專利名稱：具角度的旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥模組與其制造及實施方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶片制備，特別是關(guān)于利用空間及處理效率高的旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥(SRD)模組以進(jìn)行半導(dǎo)體基板的清潔及干燥。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置的制造中執(zhí)行晶片制備及清潔操作。在基板制備期間的一反復(fù)重覆的常見晶片制備操作是使用旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥(SRD)模組以進(jìn)行旋轉(zhuǎn)清洗及干燥操作。典型地，在安裝于SRD箱上的碗狀部中執(zhí)行旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥操作，而其依序固定至轉(zhuǎn)軸。典型地，馬達(dá)將使轉(zhuǎn)軸、安裝在轉(zhuǎn)軸上的夾頭、及藉由裝設(shè)至夾頭的轉(zhuǎn)軸指部而夾持的晶片旋轉(zhuǎn)。通常，為了接收待制備的晶片，轉(zhuǎn)軸指部是在碗狀部之內(nèi)向上移動，從而能使其延伸至碗狀部之外及晶片處理平面之上。此時，末端執(zhí)行器是輸送待處理的晶片至轉(zhuǎn)軸指部。在接收晶片之后，轉(zhuǎn)軸指部及裝設(shè)在其上的晶片向下移回并進(jìn)入碗狀部中，因而將晶片放置在晶片處理平面的高度。
通常，當(dāng)以每分鐘高轉(zhuǎn)數(shù)(RPM)旋轉(zhuǎn)晶片時，即經(jīng)由栓部而施加去離子(DI)水至晶片表面之上，藉以清洗晶片。一旦沖洗操作已結(jié)束時，即關(guān)閉栓部而停止DI水的供應(yīng)，并接著以高轉(zhuǎn)速繼續(xù)旋轉(zhuǎn)晶片，藉以干燥晶片。一旦已完成干燥操作而達(dá)一第二時間，則將夾頭、轉(zhuǎn)軸指部、及晶片移出碗狀部并位在晶片處理平面的上方。于此時，末端執(zhí)行器即到達(dá)并將晶片從SRD模組中移除。
然而，有數(shù)種限制與習(xí)用SRD模組有關(guān)。主要地，在典型的SRD模組中，是在水平方位上處理晶片。因此，為了達(dá)成晶片表面無污染物，則必須以極高RPM旋轉(zhuǎn)晶片達(dá)一極長的時間，因而增加每一晶片的旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥周期。故可清楚理解，此減少SRD模組的整體產(chǎn)能。
第二限制為SRD模組之內(nèi)的極重與極大的夾頭組件的配置以及驅(qū)動夾頭組件所需的極大馬達(dá)。第三限制為使用足以容納高旋轉(zhuǎn)晶片達(dá)一極長時間所產(chǎn)生的多重作用力所需的龐大支撐架構(gòu)。由于這些限制的組合效應(yīng)，故習(xí)用SRD模組將具有極大的架構(gòu)及支撐架構(gòu)，因而不必要地占用極高價的清凈室空間。
此外，除了不必要地占用高價的空間之外，夾頭組件具有極復(fù)雜的設(shè)計。例如，設(shè)計夾頭組件，使其能在碗狀部的內(nèi)旋轉(zhuǎn)并上下移動，從而能接收或輸送晶片。因此，夾頭組件在碗狀部之內(nèi)的移動是使夾頭必須維持適當(dāng)?shù)男?zhǔn)，從而能使其在精確的處理高度保持靜止。而在夾頭并非適當(dāng)對齊的情況下，則必須重新對齊夾頭組件。此處理是極耗時且費(fèi)力，及SRD模組必須離線而導(dǎo)致時間的延長，因而減少產(chǎn)能。
此外，經(jīng)常需要重新對齊時，夾頭組件將執(zhí)行將晶片載入至轉(zhuǎn)軸指部及從轉(zhuǎn)軸指部卸載晶片的不必要移動。藉由例子說明，在習(xí)用SRD模組中，將晶片載入至轉(zhuǎn)軸指部之上是涉及四個階段。首先，為了接收晶片，故將夾頭及轉(zhuǎn)軸移出碗狀部之外，從而能使轉(zhuǎn)軸定位在晶片處理平面上方。因此，為了將未處理的晶片輸送至轉(zhuǎn)軸指部的邊緣，載持晶片的末端執(zhí)行器是首先在(已位在上位置的)轉(zhuǎn)軸指部水平面以上一高度處水平地在碗狀部上方移動。之后，末端執(zhí)行器必須向下移動(雖然在碗狀部上方)，直到晶片到達(dá)轉(zhuǎn)軸指的高度能使轉(zhuǎn)軸指部嚙合晶片的地方，一旦轉(zhuǎn)軸指部嚙合晶片，末端執(zhí)行器即松開晶片并因而實際輸送未處理的晶片至轉(zhuǎn)軸指部。最后，為了拔出，必須使末端執(zhí)行器略為向下移動，并在水平地離開碗狀部上方之前離開晶片。以末端執(zhí)行器的“Z”轉(zhuǎn)速進(jìn)行末端執(zhí)行器的各種向上及向下移動，事實上，為極低的轉(zhuǎn)速。因此，在各轉(zhuǎn)旋、清洗、及干燥周期，僅載入及卸載晶片即耗費(fèi)極長的時間。所以增加每一晶片的SRD周期，繼而減少SRD模組的總產(chǎn)能。
鑒于前述，因而本技術(shù)領(lǐng)域中存在需要有一種旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥模組，其能夠占用較小的清潔室空間及產(chǎn)生較高的產(chǎn)能，而有效地提高在基板表面上的旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥操作。

發(fā)明內(nèi)容
大體而言，本發(fā)明藉由一旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥(SRD)模組及其實施方法，而滿足有效地最佳化在基板表面上執(zhí)行旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥的操作的需求。本發(fā)明的SRD模組是占用較小的清潔室空間，而產(chǎn)生較高的產(chǎn)能。較佳情況為，本發(fā)明的SRD模組實施一對驅(qū)動滾筒及一嚙合滾筒，以旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥操作期間嚙合基板。將此對驅(qū)動滾筒及嚙合滾筒配置在SRD模組之內(nèi)，從而能當(dāng)滾筒在旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥操作期間嚙合基板時，使包括有該基板的定義成一處理平面能與水平產(chǎn)生一處理角度。在較佳例子中，將該驅(qū)動滾筒設(shè)成旋轉(zhuǎn)被嚙合的基板，而該嚙合滾筒則設(shè)成可縮回，從而能產(chǎn)生供該基板的載入及卸載的一清楚路徑。
