專利名稱：具有薄膜晶體管的平板顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到包括薄膜晶體管(TFT)的有源矩陣型平板顯示器，更確切地說是涉及到包括TFT的平板顯示器，此TFT具有多晶硅作為有源層以及開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的有源層溝道區(qū)的不同晶化結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
諸如液晶顯示器件、有機(jī)電致發(fā)光顯示器件、或無機(jī)電致發(fā)光顯示器件之類的平板顯示器件中的薄膜晶體管(TFT)，被用作開關(guān)器件來控制象素的工作，并被用作驅(qū)動(dòng)器件來驅(qū)動(dòng)象素。
TFT包括具有摻有高濃度雜質(zhì)的漏區(qū)和源區(qū)以及形成在漏區(qū)與源區(qū)之間的溝道區(qū)的半導(dǎo)體有源層、形成在半導(dǎo)體有源層上的柵絕緣層、以及形成在位于有源層溝道區(qū)上部上的柵絕緣層上的柵電極。根據(jù)硅的晶化狀態(tài)，半導(dǎo)體有源層可以被分類為非晶硅或多晶硅。
采用非晶硅的TFT的優(yōu)點(diǎn)在于能夠在低溫下進(jìn)行淀積，但其缺點(diǎn)在于TFT的電學(xué)性質(zhì)和可靠性變壞。而且難以制造較大的顯示器件。于是，新近開始采用多晶硅。多晶硅具有約為幾十到幾百cm2/Vs的較高遷移率以及低的高頻工作性質(zhì)和泄漏電流值。于是，多晶硅適合用于高分辨率的大尺寸平板顯示器。
如上所述，TFT被用作平板顯示器中象素的開關(guān)器件或驅(qū)動(dòng)器件。具有有源驅(qū)動(dòng)方法的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，在每個(gè)子象素中包括至少2個(gè)TFT。
有機(jī)電致發(fā)光器件在陽極電極與陰極電極之間具有由有機(jī)材料組成的發(fā)光層。在有機(jī)電致發(fā)光器件中，當(dāng)正電壓和負(fù)電壓被分別施加到各電極時(shí)，從陽極電極注入的空穴通過空穴輸運(yùn)層被移動(dòng)到發(fā)光層，且電子通過電子輸運(yùn)層從陰極電極被注入到發(fā)光層中?？昭ê碗娮釉诎l(fā)光層上被復(fù)合，從而產(chǎn)生激子。激子從激發(fā)態(tài)被改變到基態(tài)，且因此，發(fā)光層中的發(fā)光分子就輻射以形成圖象。在全色電致發(fā)光顯示器的情況下，輻射紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的象素被排列作為電致發(fā)光器件以實(shí)現(xiàn)全色。
在有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件中，要求具有高分辨率的平板，但用高功能多晶硅制作的上述TFT在此情況下引起一些問題。
亦即，在諸如有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件之類的有源矩陣型平板顯示器件中，開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT由多晶硅制成。于是，開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT具有相同的電流遷移率。因此，開關(guān)TFT的開關(guān)性質(zhì)和驅(qū)動(dòng)TFT的低電流驅(qū)動(dòng)性質(zhì)無法同時(shí)滿足。亦即，當(dāng)高分辨率顯示器件的驅(qū)動(dòng)TFT和開關(guān)TFT用具有較大電流遷移率的多晶硅制造時(shí)，無法得到開關(guān)TFT的高的開關(guān)性質(zhì)，但由于通過驅(qū)動(dòng)TFT流向電致發(fā)光(EL)器件的電流量增大而使亮度變得太大。于是，器件單位面積的電流密度增大，EL器件的壽命則縮短。
另一方面，當(dāng)顯示器件的開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT用電流遷移率低的非晶硅制造時(shí)，TFT應(yīng)該以驅(qū)動(dòng)TFT使用小電流而開關(guān)TFT使用大電流的方式被制造。
為了解決上述問題，提供了用來限制流過驅(qū)動(dòng)TFT的電流的各種方法，例如借助于降低驅(qū)動(dòng)TFT的長度對寬度的比率(W/L)來增大溝道區(qū)的電阻的方法以及借助于在驅(qū)動(dòng)TFT的源/漏區(qū)上形成輕摻雜區(qū)域來增大電阻的方法。
然而，在借助于增大長度來降低W/L的方法中，溝道區(qū)的長度增大了，于是在溝道區(qū)上形成條形并減小了準(zhǔn)分子激光退火(ELA)方法的晶化工藝中的光圈面積。借助于減小寬度來降低W/L的方法受到光刻工藝設(shè)計(jì)規(guī)則的限制，且難以確保TFT的可靠性。
而且，借助于形成輕摻雜區(qū)域來增大電阻的方法要求額外的摻雜工藝。
在美國專利No.6337232中，公開了一種借助于減小溝道區(qū)厚度來提高TFT性質(zhì)的方法。
在日本專利公開No.2001-109399中，公開了用來降低驅(qū)動(dòng)TFT的長度對寬度的比率的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種平板顯示器，其中，在無須改變TFT有源層的尺寸的情況下，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)的開態(tài)電流被降低，同時(shí)施加在其上的驅(qū)動(dòng)電壓保持恒定。
本發(fā)明分別提供了能夠保持開關(guān)TFT的高開關(guān)性質(zhì)、由驅(qū)動(dòng)TFT滿足均勻亮度、以及保持發(fā)光器件的使用壽命的平板顯示器。
