專利名稱：Iii族氮化物半導體器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及III族氮化物半導體器件。
背景技術：
日本未審公開專利平-09-237938中公開了用具有氯化鈉結構作為底涂層的金屬氮化物的(111)面作為襯底，以得到具有良好結晶度的III族氮化物半導體層。即，在該政府公報中，用具有氯化鈉結構的金屬氮化物作為襯底，在金屬氮化物的(111)面上生長III族氮化物半導體層。
日本未審公開專利平-10-321954中也公開了在襯底和III族氮化物半導體層之間插入具有氯化鈉型或六方形晶體結構的過渡金屬氮化物導電層。作為過渡金屬氮化物的例子，其中示出TiN、VN、ZrN、NbN、HfN和TaN。
本發(fā)明人在注意金屬氮化物，特別是TiN的同時進行了認真研究。結果發(fā)現(xiàn)TiN和III族氮化物半導體層之間的晶格常數(shù)差對III族氮化物半導體的結晶度有令人擔心的影響。順便提及，TiN的c面的晶格常數(shù)是0.299nm，而作為III族氮化物半導體的GaN的晶格常數(shù)是0.319nm。
另一方面，用于半導體器件的襯底需要有保持半導體器件的功能的特性(如剛度、耐沖擊性等)。當襯底是由金屬氮化物制成時，可以想象，為了保持這些特性，襯底的厚度必須是50μm或更大。具有如此厚度的金屬氮化物從來沒有用作用于生產半導體的工業(yè)產品的原料。
本發(fā)明的一個目的是使其氮化物在III族氮化物半導體層下面用作底涂層的金屬氮化物的晶格常數(shù)更接近III族氮化物半導體的晶格常數(shù)，從而改善III族氮化物半導體層的結晶度。
本發(fā)明的另一個目的是使用工業(yè)上易于得到的原料形成具有良好晶體結構的III族氮化物半導體層成為可能。因此，本發(fā)明的半導體器件具有良好晶體結構的半導體層，并且可以低成本地生產。
本發(fā)明的再一個目的是提供一種新型結構的III族氮化物半導體器件及其生產方法。

發(fā)明內容
本發(fā)明人經過認真研究，至少達到了上述目的中的一個目的。結果構思了如下發(fā)明一種III族氮化物半導體器件，其具有由(Ti1-XAX)N制成的金屬氮化物層，其中，A是選自Al、Ga和In中的至少一種金屬；和形成在金屬氮化物層上的III族氮化物半導體層。
在具有上述構成的本發(fā)明的半導體器件中，III族氮化物半導體層形成在(Ti1-XAX)N的金屬氮化物層上。該金屬氮化物層與兩種元素的金屬氮化物層如TiN相比，其與在該金屬氮化物層上形成的III族氮化物半導體層的晶格錯配小。因此可以改善III族氮化物半導體層的結晶度。
可以在諸如藍寶石的襯底上形成具有良好結晶度的(Ti1-XAX)N的金屬氮化物層。另外，具有良好結晶度的金屬氮化物層可以形成在鈦層上，因為金屬氮化物層含有Ti組分，而具有良好結晶度的鈦層可以形成在諸如藍寶石的襯底上。另外，因為可以得到保持器件功能所需厚度的襯底，所以金屬氮化物層可以制得很薄。因此可以容易而廉價地形成金屬氮化物層。當用通用材料如藍寶石作為襯底時，總體上來說可以廉價地生產該器件。
附圖簡述

圖1是示出本發(fā)明一個實施方案的發(fā)光二極管的結構的視圖；圖2是示出本發(fā)明另一個實施方案的發(fā)光二極管的結構的視圖；圖3是示出本發(fā)明再一個實施方案的發(fā)光二極管的結構的視圖；圖4是示出本發(fā)明另一個實施方案的發(fā)光二極管的結構的視圖；圖5是示出本發(fā)明一個實施方案的發(fā)光二極管的結構的視圖；圖6是示出本發(fā)明另一個實施方案的發(fā)光二極管的結構的視圖；
圖7是示出本發(fā)明再一個實施方案的發(fā)光二極管的結構的視圖；具體實施方式
下面詳述構成本發(fā)明的III族氮化物半導體器件的各項技術。