應(yīng)該理解本發(fā)明可以各種型式加以實施，包括處理、設(shè)備、系統(tǒng)、裝置、或方法。以下說明本發(fā)明的許多實施例。
在一實施例中，揭露一種在一旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥(SRD)模組中的一基板的處理方法，該方法包括提供待處理的基板、將SRD模組定位在一基板接收位置、將待處理的基板定向在由一角度限定的一插入位置、以此角度將基板插入至SRD模組之中、將SRD模組放置在一處理位置、旋轉(zhuǎn)呈此角度的基板、沖洗呈此角度旋轉(zhuǎn)的基板、及干燥呈此角度旋轉(zhuǎn)的基板。
在另一實施例中，揭露一種在一旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥(SRD)模組中的一基板的處理方法。該方法包括一嚙合步驟，嚙合一晶片在一處理平面，此處理平面設(shè)為使其與一水平面界定出一處理角度，且此處理角度設(shè)為使此SRD模組的性能最佳化、一旋轉(zhuǎn)步驟，在此處理平面旋轉(zhuǎn)晶片、及一清潔步驟，當(dāng)旋轉(zhuǎn)在此處理平面的晶片時，同時清潔晶片的一上表面及一下表面。
在又一實施例中，揭露一種在一旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥(SRD)模組模組中之一基板的處理方法，該方法包括一嚙合步驟，嚙合一晶片在一處理平面，此處理平面設(shè)為使其與一水平面界定出一處理角度，且此處理角度設(shè)為使SRD模組的性能最佳化、一旋轉(zhuǎn)步驟，在此處理平面旋轉(zhuǎn)晶片、及一清潔步驟，當(dāng)旋轉(zhuǎn)在此處理平面的晶片時，同時清潔晶片的一上表面及一下表面，此清潔步驟則包括當(dāng)旋轉(zhuǎn)在此處理平面的晶片時，同時以DI水沖洗晶片的上表面及下表面、及當(dāng)旋轉(zhuǎn)在此處理平面的晶片時，同時旋加一兆頻超音波流動(megasonic flow)至晶片的上表面及下表面。
在另一實施例中，提供一種在一旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥(SRD)模組中的一基板的處理方法。該方法包手一嚙合步驟，嚙合一晶片在一處理平面，此處理平面設(shè)為使其與一水平面界定出一處理角度，并此處理角度設(shè)為使晶片的一干燥最佳化、一旋轉(zhuǎn)步驟，在此處理平面旋轉(zhuǎn)晶片、一清潔步驟，當(dāng)旋轉(zhuǎn)在此處理平面的晶片時，同時清潔晶片的一上表面及一下表面、及一干燥步驟，當(dāng)旋轉(zhuǎn)在此處理平面的晶片時，同時干燥晶片的上表面及該下表面。
在再一實施例中，揭露一種晶片制備模組。該晶片制備模組包括一容室，包括晶片嚙合滾筒，將此晶片嚙合滾筒定們在一角度，并設(shè)計此晶片嚙合滾筒而以在制備期間以一角度旋轉(zhuǎn)一晶片。
在另一實施例中，揭露一旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥(SRD)模組。此SRD模組包括一容室，具有一外壁部，將此外壁部設(shè)成包括其中的一窗部，將此窗部界定在此外壁部之內(nèi)，從而能與一水平面產(chǎn)生一處理角度、一對驅(qū)動滾筒，界定在此容室之內(nèi)，將此驅(qū)動滾筒形成為當(dāng)嚙合待處理的基板時，同時旋轉(zhuǎn)待處理的一基板、及一嚙合滾筒，界定在此容室之內(nèi)，此嚙合滾筒設(shè)為嚙合待處理的基板，此嚙合滾筒及此對驅(qū)動滾筒設(shè)為嚙合待處理的基板，從而能使待處理的基板與水平面產(chǎn)生基本上相等于處理角度的一角度。
本發(fā)明具有各種優(yōu)點。最甚者，不像習(xí)用SRD模組，本發(fā)明的具角度的SRD模組是實施用以嚙合及旋轉(zhuǎn)呈一處理/插入角度的待處理基板的滾筒，從而設(shè)成最佳化基板表面的干燥。以此方式，將減少載入及卸載晶片所需的移動數(shù)目、減少旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥周期所需的時間，因而提高產(chǎn)能。使用滾筒而非使用轉(zhuǎn)軸指部及夾頭為另一優(yōu)點。即，藉由實施用以嚙合晶片的滾筒，本發(fā)明的具角度的SRD模組將確保整個晶片的清潔，即確保晶片的上及下表面兩面的清潔。另一優(yōu)點為由于嚙合呈一角度的晶片，所以僅需要較少之用以處理晶片的機(jī)械性移動，因而可使用由低RPM至高RPM的非破壞性操作來處理晶片。
本發(fā)明的再一優(yōu)點為使用滾筒而非使用夾頭及轉(zhuǎn)軸指部，故本發(fā)明的具角度的SRD模組100將小于現(xiàn)有的SRD模組，因而占用極少的清潔室空間。本發(fā)明又一優(yōu)點為采用較佳的干燥方法。即，由于使用干燥協(xié)助機(jī)構(gòu)、呈一角度的晶片的處理、及使用用以清潔晶片的高度揮發(fā)劑的組合效應(yīng)的結(jié)果，故大幅地增進(jìn)本發(fā)明的干燥操作。例如，本發(fā)明有效地干燥晶片，同時確保邊緣清潔。因此，將縮短SRD模組的干燥周期，因而提高產(chǎn)能。最后，具角度的SRD模組將藉由實施非破壞性的低RPM而達(dá)成極干燥的晶片。
本發(fā)明的其它樣態(tài)及優(yōu)點將可參考以下的較佳實施例及各圖式的說明而更加明顯。


圖1為依照本發(fā)明的一實施例的示范的具角度的旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥(SRD)的簡化橫剖面圖。
圖2A為依照本發(fā)明的一實施例的第一及第二驅(qū)動滾筒及嚙合晶片的嚙合滾筒的透視圖。
