專利名稱：光半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光半導(dǎo)體器件，特別是涉及在僅傳感可見光、測定其亮度、即所謂的能見度照度測定等中使用的光半導(dǎo)體器件。
已有技術(shù)近年來，在能見度照度測定等中使用的光半導(dǎo)體器件，使用光電二極管(以下稱為PD)和對來自PD的光信號進(jìn)行放大、運(yùn)算處理的放大·運(yùn)算處理電路成為單芯片化的光敏元件。如

圖1所示，在p型硅襯底1的表面形成n型區(qū)2，在此n型區(qū)2的表面形成p型區(qū)3。在縱向形成的兩處PN結(jié)中形成兩個PD(PD14，PD25)。
Si晶片中的光吸收比例依賴于距表面的深度，但是如圖9所示，該光吸收比例的深度依賴性因波長而不同。由于上述兩個PN結(jié)距襯底表面的距離不同，所以例如圖3所示，每個PD的光譜敏感度特性不同。在圖3中，光電二極管PD1在波長600nm附近具有最大敏感度，位置比光電二極管PD1更深的光電二極管PD2在900nm附近具有最大敏感度。
利用放大·運(yùn)算處理電路對這種光譜敏感度特性不同的光電二極管PD1、PD2的輸出進(jìn)行運(yùn)算處理，從而利用光電二極管PD2輸出的紅外成分，去除光電二極管PD1輸出之中的紅外成分，測定與能見度對應(yīng)的照度。
具有這種特性的光敏元件10，如圖10A～圖10D和圖11所示，安裝在玻璃環(huán)氧樹脂襯底15等上，通過固化實(shí)現(xiàn)粘結(jié)。光敏元件10的端子與金線13鍵合后，形成管殼，同時為了保護(hù)光敏元件10，利用透明環(huán)氧樹脂14進(jìn)行轉(zhuǎn)移模塑后，進(jìn)行分離。然后，光敏元件10在金屬化部16與外部電路連接。
因此，在這種光半導(dǎo)體器件中，因從光半導(dǎo)體器件側(cè)面、光敏元件的切割面入射的紅外光、在光敏元件內(nèi)的1000nm附近的紅外光的蔓延而產(chǎn)生載流子。結(jié)果，如圖8所示，光敏元件10在能見度峰值(500nm)以外，還有以1000nm為中心的900～1200nm其余紅外光成分的次峰值。亦即，由于已有的光半導(dǎo)體器件在能見度照度測定中傳感其余的紅外成分，所以不能測定與能見度對應(yīng)的照度。
總之，由于在這種紅外區(qū)具有峰值，所以作為能見度照度傳感所用的光半導(dǎo)體器件，產(chǎn)生了不適當(dāng)。例如，在室內(nèi)照明用的熒光燈和大致接近太陽光的A光源的兩種光源中進(jìn)行照度傳感。兩種光源的照度相同時，光輸出電流值本來無差異，光源比(A光源/熒光燈)是1倍。但是，在上述紅外區(qū)具有次峰值的特性的光半導(dǎo)體器件，在紅外區(qū)具有敏感度，通過傳感A光源的紅外區(qū)的成分，輸出電流值增大，從而使光源比劣化。而且，裝載光敏元件的襯底如果使用平坦且易于反射的材料(例如白色玻璃環(huán)氧樹脂襯底)，則通過對來自襯底的光反射，紅外區(qū)的成分也被反射，光源比進(jìn)一步劣化。
如上所述，由于已有的光半導(dǎo)體器件具有在紅外區(qū)存在敏感度的特性，所以在應(yīng)用于利用能見度的照度傳感用途時，存在輸出還依賴于紅外光的問題。
發(fā)明的內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的在于消除這種已有光半導(dǎo)體器件的缺點(diǎn)，提供一種能夠抑制紅外區(qū)的敏感度，更高精度地控制光譜敏感度特性的光半導(dǎo)體器件。
一種光半導(dǎo)體器件，具備帶有光接受部的光敏元件，所述光接受部包括在可見光區(qū)具有峰值波長敏感度的第一光電二極管和在紅外區(qū)具有峰值波長敏感度的第二光電二極管，在p型襯底表面形成n型區(qū)，在此n型區(qū)表面形成p型區(qū)，所述第一光電二極管是設(shè)置在所述n型區(qū)與所述p型區(qū)的界面的；所述第二光電二極管是設(shè)置在所述p型襯底與所述n型區(qū)的界面的，其特征在于所述p型襯底的電阻率R是1≤R≤3(Ωcm)。
