專利名稱：陶瓷疊層體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陶瓷疊層體及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為電介質(zhì)層的陶瓷層和內(nèi)部電極層僅按需要的數(shù)量交替地疊層在一起而制成的陶瓷電容器已廣泛應(yīng)用。
這種陶瓷電容器的制造方法，眾所周知的是在陶瓷綠板(greensheet)上印刷涂敷作為內(nèi)部電極層的導(dǎo)電性漿料，然后把許多塊綠板疊層在一起進(jìn)行燒結(jié)。
對(duì)此，作為內(nèi)部電極層的形成方法，正在開(kāi)發(fā)的方法是利用蒸發(fā)淀積等薄膜形成法在支持體膜上制作金屬薄膜，把該金屬薄膜轉(zhuǎn)印到陶瓷綠板上。若采用此方法，則與印刷涂敷導(dǎo)電性漿料形成內(nèi)部電極層的方法相比，能大大減薄內(nèi)部電極層的厚度，所以能實(shí)現(xiàn)陶瓷電容器的小型化和大容量化。
并且，提出了對(duì)在支持體膜上形成的金屬薄膜向陶瓷綠板上的轉(zhuǎn)印性能進(jìn)行改進(jìn)的方法(例如參照專利文獻(xiàn)1日本專利第3097007號(hào)說(shuō)明書)。
但是，出現(xiàn)的問(wèn)題是用薄膜形成法制作的金屬薄膜進(jìn)行轉(zhuǎn)印后的陶瓷綠板有許多層疊層在一起進(jìn)行燒結(jié)時(shí)，金屬薄膜燒結(jié)后產(chǎn)生斷裂。這一問(wèn)題，金屬薄膜厚度越薄越顯嚴(yán)重。
為了實(shí)現(xiàn)小型大容量陶瓷電容器，內(nèi)部電極層的薄膜化是不可缺少的，要求內(nèi)部電極層在燒結(jié)時(shí)不產(chǎn)生斷裂。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為解決上述過(guò)去的問(wèn)題而提出的，其目的在于提供一種陶瓷疊層體及其制造方法，在陶瓷層和金屬層交替疊層的陶瓷疊層體中，燒結(jié)等熱處理不易造成金屬層斷裂。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的陶瓷疊層體，包括含有金屬元素的多個(gè)陶瓷層、以及布置在上述陶瓷層之間的多個(gè)金屬層，其特征在于上述金屬層的主要成分包括從Ni、Cu、Ag和Pd中選擇出的至少一種，總含量為50atm％以上，添加劑成分包括上述陶瓷層中所含有的上述金屬元素中的至少一種，含量為1atm％以上、50atm％以下。
并且，本發(fā)明的陶瓷疊層體的制造方法，具有以下工序用無(wú)溶劑工藝來(lái)形成金屬層的工序、以及把許多塊已疊層了上述金融層的陶瓷綠板疊層在一起的工序，其特征在于上述陶瓷綠板含有金屬元素，上述金屬層的主要成分包括從Ni、Cu、Ag和Pd中選擇出的至少一種，總含量為50atm％以上，添加劑成分包括上述陶瓷層中所包含的上述金屬元素中的至少一種，含量為1atm％以上、50atm％以下。
本發(fā)明具有以下效果若采用本發(fā)明，則能提供燒結(jié)等熱處理不易造成金屬層斷裂的陶瓷疊層體及其制造方法。


圖1是表示本發(fā)明的陶瓷疊層體一例的概要結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖2是本發(fā)明的實(shí)施例中所使用的用于形成金屬薄膜的設(shè)備的概要結(jié)構(gòu)圖。
圖3A是本發(fā)明第1實(shí)施例的形成了金屬薄膜的支持體膜的局部放大剖面圖。圖3B是從圖3A的箭頭3B方向進(jìn)行觀看的局部放大平面圖。
圖4A是本發(fā)明第1實(shí)施例的涂敷了粘合劑的陶瓷綠板的局部放大剖面圖。圖4B是從圖4A的箭頭4B方向觀看的局部放大平面圖。
圖5是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的金屬薄膜轉(zhuǎn)印工序的側(cè)面剖面圖。
圖6A～圖6D是表示在本發(fā)明的實(shí)施例中自由面觀察的判斷基準(zhǔn)的平面圖。
圖7A～圖7C是表示在本發(fā)明的實(shí)施例中疊層剖面觀察的判斷基準(zhǔn)的剖面圖。
圖8A是表示具有柱狀結(jié)構(gòu)的內(nèi)部電極結(jié)晶結(jié)構(gòu)的模式圖。圖8B是表示具有粒狀結(jié)構(gòu)的內(nèi)部電極結(jié)晶結(jié)構(gòu)的模式圖。
圖9是與圖6的自由面觀察相同的模式圖，它表示形成具有針狀粒子的金屬薄膜的陶瓷綠板經(jīng)燒結(jié)后的金屬薄膜狀態(tài)的一例。
具體實(shí)施例方式
圖1是表示本發(fā)明的陶瓷疊層體10的一例的概要結(jié)構(gòu)的剖面圖。在圖1中，12是陶瓷層，14a、14b是布置在陶瓷層12的各層之間的金屬層，16a、16b是在陶瓷疊層體10的對(duì)置的2個(gè)側(cè)面設(shè)置的外部電極。金屬層14a和金屬層14b夾持陶瓷層12交替地進(jìn)行布置，金屬層14a與一方的外部電極16a進(jìn)行電連接，金屬層14b與另一方的外部電極16b進(jìn)行電連接。其結(jié)果，該陶瓷疊層體10是以陶瓷層12為電介質(zhì)層，以金屬層14a、14b為內(nèi)部電極的電容器。
本發(fā)明的陶瓷疊層體10的結(jié)構(gòu)不僅限于圖1，例如外部電極16a、16b可根據(jù)其用途不同而加以省略。
陶瓷層12眾所周知的制法是，例如利用包含鈦酸鋇等電介質(zhì)粉末的漿料來(lái)制成陶瓷綠板。
陶瓷層12內(nèi)所包含的金屬元素最好是Ba或Ti。這是通用的電介質(zhì)粉末中所包含的元素，所以，能制成具有所需要電介質(zhì)性能和溫度穩(wěn)定性的陶瓷疊層體。
