專(zhuān)利名稱(chēng)：Ic塊圖形的方法、由此形成的ic以及分析方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及用于集成電路的填充塊圖形(fill tiling pattern)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有集成電路(IC)制造技術(shù)受益于在層中布線(xiàn)或?qū)w的均勻密度。例如，需要均勻密度以防止在化學(xué)機(jī)械拋光期間在平面上的不同量的磨損。為了提供均勻密度，現(xiàn)已經(jīng)發(fā)展了用于填充空空間的多種技術(shù)。
在平面內(nèi)提供均勻密度的布線(xiàn)的一個(gè)挑戰(zhàn)是解決填充塊圖形對(duì)于電性能的影響，即，填充塊用作在鄰近布線(xiàn)上的邊緣電容。特別地，填充塊為電路的電分析增加了難度，因?yàn)槊總€(gè)形狀代表通過(guò)電容耦合到布線(xiàn)的浮置導(dǎo)體。結(jié)果，填充塊改變了在電路的連接導(dǎo)線(xiàn)之間的總電容，并改變了電分析結(jié)果。通常，通過(guò)預(yù)測(cè)填充塊相對(duì)于所有的電顯著形狀的電影響來(lái)解決填充塊圖形。通過(guò)算術(shù)地去除解決填充塊的影響，能夠在連接電路之間建立新電容并適應(yīng)修改后的表達(dá)。一種用于預(yù)測(cè)填充塊影響的常規(guī)技術(shù)是在填充塊圖形創(chuàng)造程序的預(yù)定行為的基礎(chǔ)上假定在形狀周?chē)哂芯鶆虻奶畛鋲K環(huán)境。使用該技術(shù)，因?yàn)榕c實(shí)際明顯地添加填充塊到布圖相比，它考慮了填充塊圖形而不需要增加分析布圖所需的計(jì)算資源的數(shù)量。
過(guò)去，由于布線(xiàn)和填充塊的正交特性，該均勻的填充塊圖形假設(shè)產(chǎn)生了可接受的結(jié)果。即大部分布線(xiàn)具有正交布圖(即布線(xiàn)以直角相交)，以及填充塊與布線(xiàn)平行取向。然而，在工藝技術(shù)中的進(jìn)步現(xiàn)在使得混合非正交和正交的布線(xiàn)圖形成為可能。不幸的是，提供具有正交填充塊圖形的混合正交和非正交的布線(xiàn)使得填充塊環(huán)境非均勻。因此，關(guān)于對(duì)于填充塊圖形的電性能的影響的一致假設(shè)已不再可能。為了說(shuō)明，圖1示出了包括全部正交和非正交布線(xiàn)和正交填充塊圖形的IC。在這種情況下，因?yàn)椴季€(xiàn)和填充塊的正交特性，能在大部分IC上假定分析均勻環(huán)境。然而，因?yàn)閺姆钦?對(duì)角的)布線(xiàn)的塊圖形的距離沿著布線(xiàn)長(zhǎng)度而變化，為了做出正確的假設(shè)必須知道許多用于每個(gè)非正交布線(xiàn)段的附加參數(shù)。例如，必需確切知道用于非正交布線(xiàn)的每個(gè)段的精確長(zhǎng)度、相應(yīng)的周期和填充的角度以及對(duì)電學(xué)性能的影響。考慮到所有的這些參數(shù)使得分析正交填充塊對(duì)鄰近非正交布線(xiàn)的影響變得不可行。
考慮到前述內(nèi)容，在本領(lǐng)域中需要用于對(duì)于具有混合正交和非正交電結(jié)構(gòu)的集成電路提供基本均勻密度的方法，由此形成的IC以及與其結(jié)合的電分析的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及布線(xiàn)圖形的填充塊。本發(fā)明通過(guò)在成任意或非正交角度的IC的部分之間提供基本均勻塊密度，提供了一種用于提供在IC層上具有基本均勻?qū)w密度的集成電路的方法以及一種在IC層上具有基本均勻?qū)w密度的集成電路。特別地，本發(fā)明提供了基本平行于電結(jié)構(gòu)而不論結(jié)構(gòu)的角度取向的塊圖形。本發(fā)明還提供了在此基礎(chǔ)上的電分析的方法及相關(guān)的程序產(chǎn)品。
本發(fā)明的前述和其它方面將從下面的本發(fā)明實(shí)施例的更加詳細(xì)的描述變得清楚。


