專利名稱：共振器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用物體的機械共振現(xiàn)象的用于加速度傳感器、角速度傳感器、共振器、過濾器等中的共振器件的制造方法。
背景技術(shù)：
美國專利第5438231號描述的現(xiàn)有技術(shù)的作為共振器件的角速度傳感器，是一種配備有由硅等非壓電材料構(gòu)成的音叉狀的結(jié)構(gòu)體，形成在結(jié)構(gòu)體上的下部電極，形成在下部電極上的壓電體，形成在壓電體上的多個上部電極，通過在下部電極和上部電極之間外加電壓，音叉狀結(jié)構(gòu)體發(fā)生振動。當結(jié)構(gòu)體在振動狀態(tài)由外部給予角速度時，由于克里奧利力向垂直于振動方向的方向位移。借助這種位移，在上部電極和下部電極之間發(fā)生電壓，通過作為位移量進行測定該電壓，可以測定角速度。
在利用音叉狀的結(jié)構(gòu)體的角速度傳感器中，為了提高驅(qū)動效率和檢測靈敏度，有必要使結(jié)構(gòu)體的驅(qū)動方向的共振頻率和檢測方向的共振頻率相互接近并且相差規(guī)定的值。這些共振頻率分別由音叉狀的結(jié)構(gòu)體的臂部的寬度及厚度尺寸決定，這些尺寸需要±1μm以下的極高的精度。
為了實現(xiàn)這種尺寸精度，利用光刻及腐蝕沿寬度方向加工，利用機械磨削沿厚度方向加工。這些加工方法對于決定音叉狀結(jié)構(gòu)體的臂部的寬度方向、厚度方向的共振頻率的絕對值起著重要的作用。進而，作為決定角速度傳感器的靈敏度的重要因素，不僅有必要將上述共振頻率的絕對值設(shè)定成規(guī)定值，而且有必要將共振頻率之差，即，失調(diào)頻率設(shè)定成規(guī)定值。
作為將它們制成規(guī)定值的指標，在結(jié)構(gòu)體的加工中，只能正確測定結(jié)構(gòu)體的臂部的寬度或厚度的形狀或尺寸，很難正確測定實際的共振頻率。從而，在上述方法中，很難將該失調(diào)頻率作為指標進行結(jié)構(gòu)體的加工。

發(fā)明內(nèi)容
此外，作為另外的方法，提供一種包含以下工序的共振器件的制造方法，所述工序為在硅基板的上方形成壓電體層及電極層的工序，蝕刻前述硅基板形成結(jié)構(gòu)體的工序，然后，在前述結(jié)構(gòu)體的第二面上形成保護膜的工序，蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的工序，在蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的工序間測定前述結(jié)構(gòu)體的共振頻率的工序，基于前述測定的共振頻率控制蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的量的工序。
利用這種方法，由于一面測定頻率特性一面控制蝕刻的量，所以，可以制造具有高精度的規(guī)定的共振頻率及失調(diào)頻率及振動的結(jié)合度的共振器件。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施形式1～3的作為共振器件的角速度傳感器的立體圖。
圖2是表示根據(jù)實施形式1的角速度傳感器的制造工序的、圖1的線2-2處的剖面圖。
圖3是表示根據(jù)實施形式1的角速度傳感器的制造工序的、圖1的線2-2處的剖面圖。
圖4是表示根據(jù)實施形式1的角速度傳感器的制造工序的、圖1的線2-2處的剖面圖。
圖5是表示根據(jù)實施形式1的角速度傳感器的制造工序的、圖1的線2-2處的剖面圖。
圖6是表示根據(jù)實施形式1的角速度傳感器的制造工序的、圖1的線2-2處的剖面圖。
圖7是表示根據(jù)實施形式1的角速度傳感器的制造工序的、圖1的線2-2處的剖面圖。
圖8是表示根據(jù)實施形式1的角速度傳感器的制造工序的、圖1的線2-2處的剖面圖。
圖9是安裝到包裝內(nèi)的根據(jù)實施形式1的角速度傳感器的立體圖。
圖10是表示圖9所示的角速度傳感器的制造工序的、線10-10處的剖面圖。
圖11是表示圖9所示的角速度傳感器的制造工序的、線10-10處的剖面圖。
圖12是表示圖9所示的角速度傳感器的制造工序的、線10-10處的剖面圖。
圖13是表示根據(jù)實施形式1的另一角速度傳感器的制造工序的、圖1的線2-2處的剖面圖。
圖14是表示根據(jù)實施形式2的角速度傳感器的圖1的線2-2處的剖面圖。
圖15是表示根據(jù)實施形式3的角速度傳感器的制造工序的、圖1的線2-2處的剖面圖。
