而減少內(nèi)容積。
(3)閥內(nèi)部的清洗與使用了在供給液體材料的配管上所構(gòu)成的金屬制隔膜的超高純度流體用閥相對，將以濕式洗滌液和氣體凈化清洗為目的的供給流體的多個(gè)超高純度流體用閥連接在其隔膜室一側(cè)，并且，還在其隔膜室一側(cè)連接以濕式洗滌和氣體凈化清洗為目的的流體的回收用超高純度流體用閥，由此可靠地進(jìn)行使用了在供給液體材料的配管上所構(gòu)成的金屬制隔膜的超高純度流體用閥的隔膜室一側(cè)閥內(nèi)部的濕式洗滌和氣體凈化清洗。
(4)閥和結(jié)構(gòu)部件的連接方法使用了在供給液體材料的配管上所構(gòu)成的金屬制隔膜的超高純度流體用閥、和高純度液體材料供給槽或液體材料氣化器等結(jié)構(gòu)部件的連接是，以減少配管內(nèi)容積為目的，使用金屬制密封部件而將閥直接連接到結(jié)構(gòu)部件上。在此所使用的金屬制密封部件是O型環(huán)、C型環(huán)、金屬墊圈等、形狀和材質(zhì)與使用條件相配合的即可。


圖1是實(shí)施例1的單體閥的示意圖。
圖2是實(shí)施例1的單體閥的示意圖。
圖3是實(shí)施例2的單體閥的示意圖。
圖4是實(shí)施例2的單體閥的示意圖。
圖5是實(shí)施例3的單體閥的示意圖。
圖6是實(shí)施例3的單體閥的示意圖。
圖7是實(shí)施例4的單體閥的示意圖。
圖8是實(shí)施例4的單體閥的示意圖。
圖9是實(shí)施例5的單體閥的示意圖。
圖10是實(shí)施例5的單體閥的示意圖。
圖11是實(shí)施例4、5的單體閥的使用例的示意圖。
圖12是使用了實(shí)施例的單體閥的原料溶液供給系統(tǒng)的示意圖。
圖13是現(xiàn)有例的原料溶液供給系統(tǒng)的示意圖。
具體實(shí)施例方式
(實(shí)施例1)圖1和圖2表示實(shí)施例1的閥。
在本例中，閥使在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有兩個(gè)通路的閥V1、在一端具有一個(gè)通路和在另一端具有一個(gè)通路的閥V2、在一端具有一個(gè)通路和在另一端具有一個(gè)通路的閥V3與該通路一起形成在1個(gè)塊體內(nèi)；閥V1的該一端的通路、閥V1的該另一端的1個(gè)通路、閥V2的該一端的通路、和閥V3的該一端的通路在該塊體外部分別具有開口部A、B、C、D；閥V1的該另一端的另一個(gè)通路、閥V2的該另一端的通路和閥V3的該另一端的通路是連通的。
本例的單體閥X1可以如圖11的閥A所示地使用。
圖11所示的系統(tǒng)是用于將原料溶液供給到MOCVD(有機(jī)金屬化學(xué)汽相淀積)裝置等的氣化器的系統(tǒng)。
單體閥X1與單體閥X2相連接。單體閥X2的詳細(xì)在實(shí)施例2中進(jìn)行敘述。
在從單體閥X1的V2導(dǎo)入壓力氣體(例如He及其他惰性氣體)時(shí)，壓力氣體經(jīng)由V1，通過單體閥X2的閥V4而被導(dǎo)入到原料溶液槽21。在原料溶液槽中，原料溶液由壓力氣體的壓力而被擠出，通過單體閥X2的閥V1，經(jīng)由單體閥X3、X4而被送到氣化器。
此外，就本例的單體閥而言，如果使開口部A成為洗滌劑入口，開口部C成為壓送用氣體入口，開口部D成為凈化氣體入口，開口部B成為出口，則也可以用于供給系統(tǒng)的洗滌。
也就是說，首先，從單體閥X1的閥V1導(dǎo)入洗滌劑。洗滌劑經(jīng)由單體閥X2的閥V3、V2而被導(dǎo)入到單體閥X3。洗滌劑還流過單體閥X3的閥V2、單體閥X4的閥V2。由此，進(jìn)行原料溶液通過的通路的洗滌。
在由洗滌劑進(jìn)行洗滌后，從單體閥X1的閥V3導(dǎo)入例如Ar氣體等惰性氣體而作為凈化氣體。路徑是與洗滌劑相同的路徑。由該凈化氣體而除去殘留在通路內(nèi)的洗滌劑。
此外，也可以在由洗滌劑進(jìn)行洗滌前，進(jìn)行凈化氣體的凈化。特別是在維持不使原料溶液因表面張力而落下的狀態(tài)的情況下很有效。在通路內(nèi)徑例如成為2mm以下時(shí)，原料溶液不落下而存在于通路中。也就是說，以浮游狀態(tài)存在于通路中。在該狀態(tài)下，在流動(dòng)凈化氣體時(shí)，存在于通路中的原料溶液容易從通路的內(nèi)壁脫離。脫離的原料溶液被凈化氣體搬運(yùn)而與凈化氣體一起被送出到系統(tǒng)外。在原料溶液落下時(shí)，即使使凈化氣體流動(dòng)，也難以使滯留在落下點(diǎn)的原料溶液從落下點(diǎn)提升。此外，即使使溶解原料溶液的溶劑流動(dòng)，也不得不等待由原料溶液的擴(kuò)散進(jìn)行的除去。與此相對，如果由表面張力而成為浮起的狀態(tài)，則用于進(jìn)行脫離的力是成為所謂表面張力的微弱力，因此，極其容易進(jìn)行脫離。
此外，作為原料溶液，列舉例如Sr(DPM)2、Bi(C6H5)3、Ta(OC2H5)5、THF及其他多個(gè)。
此外，作為洗滌劑，可以使用溶解原料溶液的溶劑。
由開口部A開始至開口部B的通路是最好是水平或下降的。由此，可在停止了原料溶液供給的狀態(tài)下，防止原料溶液滯留。因此，首先，適當(dāng)?shù)剡x擇單體閥內(nèi)的通路的方向和角度。接著，在圖1所示的方向和角度的通路的情況下，可以安裝單體閥以使由箭頭所示的頂面朝向上方。
此外，開口部A最好形成為平坦面?？梢杂沙蔀槠教姑娑煌ㄟ^接頭，與其他裝置相連接?？梢酝ㄟ^密封部件而其他裝置相連接。例如，可以通過由NiTi構(gòu)成的超彈性金屬材料制管狀墊圈而進(jìn)行由螺栓所形成的凸緣連接。如果進(jìn)行相關(guān)連接，則可以防止現(xiàn)有例中所述的死區(qū)的產(chǎn)生。原料溶液供給系統(tǒng)的洗滌變得極為容易。