參考下面的附圖，將詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中相同的標(biāo)號(hào)表示相同的部分，其中圖1示出了在混合正交和非正交布線(xiàn)段之間具有正交填充塊圖形的現(xiàn)有技術(shù)的集成電路的層；圖2示出了包括用于分塊(tiling)的開(kāi)口區(qū)域的集成電路的層；圖3示出了用于提供用于圖2的IC的基本均勻密度的方法的流程圖；
圖4示出了包括用于與開(kāi)口區(qū)域比較的取向區(qū)域的圖3的層；圖5示出了包括取向塊區(qū)域的圖3的層；圖6示出了包括取向與鄰近布線(xiàn)段的取向基本匹配的填充塊圖形的圖3的層。
具體實(shí)施例方式
參考附圖，圖2示出了除了其它部分之外包括許多電敏感部分8的集成電路(IC)6的層。關(guān)于“敏感”意為這些部分容易受到能改變它們的電學(xué)性能的環(huán)境影響。在下文中，電敏感部分8將被描述為布線(xiàn)段10、12、14、16。然而，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到部分8可以是IC 6的電敏感的任何結(jié)構(gòu)，例如電阻、阱、電源總線(xiàn)段、屏蔽結(jié)構(gòu)、接地平面、波導(dǎo)等。在一個(gè)實(shí)施例中，由于布線(xiàn)段10、12、14相對(duì)于彼此和/或IC 6的其它結(jié)構(gòu)(例如“頂”表面18)的關(guān)系，可以認(rèn)為布線(xiàn)段10、12、14是正交的，以及由于段16與段10、12、14或IC 6的其它結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系，可以認(rèn)為段16是非正交的。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到當(dāng)說(shuō)明具體結(jié)構(gòu)(即布線(xiàn))圖形時(shí)，本發(fā)明對(duì)于其中段相對(duì)于彼此或其它IC結(jié)構(gòu)成非正交(或任意)角度的具體任何結(jié)構(gòu)圖形(電部分布圖)都是可以使用的。
通過(guò)在部分8之間提供基本均勻的塊密度，本發(fā)明在IC層上提供了基本均勻的導(dǎo)體密度。利用填充塊形狀使塊密度均勻，該填充塊形狀被旋轉(zhuǎn)以與部分的取向基本匹配。結(jié)果，本發(fā)明在IC層上提供了基本均勻的導(dǎo)體密度。如這里所使用，“填充塊”或僅僅“塊”是指這樣的導(dǎo)電形狀，該導(dǎo)電形狀被添加到不包括其它結(jié)構(gòu)如布線(xiàn)的IC區(qū)域，以便提供用于所述區(qū)域的基本均勻的決密度。如本領(lǐng)域所公知，可以重復(fù)填充塊以形成圖形以便在更寬的區(qū)域上提供基本均勻的塊密度。如這里所使用，“基本均勻密度”是指代均勻或幾乎均勻(塊或?qū)w)密度，以致于所述密度在某些用戶(hù)定義的預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，其可以例如根據(jù)技術(shù)而改變。
圖3示出了用于為IC 6(圖2)提供基本均勻密度的方法的流程圖，其中IC包括具有第一取向的布線(xiàn)段10、12、14和具有相對(duì)于至少其它結(jié)構(gòu)10、12、14成非正交角度的第二取向的布線(xiàn)段16。由于結(jié)構(gòu)相對(duì)于彼此和IC 6的其它結(jié)構(gòu)的正交關(guān)系，第一取向通常稱(chēng)為正交。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到該方法只是分析方法，而不是實(shí)際結(jié)構(gòu)。
步驟S1到S4結(jié)合表示確定取向塊區(qū)域(在下文中定義的)的步驟，其中平行于第一電結(jié)構(gòu)(布線(xiàn)段10、12、14(圖2))取向的分塊導(dǎo)致對(duì)第二電結(jié)構(gòu)(布線(xiàn)段16)的電性能產(chǎn)生非均勻的影響。