首先，六方形材料如藍寶石、SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)或ZrB2(二硼化鋯)，或立方形材料如Si(硅)、GaP(磷化鎵)或GaAs(砷化鎵)可以用作襯底。在使用六方形材料的情況下，底涂層生長在六方形材料上。在使用立方形材料的情況下，使用立方形材料的(111)面。
當用SiC、GaN、硅、GaP或GaAs作為襯底時，可以賦予襯底導電性。還可以賦予(Ti1-XAX)N的金屬氮化物以導電性。在這種情況下，可以在半導體器件的兩個表面上形成電極?？梢詼p少器件的生產步驟，從而可以降低生產成本。順便提及，當金屬A的組成x選擇為0.01-0.6時，金屬氮化物具有必需的導電性。金屬A的組成x更優(yōu)選是0.1-0.6。金屬A的組成x特別優(yōu)選是0.2-0.6。
當用藍寶石作為襯底生產LED時，其亮度有望改善，因為金屬氮化物具有的金屬光澤能夠使LED發(fā)射的光被氮化鈦、氮化鉿、氮化鋯等反射。
金屬氮化物還具有減弱由于藍寶石襯底和III族氮化物半導體層之間的晶格常數(shù)或熱膨脹系數(shù)差所造成的變形(內應力)的功能，因為金屬氮化物比藍寶石更柔軟。
襯底需要有保持半導體器件的功能的特性(硬度和耐沖擊性)。因此，選擇的襯底厚度優(yōu)選不小于50μm，更優(yōu)選不小于100μm。如果能夠保持剛度，襯底可以任意薄。
至少一種選自鋁(Al)、鎵(Ga)和銦(In)的III族元素可選作金屬氮化物(Ti1-XAX)N中含有的金屬A組分。特別優(yōu)選Al，因為晶格常數(shù)的差值小。
III族元素可部分被硼(B)、鉈(Tl)等取代。
金屬氮化物的生長方法沒有特別限定?？梢允褂肅VD(化學氣相沉積)法如等離子體CVD、熱CVD或光學CVD，或PVD(物理氣相沉積)法如濺射法、反應濺射法、激光燒蝕法、離子電鍍法、蒸發(fā)法或ECR法。
當在鈦層上形成金屬氮化物層時，特別優(yōu)選濺射法。這是因為可以改善金屬氮化物單晶的結晶性。
在存在有襯底和/或鈦層的情況下，金屬氮化物層的厚度優(yōu)選為5nm-10μm。
當除去鈦層以將金屬氮化物層和襯底分離時，金屬氮化物層的厚度優(yōu)選不小于50μm，更優(yōu)選不小于100μm，因為金屬氮化物層需要具有襯底的性能。
當在金屬氮化物層和襯底之間插入鈦層時，可以用蒸發(fā)法或濺射法在襯底上形成鈦層。鈦層的厚度沒有特別限定，但是優(yōu)選為0.1μm-10μm，更優(yōu)選為0.1μm-5μm，最優(yōu)選為0.2μm-3μm。
根據(jù)本發(fā)明人的研究，當在作為襯底的硅的(111)面上生長氮化鈦時，優(yōu)選在(111)面和氮化鈦層之間插入Al層。Al層的厚度沒有特別限定，但是可以選擇為約100。形成Al層的方法沒有特別限定，但是可以用如蒸發(fā)法或濺射法形成Al層。
可以用酸(如氫氟酸)將鈦層化學蝕刻。結果使襯底和金屬氮化物層分離。因為金屬氮化物層具有導電性，所以金屬氮化物層可以用作電極，所以只需要在III族氮化物半導體層側上形成一個電極。
每一種III族氮化物半導體都用通式AlXGaYIn1-X-YN(0≤X≤1，0≤Y≤1，0≤X+Y≤1)表示，其包括所謂的的二元化合物如AlN、GaN和InN及所謂的三元化合物如AlXGa1-XN、AlXIn1-XN和GaXIn1-XN(在上式中，0＜X＜1)。III族元素可以部分被硼(B)、鉈(Tl)等取代，氮(N)可以部分被磷(P)、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)等取代。III族氮化物半導體層可以含有任選的摻雜劑。Si、Ge、Se、Te、C等可用作n型雜質。Mg、Zn、Be、Ca、Sr、Ba等可用作p型雜質。順便提及，摻雜p型雜質后，III族氮化物半導體可以進行電子束照射、等離子體照射或用爐子加熱。III族氮化物半導體層的形成方法沒有特別限定，除金屬有機化學氣相沉積法(MOCVD法)外，可以用已知方法如分子束外延成長法(MBE法，也稱為“分子束結晶生長法”)、鹵化物氣相外延成長法(HVPE法)、濺射法、離子電鍍法或電子簇射法形成III族氮化物半導體層。
