專利名稱：閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到一種半導(dǎo)體的制造方法，特別涉及到一種閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，高密度閃在許多領(lǐng)域上的應(yīng)用已受到很大的關(guān)注，其中一個(gè)原因是存儲(chǔ)單元尺寸的縮小可大幅降低制造成本。然而，現(xiàn)有的利用區(qū)域氧化法(LOCOS)隔離技術(shù)所制造的閃存，其存儲(chǔ)單元尺寸常由于隔離結(jié)構(gòu)的限制，難以縮小。
另一種常見的隔離技術(shù)，也就是淺槽隔離(Shallow Trench Isolation；STI)技術(shù)，也常應(yīng)用于閃存的制造，因?yàn)槠渌圃斐龅拇鎯?chǔ)單元具有最小尺寸(Minimized Size)，可使得閃存的分布具有最高的密度。

圖1A至圖1E繪示現(xiàn)有的運(yùn)用淺槽隔離技術(shù)所形成的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O。請(qǐng)先參照?qǐng)D1A，在一基底100上依序形成穿遂氧化層102、多晶硅層104、氮化硅層106及圖案化光阻層108。圖案化光阻層108上的圖案為溝光阻開口110。請(qǐng)參照?qǐng)D1B，以該圖案化光阻層(未繪示于圖上)為蝕刻掩膜，以一非均向蝕刻蝕刻氮化硅層106、多晶硅層104、穿遂氧化層102及基底100而形成淺槽112，接著移除光阻層。
請(qǐng)參照?qǐng)D1C，以氧化硅材料填滿淺槽112而形成淺槽隔離結(jié)構(gòu)114，形成淺槽隔離結(jié)構(gòu)114的方法至少包括一化學(xué)氣相沉積工藝形成一氧化層填滿淺槽112并覆蓋在氮化硅層106之上，接著進(jìn)行一化學(xué)機(jī)械拋光的平坦化工藝，以氮化硅層106為拋光終止層。
請(qǐng)參照?qǐng)D1D，以一選擇性非均向蝕刻移除部分淺槽隔離結(jié)構(gòu)114而形成淺槽隔離結(jié)構(gòu)114a，淺槽隔離結(jié)構(gòu)114a與多晶硅層104等高。
請(qǐng)參照?qǐng)D1E，再形成一多晶硅層116覆蓋多晶硅層104及淺槽隔離結(jié)構(gòu)114a。接著，以一光刻蝕刻工藝移除部分位于淺槽隔離結(jié)構(gòu)114a上方的多晶硅層116而定義出浮動(dòng)?xùn)艠O118，浮動(dòng)?xùn)艠O(Floating Gate)118包括了多晶硅層104及116。形成多晶硅層116的目的在于能增加閃存的浮動(dòng)?xùn)艠O與控制柵極層(Control Gate)的重疊面積，因此能增加耦合率(Coupling Ratio)。高耦合率使得閃存在進(jìn)行抹除動(dòng)作時(shí)，柵極上所必須提供的電壓可以較低。此外，高耦合率的閃存，其產(chǎn)生F-N穿隧(Fowler-Nordheim Tunneling)所需的電場(chǎng)越小，也就是在浮動(dòng)?xùn)艠O層和源極/漏極之間電子的傳遞速度會(huì)越快，連帶使讀寫動(dòng)作(Read/Write Manner)的速度加快。
雖然現(xiàn)有的浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法可以來增加控制柵極與浮動(dòng)?xùn)艠O間的耦合率，但是確實(shí)有不少問題影響到此工藝所制造的閃存的電性。高外觀比值(High Aspect Ratio)的填溝工藝是第一個(gè)問題，在工藝的尺寸不斷下降來提高組件集成度的今日，淺槽的開口越來越小，在較一般淺槽隔離結(jié)構(gòu)工藝多了一層多晶硅層104的情形下淺槽的外觀比值將大幅提高，造成以化學(xué)氣相沉積氧化硅工藝來填溝時(shí)形成的淺槽隔離結(jié)構(gòu)114容易產(chǎn)生孔洞(seam)，而使閃存工藝的合格率下降。
第二個(gè)問題是在形成淺槽后，穿遂氧化硅層102暴露在淺槽112的側(cè)壁上，在后續(xù)含氧的加熱工藝中(形成淺槽隔離結(jié)構(gòu))，會(huì)產(chǎn)生鳥嘴(Bird’s Beak)，而使穿遂氧化層的厚度增加，影響晶體管數(shù)組的特性。