圖2B為顯示依照本發(fā)明的另一實施例的藉由末端執(zhí)行器而載入晶片的期間的移出定位的嚙合滾筒俯視圖。
圖2C為顯示依照本發(fā)明的又一實施例的藉由末端執(zhí)行器而在載入晶片之后的嚙合滾筒移回期初始位置的俯視圖。
圖3A為依照本發(fā)明的一實施例的固定晶片的第一驅(qū)動滾筒及第二驅(qū)動滾筒的簡化側(cè)視圖。
圖3B為依照本發(fā)明的又一實施例的驅(qū)動滾筒分解圖。
圖4A為描述依照本發(fā)明的再一實施例的藉由末端執(zhí)行器從輸入晶舟盒取出晶片的簡化側(cè)視圖。
圖4B為顯示依照本發(fā)明的一實施例的使晶片重新平行對齊處理平面的具角度的方位的末端執(zhí)行器的簡化側(cè)視圖。
圖4C為顯示依照本發(fā)明的一實施例的在從具角度的SRD模組取出處理的晶片及其輸送至輸出晶舟盒中之后的重新對齊的簡化側(cè)視圖。
圖4D為顯示依照本發(fā)明的一實施例的以插入/處理角度將晶片插入至具角度的SRD模組中。
圖5是依照本發(fā)明的一實施例的輸送處理的晶片至標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面(SMIF)箱的末端執(zhí)行器的示圖。
圖6是依照本發(fā)明的一樣態(tài)的描述在具角度的SRD模組中處理晶片所執(zhí)行的操作方法的流程圖。
圖7是依照本發(fā)明的又一樣態(tài)的描述在具角度的SRD模組中處理晶片所執(zhí)行的操作方法的流程圖。
圖8是依照本發(fā)明的另一樣態(tài)的顯示在具角度的SRD模組中清潔晶片的操作方法流程圖。
圖9是依照本發(fā)明的又一樣態(tài)的顯示在具角度的旋轉(zhuǎn)、干燥、及清洗模組中清潔晶片的操作方法流程圖。
圖10是依照本發(fā)明的再一樣態(tài)的顯示在具角度的SRD模組中清潔晶片的操作方法流程圖。
具體實施例方式
以下說明用以最佳化基板表面的處理的旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥(SRD)模組。較佳地，SRD模組實施一對用以在有角度的處理平面上嚙合基板的驅(qū)動滾筒與嚙合滾筒，故最佳化SRD模組的操作。在較佳實施例中，將驅(qū)動滾筒設(shè)成旋轉(zhuǎn)，從而能驅(qū)動處理的基板。在一較佳例子中，將驅(qū)動滾筒設(shè)成旋轉(zhuǎn)，從而能驅(qū)動處理的基板。在一較佳例子中，當(dāng)驅(qū)動滾筒維持成其在旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥期間旋轉(zhuǎn)基板時的定位，則將嚙合滾筒設(shè)成可縮回，從而能使其移入及移出定位，故分別提供基板的卸載及載入所需的空隙。
在以下說明中，為了提供對本發(fā)明的徹底理解，因此將提出許多具體的細(xì)節(jié)。然而，其可理解為熟悉本項技藝者是可在不需某些或所有具體的細(xì)節(jié)的情況下?lián)詫嵤┍景l(fā)明。在此情況下，將不詳細(xì)地說明熟知的制程操作以避免模糊本發(fā)明。
圖1為依照本發(fā)明的一實施例的示范的具角度的SRD模組的簡化橫剖面圖。此具角度的SRD模組包括容室102，其是設(shè)計為自給自足性，以下將詳細(xì)說明其理由。如圖所示，具角度的SRD模組更包括第一驅(qū)動滾筒120a、第二驅(qū)動滾筒120a’(未圖示)、及嚙合滾筒120b，全部設(shè)成為旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥操作期間嚙合晶片122。如上所述，第一驅(qū)動滾筒120a、嚙合滾筒120b、及晶片122是配置在容室102之中，從而能使包括被嚙合晶片122的平面的延伸與水平面之間產(chǎn)生處理角度。以此方式，定位呈處理角度的晶片122設(shè)為能藉由指向清潔流體而使其向下且離開處理中的晶片122而最佳化晶片122的干燥。在較佳實施例中，角度隤瑤d圍從基本上為零(0)度至基本上為九十(90)度。
如圖所示，使第一驅(qū)動滾筒120a耦合至插入到容室102的開口116a的滾筒驅(qū)動軸116。將第一驅(qū)動滾筒120a設(shè)成如同滾筒驅(qū)動軸116般在旋轉(zhuǎn)方向106上旋轉(zhuǎn)。在此實施中，為了以下將詳細(xì)說明的理由，故藉由配置在容室102之外的驅(qū)動馬達(dá)104而驅(qū)動滾筒驅(qū)動軸116及第一驅(qū)動滾筒120a。如圖所示，耦合至驅(qū)動馬達(dá)104的馬達(dá)驅(qū)動軸110是在旋轉(zhuǎn)方向106上旋轉(zhuǎn)，因而導(dǎo)致安裝在驅(qū)動驅(qū)動114a及114b上的驅(qū)動皮帶112旋轉(zhuǎn)。驅(qū)動滑輪114b的旋轉(zhuǎn)將依序?qū)е聺L筒驅(qū)動軸116、驅(qū)動滾筒120a、及晶片122旋轉(zhuǎn)。
應(yīng)該注意到，當(dāng)?shù)谝或?qū)動滾筒120a及第二驅(qū)動滾筒120b在處理平面上嚙合晶片122時，是將第二驅(qū)動滾筒120a’界定在第一驅(qū)動滾筒120a的120度角扇。而且，類似于第一驅(qū)動滾筒120a，是將第二驅(qū)動滾筒120a’設(shè)計成藉由類似于第一驅(qū)動滾筒120a的驅(qū)動馬達(dá)而驅(qū)動。然而，在一實施例中，是可藉由一驅(qū)動馬達(dá)而驅(qū)動第一及第二驅(qū)動滾筒120a及120b。此外，將第一驅(qū)動滾筒120a及第二驅(qū)動滾筒120a’設(shè)成在其旋轉(zhuǎn)時，仍保持在其定位上。關(guān)于具角度的SRD模組100之內(nèi)的第一驅(qū)動滾筒120a、第二驅(qū)動滾筒120a’、及嚙合滾筒120b的定位的額外細(xì)節(jié)將在以下與圖2A至圖2C有關(guān)的說明中提出。