金屬層14a、14b，其主要成分包括從Ni、Cu、Ag和Pd中選擇出的至少一種，其總含量為50atm％以上，添加劑成分是陶瓷層12內(nèi)所包含的金屬元素中的至少一種，其含量為1atm％以上、50atm％以下。
金屬層14a、14b，主要成分包括Ni、Cu、Ag和Pd中選擇出的至少一種，這些金屬元素的合計(jì)含量為50atm％以上。如果這些金屬元素的合計(jì)含量少于50atm％，則金屬層14a、14b的導(dǎo)電性將降低。金屬層14a、14b，尤其優(yōu)選包含50atm％以上的Ni，這是因?yàn)槠涑杀尽⑻匦缘拈L(zhǎng)期穩(wěn)定性、耐熱性、易加工性等良好。
并且，金屬層14a、14b，添加劑成分包括陶瓷層12中所包含的金屬元素中的至少一種。這樣，能防止燒結(jié)時(shí)金屬層14a、14b斷裂。添加劑成分的含量若不足1atm％，則防止燒結(jié)時(shí)金屬層14a、14b斷裂的效果降低。并且，添加劑成分的含量若超過(guò)50atm％，則金屬層14a、14b的導(dǎo)電性下降。
金屬層14a、14b，優(yōu)選是至少在越靠近一方的表面，上述添加劑成分的含量越多。尤其在越靠近金屬層14a、14b的兩邊的表面，上述添加劑成分的含量越多。在與陶瓷層12相連接的金屬層14a、14b的表面附近，添加劑成分、即與陶瓷層12中所包含的金屬元素相同的金屬元素的含量加大，這樣，能更進(jìn)一步防止燒結(jié)時(shí)金屬層14a、14b斷裂。另一方面，在不與陶瓷層12相連接的金屬層14a、14b的厚度方向的中央部減少添加劑成分的含量，增加主成分的含量，能在金屬層14a、14b內(nèi)確保必要的導(dǎo)電性作為內(nèi)部電極。
金屬層14a、14b的厚度不受特別限制，但其下限值為0.1μm，優(yōu)選為0.2μm，上限值為2μm，優(yōu)選為1.5μm。若金屬層14a、14b的厚度小于該下限值，則在燒結(jié)時(shí)金屬層容易斷裂。并且，導(dǎo)電性降低。另一方面，若金屬層14a、14b的厚度大于該上限值，則由于金屬層14a、14b內(nèi)殘留的內(nèi)部應(yīng)力而容易和陶瓷層12之間發(fā)生剝離。并且，陶瓷疊層體10難于小型化和高性能化，例如作為電容器使用時(shí)很難實(shí)現(xiàn)小型化和大容量的電容器。
并且，優(yōu)選金屬層14a、14b的結(jié)晶粒具有在厚度方向上排列的柱狀結(jié)構(gòu)。這樣，能進(jìn)一步防止在燒結(jié)時(shí)金屬層14a、14b斷裂。為了使結(jié)晶粒形成在厚度方向上排列的柱狀結(jié)構(gòu)，其方法之一，例如可以用蒸發(fā)淀積法或?yàn)R射法來(lái)形成，使構(gòu)成金屬層14a、14b的主要成分和添加劑成分達(dá)到上述范圍值。
并且，優(yōu)選金屬層14a、14b的結(jié)晶粒徑為0.1μm以上，能達(dá)到0.3μm更好。這樣能進(jìn)一步防止在燒結(jié)時(shí)金屬層14a、14b斷裂。為了使結(jié)晶粒徑達(dá)到上述范圍，其方法之一，例如可以用蒸發(fā)淀積法或?yàn)R射法來(lái)形成，使構(gòu)成14a、14b的主要成分和添加劑成分達(dá)到上述范圍值。
再者，優(yōu)選金屬層14a、14b的填充率達(dá)到70％以上，若能達(dá)到90％以上則更好，這樣能進(jìn)一步防止在燒結(jié)時(shí)金屬層14a、14b斷裂。為了使填充率達(dá)到上述范圍，其方法之一，例如可以用蒸發(fā)淀積法或?yàn)R射法來(lái)形成，使構(gòu)成14a、14b的主要成分和添加劑成分達(dá)到上述范圍值。
并且，金屬層14a、14b也可以包含針狀粒子。這樣，即使由于燒結(jié)而造成金屬層14a、14b斷裂，也能使針狀粒子在斷裂片之間交聯(lián)(交叉結(jié)合)進(jìn)行電連接，所以，能確保金屬層14a、14b的導(dǎo)電性。
在此情況下，優(yōu)選上述針狀粒子包含形成六角晶格的金屬。這樣，容易形成針狀粒子。
例如，優(yōu)選上述針狀粒子包含Ti。因?yàn)門i容易形成六角晶格。并且，Ti大都包含在陶瓷層12中作為其結(jié)構(gòu)材料，異種元素危害較小。
并且，優(yōu)選上述針狀粒子的長(zhǎng)度大于上述金屬層14a、14b的厚度。這樣，針狀粒子使其縱長(zhǎng)方向大體上與金屬層14a、14b的面方向相一致，存在于金屬層14a、14b內(nèi)。所以，即使燒結(jié)晶時(shí)金屬層14a、14b產(chǎn)生斷裂，針狀粒子也容易在斷裂片之間進(jìn)行電連接，所以，容易確保金屬層14a、14b的導(dǎo)電性。
再者，優(yōu)選上述針狀粒子的縱長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度是與其相垂直的方向的尺寸的2倍以上。這樣，即使燒結(jié)時(shí)金屬層14a、14b產(chǎn)生斷裂，針狀粒子也容易在斷裂片之間進(jìn)行電連接，所以，容易確保金屬層14a、14b的導(dǎo)電性。
并且，優(yōu)選金屬層14a、14b還具有與上述針狀粒子相連接的粒狀粒子。這樣，即使由于燒結(jié)而使金屬層14a、14b產(chǎn)生斷裂，也能在構(gòu)成斷裂片的粒狀粒子之間由針狀粒子進(jìn)行交聯(lián)，進(jìn)行電連接，所以，能確保金屬層14a、14b的導(dǎo)電性。
這種陶瓷疊層體10，其制造方法至少經(jīng)過(guò)用無(wú)溶劑工藝來(lái)形成金屬層的工序、以及對(duì)許多塊已疊層了上述金屬層的陶瓷綠板進(jìn)行疊層的工序。
