專利名稱：傳送貯藏箱中掩?；蚧姆椒ê退迷O備及其制造方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種方法，用來傳送能將圖案加載到極端紫外電磁輻射投射光束上的基片或掩模、貯藏箱，還涉及適于該方法的設備或裝置，例如，一個平版投射裝置，它包括一個用來提供極端紫外電磁磁輻射投射光束的輻射系統(tǒng)；一個用來固定反射掩模的掩模臺，其中掩模用來根據(jù)所需的圖案在掩模反射投射光束時將圖案加載到投射光束上，產(chǎn)生帶圖案的投射光束；一個用來固定基片的基片臺；一個用來將帶圖案的投射光束投射到基片上的目標部分的投射系統(tǒng)。
平版投射裝置可在，例如，集成電路(IC)制造中得到使用。在這種情況下，圖案裝置可以產(chǎn)生與單層IC相對應的電路圖案，該圖案還可映像到一個涂有一層輻射性敏感物質(zhì)(保護層)的基片(硅片)上的一個目標部分上(例如，組成一個或多個晶片)。通常，一個單片包含的全部目標部分相鄰構(gòu)成網(wǎng)絡，這些目標部分依次通過投射系統(tǒng)連續(xù)輻照而成。在現(xiàn)有的裝置中，根據(jù)使用的位于掩模臺上的掩模的圖案的不同，可區(qū)分出兩種不同類型的機器。在第一種類型的平版投射裝置中，每一個目標部分都是通過將整個掩模圖案一次性地全部輻照到目標部分而成；這樣的裝置通常稱為圓片分檔器。在另一種通常稱為步進掃描裝置的裝置中，每一個目標部分都是通過在投射光束下沿給定基準方向(“掃描”方向)逐步掃描掩模圖案并同步掃描與該方向平行或反平行的基片臺輻照而成；由于投射系統(tǒng)通常存在一個放大因子M(通常小于1)，從而掃描基片臺的速度V等于因子M乘以掃描掩模臺的速度，有關(guān)平版設備的更多信息，例如，可參考US6,046,792獲得。
在使用一個平版投射裝置的生產(chǎn)過程中，圖案(例如，在掩模中)映像到一個至少部分涂有一層輻射性敏感物質(zhì)(保護層)的基片上。在該映像步驟之前，基片可能承受了各種工序，如涂底漆、保護涂層和軟烘焙。在該步驟輻照后，基片還可能承受其它工序，如后輻照烘焙(PEB)、顯影、硬烘焙和映像特征檢測/測量，這些工序組合作為基礎，用來將圖案加載到設備上，如一個集成電路，的一個單層。這樣一個帶圖案的層接著可能承受各種工序，如蝕刻、離子移植(摻雜值)、噴鍍金屬、氧化和化學機械拋光等，所有這些工序都是用來完成一個單層。如果需要處理多層，那么所有的工序，或者其變體，都需要在每一個新層上重復。最終，在基片(晶片)上將出現(xiàn)許多設備。接著可通過如切割或鋸切等技術(shù)將這些設備相互之間分離開，由此單個設備可安裝到一個載體上，連接到樞軸上，等等。有關(guān)該過程的進一步信息，例如，可參考Peter van Zant的著作“微型芯片制造半導體處理實踐指南”，第三版，McGraw Hill出版公司出板，1997，ISBN0-07-067250-4。
為方便起見，投射系統(tǒng)在上下文中稱為“透鏡”；但是，此術(shù)語應該廣泛地解釋為包含各種類型的投射系統(tǒng)，例如包括折射光學裝置、反射光學裝置和反折射系統(tǒng)在內(nèi)。輻射系統(tǒng)還可能包括根據(jù)任意一個設計類型操作的元件，用來指引、修整或控制投射輻射光束，在下面，這些元件還可能共同地或者單獨地稱為“透鏡”。進一步地，平版裝置還可能是具有兩個或多個基片臺(和/或兩個或多個掩模臺)的類型。在這些“多臺”設備中，附加的臺可能并行使用，或者在一個或多個臺上執(zhí)行預備步驟的同時使用一個或多個其它臺來輻照。有關(guān)兩臺平版裝置的說明，例如，可參考US5,696,441和WO 98/40791。
