專利名稱：氣體絕緣開關(guān)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電力系統(tǒng)的變電領(lǐng)域所使用的氣體絕緣開關(guān)裝置，尤其涉及設(shè)置在斷路器部、接地開關(guān)部、導(dǎo)體連接部的電場(chǎng)衰減用屏蔽套。
背景技術(shù)：
圖9是傳統(tǒng)的氣體絕緣開關(guān)裝置的結(jié)構(gòu)圖，

圖10是其剖視圖。在該圖中，斷路器部2收納在封入有絕緣消弧性氣體的接地電位的金屬容器1內(nèi)，可動(dòng)側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b分別由絕緣物制的隔離板3a、3b固定、支承。為了衰減極間附近的電場(chǎng)值，在可動(dòng)側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b上分別安裝有金屬制的屏蔽套4a、4b，與斷路器部2相同軸心的可動(dòng)觸頭5貫通它們的中心。該可動(dòng)觸頭5分別由可動(dòng)觸點(diǎn)6a、6b與可動(dòng)側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b作電氣連接。
斷路器部2的下部設(shè)有接地開關(guān)部7，所述斷路器部2的可動(dòng)側(cè)電極部2a與接地開關(guān)部7的固定側(cè)電極部7b構(gòu)成一體，與斷路器部2相同，在接地開關(guān)部7的可動(dòng)側(cè)電極部7a及固定側(cè)電極7b上分別設(shè)有電場(chǎng)衰減用的金屬制屏蔽套8a、8b。與接地開關(guān)部7相同軸心的可動(dòng)觸頭9貫通它們的中心。
圖11是圖10的主回路導(dǎo)體10與絕緣物制隔板3b的導(dǎo)體連接部11的放大圖。主回路導(dǎo)體10與可動(dòng)觸點(diǎn)12接觸，該導(dǎo)體連接部11被金屬制屏蔽套13覆蓋，從而獲得電場(chǎng)值的衰減。
圖12例如是專利文獻(xiàn)1(日本專利特開平2-46113號(hào)公報(bào)(圖1及第2頁(yè)右上欄))的氣體絕緣斷路器部的結(jié)構(gòu)圖。該圖中，斷路器部2的可動(dòng)側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b分別由絕緣物制的支柱22a、22b固定、支承。可動(dòng)側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b的極間方向前端形成有絕緣物屏蔽套23a、23b，從而衰減極間的電場(chǎng)。與斷路器部可動(dòng)側(cè)2a、固定側(cè)2b相同軸心的可動(dòng)觸頭5貫通它們的中心。該可動(dòng)觸頭5分別由可動(dòng)觸點(diǎn)6a、6b與可動(dòng)側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b作電氣連接。
在上述的傳統(tǒng)氣體絕緣開關(guān)裝置中，為了將極間附近的電場(chǎng)值抑制在低值，而要設(shè)置金屬制屏蔽套4a、4b、8a、8b及大的曲率，從而使斷路器部2、接地開關(guān)部7及導(dǎo)體連接部11的尺寸大型化，因此，存在著難以使氣體絕緣開關(guān)裝置整體小型化的問(wèn)題。
另外，為了將極間附近的電場(chǎng)值抑制在低值，而要確保一定程度的極間尺寸，存在著難以在軸向小型化的問(wèn)題。
另外，如圖11所示，在將絕緣物用作屏蔽套的場(chǎng)合，絕緣物表面被保持成大的電場(chǎng)，有材料的劣變、破損之虞。
另外，在觸頭開閉時(shí)，產(chǎn)生電弧，也有其引起劣變之虞。
另外，在不改變金屬部的形狀、僅將絕緣物用作屏蔽套的場(chǎng)合，絕緣物表面的電場(chǎng)反而上升，無(wú)法得到電場(chǎng)衰減效果。因此，最終需要把極間尺寸作大、或使絕緣物更厚壁化，難以得到機(jī)器整體的小型化、縮小化的效果。
發(fā)明的概要本發(fā)明是為了解決上述問(wèn)題而進(jìn)行的，其目的在于，提供一種小型的氣體絕緣開關(guān)裝置，實(shí)現(xiàn)小型化帶來(lái)的經(jīng)濟(jì)性提高。
本發(fā)明的氣體絕緣開關(guān)裝置是，將斷路器部、接地開關(guān)部及導(dǎo)體連接部收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器內(nèi)，為了覆蓋斷路器部、接地開關(guān)部及導(dǎo)體連接部的電極部，而在開口部前端附近的強(qiáng)電場(chǎng)部表面設(shè)有實(shí)施有電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套，其特點(diǎn)是，斷路器部、接地開關(guān)部及導(dǎo)體連接部的至少1個(gè)復(fù)合絕緣屏蔽套，是在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成電介質(zhì)包覆而成，所述電介質(zhì)具有與相對(duì)的電場(chǎng)衰減用屏蔽套或充電部之間的極間尺寸的大致30％以內(nèi)的厚度。
