專利名稱：面內(nèi)開關(guān)模式液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器，特別涉及面內(nèi)開關(guān)(In-Plane Switching，IPS)模式液晶顯示器。
背景技術(shù)：
液晶顯示器主要有兩種。這兩種主要顯示器中的一種通過讓液晶分子的長(zhǎng)軸(軸的方向叫做“指向器”)在垂直于基底的平面內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)來顯示圖像。相反，另一種則通過讓液晶分子的長(zhǎng)軸在平行于基底的平面內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)來顯示圖像。
前者叫做扭轉(zhuǎn)向列(TN)液晶顯示器，后者的一個(gè)典型是IPS液晶顯示器。
這種IPS液晶顯示器的特征在于即使是觀看者從相對(duì)于這個(gè)顯示器的不同方向來觀看顯示器上顯示的圖像，由于觀看者只是在沿著分子短軸的方向上來觀看液晶分子，因此觀看者能夠看到圖像而不用考慮液晶分子相對(duì)于基底是站立著的還是躺下的，因而能夠獲得比扭轉(zhuǎn)向列液晶顯示器更大的視角。
這就是為什么近些年來IPS液晶顯示器比扭轉(zhuǎn)向列型液晶顯示器用得更多的原因。
例如，第6(1994)-202127號(hào)日本專利申請(qǐng)(以后叫做第一項(xiàng)傳統(tǒng)技術(shù))和第9(1997)-318972(以后叫做第二項(xiàng)傳統(tǒng)技術(shù))公開了提高IPS液晶顯示器孔徑比率的一種技術(shù)。
第一項(xiàng)傳統(tǒng)技術(shù)中公開的IPS液晶顯示器有這樣的驅(qū)動(dòng)裝置，它包括一個(gè)有源陣列，其特征在于用于將圖像信號(hào)發(fā)送給有源陣列的信號(hào)互連線(面向液晶層)的那一部分中的大部分通過絕緣層被導(dǎo)體覆蓋。但是，第一項(xiàng)傳統(tǒng)技術(shù)采用的實(shí)施例從來都沒有說明讓透明電極屏蔽信號(hào)線，防止不利的電場(chǎng)泄漏的影響應(yīng)該采用什么樣的結(jié)構(gòu)。
第二項(xiàng)傳統(tǒng)技術(shù)公開的IPS液晶顯示器有一個(gè)組件被同時(shí)用作公共電極互連線和黑色陣列(換句話說，公共電極互連線還被用作黑色陣列或者反過來)，除此以外，還被用作掃描線和數(shù)據(jù)線，它們都被同時(shí)用作黑色陣列的公共電極互連線全部覆蓋。第二項(xiàng)傳統(tǒng)技術(shù)的目的是將公共電極互連線同時(shí)用作導(dǎo)體和屏蔽薄膜，從來都沒有說明用透明電極防止電場(chǎng)從掃描線和數(shù)據(jù)線泄漏需要什么樣的結(jié)構(gòu)。
這兩項(xiàng)傳統(tǒng)技術(shù)所公開的IPS液晶顯示器都是要提高器件的孔徑比率，并且提高顯示圖像的亮度。
由于數(shù)據(jù)線和公共電極之間以及掃描線和公共電極之間存在電位差，這個(gè)電位差會(huì)產(chǎn)生不利的電場(chǎng)。當(dāng)這一電場(chǎng)到達(dá)像素電極和公共電極之間的顯示區(qū)域的時(shí)候，不利電場(chǎng)到達(dá)的對(duì)應(yīng)區(qū)域中包括的液晶分子受到不利電場(chǎng)的影響，出現(xiàn)反常對(duì)準(zhǔn)。例如，屏幕上出現(xiàn)有黑色背景的白色窗的時(shí)候，顯示黑色并且對(duì)應(yīng)于傳送圖像信號(hào)，用來驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)像素顯示白色的數(shù)據(jù)線的像素就會(huì)有一定輝度級(jí)，這種現(xiàn)象是一個(gè)叫做“縱向串?dāng)_”的顯示難題。
為了防止這一問題出現(xiàn)，在數(shù)據(jù)線和掃描線兩側(cè)設(shè)置虛擬公共電極，使其具有寬的寬度，使來自數(shù)據(jù)線和掃描線的電場(chǎng)在虛擬公共電極上終止，也就是說防止來自數(shù)據(jù)線和掃描線的電場(chǎng)泄漏，或者在數(shù)據(jù)線和掃描線上覆蓋電極例如一定電位上的公共電極，從而使其電位不會(huì)影響要顯示的圖像。
如同后一種情形一樣，為了提高液晶顯示器的孔徑比，最好是形成一個(gè)公共電極，讓它覆蓋數(shù)據(jù)線和掃描線。
但是，采用傳統(tǒng)技術(shù)的時(shí)候，由于公共電極是用屏蔽薄膜形成的，器件中光束的利用率被降低了。
公共電極是用屏蔽薄膜形成的原因是通過像素之間的邊界周圍的顯示受到邊界旁邊的像素泄漏出來的光影響。一般情況下為了防止這種不利現(xiàn)象發(fā)生，在像素之間的邊界周圍形成屏蔽薄膜構(gòu)成的一個(gè)黑色陣列。然而，本申請(qǐng)的發(fā)明人進(jìn)行了仿真和實(shí)驗(yàn)，并且確定邊界旁邊像素通過像素之間邊界周圍泄漏出來的光束對(duì)顯示的影響，因而得出結(jié)論，當(dāng)完全防止了從掃描線和數(shù)據(jù)線泄漏出來電場(chǎng)的時(shí)候，通過像素之間邊界周圍從邊界旁邊的像素泄漏出來的光束影響顯示的程度很低，除了對(duì)于需要高質(zhì)量的顯示圖像的情形外，可以去除器件中的黑色陣列。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明源于上述仿真和實(shí)驗(yàn)，針對(duì)的是能夠防止發(fā)生縱向串?dāng)_，提高器件孔徑比的面內(nèi)開關(guān)模式液晶顯示器。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是解決上述問題。也就是說，根據(jù)本發(fā)明的面內(nèi)開關(guān)模式液晶顯示器包括具有在上形成的掃描線、數(shù)據(jù)線和公共電極互連線的第一個(gè)基底，在其中形成的數(shù)據(jù)線與掃描線交叉，同時(shí)在數(shù)據(jù)線和掃描線之間插入絕緣薄膜，這樣構(gòu)造公共電極互連線使得公共電極互連線位于第一個(gè)基底上比掃描線和數(shù)據(jù)線更遠(yuǎn)的地方，它的寬度比掃描線和數(shù)據(jù)線寬，以便在幾何上覆蓋掃描線和數(shù)據(jù)線。本發(fā)明的器件還包括第二個(gè)基底，它與第一個(gè)基底相對(duì)，同時(shí)在第一個(gè)和第二個(gè)基底之間插入液晶。