將第一驅(qū)動滾筒120a及第二驅(qū)動滾筒120a’設(shè)計成使晶片122旋轉(zhuǎn)時，是僅同時將嚙合滾筒122b設(shè)計成在處理晶片122的同時亦嚙合住晶片122。此外，相較于設(shè)計成保持定位的第一驅(qū)動滾筒120a及第二驅(qū)動滾筒120a’，則將嚙合滾筒120b設(shè)計成可縮回。即將嚙合滾筒120b設(shè)計成可移進(jìn)及出其定位，從而能提供晶片122的載入及卸載所需的足夠間隙。在一實施例中，為了以下更詳細(xì)說明的理由，故使用配置在容室102之外的氣壓缸140而使嚙合滾筒120b移出其定位。如圖所示，使嚙合滾筒120b耦合至裝設(shè)到氣壓缸140的活塞142的臂部146。將活塞142插入至容室102而穿過開口142a。當(dāng)活塞142在移動方向144上移動時，活塞142將導(dǎo)致嚙合滾筒120a移進(jìn)及出定位。經(jīng)由此例子，將活塞142的遠(yuǎn)離設(shè)計成牽引在其上的嚙合滾筒120b，從而能使嚙合滾筒120b充份地移出定位而提供末端執(zhí)行器載入及卸載晶片122所需的適當(dāng)間隙。在晶片的載入及卸載之后，將活塞142的行程設(shè)成可將嚙合滾筒120b推回其初始位置。
繼續(xù)參見圖1，如上所述，具角度SRD模組100更包括具有上分配器126a及下分配器126b的清潔劑分配器126。上及下分配器126a及126b各具有各自的表面126a-1及126b-1，而各表面則包括多個孔部128。將多個孔部128設(shè)成為輸送清潔流體至晶片122的上及下表面122a及122b之上。如圖所示，在此實施例中，將上分配器126a的表面126a-1界定在容室102之內(nèi)，從而能使表面126a-1面對晶片122的上表面122a。再者，如上所述，將下分配器126b的表面126b-1界定在容室102之內(nèi)，從而能使表面126b-1面對晶片之下表面122b。然而，必須理解在另一實施中，只要清潔劑分配器126能提供基本上均勻的清潔液體涂布至晶片122的區(qū)段之上，亦可將清潔劑分配器126界定在容室102之內(nèi)的不同位置上。
較佳情況為，經(jīng)由多個孔部128而將流體噴射氣流134輸送至晶片122的上及下表面122a及122b上，從而能在任一已知時間，使晶片122的至少一區(qū)段受到清潔。以此方式，將確保清潔分配器126基本上均勻地施加清潔液體的涂布基本上覆蓋從晶片中心延伸至晶片邊緣的晶片122的局部。在一實施例，將流體噴射氣流134基本上均勻地施加至處理中的晶片122之上及下表面122a及122b上，從而能使清潔流體覆蓋晶片122之上及下面表122a及122b的基本上一半。
較佳情況為，將清潔劑分配器126設(shè)計成從上及下表面122a及122b逐出、松弛、及移除微粒的污染物、殘留物、及化學(xué)物質(zhì)。以例子說明，微粒的污染物是微粒及金屬，而微小材料碎片的微粒則存在于晶片122之上或下表面122a或122b上(例如，灰塵、矽土(SiO2)、研漿殘留物、聚合物殘留物、金屬薄片、大氣灰塵、塑膠顆粒、矽土顆粒等等)。
較佳情況為，為了逐出、松弛、或移除污雜物，故將清潔劑分配器126設(shè)計成可實施形成為不會殘留任何殘留物在上及下表面122a及122b之上的高度蒸發(fā)的清潔流體。然而，必須理解在另一例子中，只要流體介質(zhì)迅速地蒸發(fā)并且不會殘留殘留物時，本發(fā)明的清潔劑分配器126是可實施任一適當(dāng)?shù)牧黧w介質(zhì)而清潔晶片122的表面(例如，去離子水、氫氟酸(HF)、氫氧化銨(NH4OH)、氨、亞乙基二胺四乙酸(EDTA)、四甲基氫氧化銨(TMAH)、檸檬酸、鹽酸、過氧化氫、MCC3000、MCC2500、其異丙醇(IPA)混合物、及任何清潔劑、任何溶劑等)。再者，依照本發(fā)明一實施例，清潔劑分配器126是設(shè)計為在上及下表面122a及122b上、沿著有角度的處理平面、在移動方向139’上來回移動(即，晶片122的半徑r上來回移動)。
再者，在一例子中，在具角度的SRD模組之內(nèi)于晶片122上執(zhí)行的清潔操作更包括在處理平面上(即，以一角度)刷洗晶片122的上及下表面122a及122b。例如，在一實施例中，具角度的SRD模組可界定容室102之內(nèi)的一上刷滾筒及一下刷滾筒。當(dāng)定位時，將各上刷滾筒及下刷滾筒設(shè)成分別清潔晶片122的上表面122a及下表面122b。
如上所述，在一實施中，透過實施兆頻超音波噴霧組件136施加兆頻超音波而增強(qiáng)在具角度的SRD模組于晶片122上執(zhí)行的清潔操作。如圖所示，兆頻超音波噴霧組件136包括上兆頻超音波噴霧136a及下兆頻超音波噴霧136b，并將各個分別設(shè)成清潔晶片122的上表面122a及下表面122b。如圖所示，上兆頻超音波噴霧136a包括裝設(shè)至上兆頻超音波噴霧噴嘴138a的上兆頻超音波臂部137a。將上兆頻超音波噴霧噴嘴138a設(shè)成將受兆頻超音波頻率的聲波攪動的液體噴灑至晶片122的上表面122a上。依相同的方式，附在下兆頻超音波噴霧136a的兆頻超音波臂部137b之上的下兆頻超音波噴霧噴嘴138b是將受兆頻超音波頻率的聲波攪動的液體的圓錐形噴霧施加至晶片122的下表面122b上。經(jīng)由各自之上及下兆頻超音波臂部137a及137b中的相關(guān)的管路或其它中空的通路而將液體輸送至各上及下兆頻超音波噴霧噴嘴138a及138b。
在此實施例中，是將各上及下兆頻超音波噴霧噴嘴138a及138設(shè)成旋轉(zhuǎn)。在不同的例子中，除了旋轉(zhuǎn)之外，將各上及下兆頻超音波噴霧噴嘴138a及138設(shè)計成在兆頻超音波移動方向139上沿著有角度的處理平面而來回地在上及下表面122a及122b之上移動。即，將上及下兆頻超音波噴專利號噴嘴138a及138設(shè)成為從晶片122的中心移動到晶片122的邊緣，并接著回到晶片122的中心(即，來回地在晶片122的半徑r的上移動)。所以，在晶片122的清潔之后，藉由松弛、軟化、逐出、及移除殘留在上及下表面122a及122b之上的更微小的微粒污染物、殘留物、及化學(xué)物質(zhì)，兆頻超音波噴霧組件136將增強(qiáng)清潔劑分配器126的清潔。
本技術(shù)領(lǐng)域之一般技術(shù)者必須理解在不同的實施例中，只要兆頻超音波組件136能將受兆頻超音波頻率的聲波攪動的液體噴灑至晶片122的上及下表面上，兆頻超音波噴霧組件136是可具有不同的元件。再者，兆頻超音波噴霧組件136可將任何適當(dāng)?shù)幕大w噴灑至晶片122的上及下表面122a及122b上(例如，DI水)。此外，兆頻超音波圓錐形噴霧的噴灑期間及強(qiáng)度是隨著預(yù)先建立的處理資料需求而異。