所述的光半導(dǎo)體器件，其特征在于，設(shè)所述光敏元件的芯片厚度為dc，則dc≤0.2mm。
所述的光半導(dǎo)體器件，其特征在于，設(shè)所述光半導(dǎo)體器件的封裝厚度為dp，則滿足dc/dp≤0.25。
一種光半導(dǎo)體器件，包括帶有光接受部的光敏元件，所述光接受部包括在可見光區(qū)具有峰值波長敏感度的第一光電二極管和在紅外區(qū)具有峰值波長敏感度的第二光電二極管；覆蓋所述光敏元件的透明樹脂；裝載所述光敏元件的安裝底盤；與外部電路連接的裝置；其特征在于，設(shè)所述安裝底盤的尺寸為tm，所述光敏元件的芯片尺寸為tc，Δt＝(tm-tc)/2時，滿足0≤Δt≤0.1(mm)一種光半導(dǎo)體器件，具備光敏元件，所述光敏元件包括光接受部，其具有在可見光區(qū)具有峰值波長敏感度的第一光電二極管和在紅外區(qū)具有峰值波長敏感度的第二光電二極管；放大運(yùn)算處理電路，對來自所述第一光電二極管的輸出電流Ip1和來自所述第二光電二極管的輸出電流Ip2進(jìn)行放大·運(yùn)算處理及輸出；其特征在于，減法倍率系數(shù)為α，放大系數(shù)為β時，由Iout＝β(Ip1-αIp2)
所獲得的來自所述放大運(yùn)算電路的輸出Iout中，減法倍率系數(shù)α為0.3≤α≤0.55。
所述的光半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述光接受部的光接受面積S為S≤0.25mm2。
一種光半導(dǎo)體器件，具備帶有光接受部的光敏元件，所述光接受部包括在可見光區(qū)具有峰值波長敏感度的第一光電二極管和在紅外區(qū)具有峰值波長敏感度的第二光電二極管，在p型襯底表面形成n型區(qū)，在此n型區(qū)表面形成p型區(qū)，所述第一光電二極管是設(shè)置在所述n型區(qū)與所述p型區(qū)的界面的；所述第二光電二極管是設(shè)置在所述p型襯底與所述n型區(qū)的界面的，其特征在于，在所述光接受部上，通過蒸鍍折射率不同的多種膜，層疊形成濾光器，并且，所述p型襯底的電阻率R為1≤R≤3(Ωcm)。
所述的光半導(dǎo)體器件，其特征在于，設(shè)所述光敏元件的芯片厚度為dc，則dc≤0.2mm。
所述的光半導(dǎo)體器件，其特征在于，設(shè)所述光半導(dǎo)體器件的封裝厚度為dp，則滿足dc/dp≤0.25。
所述的光半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述濾光器由二氧化鈦(TiO2)薄膜和二氧化硅(SiO2)薄膜交互層疊形成。
一種光半導(dǎo)體器件，具備光敏元件，所述光敏元件包括光接受部，包括在可見光區(qū)具有峰值波長敏感度的第一光電二極管和在紅外區(qū)具有峰值波長敏感度的第二光電二極管；放大運(yùn)算處理電路，對來自所述第一光電二極管的輸出電流Ip1和來自所述第二光電二極管的輸出電流Ip2進(jìn)行放大·運(yùn)算處理及輸出；
其特征在于，在所述光接受部上，通過蒸鍍折射率不同的多種膜，層疊形成濾光器，并且，減法倍率系數(shù)為α，放大系數(shù)為β時，由Iout＝β(Ip1-αIp2)所獲得的來自所述放大運(yùn)算電路的輸出Iout中，減法倍率系數(shù)α為0.3≤α≤0.55。
所述的光半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述濾光器由二氧化鈦(TiO2)薄膜和二氧化硅(SiO2)薄膜交互層疊形成。