根據(jù)本發(fā)明的一種情況，提供了一種平板顯示器件，它包含發(fā)光器件、包括具有用來將數(shù)據(jù)信號(hào)傳送到發(fā)光器件的溝道區(qū)的半導(dǎo)體有源層的開關(guān)薄膜晶體管、以及包括具有至少一個(gè)用來驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件致使預(yù)定的電流量根據(jù)數(shù)據(jù)信號(hào)流過發(fā)光器件的溝道區(qū)的半導(dǎo)體有源層的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，開關(guān)薄膜晶體管溝道區(qū)的晶粒至少在尺寸和形狀中的一個(gè)方面不同于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管溝道區(qū)中的晶粒。
在本發(fā)明的各種實(shí)施方案中，開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的溝道區(qū)中的電流遷移率由于各自的晶粒形狀而彼此不同。
在本發(fā)明的各種實(shí)施方案中，開關(guān)TFT的溝道區(qū)中的電流遷移率由于溝道區(qū)上的晶粒形狀而可以大于驅(qū)動(dòng)TFT的溝道區(qū)中的電流遷移率。
在本發(fā)明的各種實(shí)施方案中，開關(guān)TFT的溝道區(qū)的晶粒的尺寸不同于驅(qū)動(dòng)TFT的溝道區(qū)中的晶粒的尺寸。
在本發(fā)明的各種實(shí)施方案中，開關(guān)TFT的溝道區(qū)中的電流遷移率由于各自的晶粒尺寸而可以大于驅(qū)動(dòng)TFT的溝道區(qū)中的電流遷移率。
在本發(fā)明的各種實(shí)施方案中，在開關(guān)TFT與驅(qū)動(dòng)TFT之間要求較大電流遷移率的TFT的溝道區(qū)中的晶粒的尺寸，可以大于另一TFT的溝道區(qū)中的晶粒的尺寸。
在本發(fā)明的各種實(shí)施方案中，開關(guān)TFT的溝道區(qū)上的晶粒的尺寸可以大于驅(qū)動(dòng)TFT的溝道區(qū)中的晶粒的尺寸。
在本發(fā)明的各種實(shí)施方案中，開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的溝道區(qū)可以具有不同形狀的晶粒。
在開關(guān)TFT與驅(qū)動(dòng)TFT之間，要求較低電流遷移率的TFT的溝道區(qū)可以具有非晶形狀的晶粒邊界。
在本發(fā)明的各種實(shí)施方案中，要電流遷移率比具有非晶晶粒邊界的TFT的電流遷移率大的TFT溝道區(qū)中的晶粒，可以包括基本上平行的主要晶粒邊界以及從主要晶粒邊界基本上垂直地延伸在主要晶粒邊界之間的次要晶粒邊界，且主要晶粒邊界可以被形成為條形或正方形。
在本發(fā)明的各種實(shí)施方案中，在開關(guān)TFT與驅(qū)動(dòng)TFT之間要求較高電流遷移率的TFT溝道區(qū)中的晶粒，可以包括基本上平行的主要晶粒邊界以及基本上垂直地延伸在主要晶粒邊界之間并被排列的次要晶粒邊界，且它們之間的平均間距小于主要晶粒邊界之間的平均間距，主要晶粒邊界可以被形成具有條形，且溝道區(qū)可以被安排成使電流的方向基本上垂直于主要晶粒邊界。
在本發(fā)明的各種實(shí)施方案中，要求電流遷移率低于具有條形主要晶粒邊界的TFT的電流遷移率的TFT溝道區(qū)，可以具有非晶形狀的晶粒邊界和/或具有基本上正方形形狀的主要晶粒邊界。
在本發(fā)明的各種實(shí)施方案中，在開關(guān)TFT與驅(qū)動(dòng)TFT之間，要求較高電流遷移率的TFT溝道區(qū)中的晶粒，可以包括基本上平行的主要晶粒邊界以及在主要晶粒邊界之間基本上垂直地延伸的次要晶粒邊界，且主要晶粒邊界可以被形成為基本上正方形形狀。
在本發(fā)明的各種實(shí)施方案中，驅(qū)動(dòng)TFT的溝道區(qū)中的晶?？梢跃哂蟹蔷螤畹木Я＿吔纭?br> 在本發(fā)明的各種實(shí)施方案中，開關(guān)TFT的溝道區(qū)中的晶?？梢跃哂谢旧掀叫械闹饕Я＿吔缫约皬闹饕Я＿吔缁旧洗怪钡匮由煸谥饕Я＿吔缰g的次要晶粒邊界，且主要晶粒邊界可以被形成為條形或正方形。
在本發(fā)明的各種實(shí)施方案中，開關(guān)TFT溝道區(qū)上的晶?？梢跃哂谢旧掀叫械闹饕Я＿吔缫约皬闹饕Я＿吔缁旧洗怪钡匮由煸谥饕Я＿吔缰g的次要晶粒邊界，且主要晶粒邊界可以基本上被形成為條形形狀。
在本發(fā)明的各種實(shí)施方案中，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的溝道區(qū)中的晶?？梢跃哂蟹蔷螤畹木Я＿吔绾?或具有基本上正方形形狀的主要晶粒邊界。
在本發(fā)明的各種實(shí)施方案中，開關(guān)薄膜晶體管的溝道區(qū)上的晶?？梢跃哂谢旧掀叫械闹饕Я＿吔缫约皬闹饕Я＿吔缁旧洗怪钡匮由煸谥饕Я＿吔缰g的次要晶粒邊界，且主要晶粒邊界可以被形成為基本上正方形形狀。
在本發(fā)明的各種實(shí)施方案中，有源層的溝道區(qū)可以用多晶硅來形成，且此多晶硅可以用激光晶化方法來形成。


借助于參照附圖詳細(xì)地描述其示例性實(shí)施方案，本發(fā)明的上述和其它的特點(diǎn)將變得更為明顯。
圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方案的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示器中薄膜晶體管(TFT)的有源層結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖2是形成TFT有源層的多晶硅薄膜中形狀彼此不同的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖3曲線示出了溝道區(qū)給定長度內(nèi)主要晶粒邊界的角度與溝道區(qū)上的電流遷移率之間的關(guān)系。
圖4是在TFT被制作在圖2的不同晶化結(jié)構(gòu)上的情況下，各個(gè)有源層的電流遷移率之間的比率的曲線。
圖5是其中第一有源層被形成在第一晶化結(jié)構(gòu)上，而第二有源層形成在第二晶化層上的情況的平面圖。
