專(zhuān)利名稱(chēng)：電致發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電致發(fā)光顯示裝置，特別涉及對(duì)一種在絕緣性基板上形成有本身具備陽(yáng)極層、發(fā)光層及陰極層的電致發(fā)光元件的電致發(fā)光顯示裝置提高其顯示品質(zhì)的技術(shù)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，使用有機(jī)電致發(fā)光(Electro Luminescence以下稱(chēng)為“有機(jī)EL”)元件的有機(jī)EL顯示裝置，正因取代陰極射線管(CRTCathodeRay Tube)或液晶顯示器(LCDLiquid Crystal Display)而受到矚目。
圖7是現(xiàn)有的有機(jī)EL顯示面板例的構(gòu)造剖視圖。元件玻璃基板1具有在表面形成有若干個(gè)包含有機(jī)EL元件的像素的顯示區(qū)域。為了簡(jiǎn)化起見(jiàn)，圖7中僅局部顯示出R、G、B的各一個(gè)像素。亦即，在元件玻璃基板1上，以預(yù)定間隔形成發(fā)光層2R、2G、2B。而且，由陰極層3覆蓋這些發(fā)光層2R、2G、2B，并且延及元件玻璃基板1的整個(gè)顯示區(qū)域。陰極層3是由例如鋁層所形成。
而且，上述構(gòu)成的元件玻璃基板1是利用環(huán)氧樹(shù)脂等所制成的密封樹(shù)脂5來(lái)與密封玻璃基板4貼合。此外，雖然未特別加以圖示，但在密封玻璃基板4上涂有用來(lái)吸收水分等濕氣的干燥劑層。
在上述構(gòu)造的有機(jī)EL面板中，有機(jī)EL元件是由未圖示的驅(qū)動(dòng)電路所驅(qū)動(dòng)，且在燈亮?xí)r，如圖7所示，從發(fā)光層2R、2G、2B所產(chǎn)生的R、G、B光線，會(huì)透過(guò)透明或半透明的元件玻璃基板1而射出至外部。
然而，上述現(xiàn)有的有機(jī)EL面板，如圖6所示，會(huì)發(fā)生對(duì)來(lái)自鋁層構(gòu)成的陰極層3的光線反射。例如，在明亮場(chǎng)所觀看有機(jī)EL面板時(shí)，如果此陰極層3所產(chǎn)生的反射光線太強(qiáng)，則整個(gè)顯示區(qū)域看起來(lái)就會(huì)變白，而產(chǎn)生顯示對(duì)比度惡化的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的課題而研創(chuàng)的，其主要特征構(gòu)成如下。
第一，是在絕緣性基板上形成具有陽(yáng)極層、發(fā)光層及陰極層的電致發(fā)光元件，同時(shí)由上述陰極層覆蓋上述發(fā)光層的電致發(fā)光顯示裝置，其中，在上述發(fā)光層的形成區(qū)域以外的絕緣性基板上的區(qū)域，形成有用來(lái)防止上述陰極層所導(dǎo)致的光線反射的防反射層。
這樣，即可防止因陰極層所導(dǎo)致的反射現(xiàn)象，故可提高顯示的對(duì)比度。
并且，第二，是在絕緣性基板上形成具有陽(yáng)極層、發(fā)光層及陰極層的電致發(fā)光元件，同時(shí)由上述陰極層覆蓋上述發(fā)光層的電致發(fā)光顯示裝置，其中，至少在上述陰極層的下層形成有與上述發(fā)光層同色的著色層。
這樣，即使發(fā)生因陰極層所導(dǎo)致的光線反射，由于該反射光與發(fā)光層同色，故可提高顯示的對(duì)比度。


圖1是本發(fā)明實(shí)施方式1的有機(jī)EL顯示面板的剖視圖。
圖2是與本發(fā)明實(shí)施方式1的R、G、B對(duì)應(yīng)的各像素6R、6G、6B的俯視簡(jiǎn)圖。
圖3是本發(fā)明實(shí)施方式1的有機(jī)EL顯示面板的像素附近的俯視圖。
圖4是本發(fā)明實(shí)施方式1的有機(jī)EL顯示面板的像素剖視圖。
圖5是本發(fā)明實(shí)施方式2的有機(jī)EL顯示面板的像素剖視圖。
圖6是本發(fā)明實(shí)施方式3的有機(jī)EL顯示面板的像素剖視圖。
圖7是現(xiàn)有有機(jī)EL顯示面板例的剖視圖。