根據(jù)本發(fā)明的光半導(dǎo)體器件，具備帶有光接受部的光敏元件，所述光接受部包括在可見光區(qū)具有峰值波長敏感度的第一光電二極管和在紅外區(qū)具有峰值波長敏感度的第二光電二極管，所述第一光電二極管是通過在p型襯底表面形成n型區(qū)，在此n型區(qū)表面形成p型區(qū)，設(shè)置在所述n型區(qū)與所述p型區(qū)的界面的；所述第二光電二極管是設(shè)置在所述p型襯底與所述n型區(qū)的界面的，其特征在于所述p型襯底的電阻率R是1≤R≤3(Ωcm)。
附圖的簡要說明圖1是本發(fā)明的實(shí)施例使用的PD1、PD2的剖面圖。
圖2是本發(fā)明的實(shí)施例使用的光敏元件的電路圖。
圖3是本發(fā)明的實(shí)施例使用的PD1、PD2的光譜敏感度特性圖。
圖4是本發(fā)明的實(shí)施例使用的一種光敏元件的俯視圖。
圖5A～圖5D是本發(fā)明的實(shí)施例的光半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)圖。
圖6A、圖6B是本發(fā)明的實(shí)施例的光半導(dǎo)體器件的平面圖和剖面圖。
圖7A、圖7B是本發(fā)明的實(shí)施例的光半導(dǎo)體器件的光譜敏感度特性圖。
圖8是已有的光半導(dǎo)體器件的光譜敏感度特性圖。
圖9展示了Si晶片中的光吸收深度對波長的依賴性。
圖10A～圖10D展示了已有的光半導(dǎo)體器件。
圖11展示了已有的光半導(dǎo)體器件。
圖12是在本發(fā)明的實(shí)施例中，將光接受部設(shè)置的濾光器構(gòu)成為薄膜層疊結(jié)構(gòu)時，光電二極管PD1、PD2的光譜敏感度特性圖。
發(fā)明實(shí)施例的詳細(xì)說明以下，參照圖1至圖8對本發(fā)明的實(shí)施例予以說明。
如圖1所示，在p型硅襯底1表面上形成n型區(qū)2、p型區(qū)3，形成具有PD14、PD25的光接受部。而且，在表面形成濾光器6。而且與這種光接受部同時還形成放大·運(yùn)算電路。如圖2所示，在該放大·運(yùn)算電路中，作為光接受部的PD1、PD2將光信號變換為電信號Ip1、Ip2，將這些電信號經(jīng)過初級放大電路、差分電路、運(yùn)算電路、放大電路從而輸出。而且，PD1、PD2的光譜敏感度特性與已有技術(shù)同樣地展示在圖3中。
如圖4所示，配置光接受部7、放大·運(yùn)算電路8、鍵合焊盤9，切割之后，形成光敏元件10。然后，如圖5A、圖5B的外觀圖、圖6A、圖6B的平面圖和剖面圖所示，將光敏元件10安置在安裝底盤(マウントベツド)12上，光敏元件10的端子與金屬引線框架11和金線13鍵合。之后，采用透明環(huán)氧樹脂14進(jìn)行模塑，形成保護(hù)光敏元件10的管殼，形成光半導(dǎo)體器件。而且，在露出的金屬制引線框架11的外引線處與外部電路連接。
在這種光半導(dǎo)體器件中，PD1、PD2的輸出電流為Ip1、Ip2，通過圖2所示的放大·運(yùn)算電路進(jìn)行運(yùn)算處理，全部輸出電流Iout如下；Iout＝m×Ip1-n×(Ip1+Ip2)即如下所示Iout＝β(Ip1-αIp2)α減法倍率系數(shù)(n/(m-n))β放大系數(shù)(m-n)
而且，放大系數(shù)β是根據(jù)要求的輸出電流而設(shè)定的值。光接受部的光接受面積S是0.1225mm2(0.35mm平方)。
對于如此形成的封裝A，以及將同樣的光敏元件安裝在玻璃環(huán)氧樹脂襯底、進(jìn)行轉(zhuǎn)移模塑的封裝B，求出減法倍率系數(shù)和改變p型硅襯底的電阻率時的光源比、以及與峰值強(qiáng)度對應(yīng)的紅外成分的峰值相對強(qiáng)度，如表1所列。
表1


以往，對減法倍率系數(shù)α未做任何考慮，即設(shè)α＝1，但是通過將減法倍率系數(shù)α設(shè)定在如下范圍0.3≤α≤0.55可以降低光源比和紅外成分。而且，在光接受面積S在0.25mm2以下，0.0765≤S≤0.1225(mm2)時，該減法倍率系數(shù)α的范圍特別有效。