繼續(xù)圖1的實施例，經(jīng)由實施氣體分配機(jī)構(gòu)及分散氣流機(jī)構(gòu)的兩獨立元件的干燥協(xié)助處理而增強(qiáng)具角度的SRD模組100的干燥操作。在氣體分配機(jī)構(gòu)中，具角度的SRD模組包括多個噴嘴124a、124a’(此圖未圖示)，及分別穿過開口124a-1、124a-1’、及125b-1而插入至容室102中的噴嘴124b。如圖所示，將各噴嘴124a、124a’、及124b配置在容室102之內(nèi)，從而能將分配至各噴嘴124a、124a’、及124b的氣體分別施加至第一驅(qū)動滾筒120a、第二驅(qū)動滾筒120a’、及嚙合滾筒120b上。以此方式，經(jīng)由噴嘴124a、124a’、及124b而分配的氣體將使殘留在各第一或第二驅(qū)動滾筒120a及120a’及嚙合滾筒120b之上的任何液體被吹掉，因而干燥滾筒及處理中的晶片122的邊緣。再者，藉由將液體吹離上及下表面122a及122b，氣體經(jīng)由噴嘴124a、124a’、及124b的分配將進(jìn)一步增強(qiáng)晶片122之上及下表面122a及122b的清潔。因此，氣體分配機(jī)構(gòu)達(dá)成干燥滾筒，同時不僅增強(qiáng)晶片表面的干燥，更增強(qiáng)晶片邊緣的干燥。
藉由例子說明，在此實施例中，將吹氣噴嘴124a、124a’、及124b設(shè)成為用以將加熱的氮氣分配至第一及第二驅(qū)動滾筒120a及120a’及嚙合滾筒120b上。然而，在不同例子中，可使用任何適當(dāng)?shù)臍怏w，從而促進(jìn)驅(qū)動滾筒120a及120a’及嚙合滾筒120b、晶片122的邊緣、及上及下表面122a及122b的干燥(例如，CO2、清潔干燥空氣(CDA)、氮氣門等。)。
藉由采用分散氣流機(jī)構(gòu)將進(jìn)一步增進(jìn)晶片的干燥。如圖所示，將多個氣體供給孔130界定在容室102的內(nèi)壁102a上，從而能允許氣體在容室102的內(nèi)流動。將氣體供給孔130設(shè)成具有指向晶片122之上及下表面122a及122b的氣體流動方向132。依此方式，將氣體均勻地分布至整個容室102，從而能基本上促進(jìn)上及下表面122a及122b兩面的均勻干燥。
較佳地，利用極小微粒抓取(Ultra Low Particulate Arresting)過濾器而過濾分布至整個容室102中的氣體。此外，在較佳實施例中，可實施的氣體為空氣或氮氣。然而，在另一例子中，可使用任何適當(dāng)?shù)臍怏w而促進(jìn)晶片之上及下表面122a及122b兩面的均勻干燥。依據(jù)一例子，將導(dǎo)管的氣流導(dǎo)至晶片122的上及下表面122a及122b，并如以下的說明，接著使其排出。
繼續(xù)參見圖1的實施例，具角度的SRD模組100的容室102更包括排出部150a，其耦合至配置在容室102之外的排出管道150。將排出部150a設(shè)成為在容室102之內(nèi)接收氣體流動及液體流動，及利用排出管道150將之移除到容室102之外。以此方式，在模組的旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥操作期間，使容室102的內(nèi)的環(huán)境保持清潔。
除實施排出部150之外，本發(fā)明的具角度的SRD模組100不僅在SRD容室102之外配置氣壓缸140，更配置驅(qū)動馬達(dá)104及104’，因而進(jìn)一步清除進(jìn)入容室102之中的微粒污染物。再者，將各滾筒驅(qū)動軸116及116’及活塞142分別設(shè)成為固定在一對密封墊118及148之內(nèi)。將密封墊118及148配置在極接近容室102之開口116a-1、11 6a-2、及142a-1之處。以此方式，將有利于密封墊118及148分別嚙合固定在其定位上的滾筒驅(qū)動軸116及活塞142，因而預(yù)防過多的微粒污染物進(jìn)入容室102之中。
再者，具角度的SRD模組100實施雙阻障容室。即，除了容室102之外，模組亦實施設(shè)成為封住容室102的外容室102’(此圖未圖示)。以此方式，將外容室102’設(shè)成為容納任何泄漏自容室102的液體或氣體。在泄漏發(fā)生的情況時，將界定在外容室102’及容室102之間的排出設(shè)成為陷入兩容室102及102’之間的廢物的配置。
因此，本發(fā)明的具角度的SRD模組100不僅徹底、迅速、且高效率地清潔及干燥晶片122的邊緣，更清潔及干燥其上及下表面122a及122b。再者，當(dāng)具角度的SRD模組100是采用驅(qū)動滾筒而非夾頭與轉(zhuǎn)軸指以旋轉(zhuǎn)晶片時，則容室102將遠(yuǎn)小于現(xiàn)有的SRD模組，因而占用較小的潔凈室空間。此外，由于干燥協(xié)助機(jī)構(gòu)、以一角度的晶片處理、及使用高度蒸發(fā)的溶劑以清潔晶片的組合效應(yīng)，因此將進(jìn)一步增強(qiáng)具角度的SRD模組100的干燥操作。例如，較佳情況為，具角度的SRD模組100可實施基本上為1000RPM的轉(zhuǎn)速以產(chǎn)生干燥的晶片。因此，具角度的SRD模組100實施較低的RPM即可產(chǎn)生較干燥的晶片，因而并不需實施龐大架構(gòu)以支撐本發(fā)明的SRD模組100。因此，當(dāng)本發(fā)明的SRD模組100采用較小的破壞性轉(zhuǎn)速以高效率地達(dá)成更干燥且更潔凈的處理晶片時，其同時占用更小的空間。
參見圖2A，其顯示依照本發(fā)明一實施例的載持晶片的第一及第二驅(qū)動滾筒120a及120a’及嚙合滾筒120b的透視圖。如圖所示，第一及第二驅(qū)動滾筒120a及120b及嚙合滾筒120b各被界定在晶片122的邊緣附近，從而將其各放置其它兩滾筒的120度的角度之內(nèi)。即，形成在第一驅(qū)動滾筒120a及第二驅(qū)動滾筒120a’之間的角度α、形成在第一驅(qū)動滾筒120a及嚙合滾筒120b之間的角度β、及形成在嚙合滾筒120b及第二驅(qū)動滾筒120a’之間的角度δ各設(shè)成為相等的120度。再者，如圖所示，將嚙合滾筒120b設(shè)計成在移動方向121上來回移動。