圖中1 音叉狀的結(jié)構(gòu)體，2 下部電極，3 壓電體，3A 驅(qū)動用壓電體，3B 檢測用壓電體，4 上部電極，4A 驅(qū)動用電極，4B 檢測用電極，5 保護膜，6 電極墊，7 基部，8 包裝，9A 背部，9B 背部，10 導(dǎo)線，11 外部電極，12 抗蝕劑掩模，13 抗蝕劑掩模，14 硅基板，15 蝕刻裝置，16 計測器，17 氣體導(dǎo)入口，102 白金層，103 鈦鋯酸鉛(壓電體)，104 金層(上部電極層)具體實施方式
(實施形式1)圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施形式的作為共振器件的角速度傳感器的立體圖。該傳感器配備有由硅構(gòu)成的音叉狀結(jié)構(gòu)體1，設(shè)置在結(jié)構(gòu)體1的上面的由白金構(gòu)成的下部電極2，設(shè)置在下部電極2的上面的由鈦鋯酸鉛構(gòu)成的驅(qū)動用壓電體3A和檢測用壓電體3B，設(shè)置在驅(qū)動用壓電體3A的上面的驅(qū)動用電極4A，設(shè)置在檢測用壓電體3B的說明的檢測用電極4B。下部電極2及上部電極4通過配線并通過設(shè)于結(jié)構(gòu)體1的基部7上的電極墊6與外部連接。
下面，利用圖1對這種角速度傳感器的動作進行說明。上部電極4被劃分成驅(qū)動用電極4A和檢測用電極4B，驅(qū)動用壓電體3A和檢測用壓電體3B分別位于它們和各個下部電極2之間。當在驅(qū)動用電極4A和下部電極2之間外加電壓時，驅(qū)動用壓電體3A伸縮，音叉狀的結(jié)構(gòu)體1的臂部9A和9B的形狀發(fā)生變形，臂部9A和9B沿平行于包含它們的面的方向51振動。
當臂部9A和9B振動時，產(chǎn)生圍繞與臂部9A、9B平行的旋轉(zhuǎn)軸50的旋轉(zhuǎn)運動時，由于克里奧利力，臂部9A、9B向與旋轉(zhuǎn)軸50和振動的方向51垂直的方向52撓曲。由該撓曲在檢測用壓電體3B上傳輸電荷，用檢測用電極4B進行檢測。即，該角速度傳感器，為了驅(qū)動臂部9A、9B，并且檢測角速度，利用壓電體3的壓電現(xiàn)象，和逆壓電現(xiàn)象。從而，臂部9A、9B的位移量越大，越容易以高靈敏度檢測出角速度。
即，由于能夠與壓電體3A的變形量成正比檢測出大的電荷，所以，將驅(qū)動頻率設(shè)定在音叉狀結(jié)構(gòu)體1所具有的驅(qū)動方向的共振頻率的附近。借此，驅(qū)動時的位移量增大，作為其結(jié)果，由角速度引起的位移增大，所以，能夠很容易檢測出角速度。為了進一步增大由旋轉(zhuǎn)運動中的角速度引起的壓電體3B的位移，優(yōu)選地，使驅(qū)動臂部的方向51的共振頻率和臂部撓曲方向52的共振頻率接近。當這些共振頻率相互遠離時，由角速度的臂部引起的位移變得難以向檢測方向傳遞。
但是，在這些共振頻率極端接近或相同時，兩個方向51、52的振動會結(jié)合起來，由角速度引起的位移被共振所掩蓋不能檢測出來。即，有必要在這些共振頻率不結(jié)合的情況下，使之盡可能接近。例如，在驅(qū)動方向的共振頻率為20kHz的情況下，優(yōu)選地，令檢測方向的共振頻率為19.8kHz左右。即，有必要將作為這些共振頻率之差的失調(diào)頻率，設(shè)定在共振頻率的大致1％以下。此外，振動的結(jié)合不僅會由失調(diào)頻率引起，有時會由于結(jié)構(gòu)體1的臂部9A、9B的形狀引起。特別是，當臂部9A、9B的截面形狀如圖13所示為平行四邊形時，容易引起這種振動的結(jié)合。
其次，利用圖2～圖12說明角速度傳感器的制造方法。圖2～圖8是在表示圖1的角速度傳感器的制造工序中的的線2-2上的剖面圖。圖9是安裝到包裝內(nèi)的角速度傳感器的立體圖，圖10～圖12是表示圖9所示的角速度傳感器的制造工序的在線10-10上的剖面圖。
如圖2所示，在硅基板14上，通過濺射形成構(gòu)成下部電極2的白金層102，在白金層102上利用濺射、溶膠凝膠法，水熱合成法等形成構(gòu)成壓電體3的鈦鋯酸鉛層103。在鈦鋯酸鉛層103上，利用濺射、真空蒸鍍等通常的形成薄膜的方法形成成為上部電極4的金層104。
其次，如圖3所示，在金層104上利用光刻圖形形成抗蝕劑掩模12，如圖4所示，蝕刻金層104和鈦鋯酸鉛層103，形成電極層4A、4B和壓電體層3A、3B。由于為了上部電極4和壓電體3用掩模同時蝕刻，要求側(cè)面蝕刻少的蝕刻，所以，這種蝕刻優(yōu)選地為干法蝕刻。這里，將上部電極4劃分為驅(qū)動用電極4A及檢測用電極4B，將壓電體劃分為驅(qū)動用壓電體3A和檢測用壓電體3B。
其次，如圖5所示，在白金層102的一部分上和電極4A、4B上，形成抗蝕劑掩模13，將白金層102蝕刻形成下部電極2。這種蝕刻可以是干法蝕刻也可以是濕法蝕刻。在干法蝕刻中，借助利用CF4、氬氣的通常的反應(yīng)性離子蝕刻白金層102。在濕法蝕刻中，利用鹽酸和硝酸的混合液蝕刻白金層102。