請(qǐng)參照?qǐng)D1B，淺槽112的側(cè)壁由基底100、穿遂氧化層102及多晶硅層104所構(gòu)成，由于穿遂氧化層102及多晶硅層104而使得要對(duì)基底100的角111進(jìn)行淺槽隔離圓角化工藝(STI Corner Rounding Process)變得非常困難。由于在以化學(xué)氣相沉積填溝來形成淺槽隔離結(jié)構(gòu)114之前需先形成一襯底氧化層(Linear Oxide)(未繪示于圖上)，在未經(jīng)淺槽隔離圓角化工藝的角111的位置襯底氧化層形成的厚度會(huì)比較薄，較薄的襯底氧化層的部分電性表現(xiàn)差，容易造成氧化層可靠度(Reliability)不高，這是現(xiàn)有的浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法第三個(gè)問題。
另外，尚有一個(gè)屬于工藝控制的問題，請(qǐng)參照?qǐng)D1D，以一選擇性非均向蝕刻移除部分淺槽隔離結(jié)構(gòu)114而形成淺槽隔離結(jié)構(gòu)114a，淺槽隔離結(jié)構(gòu)114a與多晶硅層104等高。事實(shí)上控制蝕刻而使所有的淺槽隔離結(jié)構(gòu)114a與多晶硅層104等高是一件困難的事情。若所有淺槽隔離結(jié)構(gòu)114a間的高度差超過可容忍的范圍，將會(huì)造成在圖1E中所得到的浮動(dòng)?xùn)艠O118大小不一，這會(huì)造成每一個(gè)快閃存儲(chǔ)單元間電性上的差異。
由于現(xiàn)有的浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法存在這么多的缺陷，因此，急需要一種新的浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法來解決現(xiàn)有的的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述關(guān)于堆棧閃存柵極的制造方法所存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一堆棧閃存柵極的制造方法。本發(fā)明所揭露的方法除了能夠提高控制柵極和浮動(dòng)?xùn)艠O間的耦合率之外，而且可以比現(xiàn)有的制造方法減少一道光刻工藝，從而降低制造的成本，而且可以避免現(xiàn)有工藝中產(chǎn)生誤對(duì)準(zhǔn)的情形，從而提高工藝的合格率。
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，浮動(dòng)?xùn)艠O的形成可以自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)淺槽隔離結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，可以有效的降低填溝工藝的外觀比值。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，可以降低穿遂氧化層的鳥嘴效應(yīng)。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，可以對(duì)淺槽的角進(jìn)行淺槽隔離圓角化工藝，而在后續(xù)的工藝中可以得到均勻的襯底氧化層。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，不需移除部分淺槽隔離結(jié)構(gòu)，因此可以避免后續(xù)工藝中浮動(dòng)?xùn)艠O大小不一的問題。
本發(fā)明的還有一目的在于提供一種閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，在工藝的過程中，可以利用多晶硅間隙壁(Poly Silicon Spacer)方法形成浮動(dòng)?xùn)艠O，以減少一道光刻工藝，可以降低制造成本。
本發(fā)明所提供的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，在一基底之上，依序形成第一氧化層及介電層，介電層可以為氮化硅層，圖案化氮化硅層并以圖案化氮化硅層為掩膜，蝕刻第一氧化層及基底以形成淺槽，淺槽可以定義出一主動(dòng)區(qū)。均向蝕刻圖案化氮化硅層以暴露出淺槽的角，再以一加熱工藝圓弧化淺槽的角，接著，在淺槽之內(nèi)形成組件隔離結(jié)構(gòu)，此一組件隔離結(jié)構(gòu)為一淺槽隔離結(jié)構(gòu)。其中，第一氧化層為一襯墊氧化層(Pad Oxide)。