掩模的概念在平版印刷術(shù)中眾所周知，它包括有多種掩模類型，如二相、交流相移、衰減相移和各種復合掩模類型。將這樣的掩模放入輻射光束中，根據(jù)掩模的圖案，會導致對沖擊到掩模的輻射產(chǎn)生有選擇的透射(在透射型掩模的情況下)或反射(在反射型掩模的情況下)。掩模臺保證了掩模能被固定到入射輻射光束中的所需位置，并根據(jù)需要可相對光束移動。
按照慣例，掩模臺的定位使得輻射從照明系統(tǒng)發(fā)出，穿過掩模、投射系統(tǒng)，到達基片。這樣的掩模被稱為透射型掩模，因為它們有選擇地允許來自照明系統(tǒng)的輻射穿過，從而在基片上形成圖案。這樣的掩模必須得到支持，以允許光的透射。按照慣例，可通過在臺上掩模的周邊區(qū)使用真空，使得氣壓將掩模夾向臺，從而實現(xiàn)這樣的掩模。
在平版裝置中，可映像到晶片上的零件的尺寸大小受投射輻射波長的限制。為生產(chǎn)高密度設備的集成電路，進而產(chǎn)生較高的工作速度，最好能夠映像較小的零件。雖然當前多數(shù)的平版投射裝置使用由水銀燈或受激準分子激光器產(chǎn)生的365納米、248納米和193納米的紫外線，但是建議使用13納米左右的波長較短的輻射。這樣的輻射被稱為極端紫外輻射(EUA)，可能的源包括產(chǎn)生激光的等離子體源、放電源或者同步加速器輻射源，這些源的例子在歐洲專利申請EP1109427和EP 1170982中得到公開。
由于至今都沒有物質(zhì)對EUV輻射足夠透明，使用EUV輻射的平版投射裝置可設想為其使用的反射掩模交替涂有多層不同物質(zhì)的涂層，例如，交替50次涂有鉬、硅和其它物質(zhì)，如在歐洲專利申請EP1065532A中公開的物質(zhì)。在EUV平版印刷術(shù)中所映像的零件的尺寸大小使得映像過程對掩模上的任何污染都非常敏感?？深A知的是，任何尺寸在50納米大小的污染顆粒都會在基片上所制造的設備中形成故障。按照慣例，標線片帶圖案的一側(cè)覆蓋了一層所謂的膜。任何污染都將積累在膜的表面，與掩模圖案存在一定距離，從而不會(清晰地)映像到基片上，從而，這樣的具有膜的掩模對污染不是很敏感。EUV輻射不能使用膜，因為膜對EUV輻射不是足夠透明。掩模上帶有圖案的反射表面上的顆粒污染將導致所制造的設備存在故障，因而必須予以避免。
進一步地，反射掩模設想為在其后側(cè)通過靜電力固定到掩模臺上，該靜電力位于帶有圖案的表面上，從而能夠滿足EUV掩模對位置非常嚴格的需要。任何存在于掩模后側(cè)和掩模臺上帶有掩模的表面之間的污染顆粒都將會導致反射掩模表面的不規(guī)則性。由于使用了反射掩模(有關(guān)此問題的更多信息，可從歐洲專利申請EP 1139176A中導出)，從而投射系統(tǒng)在目標側(cè)是非焦闌的，反射掩模表面的任何不規(guī)則表面圖形都會在映像到基片上的圖案轉(zhuǎn)換成局部的轉(zhuǎn)移。其結(jié)果是，映像層可能不會與前面在基片上已加工的層對齊，從而又導致所制造的設備存在故障。因而，在掩模后側(cè)表面的顆粒污染必須要避免。
分子類型污染，如碳氫化合物和水，也必須要避免。這樣的污染會對平版裝置上的任何光學元件，包括掩模在內(nèi)，產(chǎn)生有害效果。在處理掩模和基片的所有過程中，需要注意的是它們的表面必須保持清潔，沒有這些分子污染。掩模和基片可使用一個貯藏箱在各種類型的裝置之間存儲和傳送，在貯藏箱內(nèi)部維持了一種保護性環(huán)境，如排空或充滿惰性氣體的環(huán)境。這樣的貯藏箱的內(nèi)壁也應該保持清潔。但是，當從這樣的貯藏箱中將掩?；蚧瑐魉统鰜淼揭粋€設備或裝置，用來加工或使用基片或掩模時，包括顆粒污染和分子污染在內(nèi)的污染都可能被引入到掩?；蚧虮Ｗo性環(huán)境的內(nèi)壁上。也可以通過某種中間室，例如，負載固定室，來將掩模或基片傳送到最終環(huán)境來加工或使用，但是將污染從中間室中除去會需要非常多的次數(shù)，例如，當排空保護性環(huán)境時需要非常多的抽空次數(shù)。