其次，如圖6所示，原封不動地使用抗蝕劑掩模13利用蝕刻氣體干法蝕刻硅基板14。在這種干法蝕刻中，使用促進蝕刻的第一氣體和抑制蝕刻的第二氣體。作為第一氣體，使用SF6、CF4等，由于這些氣體不僅促進硅基板14向深度方向而且向橫向方向的蝕刻，所以，通過在其中混合CHF3、C4F8等的抑制蝕刻的第二氣體，在被蝕刻的側(cè)面上生成由氟化碳聚合物構(gòu)成的保護膜15，能夠只在抗蝕劑掩模13的下方進行蝕刻。作為其結(jié)果，如圖7所示，能夠只在垂直的下方進行蝕刻。此外，為了使蝕刻的進行方向的側(cè)面與基板14的表面確實成為直角，通過反復(fù)地利用促進蝕刻的氣體將基板14稍稍蝕刻，利用抑制蝕刻的氣體稍稍形成保護膜5，可以形成與基板14的表面成直角的側(cè)面。具體地說，流過SF6130sccm，發(fā)生7秒鐘等離子體，將基板14蝕刻后，形成約0.01μm的保護膜5，將這種循環(huán)反復(fù)180次，其結(jié)果是，可以形成深度約為200μm的側(cè)面，可以形成音叉狀的結(jié)構(gòu)體1。
氟化碳聚合物與硅相比，根據(jù)蝕刻氣體的種類，其被蝕刻的難易程度變化很大。從而，通過適當?shù)剡x擇蝕刻氣體，可以只蝕刻硅。
此外，在蝕刻過程中，利用抑制蝕刻的氣體，不僅在音叉狀的結(jié)構(gòu)體1的臂部9A、9B的側(cè)面，而且在底面上也形成保護膜5。但是，由于形成在底面上的保護膜，與形成在側(cè)面上的保護面5相比，容易被促進蝕刻的氣體除去，所以，蝕刻只在垂直下方進行。然后，利用蝕刻一直貫通硅基板14的底面，切出音叉狀結(jié)構(gòu)體1，結(jié)束蝕刻。這時，優(yōu)選地，利用抑制蝕刻的氣體使之發(fā)生等離子體并結(jié)束。借此，在側(cè)面上可靠地形成氟化碳聚合物保護膜5。
然后，如圖8所示，除去抗蝕劑掩模13?？刮g劑掩模13上的保護膜5，與掩模13的除去同時被除去，不除去形成在硅基板的結(jié)構(gòu)體1的側(cè)面上的保護膜5。
其次，如圖9所示，將音叉狀的結(jié)構(gòu)體1安裝到包裝8等的安裝構(gòu)件上，利用導(dǎo)線10將與設(shè)置在包裝8的外側(cè)的外部電極11連接的電極和形成在結(jié)構(gòu)體1的基部7處的電極墊6連接起來。安裝體并不局限于包裝8，例如，也可以是基板等的板狀等其它形狀。
如圖10所示，安裝好的音叉狀的結(jié)構(gòu)體1的臂部9A、9B，漂浮在包裝8中。如圖11所示，將安裝到包裝8中的結(jié)構(gòu)體1裝入到蝕刻裝置15中，利用外部的計量器16測定由克里奧利力引起的扭曲方向的共振頻率。然后，如圖12所示，當利用氣體導(dǎo)入口17導(dǎo)入氟化氙(XeF2)蝕刻氣體時，只有音叉狀的結(jié)構(gòu)體1的硅露出的底面被蝕刻。當?shù)酌娴墓璞晃g刻時，檢測方向52的共振頻率慢慢降低。為了使作為該共振頻率與驅(qū)動頻率之差的失調(diào)頻率成為規(guī)定值，一直測量該共振頻率，將其反饋到蝕刻，當變成規(guī)定的共振頻率時，停止氟化氙的導(dǎo)入。
此外，由于音叉狀結(jié)構(gòu)體1的側(cè)面被氟化聚合物保護膜5保護，所以，不被蝕刻，被驅(qū)動振動的驅(qū)動方向的共振頻率不發(fā)生變化。結(jié)構(gòu)體1的上面由于被下部電極2、壓電體3、上部電極4覆蓋，所以不被蝕刻。
(實施形式2)圖14是根據(jù)本發(fā)明的實施形式2的角速度傳感器的結(jié)構(gòu)體的剖面圖。在根據(jù)實施形式2的角速度傳感器中，與實施形式1不同，在利用氟化氙進行蝕刻之前，不僅在結(jié)構(gòu)體的側(cè)面，而且如圖14所示，在底面上也形成氟化碳聚合物的保護膜。這樣，只由氟化氙蝕刻結(jié)構(gòu)體的側(cè)面的硅。作為其結(jié)果，只有驅(qū)動方向的共振頻率隨著蝕刻減少。借此，可以調(diào)整驅(qū)動方向和檢測方向的失調(diào)頻率。
(實施形式3)圖15是根據(jù)本發(fā)明的實施形式3的角速度傳感器的剖面圖。在根據(jù)實施形式3的角速度傳感器中，與實施形式1及2不同，在利用氟化氙進行蝕刻之前，氟化碳聚合物的保護膜不僅形成在結(jié)構(gòu)體的側(cè)面上，或者底面上，而且形成在側(cè)面與底面兩者的一部分上，如圖15所示，露出結(jié)構(gòu)體的一部分的拐角部。在圖15中，在結(jié)構(gòu)體的截面是平行四邊形的情況下，露出銳角部分的拐角部。
借此，利用氟化氙只蝕刻該拐角部。在結(jié)構(gòu)體的截面成為平行四邊形的情況下，驅(qū)動方向和檢測方向的振動容易結(jié)合，但用上述方法，可以修正這種結(jié)合。