移除圖案化氮化硅層和第一氧化層，再在主動(dòng)區(qū)之上形成一第二氧化層，其中，第二氧化層為一穿遂氧化層(Tunneling Oxide)。在第二氧化層之上形成第一導(dǎo)體層，并覆蓋淺槽隔離結(jié)構(gòu)，接著，以淺槽隔離結(jié)構(gòu)為拋光終止層，用化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化工藝使第一導(dǎo)體層與淺槽隔離結(jié)構(gòu)等高，再形成一第二導(dǎo)體層覆蓋該第一導(dǎo)體體層及這些組件隔離結(jié)構(gòu)。最后，以一光刻蝕刻工藝移除部分位于淺槽隔離結(jié)構(gòu)上的第二導(dǎo)體層至淺槽隔離結(jié)構(gòu)暴露出來為止。
在本發(fā)明所揭露的工藝中，可以有效的降低填溝工藝的外觀比值，可以降低穿遂氧化層的鳥嘴效應(yīng)，也可以對(duì)淺槽的角進(jìn)行淺槽隔離圓角化工藝，而在后續(xù)的工藝中可以得到均勻的襯底氧化層，增進(jìn)組件的可靠性。另外，本發(fā)明所提供的此一制造方法，不需移除部分淺槽隔離結(jié)構(gòu)，因此可以避免后續(xù)工藝中浮動(dòng)?xùn)艠O大小不一的問題。
本發(fā)明所提供的另一閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，依序形成第一氧化層及氮化硅層，圖案化氮化硅層并以圖案化氮化硅層為掩膜，蝕刻第一氧化層及基底以形成淺槽，淺槽可以定義出一主動(dòng)區(qū)。均向蝕刻圖案化氮化硅層以暴露出淺槽的角，再以一加熱工藝圓弧化淺槽的角，接著，在淺槽之內(nèi)形成淺槽隔離結(jié)構(gòu)。其中，第一氧化層為一襯墊氧化層。
移除圖案化氮化硅層和第一氧化層，再在主動(dòng)區(qū)之上形成一第二氧化層，其中，第二氧化層為一穿遂氧化層。在第二氧化層之上形成第一導(dǎo)體層，并覆蓋淺槽隔離結(jié)構(gòu)，接著，以淺槽隔離結(jié)構(gòu)為拋光終止層，用化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化工藝使第一導(dǎo)體層與淺槽隔離結(jié)構(gòu)等高。以一蝕刻工藝移除部分淺槽隔離結(jié)構(gòu)使所有淺槽隔離結(jié)構(gòu)的高度等高并高于第二氧化層。形成一第二導(dǎo)體層，第二導(dǎo)體層共型地覆蓋在第一導(dǎo)體層及淺槽隔離結(jié)構(gòu)之上，蝕刻第二導(dǎo)體層至淺槽隔離結(jié)構(gòu)暴露出來為止。
在本發(fā)明所揭露的此一工藝中，可以有效的降低填溝工藝的外觀比值，可以降低穿遂氧化層的鳥嘴效應(yīng)，也可以對(duì)淺槽的角進(jìn)行淺槽隔離圓角化工藝，而在后續(xù)的工藝中可以得到均勻的襯底氧化層而增進(jìn)組件的可靠性。另外，本發(fā)明所提供的此一制造方法，在工藝的過程中，可以用多晶硅間隙壁方式形成浮動(dòng)?xùn)艠O，從而減少一道光刻工藝，降低制造成本。
附圖簡(jiǎn)要說明下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
附圖中，圖1A至圖1E繪示現(xiàn)有的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法的工藝示意圖；圖2A至圖2E為根據(jù)本發(fā)明所揭露的第一較佳實(shí)施例的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法的工藝示意圖；以及圖2A至圖2D及圖2F至圖2H為根據(jù)本發(fā)明所揭露的第二較佳實(shí)施例的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法的工藝示意圖。
具體實(shí)施例方式
為了讓本發(fā)明所提供的堆棧閃存柵極的制造方法更加清楚起見，現(xiàn)提供一較佳實(shí)施例說明如下。