本發(fā)明的一個目的是提供一種傳送方法，在該方法中，引入到保護性環(huán)境中的污染會大量減少甚至完全避免。
該目的和其它目的可根據(jù)發(fā)明的方法獲得實現(xiàn)，該方法用來將貯藏箱中的一個或多個基片或掩模傳送一個設備或裝置，用來處理、加工或使用所述基片或掩模，反之亦然，所述貯藏箱包括一個含有一個可打開的蓋部件的蓋子，所述方法包括將所述貯藏箱提供到所述設備或裝置的封閉的保護性環(huán)境的壁的一個可打開的壁部上，使得所述貯藏箱的所述可打開的壁部與所述保護性環(huán)境的所述可打開的壁部重疊，所述保護性環(huán)境適合于填充一種惰性氣體或被排空；打開所述貯藏箱的所述可打開的蓋部和所述保護性環(huán)境的所述可打開的壁部，借此，所述貯藏箱的所述蓋子形成所述保護性環(huán)境的所述壁的一部分，所述貯藏箱的內(nèi)部成為所述保護性環(huán)境的一部分；將至少一個所述基片或掩模從所述貯藏箱的內(nèi)部空間傳送到所述保護性環(huán)境的所述壁的內(nèi)部空間，反之亦然。
進一步根據(jù)發(fā)明提供可用于上述方法的貯藏箱和設備或裝置。
進一步根據(jù)發(fā)明提供一種設備制造方法，包括下列步驟提供一個基片，該基片至少部分覆蓋有一層輻射性敏感物質(zhì)；利用輻射系統(tǒng)來提供極端紫外輻射投射光束；利用反射掩模在投射光束的橫截面上產(chǎn)生圖案，從而提供帶圖案的輻射光束；將帶圖案的輻射光束投射到一層輻射性敏感物質(zhì)的目標部分上；根據(jù)上述方法來傳送一個或多個掩?；蚧?。
雖然文中根據(jù)發(fā)明在集成電路制造中對裝置的使用作了若干具體的描述，但需要明確理解的是，這樣的裝置還有許多其它可能的應用。例如，它可使用于集成光學系統(tǒng)、用于磁疇內(nèi)存的指引檢測圖案、液晶顯示面板和薄膜磁頭等的制造。熟練技術(shù)人員會認為文中的“標線片”、“圓片”或“晶片”可分別替換為更為普通的術(shù)語“掩模”、“基片”和“目標部分”。
在本文檔中，術(shù)語“輻射”和“光束”用來包含極端紫外(EUA)輻射(例如波長范圍為5-20納米)。
下面將只通過實施例并結(jié)合附屬示意圖來說明本發(fā)明的實施方式，其中示意圖中的相應的標記標示相應的部件，

圖1示意地描述了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的一個平版投射裝置；圖2示意地描述了一個貯藏箱，其內(nèi)部存儲了一個掩模；圖3示意地描述了一個位于負載固定室上方的貯藏箱，該負載固定室附著到圖1中的平版裝置的真空室；圖4示意地描述了一個位于負載固定室上方的貯藏箱，其中掩模降低到負載固定室內(nèi)部；圖5示意地描述了根據(jù)圖4的貯藏箱和負載固定室，但在貯藏箱上額外有一個蓋子。