如上面三種實施形式所述，在本發(fā)明的共振器件的制造方法中，通過邊一直測定檢測方向的共振頻率邊蝕刻結(jié)構(gòu)體，能夠以規(guī)定的高精度調(diào)整共振頻率。進而，由于在利用氟化氙氣體進行的蝕刻中，沒有必要使之發(fā)生等離子體，所以，沒有等離子體引起的影響，可以高精度地測定共振頻率。
工業(yè)上的可利用性在本發(fā)明的共振器件的制造方法中，由于一面測定共振頻率一面沿厚度方向高精度地蝕刻器件，所以，可以將共振器件的失調(diào)頻率調(diào)整成規(guī)定的值。
權(quán)利要求書(按照條約第19條的修改)1、(修改后)一種共振器件的制造方法，包括在硅基板的上面形成壓電體層及電極層的工序，蝕刻前述硅基板形成結(jié)構(gòu)體的工序，然后，在與硅基板的上面交叉的前述結(jié)構(gòu)體的第一面上形成保護膜的工序，之后，蝕刻與所述硅基板的上面平行的前述結(jié)構(gòu)體的第二面的工序。
2、如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，形成前述結(jié)構(gòu)體的工序包括利用促進蝕刻的第一氣體和抑制蝕刻的第二氣體蝕刻前述硅基板的工序。
3、如權(quán)利要求2所述的制造方法，其中，形成前述結(jié)構(gòu)體的工序包括利用前述第一氣體和前述第二氣體的混合氣體蝕刻前述硅基板的工序。
4、如權(quán)利要求2所述的制造方法，其中，前述第一氣體包含SF6，前述第二氣體包含C4F8和CHF3中之一。
5、(修改后)如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，前述保護膜由氟化碳聚合物構(gòu)成。
6、如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的前述第二面的工序包括用XeF2氣體干法蝕刻前述第二面的工序。
7、如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，在蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的前述第二面的工序之間，進一步包括測定前述結(jié)構(gòu)體的共振頻率的工序，蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的前述第二面的工序，包括基于前述測定的共振頻率控制蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的前述第二面的量的工序。
8、如權(quán)利要求7所述的制造方法，其中，控制蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的前述第二面的量的工序包括，在前述共振頻率等于規(guī)定值時，結(jié)束對前述結(jié)構(gòu)體的前述第二面進行蝕刻的工序。
9、如權(quán)利要求7所述的制造方法，其中，進一步包括將前述結(jié)構(gòu)體安裝到安裝構(gòu)件上的工序，測定前述結(jié)構(gòu)體的前述共振頻率的工序，包括測定安裝到前述安裝構(gòu)件上的前述結(jié)構(gòu)體的前述共振頻率的工序。
10、如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，前述結(jié)構(gòu)體具有音叉的形狀。
11、(修改)一種共振器件的制造方法，包括在硅基板的上面形成壓電體層及電極層的工序，蝕刻前述硅基板形成結(jié)構(gòu)體的工序，蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的工序，在蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的工序之間測定前述結(jié)構(gòu)體的共振頻率的工序，基于前述測定的共振頻率，在蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的工序中控制蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的量的工序。
12、如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，形成前述結(jié)構(gòu)體的工序，包括利用促進蝕刻的第一氣體和抑制蝕刻的第二氣體蝕刻前述硅基板的工序。
13、如權(quán)利要求12所述的制造方法，其中，形成前述結(jié)構(gòu)體的工序，包括利用前述第一氣體和前述第二氣體的混合氣體蝕刻前述硅基板的工序。