本技術(shù)領(lǐng)域之一般技術(shù)者必須注意到，是可將第一及第二驅(qū)動滾筒120a及120b及嚙合滾筒120b界定成位在晶片122四周的角度α、β、及δ并非相等之處。再者，必須注意到，在不同實施例中，可實施一或兩個以上的驅(qū)動滾筒以在旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥操作期間旋轉(zhuǎn)晶片。
依照本發(fā)明之一實施例，參見有關(guān)的圖2B及圖2C，將進(jìn)一步了解藉由末端執(zhí)行器的晶片122載入期間的嚙合滾筒120b的移動。如圖2B所示，當(dāng)裝設(shè)至其上具有多個吸口152a’的末端執(zhí)行器152的葉片154從移動方向153a上靠近而載入晶片122時，將從移動方向121a上拉離嚙合滾筒120b。以此方式，末端執(zhí)行器152是具有足夠間隙以將晶片122輸送至第一及第二驅(qū)動滾筒120a及120a’。之后，如圖2C所示，在晶片載入至SRD模組之后，并在末端執(zhí)行器臂部152從移動方向153b上退出及離開嚙合滾筒120b的移動方向之后，即釋放嚙合滾筒120b，從而能回到其初始位置。所以，在以下與圖4A至圖4D及圖5有關(guān)的詳細(xì)說明中，將減少用以使晶片載入及卸載出本發(fā)明的具角度的SRD模組100的移動的數(shù)目。
參見圖3A至圖3B，將進(jìn)一步了解不僅藉由驅(qū)動及嚙合滾筒的構(gòu)造。更藉由第一及第二驅(qū)動滾筒及嚙合滾筒的晶片122的嚙合。圖3A描述依照本發(fā)明之一實施例的固定晶片122的第一驅(qū)動滾筒120a及第二驅(qū)動滾筒120a’的簡化側(cè)視圖。如圖所示，第一驅(qū)動滾筒120a具有下輪子120a-1、上輪子120a-2、及一對用以嚙合待處理的晶片122的夾環(huán)120a-3。依此相同的方式，將第二驅(qū)動滾筒120a’設(shè)成為包括下輪子120a’-1、上輪子120a’-2、及一對用以嚙合晶片122的夾環(huán)120a’-3。
如圖3B的第一驅(qū)動滾筒120a的分解圖所進(jìn)一步顯示。此對夾環(huán)120a-3是具有下夾環(huán)120a-3a、上夾環(huán)120a-3b、及V形溝槽120a-3c。將V形溝槽120a-3c設(shè)成為在旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥操作期間使晶片旋轉(zhuǎn)時，同時嚙合及固定晶片122。較佳情況為，在一實施中，第一及第二驅(qū)動滾筒120a及120a’及嚙合滾筒120b在V形溝槽中實施聚氨酯襯墊，從而固定及嚙合晶片。然而，在另一例子中，則加工聚氨酯滾筒的第一及第二驅(qū)動滾筒120a及120a’及嚙合滾筒120b，從而使其具有V形溝槽。
參見相關(guān)的圖4A至圖4D，將進(jìn)一步了解晶片的載入至及卸載自SRD模組100、及其從載入站164的輸入晶舟盒168至輸出晶舟盒158的輸送。如圖4A的實施例的側(cè)視圖所示，當(dāng)末端執(zhí)行器152及葉片156位在水平位置時，機(jī)械手臂156將同時實施末端執(zhí)行器152，從而從輸入晶舟盒168中取出晶片122。
之后，如圖4B所示，使機(jī)械手臂156伸高至SRD模組100的高度。如圖所示，葉片154已移動末端執(zhí)行器152及晶片122，從而能使晶片122對齊具角度的處理平面的方位。以此方式，將消除載入晶片時的不必要步驟，因而提高具角度的SRD模組的效率。
如圖4C所示，一旦SRD模組100已結(jié)束晶片122的處理，則當(dāng)晶片122仍在具角度的位置上時，末端執(zhí)行器152是同時從SRD模組取出晶片122。又，消除了晶片122的卸載的不必要步驟。之后，葉片156移動，從而能將末端執(zhí)行器152及晶片122對齊在水平方位上而將潔凈的晶片122傳送至輸出站。如圖4C所示，在一實施中，末端執(zhí)行器152將晶片122卸載至輸出晶舟盒158的定位在界定在輸出架162的基底160上。如圖所示，將輸出晶舟盒158設(shè)成為載持一些清潔的晶片122。在另一實施例中，如以下與圖5有關(guān)的說明中，是使用標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面(SMIF)箱以代替輸出晶舟盒158。
圖4D是描述依照本旭有的一實施例的晶片122呈一插入/處理角度地插入至SRD模組100之中。如上所述，將具有角度方位的窗部102c界定在容室102的側(cè)壁102b中，因而允許末端執(zhí)行器152高效率地以插入/處理角度將晶片122插入SRD模組中。當(dāng)末端執(zhí)行器靠近SRD模組時，將窗部102c下推，從而能清除供末端執(zhí)行器152將待處理的晶片122插入的路徑。將窗部102c界定于具角度的方位是有利于減少末端執(zhí)行器152的載入及卸載晶片122所需的移動數(shù)目。詳言之，由于窗部102c、插入的晶片122、及末端執(zhí)行器152的各個皆與水平面形成一角度，而此角度則基本上相等于晶片處理平面與水平面之間所形成的角度(即，處理角度θ)，故可移動數(shù)目。
雖然在各實施例中，已命名用末端執(zhí)行器而將晶片122載入至/卸載自滾筒，本技術(shù)領(lǐng)域的一般技術(shù)者必須理解，只要可達(dá)成晶片122的載入及卸載出第一及第二驅(qū)動滾筒120a及120b的功能，亦可使用其它相等的機(jī)構(gòu)。
在一示范的實施例中，如圖5所示，將末端執(zhí)行器152設(shè)成為使?jié)崈舻木?22卸載至標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面(SMIF)箱159。如上所述，SMIF箱159包括界定在輸出架162’的基底160’上的輸出晶舟盒158’。以此方式，一旦SMIF箱159是充滿潔交通的晶片122時，則降低輸出架162’，并使覆一蓋子裝設(shè)至SMIF箱159，因而使?jié)崈舻木?22保持在清潔環(huán)境中。
