專利名稱：在二氧化碳中浸蝕清洗微電子基板的方法和組合物的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及清洗微電子基板的方法，特別是涉及在制造微電子器件、MEM和光電器件時從微電子基體上除去光致抗蝕劑層、抗反射層、蝕刻殘余物、灰化殘余物和金屬殘余物的方法。
背景技術：
在集成電路的制造中大約每四個處理步驟就有一個是清洗步驟。隨著特征尺寸的持續(xù)減小，與形成線路和互連(通常稱作“線路的末端”，BEOL)相關的制造步驟得到了顯著發(fā)展。新的低k值材料和銅互連技術的出現使得更小特征尺寸的發(fā)展成為可能，但要求有新的更好的清洗工藝。在某些情況下傳統(tǒng)的清洗工藝或者無效或者會對新材料造成損害。氟化氫，通常為水溶液，已經以各種濃度用于傳統(tǒng)的水基或溶劑基清洗和剝離工藝。二氧化碳已經有記載以其與氟化氫水溶液或緩沖氟化氫水溶液的混合物用于清洗集成電路中。
具有背景意義的文獻包括美國專利US5908510、US5976264、US5868862、US6149828和PCT專利申請WO 02/15251。
水性清洗技術的一個問題是水的表面張力使其很難把化學成分送至小的特征尺寸中。實際上，如果水可以進入小的特征，則隨后也很難除去。某些新材料含有與水性清洗系統(tǒng)不相容的較小特征。對于這種材料，采用CO2清洗是有利的沒有表面張力方便了滲入和洗去小的特征，某些材料在CO2中的溶脹性促進了化學成分在界面上的傳輸，CO2的密度的“可調性”提供了很寬的工藝變量可調性，而且CO2通常被認為是對環(huán)境無害的?？上?，目前沒有在CO2中傳送HF的好方法。
發(fā)明概述本發(fā)明的第一個方面是一種清洗微電子基板的方法，包括預備清洗液，該清洗液包括在二氧化碳溶劑中的氟化氫與路易斯堿的加合物；然后通過將基板與清洗液接觸足以清潔基板的時間，清洗基板。
在某些實施方案中，所述加合物是就地形成的，如通過向含有路易斯堿(特別是胺)的二氧化碳液中加入無水氟化氫，從而在二氧化碳中就地形成氟化氫和路易斯堿的加合物。
在某些實施方案中，路易斯堿的pKa至少是5。在某些實施方案中，路易斯堿是胺，例如是吡啶、聚(乙烯基吡啶)或三乙胺。
在某些實施方案中，清洗液是非水溶液。二氧化碳可以是液態(tài)或超臨界二氧化碳。在清洗步驟之前或之后，或者既在其之前又在其之后，有一個用沖洗液清洗或沖洗基板的步驟，該沖洗液包括液態(tài)或超臨界二氧化碳，或主要由、或由液態(tài)或超臨界二氧化碳組成。在某些實施方案中，該沖洗液還可以包含一種或多種共溶劑。
在某些實施方案中，基板上形有一個光致抗蝕劑層，而所述清洗步驟將光致抗蝕劑從基板上除去。
在某些實施方案中，基板上沉積有刻蝕殘余物，而所述洗滌步驟將刻蝕殘余物從基板上除去。
在某些實施方案中，基板上沉積有灰化殘余物，而所述清洗步驟將灰化殘余物從基板上除去。
在某些實施方案中，基板上沉積有金屬殘余物，而所述清洗步驟將金屬殘余物從基板上除去。
在某些實施方案中，基板含有介電層，如含有形成在其上的氧化物、光致抗蝕劑或蝕刻殘余物的低k值介電材料，清洗步驟從低k值介電材料上部分除去氧化物、完全除去光致抗蝕劑或蝕刻殘余物。
在某些實施方案中，基板含有或包括載有粘附的工藝廢渣的含無機氧化物表面，所述加合物化學蝕刻所述含無機氧化物表面以促進除去粘附的工藝廢渣。
在某些實施方案中，基板是可以具有許多(如兩個或兩個以上)機械相互作用的元件的微電子機械器件(MEM)，清洗步驟就是要清洗所述器件，降低所述器件中機械相互作用的元件間的靜磨擦，釋放所述器件上凍結或粘住的元件。
在上述內容的一個特別優(yōu)選實施方案中，所述加合物是[聚(氟化氫)吡啶鎓]，又稱為氟化氫吡啶加合物，或三氫氟酸三乙胺。