符號(hào)說(shuō)明1元件玻璃基板；2R、2G、2B發(fā)光層；3陰極層；4密封玻璃基板；5密封樹(shù)脂；6R、6G、6B像素；7、18防反射層；10絕緣性基板；12、32柵極絕緣膜；15層間絕緣膜；17平坦化絕緣膜；19氧化鉻層；30切換用TFT；31、41柵極；33、43有源層；36漏極；40驅(qū)動(dòng)用TFT；51柵極信號(hào)線；52漏極信號(hào)線；53驅(qū)動(dòng)電源線；54保持電容電極線；55電容電極；56保持電容；60有機(jī)EL元件；61陽(yáng)極層；62空穴輸送層；63發(fā)光層；64電子輸送層；65陰極層具體實(shí)施方式
圖1是本發(fā)明實(shí)施方式1的有機(jī)EL顯示面板的剖視圖。在圖1中，與圖6相同的構(gòu)成部分標(biāo)注相同的符號(hào)。而圖2是對(duì)應(yīng)于R、G、B的各像素6R、6G、6B的俯視簡(jiǎn)圖。
如圖1、圖2所示，陰極層3覆蓋在這些發(fā)光層2R、2G、2B上，并且在元件玻璃基板1的整個(gè)顯示區(qū)域上延伸。陰極層3是由例如鋁層所形成。而且，在像素6R、6G、6B內(nèi)的發(fā)光層2R、2G、2B的形成區(qū)域以外的元件玻璃基板1上的區(qū)域，形成有用來(lái)防止陰極層3所導(dǎo)致的光線反射的防反射層7。
圖中，為了便于了解，僅顯示出三個(gè)像素6R、6G、6B，但所有像素都是同樣的結(jié)構(gòu)。防反射層7是用來(lái)防止從元件玻璃基板1背面射入的光的反射，因此只要是在陰極層3的下層，則無(wú)論形成于元件玻璃基板1的任何部位均可。
而且，防反射層7的反射率只要在50％以下即可，優(yōu)選為20％以下，例如，以氧化鉻(CrO)為優(yōu)選。另外，要使此防反射層7兼具有用來(lái)防止光線穿過(guò)發(fā)光層2R、2G、2B形成區(qū)域以外的部分的功能，即所謂黑底(black matrix)功能時(shí)，以例如氧化鉻(CrO)及鉻(Cr)的層積構(gòu)造較為合適。
本發(fā)明人確認(rèn)，通過(guò)在膜厚大約500的CrO膜上層積膜厚大約100的Cr膜而在玻璃基板上形成防反射層時(shí)，對(duì)于波長(zhǎng)450的光的反射率，可獲得大約12％的反射率。此外，反射率具有波長(zhǎng)依存性，在波長(zhǎng)為450附近顯示出峰值(大約12％)。其次，參照?qǐng)D3、圖4，對(duì)于本實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖3表示有機(jī)EL面板的像素(對(duì)應(yīng)于上述像素6R)附近的俯視圖，圖4(a)是圖3中的A-A線剖視圖，圖4(b)是圖3中的B-B線剖視圖。
如圖3和圖4所示，在由柵極信號(hào)線51與漏極信號(hào)線52所包圍的區(qū)域形成有像素，且配置成矩陣狀。在像素中配置有屬于自發(fā)光元件的有機(jī)EL元件60；用于控制將電流供應(yīng)至此有機(jī)EL元件60的時(shí)序的切換用薄膜晶體管30(TFT30，第一TFT)；將電流供應(yīng)至有機(jī)EL元件60的驅(qū)動(dòng)用TFT40(第二TFT)；以及保持電容。此外，有機(jī)EL元件60是由陽(yáng)極層61、包含發(fā)光層63的發(fā)光元件層、以及陰極層65所形成。如后文所述，在此陰極層65的下層設(shè)有防反射層18。
在兩信號(hào)線51、52的交叉點(diǎn)附近具有切換用TFT30，該切換用TFT30的源極33s也兼用作在其與保持電容電極線54之間形成的電容的電容電極55，同時(shí)與EL元件的驅(qū)動(dòng)用TFT40的柵極41連接，驅(qū)動(dòng)用TFT40的源極43s則與有機(jī)EL元件60的陽(yáng)極層61連接，另一方的漏極43d則與屬于有機(jī)EL元件60的電流供應(yīng)源的驅(qū)動(dòng)電源線53連接。
另外，與柵極信號(hào)線51平行配置著保持電容電極線54。此保持電容電極線54是由鉻等形成，并且在經(jīng)由柵極絕緣膜12與切換用TFT30的源極33s連接的電容電極55之間貯存電荷而形成電容。此保持電容56是為了維持施加于驅(qū)動(dòng)用TFT40的柵極41的電壓而設(shè)置的。