器件的這種結(jié)構(gòu)使得數(shù)據(jù)線和掃描線出來的所有電場(chǎng)都能夠在公共電極互連線上終止。用透明導(dǎo)電材料形成的公共電極互連線能夠維持傳統(tǒng)器件的孔徑比。


圖1A是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例中液晶顯示器的一個(gè)平面圖；圖1B是沿著圖1A中的I-I線的一個(gè)剖面圖；圖2是對(duì)應(yīng)于圖1A所示像素的一個(gè)電路圖；圖3A是本發(fā)明第一實(shí)施例中改進(jìn)實(shí)例里液晶顯示器的平面圖；圖3B是沿著圖3A中的直線III-III的剖面圖；圖4A說明圖1A所示的互連線的最上層形成的并構(gòu)成公共電極互連線的透明薄膜；圖4B說明在形成第二個(gè)金屬薄膜的那一層上形成，構(gòu)成像素電極的透明薄膜和構(gòu)成數(shù)據(jù)線的透明薄膜；圖4C說明除了圖4A、4B所示以外的導(dǎo)電薄膜；圖5A是本發(fā)明第一實(shí)施例中第二改進(jìn)實(shí)例里液晶顯示器的平面圖；圖5B是沿著圖5A中III-III線的剖面圖；圖6A是本發(fā)明第一實(shí)施例中第三改進(jìn)實(shí)例里液晶顯示器的平面圖；圖6B是沿著圖6A中線III-III的剖面圖；圖7A是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的第二改進(jìn)實(shí)例里液晶顯示器的平面圖；圖7B是沿著圖7A所示直線III-III的剖面圖；圖8A是本發(fā)明第五實(shí)施例第二改進(jìn)實(shí)例里液晶顯示器的平面圖；圖8B是沿著圖8A所示直線I-I的一個(gè)剖面圖；圖9A說明圖8A所示互連最上層里形成的一個(gè)透明薄膜；圖9B說明互連最上層下面形成的透明薄膜；圖9C說明除圖9A、9B所示以外的導(dǎo)電薄膜；圖10是沿著圖1A中直線I-I、II-II的剖面圖，它對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)線和一部分公共電極互連線具有構(gòu)成不透明薄膜(鉻)和透明薄膜(氧化銦鋅ITO)這種情形的分層結(jié)構(gòu)；圖11是沿著圖1A中直線I-I、II-II的一個(gè)剖面圖，并對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)線包括單個(gè)鉻薄膜，公共電極互連線包括單個(gè)ITO薄膜這種情形；圖12是本發(fā)明第一實(shí)施例中公共電極互連線和掃描線的剖面圖；圖13是本發(fā)明第二實(shí)施例的液晶顯示器的平面圖；圖14說明如何在圖1A所示的液晶顯示器里形成一個(gè)旋轉(zhuǎn)位移；圖15A說明圖13所示互連最上層形成的透明薄膜；圖15B說明互連最上層下面形成的透明薄膜；圖15C說明除圖15A、15B所示以外的導(dǎo)電薄膜；以及圖16是說明這一器件的液晶平板的四周如何構(gòu)成的一個(gè)剖面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明的實(shí)施例。從這以后，假設(shè)在描述有源陣列基底11以及相對(duì)基底12上面的層的時(shí)候，將比其它層更加靠近液晶層13的層叫做上層，比其它層更加遠(yuǎn)離液晶層13的層叫做下層。本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例圖1和圖2說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的面內(nèi)開關(guān)模式有源陣列液晶顯示器。圖1A是這個(gè)實(shí)施例中液晶顯示器的一個(gè)平面圖，以及圖1B是沿著直線I-I的一個(gè)剖面圖，圖2是對(duì)應(yīng)于圖1A所示像素的一個(gè)電路圖。
如圖1B所示，液晶顯示器10包括一個(gè)有源陣列基底11、一個(gè)相對(duì)基底12和放置在有源陣列基底11與相對(duì)基底12之間的一個(gè)液晶層13。
相對(duì)基底12包括第二透明絕緣基底16，基底16上形成的彩色層18和在彩色層18上形成的透明外涂層19。此外，為了防止液晶顯示板表面與操作員之間直接摩擦產(chǎn)生的靜電荷對(duì)液晶層13產(chǎn)生電影響，在第二個(gè)透明絕緣基底16的后表面上形成一個(gè)透明導(dǎo)電層15。這樣形成一個(gè)彩色層18，從而使利用包括紅色(R)染料或者顏料的樹脂制作的紅色層118、包括綠色(G)染料或者顏料的樹脂制作的綠色層218以及包括藍(lán)色(B)染料或者顏料的樹脂制作的藍(lán)色層318按周期方式排列。為了防止相鄰彩色層之間出現(xiàn)間隔，即使是顏色偏移成相鄰的另一種顏色，如圖1B所示，互相相鄰的這些彩色層，每一層的顏色都不相同，都互相重疊。