圖6是平面圖，示出了第一有源層被形成在第一晶化結(jié)構(gòu)上，而第二有源層被形成在第三晶化結(jié)構(gòu)上。
圖7是第一有源層被形成在第二晶化結(jié)構(gòu)上，而第二有源層被形成在第三晶化結(jié)構(gòu)的情況的平面圖。
圖8是第一有源層和第二有源層被形成在具有不同尺寸的晶化結(jié)構(gòu)的多晶硅薄膜上的情況的平面圖。
圖9是在準(zhǔn)分子激光退火(ELA)晶化方法中能量密度與晶粒尺寸之間的關(guān)系曲線。
圖10是晶粒尺寸與電流遷移率之間的關(guān)系曲線。
圖11是圖1所示象素的子象素的局部放大平面圖。
圖12是圖11所示單元象素的等效電路圖。
圖13是沿圖11中IV-IV線的剖面圖。
圖14是沿圖11中V-V線的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方案的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示器中薄膜晶體管(TFT)的有源層結(jié)構(gòu)的平面圖。如圖1所示，紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)子象素沿縱向(上下方向)被重復(fù)排列在有機(jī)電致發(fā)光顯示器的象素中。但象素的排列不局限于上述結(jié)構(gòu)，且各個(gè)顏色的子象素能夠被排列成諸如鑲嵌圖形或網(wǎng)格型圖形之類的各種圖形來構(gòu)成象素。而且，單色平板顯示器能夠被用來代替圖1所示的全色平板顯示器。
在有機(jī)電致發(fā)光顯示器中，多個(gè)柵線51沿橫向(左右方向)被排列，而多個(gè)數(shù)據(jù)線52沿縱向被排列。而且，用來饋送驅(qū)動(dòng)電壓(Vdd)的驅(qū)動(dòng)線53沿縱向被排列。柵線51、數(shù)據(jù)線52、以及驅(qū)動(dòng)線53被排列成環(huán)繞一個(gè)子象素。
在上述構(gòu)造中，各個(gè)R、G、B象素的子象素包括諸如開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的至少二個(gè)TFT。開關(guān)TFT根據(jù)柵線51的信號(hào)，將數(shù)據(jù)信號(hào)傳送到發(fā)光器件，以便控制發(fā)光器件的工作，而驅(qū)動(dòng)TFT對發(fā)光器件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，致使預(yù)定的電流根據(jù)數(shù)據(jù)信號(hào)而在發(fā)光器件上流動(dòng)。TFT的數(shù)目和TFT的安排，例如開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的安排，可以根據(jù)顯示器件的性質(zhì)和顯示器件的驅(qū)動(dòng)方法而被改變，TFT能夠以各種方式被安排。
開關(guān)TFT 10和驅(qū)動(dòng)TFT 20分別包括第一有源層11和第二有源層21。各個(gè)半導(dǎo)體有源層以及有源層11和21包括稍后要描述的溝道區(qū)(未示出)。溝道區(qū)是沿電流流動(dòng)方向位于第一有源層11和第二有源層21的中央位置上的一些區(qū)域。
如圖1所示，在形成R、G、B象素的子象素中，包括在開關(guān)TFT 10中的第一有源層11和包括在驅(qū)動(dòng)TFT 20中的第二有源層21，能夠被形成為使第一有源層11和第二有源層21具有不同的晶粒。第一有源層11和第二有源層21能夠被形成為共用于R、G、B象素。但第一有源層11和第二有源層21也能夠?qū)、G、B不同地被形成，使得能夠借助于在形成驅(qū)動(dòng)TFT 20的第二有源層21上對不同顏色形成不同晶粒而保持白色平衡(圖中未示出)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案，可以用多晶硅薄膜來形成第一有源層11和第二有源層21?？梢圆煌匦纬捎啥嗑Ч璞∧ぶ谱鞯牡谝挥性磳?1和第二有源層21。在圖1所示的本發(fā)明實(shí)施方案中，第一有源層11和第二有源層21能夠被形成為具有不同形狀的晶粒。此處，第一有源層11和第二有源層21溝道區(qū)上的晶粒具有彼此不同的形狀就足夠了，但整個(gè)第一和第二有源層11和21上的晶粒由于結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中的復(fù)雜性而具有不同的形狀。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，由于開關(guān)TFT 10的第一有源層11以及驅(qū)動(dòng)TFT 20的第二有源層21的溝道區(qū)上的晶粒具有不同的形狀，故在為了得到高分辨率而使各個(gè)有源層具有相同的尺寸的情況下，從驅(qū)動(dòng)TFT傳送到發(fā)光器件的電流被減小了。
如上所述，在有機(jī)電致發(fā)光顯示器中，為了制作適合于高分辨率，特別是適合于小尺寸的高分辨率的TFT，提高了開關(guān)TFT的開態(tài)電流，并降低了驅(qū)動(dòng)TFT的開態(tài)電流。在本發(fā)明中，借助于將TFT有源層上的晶粒形成為具有不同的形狀，來控制TFT的開態(tài)電流。亦即，借助于控制開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的有源層上的晶粒的形狀，增大了開關(guān)TFT的開態(tài)電流，并降低了驅(qū)動(dòng)TFT的開態(tài)電流。
因此，能夠根據(jù)有源層溝道區(qū)中的電流遷移率，來確定開關(guān)TFT的有源層上的晶粒形狀和驅(qū)動(dòng)TFT的有源層上的晶粒形狀。當(dāng)有源層溝道區(qū)中的電流遷移率大時(shí)，開態(tài)電流變大，而當(dāng)溝道區(qū)中的電流遷移率小時(shí)，開態(tài)電流變小。結(jié)果，為了借助于降低驅(qū)動(dòng)TFT的開態(tài)電流而得到高分辨率，驅(qū)動(dòng)TFT的溝道區(qū)中的電流遷移率應(yīng)該被控制成低于開關(guān)TFT有源層溝道區(qū)中的電流遷移率。
