技術(shù)編號(hào)：6971955
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及III族氮化物半導(dǎo)體器件。背景技術(shù) 日本未審公開(kāi)專利平-09-237938中公開(kāi)了用具有氯化鈉結(jié)構(gòu)作為底涂層的金屬氮化物的(111)面作為襯底，以得到具有良好結(jié)晶度的III族氮化物半導(dǎo)體層。即，在該政府公報(bào)中，用具有氯化鈉結(jié)構(gòu)的金屬氮化物作為襯底，在金屬氮化物的(111)面上生長(zhǎng)III族氮化物半導(dǎo)體層。日本未審公開(kāi)專利平-10-321954中也公開(kāi)了在襯底和III族氮化物半導(dǎo)體層之間插入具有氯化鈉型或六方形晶體結(jié)構(gòu)的過(guò)渡金屬氮化物導(dǎo)電層。作為過(guò)渡...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。