本發(fā)明的第二個方面是一種可用于清洗微電子基板的液體組合物，包含0.0001、0.0005或0.001到5、10或20重量％的氟化氫和路易斯堿的加合物；以及40或50到99.999重量％的液態(tài)或超臨界二氧化碳。該組合物在某些實施方案中是水溶液，在其它實施方案中是非水溶液。路易斯堿可如上所述。該組合物可以還包含0.001或0.1重量％到30或40重量％的共溶劑(包括共溶劑的組合)，和/或0.001到1、3或5重量％的表面活性劑。一般該液體的密度為0.15-1.1g/cc，溫度為0-80℃。
上述方法的一個具體實施方案的實施可以通過如下步驟進行(a)預備第一(任選地、但優(yōu)選是非水溶液)清洗液，該第一清洗液包含胺和半極性到極性的共溶劑在二氧化碳中的單相溶液；(b)預備第二清洗液，該第二清洗液包含在二氧化碳中的氟化氫和路易斯堿加合物；(c)通過將基板與第二清洗液接觸足以清潔基板的時間，清洗基板；和(d)在清洗步驟(c)之前或之后，或既在其之前又在其之后，通過將基板與第一清洗液接觸足以促進清潔基板的時間，清洗基板。
胺可以是例如嗎啉，極性共溶劑可以是例如C1-C4的醇。包含路易斯堿的第二清洗液可以如上所述，要清洗的基板也如上所述。
為了不將本發(fā)明束縛于任何特定的理論，需指出的是在某些實施方案中HF可以通過蝕刻要被清洗的材料而進行清洗。相對于傳統(tǒng)的蝕刻介電材料和本發(fā)明的范圍，“蝕刻”一詞的含義可能很混亂。介電層通常是在制造過程中通過各向異性蝕刻而形成圖案的，通常用等離子或氣相中的活性離子但液體組分已經公開。一般抗蝕劑圖案充當介電材料上沒有被蝕刻掉的區(qū)域的掩模。通常，抗蝕劑和蝕刻殘余物隨后在灰化或濕洗過程中被除去，或通過液體剝離和清洗過程除去。本發(fā)明所代替的是傳統(tǒng)的剝離和清洗步驟，而不是通常所稱的蝕刻。此外，本文所述的HF組合物還可用于氧化物不是主要的介電組分(例如有機電介質，或有與金屬層相關的步驟)時的清洗。因此，氧化層的最小刻蝕被認為是影響本文所述的清洗的一種可能的機理，但并不是可進行本文所述的清洗的唯一機理。
優(yōu)選實施方案詳述本發(fā)明將在包括但不限于半導體如砷化鎵、含有工藝廢渣的硅晶片、在半導體器件如集成電路、藍寶石晶片、微電子機械器件(MEM)和光電器件的制造中施加的過渡和非過渡層的各種基體上實施。
任何可以與氟化氫形成加合物從而使氟化氫在二氧化碳蝕刻液中穩(wěn)定或增溶的路易斯堿都可用于實施本發(fā)明。例子包括胺路易斯堿和非胺路易斯堿。適合的胺路易斯堿的例子包括，但不限于，吡啶、聚(乙烯基吡啶)、三聚氰胺、R3N(其中R為乙基、丙基、丁基、戊基等)、三乙醇胺、(R)亞氨基氟(其中R為苯基、烷基、鹵烷基等)、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮、六亞甲基四胺、1，8-雙(二甲基氨基)萘和皮考啉(參見，例如Olah，G.A.；Nojima，M.；Kerekes，I.Synthesis 1973，779，780)。可用于實施本發(fā)明的非胺路易斯堿包括，但不限于，三烷基膦、三芳基膦、噻吩、二烷基硫醚、二芳基硫醚、醚等。應當注意，路易斯堿可以是堿官能化的聚合物，如聚噻吩、聚醚、冠醚、聚胺等。