這種有源陣列基底11包括第一個(gè)透明絕緣基底22；在基底11上形成的，并構(gòu)成掃描線28(參考圖1A)和柵電極36(參考圖2)的第一個(gè)金屬薄膜；形成在第一個(gè)金屬薄膜上的第一個(gè)層間絕緣薄膜23；島嶼形狀的非晶硅薄膜，數(shù)據(jù)線24，薄膜晶體管30的源電極35和漏電極34，以及用透明薄膜形成的像素電極，它們?nèi)慷际窃诘谝粋€(gè)層間絕緣薄膜23上面形成的；以及在第一個(gè)層間絕緣薄膜23上形成，并覆蓋第一個(gè)層間絕緣薄膜23上面形成的那些元件的第二個(gè)層間絕緣薄膜25；用透明薄膜做成，在第二個(gè)層間絕緣薄膜25上面形成的公共線26。數(shù)據(jù)線24具有一種由不透明薄膜124和寬度小于不透明薄膜并與之連接的透明薄膜224構(gòu)成的分層結(jié)構(gòu)。數(shù)據(jù)線的結(jié)構(gòu)使得能夠降低數(shù)據(jù)線的電阻，并防止數(shù)據(jù)信號(hào)在時(shí)間上發(fā)生延遲。透明薄膜224的寬度小于不透明薄膜124寬度的原因如下。也就是說，通過蝕刻基底表面上沉積的透明薄膜的一部分形成透明薄膜224，這一部分沒有被抗蝕圖型覆蓋，以及數(shù)據(jù)線暴露在外面，在例如由ITO做成的透明薄膜和例如鉻做成的不透明薄膜之間因?yàn)殡娊夥磻?yīng)產(chǎn)生一個(gè)電壓差(將不同的金屬沉浸在電解溶液中，金屬互相之間有電連接的時(shí)候，在它們之間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電壓差，此時(shí)就能夠看到這種反應(yīng)；通常將這一反應(yīng)叫做“電解反應(yīng)”)，這個(gè)電壓差導(dǎo)致用于形成數(shù)據(jù)線的不透明圖案被很容易地蝕刻掉。由于透明薄膜圖案和不透明薄膜圖案大小之間的差別很大，因此這種現(xiàn)象也就是電解反應(yīng)被加劇，以及在某些情形中，不透明薄膜和透明薄膜會(huì)消失。為了防止這種現(xiàn)象發(fā)生，提高器件的生產(chǎn)率，最好是使形成的不透明薄膜的寬度比透明薄膜寬1～2微米。
在有源陣列基底11和相對(duì)基底12每一個(gè)的表面上涂敷一層對(duì)準(zhǔn)薄膜20，相對(duì)于數(shù)據(jù)線24延伸的方向以10～30度的角度摩擦這一對(duì)準(zhǔn)薄膜，從而使液晶層13的液晶分子均勻地對(duì)準(zhǔn)。然后，這兩個(gè)基底連接在一起，互相面對(duì)。將對(duì)準(zhǔn)薄膜的摩擦角度叫做液晶分子的初始對(duì)準(zhǔn)方向。
如圖1A所示，有源陣列基底11包括給它提供數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線24；提供基準(zhǔn)電壓信號(hào)的公共電極互連線26；給它提供對(duì)應(yīng)于要顯示的像素的電位的像素電極27；給它提供掃描信號(hào)的掃描線28；以及薄膜晶體管30。每個(gè)都有交替排列的部分的公共電極互連線26和像素電極27，并且當(dāng)將電壓施加在公共電極互連線26和像素電極27之間的時(shí)候，在平行于第一個(gè)和第二個(gè)透明絕緣基底22和16的表面方向上產(chǎn)生一個(gè)電場(chǎng)。公共電極互連線26和像素電極27具有梳子形狀的部分，而且公共電極互連線26和像素電極27(對(duì)于像素電極27這種情形，梳子形狀的部分也叫做次電極，像素電極27的這些次電極構(gòu)成像素電極27的主要部分)的梳子形狀的部分(在公共電極互連線26的情形下，這個(gè)梳子形狀的部分也叫做次電極，與像素電極27的次電極相鄰的公共電極互連線26的這些次電極與像素電極27的次電極一起產(chǎn)生電場(chǎng))，公共電極互連線26梳子形狀的部分以及像素電極27梳子形狀的部分交替排列，互相平行。在液晶顯示器10中，液晶分子被像素電極27和公共電極互連線26之間產(chǎn)生的電場(chǎng)所驅(qū)動(dòng)。都被用于驅(qū)動(dòng)液晶分子的像素電極27和公共電極互連線26通常都被分別叫做像素電極和公共電極。但是，由于公共電極互連線既被用作公共互連線又被用作公共電極，因此很難清楚地區(qū)分公共互連線和公共電極。所以，對(duì)于這一說明書的以下章節(jié)，“公共電極互連線”這個(gè)術(shù)語被用于取代“公共互連線”和“公共電極”這兩個(gè)術(shù)語。
除此以外，用不透明薄膜制作的公共電極互連線26被標(biāo)作不透明公共電極互連線126，用透明薄膜制作的公共電極互連線26被標(biāo)作透明公共電極互連線226。
如圖1A所示，數(shù)據(jù)線24和掃描線28在幾何上被透明薄膜制作，寬度大于數(shù)據(jù)線24和掃描線28的寬度的公共電極互連線226間接覆蓋。按照上述數(shù)據(jù)線24所描述的方式構(gòu)成的掃描線28和公共電極互連線226能夠完全防止電場(chǎng)從掃描線28和數(shù)據(jù)線24泄漏出來。因此，能夠擴(kuò)大利用像素電極和公共電極互連線226能夠控制的有效顯示區(qū)域，提高器件的孔徑比。另外，由于公共電極互連線226是用透明薄膜形成的，除了掃描線28和數(shù)據(jù)線24以外的所有幾何區(qū)域都可以被用作這個(gè)器件的孔徑。
除此以外，如圖1A所示，通過以網(wǎng)格圖形所形成一個(gè)ITO薄膜，提供用透明薄膜制作的公共電極互連線226，從而允許降低互連線的電阻。
如圖1B所示，在有源陣列基底的不同層上形成公共電極互連線26和像素電極27能夠防止公共電極互連線26和像素電極27之間發(fā)生短路，提高器件產(chǎn)量。在這種情況下，在比像素電極27更加靠近液晶層13的一層上形成公共電極互連線26，就能夠在公共電極互連線26和數(shù)據(jù)線24之間獲得間隔，增大公共電極互連線26和掃描線28之間的間隔，減少公共電極互連線26和數(shù)據(jù)線24之間的寄生電容，以及減少公共電極互連線26和掃描線28之間的寄生電容。