根據(jù)形成有源層的多晶硅薄膜中晶粒的形狀，能夠得到電流遷移率之間的差別。確切地說，根據(jù)多晶硅薄膜的晶粒形狀，能夠得到電流遷移率之間的差別。
亦即，由于當(dāng)有源層溝道區(qū)中的電流遷移率大時(shí)，能夠增大TFT的開態(tài)電流，而當(dāng)溝道區(qū)上的電流遷移率小時(shí)，能夠降低TFT的開態(tài)電流，故利用各個(gè)有源層的溝道區(qū)中的電流遷移率，能夠決定開關(guān)TFT 10和驅(qū)動(dòng)TFT 20的第一和第二有源層11和21上的晶粒的形狀。
因此，各個(gè)有源層的形狀應(yīng)該被控制，使得驅(qū)動(dòng)TFT中的第二有源層21的溝道區(qū)中的電流遷移率低于開關(guān)TFT的第一有源層11的電流遷移率，以便降低驅(qū)動(dòng)TFT上的開態(tài)電流。根據(jù)形成有源層的多晶硅薄膜的晶化結(jié)構(gòu)，能夠得到電流遷移率的差別。亦即，借助于在具有不同晶化結(jié)構(gòu)的多晶硅薄膜上形成各個(gè)層，能夠得到電流遷移率的差別。
圖2是形成TFT的有源層的多晶硅薄膜的各種結(jié)構(gòu)。借助于用相繼橫向凝固(SLS)方法對非晶硅進(jìn)行晶化，能夠形成多晶硅薄膜。SLS方法利用了硅晶粒在液相硅區(qū)與固相硅區(qū)之間的界面處沿垂直方向生長的事實(shí)。借助于用掩模透射激光束，部分非晶硅被熔化，且晶粒從熔化的硅部分與未被熔化的硅部分之間的界面向著熔化的硅部分生長。
當(dāng)在薄膜上執(zhí)行SLS方法時(shí)，利用不同區(qū)域的不同掩模，能夠得到圖2的晶化結(jié)構(gòu)。
在具有條形形狀的第一晶化結(jié)構(gòu)61中，形成了是為彼此平行的直線的多個(gè)主要晶粒邊界61a以及沿主要晶粒邊界61a處的垂直方向的第二晶粒邊界61b。而且，具有上述晶粒邊界結(jié)構(gòu)的晶粒的晶粒方向的長度被形成為大于晶粒的寬度。此長度可以是較短邊長度的至少1.5倍或以上。
借助于用掩模和條形形狀的激光束透過區(qū)域?qū)Ψ蔷Ч璞∧みM(jìn)行熔化和結(jié)晶，形成了第一晶化結(jié)構(gòu)61。當(dāng)TFT的有源層被形成在第一晶化結(jié)構(gòu)上時(shí)，根據(jù)主要晶粒邊界61a與有源層溝道區(qū)中電流流動(dòng)的方向的角度，能夠得到電流遷移率的差別(見圖3)。亦即，當(dāng)主要晶粒邊界垂直于有源層溝道區(qū)中電流流動(dòng)的方向時(shí)，電流遷移率最大，而當(dāng)主要晶粒邊界61a平行于有源層溝道區(qū)中電流流動(dòng)的方向時(shí)，電流遷移率最小。因此，當(dāng)TFT有源層的溝道區(qū)被形成在垂直于主要晶粒邊界61a的第一晶化結(jié)構(gòu)61上時(shí)，能夠得到高的電流遷移率。
上述關(guān)系可以用載流子運(yùn)動(dòng)的電阻分量來描述。當(dāng)有源層溝道區(qū)中電流流動(dòng)方向與主要晶粒邊界61a的角度為0度時(shí)，電流流動(dòng)方向平行于主要晶粒邊界61a，但電流流動(dòng)方向垂直于多個(gè)次要晶粒邊界61b。因此，當(dāng)載流子運(yùn)動(dòng)時(shí)，載流子的運(yùn)動(dòng)方向垂直于次要晶粒邊界61b，于是增大了對載流子運(yùn)動(dòng)的電阻分量，從而降低了電流遷移率。
相反，當(dāng)主要晶粒邊界61a中電流流動(dòng)方向角為90度時(shí)，電流流動(dòng)方向垂直于主要晶粒邊界61a，但電流流動(dòng)方向平行于多個(gè)次要晶粒邊界61b。因此，當(dāng)載流子運(yùn)動(dòng)時(shí)，次要晶粒邊界61b平行于載流子的運(yùn)動(dòng)方向，于是減小了對載流子運(yùn)動(dòng)的電阻分量，從而提高了電流遷移率。
電流遷移率的差別引起開態(tài)電流的差別。亦即，隨著有源層溝道區(qū)中主要晶粒邊界與電流流動(dòng)方向形成的角度增大，電流遷移率變大，開態(tài)電流因而也增大。因此，如上所述，要求大開態(tài)電流值的開關(guān)TFT的溝道區(qū)可以被設(shè)計(jì)成與電流流動(dòng)方向成例如大約90度角度，而不是成0度。
在第二晶化結(jié)構(gòu)62中，主要晶粒邊界62a被形成為矩形，且當(dāng)執(zhí)行SLS方法時(shí)，能夠用條形激光束透過區(qū)域與點(diǎn)狀激光束掩蔽區(qū)域在其上被混合的掩模來制造。當(dāng)TFT的有源層被形成在矩形晶化結(jié)構(gòu)上時(shí)，能夠得到小于第一晶化結(jié)構(gòu)61的電流遷移率。
第三晶化結(jié)構(gòu)63具有非常小的尺寸和不定形的晶粒。在應(yīng)用SLS方法時(shí)，用淹沒輻照方法來形成第三晶化結(jié)構(gòu)中的晶粒。借助于將激光束輻照在硅上而不使用掩模，形成了多個(gè)晶粒核，且晶粒生長，從而得到細(xì)微而致密分布的晶粒，如圖2所示。當(dāng)TFT的有源層被形成在不定形的第三晶化結(jié)構(gòu)上時(shí)，得到了比上述二種情況下更小的電流遷移率值。
圖4是當(dāng)有源層被形成在第一、第二、第三晶化結(jié)構(gòu)上時(shí)，各個(gè)電流遷移率的比率圖。由于能夠根據(jù)晶化結(jié)構(gòu)的形狀而改變電流遷移率，故能夠以各種方式來制作開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT，如圖5-7所示。
如圖5和6所示，當(dāng)開關(guān)TFT的第一有源層11被形成在第一晶化結(jié)構(gòu)61上時(shí)，驅(qū)動(dòng)TFT的第二有源層21可以被形成在第二晶化結(jié)構(gòu)62上或第三晶化結(jié)構(gòu)63上。此處，第一晶化結(jié)構(gòu)61的主要晶粒邊界61a最好被排列成垂直于形成在第一晶化結(jié)構(gòu)61上的第一有源層11的溝道區(qū)(C1)上電流流動(dòng)的方向，以便改善電流遷移率。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，第二有源層21的溝道區(qū)(C2)中的電流遷移率小于第一有源層11的電流遷移率，從而能夠降低驅(qū)動(dòng)TFT的開態(tài)電流值。