所謂無(wú)溶劑工藝是表示不使用溶劑的制造方法。所以，不包括把導(dǎo)電性粉末分散到溶劑內(nèi)之后進(jìn)行涂敷或印刷而形成金屬層的方法，因?yàn)橛眠@些方法很難形成薄而均勻、特性穩(wěn)定的金屬層。并且，無(wú)溶劑工藝不需要為了分解溶劑的有機(jī)成分而在氧化環(huán)境中進(jìn)行加熱處理，能簡(jiǎn)化工序。
即使在無(wú)溶劑工藝中也優(yōu)選采用真空工藝，更優(yōu)選采用電阻加熱蒸發(fā)淀積法、電子束加熱蒸發(fā)淀積法、濺射法、離子鍍膜法，尤其優(yōu)選采用電子束加熱蒸發(fā)淀積法、濺射法。因?yàn)檫@些方法能穩(wěn)定地制造厚度均勻，特性良好的金屬層。
并且，金屬層的主要成分包括從Ni、Cu、Ag和Pd中選擇出的至少一種，其總含量為50atm％以上，添加劑成分是陶瓷綠板內(nèi)所包含的金屬元素中的至少一種，其含量為1atm％以上、50atm％以下。
在陶瓷綠板上疊層金屬層的方法，也可以用無(wú)溶劑工藝在陶瓷綠板上直接形成金屬層。但更好的方法是用無(wú)溶劑工藝在支持體膜上形成金屬層，將該金屬層轉(zhuǎn)印到陶瓷綠板上。這樣穩(wěn)定地能制造缺陷少的金屬層。
形成金屬層的無(wú)溶劑工藝，優(yōu)選是多源蒸發(fā)淀積法、多源濺射法或合金濺射法。這樣，容易更改金屬層內(nèi)所包含的主要成分和添加劑成分的組成比率，這時(shí)也可以在包含氧的環(huán)境中形成金屬層。
并且，優(yōu)選以越靠近金屬層的至少一方的表面，添加劑成分的含量越多的方式來(lái)形成金屬層。優(yōu)選如下述的實(shí)施例1、3所示，金屬層的一個(gè)面與陶瓷綠板相接，而另一個(gè)面通過(guò)粘合劑層等與陶瓷綠板相接的情況下，至少直接與陶瓷綠板相接的表面?zhèn)龋砑觿┏煞值暮吭龆唷?br> 尤其優(yōu)選以越接近金屬層兩邊的表面，添加劑成分的含量越多的方式來(lái)形成金屬層。例如，優(yōu)選如下述第2實(shí)施例所示，在金屬層的兩個(gè)表面直接與陶瓷綠板相接的情況下，在兩個(gè)表面?zhèn)忍砑觿┏煞值暮吭龆唷?br> 若添加劑成分含量在金屬層表面附近增多，則與其相接的陶瓷綠板的緊密結(jié)合性良好，所以，能進(jìn)一步防止燒結(jié)時(shí)金屬層斷裂。
形成這種金屬層所用的方法，例如有以下幾種。也就是說(shuō)，在移動(dòng)的支持體膜的上流側(cè)布置包含添加劑成分的薄膜形成源，在下流側(cè)布置包含主成分的薄膜形成源，利用多源蒸發(fā)淀積法或多源濺射法在支持體膜上形成包含添加劑成分和主要成分的金屬層。這樣，能形成添加劑成分的含量越靠近支持體膜側(cè)的表面越多，越靠近其相反側(cè)表面越少的金屬層。
在此情況下，也可以把包含添加劑成分的薄膜形成源，布置在包含主成分的薄膜形成源的、移動(dòng)的支持體膜的下流側(cè)。這樣，能形成添加劑成分的含量越靠近兩個(gè)表面越多而中央部較少的金屬層。
以下，用具體的實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
通過(guò)以下工序(1)～(6)來(lái)制造陶瓷疊層體。
(1)與內(nèi)部電極圖形相對(duì)應(yīng)，在進(jìn)行了脫模處理的支持體膜上用真空工藝來(lái)形成金屬薄膜(金屬薄膜形成工序)。
(2)在載體膜(carrier film)上形成陶瓷綠板(陶瓷綠板形成工序)。
(3)在由上述(2)取得的陶瓷綠板上，與內(nèi)部電極圖形相對(duì)應(yīng)來(lái)涂敷粘合劑(附加粘合劑工序)。
(4)把在上述(1)中取得的在支持體膜上形成的金屬薄膜，按壓到在上述(3)中取得的陶瓷綠板上。這樣，僅把與內(nèi)部電極圖形相對(duì)應(yīng)的部分的金屬薄膜轉(zhuǎn)印到陶瓷綠板上(金屬薄膜轉(zhuǎn)印工序)。
(5)把上述(4)中取得的轉(zhuǎn)印了金屬薄膜的陶瓷綠板，壓接到其它陶瓷綠板上進(jìn)行疊層(疊層工序)。
(6)對(duì)在上述(5)中取得的疊層物，根據(jù)需要進(jìn)行切斷后進(jìn)行燒結(jié)(燒結(jié)工序)。
以下依次說(shuō)明上述各工序。
(1)金屬薄膜形成工序在支持體膜上形成金屬薄膜的設(shè)備的一例示于圖2。
在真空室130內(nèi)用隔板132分割成上下2個(gè)室。在隔板132上側(cè)的室內(nèi)布置了支持體膜102的傳送裝置，在隔板132下側(cè)的室內(nèi)布置了薄膜形成設(shè)備。
傳送裝置具有對(duì)支持體膜102進(jìn)行展開(kāi)的展開(kāi)輥104、對(duì)支持體膜102進(jìn)行卷繞的卷繞輥106、桶輥110、導(dǎo)向輥112、114。從展開(kāi)輥104展開(kāi)后的支持體膜102由導(dǎo)向輥112、桶輥110、導(dǎo)向輥114依次進(jìn)行傳送，卷繞到卷繞輥106上。
薄膜形成設(shè)備具有第1薄膜形成源121和第2薄膜形成源122。它們布置在隔板132的開(kāi)口134的下部，面向由桶輥110傳送的支持體膜102。沿支持體膜102的移動(dòng)方向，在上流側(cè)布置第1薄膜形成源121，在下流側(cè)布置第2薄膜形成源122。
上述傳送裝置和薄膜形成設(shè)備安裝在真空室130內(nèi)，利用與隔板132下側(cè)的室相連接的真空泵137來(lái)達(dá)到預(yù)定的真空度。
在以上這樣的設(shè)備內(nèi)，在支持體膜102上形成了以下3種金屬薄膜。
●實(shí)施例1-a(Ni和Ti的2源電子束蒸發(fā)淀積)第1薄膜形成源121采用了把Ti裝入到水冷銅爐內(nèi)的270度偏轉(zhuǎn)型電子束蒸發(fā)源。并且，第2薄膜形成源122采用了把Ni裝入到氧化鎂坩堝內(nèi)的270度偏轉(zhuǎn)型電子束蒸發(fā)源。分別用加速電壓10KV的電子束進(jìn)行照射，對(duì)Ni和Ti進(jìn)行加熱使其熔解蒸發(fā)，在支持體膜102上形成了包含Ni和Ti的厚度0.6μm的金屬薄膜。而且，電子束源不僅限于上述偏轉(zhuǎn)型電子槍，也可采用直射型電子槍(皮爾斯槍)。