參見圖6的流程圖600，其顯示依照本發(fā)明的一實施的于具角度的SRD模組中處理晶片所執(zhí)行的操作方法。此方法是始于操作602，其中確認(rèn)具角度的SRD模組中的待處理的晶片。接著，在操作604中，使用末端執(zhí)行器而取出確認(rèn)的晶片。之后，在操作606中，使SRD模組定位成晶片接收位置。例如，在一實施例中，拉下SRD模組的側(cè)壁內(nèi)的界定成一角度的窗部，因而產(chǎn)生供末端執(zhí)行器使用的插入路徑。除了打開窗部之外，亦將SRD模組之內(nèi)的界定在處理平面上可縮回嚙合滾筒拉出，因而使嚙合滾筒移離其位置并離開末端執(zhí)行器的路徑。
繼續(xù)至操作608，末端執(zhí)行器是移動取出的晶片，從而能使其呈插入角度。較佳情況為，插入角度是基本上相等于處理角度，因而可減少末端執(zhí)行器插入晶片所需的移動數(shù)目。之后，在操作610中，將待處理的晶片以插入角度插入至SRD模組之中。最后，在操作612中，將SRD模組置于處理位置。即，釋放在最初是移離其位置以提供晶片載入的所需間隙的嚙合滾筒而使其回去到初始位置。
參見圖7所顯示的流程圖700，其顯示依照本發(fā)明之一實施例的于具角度的SRD模組中用以處理晶片的操作方法。方法700是始于操作702，其中以一角度旋轉(zhuǎn)晶片，并隨著操作704而清潔晶片的上及下表面。如與圖1有關(guān)的詳細(xì)說明中，使用設(shè)成為施加清潔劑至旋轉(zhuǎn)的晶片的上及下表面兩者的上的清潔劑分配器而執(zhí)行晶片的清潔。較佳情況為，將清潔操作設(shè)成為逐出、松弛、及移除殘留在晶片的上及下表面之上的微粒污染物、殘留物、及化學(xué)物質(zhì)。
之后中，在操作706中，持續(xù)第一時間地清洗晶片的上及下表面。之后，此方法繼續(xù)至操作708，其中施加兆頻超音波至晶片的上及下表面之上。較佳情況為，在清潔操作之后，施加兆頻超音波以逐出、松弛、及移除殘留在晶片的上及下表面之上的更微小微粒污染物、殘留物、及化學(xué)物質(zhì)。接著，在操作710中，施加第二清洗至晶片的上及下表面。最后，在操作712中，藉由以一角度地旋轉(zhuǎn)晶片而使其干燥。在各較佳實施例中，使用與圖1詳細(xì)說明有關(guān)的干燥協(xié)助機(jī)構(gòu)的協(xié)助而促進(jìn)晶片的干燥。
如圖8的流程圖800，其顯示依照本發(fā)明的一實施例的清潔晶片的操作方法。如上所述，方法800是始于操作802，其中以一角度旋轉(zhuǎn)晶片，隨著操作804的藉由施加氫氟酸(HF)及去離子水的混合物而清潔圓的上及下表面。較佳情況為，HF于氫氟酸(HF)及去離子水的混合物中的濃度從大約1％至大約2％。
繼續(xù)至操作806，施加兆頻超音波至晶片的上及下表面的上。繼而，在操作808中，施加異丙醇及去離子水的混合物至晶片的上及下表面之上。最后，在操作810中，以一角度旋轉(zhuǎn)晶片而使其干燥。
圖9的流程圖900顯示依照本發(fā)明的另一實施例的于具角度的SRD模組中用以清潔晶片的操作方法。清潔方法900是始于操作902，其中以一角度旋轉(zhuǎn)晶片，并隨著操作904的藉由施加去離子水而清潔晶片的上及下表面。接著，于操作906中，藉由施加異丙醇及去離子水的混合物而清洗晶片的上及下表面。最后，于操作908中，以一角度旋轉(zhuǎn)晶片而使其干燥。
圖10的流程圖1000是顯示依照本發(fā)明的又一實施例的清潔晶片的操作方法。清潔方法1000是始于操作1002，其中以一角度旋轉(zhuǎn)晶片，并隨著操作1004而以氫氟酸(HF)及去離子水的混合物中洗晶片的上及下表面。接著，在操作1006中，藉由施加異丙醇及去離子水的混合物而清洗晶片的上及下表面。最后，在操作1008中，以一角度旋轉(zhuǎn)晶片而使其干燥。
在所述的操作方法600至1000中，藉由滾筒嚙合及旋轉(zhuǎn)晶片并同時使具角度的晶片旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥是有利于減少載入及卸載晶片所需的末端執(zhí)行器的移動數(shù)目。此外，使用非破壞性的基本上低的RPM將促進(jìn)晶片的干燥。再者，使用滾筒以嚙合晶片是大幅地減少SRD模組的尺寸，同時可確保晶片的上及下表面兩者的潔凈。
雖然為了提供對本發(fā)明的徹底理解，而提出許多具體的細(xì)節(jié)，但可在本發(fā)明的范圍內(nèi)作各種修改及變化。例如，在此說明的實施例基本上針對旋轉(zhuǎn)、沖洗、及干燥(SRD)晶片；然而，應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明的具角度的SRD模組亦適用于任何種類的基板的旋轉(zhuǎn)沖洗。再者，若需要時，應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明的具角度的SRD模組亦適用于任何尺寸的晶片或如硬式碟片等基板的旋轉(zhuǎn)沖洗。此外，本發(fā)明的實施例已實施馬達(dá)，從而旋轉(zhuǎn)驅(qū)動滾筒及氣壓缸而重新安置嚙合滾筒，但本技術(shù)領(lǐng)域之一般技術(shù)者必須理解亦可使用任何能執(zhí)行這些功能的適當(dāng)裝置。因此，本實施例應(yīng)視為例示性而非限制性，而并非將本發(fā)明狹義地限制于該較佳實例。凡依本發(fā)明所做的任何變更，皆屬本發(fā)明申請專利的范圍。
權(quán)利要求
1.一種在一旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥(SRD)模組中的晶片處理方法，該方法包含嚙合一晶片在一處理平面中，此處理平面設(shè)為使其與一水平面界定出一處理角度，此處理角度設(shè)為使此SRD模組的性能最佳化；在此處理平面旋轉(zhuǎn)晶片；和當(dāng)在此處理平面旋轉(zhuǎn)晶片時，同時清潔晶片的一上表面及一下表面。
2.如權(quán)利要求1的在一SRD模組中的晶片處理方法，其中該清潔步驟包括刷洗、沖洗、及施加兆頻超音波流體之一。
3.如權(quán)利要求1的在一SRD模組中的基板處理方法，其中嚙合在一處理平面的一晶片包括將該SRD模組定位在一基板接收位置；將待處理的基板定向在一由插入角度所限定的插入位置；將該基板以該插入角度插入至該SRD模組之中；將該SRD模組放置在一處理位置；
4.如權(quán)利要求3的在一SRD模組中的基板處理方法，其中將該SRD模組定位在一基板接收位置包括打開配置在該SRD模組的一壁部中的一窗部。