順便提及，均質結構、單異質結構或雙異質結構可以用作發(fā)光器件的結構。量子阱結構(單量子阱結構或多量子阱結構)可以用作含發(fā)光層的層。
在構成器件功能部位的金屬氮化物層和III族氮化物半導體層(第二種III族氮化物半導體)之間可以形成緩沖層。緩沖層是用第一種III族氮化物半導體制成的。第一種III族氮化物半導體的例子包括AlXGaYIn1-X-YN(0＜X＜1，0＜Y＜1，0＜X+Y＜1)表示的四元化合物半導體；AlXGa1-XN(0＜X＜1)表示的三元化合物半導體；和AlN、GaN和InN。
在MOCVD法中，在約400℃的低溫下在如藍寶石的襯底上直接形成AlN、GaN等的第一種III族氮化物半導體層(緩沖層)。當在約1000℃的高溫下生長第一種III族氮化物半導體時無論如何都能得到優(yōu)選為晶體的金屬氮化物層。因此，在具有良好結晶度的緩沖層上形成的第二種III族氮化物半導體層的結晶度也能夠得到改善。
約1000℃的溫度基本上等于在第一種III族氮化物半導體層(緩沖層)上形成的第二種III族氮化物半導體層(器件功能形成層)的生長溫度。因此，當用MOCVD法形成第一種III族氮化物半導體時，生長溫度優(yōu)選選擇為600℃-1200℃，更優(yōu)選為800℃-1200℃。
當用這種方式將第一種III族氮化物半導體層(緩沖層)的生長溫度設置為等于第二種III族氮化物半導體層(器件功能形成層)的生長溫度時，進行MOCVD法時易于調節(jié)溫度。
另外，當用濺射法在金屬氮化物層上形成由第一種III族氮化物半導體層構成的緩沖層時，得到的緩沖層與用MOCVD法(生長溫度1000℃)得到的緩沖層具有相同或更優(yōu)選的結晶度。因此，在第一種III族氮化物半導體層上形成的第二種III族氮化物半導體層的結晶度也能夠得到改善。另外，當用濺射法形成第一種III族氮化物半導體層(緩沖層)時，與MOCVD法相比，不需要用昂貴的有機金屬如TMA、TMI等作原料，因此可以低成本地形成半導體器件。
下面說明本發(fā)明的實施方案。
(第一個實施方案)該實施方案示出發(fā)光二極管10。圖1示出發(fā)光二極管10的結構。
下面說明各個層。
層 組成摻雜劑P型層18 p-GaNMg含發(fā)光層的層17 含InGaN層N型層16 n-GaNSi緩沖層15 AlN金屬氮化物層14 Ti0.97Al0.03NTi層13 Ti襯底11 藍寶石n型層16可以是在含發(fā)光層的層17一側上的低電子密度的n-層和緩沖層15一側上的高電子密度的n+層的雙層結構。后者稱為“n型接觸層”。
含發(fā)光層的層17不限于超晶格結構。單異質型結構、雙異質型結構和均結型結構等可以用作發(fā)光器件的結構。也可以使用單量子阱結構。
在含發(fā)光層的層17和p型層18之間可以插入具有寬帶隙且摻雜有受體如鎂等的AlXInYGa1-X-YN(包括X＝0，Y＝0和X＝Y＝0)層。這是為了防止射入含發(fā)光層的層17中的電子擴散到p型層18中。
p型層18可以是在含發(fā)光層的層17一側上的低空穴密度的p-層和電極一側上的高空穴密度的p+層的雙層結構。后者稱為“p型接觸層”。
用反應性DC磁子濺射法在藍寶石襯底的a面上形成Ti層13。在循環(huán)氮氣的同時加入作為目標物的Al，以通過反應性DC磁子濺射法在Ti層13上形成TiAlN層14。順便提及，TiAl合金也可以用作目標物。進一步用Al取代該目標物，以通過反應性DC磁子濺射法形成AlN緩沖層15。順便提及，AlN緩沖層15的形成步驟可以省略。
然后將AlN/TiAlN/Ti/藍寶石樣品從濺射裝置轉移到MOCVD裝置的腔室內。在將氫氣和氨氣循環(huán)到腔室內的同時，將樣品加熱到1100℃，并維溫5分鐘。