沿支持體膜102的移動(dòng)方向，在上流側(cè)布置Ti蒸發(fā)源121，在下流側(cè)布置Ni蒸發(fā)源122，所以，在支持體膜102上形成的Ni和Ti所構(gòu)成的金屬薄膜，越靠近支持體膜102側(cè)Ti含量越多，而越靠近其相反側(cè)Ni含量越多。對(duì)所獲得的金屬薄膜從表面進(jìn)行腐蝕的同時(shí)，進(jìn)行俄歇(Auger)電子光譜分析，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，金屬薄膜的Ni和Ti的含量這樣地在厚度方向上進(jìn)行變化。
通過(guò)改變兩個(gè)蒸發(fā)源121、122的電子束發(fā)射電流，改變了金屬薄膜內(nèi)的Ni和Ti的組成比率。組成比率通過(guò)ICP發(fā)光光譜分析來(lái)進(jìn)行了測(cè)量。
支持體膜102采用了聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)片。在形成支持體膜102的金屬薄膜一側(cè)的面上，預(yù)先用預(yù)定圖形進(jìn)行脫模處理。脫模處理是印刷涂敷硅系樹(shù)脂。而且，支持體膜102并非僅限于上述PET片，也可以是其他樹(shù)脂片。并且，脫模劑也可以采用環(huán)氧系樹(shù)脂。
圖3A是形成了金屬薄膜的支持體膜102的局部放大剖面圖。圖3B是其從圖3A的箭頭3B方向觀看的局部放大剖面圖。如圖所示，在支持體膜102上與電容器的內(nèi)部電極圖形相對(duì)應(yīng)而形成脫模劑層140，形成金屬薄膜24對(duì)其進(jìn)行覆蓋。
●實(shí)施例1-b(以Ni-Ba合金為靶的合金濺射)采用了第1薄膜形成源121以Ni-Ba合金為靶的RF磁控管濺射設(shè)備(13.56MHz、2KW)。未使用第2薄膜形成源122。對(duì)桶輥110進(jìn)行冷卻，以便使支持體膜102的溫度達(dá)到10℃。支持體膜102的傳送速度為3nm/秒。這樣，在支持體膜102上形成了含有Ni和Ba的厚度0.6μm的金屬薄膜。
靶采用Ba組成比率為0、1、5、10、30、49atm％的Ni-Ba合金，改變了金屬薄膜內(nèi)的Ni和Ba的組成比率。組成比率通過(guò)ICP發(fā)光光譜分析進(jìn)行了確認(rèn)。無(wú)論哪種情況下也都獲得了與靶的組成比率大致相同的組成的金屬薄膜。
支持體膜102采用了進(jìn)行過(guò)與實(shí)施例1-a時(shí)相同的脫模處理的PET片。
●實(shí)施例1-c(以Ni和Ti為靶的2源濺射)采用了第1薄膜形成源121以Ti為靶的DC濺射設(shè)備。并且，采用了第2薄膜形成源122以Ni為靶的DC濺射設(shè)備。對(duì)桶輥110進(jìn)行冷卻，以便使支持體膜102的溫度達(dá)到10℃。這樣，在支持體膜102上形成了含有Ni和Ti的厚度0.8μm的金屬薄膜。
沿著支持體膜102的移動(dòng)方向，在上流側(cè)布置了Ti濺射設(shè)備121，在下流側(cè)布置了Ni濺射設(shè)備122，所以，在支持體膜102上形成的由Ni和Ti構(gòu)成的金屬薄膜，越靠近支持體膜102側(cè)，Ti含量越多，越靠近其相反側(cè)，Ni含量越多。所獲得的金屬薄膜從表面進(jìn)行腐蝕的同時(shí)，進(jìn)行俄歇電子光譜分析，結(jié)果證明，金屬薄膜的Ni和Ti的含量這樣在厚度方向上變化。
通過(guò)改變投入到兩臺(tái)濺射設(shè)備121、122內(nèi)的功率，改變了金屬薄膜內(nèi)的Ni和Ti的組成比率。組成比率通過(guò)ICP發(fā)光光譜分析進(jìn)行了測(cè)量。
支持體膜102采用了已經(jīng)過(guò)與實(shí)施例1-a的情況相同的脫模處理的PET片。
(2)陶瓷綠板形成工序以鈦酸鋇為主要成分的電介質(zhì)粉末120重量部分、聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂30重量部分、丁基卡必醇150重量部分、鄰苯二甲酸二辛酯4重量部分、進(jìn)行配料混合，制成陶瓷電介質(zhì)漿料。利用逆轉(zhuǎn)輥法將其涂敷在支持體膜上，形成陶瓷綠板。
(3)粘合劑附加工序在由上述(2)取得的陶瓷綠板上，與內(nèi)部電極圖形相對(duì)應(yīng)用印刷法涂敷粘合劑。粘合劑采用丁醛系樹(shù)脂。圖4A是涂敷了粘合劑的陶瓷綠板局部放大剖面圖，圖4B是從圖4A的箭頭4B方向觀看的局部放大平面圖。在圖4A、圖4B中，142表示載體膜，22表示陶瓷綠板，144表示粘合劑層。粘合劑層144的涂敷圖形與圖3A、圖3B所示的脫模劑層140的附加圖形相同。
而且，粘合劑不僅限于丁醛系樹(shù)脂，例如也可以使用酚醛系樹(shù)脂。
(4)金屬薄膜轉(zhuǎn)印工序如圖5所示，在下壓板146上，放置由上述(3)取得的“載體膜142/陶瓷綠板22/粘合劑層144”的疊層體，其上放置由上述(1)獲得的“支持體膜102/脫模劑層140/金屬薄膜24”的疊層體，使粘合劑層144和金屬薄膜24相接，而且使粘合劑層144和脫模劑層140對(duì)準(zhǔn)位置。再在這些之上放置上壓板148，把下壓板146和上壓板148加熱到110℃，施加49×106Pa(500kg/cm2)的壓縮荷重。而且，加熱加壓條件不僅限于此，通常，可以在100～120℃，9.8×106～78.4×106Pa(100～800kg/cm2)范圍內(nèi)適當(dāng)調(diào)整.