如圖3A所示，與掃描線28延伸的方向平行的方向上的公共電極互連線26的一部分，以及與掃描線28延伸的方向平行的方向上的像素電極27的一部分，通過第二個(gè)層間絕緣薄膜25在上/下方向上互相面對(duì)。按照上述方式構(gòu)成的公共電極互連線26的這一部分和像素電極27的這一部分形成與液晶電容器并聯(lián)的積分電容，提高器件的電穩(wěn)定性。
再次參考圖1A，形成像素電極35和像素電極227，而不在其中插入絕緣薄膜，因而不需要采用接觸孔。因此，由于不需要在絕緣薄膜中形成接觸孔，因此形成的源電極不需要比形成的接觸孔更大，也就是說可以降低源極電極35和像素電極27之間的連接電阻，而不降低器件的孔徑比。
圖4A～4C是將圖1A中的平面圖畫分成三種類型得到的平面圖(1)在互連的最上層形成，構(gòu)成公共電極互連線226的透明(ITO)薄膜(圖4A)；(2)構(gòu)成像素電極227和數(shù)據(jù)線24的透明薄膜224的透明(ITO)薄膜(圖4B)；(3)包括構(gòu)成掃描線28的第一個(gè)金屬薄膜和構(gòu)成數(shù)據(jù)線24不透明薄膜124的第二個(gè)金屬薄膜的其它薄膜(圖4C)。用透明薄膜和比不透明薄膜124窄的透明薄膜224制作的像素電極227都在第二個(gè)金屬薄膜的同一層上形成，這兩個(gè)薄膜都是數(shù)據(jù)線的構(gòu)成部分。也就是說，沿著像素電極227的方向形成寬度比不透明薄膜124窄，與不透明薄膜124連接的透明薄膜224。如圖1A和4A～4C所示，透明薄膜形成的完全覆蓋數(shù)據(jù)線24和掃描線28的公共電極互連線226與在公共電極互連線226附近用透明薄膜形成的像素電極227之間幾何上不存在光屏蔽薄膜，只有存在薄膜晶體管的組件所在的區(qū)域除外。以外，由于像素電極27是用透明薄膜227形成的，因此能夠提高器件的孔徑比，提高器件的光源可用度。
另外，如圖1A所示，在相對(duì)基底12的第二個(gè)透明基底1 6上形成一個(gè)光屏蔽薄膜40(籠統(tǒng)地叫做黑色陣列)，從而在幾何上至少覆蓋薄膜晶體管的組件，以便維持薄膜晶體管的正常開關(guān)性能。
在薄膜晶體管的組件占據(jù)的區(qū)域以外的一個(gè)區(qū)域中形成一個(gè)黑色陣列，兩個(gè)基底互相連接的時(shí)候在有源陣列基底11和相對(duì)基底12之間發(fā)生相對(duì)位移的情況下，黑色陣列40會(huì)降低器件的孔徑比。
除此以外，圖5A和5B說明圖1A和1B所示實(shí)施例中的第二個(gè)改進(jìn)實(shí)例。圖5A是第二個(gè)改進(jìn)實(shí)例的液晶顯示器的一個(gè)平面圖，圖5B是沿著圖5A所示直線III-III獲得的一個(gè)剖面圖。如圖5A和5B所示，像素電極27通過層間絕緣層23與掃描線28重疊，從而在對(duì)應(yīng)的像素上加上累積電容，進(jìn)一步穩(wěn)定這種液晶顯示器顯示板上形成的圖像。
此外，圖6A和6B說明圖1A和1B所示實(shí)施例的第三個(gè)改進(jìn)實(shí)例。圖6A是第三個(gè)改進(jìn)實(shí)例中液晶顯示器的一個(gè)平面圖，圖6B是沿著圖6A所示直線III-III得到的剖面圖。如圖6B所示，為了降低公共電極互連線26的電阻，最好是將鉻這樣的低電阻率材料制作的公共電極互連線126與公共電極互連線26連接，形成一個(gè)分層的結(jié)構(gòu)。注意，為了防止器件的孔徑比下降，讓公共電極互連線126在幾何上與掃描線28重疊，且最好是在掃描線28的內(nèi)部(雖然圖6A中的平面圖內(nèi)沒有給出用不透明材料制作的整個(gè)公共電極互連線126，但是只將覆蓋薄膜晶體管30有源區(qū)域的一部分標(biāo)為粗黑線626)。
由于用低電阻率材料制作的公共電極互連線126是不透明的，在相對(duì)基底12的顯示區(qū)域內(nèi)不需要形成黑色陣列。為此，即使是有源陣列基底11和相對(duì)基底12之間的相對(duì)位移在兩個(gè)基底連接在一起的時(shí)候會(huì)發(fā)生，但是黑色陣列從來都沒有超出顯示區(qū)域，從而防止了器件的孔徑比下降。
另外，圖7A和7B說明圖1A和1B所示實(shí)施例的第四個(gè)改進(jìn)實(shí)例。圖7A是第四個(gè)改進(jìn)實(shí)例中液晶顯示器的一個(gè)平面圖，圖7B是沿著圖7A所示直線III-III得到的一個(gè)剖面圖。如圖7B所示，當(dāng)公共電極互連線是由公共電極互連線126和公共電極互連線226構(gòu)成的時(shí)候，這兩條線形成分層結(jié)構(gòu)(雖然圖7A里平面圖中沒有給出不透明材料制作的整個(gè)公共電極互連線126，但是將僅覆蓋薄膜晶體管30的有源區(qū)域的一部分標(biāo)為粗黑線626)，最好是用絕緣薄膜29覆蓋公共電極互連線126、226。
用透明材料制作的公共電極互連線226是用ITO等等形成的，一般都要將ITO這樣的氧化物薄膜用于扭轉(zhuǎn)向列液晶顯示器中，它是一種非常穩(wěn)定的材料，本領(lǐng)域中的技術(shù)人員都知道這一點(diǎn)。但是，當(dāng)ITO薄膜因?yàn)樾】锥嬖谌毕莶糠?，不能完整地覆蓋它下面的薄膜的時(shí)候，只有對(duì)準(zhǔn)薄膜20覆蓋用鉻也就是一種不透明材料制作的公共電極互連線126，它被用作保護(hù)膜，用來防止鉻滲入液晶層。因此，為了進(jìn)一步提高液晶板的可靠性，最好是在公共電極互連線126、226上面形成絕緣薄膜。