而且，如圖7所示，當(dāng)開關(guān)TFT的第一有源層11被形成在第二晶化結(jié)構(gòu)62上時(shí)，驅(qū)動(dòng)TFT的第二有源層21可以被形成在第三晶化結(jié)構(gòu)63上。如上所述，由于晶化結(jié)構(gòu)的差別而產(chǎn)生電流遷移率的差別，且第二有源層的溝道區(qū)C2的電流遷移率小于第一有源層11的電流遷移率，從而驅(qū)動(dòng)TFT的降低的開態(tài)電流值更低。
本技術(shù)領(lǐng)域的普通熟練人員應(yīng)該理解的是，TFT有源層的不同的晶化結(jié)構(gòu)不局限于上述這些結(jié)構(gòu)。亦即，例如當(dāng)?shù)谌ЩY(jié)構(gòu)可以被用于要求開關(guān)TFT與驅(qū)動(dòng)TFT之間較小電流遷移率的TFT有源層時(shí)，第一或第二晶化結(jié)構(gòu)被用于要求較大電流遷移率的TFT有源層。當(dāng)?shù)谝痪ЩY(jié)構(gòu)被用于要求開關(guān)TFT與驅(qū)動(dòng)TFT之間較大電流遷移率的TFT有源層時(shí)，例如第二或第三晶化結(jié)構(gòu)可以被用于要求較小電流遷移率的TFT的有源層。本技術(shù)領(lǐng)域的普通熟練人員還應(yīng)該理解的是，本發(fā)明不局限于使用所示的各種晶化結(jié)構(gòu)。亦即，可以采用具有不同晶粒尺寸的不同的晶化結(jié)構(gòu)。
此外，如圖8所示，借助于區(qū)分形成各個(gè)TFT有源層溝道區(qū)的晶粒的尺寸，能夠得到上述效果。根據(jù)圖5所示的本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案，用激光退火(ELA)方法來晶化晶粒，并借助于將不同的能量輻照到開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT，晶粒的尺寸被區(qū)分。
如圖9所示，在ELA方法中，可以根據(jù)被輻照的能量的密度來區(qū)分晶粒的尺寸。圖9示出了在ELA方法中，在對500的非晶硅薄膜進(jìn)行晶化的過程中，根據(jù)激光的能量密度的晶粒尺寸之間的差別。
在圖9中，區(qū)域I表示由于用比較低的能量密度輻照非晶硅而在非晶硅上產(chǎn)生局部熔化的情況，晶粒由于非晶硅的局部熔化而沿垂直方向生長，從而形成小尺寸的晶粒。
區(qū)域II表示由于用比較高的能量密度輻照非晶硅而在非晶硅上產(chǎn)生接近完全熔化的情況，晶粒沿橫向從少數(shù)未被熔化的固相晶核生長，從而形成較大尺寸的晶粒。
區(qū)域III表示由于用相對最高的能量密度輻照非晶硅而在非晶硅上產(chǎn)生完全熔化的情況，由于被熔化的硅被過冷而產(chǎn)生多個(gè)晶核，從而形成細(xì)微的晶粒。
因此，區(qū)域II中的晶粒尺寸最大，然后尺寸按區(qū)域I到區(qū)域III的順序變小。
在晶粒尺寸彼此不同的情況下，電流遷移率根據(jù)尺寸也不同。亦即，如圖10所示，晶粒尺寸越大，電流遷移率越大，于是形成幾乎直線的圖形。
如圖9和10所示，當(dāng)晶粒根據(jù)其中能夠形成最大晶粒的區(qū)域II被晶化時(shí)，能夠得到最大的電流遷移率，而當(dāng)晶粒根據(jù)其中能夠得到最小的晶粒的區(qū)域III被晶化時(shí)，能夠得到最小的電流遷移率。
當(dāng)上述結(jié)果被應(yīng)用于圖8所示的本發(fā)明的實(shí)施方案時(shí)，開關(guān)TFT的第一有源層11被形成在具有較大晶粒的第四晶化結(jié)構(gòu)64上，而驅(qū)動(dòng)TFT的第二有源層21被形成在具有較小晶粒的第五晶化結(jié)構(gòu)65上。于是能夠在驅(qū)動(dòng)TFT的第二有源層21溝道區(qū)中得到較小的電流遷移率，因而能夠降低驅(qū)動(dòng)TFT的開態(tài)電流值。
因此，通常若其上形成開關(guān)TFT的第一有源層11的第四晶化結(jié)構(gòu)64可以在圖10的區(qū)域II中被晶化，則其上形成驅(qū)動(dòng)TFT的第二有源層21的第五晶化結(jié)構(gòu)可以在圖10的區(qū)域I或區(qū)域III中被晶化。而且，通常若其上形成開關(guān)TFT的第一有源層11的第四晶化結(jié)構(gòu)64可以在圖10的區(qū)域I中被晶化，則其上形成驅(qū)動(dòng)TFT的第二有源層21的第五晶化結(jié)構(gòu)可以在圖10的區(qū)域III中被晶化。
不同的晶化結(jié)構(gòu)不局限于此，而是若要求開關(guān)TFT與驅(qū)動(dòng)TFT之間較小的電流遷移率的TFT有源層在圖10的區(qū)域III中被晶化，則要求較大電流遷移率的TFT有源層可以在區(qū)域I或區(qū)域II中被晶化。而且，若要求開關(guān)TFT與驅(qū)動(dòng)TFT之間較大的電流遷移率的TFT有源層在圖10的區(qū)域II中被晶化，則要求較小電流遷移率的TFT有源層在區(qū)域I或區(qū)域III中被晶化。
如上所述，當(dāng)尺寸不同的晶粒被形成在開關(guān)TFT 10和驅(qū)動(dòng)TFT 20上，且第一和第二有源層11和21被形成在其上時(shí)，開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的電流遷移率被彼此區(qū)分開，且驅(qū)動(dòng)TFT 20的開態(tài)電流值被降低，從而實(shí)現(xiàn)高分辨率。
另一方面，具有開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的各個(gè)子象素具有圖11-14所示的結(jié)構(gòu)。
圖11是圖1所示象素中的子象素的局部放大平面圖，而圖12是圖11所示子象素的等效電路圖。