圖1示意地描述了根據(jù)本發(fā)明的一種特殊實施方式的一個平版投射裝置。該裝置包括一個輻射系統(tǒng)Ex、IL，它用來提供EUV輻射(例如波長范圍為5-20納米)的投射光束PB。在該特定情況下，輻射系統(tǒng)還包括一個輻射源LA；一個第一目標臺(掩模臺)MT，它帶有一個用來固定一個掩模MA(例如，一個標線片)的掩模固定器，并連接到第一定位設備PM來相對零件PL精確定位掩模；一個第二目標臺(基片臺)WT，它帶有一個用來固定一個基片W(例如，一個涂有保護層的硅片)的基片夾，并連接到第二定位設備PW來相對零件PL精確定位基片；一個投射系統(tǒng)(“透鏡”)PL，用來將掩模MA上的照射部分映像到基片W的目標部分C(例如，組成一個或多個晶片)。
這里所描述的是反射型的裝置(也就是具有反射型的掩模)。但是，通常它還可以，例如，是透射型的裝置(具有透射型的掩模)?？蛇x擇地，裝置還可以采用其它類型的圖案裝置，如上面提到的可編程鏡像陣列類型。
源LA(例如產(chǎn)生激光的等離子體源或放電等離子體源)產(chǎn)生輻射光束。該光束直接或穿過調(diào)節(jié)裝置，如光束擴展器Ex，后注入到照明系統(tǒng)IL。照明系統(tǒng)IL可能包括調(diào)節(jié)裝置AM，用來調(diào)節(jié)光束強度分布的外/內(nèi)徑向伸長(通常分別稱為σ外和σ內(nèi))。另外，通常它還包括各類其它元件，如一個積分器IN和一個聚光器CO。由此，撞擊掩模MA的光束PB在其橫截面上的具有所需的均一性和強度分布。
需要注意的是，在圖1中，源LA可以位于平版投射裝置的外殼內(nèi)部(這種情況下源LA通常是，比如說，水銀燈)，也可以遠離平版投射裝置，它產(chǎn)生的輻光束注入到裝置中(例如在合適的指引鏡的幫助下)；后一種方案情況下源LA通常是受激準分子激光器。
光束PB接著相交掩模MA，掩模MA由掩模臺MT固定。光束PB被掩模MA有選擇地反射后，穿過透鏡PL，透鏡PL將光束PB集中到基片W的目標部分C上。在第二定位設備PW(以及干涉測量儀器IF)的幫助下，基片臺WT可以精確地移動，例如，用來將不同的目標部分C定位到光束PB的路徑上。類似地，比如在掩模庫中機器檢索掩模MA之后或者在掃描過程中，可使用第一定位設備PM來將掩模MA相對光束PB的路徑精確定位?？傊?，在一個長沖程調(diào)整器(位置粗調(diào))和一個短沖程調(diào)整器(位置細調(diào))的幫助下可以實現(xiàn)目標臺MT、WT的移動，圖1中長沖程調(diào)整器和短沖程調(diào)整器都沒有顯式地描繪出。但是，在采用一個圓片分檔器(與一個分檔掃描裝置相對應)的情況下，掩模臺MT可以僅僅連接到一個短沖程調(diào)整器上，或者固定下來。
所描繪的裝置有兩種使用模式1.在分檔模式下，掩模臺MT基本保持靜止，整個掩模鏡像一次性(也就是單次“閃光”)投射到目標部分C上。接著基片臺WT在x和/或y方向上移動，從而一個不同的目標部分C可由光束PB輻照而成；2.在掃描模式下，情況基本上與分檔模式下相同，不同點在于給定的目標部分C不是輻照在單次“閃光”下。掩模臺MT在一個給定方向(所謂的“掃描方向”，如y方向)上可以以一個速度v移動，從而光束PB掃描過掩模圖像；同時，基片臺WT在相同或相反方向上以速度V＝Mv移動，其中M是透鏡PL的放大倍率(典型地，M＝1/4或1/5)。這種方式下，在不損害精度的情況下，可相對輻照較大的目標部分C。
由于EUV輻射會大量被各種氣體吸收，也為了向所使用的光學元件提供保護性環(huán)境，裝置主要放在一個真空環(huán)境VC中，真空環(huán)境VC通常分為若干子艙。