(實(shí)施例2)圖3和圖4表示本實(shí)施例的單體閥。
在本例中，閥使在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有三個(gè)通路的閥V1、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V2、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V3、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有兩個(gè)通路的閥V4與該通路一起形成在1個(gè)塊體內(nèi)；閥V1的該一端的通路、閥V1的該另一端的1個(gè)通路、閥V2的該一端的通路、閥V4的該一端的通路和閥V4的該另一端的1個(gè)通路在該塊體外部分別具有開口部A、C、B、D、E；閥V1的該另一端的另一個(gè)通路和閥V2的該另一端的通路是連通的，閥V1的該另一端的再一個(gè)通路和閥V3的一端的通路是連通的，閥V3的另一端的通路和閥V4的另一端的另一個(gè)通路是連通的。
本例的單體閥可使開口部A成為原料溶液入口，開口部B成為真空排氣口，開口部C成為原料溶液出口，開口部D成為壓力氣體出口，開口部E成為壓力氣體入口。使用例如圖11所示。X2是本例的單體閥。由此，可從原料溶液槽21將原料溶液送到氣化器。
此外，從開口部A到開口部C的路徑最好是水平或下降的。
此外，如果開口部A和開口部D形成為平坦面，則能夠不通過接頭而使單體閥X2與原料溶液槽21相連接。密封與實(shí)施例1所述的相同即可。
(實(shí)施例3)圖5和圖6表示本例的單體閥。
本例的單體閥使在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有兩個(gè)通路的閥V1、在一端具有兩個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V2、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V3、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V4與該通路一起形成在1個(gè)塊體內(nèi)；閥V1的該一端的通路、閥V2的該一端的1個(gè)通路、閥V3的該一端的通路、和閥V4的該一端的通路在該塊體外部分別具有開口部E、C、D、B；閥V1的該另一端的1個(gè)通路和閥V3的該另一端的通路是連通的，閥V1的該另一端的另一個(gè)通路和閥V2的另一端的通路是連通的，閥V2的一端的另一個(gè)通路和閥V4的另一端的通路是連通的；一端在塊體外部具有開口部A，另一端與連通閥V1的該另一端的另一個(gè)通路和閥V2的另一端通路的通路相連通。
在本例的單體閥中，最好使開口部A成為原料溶液出口，開口部B成為真空排氣口，開口部C成為原料溶液入口，開口部D成為凈化氣體入口，開口部E成為洗滌劑入口。由此，可在圖12中實(shí)現(xiàn)X3所示的使用方法。
此外，從開口部C到開口部A的路徑最好是水平或下降的。
最好，在原料溶液源和開口部C間設(shè)置質(zhì)量流控制器。
(實(shí)施例4)圖7和圖8表示實(shí)施例4的單體閥。
本例的單體閥使在一端具有一個(gè)通路并在其他端具有一個(gè)通路的閥V1、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有三個(gè)通路的閥V2、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V3、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有兩個(gè)通路的閥V4、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V5與該通路一起形成在1個(gè)塊體內(nèi)；閥V1的該一端的通路、閥V2的該一端的1個(gè)通路、閥V3的該一端的通路、閥V4的該一端的通路、和閥V5的該一端的通路在該塊體外部分別具有開口部B、A、D、E、F；閥V1的該另一端的1個(gè)通路和閥V2的該一端的通路是連通的，閥V2的該另一端的1個(gè)通路和閥V3的另一端的通路是連通的，閥V2的該另一端的另一個(gè)通路和閥V4的另一端的通路是連通的，閥V4的另一端的另一個(gè)通路和閥V5的另一端的通路是連通的；一端在塊體外部具有開口部C，另一端與閥V2的該另一端的再一個(gè)通路相連通。
使開口部A成為混合原料溶液出口，開口部B成為原料溶液入口，開口部C成為其他原料溶液入口，開口部D成為真空排氣口，開口部E成為洗滌劑入口，開口部Fwo成為凈化氣體入口，由此可實(shí)現(xiàn)如圖12所示的使用。
此外，從開口部B和C到開口部A的路徑最好是水平或下降的。
此外，技術(shù)方案10到12任一項(xiàng)所述的單體閥，最好在原料溶液源和開口部C之間設(shè)置質(zhì)量流控制器。
此外，開口部A是最好是形成于平坦面?？梢越宕硕煌高^接頭，來將單體閥安裝在氣化器。
(實(shí)施例5)圖9和圖10表示實(shí)施例11的單體閥。
在俯視圖中，本例的單體閥和實(shí)施例4所示的單體閥成為以紙面為鏡子的鏡面對稱。