然后，把支持體膜102剝離下來(lái)。這時(shí)，粘合劑層144和金屬薄膜24之間的粘接力大于脫模劑層140和金屬薄膜24之間的粘接力，所以，只有在粘合劑層144和脫模劑層140之間的區(qū)域內(nèi)被夾持的金屬薄膜24被轉(zhuǎn)印到粘合劑層144側(cè)，其他區(qū)域內(nèi)的金屬薄膜24附著在支持體膜102側(cè)上原封不動(dòng)地和支持體膜102一起被除去。
因此，在載體膜142上對(duì)陶瓷綠板22進(jìn)行疊層，其上通過(guò)粘合劑層144疊層金屬薄膜24，制成疊層體。
根據(jù)需要的片數(shù)來(lái)制作帶有這種金屬薄膜24的陶瓷綠板22。
(5)疊層工序與上述(2)一樣，在制成的其它陶瓷綠板上，疊層由上述(4)取得的陶瓷綠板22，使金屬薄膜24側(cè)面向下側(cè)，把載體膜142剝離下來(lái)。在其上面，同樣僅根據(jù)需要的片數(shù)使金屬薄膜24側(cè)向下側(cè)來(lái)疊層由上述(4)取得的陶瓷綠板22，這時(shí)金屬薄膜24的位置對(duì)每一層均按預(yù)定量向左右偏移，進(jìn)行疊層。
這時(shí)，在實(shí)施例1-a、1-c中，構(gòu)成金屬薄膜24的Ni和Ti的厚度方向的含量分布，越接近粘合劑層144側(cè)，Ni含量越多，越靠近直接與陶瓷綠板相接的一側(cè)，Ti含量越多。
(6)燒結(jié)工序由上述(5)取得的陶瓷疊層體在疊層方向上按預(yù)定位置進(jìn)行切斷后，在1250℃下進(jìn)行燒結(jié)。
然后，在對(duì)置的兩側(cè)面上涂敷導(dǎo)電性漿料進(jìn)行加熱，形成與金屬薄膜24進(jìn)行電連接的外部電極，制成陶瓷電容器。
而且，燒結(jié)溫度并不僅限于上述溫度，可以在1200～1300℃范圍內(nèi)適當(dāng)設(shè)定。
(a)金屬薄膜內(nèi)的添加劑成分元素的含量通過(guò)IPC發(fā)光光譜分析進(jìn)行測(cè)量。
(b)自由面的觀察已轉(zhuǎn)印了金屬薄膜的陶瓷綠板22不進(jìn)行上述疊層工序，在與上述燒結(jié)工序相同的條件下進(jìn)行燒結(jié)，觀察金屬薄膜24的斷裂狀態(tài)，從確保金屬薄膜24的導(dǎo)電性的觀點(diǎn)，在以下A～D的4個(gè)階段進(jìn)行評(píng)價(jià)。在此條件下因?yàn)樵诮饘俦∧ぢ冻龅臓顟B(tài)下進(jìn)行燒結(jié)，所以，與在由陶瓷綠板進(jìn)行覆蓋的狀態(tài)下進(jìn)行燒結(jié)時(shí)相比，金屬薄膜更容易產(chǎn)生斷裂。
A金屬薄膜24沒(méi)有斷裂，是連續(xù)狀態(tài)(參見(jiàn)圖6A)。
B金屬薄膜24有部分?jǐn)嗔?，但?dǎo)電性大致在整個(gè)面上都保持良好(參見(jiàn)圖6B)。
C金屬薄膜24有很多斷裂，但斷裂片之間的導(dǎo)電性大體上保持良好(參見(jiàn)圖6C)。
D金屬薄膜24完全斷裂，各個(gè)斷裂面幾乎形成了電絕緣狀態(tài)(參見(jiàn)圖6D)。
圖6A～圖6D是一個(gè)例子，是在金屬薄膜24包含針狀粒子的情況下，形成如下述圖9所示的斷裂狀態(tài)。在此情況，針狀粒子在斷裂之間交聯(lián)，考慮是否形成電連接，在上述A～D的4個(gè)階段進(jìn)行了評(píng)價(jià)。
(C)疊層剖面觀察對(duì)獲得的陶瓷電容器在厚度方向上切斷，對(duì)切斷面的內(nèi)部電極14a、14b(即金屬薄膜24)的狀態(tài)進(jìn)行觀察，在以下A～C的3個(gè)階段進(jìn)行了評(píng)價(jià)。
A內(nèi)部電極14a、14b沒(méi)有斷裂，呈連續(xù)狀(參見(jiàn)圖7A)。
B內(nèi)部電極14a、14b局部斷裂(參見(jiàn)圖7B)。
C內(nèi)部電極14a、14b很多斷裂(參見(jiàn)圖7C)。
(d)電容量達(dá)成率對(duì)獲得的陶瓷電容器的容量值進(jìn)行了測(cè)量，求出了與設(shè)計(jì)容量值的比例。
當(dāng)內(nèi)部電極斷裂時(shí)，測(cè)出的容量值減小，電容量達(dá)成率低。
(e)微細(xì)結(jié)構(gòu)對(duì)獲得的陶瓷電容器在厚度方向上進(jìn)行切斷，用掃描型電子顯微鏡(SEM)對(duì)內(nèi)部電極切剖面進(jìn)行觀察。結(jié)果發(fā)現(xiàn)結(jié)晶結(jié)構(gòu)如圖8A所示，把疊層方向作為縱長(zhǎng)方向生長(zhǎng)很大結(jié)晶的情況定為“柱狀結(jié)構(gòu)”；如圖8所示把微細(xì)粒狀的情況定為“粒狀結(jié)構(gòu)”。而且，在很難判斷出是柱狀結(jié)構(gòu)還是粒狀結(jié)構(gòu)的情況下標(biāo)注為“柱狀～粒狀”。
(f)結(jié)晶粒徑對(duì)獲得的陶瓷電容器在厚度方向上進(jìn)行切斷，用掃描型電子顯微鏡(SEM)對(duì)內(nèi)部電極的切剖面進(jìn)行了觀察。把金屬結(jié)晶的疊層方向的平均粒徑作為結(jié)晶粒徑。
(g)填充率用掃描型電子顯微鏡(SEM)測(cè)量了在金屬薄膜形成工序中取得的支持體膜上的金屬薄膜厚度。并且，把該金屬薄膜切成預(yù)定大小，用化學(xué)定量法測(cè)量了質(zhì)量。從中計(jì)算求出了金屬薄膜的填充率。
關(guān)于實(shí)施例1-a、1-b、1-c，對(duì)金屬薄膜的組成比率進(jìn)行變更，對(duì)上述評(píng)價(jià)項(xiàng)目進(jìn)行了評(píng)價(jià)。其結(jié)果示于表1、表2、表3。
表1實(shí)施例1-a(Ni和Ti的2源電子束蒸發(fā)淀積)