圖2顯示了一個掩模貯藏箱10，其內(nèi)部存儲了一個EUV反射掩模，用于傳送、存儲和處理等多種目的。貯藏箱11包括一個頂部件11和一個底板12。掩模MA通過，例如，一個運動決定的固定機構(gòu)固定在貯藏箱10內(nèi)部底板12上，該運動決定的固定機構(gòu)在歐洲專利申請EP 01301864.3中得到公開，并通過引用結(jié)合到這里。在貯藏箱10內(nèi)部可以維持有保護性(惰性)氣體，比如，其氣壓比外界氣壓要高。但是，在貯藏箱10內(nèi)部也可以維持真空。后一種情況下，在底板12和頂部件11之間最好提供有充分的密封，從而避免在貯藏箱內(nèi)部和其外界環(huán)境之間存在氣流，不會引起貯藏箱內(nèi)部環(huán)境受到污染。
為了將掩模從儲存箱10傳送到平版投射裝置，貯藏箱放到一個所謂的負載固定室20上面，如圖3所示。負載固定室20通過一個閥門30連接到圖1中的平版裝置的真空環(huán)境VC，如圖4和5所示。貯藏箱10位于負載固定室20上，從而貯藏箱的底板12與負載固定室的可打開的頂部件21重疊。為此，可在負載固定室和/或貯藏箱上可提供一個引導機構(gòu)(未示出)來妥善地對準貯藏箱和負載固定室的可打開的頂部件。當貯藏箱10妥善地定位后，最好提供一個夾緊裝置(未示出)來將貯藏箱夾緊到負載固定室上。一個密封件22示意地顯示在貯藏箱10和負載固定室20之間。所提供的密封件22最好非常靠近底板12和可打開的頂部件21。
現(xiàn)在底板貯藏箱的底板12和可打開的頂部件21相互接觸在一起。底板和可打開的頂部件在與圖形垂直的平面上的橫截面形狀基本上完全一致。從而兩個部件的接觸表面匹配。一個密封件23最好提供得非?？拷装?2和可打開的頂部件21的周邊。最好提供有一個泵P1來排空底板12和可打開的頂部件21之間空間的空氣。
可以看出，負載固定室20的可打開的頂部件21提供在一個升降機25上，該升降機25用來上下移動可打開的頂部件21。提供有一個密封件24，當頂部件25完全上移到側(cè)壁并組成側(cè)壁的一部分時，密封件24沿負載固定室20的上壁來密封頂部件21。在頂部件21和負載固定室20的底壁之間沿著升降機25的周圍提供了一個波紋管。升降機25連接到了合適的驅(qū)動裝置(未顯示)，用來上下驅(qū)動升降機25。提供的另外一個泵P2用來排空負載固定室20。
為了將位于掩模貯藏箱10中的掩模傳送到負載固定室20中，可如下進行。首先，掩模固定在其貯藏箱10內(nèi)部。需要注意的是，貯藏箱的所有內(nèi)壁都非常清潔，從而不會污染存儲在箱子內(nèi)部的掩模。顆粒污染和分子污染都可能使掩模喪失在平版投射裝置中形成投射光束圖案的作用。如前所述，在貯藏箱內(nèi)部可提供真空或一種惰性氣體。
接著，貯藏箱10被定位到負載固定室20的可打開的頂部件21上，如前所述，底板21的受污染的外側(cè)表面將與可打開的頂部件21的受污染的外側(cè)表面重疊。兩者之間的空間的空氣將通過升降機25使用真空泵P1排空。根據(jù)貯藏箱10內(nèi)部空間是真空還是充滿了氣體，可采取不同的方式繼續(xù)進行。在貯藏箱被排空的情況下，在打開負載固定室20的頂部件21之前，最好使用泵P2首先排空負載固定室20；在貯藏箱充滿氣體的情況下，也可首先排空負載固定室20，接著通過降低升降機25緩慢地或者非常突然地打開頂部件21。接著會導致從貯藏箱到負載固定室的氣流，突然的氣流和貯藏箱的排空會有助于去除可能存在于掩模上的顆粒，從而清潔了掩模。另一種途徑是首先向負載固定室中填充滿一種(惰性)氣體，接著降低頂部件21，接著使用泵P2排空負載固定室。
需要注意的是，負載固定室的所有內(nèi)側(cè)表面都非常清潔。通過上述操作，出現(xiàn)在負載固定室和貯藏箱之間的內(nèi)部組合空間受污染表面區(qū)域非常有限。這些受污染的表面可能向掩模引入污染，但也會顯著地增加EUV投射平版所需要的分壓(例如水和碳氫化合物的分壓)的抽空次數(shù)。