5.如權(quán)利要求3的在一SRD模組中的基板處理方法，其中將待處理的該基板定向在該插入位置包括移動該基板，從而能產(chǎn)生界定在該基板與一水平面之間的角度。
6.如權(quán)利要求3的在一SRD模組中的晶片處理方法，其中嚙合在該處理平面的該晶片的該嚙合步驟包括將一嚙合滾筒從一第一位置移動到一第二位置，該移動設(shè)為提供用以插入該晶片的間隙；以一插入角度插入待處理的該晶片；使用一對驅(qū)動滾筒而嚙合待處理的該晶片；釋放該嚙合滾筒而回到該第一位置；及使用該嚙合滾筒嚙合待處理的該晶片。
7.如權(quán)利要求6的在一SRD模組中的晶片處理方法，其中將該插入角度設(shè)成基本上相等于該處理角度。
8.如權(quán)利要求1的在一SRD模組中的晶片處理方法，其中旋轉(zhuǎn)在該處理平面的該晶片的該旋轉(zhuǎn)步驟包括使用一對驅(qū)動滾筒而旋轉(zhuǎn)該晶片。
9.如權(quán)利要求1的在一SRD模組模組中的晶片處理方法，其中當(dāng)旋轉(zhuǎn)在該處理平面的該晶片時，同時清潔該晶片的該上表面及該下表面的清潔步驟包括施加一清潔液體到該基板的該上表面上，該施加設(shè)為在該晶片的該上表面的一區(qū)段上形成一基本上均勻的該清潔液體層；及施加一清潔液體到該基板的該下表面上，該施加設(shè)為在該晶片的該下表面的一區(qū)段上形成一基本上均勻的該清潔液體層。
10.如權(quán)利要求2的在一SRD模組中的晶片處理方法，其中施加兆頻超音波液體包括施加一兆頻超音波液體到該基板的該上表面上，該施加設(shè)為在該晶片的該上表面的一區(qū)段上形成一基本上均勻的該兆頻超音波液體層；及施加一兆頻超音波液體到該基板的該下表面上，該施加設(shè)為在該晶片的該下表面的一區(qū)段上形成一基本上均勻的該兆頻超音波液體層。
11.如權(quán)利要求1的在一SRD模組中的晶片處理方法，更包含以下步驟施加一第一氣體至處理中的該晶片的一邊緣之上；施加一第二氣體至處理中的該晶片的該上表面及該下表面之上，并經(jīng)由突出在該SRD模組的內(nèi)壁之內(nèi)的供應(yīng)孔部而將該第二氣體導(dǎo)入至該SRD模組之中。
12.一種在一旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥(SRD)模組中的晶片處理方法，該方法包含以下步驟嚙合一晶片在一處理平面中，該處理平面設(shè)為使其與一水平面界定出一處理角度，且該處理角度設(shè)為使該晶片的一干燥最佳化；在該處理平面旋轉(zhuǎn)該晶片；當(dāng)在該處理平面旋轉(zhuǎn)該晶片時，同時清潔該晶片的一上表面及一下表面；及當(dāng)在該處理平面旋轉(zhuǎn)該晶片時，同時干燥該晶片的該上表面及該下表面。
13.如權(quán)利要求12的在一SRD模組中的晶片處理方法，更包含以下步驟當(dāng)在該處理面旋轉(zhuǎn)該晶片時，施加兆頻超音波流動至該晶片的該上表面及該下表面。
14.一種晶片制備模組，包含一容室，包括晶片嚙合滾筒，將該晶片嚙合滾筒定位在一角度，并設(shè)計該晶片嚙合滾筒而用以在制備期間以一角度旋轉(zhuǎn)一晶片。
15.如權(quán)利要求14的晶片制備模組，其中該制備包括沖洗、洗潔、干燥、刷洗、及施加兆頻超音波流體之一。
16.如權(quán)利要求14的晶片制備模組，更包含至少一清潔劑分配器，設(shè)成在該制備的至少部分期間施加一流體至該晶片的一表面。
17.如權(quán)利要求14的晶片制備模組，更包含一噴嘴，設(shè)成施加一氣流朝向晶片嚙合滾筒的至少其中一個。
18.如權(quán)利要求14的晶片制備模組，更包含一兆頻超音波噴霧組件，用以施加一兆頻超音波葉霧至該晶片的一表面。
19.如權(quán)利要求14的晶片制備模組，其中該晶片嚙合滾筒的至少之一為一驅(qū)動滾筒。
20.一種旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥模組，包含一容室，其具有一外壁，并將該外壁設(shè)成具有其中之一窗部，而該窗部則形成在該壁之內(nèi)，從而能與一水平面產(chǎn)生一處理角度；一對驅(qū)動滾筒，其形成在該容室之內(nèi)，并當(dāng)嚙合待處理的該基板時，將該驅(qū)動滾筒設(shè)成用以旋轉(zhuǎn)待處理之一基板及一嚙合滾筒，其形成在該容室之內(nèi)，并將該嚙合滾筒設(shè)成用以嚙合待處理的該基板，該嚙合滾筒與該對驅(qū)動滾筒則設(shè)成用以嚙合待處理的基板，從而能使待處理的基板與該水平面產(chǎn)生基本上相等于該處理角度的一角度。
21.如權(quán)利要求20的旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥模組，更包含一清潔劑分配器，界定在該容室之內(nèi)，將該清潔劑分配器設(shè)成清潔待處理的該基板的一上表面及一下表面。
22.如權(quán)利要求20的旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥模組，更包含一兆頻超音波組件，界定在該容室之內(nèi)，將該兆頻超音波組件設(shè)成施加至待處理的該基板的一上表面及一下表面。
23.如權(quán)利要求20的旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥模組，更包含多個吹氣噴嘴，界定在該容室的一內(nèi)壁之內(nèi)，將至少一吹氣噴嘴設(shè)成分配一第一氣體至該驅(qū)動滾筒及該嚙合滾筒的各個之上。
24.如權(quán)利要求20的旋轉(zhuǎn)、清洗、及干燥模組，更包含多個孔部，界定在該容室的一內(nèi)壁之內(nèi)，從而能將一第二氣體導(dǎo)入至該容室之中，將該第二氣體設(shè)成基本上均勻地干燥待處理的基板的一上表面及一下表面。
全文摘要
提供一種晶片制備模組。此晶片制備模組具有包括晶片嚙合滾筒的一容室。在制備期間，將晶片嚙合滾筒定位于一角度并設(shè)計為以一角度旋轉(zhuǎn)一晶片。
文檔編號H01L21/00GK1639836SQ02807627
公開日2005年7月13日 申請日期2002年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月30日
發(fā)明者R·E·特羅伊爾 申請人:蘭姆研究有限公司