表2實(shí)施例1-b(以Ni和Ba為靶的合金濺射)

表3實(shí)施例1-c(以Ni和Ti為靶的2源合金濺射)

從表1～表3中可以看出，金屬薄膜在陶瓷層內(nèi)含有的Ti或Ba為1atm％以上、50atm％以下的情況下，在陶瓷綠板的燒結(jié)工序中金屬薄膜幾乎沒(méi)有斷裂，其結(jié)果，獲得了接近設(shè)計(jì)值的容量的電容器。

通過(guò)以下工序(1)～(5)，制造了陶瓷疊層體。
(1)與內(nèi)部電極圖形相對(duì)應(yīng)在進(jìn)行脫模處理的支持體膜上用真空工藝來(lái)形成金屬薄膜(金屬薄膜形成工序)。
(2)在載體膜上形成陶瓷綠板(陶瓷綠板形成工序)。
(3)在由上述(2)項(xiàng)取得的陶瓷綠板上，按壓由(1)項(xiàng)取得的形成在支持體膜上的上述金屬薄膜。這樣，只有與內(nèi)部電極圖形相對(duì)應(yīng)的部分的金屬薄膜被轉(zhuǎn)印到陶瓷綠板上(金屬薄膜轉(zhuǎn)印工序)。
(4)在另外的陶瓷綠板上按壓粘接由上述(3)取得的已轉(zhuǎn)印了金屬薄膜的綠板，使其互相疊層(疊層工序)。
(5)對(duì)由上述(4)取得的疊層物根據(jù)需要進(jìn)行切斷后進(jìn)行燒結(jié)(燒結(jié)工序)。
本第2實(shí)施例的陶瓷疊層體的制造工序，除了沒(méi)有第1實(shí)施例中的粘合劑附加工序這一點(diǎn)外，均與第1實(shí)施例相同。
以下依次說(shuō)明上述各工序。
(1)金屬薄膜形成工序利用圖2所示的設(shè)備，和第1實(shí)施例一樣在支持體膜102上形成了金屬薄膜。
●第2-a實(shí)施例(Ni和Ti的2源電子束蒸發(fā)淀積)除了金屬薄膜的厚度為0.4μm以外，均與第1-a實(shí)施例相同，在支持體膜102上形成了含有Ni和Ti的金屬薄膜。
●第2-b實(shí)施例(以Ni-Ba合金為靶的合金濺射)除了金屬薄膜的厚度為0.4μm以外，均與第1-b實(shí)施例相同，在支持體膜102上形成了含有Ni和Ba的金屬薄膜。
(2)陶瓷綠板形成工序和第1實(shí)施例一樣，用逆轉(zhuǎn)輥法在載體膜142上涂敷，形成陶瓷綠板22。
(3)金屬薄膜轉(zhuǎn)印工序和第1實(shí)施例一樣，在由上述(2)取得的“載體膜142/陶瓷綠板22”的疊層體上，放置由上述(1)取得的“支持體膜102/脫模劑層140/金屬薄膜24”的疊層體，使陶瓷綠板22和金屬薄膜24相接。然后，和第1實(shí)施例相同，把下壓板146和上壓板148加熱到110℃，施加49×106Pa(500kg/cm2)的壓縮荷重。
然后，對(duì)支持體膜102進(jìn)行剝離。與第1實(shí)施例不同，在本第2實(shí)施例中，不在陶瓷綠板22上涂敷粘合劑層。陶瓷綠板22和金屬薄膜24之間的粘接力大于脫模劑層140和金屬薄膜24之間的粘接力，所以，只有形成在脫模劑層140上的金屬薄膜24被轉(zhuǎn)印到陶瓷綠板22側(cè)，其他區(qū)域內(nèi)的金屬薄膜24仍附著在支持體膜102側(cè)上原封不動(dòng)地和支持體膜102一起被除去。
因此，在載體膜142上對(duì)陶瓷綠板22進(jìn)行疊層，其上與內(nèi)部電極圖形相對(duì)應(yīng)，疊層金屬薄膜24，制成疊層體。
根據(jù)需要的片數(shù)來(lái)制作帶有這種金屬薄膜24的陶瓷綠板22。
(4)疊層工序與上述(2)一樣，在制成的另外的陶瓷綠板上，疊層由上述(3)取得的陶瓷綠板22，和第1實(shí)施例一樣，根據(jù)需要的片數(shù)來(lái)疊層。
(5)燒結(jié)工序和第1實(shí)施例一樣進(jìn)行切斷、燒結(jié)，形成外部電極，來(lái)制成陶瓷電容器。
關(guān)于實(shí)施例2-a、2-b、改變金屬薄膜的組成比率，對(duì)于和第1實(shí)施例相同的評(píng)價(jià)項(xiàng)目進(jìn)行了評(píng)價(jià)。其結(jié)果示于表4、表5。
表4實(shí)施例2-a(Ni和Ti的2源電子束蒸發(fā)淀積)

表5實(shí)施例2-b(以Ni和Ba為靶的合金濺射)

從表4～表5中可以看出，金屬薄膜在陶瓷層內(nèi)含有的Ti或Ba為1atm％以上、50atm％以下的情況下，在陶瓷綠板的燒結(jié)工序中金屬薄膜幾乎沒(méi)有斷裂，其結(jié)果，獲得了接近設(shè)計(jì)值的容量的電容器。
通過(guò)以下工序(1)～(6)，制造了陶瓷疊層體。
(1)在支持體膜上用真空工藝來(lái)形成金屬薄膜(金屬薄膜形成工序)。
(2)在載體膜上形成陶瓷綠板(陶瓷綠板形成工序)。
(3)在由上述(2)取得的陶瓷綠板上，與內(nèi)部電極圖形相對(duì)應(yīng)而涂敷粘合劑(粘合劑附加工序)。
(4)在由上述(3)項(xiàng)取得的陶瓷綠板上，按壓由(1)項(xiàng)取得的形成在支持體膜上的上述金屬薄膜。這樣，只有與內(nèi)部電極圖形相對(duì)應(yīng)的部分的金屬薄膜被轉(zhuǎn)印到陶瓷綠板上(金屬薄膜轉(zhuǎn)印工序)。
(5)在另外的陶瓷綠板上按壓粘接已轉(zhuǎn)印了由上述(4)取得的金屬薄膜的陶瓷綠板，使其疊層(疊層工序)。
(6)由上述(5)取得的疊層物。根據(jù)需要進(jìn)行切斷后進(jìn)行燒結(jié)(燒結(jié)工序)。
本第3實(shí)施例的陶瓷疊層體的制造工序，除了在第1實(shí)施例中在金屬薄膜形成工序中不對(duì)支持體膜進(jìn)行脫模處理這一點(diǎn)外，均與第1
以下，依次說(shuō)明上述各工序。
(1)金屬薄膜形成工序除了利用不進(jìn)行脫模處理的PET片作為支持體膜102這一點(diǎn)外，均與第一實(shí)施例相同，利用圖2所示的設(shè)備，在支持體膜102上形成了金屬薄膜。