如圖4所示，有機(jī)EL顯示裝置是在玻璃或合成樹(shù)脂等制成的基板或具有導(dǎo)電性的基板或半導(dǎo)體基板等的基板10上，依序?qū)臃eTFT及有機(jī)EL元件而形成。但是，當(dāng)基板10使用具有導(dǎo)電性的基板及半導(dǎo)體基板時(shí)，是先在這些基板10上形成SiO2或SiN等的絕緣膜之后，再形成切換用TFT30、驅(qū)動(dòng)用TFT40及有機(jī)EL元件。每一個(gè)TFT的柵極皆為隔著柵極絕緣膜而位于有源層上方的所謂頂部柵極(top gate)構(gòu)造。此外，并不限于頂部柵極構(gòu)造，亦可為將有源層疊積在柵極上的所謂底部柵極(bottom gate)構(gòu)造。
首先，對(duì)切換用TFT30加以說(shuō)明。
如圖4(a)所示，在由石英玻璃、無(wú)堿玻璃等所構(gòu)成的絕緣性基板10上，利用化學(xué)氣相沉積(CVD)法形成非晶硅膜(以下稱(chēng)為“a-Si膜”)，并且在該a-Si膜照射激光，使其熔融后再結(jié)晶而形成多晶硅膜(以下稱(chēng)為“p-Si膜”)，將其作為有源層33。然后，在其上方形成SiO2膜、SiN膜的單層或?qū)臃e體以作為柵極絕緣膜32。在其上方，再設(shè)置由Cr、Mo等高熔點(diǎn)金屬所構(gòu)成的且兼作柵極31的柵極信號(hào)線51，以及由Al所構(gòu)成的漏極信號(hào)線52，且配置有本身為有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電源的由Al所構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電源線53。
而且，在柵極絕緣膜32及有源層33上的整個(gè)面上，形成有按SiO2膜、SiN膜、SiO2膜的順序而層積的層間絕緣膜15，且在對(duì)應(yīng)漏極33d而設(shè)置的接觸孔中填充Al等金屬，從而形成漏極36，而且在整個(gè)面上形成有由有機(jī)樹(shù)脂形成且表面經(jīng)平坦化處理的平坦化絕緣膜17。
其次，對(duì)有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)用TFT40加以說(shuō)明。如圖4(b)所示，在石英玻璃、無(wú)堿玻璃等所構(gòu)成的絕緣性基板10上依序形成對(duì)a-Si膜照射激光進(jìn)行多結(jié)晶化而形成的有源層43、柵極絕緣膜12以及由Cr、Mo等高熔點(diǎn)金屬所構(gòu)成的柵極41，且在該有源層43上設(shè)有溝道43c，以及位于該溝道43c兩側(cè)的源極43s和漏極43d。
然后，在柵極絕緣膜12及有源層43上的整個(gè)面上，形成依SiO2膜、SiN膜及SiO2膜的順序?qū)臃e而成的層間絕緣膜15，并且設(shè)置有在對(duì)應(yīng)漏極43d而設(shè)置的接觸孔中填充Al等金屬而連接于驅(qū)動(dòng)電源的驅(qū)動(dòng)電源線53。在整個(gè)面上還具有由例如有機(jī)樹(shù)脂構(gòu)成的表面經(jīng)平坦化處理的平坦化絕緣膜17。
然后，在與該平坦化絕緣膜17得源極43s相對(duì)應(yīng)的位置形成接觸孔，并且在平坦化絕緣膜17上設(shè)有經(jīng)由該接觸孔而與源極43s相接觸的由氧化銦錫(ITOIndium Tin Oxide)所構(gòu)成的透明電極，即有機(jī)EL元件的陽(yáng)極層61。該陽(yáng)極層61是按各顯示像素而分離形成島狀。
有機(jī)EL元件60的構(gòu)造是由氧化銦錫ITO(Indium Tin Oxide)等透明電極所構(gòu)成的陽(yáng)極層61；由MTDATA(4，4-雙(3-甲基苯基苯胺基)聯(lián)苯)所構(gòu)成的第一空穴輸送層與由TPD(4，4，4-參(3-甲基苯基苯胺基)三苯基胺)所構(gòu)成的第2空穴輸送層所構(gòu)成的空穴輸送層62；由包含喹吖啶酮(Quinacridone)衍生物的Bebq2(10-苯并[h]酚-鈹配位化合物)所構(gòu)成的發(fā)光層63；以及由Bebq2所構(gòu)成的電子輸送層64；由鎂·銦合金或鋁、或鋁合金所構(gòu)成的陰極層65等依序?qū)臃e而成。