在第一步驟S1中，計(jì)算有效電屏蔽距離(EESD)。EESD是一個(gè)距離，在該距離之外塊22(圖2)的存在不會(huì)顯著影響鄰近布線(xiàn)段10、12、14、16的電性能。在一個(gè)實(shí)施例中，這樣提供該步驟，通過(guò)使用傳統(tǒng)電學(xué)電路分析工具如可以從例如SYNOPSYS得到的場(chǎng)計(jì)算裝置，重復(fù)分析布線(xiàn)幾何結(jié)構(gòu)的小子集(例如特殊技術(shù))。在每個(gè)分析周期中，將塊22(圖2)添加在遠(yuǎn)離布線(xiàn)段延伸并沿著布線(xiàn)段的方向取向的線(xiàn)上，并且完成分析以確定其對(duì)布線(xiàn)段的電學(xué)性能的影響(例如由塊產(chǎn)生的邊緣電容的量)。將添加的每個(gè)新塊22設(shè)置在從鄰近塊的下一個(gè)合適距離處，并沿著相應(yīng)的布線(xiàn)段取向。在某些方面，由電分析確定的附加的塊22不會(huì)顯著影響布線(xiàn)段的電性能。從布線(xiàn)到放置的最后一塊的最外邊緣的距離即為EESD。觸發(fā)EESD指令所須的實(shí)際影響閾值可以是用戶(hù)定義的，并且可以根據(jù)例如技術(shù)、工藝、設(shè)計(jì)規(guī)則、級(jí)間間隔和線(xiàn)寬等而改變。
對(duì)于下面的參考，每個(gè)布線(xiàn)段10、12、14、16也可以包括“塊后退距離(tile setback distance)”(TSD)(圖2)，其中由于如光刻的制造限制，沒(méi)有提供塊。
然后，在步驟S2中，使用常規(guī)程序確定需要塊22的IC 6的至少一個(gè)開(kāi)口區(qū)域20(圖2)。在一個(gè)實(shí)施例中，可以通過(guò)簡(jiǎn)單的直線(xiàn)幾何結(jié)構(gòu)技術(shù)確定區(qū)域20。
在步驟S3中，在EESD和第二電結(jié)構(gòu)的TSD之間定義鄰近第二電結(jié)構(gòu)16的至少一個(gè)取向區(qū)域24(圖4)。每個(gè)取向區(qū)域24表示需要不同于默認(rèn)塊圖形取向的塊的區(qū)域?！澳J(rèn)塊圖形”是在層上最普遍的塊圖形。在所示的實(shí)施例中，默認(rèn)塊圖形是平行于電結(jié)構(gòu)10、12、14等即正交結(jié)構(gòu)取向的圖形。為了確定哪些布線(xiàn)段需要取向區(qū)域，該步驟可以包括根據(jù)取向的布線(xiàn)段10、12、14，16的預(yù)先分類(lèi)。相對(duì)于其它布線(xiàn)段10、12、14，16成角度的那些布線(xiàn)段16將對(duì)電性能產(chǎn)生非均勻影響，因?yàn)槟J(rèn)塊圖形與其不是平行的。用戶(hù)可以定義用于分類(lèi)的根據(jù)。在所示的實(shí)施例中，布線(xiàn)段可以根據(jù)它們通常相對(duì)于IC 6的其它布線(xiàn)段是否正交或非正交來(lái)分類(lèi)。在這種情況下，如上所述的布線(xiàn)段10、12、14將會(huì)表示成正交，而布線(xiàn)段16將會(huì)表示成非正交。進(jìn)一步，在這個(gè)實(shí)施例中，默認(rèn)塊圖形會(huì)是平行于布線(xiàn)段10、12、14取向的圖形。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到可以使用有利的分類(lèi)取向的任何機(jī)制。例如，取向可以由相對(duì)于IC 6的“頂”表面18或其它結(jié)構(gòu)的角度表示。進(jìn)一步，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到可以使用許多取向標(biāo)簽。例如，布線(xiàn)段10、12、14可以進(jìn)一步分類(lèi)為“垂直”或“水平”。一旦完成了任何分類(lèi)，就確定了取向區(qū)域24。在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)于每個(gè)相對(duì)于其它布線(xiàn)段10、12、14或IC 6的其它結(jié)構(gòu)成角度的布線(xiàn)段16，通過(guò)從EESD減去TSD來(lái)進(jìn)行該確定。