附圖的簡(jiǎn)單說(shuō)明圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的氣體絕緣開關(guān)裝置的斷路器部的剖視圖。
圖2是表示對(duì)施加有電介質(zhì)包覆的屏蔽套間的電場(chǎng)值進(jìn)行計(jì)算后的例子說(shuō)明圖。
圖3是表示對(duì)于不均勻率不同時(shí)屏蔽套的電介質(zhì)膜厚與擊穿電壓之間關(guān)系的試驗(yàn)結(jié)果的特性圖。
圖4是表示屏蔽套有無(wú)電介質(zhì)包覆的各個(gè)絕緣擊穿電場(chǎng)值的試驗(yàn)結(jié)果的特性圖。
圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)2的氣體絕緣開關(guān)裝置的接地開關(guān)部的剖視圖。
圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)3的氣體絕緣開關(guān)裝置的斷路器部的剖視圖。
圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)4的氣體絕緣開關(guān)裝置的導(dǎo)體連接部的剖視圖。
圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)5的氣體絕緣開關(guān)裝置的斷路器部的概要剖視圖。
圖9是傳統(tǒng)的氣體絕緣開關(guān)裝置的結(jié)構(gòu)圖。
圖10是傳統(tǒng)的氣體絕緣開關(guān)裝置的剖視圖。
圖11是圖10的主要部分的放大圖。
圖12是傳統(tǒng)的氣體絕緣開關(guān)裝置的主要部分結(jié)構(gòu)圖。
發(fā)明的最佳實(shí)施形態(tài)實(shí)施形態(tài)1以下，根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1作說(shuō)明。圖1是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的氣體絕緣開關(guān)裝置的斷路器部的剖視圖。
圖1中，將斷路器部2收納于封入有絕緣消弧性氣體的接地電位的金屬容器1內(nèi)。斷路器部2由可動(dòng)側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b構(gòu)成，分別由絕緣物制的隔板固定支承于金屬容器1上。為了衰減極間附近的電場(chǎng)值，在斷路器部2的可動(dòng)側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b上分別安裝有電場(chǎng)衰減用屏蔽套17a、17b。屏蔽套17a、17b，在金屬制屏蔽套的開口部前端附近的強(qiáng)電場(chǎng)部表面實(shí)施有電介質(zhì)包覆屏蔽套18a、18b，構(gòu)成金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套。與斷路器部2相同軸心的可動(dòng)觸頭5貫通它們的中心。該可動(dòng)觸頭5分別由可動(dòng)觸點(diǎn)6a、6b與可動(dòng)側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b作電氣連接。
圖2是表示對(duì)實(shí)施有電介質(zhì)包覆的屏蔽套間的電場(chǎng)值進(jìn)行計(jì)算后例子的說(shuō)明圖。上圖是屏蔽套極間模型，下圖是表示電場(chǎng)值的曲線圖，縱軸是電場(chǎng)強(qiáng)度，橫軸是屏蔽套間直線上的與可動(dòng)側(cè)電極前端的距離。另外，實(shí)線表示有電介質(zhì)包覆、虛線表示無(wú)包覆時(shí)的計(jì)算結(jié)果。這里，設(shè)氣體空間的電容率為1.0，電介質(zhì)包覆的電容率為4.6。有電介質(zhì)包覆的場(chǎng)合與無(wú)電介質(zhì)包覆的場(chǎng)合相比，可知更接近均勻的電場(chǎng)分布，能減小最大電場(chǎng)。
另外，圖3是在作為本發(fā)明的復(fù)合絕緣屏蔽套而使用電介質(zhì)包覆前不均勻率為u＝0.2的金屬屏蔽套上施加了電介質(zhì)包覆的場(chǎng)合、和不改變傳統(tǒng)的金屬制屏蔽套的形狀而在電介質(zhì)包覆前不均勻率為u＝0.6的金屬屏蔽套上實(shí)施有電介質(zhì)包覆的場(chǎng)合下，將擊穿電壓值與電介質(zhì)膜厚之間關(guān)系的試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行比較所表示的特性圖。不均勻率是指將極間電場(chǎng)分布的平均值用最大值除后所得的值。這兩種情況下的擊穿電壓值與電介質(zhì)膜厚的關(guān)系如圖3所示。