因此，如圖11所示，可以相對于安裝對象而左右對稱地安裝實(shí)施例4的單體閥和本例的單體閥。
在以上的實(shí)施例中，閥最好是隔膜閥。
此外，是否由表面張力保持原料溶液是隨著原料溶液的粘土、通路內(nèi)壁的表面粗糙度、通路的內(nèi)徑、原料溶液的溫度等而改變，但是，在MOCVD用原料溶液的情況下，最好是通路內(nèi)徑小于等于2mm。更好的是小于等于1mm。下限是可能加工值。
產(chǎn)業(yè)上的利用領(lǐng)域根據(jù)本發(fā)明，能夠在短時(shí)間且容易地進(jìn)行單體閥內(nèi)和原料溶液供給線的洗滌。
而且，副生成物或反應(yīng)生成物的殘留極少。
權(quán)利要求
1.一種向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，多個(gè)通路和與該多個(gè)通路相連通的多個(gè)閥被形成在1個(gè)多面體塊體內(nèi)，至少1個(gè)面可通過密封部件直接與液體供給槽或液體供給目標(biāo)裝置相連接的隔斷閥被安裝在原料溶液槽或氣化器上。
2.一種向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，其使用單體閥，該閥使在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有兩個(gè)通路的閥V1、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V2、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V3與該通路一起形成在1個(gè)塊體內(nèi)，閥V1的該一端的通路、閥V1的該另一端的1個(gè)通路、閥V2的該一端的通路、和閥V3的該一端的通路在該塊體外部分別具有開口部A、B、C、D，閥V1的該另一端的另一個(gè)通路、閥V2的該另一端的通路、和閥V3的該另一端的通路是連通的。
3.如權(quán)利要求2所述的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，使開口部A成為洗滌劑入口，使開口部C成為壓送用氣體入口，使開口部D成為凈化氣體入口，使開口部B成為出口。
4.如權(quán)利要求3所述的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，從開口部A到開口部B的路徑是水平或下降的。
5.如權(quán)利要求2到4中任一項(xiàng)所述的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，開口部A被形成為平坦面。
6.一種向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，其使用單體閥，該閥使在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有三個(gè)通路的閥V1、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V2、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V3、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有兩個(gè)通路的閥V4與該通路一起形成在1個(gè)塊體內(nèi)，閥V1的該一端的通路、閥V1的該另一端的1個(gè)通路、閥V2的該一端的通路、閥V4的該一端的通路和閥V4的該另一端的1個(gè)通路在該塊體外部分別具有開口部A、C、B、D、E，閥V1的該另一端的另一個(gè)通路和閥V2的該另一端的通路是連通的，閥V1的該另一端的再一個(gè)通路和閥V3的一端的通路是連通的，閥V3的另一端的通路和閥V4的另一端的另一個(gè)通路是連通的。
7.如權(quán)利要求6所述的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，使開口部A成為原料溶液入口，使開口部B成為真空排氣口，使開口部C成為原料溶液出口，使開口部D成為壓力氣體出口，使開口部E成為壓力氣體入口。
8.如權(quán)利要求7所述的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，從開口部A到開口部C的路徑是水平或下降的。
9.如權(quán)利要求7或8所述的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，開口部A及開口部D被形成為平坦面。
10.一種向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，其使用單體閥，該閥使在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有兩個(gè)通路的閥V1、在一端具有兩個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V2、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V3、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V4與該通路一起形成在1個(gè)塊體內(nèi)，閥V1的該一端的通路、閥V2的該一端的1個(gè)通路、閥V3的該一端的通路、和閥V4的該一端的通路在該塊體外部分別具有開口部E、C、D、B，閥V1的該另一端的1個(gè)通路和閥V3的該另一端的通路是連通的，閥V1的該另一端的另一個(gè)通路和閥V2的另一端的通路是連通的，閥V2的一端的另一個(gè)通路和閥V4的另一端的通路是連通的，該單體閥的一端在塊體外部具有開口部A，另一端與連通閥V1的該另一端的另一個(gè)通路和閥V2的另一端的通路的通路相連通。