圖8A和8B說明圖1A和1B所示實(shí)施例的第五個(gè)改進(jìn)實(shí)例。圖8A是第五個(gè)改進(jìn)實(shí)例中液晶顯示器的一個(gè)平面圖，圖8B是沿著圖8A中的直線I-I得到的剖面圖。雖然在圖1B所示的第一個(gè)實(shí)施例中，只在第二個(gè)層間絕緣薄膜25上形成用透明材料制作的公共電極互連線226，但在圖8B所示的第五個(gè)改進(jìn)實(shí)例中，用透明材料制作的公共電極互連線包括在第二個(gè)層間絕緣薄膜25上形成的公共電極互連線226以及在與第二個(gè)金屬薄膜相同的層上形成的公共電極互連線326。也就是說，如圖8B所示，用透明材料制作的像素電極有兩個(gè)像素電極227和在它們之間形成用透明材料制作的公共電極互連線326。這樣，公共電極互連線26包括兩條互連線，也就是在它們之間插入層間絕緣薄膜25的公共電極互連線226和326。公共電極互連線的結(jié)構(gòu)使得像素電極和公共電極互連線之間的距離更短，增強(qiáng)了其間的電場(chǎng)。因此，可使像素電極和公共電極互連線之間的電壓差很小，但能夠產(chǎn)生同樣的電場(chǎng)強(qiáng)度。
圖9A和9C是將圖8A中的平面圖劃分成三類得到的平面圖(1)在最上層互連中形成，構(gòu)成公共電極互連線226的透明(ITO)薄膜(圖9A)；(2)構(gòu)成像素電極227和數(shù)據(jù)線124上形成的透明薄膜224的透明(ITO)薄膜，它們都是在第二個(gè)金屬薄膜所在的層上形成的(圖9B)；(3)包括構(gòu)成掃描線28的第一個(gè)金屬薄膜和構(gòu)成不透明薄膜124的第二個(gè)金屬薄膜的其它薄膜(圖9C)。通過接觸孔將公共電極互連線226和326連接起來。
雖然按照上述方式構(gòu)成的液晶顯示器的有效孔徑比對(duì)應(yīng)于接觸孔占據(jù)的面積降低它的值，它仍然能夠用更低的電壓驅(qū)動(dòng)液晶，并降低功耗。這個(gè)器件的有效孔徑比下降的原因是當(dāng)這個(gè)器件處于IPS工作模式的時(shí)候，由于在電極上面沒有直接有效地形成橫向電場(chǎng)，電極上面的液晶分子不會(huì)轉(zhuǎn)動(dòng)，防止了通過液晶分子的光的透光率增大。注意在這種情況下，液晶分子允許光通過它一點(diǎn)點(diǎn)，“孔徑比”這個(gè)術(shù)語指的是有效孔徑比，它是以包括透過透明電極的光的形式計(jì)算出來的。形成接觸孔會(huì)增加電極的面積，隨著施加橫電場(chǎng)的面積下降而降低器件的有效孔徑比。
圖10和11說明除了圖中的一個(gè)實(shí)施例中的薄膜晶體管組件以外的一個(gè)薄膜晶體管的組件和一個(gè)像素的組件。圖10和11分別是沿著直線I-I和II-II得到的剖面圖。
圖10對(duì)應(yīng)于公共互連線26和數(shù)據(jù)線24具有不透明薄膜和透明薄膜構(gòu)成的分層結(jié)構(gòu)這種情形，圖11對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)線24包括單個(gè)薄膜，也就是公共電極互連線26只包括透明薄膜226，數(shù)據(jù)線24只包括不透明薄膜124的這種情形。下面將詳細(xì)介紹圖10和11所示結(jié)構(gòu)的好處，以下介紹將基本上參考圖10。
如圖1A、1B和圖10所示，掃描線28和柵極電極36都是用互連第一層中形成的第一個(gè)金屬薄膜制作的。
IPS液晶顯示器10這樣工作，通過掃描線28將掃描信號(hào)提供給柵極電極以選擇像素，并通過數(shù)據(jù)線將數(shù)據(jù)信號(hào)寫入像素電極，并在公共電極互連線26和像素電極27之間產(chǎn)生平行于第一個(gè)和第二個(gè)透明絕緣基底22、16的電場(chǎng)，然后，通過電場(chǎng)使得液晶分子在平行于絕緣基底22、16的平面內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)，以便顯示特定的圖像。在圖1A中，都用透明材料制作的公共電極互連線226和像素電極227封閉起來的一個(gè)縱向區(qū)域叫做“列”。
這樣構(gòu)成圖10所示與薄膜晶體管有關(guān)的組件，使得鉻制作的公共電極互連線126在幾何上覆蓋柵極電極36，屏蔽掉入射到薄膜晶體管上且從第二個(gè)透明絕緣基底16的一側(cè)輻射出去的光使它不能照到柵極電極。這樣就進(jìn)一步地提高了薄膜晶體管的可靠性。以外，形成具有不透明薄膜126和透明薄膜226構(gòu)成的分層結(jié)構(gòu)的公共電極互連線，將這兩個(gè)薄膜互相連接在一起，能夠降低互連線的電阻，提高公共電極上電位的穩(wěn)定性。此外，讓鉻制作的公共電極互連線126在幾何上覆蓋柵極電極能夠提高器件的孔徑比。
雖然參考圖10中的薄膜晶體管描述了公共電極互連線和柵極電極之間的幾何關(guān)系，但是這一幾何關(guān)系同樣適用于在掃描線28和在幾何上覆蓋掃描線28的公共電極互連線26之間的幾何關(guān)系。圖12畫出了鉻制作的不透明薄膜126和透明薄膜226組成的分層結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例，這兩個(gè)薄膜構(gòu)成公共電極互連線26，并且互相連接，在幾何上公共電極互連線26覆蓋掃描線28。不透明薄膜126的寬度小于掃描線28的寬度，以便讓掃描線28在幾何上覆蓋不透明的薄膜126。這樣就能夠提高器件的孔徑比，降低公共電極互連線26的電阻，防止數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)生延遲。
雖然圖12說明了公共電極互連線26在幾何上覆蓋掃描線這種情形，但是公共電極互連線26在幾何上覆蓋數(shù)據(jù)線24也能夠具有圖12所示情形中的結(jié)構(gòu)。對(duì)于公共電極互連線26在幾何上覆蓋數(shù)據(jù)線24的這種情形，將不透明材料制作的公共電極互連線126用作光屏蔽薄膜能夠縮小相對(duì)基底黑色陣列的面積，從相對(duì)基底消除黑色陣列，同時(shí)能夠獲得圖12所示結(jié)構(gòu)能夠提供的好處。
