技術(shù)編號：7003377
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及光半導(dǎo)體器件，特別是涉及在僅傳感可見光、測定其亮度、即所謂的能見度照度測定等中使用的光半導(dǎo)體器件。已有技術(shù)近年來，在能見度照度測定等中使用的光半導(dǎo)體器件，使用光電二極管(以下稱為PD)和對來自PD的光信號進(jìn)行放大、運(yùn)算處理的放大·運(yùn)算處理電路成為單芯片化的光敏元件。如附圖說明圖1所示，在p型硅襯底1的表面形成n型區(qū)2，在此n型區(qū)2的表面形成p型區(qū)3。在縱向形成的兩處PN結(jié)中形成兩個PD(PD14，PD25)。Si晶片中的光吸收比例依賴于距表面的深...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。