專利名稱：使用電感耦合式cvd的有機el元件的成膜裝置及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機EL(電致發(fā)光)的保護(hù)膜的制造方法及成膜裝置。
背景技術(shù)：
隨著今后信息化的日益發(fā)展，有機EL元件與以往使用的液晶及CRT(陰極射線管)相比，具有耗電量低、自我發(fā)光(selfluminescence)、可視角(angle of visibility)范圍大等優(yōu)點，是受到注目的顯示元件。以往的有機EL保護(hù)膜是采用等離子聚合及真空蒸發(fā)(vacuum evaporation)形成高分子聚合物層，通過濺射形成氮化硅層等方法進(jìn)行，然而上述方法存在著難以穩(wěn)定膜本身的致密性，在使用壽命和元件的退化等方面也存在著產(chǎn)生問題可能性較高的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為等離子體CVD(plasma chemical vapor deposition)成膜，最初先形成高分子聚合物層，然后在其上面形成氮氧化硅(SiON)層及氮化硅(SiN)層，以形成最終的保護(hù)膜，因此與以往的蒸發(fā)方法或濺射方法相比，可產(chǎn)生更大的保護(hù)膜效果，所以有機EL的自身結(jié)構(gòu)可采用以往無法實現(xiàn)的僅為單張的玻璃板，從而使結(jié)構(gòu)非常緊湊，能最大限度地發(fā)揮有機EL的優(yōu)點。
當(dāng)通過等離子體CVD進(jìn)行成膜時，成膜溫度一般在400℃左右、或者大于等于400℃，但是對有機EL進(jìn)行成膜時必須在小于等于100℃的溫度下成膜，否則會對有機EL的元件本身產(chǎn)生損傷，鑒于此，使基板和等離子體之間的距離大于等于250mm而使基板冷卻，從而解決這些問題。
作為上述問題的改良方案，可以是通過使用電感耦合等離子，以高密度等離子體形成保護(hù)膜的方法。圖1是概略地表示采用該方法的成膜裝置的說明圖，圖中，1是等離子發(fā)生器，2是支撐基板的電極。通過在有機EL的基板上首先形成高分子聚合物層，可以解決在形成氮氧化硅(SiON)層及氮化硅(SiN)層的膜時所產(chǎn)生的膜應(yīng)力的問題，而且可在對膜毫無影響的情況下進(jìn)行成膜。


圖1是等離子體CVD的實施方法的說明圖(實施例1)。
圖2是在有機EL面板上成膜后的結(jié)構(gòu)說明圖(實施例2)。
各符號說明1高頻電源、2匹配電路、3基板電極、4用于基板的匹配電路、5用于基板的高頻電源、6氣體導(dǎo)入系統(tǒng)、7排氣泵、8有機EL面板、9陰極電極、10高分子聚合物層、11氮化硅層、12電感耦合等離子發(fā)生器。
具體實施例方式
圖1是本發(fā)明裝置的實施例的剖面圖，圖2是在有機EL面板上形成高分子聚合物層和氮化硅層的保護(hù)膜的示意圖。
在圖2的有機EL面板上形成陰極9之后，將其裝入圖1的真空容器中，首先形成高分子聚合物層10，然后再形成氮化硅層11，從而在有機EL面板上形成保護(hù)膜。
由于采用了上述形成保護(hù)膜的實施方式，不會使保護(hù)水分的特性產(chǎn)生實質(zhì)性退化，并且不會使形狀產(chǎn)生變化，從而使結(jié)構(gòu)趨于簡單，并使水分以及氧氣完全無法透過。
根據(jù)圖2的結(jié)構(gòu)，可以使從玻璃基板一側(cè)發(fā)出的光射向相反一側(cè)的上側(cè)，從而可減少光量損耗，有助于提高有機EL面板的亮度。
本發(fā)明要解決的問題在于將成膜溫度抑制到小于等于100℃，在形成高分子聚合物層之后再形成氮化硅層，以防止水分的滲入。