術語“低k值介電材料”和“低介電常數介電材料”在本文中是指介電常數小于約3.5，優(yōu)選約2.5或更低的介電材料。一般“低k值介電材料”和“低介電常數介電材料”在本文中是指介電常數為低達約1.4到約3.5的介電材料。本發(fā)明還可用于清洗含有k值在4.5和3.5之間的介電層的基板。形成在基板上的低k值介電材料膜的厚度通常在約100或200納米(nm)到約1000nm或2000nm，且優(yōu)選為約400nm到約800nm，盡管需要的話更薄或更厚的膜也可用在本發(fā)明的工藝中。通常低k值介電材料膜形成在下面的集成電路結構上并成為其一部分。低k值介電材料膜可以，例如，包含一種通過將碳取代的硅烷與溫和氧化劑如過氧化氫反應形成一層摻碳低k氧化硅介電材料膜而形成的摻碳低k氧化硅介電材料。本發(fā)明還可用于處理其它類型的低k值介電材料如摻氫或氟化的氧化硅介電膜、或可能是完全有機的低k值膜。
2.基板涂層和殘余物過渡層可以是光致抗蝕劑層或抗反射涂層。工藝殘渣可能包括無機或有機的污染物如基于苯乙烯樹脂、丙烯酸樹脂、酚醛樹脂、環(huán)烯馬來酐樹脂的聚合物；基于氟、氯、溴或碘離子和氧的蝕刻殘余物和灰化殘余物；含有鉭、鈦、銅、鋁或鎢的金屬雜質；以及含有氧化硅或氧化鋁磨料與其它常見淤漿添加劑如氧化劑、緩沖劑、穩(wěn)定劑、表面活性劑、鈍化劑、絡合劑、防蝕劑或其它試劑的淤漿殘余物。
過渡層如光化學活性抗蝕劑通常是通過旋涂從溶劑中施加的。抗蝕劑一般包含聚合物材料，且可以是積極抗蝕劑或消極抗蝕劑。在進行CO2處理工藝時抗蝕劑可以是形成圖案或未形成圖案的、顯影的或未顯影的。優(yōu)選在實施本發(fā)明剝離光致抗蝕劑和除去蝕刻殘余物時，刻蝕劑是形成圖案且曾用于刻蝕步驟中掩蓋晶片的部分表面。
任何適合的抗蝕劑組合物或抗反射涂層都可以與本發(fā)明一起使用，其中包括但不限于在美國專利US6042997、US5866304、US5492793、US5443690、US5071730、US4980264和US4491628中所記述的那些。常規(guī)的蝕刻、灰化、化學和機械拋光工藝也可以與本發(fā)明一起使用。申請人特別指出，本文中引用的所有美國專利文獻公開都在此完全引入作為參考。
3.二氧化碳組合物用來實施本發(fā)明的二氧化碳組合物一般包含(a)余量的二氧化碳，一般至少為40、50、60或70％；(b)需要時，任選地含0、0.01、0.1、0.5、1或2％到5或10％或更多的表面活性劑；(c)需要時，任選地含0、0.01、0.1、1或2到30、40或50％或更多的有機共溶劑；(d)任選地、在某些實施方案中次優(yōu)選地含0.01或0.1到2、5或10％的水(在其它實施方案中含0％的水)；和(e)0.0001％或0.0005％到4％或5％的氟化氫路易斯堿加合物。
除非另外指出，本文中百分比是指重量百分比。
上述組合物可以以液態(tài)或超臨界液體包括深冷液的形式提供。液態(tài)和超臨界二氧化碳在此與已有的應用一致共同稱為“稠化的”的二氧化碳。
有機共溶劑可以是一種化合物也可以是兩種或兩種以上成分的混合物。有機共溶劑可以是或可以含有醇(包括二醇、三醇等)、醚、胺、酮、碳酸鹽或烷、烴(脂肪烴或芳烴)。有機共溶劑可以是幾種化合物的混合物，如上述烷的混合物，或者是一種或多種烷與其它化合物如上述的一種或多種醇(例如，0或0.1到5％的C1-C15的醇(包括二醇、三醇等))一起形成的混合物。任意表面活性劑可用于實施本發(fā)明，既包括含有連接到憎CO2基(例如親油基)上的親CO2基(如PCT申請WO96/27704或US5783082中所記述)的表面活性劑也包括不含有親CO2基的表面活性劑(即含有連接到憎水(一般為親油)基上的親水基的表面活性劑)。表面活性劑可以單獨也可以幾種結合使用。對本領域技術人員來說已知有許多表面活性劑。參見，例如，McCutcheon’s Volume1Emulsifiers & Detergents(1995北美版)(MC Publishing Co.，175 Rock Road，Glen Rock，N.J.07452)?？