而且，以往出于作為光半導(dǎo)體器件可靠性的提高、長使用壽命化的目的，光敏元件的襯底是采用4～6Ωcm的高電阻率p型襯底。但是，在本實(shí)施例中，相反通過控制p型襯底的晶格缺陷數(shù)量、采用2～3Ωcm的低電阻率襯底，可以降低光源比和紅外成分。這樣，襯底電阻率R越低，就越要考慮光譜敏感度特性向比吸收帶隙更高的光子能量、即向短波長側(cè)偏移。
而且，為了降低光源比、紅外成分，襯底電阻率R越低越好。但是，如果襯底電阻率R小于1Ωcm，則不能起到PD的功能。另一方面，如果超過3Ωcm，則不能獲得充分的效果，所以以1～3Ωcm為好。
而且，通過調(diào)整p型雜質(zhì)的摻雜量，襯底的電阻率可以達(dá)到期望的值。
在同樣形成的光半導(dǎo)體器件中，如圖5所示，求出改變光敏元件的芯片厚度dc時的光源比、紅外成分的相對強(qiáng)度，如表2所列。另外，光半導(dǎo)體器件的封裝厚度dp是0.7mm，金屬引線框架的厚度是0.1～0.15mm。
表2


已有的光敏元件的芯片厚度dc經(jīng)過拋光為0.3mm，光半導(dǎo)體器件的封裝厚度dp約為0.55～0.7mm，與此對應(yīng)，芯片厚度dc/封裝厚度dp(芯片厚度比)為40～55％左右。但是，通過使芯片厚度dc在0.2mm以下(現(xiàn)有的在0.05mm以上)，可以降低光源比和紅外成分。芯片厚度比如果為dc/dp，則在0.25以下為好(現(xiàn)有的在0.07以上)，在0.2以下更好。
通過將芯片厚度比(dc/dp)做到0.25以下，則可以防止因透明環(huán)氧樹脂14與光敏元件10以及金屬引線框架11之間的膨脹系數(shù)不同所產(chǎn)生的開裂。
再有，在同樣形成的光半導(dǎo)體器件(封裝A)中，求出裝載光敏元件的金屬引線框架的安裝底盤尺寸變化時的光源比、紅外成分的相對強(qiáng)度，如表3所列。這里，安裝底盤是引線框架裝載光敏元件3的部分，如圖6A以及相當(dāng)于圖6A的A-A處的剖面圖的圖6B所示，實(shí)質(zhì)上相當(dāng)于一邊長度的是安裝底盤尺寸tm。而且，芯片尺寸如果為tc，則Δt為Δt＝(tm-tc)/2Δt相當(dāng)于光敏元件10裝載于安裝底盤12中央時，安裝底盤12的邊緣與光敏元件10的邊緣距離。而且，Δt隨位置而不同的情形，將其最大值作為Δt。芯片尺寸tc是1.1mm。
表3


這樣，通過使Δt在0.1mm以下，可以抑制光源比和紅外成分。這樣，由于要抑制包含來自安裝底盤的紅外成分的光的反射，所以理想的是使芯片尺寸tc和安裝底盤尺寸tm相等。再有，在安裝底盤12的周邊0.1mm以內(nèi)的范圍，不設(shè)置使光反射的物體更好。
而且，在這里，安裝底盤12作為金屬引線框架11的光敏元件裝載部分，但即是在BGA襯底等中也是同樣，具有同樣地抑制從光敏元件邊緣到安裝底盤邊緣的距離的效果。此時，襯底的安裝底盤12以外的區(qū)域，必須是不反射光的材料，顏色(黑色)是必要的。
再有，在本發(fā)明的實(shí)施例中，對芯片尺寸tc為1.1mm的情形進(jìn)行了說明，但即使芯片尺寸tc為1.1mm以下，如果Δt在0.1mm以下，則可以充分降低紅外成分。但是，Δt＝0.1mm以下的情形，芯片尺寸大的情形能夠相對地降低紅外成分是不言而喻的。
在如此形成的光半導(dǎo)體器件中，測定光譜敏感度的結(jié)果如圖7A、圖7B所示。而且，圖7A是光譜敏感度特性圖，展示的是襯底電阻率R低(2～3Ωcm)的情形中，減法倍率系數(shù)α最佳化時(封裝B)，對應(yīng)于波長的相對敏感度。圖7B是光譜敏感度特性圖，展示的是進(jìn)一步改善封裝，芯片厚度比、Δt最佳化時，對應(yīng)于波長的相對敏感度。
與圖8所示的已有光半導(dǎo)體器件(α＝1，高襯底電阻率的封裝B)的光譜敏感度特性相比，可知圖7A、圖7B所示的光譜敏感度特性得以大幅度改善。特別是在圖7B中，得到在紅外區(qū)幾乎無敏感度殘存的良好光譜敏感度特性。雖然圖7A中在紅外區(qū)還殘存一定的敏感度，但是可以獲得良好的光譜敏感度特性，可知即使在封裝B中各參數(shù)的最佳化也是有效的。