14、如權(quán)利要求12所述的制造方法，其中，前述第一氣體包含SF6，前述第二氣體包含C4F8和CHF3中之一。
15、如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的工序，包括用XeF2氣體干法蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的工序。
16、如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，控制蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的量的工序包括，在前述共振頻率等于規(guī)定值時，結(jié)束對前述結(jié)構(gòu)體進行蝕刻的工序。
17、如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，進一步包括將前述結(jié)構(gòu)體安裝到安裝構(gòu)件上的工序，測定前述結(jié)構(gòu)體的前述共振頻率的工序，包括測定安裝到前述安裝構(gòu)件上的前述結(jié)構(gòu)體的前述共振頻率的工序。
18、如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，前述結(jié)構(gòu)體具有音叉的形狀。
19、如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的工序，包括蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的第一面的工序。
20、如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的工序，包括蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的拐角部的工序。
權(quán)利要求
1.一種共振器件的制造方法，包括在硅基板的上方形成壓電體層及電極層的工序，蝕刻前述硅基板形成結(jié)構(gòu)體的工序，在前述結(jié)構(gòu)體的第一面上形成保護膜的工序，然后，蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的第二面的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，形成前述結(jié)構(gòu)體的工序包括利用促進蝕刻的第一氣體和抑制蝕刻的第二氣體蝕刻前述硅基板的工序。
3.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其中，形成前述結(jié)構(gòu)體的工序包括利用前述第一氣體和前述第二氣體的混合氣體蝕刻前述硅基板的工序。
4.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其中，前述第一氣體包含SF6，前述第二氣體包含C4F8和CHF3中之一。
5.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，前述保護層由氟化碳聚合物構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的前述第二面的工序包括用XeF2氣體干法蝕刻前述第二面的工序。
7.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，在蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的前述第二面的工序之間，進一步包括測定前述結(jié)構(gòu)體的共振頻率的工序，蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的前述第二面的工序，包括基于前述測定的共振頻率控制蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的前述第二面的量的工序。
8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其中，控制蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的前述第二面的量的工序包括，在前述共振頻率等于規(guī)定值時，結(jié)束對前述結(jié)構(gòu)體的前述第二面進行蝕刻的工序。