從該結(jié)果可見，不均勻率越小，其擊穿電壓值因電介質(zhì)包覆而增大。即，通過(guò)特意加大金屬屏蔽套表面的電場(chǎng)強(qiáng)度而降低不均勻率，可實(shí)現(xiàn)電介質(zhì)包覆帶來(lái)的大幅度的絕緣性能的提高。
另外，降低不均勻率就是減小屏蔽套前端的曲率，這影響到屏蔽套尺寸、乃至開關(guān)裝置部整體的小型化。
另外，從圖3的不均勻率u＝0.2的結(jié)果可知，電介質(zhì)的厚度增加到一定程度以上后，電場(chǎng)強(qiáng)度趨向于某一值。盡可能減少包覆在屏蔽套上的電介質(zhì)的量，從降低零件成本的觀點(diǎn)出發(fā)，可以說(shuō)電介質(zhì)的厚度相對(duì)于極間尺寸在大致30％以內(nèi)是有效的。
圖4是表示有電介質(zhì)包覆的電極相對(duì)于無(wú)電介質(zhì)包覆的電極、求得的實(shí)際絕緣擊穿電場(chǎng)值的試驗(yàn)結(jié)果的特性圖。與無(wú)電介質(zhì)包覆的場(chǎng)合相比，有電介質(zhì)包覆的場(chǎng)合的擊穿電場(chǎng)值上升大致45％，可見絕緣強(qiáng)度得到了提高。
根據(jù)以上的試驗(yàn)結(jié)果和啟示，本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1中，在將具有可動(dòng)側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b的斷路器部2收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器1內(nèi)，為了覆蓋可動(dòng)側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b，而在開口部前端附近的強(qiáng)電場(chǎng)部表面設(shè)置了實(shí)施有電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)為一體的復(fù)合絕緣屏蔽套17a、17b的氣體絕緣開關(guān)裝置中，作為復(fù)合絕緣屏蔽套17a、17b，使用在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對(duì)的屏蔽套之間極間尺寸大約30％以內(nèi)的厚度的電介質(zhì)包覆18a、18b的結(jié)構(gòu)。
由此，屏蔽套直徑15及極間尺寸18縮小，另外，可抑制可動(dòng)觸頭5沿面的電場(chǎng)值上升，實(shí)現(xiàn)使斷路器乃至氣體絕緣開關(guān)裝置整體的小型化，可期望大幅度降低成本。
另外，因在細(xì)直徑的金屬制屏蔽套上實(shí)施電介質(zhì)包覆的結(jié)構(gòu)，故與僅使用電介質(zhì)的屏蔽套相比，在電介質(zhì)表面、內(nèi)部及金屬部表面能得到更大的電場(chǎng)減小效果，不僅在斷路器的軸向，而且在徑向也能大幅度地小型化。
實(shí)施形態(tài)2以下，根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)2作說(shuō)明。圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)2的氣體絕緣開關(guān)裝置的接地開關(guān)部的剖視圖。
圖5中，接地開關(guān)部7被收納于封入有絕緣消弧性氣體的接地電位的金屬容器1內(nèi)。接地開關(guān)部7由可動(dòng)側(cè)電極部7a及固定側(cè)電極部7b構(gòu)成，分別由絕緣物制的隔板固定支承于金屬容器1上。為了衰減極間附近的電場(chǎng)值，在接地開關(guān)部7的可動(dòng)側(cè)電極部7a及固定側(cè)電極部7b上分別安裝有屏蔽套19a、19b。屏蔽套19a、19b，在其開口部前端附近的強(qiáng)電場(chǎng)部表面實(shí)施體有電介質(zhì)包覆20a、20b，構(gòu)成金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套。這些復(fù)合絕緣屏蔽套，是在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對(duì)的屏蔽套之間極間尺寸大約30％以內(nèi)的厚度的電介質(zhì)包覆20a、20b的結(jié)構(gòu)。而且，與接地開關(guān)部7相同軸心的可動(dòng)觸頭9貫通它們的中心。該可動(dòng)觸頭9分別由可動(dòng)觸點(diǎn)與可動(dòng)側(cè)電極部7a及固定側(cè)電極部7b作電氣連接。
在將具有可動(dòng)側(cè)電極部7a和固定側(cè)電極部7b的接地開關(guān)部7收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器1內(nèi)、為了覆蓋可動(dòng)側(cè)電極部7a和固定側(cè)電極部7b而在開口部前端附近的強(qiáng)電場(chǎng)部表面設(shè)有實(shí)施有電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套19a、19b的氣體絕緣開關(guān)裝置中，作為這些復(fù)合絕緣屏蔽套19a、19b，通過(guò)使用在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對(duì)的極間尺寸大致30％以內(nèi)的厚度的電介質(zhì)包覆20a、20b的結(jié)構(gòu)，便可與實(shí)施形態(tài)1的斷路器部相同，使屏蔽套直徑及極間尺寸縮小，另外，可抑制可動(dòng)觸頭9沿面的電場(chǎng)值上升，實(shí)現(xiàn)接地開關(guān)部整體的小型化。