圖4顯示了掩模從其貯藏箱降落出來的情況。圖中還顯示了一個側(cè)閥30，它將負載固定室連接到投射裝置真空系統(tǒng)的另一個部分。閥30在其打開位置時，一個夾子40可以進入閥30中夾取掩模，并根據(jù)需要將掩模傳送到一個內(nèi)部庫、掩模臺或任意其它位置。前面已經(jīng)提到，EP 01301864.3中公開了夾子。
為了將掩模從投射裝置中卸載出來放入掩模貯藏箱中，首先夾子40將掩模MA放到已經(jīng)通過升降機25降低了的底板12上，負載固定室和貯藏箱的內(nèi)部空間已經(jīng)排空。這樣，閥30可以關(guān)閉。接著升降機可以抬高來將掩模放到貯藏箱內(nèi)部，當?shù)装?2關(guān)閉箱子后，升降機可維持貯藏箱內(nèi)部存在排空的空間。為使箱子內(nèi)部存在清潔(惰性)氣體，負載固定室和貯藏箱之間的空間已經(jīng)用這樣的氣體凈化過了，接著升降機25抬高將掩模MA放到其貯藏箱內(nèi)部，并通過將底板12放到箱子底部的位置來關(guān)閉其貯藏箱。
圖5顯示了發(fā)明的另一個實施方式。該圖與圖4基本一致，除了另外提供了一個蓋子，當蓋子位于負載固定室20上時，它覆蓋在掩模貯藏箱10上。貯藏箱可能沒有經(jīng)過特別設計來承受由于箱子內(nèi)部被排空而外圍環(huán)境沒有所產(chǎn)生的壓力。通過在貯藏箱上提供一個蓋子50并排空貯藏箱內(nèi)部的空間和蓋子50與貯藏箱之間的空間，這樣在貯藏箱上將沒有壓力產(chǎn)生或產(chǎn)生的壓力可以忽略。所示的泵P3用來排空蓋子50和貯藏箱的頂部11之間的空間。
本發(fā)明已結(jié)合一個平版投射裝置作為例子得到說明。本發(fā)明還可用于任意用來處理掩模的其它類型裝置，其中掩?？梢暂d入到裝置中，或者卸載到所述的掩模貯藏箱中，這樣的裝置可以是一個掩模寫入裝置、一個掩模檢測裝置、多層存放裝置、一個掩模清潔裝置等。掩模貯藏箱在一個專用固定器中可能包含多個掩模。
進一步地，本發(fā)明還可用來將基片傳送到基片貯藏箱內(nèi)部或者從基片貯藏箱內(nèi)部傳送出來，如一個已加工或待加工的半導體晶片。
傳送掩模所需的保護性環(huán)境沒有必要是真空環(huán)境，也可以是充滿惰性氣體的環(huán)境，如干空氣、氮、氬等。
雖然發(fā)明的具體實施方式
已在前面得到說明，但需要理解的是發(fā)明還可通過說明以外的其它方式實現(xiàn)。說明并不是用來限制發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種用來將貯藏箱中的一個或多個基片或掩模傳送到一個設備或裝置的方法，反之亦然，所述設備或裝置用來處理、加工或使用所述基片或掩模，所述貯藏箱可從所述設備或裝置中拆開，所述貯藏箱包括一個含有一個可打開的蓋部件的蓋子，其特征在于，將所述貯藏箱提供到所述設備或裝置的封閉的保護性環(huán)境的壁的一個可打開的壁部上，使得所述貯藏箱的所述可打開的壁部與所述保護性環(huán)境的所述可打開的壁部重疊，所述保護性環(huán)境適合于填充一種惰性氣體或被排空；打開所述貯藏箱的所述可打開的蓋部和所述保護性環(huán)境的所述可打開的壁部，借此，所述貯藏箱的所述蓋子形成所述保護性環(huán)境的所述壁的一部分，所述貯藏箱的內(nèi)部成為所述保護性環(huán)境的一部分；將至少一個所述基片或掩模從所述貯藏箱的內(nèi)部空間傳送到所述保護性環(huán)境的所述壁的內(nèi)部空間，反之亦然。