9.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其中，進一步包括將前述結(jié)構(gòu)體安裝到安裝構(gòu)件上的工序，測定前述結(jié)構(gòu)體的前述共振頻率的工序，包括測定安裝到前述安裝構(gòu)件上的前述結(jié)構(gòu)體的前述共振頻率的工序。
10.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，前述結(jié)構(gòu)體具有音叉的形狀。
11.一種共振器件的制造方法，包括在硅基板的上方形成壓電體層及電極層的工序，蝕刻前述硅基板形成結(jié)構(gòu)體的工序，蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的工序，在蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的工序之間測定前述結(jié)構(gòu)體的共振頻率的工序，基于前述測定的共振頻率，在蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的工序中控制蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的量的工序。
12.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，形成前述結(jié)構(gòu)體的工序，包括利用促進蝕刻的第一氣體和抑制蝕刻的第二氣體蝕刻前述硅基板的工序。
13.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其中，形成前述結(jié)構(gòu)體的工序，包括利用前述第一氣體和前述第二氣體的混合氣體蝕刻前述硅基板的工序。
14.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其中，前述第一氣體包含SF6，前述第二氣體包含C4F8和CHF3中之一。
15.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的工序，包括用XeF2氣體干法蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的工序。
16.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，控制蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的量的工序包括，在前述共振頻率等于規(guī)定值時，結(jié)束對前述結(jié)構(gòu)體進行蝕刻的工序。
17.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，進一步包括將前述結(jié)構(gòu)體安裝到安裝構(gòu)件上的工序，測定前述結(jié)構(gòu)體的前述共振頻率的工序，包括測定安裝到前述安裝構(gòu)件上的前述結(jié)構(gòu)體的前述共振頻率的工序。
18.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，前述結(jié)構(gòu)體具有音叉的形狀。
19.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的工序，包括蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的第一面的工序。
20.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的工序，包括蝕刻前述結(jié)構(gòu)體的拐角部的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種共振器件的制造方法，在硅基板上形成壓電體和電極，壓電體和電極利用光刻形成圖形。蝕刻硅基板，形成結(jié)構(gòu)體。在結(jié)構(gòu)體的至少一個面形成保護膜。蝕刻未形成保護膜的結(jié)構(gòu)體的面，獲得共振器件。一面測定共振頻率，一面沿結(jié)構(gòu)體的厚度方向蝕刻該結(jié)構(gòu)體。借此，可以將共振器件的共振頻率和失調(diào)頻率調(diào)整為規(guī)定的值。
文檔編號H01L41/08GK1596481SQ03801620
公開日2005年3月16日 申請日期2003年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月21日
發(fā)明者中谷將也, 多鹿博文 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社