●第3-a實(shí)施例(以Ni和Ti為靶的2源濺射)除了金屬薄膜的厚度為0.3μm以外，均與第1-c實(shí)施例相同，在支持體膜102上形成了含有Ni和Ti的金屬薄膜。
(2)陶瓷綠板形成工序和第1實(shí)施例一樣，用逆轉(zhuǎn)輥法在載體膜142上涂敷，形成陶瓷綠板22。
(3)粘合劑附加工序與第1實(shí)施例一樣，在由上述(2)取得的陶瓷綠板22上，與內(nèi)部電極圖形相對(duì)應(yīng)，用印刷法涂敷粘合劑。
(4)金屬薄膜轉(zhuǎn)印工序和第1實(shí)施例一樣，在由上述(3)取得的“載體膜142/陶瓷綠板22/粘合劑144”的疊層體上，放置由上述(1)取得的“支持體膜102/金屬薄膜24”的疊層體，使粘合劑層144和金屬薄膜24相接合。然后，和第1實(shí)施例相同，把下壓板146和上壓板148加熱到110℃，施加49×106Pa(500kg/cm2)的壓縮荷重。
然后，對(duì)支持體膜102進(jìn)行剝離。與第1實(shí)施例不同，在本第3實(shí)施例中，不在支持體膜102上涂敷粘合劑層。粘合劑層144和金屬薄膜24之間的粘接力大于支持體膜102和金屬薄膜24之間的粘接力，所以只有與粘合劑層144相接的區(qū)域內(nèi)的金屬薄膜24被轉(zhuǎn)印到粘合劑層144側(cè)上，其他區(qū)域內(nèi)的金屬薄膜24仍附著在支持體膜102側(cè)上原封不動(dòng)地和支持體膜102一起被除去。
因此，在載體膜142上對(duì)陶瓷綠板22進(jìn)行疊層，其上借助粘合劑層144而疊層金屬薄膜24，制成疊層體。
根據(jù)需要的片數(shù)，來(lái)制作帶有這種金屬薄膜24的陶瓷綠板22。
(5)疊層工序與上述(2)一樣，在制成的另外的陶瓷綠板上，疊層由上述(4)取得的陶瓷綠板22。
本實(shí)施例也和實(shí)施例1-a、1-c一樣，構(gòu)成金屬薄膜24的Ni和Ti的厚度方向的含量分布，越接近粘合劑層144側(cè)Ni含量越多，越靠近直接與陶瓷綠板進(jìn)行連接的一側(cè)，Ti含量越多。
(6)燒結(jié)工序和第1實(shí)施例一樣，進(jìn)行切斷、燒結(jié)，形成外部電極，來(lái)制成陶瓷電容器。
關(guān)于實(shí)施例3-a，對(duì)金屬薄膜的組成比率進(jìn)行變更，對(duì)于和第1實(shí)施例相同的評(píng)價(jià)項(xiàng)目進(jìn)行了評(píng)價(jià)。其結(jié)果示于表6。
表6實(shí)施例3-a(以Ni和Ti為靶的2源合金濺射)

從表6中可以看出，金屬薄膜在陶瓷層內(nèi)含有的Ti為1atm％以上50atm％、以下的情況下，在陶瓷綠板的燒結(jié)工序中金屬薄膜幾乎沒(méi)有斷裂，其結(jié)果，獲得了接近設(shè)計(jì)值的容量的電容器。
在上述第1-a、1-c、2-a、3-a實(shí)施例中，沿支持體膜102的移動(dòng)方向設(shè)置第1薄膜形成源121和第2薄膜形成源122，這樣，形成的金屬薄膜，在厚度方向上，一方的面上第2薄膜形成源的材料含量多，另一面上第1薄膜形成原的材料含量多。但是，本發(fā)明并非僅限于此。也可以沿支持體膜102的移動(dòng)方向按照第1薄膜形成源121、第2薄膜形成源122、第1薄膜形成源121的順序進(jìn)行布置，這樣形成的金屬薄膜，在厚度方向上，在兩個(gè)表面附近第1薄膜形成源的材料含量多，而中央部位第2薄膜形成源的材料含量多。這種結(jié)構(gòu)，對(duì)于金屬薄膜的兩個(gè)表面不通過(guò)粘合劑層而與陶瓷綠板相連接的第2-a實(shí)施例來(lái)說(shuō)，效果尤其突出。
并且，通過(guò)適當(dāng)選擇加到金屬薄膜內(nèi)的元件，能使燒結(jié)后的金屬薄膜如圖9中的一例所示，在結(jié)構(gòu)中含有針狀粒子30。由于含有針狀粒子30，即使因燒結(jié)而使金屬薄膜斷裂，也因?yàn)獒槧盍Ｗ?0在破斷片30之間交聯(lián)進(jìn)行電連接，所以，能減少金屬薄膜電阻的上升。針狀粒子30在含有形成六角晶格的金屬的情況下容易生成，例如，對(duì)含有Ti的金屬薄膜進(jìn)行燒結(jié)后可以看到針狀粒子的存在。優(yōu)選當(dāng)金屬薄膜由于燒結(jié)而斷裂時(shí)，針狀粒子30以外的斷裂片32，其投影形狀多數(shù)情況下是圓形或橢圓形的粒狀燒結(jié)粒子。在這些斷裂片32之間有針狀粒子30交聯(lián)進(jìn)行電連接，針狀粒子30的長(zhǎng)度大于金屬薄膜的厚度。這樣，針狀粒子30的縱長(zhǎng)方向相對(duì)于含有金屬薄膜的面呈平行或傾斜狀存在于金屬薄膜內(nèi)，所以，針狀粒子30容易在斷裂片32之間進(jìn)行交聯(lián)。并且，針狀粒子30的形狀，優(yōu)選是縱長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度和與其相垂直方向的尺寸之比(針狀比)較大，即形成細(xì)長(zhǎng)形狀。具體來(lái)說(shuō)，優(yōu)選該比值為2以上，最好是3以上。這樣，針狀粒子30容易產(chǎn)生在斷裂片32之間交聯(lián)的效果。而且，金屬薄膜不必僅形成針狀粒子30。至少通過(guò)包含針狀粒子30，即可如圖9所示，針狀粒子30及其周圍粒狀的斷裂片32互相進(jìn)行連接，所以，能防止燒結(jié)所產(chǎn)生的斷裂使金屬薄膜電阻值上升。
并且，在上述說(shuō)明中，重點(diǎn)說(shuō)明了陶瓷疊層體用于電容器的例子。但本發(fā)明的陶瓷疊層體并非僅限于此，也可以適用于在陶瓷絕緣層上用金屬層形成電路的印制電路板和線圈等其他用途，能獲得與上述相同的效果。
權(quán)利要求