然后，在步驟S4中，如圖5所示，用如在步驟S2中確定的任何開(kāi)口區(qū)域20覆蓋任何取向區(qū)域24以確定取向塊區(qū)域26(陰影)?！叭∠驂K區(qū)域”26是將要鋪設(shè)取向塊的那些區(qū)域，所述取向塊即是以與默認(rèn)塊圖形的角度不同的角度設(shè)置的塊。在取向區(qū)域24與開(kāi)口區(qū)域20重疊的地方存在取向塊區(qū)域26。
在步驟S5中，將適當(dāng)取向的塊34，即取向塊圖形施加到如圖6所示的取向塊區(qū)域26中。塊34的尺寸和取向在取向塊區(qū)域26中保持不變。
在步驟S6中，確定接收默認(rèn)塊圖形的默認(rèn)塊區(qū)域28(圖6)。默認(rèn)塊區(qū)域28是不包括取向塊區(qū)域26但在開(kāi)口區(qū)域20內(nèi)的區(qū)域。在一個(gè)實(shí)施例中，默認(rèn)塊區(qū)域28的確定是通過(guò)從開(kāi)口區(qū)域20中減去取向區(qū)域26而形成。
最后，在步驟S7中，利用默認(rèn)塊32即默認(rèn)塊圖形填充默認(rèn)塊區(qū)域28。塊的尺寸和取向在默認(rèn)塊區(qū)域28內(nèi)保持不變。
繼續(xù)參考圖6，在不同的塊圖形之間的晶體管可以以許多方式處理。首先，在布線(xiàn)段之間的銳角40中，可以省略在銳角內(nèi)的一個(gè)塊圖形的至少一個(gè)塊。例如，可以省略塊32、34用于充分的區(qū)域40以最小化(即除去或顯著減小)它們對(duì)電性能的影響。例如，這可以通過(guò)省略最靠近它們各自的布線(xiàn)段的塊32、34來(lái)實(shí)現(xiàn)，因?yàn)樗鼈儺a(chǎn)生最大的邊緣電容。如果兩個(gè)或更多形狀與它們各自的布線(xiàn)段等距離，可以任意選擇一個(gè)塊而省略其它塊。由該適應(yīng)(accommodation)引起的許多殘留誤差可以在電分析期間考慮。其次，遠(yuǎn)離布線(xiàn)段10、12、14、16，可以在均勻塊圖形之間任意引入接縫(seam)42。結(jié)果是，角落附近的塊圖形在提取(extraction)期間被作為特殊情況處理，或接縫遠(yuǎn)離布線(xiàn)段10、12、14、16。
由于上述適應(yīng)的效果在EESD的外部，顯然僅僅影響到垂直電容，即在IC層之間的并在它們之間具有開(kāi)口金屬層的那些電容。這與從第一到第三層受到第二層上的填充影響的電容類(lèi)似。然而，實(shí)際上，填充塊的特殊結(jié)構(gòu)對(duì)于垂直電容的影響很小。由于塊的尺寸并沒(méi)有改變，只有塊的密度變化存在影響。塊的有效尺寸由于在塊的側(cè)面中的邊緣電容而顯著增大。有效密度的變化是非常小的，因?yàn)閱蝹€(gè)塊的去除僅僅在塊的有效密度上產(chǎn)生了非常小的變化。
應(yīng)該認(rèn)識(shí)到上述本發(fā)明的技術(shù)對(duì)于IC 6的每層都可以重復(fù)。另外，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到本發(fā)明的技術(shù)能應(yīng)用到結(jié)構(gòu)的任何取向。
如圖6所示，所得的IC 6包括至少一層，該層具有相對(duì)于第二電結(jié)構(gòu)16成非正交角度的第一電結(jié)構(gòu)10、12或14并在該層上具有基本均勻密度?；揪鶆蛎芏韧ㄟ^(guò)使第一塊圖形32基本平行于第一電結(jié)構(gòu)(即布線(xiàn)段10、12、14)取向并使第二塊圖形34基本平行于第二電結(jié)構(gòu)16取向來(lái)提供。如這里所使用，“基本平行”意為平行或幾乎平行。
本發(fā)明還包括集成電路6的電分析(提取)的方法，該集成電路6具有基于上述方法提供的層，該層包括相對(duì)于第二電結(jié)構(gòu)16成非正交角度的第一電結(jié)構(gòu)10、12、14。特別地，上述方法用于確定如下塊圖形的電影響即對(duì)于電性能的影響，在上述結(jié)構(gòu)上基本平行于第一電結(jié)構(gòu)10、12、14取向的塊圖形，以及在上述結(jié)構(gòu)上基本平行于第二電結(jié)構(gòu)16取向的塊圖形。基于這些電影響確定而進(jìn)行的電分析導(dǎo)致了更加精確的分析。更加精確的分析用于評(píng)價(jià)在IC層上更加均勻的密度以及相應(yīng)的性能改善。電分析還可以包括提供基本均勻密度的上述方法。