實(shí)施例1圖2A至圖2E為根據(jù)本發(fā)明所揭露的第一較佳實(shí)施例的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法的工藝示意圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D2A，在一基底200之上，依序形成第一氧化層202及氮化硅層204及圖案化光阻層206。圖案化光阻層206上的圖案為溝光阻開口208。形成第一氧化層202的方法可以為熱氧化法或化學(xué)氣相沉積法，形成氮化硅層204的方法可以為化學(xué)氣相沉積法，氮化硅層204的厚度介于約70納米至200納米之間。第一氧化層202為一襯墊氧化層，而氮化硅層204作為后續(xù)組件隔離結(jié)構(gòu)工藝中的掩膜層。
請(qǐng)參照?qǐng)D2B，圖案化氮化硅層204后移除光阻層，再以圖案化氮化硅層204為掩膜，蝕刻第一氧化層202及基底200以形成淺槽210，淺槽210可以定義出一主動(dòng)區(qū)209。形成淺槽210的蝕刻工藝為非均向蝕刻工藝。
請(qǐng)參照?qǐng)D2C，以濕式蝕刻回蝕并移除部分氮化硅層204形成氮化硅層204a，濕式蝕刻的方法包括一熱磷酸法，氮化硅層204被移除的厚度介于約5納米至30納米之間，以暴露出淺槽的角211。再以一加熱工藝圓弧化淺槽的角211，接著，在淺槽210之內(nèi)形成淺槽隔離結(jié)構(gòu)212。形成淺槽隔離結(jié)構(gòu)212的方法包括一化學(xué)氣相沉積工藝，沉積氧化硅填滿淺槽210并覆蓋在氮化硅層204之上，以氮化硅層204a為蝕刻終止層，以化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行一平坦化工藝使淺槽隔離結(jié)構(gòu)212與氮化硅層204a等高。
請(qǐng)參照?qǐng)D2D，移除氮化硅層204a及第一氧化層202而暴露出主動(dòng)區(qū)209表面。移除氮化硅層204a的方法可以為一熱磷酸法的濕式蝕刻或一非均向等離子體蝕刻，移除第一氧化層202的方法可以為一含氟的濕式蝕刻。接著，在主動(dòng)區(qū)209之上沉積一第二氧化層214，其中，第二氧化層為一穿遂氧化層，形成第二氧化層的方法包括一熱氧化法，其中，第二氧化層的厚度介于約2納米至15納米之間。接著，形成一第一多晶硅層覆蓋在第二氧化層214之上，并覆蓋在淺槽隔離結(jié)構(gòu)212之上，形成第一多晶硅層的方法包括一化學(xué)氣相沉積法。接著，以淺槽隔離結(jié)構(gòu)212為拋光終止層，用化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化工藝使第一多晶硅層與淺槽隔離結(jié)構(gòu)等高而形成第一浮動(dòng)?xùn)艠O216，其中，第一浮動(dòng)?xùn)艠O216的厚度介于約40納米至150納米之間。
請(qǐng)參照?qǐng)D2E，再形成一第二多晶硅層覆蓋在第一浮動(dòng)?xùn)艠O216及淺槽隔離結(jié)構(gòu)212之上，形成第二多晶硅層的方法包括一化學(xué)氣相沉積法，第二多晶硅層的厚度介于約50納米至200納米之間。最后，以一光刻蝕刻工藝移除部分位于淺槽隔離結(jié)構(gòu)上的第二多晶硅層至淺槽隔離結(jié)構(gòu)暴露出來為止，而形成第二浮動(dòng)?xùn)艠O218，第一浮動(dòng)?xùn)艠O216及第二浮動(dòng)?xùn)艠O218形成浮動(dòng)?xùn)艠O220。由于第一浮動(dòng)?xùn)艠O216與第二浮動(dòng)?xùn)艠O218為相同的多晶硅材料，所以兩浮動(dòng)?xùn)艠O間并無接面存在。
實(shí)施例2圖2A至圖2D及圖2F至圖2H為根據(jù)本發(fā)明所揭露的第二較佳實(shí)施例的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法的工藝示意圖。
圖2A至圖2D所揭露的結(jié)構(gòu)工藝如實(shí)施例1中所述。請(qǐng)參照?qǐng)D2F，移除部分淺槽隔離結(jié)構(gòu)212，使所有剩下的淺槽隔離結(jié)構(gòu)212a的高度等高并高于第二氧化層214，移除部分淺槽隔離結(jié)構(gòu)212包括一非均向回蝕工藝。
請(qǐng)參照?qǐng)D2G，形成共型的一第二多晶硅層222覆蓋在第一浮動(dòng)?xùn)艠O216及淺槽隔離結(jié)構(gòu)212a之上，形成第二多晶硅層的方法包括一化學(xué)氣相沉積法，第二多晶硅層的厚度介于約50納米至200納米之間。