實(shí)施形態(tài)3以下，根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)3作說(shuō)明。圖6是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)3的氣體絕緣開關(guān)裝置的斷路器部的剖視圖。
圖6中，在可動(dòng)側(cè)電極部2a的屏蔽套17a上實(shí)施有與上述實(shí)施形態(tài)1相同的電介質(zhì)包覆18，以抑制屏蔽套17a前端及側(cè)面的強(qiáng)電場(chǎng)，但固定側(cè)電極部2b的屏蔽套21的表面由金屬表面或1mm以下厚度的電介質(zhì)包覆構(gòu)成。
由此，在例如產(chǎn)生電弧等嚴(yán)酷的使用條件下，不必使用易損傷的電介質(zhì)，能得到與實(shí)施形態(tài)1或2相同的設(shè)備小型化、小型化的優(yōu)點(diǎn)。
另外，上述結(jié)構(gòu)并不局限于斷路器，也可適用于接地開關(guān)部的屏蔽套。
實(shí)施形態(tài)4以下，根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)4作說(shuō)明。圖7是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)4的氣體絕緣開關(guān)裝置的導(dǎo)體連接部的剖視圖。
圖7中，導(dǎo)體連接部11被收納于封入有絕緣消弧性氣體的接地電位的金屬容器1內(nèi)。導(dǎo)體連接部11中，主回路導(dǎo)體10利用可動(dòng)觸頭12而被電氣連接，該導(dǎo)體連接部11的可動(dòng)觸頭側(cè)由電場(chǎng)衰減用屏蔽套13覆蓋，從而抑制在低電場(chǎng)值。另外，屏蔽套13，在其開口部前端附近的強(qiáng)電場(chǎng)部表面實(shí)施有電介質(zhì)包覆14，構(gòu)成金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套。這些復(fù)合絕緣屏蔽套，是在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對(duì)的屏蔽套之間極間尺寸大約30％以內(nèi)的厚度的電介質(zhì)包覆14的結(jié)構(gòu)。
由此，實(shí)施形態(tài)4中，在將具有與主回路導(dǎo)體10連接的可動(dòng)觸頭12的導(dǎo)體連接部11收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器1內(nèi)、在上述導(dǎo)體連接部11的可動(dòng)觸頭12側(cè)設(shè)置了在開口部前端附近的強(qiáng)電場(chǎng)部表面實(shí)施有電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套的氣體絕緣開關(guān)裝置中，作為復(fù)合絕緣屏蔽套，通過(guò)使用在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對(duì)的充電部的極間尺寸大致30％以內(nèi)的厚度的電介質(zhì)包覆14的結(jié)構(gòu)，就能進(jìn)一步減小屏蔽板前端的電場(chǎng)值，由此使屏蔽套直徑15及壓力容器直徑16進(jìn)一步減小，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)氣體絕緣開關(guān)裝置整體的小型化，可期望大幅度地降低成本。
實(shí)施形態(tài)5圖8是表示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)5的氣體絕緣開關(guān)裝置的斷路器部的剖視圖，是分別由第1及第2絕緣支承筒24、25包圍使用了本發(fā)明的復(fù)合絕緣屏蔽套的斷路器部2和接地開關(guān)部7而將其支承于接地金屬容器1內(nèi)而成的。