11.如權(quán)利要求10所述的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，使開口部A成為原料溶液出口，使開口部B成為真空排氣口，使開口部C成為原料溶液入口，使開口部D成為凈化氣體入口，使開口部E成為洗滌劑入口。
12.如權(quán)利要求11所述的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，從開口部C到開口部A的路徑是水平或下降的。
13.如權(quán)利要求10到12的任一項(xiàng)所述的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，在原料溶液源和開口部C之間設(shè)置有質(zhì)量流控制器。
14.一種向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，其使用單體閥，該閥使在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V1、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有三個(gè)通路的閥V2、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V3、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有兩個(gè)通路的閥V4、在一端具有一個(gè)通路并在另一端具有一個(gè)通路的閥V5與該通路一起形成在1個(gè)塊體內(nèi)，閥V1的該一端的通路、閥V2的該一端的1個(gè)通路、閥V3的該一端的通路、閥V4的該一端的通路、和閥V5的該一端的通路在該塊體外部分別具有開口部B、A、D、E、F，閥V1的該另一端的1個(gè)通路和閥V2的該一端的通路是連通的，閥V2的該另一端的1個(gè)通路和閥V3的另一端的通路是連通的，閥V2的該另一端的另一個(gè)通路和閥V4的另一端的通路是連通的，閥V4的另一端的另一個(gè)通路和閥V5的另一端的通路是連通的，該單體閥的一端在塊體外部具有開口部C，另一端與閥V2的該另一端的再一個(gè)通路相連通。
15.如權(quán)利要求14所述的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，使開口部A成為混合原料溶液出口，使開口部B成為原料溶液入口，使開口部C成為另一原料溶液入口，使開口部D成為真空排氣口，使開口部E成為洗滌劑入口，使開口部F成為凈化氣體入口。
16.如權(quán)利要求15所述的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，從開口部B和C到開口部A的路徑是水平或下降的。
17.如權(quán)利要求10到12項(xiàng)的任一項(xiàng)所述的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，在原料溶液源和開口部C之間設(shè)置有質(zhì)量流控制器。
18.如權(quán)利要求14到17的任一項(xiàng)所述的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，開口部A被形成為平坦面。
19.如權(quán)利要求18所述的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，在前述平坦面上，可通過密封部件而直接安裝氣化器。
20.如權(quán)利要求1到19的任一項(xiàng)所述的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，前述閥是隔膜閥。
21.如權(quán)利要求1到20的任一項(xiàng)所述的向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)，其特征在于，通路內(nèi)徑小于等于2mm。
22.一種向氣化器供給原料溶液的系統(tǒng)的洗滌方法，其特征在于，使原料溶液在閥內(nèi)的通路中不因表面張力而落下，使凈化氣體在該通路中流動(dòng)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠在短時(shí)間且容易地進(jìn)行單體閥內(nèi)和原料溶液供給線的洗滌的單體閥。提供一種副生成物或反應(yīng)生成物的殘留極為少的單體閥。減少閥內(nèi)的停留部，減少內(nèi)容積。與液體材料供給槽或液體材料氣化器等結(jié)構(gòu)部件的連接是，以配管內(nèi)容積的減低為目的，使用金屬制密封部件，并將閥直接與結(jié)構(gòu)部件連接。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1720413SQ20038010479
公開日2006年1月11日 申請日期2003年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月2日
發(fā)明者深川滿 申請人:株式會(huì)社渡邊商行