然后，將溫度保持1100℃的同時，用常規(guī)方法(MOCVD法)形成n型層16和n型層16后面的III族氮化物半導體層。在該生長過程中，將氨氣和III族元素的烷基化合物氣體如三甲基鎵(TMG)、三甲基鋁(TMA)或三甲基銦(TMI)供料到加熱到合適溫度的襯底上進行熱分解反應，從而在襯底上生長所需晶體。
如此形成的III族氮化物半導體層16-18具有良好的結晶度。
透明電極19由含金薄膜構成。疊加透明電極19，使其基本上覆蓋在p型層18的整個上表面上。p型電極20也由含金材料構成。用氣相沉積法在透明電極19上形成p型電極20。
用氣相沉積法在通過蝕刻曝光的n-GaN層16的表面上形成n型電極21。順便提及，也可以用MOCVD法形成AlN緩沖層15。
(第二個實施方案)圖2示出第二個實施方案的發(fā)光二極管25。順便提及，與第一個實施方案中相同的部件用與第一個實施方案中相同的數(shù)字表示，并且不再對它們進行說明。該實施方案的發(fā)光二極管25的結構是從圖1所示的發(fā)光二極管中省去Ti層13。直接在藍寶石襯底上形成金屬氮化物層14。
在具有上述結構的發(fā)光二極管25中，也能得到具有優(yōu)異結晶度的III族氮化物半導體層16-18。
(第三個實施方案)圖3示出第三個實施方案的發(fā)光二極管30。順便提及，與圖2中相同的部件用與圖2中相同的數(shù)字表示，并且不再對它們進行說明。在該實施方案的發(fā)光二極管30中，將在金屬氮化物層14上形成有n型電極21的結構用于圖2所示的發(fā)光二極管。因為金屬氮化物層14的導電性能高于n-GaN層16的導電性能，所以從整體上來說電流能夠更均勻地分布在III族氮化物半導體層中。另外，因為TiAlN的金屬氮化物層14含有與n型電極21相同的元素(Al)，所以能夠降低接觸電阻，改善二者之間的粘結性。
(第四個實施方案)圖4示出第四個實施方案的發(fā)光二極管40。順便提及，與圖1中相同的部件用與圖1中相同的數(shù)字表示，并且不再對它們進行說明。
層組成摻雜劑p型層18 p-GaNMg含發(fā)光層的層17含InGaN層n型層16 n-GaNSi緩沖層15 AlN金屬氮化物層14Ti0.97Al0.03NTi層13Ti襯底11: 硅單晶(111)與第一個實施方案一樣，在Si的(111)表面上形成Ti層13等。
順便提及，Si襯底層41可用作n型電極，因為它具有導電性。順便提及，可以用MOCVD法形成AlN緩沖層15，也不一定用MOCVD法。另外，在Si襯底41和Ti層13之間可以形成膜厚為10nm(100)的Al層。可以省略Ti層13。
(第五個實施方案)圖5示出本發(fā)明第五個實施方案的半導體器件。該實施方案的半導體器件是發(fā)光二極管50。順便提及，與圖4中相同的部件用與圖4中相同的數(shù)字表示，并且不再對它們進行說明。
下面說明各個層。
層 組成摻雜劑n型層58 n-GaNSi含發(fā)光層的層17 :含InGaN層p型層56 p-GaNMg緩沖層15AlN金屬氮化物層14 Ti0.97Al0.03NTi層13 Ti襯底41 :硅單晶(111)
如圖5所示，在緩沖層15上相繼生長p型層56、含發(fā)光層的層17和n型層58，從而形成發(fā)光二極管50。在這種器件50的情況下，可以省略透明電極(見圖4中的參考數(shù)字19)，因為用電阻值低的n型層58作為最上層。
圖中的參考數(shù)字59表示n電極。Si襯底41可直接用作p電極。
順便提及，可以用MOCVD法形成AlN緩沖層15，也不一定用MOCVD法。另外，在Si襯底和Ti之間可以形成膜厚為10nm(100)的Al層。可以省略Ti層13。