參照圖12，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示器包含例如用于開關(guān)的開關(guān)TFT 10和用于驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)TFT的二個(gè)TFT、一個(gè)電容器30、以及一個(gè)電致發(fā)光(EL)器件40。TFT的數(shù)目和電容器的數(shù)目不局限于此，根據(jù)所需器件的設(shè)計(jì)，可以排列更多的TFT和電容器。
借助于施加到柵線51的掃描信號(hào)以便傳送施加到數(shù)據(jù)線52的數(shù)據(jù)信號(hào)，開關(guān)TFT 10進(jìn)行工作。驅(qū)動(dòng)TFT 20根據(jù)通過開關(guān)TFT 10傳送的數(shù)據(jù)信號(hào)，亦即柵與源之間的電壓差(Vgs)，來決定流入到EL器件40中的電流。電容器30儲(chǔ)存以一幀為單位儲(chǔ)存通過開關(guān)TFT 10傳送的數(shù)據(jù)信號(hào)。
制作了具有圖11、13、14所示結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，以便實(shí)現(xiàn)上述電路。如圖11、13、14所示，緩沖層2被形成在玻璃制成的絕緣襯底1上，且開關(guān)TFT 10、驅(qū)動(dòng)TFT 20、電容器30、以及EL器件40被排列在緩沖層2上。
如圖11和13所示，開關(guān)TFT 10包括連接到柵線51的用來施加TFT開通/關(guān)斷信號(hào)的柵電極13、形成在柵電極13上且連接到數(shù)據(jù)線52用來將數(shù)據(jù)信號(hào)施加到第一有源層的源電極14、以及連接開關(guān)TFT10與電容器30以便將電源施加到電容器的漏電極15。柵絕緣層3被排列在第一有源層11和柵電極13之間。
如圖11和13所示，用于充電的電容器30被置于開關(guān)TFT 10與驅(qū)動(dòng)TFT 20之間，用來以一幀單位儲(chǔ)存對驅(qū)動(dòng)TFT 20進(jìn)行驅(qū)動(dòng)所需的驅(qū)動(dòng)電壓，并可以包括連接到開關(guān)TFT 10的漏電極15的第一電極31、形成在第一電極31上部上重疊第一電極31并連接到通過其施加電源的驅(qū)動(dòng)線53的第二電極32、以及形成在第一電極31與第二電極32之間用作介電物質(zhì)的層間介質(zhì)層4。電容器30的結(jié)構(gòu)不局限于上述結(jié)構(gòu)，例如，TFT的硅薄膜和柵電極的導(dǎo)電層可以被用作第一和第二電極，而柵絕緣層可以被用作介質(zhì)層。
如圖11和14所示，驅(qū)動(dòng)TFT 20包括連接到電容器30的第一電極31用來施加TFT開通/關(guān)斷信號(hào)的柵電極23、形成在柵電極23上部上且連接到驅(qū)動(dòng)線53用來將公共參考電壓饋送到第二有源層21的源電極24、以及連接驅(qū)動(dòng)TFT 20與EL器件40用來將驅(qū)動(dòng)電壓施加到EL器件40的漏電極25。柵絕緣層3被排列在第二有源層21與柵電極23之間。此處，驅(qū)動(dòng)TFT 20的第二有源層21的溝道區(qū)具有與開關(guān)TFT 10的第一有源層11的溝道區(qū)不同的晶化結(jié)構(gòu)，亦即，不同形狀或不同尺寸的晶粒。
另一方面，借助于根據(jù)電流的流動(dòng)而發(fā)射紅色、綠色、以及藍(lán)色的光，EL器件40顯示預(yù)定的圖象。如圖11和14所示，EL器件40包括連接到驅(qū)動(dòng)TFT 20的漏電極25用來從漏電極25接收正電源的陽極電極41、排列成覆蓋整個(gè)象素的用來饋送負(fù)電源的陰極電極43、以及排列在陽極電極41與陰極電極43之間的用來發(fā)光的有機(jī)發(fā)光層42。參考號(hào)5表示由二氧化硅制成的絕緣鈍化層，而參考號(hào)6表示由丙烯酸或聚酰亞胺制成的絕緣整平層。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的上述層狀結(jié)構(gòu)不局限于此，本發(fā)明能夠被應(yīng)用于不同于上述的任何結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的具有上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光顯示器可以如下制造。
如圖13和14所示，緩沖層2被形成在玻璃材料的絕緣襯底上?？梢杂美缍趸鑱硇纬删彌_層2，并可以用例如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD)方法、常壓化學(xué)氣相淀積(APCVD)方法、低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)方法、或電子回旋共振(ECR)方法，來淀積緩沖層2。而且，緩沖層2能夠被淀積成厚度約為3000。
非晶硅薄膜被淀積在緩沖層2的上部上，厚度約為500。可以用各種方式將非晶硅薄膜晶化成多晶硅薄膜。此處，可以用對要制作開關(guān)TFT的部分與要制作驅(qū)動(dòng)TFT的部分進(jìn)行分類，且要制作開關(guān)TFT的部分被晶化成具有較大的電流遷移率而要制作驅(qū)動(dòng)TFT的部分被晶化成具有較小的電流遷移率的方式，來執(zhí)行晶化來形成多晶硅薄膜。因此，如上所述，在用SLS方法執(zhí)行晶化的情況下，其上要制作開關(guān)TFT的區(qū)域以及其上要制作驅(qū)動(dòng)TFT的區(qū)域被晶化成具有圖5-7所示的結(jié)構(gòu)，而在用ELA方法執(zhí)行晶化的情況下，其上要制作開關(guān)TFT的區(qū)域和其上要制作驅(qū)動(dòng)TFT的區(qū)域被晶化成具有圖8和9所示的結(jié)構(gòu)。而且，能夠以各種方式來形成上述的晶化結(jié)構(gòu)。
在形成不同的晶化結(jié)構(gòu)之后，開關(guān)TFT 10的第一有源層11和驅(qū)動(dòng)TFT 20的第二有源層21被圖形化在圖1所示的區(qū)域上，從而形成不同形狀的第一有源層11和第二有源層21。