本發(fā)明的主要特征在于，為了在低溫下進(jìn)行成膜，通過使用電感耦合線圈，以高密度等離子體，在成膜壓力小于等于0.1Pa的條件下，使基板與等離子發(fā)生器之間的距離大于等于250mm，并在對基板支撐件施加基板偏置電壓的同時對其進(jìn)行冷卻。
上述技術(shù)是通過向被減壓的真空容器中輸入反應(yīng)性氣體，將13.56KHZ的高頻功率施加在圖1的等離子發(fā)生器1、支撐基板的基板電極3上而予以實現(xiàn)。
工業(yè)實用性如上所述，本發(fā)明的用于有機EL的保護(hù)膜因采用高分子聚合物及氮化硅的復(fù)合層，從而使使水分及氧氣完全無法透過，由此可作為單層產(chǎn)品予以利用，而且發(fā)光損耗也非常小，因此可適用于壁掛式電視、移動電話等產(chǎn)品。
權(quán)利要求
1.一種等離子體CVD方法，其特征在于用于向被減壓的真空容器中導(dǎo)入處理氣體，在有機EL元件上形成高分子聚合物層、氮氧化硅SiON層及氮化硅(SiN)層的膜的電感耦合式CVD裝置；對設(shè)置于真空容器上側(cè)的線圈狀的外部電極(12)施加13.56MHZ的高頻功率之后，使該高頻功率通過絕緣體的傳輸窗被輸入真空容器內(nèi)，以形成高分子聚合物層、氮化硅層及氮氧化硅層的膜。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體CVD方法，其特征在于，所述膜是在小于等于80℃的溫度下形成的。
3.如權(quán)利要求1、2所述的等離子體CVD方法，其特征在于，所述膜是在使外部電極與基板之間的距離大于等于200mm的條件下形成的。
4.如權(quán)利要求1、2、3所述的等離子體CVD方法，其特征在于，所述膜的形成可用于制造有機EL的最終工序中的保護(hù)膜的形成。
5.如權(quán)利要求1、2、3、4所述的等離子體CVD方法，其特征在于，所述保護(hù)膜包括在由含有CF4F8和CH4的氣體所形成的膜的上面形成的氮氧化硅層。
6.一種電感耦合式CVD裝置，其特征在于，用于向被減壓的真空容器中導(dǎo)入處理氣體，在有機層元件上形成高分子聚合物層、氮氧化硅SiON層及氮化硅(SiN)層的膜，所述裝置備有真空容器，在容器內(nèi)通過等離子體CVD在基板上成膜；線圈狀外部電極(12)，設(shè)置于所述真空容器上側(cè)；基板電極(3)，用于支撐基板；以及高頻電源，用于對所述線圈狀的外部電極和基板電極施加13.56MHZ的高頻功率之后，使該高頻功率通過絕緣體的傳輸窗被輸入真空容器內(nèi)，以交替形成高分子聚合物層、氮化硅層及氮氧化硅層的膜。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于通過在小于等于80℃的低溫并且對有機材料不產(chǎn)生因等離子體所引起的損傷的情況下，使有機EL的保護(hù)膜采用高分子聚合物層、氮氧化硅層及氮化硅層的膜，以防止水分及氧氣從外部滲入。本發(fā)明的有機EL電致發(fā)光元件的制造方法，通過將等離子發(fā)生器作為電感耦合式等離子體源使用，在被減壓的真空容器內(nèi)于有機EL基板的陰極電極(9)的上面首先使用等離子體CVD形成高分子聚合物層(10)，然后在其上面形成氮氧化硅膜層及氮化硅膜層(11)的膜，其中在有機EL元件(9)的上側(cè)面是使用ICP－CVD方法形成防止氧化的保護(hù)膜(10)、(11)。
文檔編號H01L51/52GK1643991SQ0380677
公開日2005年7月20日 申請日期2003年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月25日
發(fā)明者和田和夫 申請人:Selvac株式會社