(第六個實施方案)圖6示出本發(fā)明的另一個實施方案。順便提及，在圖6中與第一個實施方案中相同的部件用與第一個實施方案中相同的數(shù)字表示，并且不再對它們進行說明。在該實施方案中，TiAlN層64的膜厚是80μm。用MOCVD法在TiAlN層64上形成半導體層15-18(見圖6A)。然后，用王水將Ti層13進行化學燒蝕，將襯底和TiAlN層64分離(見圖6B)。用與第一個實施方案同樣的方式通過氣相沉積法形成電極19、20和61，從而得到該實施方案的發(fā)光二極管60。
盡管該實施方案示出在半導體層15-18形成后通過蝕刻除去Ti層的情況，但是，也可以在部分形成半導體層后除去Ti層13。可以在剛剛形成TiAlN層64，即，得到TiAlN襯底后通過蝕刻除去Ti層13。
如此得到的發(fā)光二極管60具有作為其襯底的堆積TiAlN襯底。因為TiAlN具有導電性，所以TiAlN層64本身可用作電極。另外，因為TiAlN具有金屬光澤，所以含發(fā)光層的層發(fā)射的光可有效地被反射向發(fā)射觀察表面?zhèn)?該圖的項側)。
(第七個實施方案)圖7示出本發(fā)明的另一個實施方案。順便提及，與圖6中相同的部件用與圖6中相同的數(shù)字表示，并且不再對它們進行說明。在該實施方案中，用MOCVD法在緩沖層15上相繼生長p型層76、含發(fā)光層的層17和n型層78。在該實施方案的情況下，可以省略透明電極(見圖6中的參考數(shù)字19)，因為用電阻值低的n型層78作為最上層。
然后，用王水將Ti層13進行化學刻蝕，將襯底和TiAlN層64分離(見圖7B)。用與第五個實施方案同樣的方式通過氣相沉積法形成電極79，從而得到該實施方案的發(fā)光二極管70。
盡管該實施方案示出在半導體層76、17和78形成后通過蝕刻除去Ti層13的情況，但是，也可以在部分形成半導體層后除去Ti層13?？梢栽趧倓傂纬蒚iAlN層64后通過蝕刻除去Ti層13。即，得到TiAlN襯底。
如此得到的發(fā)光二極管70具有作為其襯底的堆積TiAlN襯底。因為TiAlN具有導電性，所以TiAlN襯底64本身可用作電極。另外，因為TiAlN具有金屬光澤，所以含發(fā)光層的層發(fā)射的光可有效地被反射向發(fā)射觀察表面?zhèn)?該圖的頂側)。
盡管上述實施方案已經示出用DC磁子濺射法形成緩沖層的情況，但是也可以用MOCVD等方法形成緩沖層(但生長溫度是1000℃的高溫)。
工業(yè)應用性本發(fā)明適用的器件不限于上述發(fā)光二極管。例如，本發(fā)明還適用于光學器件如光學探傷儀、激光二極管、太陽能電池等；雙極性器件如整流器、半導體閘流管、晶體管等；單極器件如FET等；和電子器件如微波器件等。
本發(fā)明還適用于作為這些器件中間產品的迭片。
本發(fā)明絕對不限于本發(fā)明的上述實施方式及其實施方案，而是包括只要不背離本專利的權利要求書的保護范圍，本領域普通技術人員易于想到的各種改動。
盡管前面已經參照具體實施方案對本發(fā)明進行了詳述，但是對于本領域普通技術人員來說顯而易見的是，在不背離本發(fā)明的精神和保護范圍的情況下可以進行各種變動或改進。
本申請的基礎是2001年1月15日申請的日本專利申請(2001-007038)，此處引入該專利申請作為本申請的一部分加以參考。
本發(fā)明公開了下述幾個方面。
首先，本發(fā)明公開了一種III族氮化物半導體器件，其具有硅襯底；形成在硅襯底上并且由(Ti1-XAX)N制成的金屬氮化物層，其中，A是選自A1、Ga和In中的至少一種金屬；和形成在金屬氮化物層上的III族氮化物半導體層。優(yōu)選地是，金屬A是Al，其組成x是0.01-0.6。另外，III族氮化物半導體器件可以用作發(fā)光器件或光電探測器。
第二，本發(fā)明公開了一種III族氮化物半導體器件，其具有藍寶石襯底；形成在藍寶石襯底上并且由(Ti1-XAX)N制成的金屬氮化物層，其中，A是選自Al、Ga和In中的至少一種金屬；和形成在金屬氮化物層上的III族氮化物半導體層。優(yōu)選地是，金屬A是Al，其組成x是0.01-0.6。另外，III族氮化物半導體器件可以用作發(fā)光器件或光電探測器。另外，因為金屬氮化物層具有導電性，所以可以在通過蝕刻III族氮化物半導體層而曝光的金屬氮化物層的一部分上形成n電極。