在執(zhí)行有源層的圖形化工藝之后，在PECVD、APCVD、LPCVD、或ECR方法中，柵絕緣層被淀積在圖形化層上，并用MoW或Al/Cu形成導(dǎo)電層，再對導(dǎo)電層進(jìn)行圖形化，從而形成柵電極?？梢园锤鞣N順序和方法來對有源層、柵絕緣層、以及柵電極進(jìn)行圖形化。
在對有源層、柵絕緣層、以及柵電極進(jìn)行圖形化之后，在源和漏區(qū)上進(jìn)行N型或P型雜質(zhì)摻雜。如圖13和14所示，在完成此摻雜工藝之后，形成層間介質(zhì)層4，源電極14和24以及漏電極15和25通過接觸孔被連接到有源層11和21，并形成鈍化層5。這些層可以根據(jù)器件的設(shè)計(jì)而采用各種結(jié)構(gòu)。
另一方面，可以按各種方式來形成連接到驅(qū)動(dòng)TFT 20的EL器件40，例如，可以用例如氧化銦錫(ITO)將連接到驅(qū)動(dòng)TFT 20的漏電極25的陽極電極41形成和圖形化在鈍化層5上，且整平層6可以被形成在陽極電極41上。此外，在借助于對整平層6進(jìn)行圖形化而暴露陽極電極41之后，在其上形成有機(jī)層42。此處，有機(jī)層42可以采用低分子有機(jī)層或高分子有機(jī)層。在采用低分子有機(jī)層的情況下，借助于層疊在單個(gè)結(jié)構(gòu)或組合結(jié)構(gòu)中，可以形成空穴注入層、空穴輸運(yùn)層、有機(jī)發(fā)光層、電子輸運(yùn)層、以及電子注入層。而且，能夠采用諸如酞花菁銅(CuPc)、N，N-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基聯(lián)苯胺(NPB)、以及三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)之類的各種有機(jī)材料。用例如真空蒸發(fā)方法來形成低分子有機(jī)層。
高分子有機(jī)層可以包括空穴輸運(yùn)層和發(fā)光層。此處，在絲網(wǎng)印刷方法中或在噴墨印刷方法中，用聚(3，4-乙烯二羥基噻吩)(PEDOT)來形成空穴輸運(yùn)層，用諸如聚亞苯基亞乙烯(PPV)基材料或聚芴基材料之類的高分子有機(jī)材料來形成發(fā)光層。
在形成有機(jī)層之后，陰極電極43可以用Al/Ca整個(gè)地淀積或圖形化。在有機(jī)電致發(fā)光顯示器件是正面發(fā)光型的情況下，陰極電極43可以被形成為透明電極。陰極電極43的上部被玻璃或金屬帽密封。
在上述各描述中，本發(fā)明被應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，但本發(fā)明的范圍不局限于此。根據(jù)本發(fā)明的TFT能夠被應(yīng)用于諸如液晶顯示器(LCD)和無機(jī)電致發(fā)光顯示器件之類的任何顯示器件。
根據(jù)本發(fā)明，能夠減小從驅(qū)動(dòng)TFT傳送到發(fā)光器件的電流而無須改變TFT中的有源層尺寸或驅(qū)動(dòng)電壓，因而能夠得到適合于實(shí)現(xiàn)高分辨率的結(jié)構(gòu)。能夠得到具有優(yōu)異開關(guān)性質(zhì)的開關(guān)TFT，同時(shí)，利用多晶硅的性質(zhì)，能夠得到能實(shí)現(xiàn)高分辨率的驅(qū)動(dòng)TFT。此外，利用TFT的晶化結(jié)構(gòu)，能夠得到均勻的亮度，并能夠防止壽命退化。而且，由于不需要增大驅(qū)動(dòng)TFT的長度(L)，故光圈面積不被減小，且由于不需要減小驅(qū)動(dòng)TFT的寬度(W)，故能夠改善TFT的可靠性。
雖然參照其示例性實(shí)施方案已經(jīng)具體描述了本發(fā)明，但本技術(shù)領(lǐng)域的一般熟練人員可以理解的是，其中可以作出各種形式和細(xì)節(jié)的改變而不偏離下列權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的構(gòu)思與范圍。
權(quán)利要求
1.一種平板顯示器，它包含發(fā)光器件；開關(guān)薄膜晶體管，它包括具有用來將數(shù)據(jù)信號(hào)傳送到發(fā)光器件的溝道區(qū)的半導(dǎo)體有源層；以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，它包括具有用來驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件致使預(yù)定的電流根據(jù)數(shù)據(jù)信號(hào)而流過發(fā)光器件的溝道區(qū)的半導(dǎo)體有源層，其中，開關(guān)薄膜晶體管的溝道區(qū)具有與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管溝道中的晶粒不同的晶粒。
2.權(quán)利要求1的平板顯示器，其中，由于與各自相關(guān)的晶粒，開關(guān)薄膜晶體管的溝道區(qū)和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的溝道區(qū)具有不同的電流遷移率。
3.權(quán)利要求2的平板顯示器，其中，由于與各自相關(guān)的晶粒，開關(guān)薄膜晶體管的溝道區(qū)中的電流遷移率大于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的溝道區(qū)中的電流遷移率。
4.權(quán)利要求1的平板顯示器，其中，開關(guān)晶體管的晶粒具有不同于驅(qū)動(dòng)晶體管的晶粒的平均尺寸的平均尺寸。
5.權(quán)利要求4的平板顯示器，其中，由于與各自相關(guān)的晶粒平均尺寸，開關(guān)薄膜晶體管的溝道區(qū)中的電流遷移率大于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的溝道區(qū)中的電流遷移率。