而且，在封裝B中，印制襯底必須是不反射光的材料，顏色(黑色)是必要的。
即使在圖1所示的光接受部的結(jié)構(gòu)圖中，如果濾光器6具有阻斷紅外光線成分的特性，則可進(jìn)一步降低紅外區(qū)中的敏感度，獲得可更高精度地控制光譜敏感度特性的光半導(dǎo)體器件。
濾光器6例如是由高折射率的二氧化鈦(TiO2)薄膜和低折射率的二氧化硅(SiO2)薄膜交互層疊制成的。二氧化鈦薄膜和二氧化硅薄膜的厚度例如是0.24μm，每個交互75層，例如通過蒸鍍進(jìn)行層疊，制成全層有150層，總膜厚度為36μm的濾光器。
通過蒸鍍二氧化鈦和二氧化硅進(jìn)行層疊時的蒸鍍條件，例如是真空度為1Pa～2×10-4Pa，襯底溫度為120℃～350℃，使用電阻加熱或者電子槍作為蒸發(fā)源。
而且，作為濾光器6的全層疊膜的總數(shù)，根據(jù)必要的特性在從50層到150層左右的范圍內(nèi)選擇。通過蒸鍍在光接受部直接形成這樣的層疊結(jié)構(gòu)的濾光器。
光接受部具有如上所述形成的層疊結(jié)構(gòu)的濾光器時，光電二極管PD1和光電二極管PD2所產(chǎn)生的光譜敏感度特性如圖12所示。光電二極管PD1的特性是B1，光電二極管PD2的特性是B2。這些特性B1、B2與圖3所示特性相比可知，在使用層疊結(jié)構(gòu)濾光器的情形，波長為650nm左右以上的波長時，光譜敏感度降低，波長在800nm以上時光譜敏感度接近為零，敏感度基本成為一定。
如上所述，如果在光接受部直接設(shè)置由折射率不同的薄膜交互層疊的濾光器，則無論光的入射范圍和入射角度如何，均可獲得更良好的光譜敏感度特性。
如果在光接受部通過蒸鍍設(shè)置該層疊結(jié)構(gòu)的濾光器，則在布線襯底上通過回流焊進(jìn)行表面安裝時，因焊接時產(chǎn)生的熱量導(dǎo)致的剝離、或者固定部分老化的危險(xiǎn)很小，可以獲得可靠性高的光半導(dǎo)體器件。
根據(jù)本發(fā)明，可以提供能夠抑制紅外區(qū)的敏感度、更高精度地控制光譜敏感度特性的光半導(dǎo)體器件。
權(quán)利要求
1.一種光半導(dǎo)體器件，具備帶有光接受部的光敏元件，所述光接受部包括在可見光區(qū)具有峰值波長敏感度的第一光電二極管和在紅外區(qū)具有峰值波長敏感度的第二光電二極管，在p型襯底表面形成n型區(qū)，在此n型區(qū)表面形成p型區(qū)，所述第一光電二極管是設(shè)置在所述n型區(qū)與所述p型區(qū)的界面的；所述第二光電二極管是設(shè)置在所述p型襯底與所述n型區(qū)的界面的，其特征在于所述p型襯底的電阻率R是1≤R≤3(Ωcm)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的光半導(dǎo)體器件，其特征在于，設(shè)所述光敏元件的芯片厚度為dc，則dc≤0.2mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的光半導(dǎo)體器件，其特征在于，設(shè)所述光半導(dǎo)體器件的封裝厚度為dp，則滿足dc/dp≤0.25。
4.一種光半導(dǎo)體器件，包括帶有光接受部的光敏元件，所述光接受部包括在可見光區(qū)具有峰值波長敏感度的第一光電二極管和在紅外區(qū)具有峰值波長敏感度的第二光電二極管；覆蓋所述光敏元件的透明樹脂；裝載所述光敏元件的安裝底盤；與外部電路連接的裝置；其特征在于，設(shè)所述安裝底盤的尺寸為tm，所述光敏元件的芯片尺寸為tc，Δt＝(tm-tc)/2時，滿足0≤Δt≤0.1(mm)