陰極層65覆蓋在發(fā)光層63上，并且延及整個(gè)像素區(qū)域。而且，在陰極層65下層的平坦化絕緣膜17上，利用蒸鍍法或?yàn)R鍍法等形成有由氧化鉻所構(gòu)成的防反射層18。但是，防反射層18并未形成在發(fā)光層63的下層。
有機(jī)EL元件60是通過(guò)使由陽(yáng)極層61進(jìn)入的空穴以及由陰極層65進(jìn)入的電子在發(fā)光層63的內(nèi)部再結(jié)合而形成發(fā)光層63的有機(jī)分子被激發(fā)而產(chǎn)生激子，而在此激發(fā)子放射鈍化的過(guò)程中，從發(fā)光層63放出光，此光會(huì)由透明的陽(yáng)極層61透過(guò)透明或半透明的絕緣性基板10向外部射出而發(fā)光。
根據(jù)本實(shí)施方式，由于設(shè)有上述防反射層18，因此可盡量防止因陰極層65所導(dǎo)致的反射現(xiàn)象，故可提高顯示對(duì)比度。
然后，參照?qǐng)D5說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2。圖5(a)是對(duì)應(yīng)于圖3中A-A線的剖視圖，圖5(b)是對(duì)應(yīng)于圖3中B-B線的剖視圖。此外，在圖5中，對(duì)與圖4相同的構(gòu)成部分標(biāo)注相同的符號(hào)，并省略其說(shuō)明。
本實(shí)施方式的特點(diǎn)在于，利用與發(fā)光層63相同的顏色將平坦化絕緣膜17R著色。例如，對(duì)于具有R(紅色)發(fā)光層63的像素，該像素的平坦化絕緣膜17R著色為紅色。同樣，對(duì)于具有相鄰的G(綠色)發(fā)光層63的像素，該像素的平坦化絕緣膜(未圖示)著色為綠色，而具有B(藍(lán)色)發(fā)光層63的像素，該像素的平坦化絕緣膜(未圖示)著色為藍(lán)色。
例如，紅色的平坦化絕緣膜17R是由含有紅色著色材料的感光性樹(shù)脂形成。其形成方法是在整個(gè)面上涂布含有紅色著色材料的感光性樹(shù)脂，然后通過(guò)光刻工序，使該感光性樹(shù)脂與R(紅色)的像素列相應(yīng)地殘留成條紋狀。對(duì)綠色、藍(lán)色的平坦化絕緣膜亦可以同樣方式形成。
這樣，即使在例如R(紅色)像素中發(fā)生由陰極層65所導(dǎo)致的光線反射，該反射光也會(huì)通過(guò)平坦化絕緣膜17R，再?gòu)慕^緣性基板10射出至外部，因此該反射光與發(fā)光層63同色，故可提高顯示的對(duì)比度。
如上所述，實(shí)施方式1是形成防反射層7，以防止從元件玻璃基板1背面所射入的光產(chǎn)生反射，實(shí)施方式2是使平坦化絕緣膜形成與發(fā)光層相同的色系，但亦可將這些構(gòu)成加以組合。即，通過(guò)形成防反射層7，同時(shí)使平坦化絕緣膜形成與發(fā)光層相同的色系，利用兩者的疊加效果進(jìn)一步提高顯示的對(duì)比度。例如，通過(guò)防反射層7雖可抑制反射，但反射率若不是0％，則多少會(huì)產(chǎn)生反射光。由于該反射光會(huì)通過(guò)平坦化絕緣膜17R，再?gòu)慕^緣性基板10射出至外部，因此如與發(fā)光層63同色，可進(jìn)一步提高顯示的對(duì)比度。
其次，參照?qǐng)D6說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式3。圖6(a)是對(duì)應(yīng)于圖3中A-A線的剖視圖，圖6(b)是對(duì)應(yīng)于圖3中B-B線的剖視圖。此外，在圖6中，與圖4相同的構(gòu)成部分標(biāo)注相同的符號(hào)，并省略其說(shuō)明。
如上所述，防反射層是用來(lái)防止從元件玻璃基板1背面射入的光產(chǎn)生反射，因此只要是在陰極層3的下層，則除了發(fā)光層63形成區(qū)域以外，可形成于元件玻璃基板1上的任何部位，而本實(shí)施方式是在上述切換用TFT30及驅(qū)動(dòng)用TFT40的下層形成氧化鉻層19(CrO層)。具體而言，是利用蒸鍍法或?yàn)R鍍法等在絕緣性基板10上形成氧化鉻層19，并且以至少殘留在切換用TFT30及驅(qū)動(dòng)用TFT40的形成區(qū)域的方式形成圖案。而且，上述方法是在該氧化鉻層19上形成由多晶硅膜所構(gòu)成的有源層33、43。氧化鉻層19的厚度以大約500為宜，但并不限定于此。