即，在將可動(dòng)側(cè)電極部及固定側(cè)電極部由第1及第2絕緣支承筒24、25支承的斷路器部2及接地開關(guān)部7收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器1內(nèi)、為了在各絕緣支承筒24、25內(nèi)覆蓋各可動(dòng)側(cè)電極部而在其開口部前端附近的強(qiáng)電場(chǎng)部表面設(shè)置有實(shí)施了電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套的氣體絕緣開關(guān)裝置中，作為復(fù)合絕緣屏蔽套，通過(guò)使用在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對(duì)的固定側(cè)電極部的電場(chǎng)衰減用屏蔽套的極間尺寸大約30％以內(nèi)的厚度的電介質(zhì)包覆的結(jié)構(gòu)，從而可將由絕緣支承筒24、25一體構(gòu)成的斷路器部2及接地開關(guān)部7進(jìn)一步小型化，同時(shí)，可實(shí)現(xiàn)氣體絕緣開關(guān)裝置整體的小型化。
上述實(shí)施形態(tài)1～5中說(shuō)明的電介質(zhì)包覆例如也可為環(huán)氧樹脂，與上述金屬制的屏蔽套一體注塑而成。
另外，上述絕緣氣體，也可是單體的SF6、干燥空氣、N2、CO2、O2、C-C4F8，也可是上述2種或2種以上的混合氣體。
另外，實(shí)施形態(tài)1～5中說(shuō)明的斷路器部2、接地開關(guān)部7及導(dǎo)體連接部11，也可是在接地金屬容器1內(nèi)僅由1相的設(shè)備構(gòu)成的單相結(jié)構(gòu)，或在接地金屬容器1內(nèi)由三相的設(shè)備構(gòu)成的三相整體結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明，在將斷路器部、接地開關(guān)部及導(dǎo)體連接部收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器內(nèi)、為了覆蓋斷路器部、接地開關(guān)部及導(dǎo)體連接部的電極部而在開口部前端附近的強(qiáng)電場(chǎng)部表面設(shè)置有實(shí)施了電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套的氣體絕緣開關(guān)裝置中，作為斷路器部、接地開關(guān)部及導(dǎo)體連接部的至少1個(gè)復(fù)合絕緣屏蔽套，使用在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對(duì)的電場(chǎng)衰減用屏蔽套或充電部的極間尺寸大致30％以內(nèi)的厚度的電介質(zhì)包覆的結(jié)構(gòu)，從而能有效地減小斷路器、接地開關(guān)部、導(dǎo)體連接部的極間附近的電場(chǎng)值，可實(shí)現(xiàn)氣體絕緣開關(guān)裝置整體的小型化、以及小型化帶來(lái)的經(jīng)濟(jì)性提高。
權(quán)利要求
1.一種氣體絕緣開關(guān)裝置，將斷路器部、接地開關(guān)部及導(dǎo)體連接部收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器內(nèi)，為了覆蓋所述斷路器部、接地開關(guān)部及導(dǎo)體連接部的電極部，在開口部前端附近的強(qiáng)電場(chǎng)部表面設(shè)置實(shí)施有電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套，其特征在于，所述斷路器部、接地開關(guān)部及導(dǎo)體連接部的至少1個(gè)復(fù)合絕緣屏蔽套，形成有電介質(zhì)包覆，該電介質(zhì)包覆具有在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對(duì)的電場(chǎng)衰減用屏蔽套或充電部的極間尺寸大致30％以內(nèi)的厚度。
2.一種氣體絕緣開關(guān)裝置，將具有可動(dòng)側(cè)電極部和固定側(cè)電極部的斷路器部收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器內(nèi)，為了覆蓋所述可動(dòng)側(cè)電極部，在開口部前端附近的強(qiáng)電場(chǎng)部表面設(shè)有實(shí)施了電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套，其特征在于，所述復(fù)合絕緣屏蔽套，形成有電介質(zhì)包覆，該電介質(zhì)包覆具有在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有所述固定側(cè)電極部的電場(chǎng)衰減用屏蔽套的極間尺寸大致30％以內(nèi)的厚度。
3.一種氣體絕緣開關(guān)裝置，將具有可動(dòng)側(cè)電極部和固定側(cè)電極部的接地開關(guān)部收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器內(nèi)，為了覆蓋所述可動(dòng)側(cè)電極部，在開口部前端附近的強(qiáng)電場(chǎng)部表面設(shè)有實(shí)施了電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套，其特征在于，所述復(fù)合絕緣屏蔽套，形成有電介質(zhì)包覆，該電介質(zhì)包覆具有在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有所述固定側(cè)電極部的電場(chǎng)衰減用屏蔽套的極間尺寸的大致30％以內(nèi)的厚度。