6.權(quán)利要求4的平板顯示器，其中，在開關(guān)薄膜晶體管與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管之間，要求較大電流遷移率的薄膜晶體管的溝道區(qū)中的晶粒平均尺寸大于具有較小電流遷移率的薄膜晶體管的溝道區(qū)中的晶粒平均尺寸。
7.權(quán)利要求4的平板顯示器，其中，開關(guān)薄膜晶體管的溝道區(qū)中的晶粒平均尺寸大于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的溝道區(qū)中的晶粒平均尺寸。
8.權(quán)利要求1的平板顯示器，其中，開關(guān)薄膜晶體管的溝道區(qū)中的晶粒具有不同于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管中的晶粒的形狀。
9.權(quán)利要求8的平板顯示器，其中，在開關(guān)薄膜晶體管與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管之間，要求較小電流遷移率的薄膜晶體管的溝道區(qū)具有不定形的晶粒邊界。
10.權(quán)利要求9的平板顯示器，其中，要求電流遷移率大于具有不定形晶粒邊界的薄膜晶體管的電流遷移率的薄膜晶體管的溝道區(qū)中的晶粒，包括基本上平行的主要晶粒邊界以及沿基本上垂直方向從主要晶粒邊界延伸在主要晶粒邊界之間的次要晶粒邊界，且主要晶粒邊界被形成為條形或矩形。
11.權(quán)利要求8的平板顯示器，其中，在開關(guān)薄膜晶體管與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管之間，要求較大電流遷移率的薄膜晶體管的溝道區(qū)中的晶粒包括基本上平行的主要晶粒邊界以及沿基本上垂直方向從主要晶粒邊界延伸在主要晶粒邊界之間并以短于主要晶粒邊界的平均間距的平均間距排列的次要晶粒邊界，主要晶粒邊界被形成為具有條形形狀，且溝道區(qū)被排列成使電流的流動(dòng)方向垂直于主要晶粒邊界。
12.權(quán)利要求11的平板顯示器，其中，要求電流遷移率小于具有條形晶粒邊界的薄膜晶體管的溝道區(qū)的電流遷移率的薄膜晶體管的溝道區(qū)，包括不定形晶粒邊界和其主要晶粒邊界具有基本上矩形形狀的晶粒邊界中的至少一種。
13.權(quán)利要求8的平板顯示器，其中，在開關(guān)薄膜晶體管與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管之間，要求較大電流遷移率的薄膜晶體管的溝道區(qū)中的晶粒包括基本上平行的主要晶粒邊界以及沿基本上垂直方向從主要晶粒邊界延伸在主要晶粒邊界之間的次要晶粒邊界，且主要晶粒邊界具有基本上矩形形狀。
14.權(quán)利要求8的平板顯示器，其中，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的溝道區(qū)中的晶粒具有不定形的晶粒邊界。
15.權(quán)利要求14的平板顯示器，其中，開關(guān)薄膜晶體管的溝道區(qū)中的晶粒具有基本上平行的主要晶粒邊界以及從主要晶粒邊界的垂直方向基本上垂直地延伸在主要晶粒邊界之間的次要晶粒邊界，且主要晶粒邊界被形成為條形或矩形。
16.權(quán)利要求8的平板顯示器，其中，開關(guān)薄膜晶體管的溝道區(qū)中的晶粒包括基本上平行的主要晶粒邊界以及基本上垂直地從主要晶粒邊界延伸在主要晶粒邊界之間并具有短于主要晶粒邊界的平均短間距的平均間距的次要晶粒邊界，主要晶粒邊界被形成為基本上條形形狀，且溝道區(qū)中電流流動(dòng)的方向基本上垂直于主要晶粒邊界。
17.權(quán)利要求16的平板顯示器，其中，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的溝道區(qū)中的晶粒具有不定形晶粒邊界和其主要晶粒邊界具有基本上正方形形狀的晶粒邊界中的至少一種。
18.權(quán)利要求8的平板顯示器，其中，開關(guān)薄膜晶體管的溝道區(qū)中的晶粒具有基本上平行的主要晶粒邊界以及從主要晶粒邊界基本上垂直地延伸在主要晶粒邊界之間的次要晶粒邊界，且主要晶粒邊界被形成為基本上正方形形狀。
19.權(quán)利要求1的平板顯示器，其中，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的有源層的溝道區(qū)和開關(guān)薄膜晶體管的溝道區(qū)用多晶硅形成。
20.權(quán)利要求19的平板顯示器，其中，用使用激光的晶化方法來形成多晶硅。
全文摘要
一種平板顯示器，它能夠降低驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)的開態(tài)電流，保持開關(guān)TFT的高開關(guān)性質(zhì)，用驅(qū)動(dòng)TFT保持均勻的亮度，以及在相同的電壓被施加到開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT而不改變有源層的尺寸的情況下保持發(fā)光器件的壽命。此平板顯示器包括發(fā)光器件、包括具有用來將數(shù)據(jù)信號(hào)傳送到發(fā)光器件的溝道區(qū)的半導(dǎo)體有源層的開關(guān)薄膜晶體管、以及包括具有用來驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件的溝道區(qū)的半導(dǎo)體有源層的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。預(yù)定的電流量根據(jù)數(shù)據(jù)信號(hào)而流過發(fā)光器件。開關(guān)薄膜晶體管的溝道區(qū)的晶粒的尺寸或形狀之一不同于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的溝道區(qū)中的晶粒。
文檔編號(hào)H01L29/04GK1536542SQ200310124059
公開日2004年10月13日 申請日期2003年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月2日
發(fā)明者具在本, 樸志容, 李乙浩, 金鎮(zhèn)洙, 鄭鎮(zhèn)雄, 李昌圭 申請人:三星Sdi株式會(huì)社