捎糜趯嵤┍景l(fā)明的主要表面活性劑類型的例子包括醇、鏈烷醇酰胺、鏈烷醇胺、烷芳基磺酸鹽、烷芳基磺酸、烷基苯、乙酸胺、氧化胺、胺、磺化胺和磺化酰胺、甜菜堿衍生物、嵌段聚合物、羧基化醇或烷基酚乙氧基化物、羧酸和脂肪酸、二苯基磺酸鹽衍生物、乙氧基化醇、乙氧基化烷基酚、乙氧基化胺和/或酰胺、乙氧基化脂肪酸、乙氧基化脂肪酯和油、脂肪酯、碳氟化合物基表面活性劑、甘油酯、乙二醇酯、雜環(huán)型產物、咪唑啉和咪唑啉衍生物、羥乙基磺酸鹽、羊毛脂基衍生物、卵磷脂和卵磷脂衍生物、木質素和木質素衍生物、馬來酸酐或琥珀酸酐、甲酯、單酸甘油酯和衍生物、硫酸烯烴酯、磷酸酯、磷的有機衍生物、聚乙二醇、聚合(多糖、丙烯酸和丙烯酰胺)表面活性劑、丙氧基化和乙氧基化脂肪酸、醇或烷基酚、蛋白質基表面活性劑、季銨鹽表面活性劑、肌氨酸衍生物、硅烷基表面活性劑、皂、山梨聚糖衍生物、蔗糖和葡萄糖酯和衍生物、油和脂肪酸的硫酸鹽和磺酸鹽、乙氧基化烷基酚的硫酸鹽和磺酸鹽、醇的硫酸酯、乙氧基化醇的硫酸酯、脂肪酯的硫酸鹽、苯、異丙基苯、甲苯和二甲苯的磺酸鹽、稠環(huán)萘的磺酸鹽、十二烷基和十三烷基苯的磺酸鹽、萘和烷基萘的磺酸鹽、石油的磺酸鹽、磺化琥珀酰胺酸鹽、磺基琥珀酸鹽和衍生物、牛磺酸鹽、硫代和巰基衍生物、十三烷基和十二烷基苯磺酸等。
在下列非限制性實施例中對本發(fā)明進行更詳細的說明。
實施例1去除光致抗蝕劑光致抗蝕劑通常用作掩膜利用反應離子刻蝕在基板上形成介電層圖案。用于此過程的光致抗蝕劑在隨后的步驟中會被去除。將基板裝入壓力容器并在3000psi和45℃向該容器中加入超臨界CO2。當超臨界CO2在容器中循環(huán)時，加入由吡啶和HF組成的混合物。該混合物組分重量比為99∶1，添加的附加混合物的總濃度為總重的5％。該溶劑混合物循環(huán)1分鐘。此清洗步驟在一個持續(xù)30秒的純超臨界CO2沖洗步驟之前。將系統(tǒng)排空并將基板移出。
實施例2等離子灰化繼之以光致抗蝕劑剝離本體有機物去除/光致抗蝕劑剝離的第一步由等離子灰化完成。灰化通常是由于缺乏介電表面而停止的。隨后的聚合物光致抗蝕劑和灰化殘余物在下列工藝步驟中從測試圖案上去除。將基板裝入壓力容器。在2500psi和55℃將超臨界CO2加入該容器。超臨界CO2在容器中循環(huán)時，在超臨界CO2流均勻分布在基板表面的條件下，向容器中加入由二丁胺和甲醇與一種既含有親CO2部分又含有憎CO2部分的表面活性劑如雙尾磷酸鹽氟表面活性劑鈉(雙1，1，2，2-四氫全氟辛基)磷酸鹽組成的共溶劑混合物。混合物組分重量比為85∶14∶1，所添加的附加物的總濃度為總重的3％。該溶劑混合物在容器中循環(huán)30秒。然后超臨界CO2沖洗將溶劑混合物從容器中移除。隨后加入由吡啶和HF組成的混合物?；旌衔锝M分重量比為99.5∶0.5，所添加的附加物的總濃度為總重的8％。第二種溶劑混合物與基板接觸10秒鐘，然后繼之以純超臨界CO2沖洗。系統(tǒng)排空并將基板移出。
實施例3從通路上去除光致抗蝕劑和殘余物用下列工藝步驟從反應離子腐蝕(RIE)后的測試結構上的通路上去除聚合物光致抗蝕劑和抗蝕劑殘余物。將基板裝入壓力容器。在3000psi和75℃將在超臨界CO2中的嗎啉和甲醇加入該容器。該混合物組分重量比為20∶80，所加附加物的總濃度為2％。該液體混合物在容器中循環(huán)2分鐘。然后用由吡啶、HF和高純度表面活性劑組成的第二清洗液代替第一清洗液。該混合物組分重量比為93∶6∶1，所添加的附加物的總濃度為總重的1％。第二混合物與基板接觸1分鐘。最后通過向容器中加入純CO2完成純超臨界CO2沖洗。將該系統(tǒng)排出并將基板移出。