4.如權(quán)利要求2或3所述的氣體絕緣開關(guān)裝置，其特征在于，所述固定側(cè)電極部的電場(chǎng)衰減用屏蔽套，是形成有電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套，該電介質(zhì)包覆具有在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有所述可動(dòng)側(cè)電極部的電場(chǎng)衰減用屏蔽套的極間尺寸大致30％以內(nèi)的厚度。
5.如權(quán)利要求2或3所述的氣體絕緣開關(guān)裝置，其特征在于，所述固定側(cè)電極部的電場(chǎng)衰減用屏蔽套的開口部前端附近的強(qiáng)電場(chǎng)部表面由金屬表面或1mm以下厚度的電介質(zhì)包覆構(gòu)成。
6.一種氣體絕緣開關(guān)裝置，將具有與主回路導(dǎo)體連接的可動(dòng)觸頭的導(dǎo)體連接部收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器內(nèi)，在所述導(dǎo)體連接部的可動(dòng)觸頭側(cè)設(shè)置有在開口部前端附近的強(qiáng)電場(chǎng)部表面實(shí)施了電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套，其特征在于，所述復(fù)合絕緣屏蔽套，形成有電介質(zhì)包覆，該電介質(zhì)包覆具有在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對(duì)的充電部的極間尺寸大致30％以內(nèi)的厚度。
7.一種氣體絕緣開關(guān)裝置，將可動(dòng)側(cè)電極部及固定側(cè)電極部由第1絕緣支承筒支承的斷路器部、及可動(dòng)側(cè)電極部及固定側(cè)電極部由第2絕緣支承筒支承的接地開關(guān)部收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器內(nèi)，為了在所述各絕緣支承筒內(nèi)覆蓋所述各可動(dòng)側(cè)電極部，在其開口部前端附近的強(qiáng)電場(chǎng)部表面設(shè)置有實(shí)施了電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套，其特征在于，所述復(fù)合絕緣屏蔽套形成有電介質(zhì)包覆，該電介質(zhì)包覆具有在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對(duì)的固定側(cè)電極部的電場(chǎng)衰減用屏蔽套的極間尺寸大約30％以內(nèi)的厚度。
8.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的氣體絕緣開關(guān)裝置，其特征在于，所述電介質(zhì)包覆由環(huán)氧樹脂、與所述電場(chǎng)衰減用屏蔽套一體注塑而成。
9.如權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的氣體絕緣開關(guān)裝置，其特征在于，所述絕緣氣體是單體的SF6、干燥空氣、N2、CO2、O2、C-C4F8或所述氣體的2種或2種以上的混合氣體。
全文摘要
一種氣體絕緣開關(guān)裝置，為覆蓋斷路器部(2)的可動(dòng)側(cè)電極部(2a)及固定側(cè)電極部(2b)，在開口部前端附近的強(qiáng)電場(chǎng)部表面設(shè)置實(shí)施了電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套(17a、17b)，作為這些復(fù)合絕緣屏蔽套(17a、17b)，通過(guò)使用在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對(duì)的極間尺寸大致30％以內(nèi)的厚度的電介質(zhì)包覆(18a、18b)，可減小屏蔽套前端部的電場(chǎng)值，且通過(guò)減小屏蔽套直徑(15)及極間尺寸(18)，實(shí)現(xiàn)氣體絕緣開關(guān)裝置整體的小型化。通過(guò)使應(yīng)用于氣體絕緣開關(guān)裝置的斷路器部、接地開關(guān)部、或?qū)w連接部小型化，可實(shí)現(xiàn)氣體絕緣開關(guān)裝置整體的小型化，帶來(lái)的經(jīng)濟(jì)性的提高。
文檔編號(hào)H01H33/24GK1503417SQ0315936
公開日2004年6月9日 申請(qǐng)日期2003年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月19日
發(fā)明者青木寬英, 羽馬洋之, 大冢卓彌, 大住光一, 清水芳則, 井波潔, 一, 之, 則, 彌 申請(qǐng)人:Tmt&D株式會(huì)社