在前面的討論中，將會(huì)理解可以通過(guò)處理器例如計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的CPU執(zhí)行存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的程序產(chǎn)品的指令來(lái)進(jìn)行所討論的方法步驟。應(yīng)該理解可以在硬件、軟件或者軟件和硬件的組合中實(shí)現(xiàn)這里所述的各種器件、模塊、機(jī)構(gòu)和系統(tǒng)，并可以不同于所示的來(lái)劃分。它們可以通過(guò)任何類(lèi)型的計(jì)算系統(tǒng)或其它適于執(zhí)行這里所述方法的裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)。硬件和軟件的典型組合可以是具有計(jì)算機(jī)程序的常規(guī)目的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，當(dāng)加載和執(zhí)行時(shí)，控制計(jì)算機(jī)系統(tǒng)以使它執(zhí)行在此所述的方法?？蛇x的，可以使用特殊用途的計(jì)算機(jī)，其包含用于執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)本發(fā)明的功能任務(wù)的硬件。本發(fā)明也可以嵌入到計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品中，其包括能夠?qū)崿F(xiàn)這里描述的方法和功能的所有特征，并且其在加載到計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中時(shí)能執(zhí)行這些方法和功能。計(jì)算機(jī)程序、軟件程序、程序、程序產(chǎn)品或軟件，在本文中意為以任何語(yǔ)言、代碼或符號(hào)的一組指令的表達(dá)式，該指令旨在引起具有信息處理能力的系統(tǒng)以直接或者在下列步驟之后執(zhí)行特殊功能，該步驟為(a)轉(zhuǎn)換成別的語(yǔ)言、代碼或符號(hào)；和/或(b)以不同的材料形式復(fù)制。
雖然本發(fā)明已經(jīng)結(jié)合上述特定實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是許多替換、修改和變化對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。因此，上述本發(fā)明的實(shí)施例旨在說(shuō)明而不是限制。只要不脫離在下面權(quán)利要求書(shū)中限定的本發(fā)明的精神和范圍，可以進(jìn)行各種改變。
工業(yè)適用性本發(fā)明適用于在具有相對(duì)于其它電結(jié)構(gòu)存在角度的電結(jié)構(gòu)的集成電路的層中提供基本均勻密度。
權(quán)利要求
1.一種集成電路(6)(IC)，包括至少一層，該層具有相對(duì)于第二電結(jié)構(gòu)(16)成非正交角度的第一電結(jié)構(gòu)(10、12、14)，該IC包括基本平行于所述第一電結(jié)構(gòu)取向的第一塊圖形(32)；以及基本平行于所述第二電結(jié)構(gòu)取向的第二塊圖形(34)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的IC，其中相對(duì)于所述IC的其它結(jié)構(gòu)(18)正交地提供所述第一電結(jié)構(gòu)(10、12、14)，以及相對(duì)于所述IC的其它結(jié)構(gòu)非正交地提供所述第二電結(jié)構(gòu)(16)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的IC，其中與所述第一和第二電結(jié)構(gòu)(10、12、14；16)結(jié)合的所述第一和第二塊圖形(32，34)提供在所述IC的各個(gè)層上的基本均勻密度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的IC，其中每個(gè)塊圖形(32，34)的尺寸和取向在各自的塊區(qū)域內(nèi)不變。