實施例4從溝槽中去除光致抗蝕劑和殘余物用下列工藝步驟從RIE后的測試結構上的溝槽中去除聚合物光致抗蝕劑和刻蝕殘余物。將基板裝入壓力容器并在2400psi和60℃將超臨界CO2加入該容器。超臨界CO2在容器中循環(huán)時加入由胺(異丙胺)和甲醇組成的混合物。該混合物組分重量比為90∶10，所加附加物的總濃度為總重的7％。該溶劑混合物在容器中循環(huán)30秒鐘，然后在用純CO2沖洗移走第一種混合物后加入由吡啶和HF組成的第二清洗液。該混合物組分重量比為99.99∶0.01，所添加的附加物的總濃度為總重的5％。該混合物在容器中循環(huán)20秒鐘，然后向容器中加入由2％吡啶組成的第三清洗液，均勻分布并導向晶片表面。然后用純超臨界CO2沖洗系統(tǒng)，沖洗時間足以除去所有附加的化學成分，并使系統(tǒng)減壓。
實施例5從雙波紋結構上除去殘余物用下列工藝步驟在生產線的尾端清洗步驟從障礙突破后的雙波紋結構中去除刻蝕和金屬殘余物。將基板裝入壓力容器并在2700psi和70℃將超臨界CO2加入該容器。超臨界CO2在容器中循環(huán)時加入由吡啶和HF組成的混合物。該混合物組分重量比為95∶5，所加附加物的總濃度為總重的1％。該溶劑混合物在容器中循環(huán)20秒鐘。在向容器中加入第二清洗溶液之前先用純CO2沖洗從容器中移走上述溶劑混合物，其中第二清洗溶液由銅螯合物和抗蝕劑在含有高純親CO2-b-親水表面活性劑如聚(1，1-二氫全氟丙烯酸辛酯)-b-(聚(環(huán)氧乙烷)((1，1-dihydroperfluoro octyl acrylate)-b-poly(ethylene oxide))的超臨界CO2乳化液中的水溶液組成。該乳化液與基板接觸1分鐘。然后先用95％超臨界CO2/5％異丙醇后用純CO2沖洗系統(tǒng)，并使系統(tǒng)減壓。
實施例6從雙波紋結構的通路中去除殘余物用下列工藝步驟從反應離子腐蝕(RIE)后的雙波紋結構上的通路中去除聚合物光致抗蝕劑和刻蝕殘余物。將基板裝在壓力容器中，并在3000psi和75℃將在超臨界CO2中的胺(羥胺)和甲醇加入該容器。該混合物組分重量比為70∶30，所加附加物的總濃度為5％。該液體混合物在容器中循環(huán)40秒鐘。用由路易斯堿(噻吩)和HF組成的第二清洗液代替第一清洗液。該混合物組分重量比為93∶7，所添加的附加物的總濃度為總重的2％。第二混合物與基板接觸15秒鐘。用純超臨界CO2沖洗系統(tǒng)。最后用液體CO2和親CO2表面活性劑如全氟辛酸沖洗，除去顆粒，再用純CO2沖洗。系統(tǒng)減壓并將基板移出。
上述內容只是對本發(fā)明進行說明，并非要對其構成限制。本發(fā)明由下述權利要求書定義，權利要求的等價物也包含在其中。
權利要求
1.一種清洗微電子基板的方法，包括預備清洗液，所述清洗液包括在二氧化碳溶劑中的氟化氫與路易斯堿的加合物；然后通過將所述基板與所述清洗液接觸足以清潔所述基板的時間，清洗基板。
2.根據權利要求1的方法，其中所述路易斯堿的pKa至少是5。
3.根據權利要求1的方法，其中所述路易斯堿是胺。
4.根據權利要求1的方法，其中所述路易斯堿是吡啶、聚(乙烯基吡啶)或三乙胺。
5.根據權利要求1的方法，其中所述清洗液包含0.001-20重量％的所述氟化氫和路易斯堿的加合物；和50-99.999重量％的二氧化碳。
6.根據權利要求1的方法，其中所述清洗液是非水的。
7.根據權利要求1的方法，其中所述二氧化碳是液態(tài)二氧化碳。
8.根據權利要求1的方法，其中所述二氧化碳是超臨界二氧化碳。
9.根據權利要求1的方法，其中所述清洗步驟之后或之前用沖洗液清洗所述基板的步驟，其中所述沖洗液包含二氧化碳。
10.根據權利要求9的方法，其中所述沖洗液還包含共溶劑。