如圖12所示，將用ITO制作的透明薄膜226放置在比不透明薄膜126更加靠近液晶層13的位置，不透明薄膜126上完全覆蓋了透明薄膜226。這樣就能夠防止不透明薄膜與液晶發(fā)生反應(yīng)溶解到液晶里去，從而提高器件的可靠性。這是因?yàn)镮TO這種材料對(duì)電化學(xué)反應(yīng)極其穩(wěn)定。注意，采用對(duì)電化學(xué)反應(yīng)比ITO具有更高穩(wěn)定性的材料來形成不透明薄膜126的時(shí)候，最好是讓不透明薄膜126比透明薄膜226更加靠近液晶層13，進(jìn)一步用不透明薄膜126覆蓋透明薄膜226。
如圖10所示，薄膜晶體管30包括柵電極36、漏電極34和源電極35，并且放置在掃描線28和數(shù)據(jù)線24互相交叉的交叉點(diǎn)上的每個(gè)像素對(duì)應(yīng)的位置上。柵電極36與掃描線28有電連接，漏電極34與數(shù)據(jù)線24連接，源電極35與像素電極227連接。
如圖10所示，薄膜晶體管30的源電極35包括不透明薄膜135和透明薄膜235，該不透明薄膜135用同時(shí)構(gòu)成數(shù)據(jù)線的第二種金屬薄膜制作，該透明薄膜235由同時(shí)構(gòu)成像素電極227，在像素電極227所在的同一層上的ITO制作，這兩個(gè)薄膜連接在一起，形成分層結(jié)構(gòu)。在數(shù)據(jù)線24的透明薄膜224所在的同一層形成的漏電極34的透明薄膜234和源電極35的透明薄膜235能夠防止形成薄膜晶體管的處理步驟數(shù)量增大。
除此以外，透明薄膜234、235在幾何上分別覆蓋所述不透明薄膜134、135，它們的長(zhǎng)度在平行于薄膜晶體管溝道方向上大于透明薄膜234、235的長(zhǎng)度。也就是說，如圖10所示，不透明薄膜134、135的兩端與對(duì)應(yīng)于溝道的孔的兩端排成一條線，透明薄膜234、235的兩端與對(duì)應(yīng)于溝道的孔的兩端相隔0.5～1.0微米。這些薄膜的結(jié)構(gòu)能夠防止薄膜晶體管的特性由于所構(gòu)圖的透明薄膜的精度而發(fā)生變化，因?yàn)楸∧ぞw管溝道的長(zhǎng)度是由不透明薄膜的圖案決定的，這些圖案會(huì)影響薄膜晶體管的特性。以外，當(dāng)在不透明薄膜上形成透明薄膜時(shí)，從而使兩個(gè)薄膜互相連接，透明薄膜和不透明薄膜圖案的寬度之間差別變大，如上所述，在一些情況中在蝕刻薄膜以形成相應(yīng)圖案的步驟里，不透明的薄膜和透明薄膜會(huì)消失。為了防止這種現(xiàn)象發(fā)生，提高器件產(chǎn)量，最好是這樣來形成透明薄膜234、235，從而在平行于薄膜晶體管溝道方向上的薄膜234、235的長(zhǎng)度被確定為比不透明薄膜134、135的長(zhǎng)度短0.5～1.0微米。
這樣構(gòu)造圖10所示第一個(gè)實(shí)施例中液晶顯示器10的薄膜晶體管組件，使得在幾何上覆蓋薄膜晶體管組件的公共電極互連線226只由作為單個(gè)薄膜的透明薄膜(ITO)制作出來，且漏電極34和源電極35由作為單個(gè)薄膜的第二個(gè)金屬薄膜制作出來。以外，在圖11所示的像素中，數(shù)據(jù)線24僅采用作為單個(gè)薄膜的不透明薄膜124制作出來。圖11所示液晶顯示器的其余結(jié)構(gòu)與圖10所示液晶顯示器的結(jié)構(gòu)相同。
下面簡(jiǎn)單介紹圖10所示薄膜晶體管組件和像素的制造方法。
用光刻技術(shù)或者干蝕刻技術(shù)在作為第一個(gè)透明絕緣基底的玻璃基底上形成用鉻這樣的第一種金屬薄膜制作的柵極電極36和掃描線28。
然后，在透明絕緣基底22上形成由二氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)制作的第一個(gè)層間絕緣薄膜23，以覆蓋柵極電極36和掃描線28。
隨后，在第一個(gè)層間絕緣薄膜23上形成具有非晶硅(a-Si)薄膜32和n+非晶硅(a-Si)薄膜33構(gòu)成的分層結(jié)構(gòu)的非晶硅薄膜。
然后，用光刻技術(shù)和干蝕刻技術(shù)蝕刻非晶硅薄膜32、33并構(gòu)圖，以形成島嶼形狀的半導(dǎo)體層。
接下來，在基底表面上沉積作為第二個(gè)金屬薄膜的鉻，并用光刻技術(shù)和干蝕刻技術(shù)構(gòu)圖，形成薄膜晶體管漏電極34的不透明薄膜134、薄膜晶體管源電極35的不透明薄膜135和數(shù)據(jù)線24的不透明薄膜124。
隨后在基底表面上沉積ITO，并用光刻技術(shù)和干蝕刻技術(shù)構(gòu)圖，以形成漏電極34的透明薄膜234、源電極35的透明薄膜235、數(shù)據(jù)線24的透明薄膜224和像素電極27的透明薄膜227。
在ITO中形成圖案以后，通過蝕刻形成薄膜晶體管的溝道。也就是說，將漏電極34和源電極35用作掩膜，將包括n+a-Si的薄膜33和a-Si的薄膜32，通過漏電極34和源電極35之間形成的孔暴露在外面的非晶硅薄膜的一部分從非晶硅薄膜表面蝕刻到一個(gè)中間深度，形成薄膜晶體管30的溝道。
然后在基底表面沉積作為無機(jī)材料的氮化硅制作的第二個(gè)層間絕緣薄膜25。
采用光刻技術(shù)和干蝕刻技術(shù)對(duì)鉻進(jìn)行構(gòu)圖，以形成公共電極互連線126，大致位于與柵電極36的同一個(gè)幾何位置。在這種情況下，用鉻制作的公共電極互連線126在幾何上用柵極電極36覆蓋，它的面積大于公共電極互連線的面積。那是因?yàn)橹挥袞艠O電極36決定著器件的孔徑比，公共電極互連線126從來不會(huì)影響也就是降低器件的孔徑比。
在基底表面沉積ITO，并用光刻技術(shù)和干蝕刻技術(shù)構(gòu)圖，在像素區(qū)域和薄膜晶體管區(qū)域內(nèi)分別形成ITO制作的公共電極互連線226。