5.一種光半導(dǎo)體器件，具備光敏元件，所述光敏元件包括光接受部，其具有在可見光區(qū)具有峰值波長敏感度的第一光電二極管和在紅外區(qū)具有峰值波長敏感度的第二光電二極管；放大運(yùn)算處理電路，對來自所述第一光電二極管的輸出電流Ip1和來自所述第二光電二極管的輸出電流Ip2進(jìn)行放大·運(yùn)算處理及輸出；其特征在于，減法倍率系數(shù)為α，放大系數(shù)為β時，由Iout＝β(Ip1-αIp2)所獲得的來自所述放大運(yùn)算電路的輸出Iout中，減法倍率系數(shù)α為0.3≤α≤0.55。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)的光半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述光接受部的光接受面積S為S≤0.25mm2。
7.一種光半導(dǎo)體器件，具備帶有光接受部的光敏元件，所述光接受部包括在可見光區(qū)具有峰值波長敏感度的第一光電二極管和在紅外區(qū)具有峰值波長敏感度的第二光電二極管，在p型襯底表面形成n型區(qū)，在此n型區(qū)表面形成p型區(qū)，所述第一光電二極管是設(shè)置在所述n型區(qū)與所述p型區(qū)的界面的；所述第二光電二極管是設(shè)置在所述p型襯底與所述n型區(qū)的界面的，其特征在于，在所述光接受部上，通過蒸鍍折射率不同的多種膜，層疊形成濾光器，并且，所述p型襯底的電阻率R為1≤R≤3(Ωcm)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的光半導(dǎo)體器件，其特征在于，設(shè)所述光敏元件的芯片厚度為dc，則dc≤0.2mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的光半導(dǎo)體器件，其特征在于，設(shè)所述光半導(dǎo)體器件的封裝厚度為dp，則滿足dc/dp≤0.25。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的光半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述濾光器由二氧化鈦(TiO2)薄膜和二氧化硅(SiO2)薄膜交互層疊形成。
11.一種光半導(dǎo)體器件，具備光敏元件，所述光敏元件包括光接受部，包括在可見光區(qū)具有峰值波長敏感度的第一光電二極管和在紅外區(qū)具有峰值波長敏感度的第二光電二極管；放大運(yùn)算處理電路，對來自所述第一光電二極管的輸出電流Ip1和來自所述第二光電二極管的輸出電流Ip2進(jìn)行放大·運(yùn)算處理及輸出；其特征在于，在所述光接受部上，通過蒸鍍折射率不同的多種膜，層疊形成濾光器，并且，減法倍率系數(shù)為α，放大系數(shù)為β時，由Iout＝β(Ip1-αIp2)所獲得的來自所述放大運(yùn)算電路的輸出Iout中，減法倍率系數(shù)α為0.3≤α≤0.55。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的光半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述濾光器由二氧化鈦(TiO2)薄膜和二氧化硅(SiO2)薄膜交互層疊形成。
全文摘要
一種光半導(dǎo)體器件，具備光敏元件(10)，帶有在可見光區(qū)和紅外區(qū)分別具有峰值波長敏感度的兩個光電二極管的光接受部(7)，和對各個輸出進(jìn)行放大·運(yùn)算處理的放大運(yùn)算處理電路(8)，光接受部(7)的襯底電阻率、與封裝厚度對應(yīng)的芯片厚度比、從光敏元件邊緣到安裝底盤邊緣的距離和放大運(yùn)算處理中的減法倍率系數(shù)(α)得以最佳化。
文檔編號H01L31/02GK1449059SQ0310861
公開日2003年10月15日 申請日期2003年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月29日
發(fā)明者小川功, 巖崎隆, 藤野吉嗣 申請人:株式會社東芝