技術(shù)編號：7002177
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及到一種半導(dǎo)體的制造方法，特別涉及到一種。背景技術(shù) 近年來，高密度閃在許多領(lǐng)域上的應(yīng)用已受到很大的關(guān)注，其中一個原因是存儲單元尺寸的縮小可大幅降低制造成本。然而，現(xiàn)有的利用區(qū)域氧化法(LOCOS)隔離技術(shù)所制造的閃存，其存儲單元尺寸常由于隔離結(jié)構(gòu)的限制，難以縮小。另一種常見的隔離技術(shù)，也就是淺槽隔離(Shallow Trench Isolation；STI)技術(shù)，也常應(yīng)用于閃存的制造，因為其所制造出的存儲單元具有最小尺寸(Minimized Siz...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。