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的IC，其中所述電結(jié)構(gòu)(10、12、14、16)是布線(xiàn)段。
6.一種用于為集成電路(6)(IC)的層提供基本均勻密度的方法，其中該層包括相對(duì)于第二電結(jié)構(gòu)(16)成非正交角度的第一電結(jié)構(gòu)(10、12、14)，該方法包括以下步驟確定取向塊區(qū)域(26)，其中基本平行于所述第一電結(jié)構(gòu)取向的分塊引起對(duì)所述第二電結(jié)構(gòu)的電性能的非均勻影響；以及利用基本平行于所述第二電結(jié)構(gòu)取向的塊圖形(34)填充所述取向塊區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中所述確定步驟包括計(jì)算有效電屏蔽距離(EESD)，在該距離之外塊(34)的存在不會(huì)顯著影響鄰近電結(jié)構(gòu)(16)的電性能；找出需要分塊的至少一個(gè)開(kāi)口區(qū)域(20)；定義鄰近所述第二電結(jié)構(gòu)、并在所述EESD和從所述第二電結(jié)構(gòu)的塊后退距離(TSD)之間的至少一個(gè)取向區(qū)域(24)；以及通過(guò)確定與所述至少一個(gè)開(kāi)口區(qū)域重疊的取向區(qū)域來(lái)確定所述取向塊區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，還包括這樣的步驟，確定至少一個(gè)默認(rèn)塊區(qū)域(28)以接收基本平行于所述第一電結(jié)構(gòu)(10、12、14)取向的塊圖形(32)，并利用基本平行于所述第一電結(jié)構(gòu)的塊圖形來(lái)填充所述至少一個(gè)默認(rèn)塊區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，還包括這樣的步驟，選擇性地省略塊圖形(32，34)的至少一塊，所述塊圖形鄰近另一個(gè)塊圖形并位于鄰近電結(jié)構(gòu)的銳角(40)內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，還包括這樣的步驟，在遠(yuǎn)離所述電結(jié)構(gòu)(10、12、14、16)的區(qū)域中的鄰近塊圖形之間提供接縫(42)。
11.一種集成電路(6)(IC)的電分析的方法，該集成電路具有包括相對(duì)于第二電結(jié)構(gòu)(16)成非正交角度的第一電結(jié)構(gòu)(10、12、14)的層，該方法包括以下步驟確定基本平行于所述第一電結(jié)構(gòu)取向的塊圖形(32)對(duì)所述第一電結(jié)構(gòu)的電影響；確定基本平行于所述第二電結(jié)構(gòu)取向的塊圖形(34)對(duì)所述第二電結(jié)構(gòu)的電影響；以及基于所確定的電影響進(jìn)行電分析。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中所述確定步驟包括確定取向塊區(qū)域(26)，其中基本平行于所述第一電結(jié)構(gòu)(10、12、14)取向的分塊引起對(duì)所述第二電結(jié)構(gòu)的電性能的非均勻影響；以及利用基本平行于所述第二電結(jié)構(gòu)(16)取向的塊圖形(34)填充所述取向塊區(qū)域。