請(qǐng)參照?qǐng)D2H，蝕刻第二多晶硅層222至淺槽隔離結(jié)構(gòu)212a暴露出來為止而形成浮動(dòng)?xùn)艠O224。蝕刻第二多晶硅層222的方法包括一具選擇性的反應(yīng)性離子蝕刻工藝。
在本發(fā)明實(shí)施例1中所揭露的工藝中，因?yàn)榈谝欢嗑Ч鑼有纬捎跍\槽隔離結(jié)構(gòu)形成之后，所以可以有效的降低填溝工藝的外觀比值。因?yàn)榇┧煅趸瘜有纬捎跍\槽隔離結(jié)構(gòu)形成之后，所以可以降低穿遂氧化層的鳥嘴效應(yīng)。也因?yàn)榇┧煅趸瘜蛹暗谝欢嗑Ч鑼有纬捎跍\槽隔離結(jié)構(gòu)形成之后，所以可以對(duì)淺槽的角進(jìn)行淺槽隔離圓角化工藝，而在后續(xù)的工藝中可以得到均勻的襯底氧化層而增進(jìn)組件的可靠性。另外，因?yàn)椴恍枰瞥糠譁\槽隔離結(jié)構(gòu)，因此可以避免后續(xù)工藝中浮動(dòng)?xùn)艠O大小不一的問題，而且能使浮動(dòng)?xùn)艠O自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)淺槽結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明所揭露實(shí)施例2中所揭露的工藝中，除了有效的降低填溝工藝的外觀比值、降低穿遂氧化層的鳥嘴效應(yīng)及可以對(duì)淺槽的角進(jìn)行淺槽隔離圓角化工藝之外，還可以用多晶硅間隙壁的方式形成浮動(dòng)?xùn)艠O，可以減少一道光刻工藝，降低制造成本。
由此可知，根據(jù)本發(fā)明所揭露的制造方法所制造的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O，確實(shí)可以有效的避免現(xiàn)有工藝的缺陷。
如熟悉此技術(shù)的人員所了解的，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用以限定本發(fā)明的權(quán)利要求；凡其它未脫離本發(fā)明所揭示的構(gòu)思下所完成的等效改動(dòng)或修飾，均應(yīng)包含在權(quán)利要求內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，在一基底之上形成浮動(dòng)?xùn)艠O，其特征在于，該方法包括依序在該基底之上形成一第一氧化層及一介電層；形成淺槽隔離結(jié)構(gòu)以定義出一主動(dòng)區(qū)；移除該第一氧化層及該介電層；在該主動(dòng)區(qū)之上形成一第二氧化層；在該第二氧化層之上形成一第一導(dǎo)體層并與這些淺槽隔離結(jié)構(gòu)等高；形成一第二導(dǎo)體層覆蓋該第一導(dǎo)體層及這些淺槽隔離結(jié)構(gòu)；以及以一光刻蝕刻工藝移除部分位于這些淺槽隔離結(jié)構(gòu)上的該第二導(dǎo)體層至這些淺槽隔離結(jié)構(gòu)暴露出來為止。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，其特征在于，形成該第一導(dǎo)體層及該第二導(dǎo)體層的材料可以為一多晶硅材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，其特征在于，該第一導(dǎo)體層的厚度介于約40納米至150納米之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，其特征在于，形成該介電層的材料可以為一氮化硅材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，其特征在于，該介電層的厚度介于約70納米至200納米之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，其特征在于，該第二氧化層的厚度介于約2納米至15納米之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，其特征在于，在形成這些淺槽隔離結(jié)構(gòu)之前，還包括圖案化該氮化硅層并以該圖案化氮化硅層為掩膜，蝕刻該第一氧化層及該基底以形成淺槽；均向蝕刻該圖案化氮化硅層以暴露出這些淺槽的角；以及以一加熱工藝圓弧化這些角。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，其特征在于，該均向回蝕所移除該介電層的厚度介于約5納米至30納米之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，其特征在于，該均向回蝕為一濕式蝕刻。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，其特征在于，該第二導(dǎo)體層的厚度介于約50納米至200納米之間。