1.一種陶瓷疊層體，包括含有金屬元素的多個(gè)陶瓷層、以及布置在上述陶瓷層之間的多個(gè)金屬層，其特征在于上述金屬層的主要成分包括從Ni、Cu、Ag和Pd中選擇出的至少一種，總含量為50atm％以上，添加劑成分包括上述陶瓷層中所含有的上述金屬元素中的至少一種，含量為1atm％以上、50atm％以下。
2.如權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層體，其特征在于上述金屬層含有的Ni在50atm％以上。
3.如權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層體，其特征在于上述陶瓷層中所含有的上述金屬元素是Ba或Ti。
4.如權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層體，其特征在于越靠近上述金屬層的至少一方的表面，上述添加劑成分含量越多。
5.如權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層體，其特征在于越靠近上述金屬層的兩邊的表面，上述添加劑成分的含量越多。
6.如權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層體，其特征在于上述金屬層的厚度為0.1μm以上、2μm以下。
7.如權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層體，其特征在于上述金屬層的結(jié)晶粒具有在厚度方向上排列成的柱狀結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層體，其特征在于上述金屬層的結(jié)晶粒徑為0.1μm以上。
9.如權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層體，其特征在于上述金屬層的填充率為70％以上。
10.如權(quán)利要求1所述的陶瓷疊層體，其特征在于上述金屬層含有針狀粒子。
11.如權(quán)利要求10所述的陶瓷疊層體，其特征在于上述針狀粒子含有形成六角晶格的金屬。
12.如權(quán)利要求10所述的陶瓷疊層體，其特征在于上述針狀粒子含有Ti。
13.如權(quán)利要求10所述的陶瓷疊層體，其特征在于上述針狀粒子的長(zhǎng)度大于上述金屬層的厚度。
14.如權(quán)利要求10所述的陶瓷疊層體，其特征在于上述針狀粒子的縱長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度是與其相垂直的方向的尺寸的2倍以上。
15.如權(quán)利要求10所述的陶瓷疊層體，其特征在于上述金屬層還具有與上述針狀粒子相連接的粒狀粒子。
16.一種陶瓷疊層體的制造方法，具有用無(wú)溶劑工藝來(lái)形成金屬層的工序、以及對(duì)多塊已疊層了上述金屬層的陶瓷綠板進(jìn)行疊層的工序，其特征在于上述陶瓷綠板含有金屬元素，上述金屬層的主要成分包括從Ni、Cu、Ag和Pd中選擇出的至少一種，總含量為50atm％以上，添加劑成分包括上述陶瓷層中所含有的上述金屬元素中的至少一種，含量為1atm％以上、50atm％以下。
17.如權(quán)利要求16所述的陶瓷疊層體的制造方法，其特征在于還具有以下工序把形成在支持體膜上的上述金屬層轉(zhuǎn)印到陶瓷綠板上，制成疊層了上述金屬層的陶瓷綠板。
18.如權(quán)利要求16所述的陶瓷疊層體的制造方法，其特征在于上述無(wú)溶劑工藝是多源蒸發(fā)淀積法、多源濺射法、或者合金濺射法。
19.如權(quán)利要求18所述的陶瓷疊層體的制造方法，其特征在于在含有氧的環(huán)境中形成上述金屬層。
20.如權(quán)利要求16所述的陶瓷疊層體的制造方法，其特征在于形成上述金屬層，以便使越靠近上述金屬層的至少一方的表面，上述添加劑成分的含量越多。
21.如權(quán)利要求16所述的陶瓷疊層體的制造方法，其特征在于形成上述金屬層，以便使上述金屬層越靠近兩邊表面，上述添加劑成分的含量越多。
22.如權(quán)利要求16所述的陶瓷疊層體的制造方法，其特征在于在移動(dòng)的支持體膜的上流側(cè)布置包含上述添加劑成分的薄膜形成源，并在下流側(cè)布置包含上述主要成分的薄膜形成源，來(lái)利用多源蒸發(fā)淀積法或多源濺射法在上述支持體膜上形成包含上述添加劑成分和上述主要成分在內(nèi)的金屬層。
23.如權(quán)利要求22所述的陶瓷疊層體的制造方法，其特征在于把包含上述添加劑成分的薄膜形成源，布置在包含上述主要成分的薄膜形成源的、移動(dòng)的上述支持體膜的下流側(cè)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陶瓷疊層體(10)，其包括含有金屬元素的多個(gè)陶瓷層(12)、以及布置在上述陶瓷層(12)之間的多個(gè)金屬層(14a、14b)。上述金屬層(14a、14b)，其主要成分包括從Ni、Cu、Ag和Pd中選擇出的至少一種，總含量為50atm％以上，添加劑成分包括上述陶瓷綠板(12)中所包含的上述金屬元素中的至少一種，含量為1atm％以上、不足50atm％。這樣能獲得金屬層在燒結(jié)后不易斷裂的陶瓷疊層體。
文檔編號(hào)H01G4/30GK1497628SQ20031010135
公開(kāi)日2004年5月19日 申請(qǐng)日期2003年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月15日
發(fā)明者本田和義, 高井順子, 長(zhǎng)井淳夫, 村尾正子, 小林惠治, 夫, 子, 治 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社