這里省去了對(duì)圖11所示液晶顯示器制造方法的介紹，因?yàn)閳D10、11所示器件結(jié)構(gòu)之間的差別只是圖11所示器件不包括ITO制作的數(shù)據(jù)線和鉻制作的公共電極互連線126。本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例圖13畫出了本發(fā)明第二實(shí)施例中的一個(gè)有源陣列液晶顯示器100。注意，由摩擦方向決定的液晶分子初始對(duì)準(zhǔn)方向(進(jìn)行摩擦的方向，也就是摩擦方向)與施加在像素電極27和公共電極互連線26之間的電場(chǎng)之間的方向的關(guān)系按照以下方式確定。也就是說，在像素電極27和公共電極互連線26之間施加電壓的時(shí)候，每個(gè)液晶分子都與初始對(duì)準(zhǔn)方向有一個(gè)銳角，在像素電極27和公共電極互連線26封閉的整個(gè)顯示區(qū)域上，按順時(shí)針方向轉(zhuǎn)動(dòng)，以便讓每個(gè)液晶分子的對(duì)準(zhǔn)方向與電場(chǎng)的方向重合。為了在它們之間產(chǎn)生上述關(guān)系，從垂直于紙的方向上看的時(shí)候，每一列中像素電極27和公共電極互連線26的上端和下端都按照?qǐng)D13所示的方向傾斜。
如圖14所示，當(dāng)在像素電極27和公共電極互連線26之間施加一個(gè)電壓的時(shí)候，每個(gè)液晶分子都從它的初始對(duì)準(zhǔn)方向向電場(chǎng)方向逆時(shí)針方向轉(zhuǎn)動(dòng)的時(shí)候，將在像素的端部產(chǎn)生一個(gè)域，在這個(gè)域中，每個(gè)液晶分子在與每一列液晶分子應(yīng)該轉(zhuǎn)動(dòng)的所需方向相反的方向上轉(zhuǎn)動(dòng)。更加具體地說，假設(shè)按照?qǐng)D13所示定義摩擦方向，將圖14中的“反常電場(chǎng)”表示的電場(chǎng)施加在液晶分子上，每個(gè)液晶分子都轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)銳角，以便讓每個(gè)液晶分子的對(duì)準(zhǔn)方向與反常電場(chǎng)的方向重合。結(jié)果，每個(gè)液晶分子都逆時(shí)針方向轉(zhuǎn)動(dòng)。相反，施加了正常橫電場(chǎng)的每個(gè)液晶分子都轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)銳角，以便讓每個(gè)液晶分子的對(duì)準(zhǔn)方向與正常橫電場(chǎng)的方向重合。如上所述，當(dāng)電場(chǎng)方向隨著液晶分子所在位置的區(qū)域的不同而不同的時(shí)候，對(duì)應(yīng)于正常電場(chǎng)和反常電場(chǎng)的區(qū)域之間邊界附近區(qū)域內(nèi)對(duì)應(yīng)的液晶分子，在互相相反的方向上轉(zhuǎn)動(dòng)，形成對(duì)應(yīng)液晶分子之間邊界的旋轉(zhuǎn)位移?？傊?dāng)液晶分子在像素內(nèi)某一區(qū)域里在與正常方向相反的方向上轉(zhuǎn)動(dòng)的時(shí)候，在液晶分子在正常方向上轉(zhuǎn)動(dòng)的和另一些液晶分子在垂直于正常方向的反常方向上轉(zhuǎn)動(dòng)的區(qū)域之間邊界上的區(qū)域里形成一個(gè)旋轉(zhuǎn)位移。當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間形成固定旋轉(zhuǎn)位移的時(shí)候，顯示狀況相應(yīng)地改變，可能無法獲得器件開始工作的時(shí)候那樣的顯示效果，從而降低器件的可靠性。另外，由于公共電極互連線26和像素電極27是用透明薄膜制作的，觀眾很容易就能夠發(fā)現(xiàn)旋轉(zhuǎn)位移。
如圖13所示，形成公共電極互連線26和像素電極27，從而使具有傾斜端作為上端和下端的那些組件能夠防止液晶分子反向轉(zhuǎn)動(dòng)。通過形成公共電極互連線26和像素電極27的構(gòu)成，從而使這些組件具有傾斜端作為上端和下端，并且將液晶分子在固定方向轉(zhuǎn)動(dòng)的結(jié)構(gòu)叫做抗反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)。
下面將參考圖15A～15C解釋抗反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的層次結(jié)構(gòu)。圖15A～15C是通過將圖13所示的平面圖劃分成三類產(chǎn)生的平面圖(1)互連最上層層形成的構(gòu)成公共電極互連線226的透明(ITO)薄膜(圖15A)；(2)構(gòu)成像素電極227和數(shù)據(jù)線24的透明薄膜224的透明(ITO)薄膜，它們都在第二個(gè)金屬薄膜的同一層上形成(圖15B)；(3)包括構(gòu)成掃描線28的第一個(gè)金屬薄膜和構(gòu)成數(shù)據(jù)線24的不透明薄膜124的第二個(gè)金屬薄膜(圖15C)。用透明薄膜制作的在第二個(gè)金屬薄膜的同一層上形成的像素電極227，以及用ITO制作的在第二個(gè)層間絕緣薄膜上形成的公共電極互連線226都具有梳子形狀的電極，以及對(duì)應(yīng)于公共電極互連線226和像素電極227的梳子形狀的電極，每一個(gè)都具有傾斜的端側(cè)526、527分別作為上部和下部側(cè)，從而形成抗反轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)，其中的液晶分子按照固定方向轉(zhuǎn)動(dòng)。這樣，就可以防止器件液晶分子的長(zhǎng)軸在相反方向上轉(zhuǎn)動(dòng)，防止形成旋轉(zhuǎn)位移，從而提高液晶顯示器100的透光率和可靠性。本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例圖16說明該器件的液晶板四周是如何構(gòu)成的。如圖16所示，用第一個(gè)金屬薄膜41制作的掃描線28在平板的四周，并且通過通孔44與第二個(gè)金屬薄膜42連接。第一個(gè)和第二個(gè)金屬薄膜的結(jié)構(gòu)使其能夠防止電極因?yàn)樯鲜鲭娀瘜W(xué)反應(yīng)而消失，這些現(xiàn)象會(huì)在形成數(shù)據(jù)線24的圖案以后對(duì)ITO進(jìn)行濕蝕刻(形成像素電極227的圖案)的時(shí)候出現(xiàn)，從而提高器件的產(chǎn)量。
綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器，能夠解決前面“本發(fā)明要解決的問題”那一章中描述的那些問題和其它問題，從而獲得以下好處(1)IPS液晶顯示器能夠防止器件孔徑比下降，以及防止由于電場(chǎng)從像素之間的邊界向顯示區(qū)域泄漏導(dǎo)致的縱向串?dāng)_。
(2)具有透明材料制作的，幾何上覆蓋數(shù)據(jù)線的公共電極的IPS液晶顯示器能夠降低公共電極的電阻值。
(3)這種IPS液晶顯示器能夠縮小黑色陣列的面積或者消除黑色陣列，以便提高器件的孔徑比，傳統(tǒng)技術(shù)中采用該黑色陣列來防止要顯示的圖像中出現(xiàn)的縱向串?dāng)_。
(4)這種IPS液晶顯示器能夠包括以較低的價(jià)格制作的透明電極。
(5)設(shè)置該IPS液晶顯示器使其具有由透明材料制作的、和完全覆蓋數(shù)據(jù)線而沒有增加公共電極互連線和數(shù)據(jù)線之間寄生電容的公共電極。
(6)這種IPS液晶顯示器具有高可靠性的透明材料，用來防止從數(shù)據(jù)線泄漏電場(chǎng)。
權(quán)利要求
1.一種面內(nèi)開關(guān)模式液晶顯示器，包括第一基底，在其上形成有掃描線、數(shù)據(jù)線和公共電極互連線的，形成的所述數(shù)據(jù)線與所述掃描線交叉，同時(shí)在所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線之間插入絕緣薄膜，所述公共電極互連線的這樣設(shè)置使得所述公共電極互連線比所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線離第一個(gè)基底更遠(yuǎn)，它的寬度比掃描線和數(shù)據(jù)線的寬度寬，以便在幾何上覆蓋所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線；第二基底，它面對(duì)所述第一基底放置；液晶，它放置在所述第一個(gè)基底和所述第二個(gè)基底之間。
2.如權(quán)利要求1所述的面內(nèi)開關(guān)模式液晶顯示器，其中所述公共電極互連線具有包括透明薄膜和不透明薄膜的分層結(jié)構(gòu)，這兩個(gè)薄膜連接在一起，并且所述不透明薄膜在幾何上位于所述掃描線內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的面內(nèi)開關(guān)模式液晶顯示器，進(jìn)一步包括所述第一基底上的像素電極，其中所述公共電極互連線和所述像素電極都具有至少一個(gè)公共次電極和至少一個(gè)像素次電極，它們都具有至少一個(gè)互相平行的次電極，并且進(jìn)一步，每一個(gè)具有相對(duì)于所述液晶的液晶分子的初始對(duì)準(zhǔn)方向的以一定銳角傾斜的側(cè)面。
4.如權(quán)利要求1所述的面內(nèi)開關(guān)模式液晶顯示器，進(jìn)一步包括第一基底上的像素電極，其中所述數(shù)據(jù)線包括不透明導(dǎo)電薄膜和透明導(dǎo)電薄膜，其中所述不透明導(dǎo)電薄膜比所述透明導(dǎo)電薄膜距離第一基底更近，其中所述透明導(dǎo)電薄膜在幾何上位于不透明導(dǎo)電薄膜內(nèi)，以及其中所述像素電極是用所述透明導(dǎo)電薄膜制作的。
5.如權(quán)利要求3所述的面內(nèi)開關(guān)模式液晶顯示器，其中至少一個(gè)公共次電極的一部分是在所述像素電極的同一層上形成的。
6.如權(quán)利要求5所述的面內(nèi)開關(guān)模式液晶顯示器，其中在所述像素電極的同一層上形成的至少公共次電極的所述部分是用不透明導(dǎo)電薄膜制作的，其中所述的公共電極互連線具有用透明導(dǎo)電薄膜制作的至少一個(gè)公共次電極的一部分，它的位置在對(duì)應(yīng)于所述不透明導(dǎo)電薄膜的地方，以及進(jìn)一步，還與所述不透明導(dǎo)電薄膜電連接。
7.如權(quán)利要求3所述的面內(nèi)開關(guān)模式液晶顯示器，其中所述公共電極互連線是在不同于所述像素電極所在層的一層上形成的。
8.如權(quán)利要求2、4或6中任意一個(gè)權(quán)利要求所述的面內(nèi)開關(guān)模式液晶顯示器，其中所述透明導(dǎo)電薄膜是氧化銦錫(ITO)。
全文摘要
一種面內(nèi)開關(guān)模式液晶顯示器，包括基底，在基底上形成的掃描線，基底上形成與掃描線交叉，同時(shí)在數(shù)據(jù)線和掃描線之間插入了絕緣薄膜的數(shù)據(jù)線，以及放置在比掃描線和數(shù)據(jù)線距離基底更遠(yuǎn)，寬度大于掃描線和數(shù)據(jù)線的寬度的透明公共電極互連線，此外，還在幾何上覆蓋掃描線和數(shù)據(jù)線。這種器件的結(jié)構(gòu)使得來自數(shù)據(jù)線和掃描線的所有電場(chǎng)都在公共電極互連線上終止。用透明導(dǎo)電薄膜形成的公共電極互連線能夠保持器件的孔徑比。
文檔編號(hào)H01L23/52GK1448762SQ0310860
公開日2003年10月15日 申請(qǐng)日期2003年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月29日
發(fā)明者松本公一, 板倉(cāng)州優(yōu), 西田真一 申請(qǐng)人:Nec液晶技術(shù)株式會(huì)社