11.一種閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，在一基底之上形成浮動(dòng)?xùn)艠O，其特征在于，該方法包括依序在該基底之上形成一第一氧化層及一介電層；形成組件隔離結(jié)構(gòu)以定義出一主動(dòng)區(qū)；移除該第一氧化層及該介電層；在該主動(dòng)區(qū)之上形成一第二氧化層；在該第二氧化層之上形成一第一導(dǎo)體層并與這些組件隔離結(jié)構(gòu)等高；移除部分這些組件隔離結(jié)構(gòu)，剩下的該組件隔離結(jié)構(gòu)仍高于該第二氧化層；形成一第二導(dǎo)體層覆蓋該第一導(dǎo)體層及這些組件隔離結(jié)構(gòu)；以及蝕刻該第二導(dǎo)體層至這些組件隔離結(jié)構(gòu)暴露出來為止。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，其特征在于，形成該第一導(dǎo)體層及該第二導(dǎo)體層的材料可以為一多晶硅材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，其特征在于，該第一導(dǎo)體層的厚度介于約40納米至150納米之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，其特征在于，形成該介電層的材料可以為一氮化硅材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，其特征在于，該介電層的厚度介于約70納米至200納米之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，其特征在于，該第二氧化層的厚度介于約2納米至15納米之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，其特征在于，在形成這些組件隔離結(jié)構(gòu)之前，還包括圖案化該氮化硅層并以該圖案化氮化硅層為掩膜，蝕刻該第一氧化層及該基底以形成淺槽；均向蝕刻該圖案化氮化硅層以暴露出這些淺槽的角；以及以一加熱工藝圓弧化這些角。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，其特征在于，該均向回蝕所移除該介電層的厚度介于約5納米至30納米之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，其特征在于，該均向回蝕為一濕式蝕刻。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，其特征在于，該第二導(dǎo)體層的厚度介于約50納米至200納米之間。
全文摘要
一種閃存浮動(dòng)?xùn)艠O的制造方法，先在提供的基底之上依序形成襯墊氧化層及氮化硅層。接著，在基底內(nèi)形成數(shù)個(gè)淺槽，以均向回蝕縮小氮化硅層并對(duì)淺槽的角進(jìn)行圓角化工藝，再沉積氧化硅材料填滿淺槽以形成淺槽隔離結(jié)構(gòu)，其中兩兩淺槽隔離結(jié)構(gòu)之間定義出主動(dòng)區(qū)。移除襯墊氧化層及氮化硅層，在主動(dòng)區(qū)之上形成穿遂氧化層及第一多晶硅層，并且第一多晶硅層與淺槽隔離結(jié)構(gòu)等高。在第一多晶硅層與淺槽隔離結(jié)構(gòu)之上形成第二多晶硅層，移除部分位于淺槽隔離結(jié)構(gòu)上的第二多晶硅層而定義出浮動(dòng)?xùn)艠O。
文檔編號(hào)H01L21/28GK1532893SQ0310767
公開日2004年9月29日 申請(qǐng)日期2003年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月18日
發(fā)明者謝文貴 申請(qǐng)人:華邦電子股份有限公司