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述蓋子密封地位于所述保護性環(huán)境的所述壁上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于所述貯藏箱的所述可打開的蓋子和所述保護性環(huán)境的所述可打開的壁部的相對的外側(cè)表面之間相互接觸，共同打開，從而至少基本上不會將所述保護性環(huán)境輻照到所述貯藏箱的所述蓋子和所述保護性環(huán)境的所述壁的外側(cè)表面。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述相對表面基本上匹配。
5.如權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于密封位于周邊，從而從所述保護性環(huán)境中密封出所述相對表面之間的空間。
6.如前面任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于所述基片和/或所述掩模在使用了極端紫外輻射投射光束的平版裝置中分別用來加工和使用。
7.一種權(quán)利要求1到6中任一方法中使用的貯藏箱。
8.一種權(quán)利要求1到6中任一方法中使用的設備或裝置。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于所述裝置為平版投射裝置，包括一個用來提供極端紫外磁輻射投射光束的輻射系統(tǒng)；一個用來固定反射掩模的掩模臺，其中掩模用來根據(jù)所需的圖案在反射投射光束時將圖案加載到投射光束上，產(chǎn)生帶圖案的投射光束；一個用來固定基片的基片臺；一個用來將帶圖案的投射光束投射到基片上的目標部分的投射系統(tǒng)。
10.一種設備制造方法，包括下列步驟提供一個基片，該基片至少部分覆蓋有一層輻射性敏感物質(zhì)；利用輻射系統(tǒng)來提供極端紫外輻射投射光束；利用反射掩模在投射光束的橫截面上產(chǎn)生圖案，從而提供帶圖案的的輻射光束；將帶圖案的輻射光束投射到一層輻射性敏感物質(zhì)的目標部分上；并且根據(jù)權(quán)利要求1到6中的任一種方法來傳送一個或多個掩模或基片。
全文摘要
一種用來將貯藏箱中的一個或多個基片或掩模傳送到一個設備或裝置的方法，反之亦然，所述設備或裝置用來處理、加工或使用所述基片或掩模，所述貯藏箱包括一個含有一個可打開的蓋部件的蓋子。該方法包括將所述貯藏箱提供到所述設備或裝置的封閉的保護性環(huán)境的壁的一個可打開的壁部上，使得所述貯藏箱的所述可打開的壁部與所述保護性環(huán)境的所述可打開的壁部重疊，所述保護性環(huán)境適合于填充一種惰性氣體或被排空；打開所述貯藏箱的所述可打開的蓋部和所述保護性環(huán)境的所述可打開的壁部，借此，所述貯藏箱的所述蓋子形成所述保護性環(huán)境的所述壁的一部分，所述貯藏箱的內(nèi)部成為所述保護性環(huán)境的一部分；將至少一個所述基片或掩模從所述貯藏箱的內(nèi)部空間傳送到所述保護性環(huán)境的所述壁的內(nèi)部空間，反之亦然。
文檔編號H01L21/027GK1474233SQ0311078
公開日2004年2月11日 申請日期2003年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月1日
發(fā)明者G·－J·赫倫斯, G -J 赫倫斯, B·L·W·M·范德文, W M 范德文, M 蘭斯伯根, R·G·M·蘭斯伯根, E·L·哈姆, 哈姆 申請人:Asml荷蘭有限公司