此氧化鉻層19具有可防止從元件玻璃基板1背面入射的光線產(chǎn)生反射的防反射層的功能，但除此之外，還具有阻擋光線射入切換用TFT30及驅(qū)動(dòng)用TFT40的有源層33、43的遮光層功能，并具有可防止光電流流向切換用TFT30及驅(qū)動(dòng)用TFT40的效果。
即，如果沒(méi)有這種遮光層，則光會(huì)從元件玻璃基板1的背面射入切換用TFT30及驅(qū)動(dòng)用TFT40的有源層33、43，并且因此光的能量而在有源層33、43內(nèi)產(chǎn)生載流子。如此一來(lái)，即使切換用TFT30及驅(qū)動(dòng)用TFT40是設(shè)定在切斷(OFF)狀態(tài)，光電流也會(huì)流入源極與漏極之間，以致發(fā)生顯示對(duì)比度的劣化。因此，通過(guò)形成上述氧化鉻層19，可抑制這種光電流的發(fā)生，并可謀求提高顯示品質(zhì)。
發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明的電致發(fā)光顯示裝置，由于是在絕緣性基板上形成具有陽(yáng)極層、發(fā)光層及陰極層的電致發(fā)光元件，同時(shí)由上述陰極層覆蓋上述發(fā)光層，在除了上述發(fā)光層的形成區(qū)域以外的絕緣性基板上的區(qū)域，形成有可防止因上述陰極層所導(dǎo)致的光反射的防反射層，因此可防止因陰極層所導(dǎo)致的反射現(xiàn)象，并提高顯示的對(duì)比度。
而且，根據(jù)本發(fā)明的電致發(fā)光顯示裝置，由于是在絕緣性基板上形成具有陽(yáng)極層、發(fā)光層及陰極層的電致發(fā)光元件，同時(shí)由上述陰極層覆蓋上述發(fā)光層，至少在上述陰極層的下層形成有與上述發(fā)光層同色的著色層，因此即使發(fā)生因陰極層所導(dǎo)致的光反射，由于該反射光與發(fā)光層同色，故可提高顯示的對(duì)比度。
并且，根據(jù)本發(fā)明，由于在用來(lái)驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光元件的TFT的下層設(shè)有具有遮光功能的氧化鉻層，因此可通過(guò)此氧化鉻層防止反射，同時(shí)可防止光電流流到TFT，進(jìn)一步提高顯示的對(duì)比度。
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，在絕緣性基板上形成具有陽(yáng)極層、發(fā)光層及陰極層的電致發(fā)光元件，同時(shí)由所述陰極層覆蓋所述發(fā)光層，在所述發(fā)光層形成區(qū)域以外的絕緣性基板上的區(qū)域，形成有用來(lái)防止因所述陰極層所導(dǎo)致的光反射的防反射層。
2.如權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述防反射層形成于知部所述陰極層下層的所述絕緣性基板上。
3.一種電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，具有形成于絕緣性基板膜上的薄膜晶體管；形成在所述薄膜晶體管上的平坦化絕緣膜；以及形成于所述平坦化絕緣膜上的具有陽(yáng)極層、發(fā)光層及陰極層的電致發(fā)光元件，且由所述陰極層覆蓋所述發(fā)光層，在所述發(fā)光層形成區(qū)域以外的所述平坦化絕緣膜上形成有用來(lái)防止因所述陰極層所導(dǎo)致的光反射的防反射層。
4.如權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述防反射層由反射率在50％以下的低反射層形成。
5.如權(quán)利要求4所述的電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述低反射層由氧化鉻層形成。