第三，本發(fā)明公開了一種迭片，其具有由(Ti1-XAX)N制成的金屬氮化物層，其中，A是選自Al、Ga和In中的至少一種金屬；形成在金屬氮化物層上的III族氮化物半導體層。優(yōu)選地是，金屬A是Al，其組成x是0.01-0.6。另外，在襯底和金屬氮化物層之間可以設置Ti層。另外，迭片可以用作發(fā)光器件或光電探測器。
第四，本發(fā)明公開了一種迭片的生產方法，其具有下述步驟在襯底上形成鈦層；在鈦層上形成金屬氮化物層，從而金屬氮化物層由(Ti1-XAX)N制成，其中，A是選自Al、Ga和In中的至少一種金屬；在金屬氮化物層上形成III族氮化物半導體層。該方法還可以具有通過化學刻蝕鈦層而將襯底和金屬氮化物層分離的步驟。優(yōu)選地是，金屬A是Al，其組成x是0.01-0.6。另外，襯底優(yōu)選選自藍寶石、碳化硅、氮化鎵、硅、磷化鎵、二硼化鋯和砷化鎵。
第五，本發(fā)明公開了一種迭片，其具有硅襯底；形成在硅襯底上并且由(Ti1-XAX)N制成的金屬氮化物層，其中，A是選自Al、Ga和In中的至少一種金屬；和形成在金屬氮化物層上的III族氮化物半導體層。優(yōu)選地是，金屬A是Al，其組成x是0.01-0.6。另外，迭片可以用作發(fā)光器件或光電探測器。
第六，本發(fā)明公開了一種迭片，其具有藍寶石襯底；形成在藍寶石襯底上并且由(Ti1-XAX)N制成的金屬氮化物層，其中，A是選自Al、Ga和In中的至少一種金屬；和形成在金屬氮化物層上的III族氮化物半導體層。優(yōu)選地是，金屬A是Al，其組成x是0.01-0.6。另外，迭片可以用作發(fā)光器件或光電探測器。另外，因為金屬氮化物層具有導電性，所以可以在通過蝕刻III族氮化物半導體層而曝光的金屬氮化物層的一部分上形成n電極。
權利要求
1.一種III族氮化物半導體器件，其包括由(Ti1-XAX)N制成的金屬氮化物層，其中，A是選自A1、Ga和In中的至少一種金屬；和形成在所說的金屬氮化物層上的III族氮化物半導體層。
2.根據(jù)權利要求1的III族氮化物半導體器件，其中，所說的金屬A是Al。
3.根據(jù)權利要求1的III族氮化物半導體器件，其中，所說的金屬A的組成x是0.01-0.6。
4.根據(jù)權利要求1的III族氮化物半導體器件，其還包括襯底和形成在所說的襯底和所說的金屬氮化物層之間的Ti層。
5.根據(jù)權利要求1的III族氮化物半導體器件，其中，所說的III族氮化物半導體器件是發(fā)光器件或光電探測器。
6.一種生產III族氮化物半導體器件的方法，其包括下述步驟在襯底上形成鈦層；在所說的鈦層上形成金屬氮化物層，從而所說的金屬氮化物層由(Ti1-XAX)N制成，其中，A是選自Al、Ga和In中的至少一種金屬；和在所說的金屬氮化物層上形成III族氮化物半導體層。
7.根據(jù)權利要求6的生產III族氮化物半導體器件的方法，其還包括通過化學刻蝕所說的鈦層而將所說的襯底和所說的金屬氮化物層分離的步驟。
8.根據(jù)權利要求6的生產III族氮化物半導體器件的方法，其中，所說的金屬A是Al。
9.根據(jù)權利要求6的生產III族氮化物半導體器件的方法，其中，所說的金屬A的組成x是0.01-0.6。
10.根據(jù)權利要求6的生產III族氮化物半導體器件的方法，其中，所說的襯底是選自藍寶石、碳化硅、氮化鎵、硅、磷化鎵、二硼化鋯和砷化鎵中的一種。
全文摘要
在本發(fā)明中，用(Ti
文檔編號H01L21/20GK1486513SQ02803753
公開日2004年3月31日 申請日期2002年1月10日 優(yōu)先權日2001年1月15日
發(fā)明者千代敏明, 伊藤潤, 柴田直樹, 樹 申請人:豐田合成株式會社