11.根據權利要求1的方法，其中所述基板上形成有光致抗蝕劑層，所述清洗步驟將光致抗蝕劑從所述基板上去除。
12.根據權利要求1的方法，其中所述基板上沉積有蝕刻殘余物，所述清洗步驟將蝕刻殘余物從所述基板上去除。
13.根據權利要求1的方法，其中所述基板上沉積有灰化殘余物，所述清洗步驟將灰化殘余物從所述基板上去除。
14.根據權利要求1的方法，其中所述基板上沉積有金屬殘余物，所述清洗步驟將金屬殘余物從所述基板上去除。
15.根據權利要求1的方法，其中所述基板包含具有形成在其上的氧化物、光致抗蝕劑或蝕刻殘余物的低k值介電材料，所述清洗步驟從所述低k值介電材料上除去所述氧化物、光致抗蝕劑或蝕刻殘余物。
16.根據權利要求1的方法，其中所述基板是一個微電子機械器件，所述清洗步驟將工藝殘渣和/或環(huán)境污染物從基板上去除。
17.根據權利要求1的方法，其中所述加合物是就地形成的。
18.根據權利要求1的方法，其中所述加合物是通過向含有所述路易斯堿的二氧化碳溶劑中加入無水氟化氫而就地形成的。
19.根據權利要求1的方法，其中所述基板含有載有粘附的工藝廢渣的含無機氧化物的表面，所述加合物化學刻蝕所述含無機氧化物的表面以促進去除所述粘附的工藝廢渣。
20.一種液體組合物，包含0.001-20重量％的氟化氫和路易斯堿的加合物；以及50-99.999重量％的二氧化碳。
21.根據權利要求20的組合物，其中所述組合物是非水的。
22.根據權利要求20的組合物，其中所述路易斯堿的pKa至少是5。
23.根據權利要求20的組合物，其中所述路易斯堿是吡啶、聚(乙烯基吡啶)或三乙胺。
24.根據權利要求20的組合物，還包含0.1-40重量％的共溶劑。
25.根據權利要求20的組合物，還包含0.1-5重量％的表面活性劑。
26.根據權利要求20的組合物，其中所述二氧化碳是液態(tài)二氧化碳。
27.根據權利要求20的組合物，其中所述二氧化碳是超臨界二氧化碳。
28.根據權利要求20的組合物，其中所述液體的密度為0.150-1.1g/cc，溫度為0-80℃。
29.一種清洗微電子基板的方法，包括(a)預備第一清洗液，所述第一清洗液包含胺和極性共溶劑在二氧化碳中的單相溶液；(b)預備第二清洗液，第二清洗液包含在二氧化碳中的氟化氫和路易斯堿的加合物；(c)通過將所述基板與所述第二清洗液接觸足以清潔所述基板的時間，清洗基板；(d)在清洗步驟(c)之前或之后，或既在其之前又在其之后，通過將所述基板與所述第一清洗液接觸足以促進清潔所述基板的時間，清洗基板。
30.根據權利要求29的方法，其中所述胺是嗎啉、苯胺或二丁胺。
31.根據權利要求29的方法，其中所述極性共溶劑是C1-C4醇。
32.根據權利要求29的方法，其中所述路易斯堿是吡啶、聚(乙烯基吡啶)或三乙胺。
33.根據權利要求29的方法，其中所述清洗液包含0.001-20重量％的所述氟化氫和路易斯堿的加合物；和50-99.999重量％的二氧化碳。
34.根據權利要求29的方法，其中所述第一清洗液是非水的。
35.根據權利要求29的方法，其中所述二氧化碳是液態(tài)二氧化碳。
36.根據權利要求29的方法，其中所述二氧化碳是超臨界二氧化碳。
全文摘要
一種清洗微電子基板的方法，其實行是通過預備清洗液，該清洗液包括在二氧化碳溶劑中的氟化氫與路易斯堿的加合物；然后通過將基板與清洗液接觸足以清潔所述基板的時間清洗基板。
文檔編號H01L21/308GK1653012SQ03810914
公開日2005年8月10日 申請日期2003年5月13日 優(yōu)先權日2002年5月15日
發(fā)明者J·B·麥克萊恩, J·P·德揚, S·M·格羅斯, M·I·瓦納 申請人:米歇爾技術公司