6.一種電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，在絕緣性基板上形成具有陽(yáng)極層、發(fā)光層及陰極層的電致發(fā)光元件，同時(shí)由所述陰極層覆蓋所述發(fā)光層，至少在所述陰極層的下層形成與所述發(fā)光層色系相同的著色層。
7.一種電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，具有形成于絕緣性基板膜上的薄膜晶體管；形成與所述薄膜晶體管上的平坦化絕緣膜；以及形成于所述平坦化絕緣膜上的具有陽(yáng)極層、發(fā)光層及陰極層的電致發(fā)光元件，同時(shí)由所述陰極層覆蓋所述發(fā)光層，所述平坦化絕緣膜具有與所述發(fā)光層相同的色系。
8.如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述平坦化絕緣膜是由含有與所述發(fā)光層為相同色系的著色材料的感光性樹(shù)脂所形成。
9.一種電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，在絕緣性基板上形成具有陽(yáng)極層、發(fā)光層及陰極層的電致發(fā)光元件，同時(shí)由所述陰極層覆蓋所述發(fā)光層，具有形成于所述發(fā)光層形成區(qū)域以外的絕緣性基板上，用來(lái)防止因所述陰極層所導(dǎo)致的光反射的防反射層；以及至少形成于所述陰極層的下層，且與所述發(fā)光層為相同色系的著色層。
10.一種電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，具有具有形成于絕緣性基板上的陽(yáng)極層、發(fā)光層及陰極層的電致發(fā)光元件；用來(lái)驅(qū)動(dòng)所述電致發(fā)光元件的TFT；以及形成與所述TFT下層的低反射率型遮光層。
11.一種電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，具有具有形成于絕緣性基板上的陽(yáng)極層、發(fā)光層及陰極層的電致發(fā)光元件；用來(lái)控制使電流在所述電致發(fā)光元件中流動(dòng)的時(shí)序的切換用第一TFT；與所述第一TFT的切換相應(yīng)地將電流供應(yīng)至所述電致發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)用第二TFT；以及形成于構(gòu)成所述第一及第二TFT的有源層下層的低反射率型遮光層。
12.如權(quán)利要求10或11所述的電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述低反射率型遮光層是由氧化鉻所形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電致發(fā)光顯示裝置，其目的在于防止陰極層所導(dǎo)致的反射現(xiàn)象，并提高顯示的對(duì)比度。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置其特征為在元件玻璃基板(1)上形成具有發(fā)光層(2R)、(2G)、(2B)及陰極層(3)的有機(jī)EL元件，同時(shí)由陰極層(3)覆蓋發(fā)光層(2R)、(2G)、(2B)，在發(fā)光層(2R)、(2G)、(2B)的形成區(qū)域以外的元件玻璃基板(1)上，形成有用來(lái)防止陰極層(3)所導(dǎo)致的光線反射的防反射層(7)。因此，只有來(lái)自發(fā)光層(2R)、(2G)、(2B)的光會(huì)射出至外部，且可防止陰極層(3)所導(dǎo)致的反射現(xiàn)象，故可提高顯示的對(duì)比度。
文檔編號(hào)H01L51/00GK1461180SQ03136939
公開(kāi)日2003年12月10日 申請(qǐng)日期2003年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月24日
發(fā)明者米田清 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社