13.一種集成電路(6)(IC)，包括至少一層，該層具有相對(duì)于第二電結(jié)構(gòu)(16)成非正交角度的第一電結(jié)構(gòu)(10、12、14)，該IC包括在所述層上的基本均勻密度。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的IC，其中通過(guò)使第一塊圖形(32)平行于所述第一電結(jié)構(gòu)(10、12、14)取向并使第二塊圖形(34)平行于所述第二電結(jié)構(gòu)(16)取向，來(lái)形成在所述層上的基本均勻密度。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的IC，其中相對(duì)于所述IC的其它結(jié)構(gòu)(18)正交地提供所述第一電結(jié)構(gòu)(10、12、14)，并相對(duì)于所述IC的其它結(jié)構(gòu)非正交地提供所述第二電結(jié)構(gòu)。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的IC，其中每個(gè)塊圖形(32，34)的尺寸和取向在各自的塊區(qū)域中不變。
17.根據(jù)權(quán)利要求13的IC，其中所述電結(jié)構(gòu)是布線(xiàn)段。
18.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)，所述介質(zhì)具有在其中體現(xiàn)的用于為集成電路的層提供基本均勻密度的計(jì)算機(jī)可讀程序代碼，其中所述層包括相對(duì)于第二電結(jié)構(gòu)(16)成非正交角度的第一電結(jié)構(gòu)(10、12、14)，該程序產(chǎn)品包括配置以確定取向塊區(qū)域(26)的程序代碼，其中基本平行于所述第一電結(jié)構(gòu)(10、12、14)取向的分塊(32)引起對(duì)所述第二電結(jié)構(gòu)(16)的非均勻影響；以及配置以利用基本平行于所述第二電結(jié)構(gòu)取向的塊圖形(34)填充所述取向塊區(qū)域(26)的程序代碼。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的程序產(chǎn)品，其中所述確定程序代碼包括配置以計(jì)算有效電屏蔽距離(EESD)的程序代碼，在該距離之外塊的存在不會(huì)顯著影響鄰近電結(jié)構(gòu)的電性能；配置以找出需要分塊的至少一個(gè)開(kāi)口區(qū)域(20)的程序代碼；配置以定義鄰近所述第二電結(jié)構(gòu)、在所述EESD和從所述第二電結(jié)構(gòu)(16)的塊后退距離(TSD)之間的至少一個(gè)取向區(qū)域(24)的程序代碼；以及配置以通過(guò)確定與所述至少一個(gè)開(kāi)口區(qū)域重疊的取向區(qū)域來(lái)確定所述取向塊區(qū)域(26)的程序代碼。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的程序產(chǎn)品，其中所述確定程序代碼包括配置以確定至少一個(gè)默認(rèn)塊區(qū)域(28)以接收基本平行于所述第一電結(jié)構(gòu)(10、12、14)取向的塊圖形(32)的程序代碼，以及配置以利用基本平行于所述第一電結(jié)構(gòu)取向的塊圖形填充所述至少一個(gè)默認(rèn)塊區(qū)域的程序代碼。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于提供在成非正交角度的集成電路的各部分(10、12、14和16)之間具有基本均勻密度的集成電路(6)的方法。特別地，本發(fā)明提供了取向基本平行于電結(jié)構(gòu)而不論它們的角度的填充塊圖形(3 2，34)。本發(fā)明還提供了在此基礎(chǔ)上的電分析的方法及相關(guān)的程序產(chǎn)品。
文檔編號(hào)H01L23/535GK1714446SQ02830041
公開(kāi)日2005年12月28日 申請(qǐng)日期2002年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月20日
發(fā)明者R·J·愛(ài)倫, J·M·科恩, P·A·哈比茲, W·萊波爾德, I·文波爾, P·S·祖霍斯基 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司