專利名稱：氮化鎵基led的發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種氮化鎵基LED的發(fā)光裝置，尤指一種適用于氮化鎵基(GaN-based)III-V族材料的發(fā)光二極管者(light-emitting diode簡稱LED)，主要系利用光的來回共振，刺激量子井(Quantum Well)內(nèi)電子與電洞再結(jié)合(recombine)的速率，以提升氮化鎵基LED的發(fā)光效率(Luminous Efficiency)；該發(fā)光裝置包括一基板、一n-GaN基的磊晶沉積層、一多量子井(Multi-Quantum Well，簡稱MQW)的活性層(Activelayer)、一p-型布拉格反射鏡(Distributed Bragg Reflector，簡稱DBR)、一p-GaN基的磊晶沉積層、一n型金屬電極(n-type metal contact)、及一p型金屬電極(p-type metal contact)，且基板底部并設(shè)有一金屬反射層(metal Reflector)，具有成本較低及易于制造等特性。
背景技術(shù)：
按，傳統(tǒng)的LED皆系由P-N結(jié)(Junction)中的活性層產(chǎn)生光，由于公知的氮化鎵基LED，光在產(chǎn)生后即直接發(fā)散，因此，在本身材料的吸收及折射率(refractive index)的影響下，發(fā)光效率仍未盡理想，實用上應(yīng)有再予精進(jìn)改善的需要。再者，因市場的因素，LED的制造成本亦為重要的考量，業(yè)界雖亟欲獲致高發(fā)光效率的LED，惟，實務(wù)上仍需兼顧成本，方能具有競爭力。
實用新型內(nèi)容本實用新型的主要目的，即為提供一種氮化鎵基LED的發(fā)光裝置，系利用光的來回共振，刺激量子井內(nèi)電子與電洞再結(jié)合的速率，以提升氮化鎵基LED的發(fā)光效率；包括一基板、一n-GaN基的磊晶沉積層、一多量子井(MQW)的活性層、一p-型布拉格反射鏡(DBR)、一p-GaN基的磊晶沉積層、一n型金屬電極、及一p型金屬電極，且基板底部并設(shè)有一金屬反射層，而具有成本較低及易于制造等特性。
本實用新型所采取的技術(shù)方案為一種氮化鎵基LED的發(fā)光裝置，包括一基板、一n-GaN層、一MQW活性層、一p-型DBR、一接觸層、一n型金屬電極、及一p型金屬電極等構(gòu)成；其中
該基板，系可為藍(lán)寶石(sapphire)材質(zhì)，基板的上表面可成長一緩沖層，且基板的下表面可鍍有一金屬反射層；該n-GaN層、MQW活性層、及p-型DBR，系為依序磊晶成長于緩沖層上的磊晶沉積層，且通電后，MQW活性層為由「電產(chǎn)生光」的光產(chǎn)生層，波長(λ)可在380nm至600nm間；該接觸層，系為p-GaN系(p-GaN-based)的磊晶沉積層，且成長在p-型DBR上；該n型金屬電極，系設(shè)置在n-GaN層的露出面上；該p型金屬電極，系設(shè)置在p-GaN層上；由此，以構(gòu)成一氮化鎵基(GaN-based)LED的發(fā)光裝置。
一種氮化鎵基LED的發(fā)光裝置，包括一基板、一n-型DBR、一n-GaN層、一MQW活性層、一p-型DBR、一接觸層、一n型金屬電極、及一p型金屬電極等構(gòu)成；其中該基板，系可為藍(lán)寶石(sapphire)材質(zhì)，基板的上表面可成長一緩沖層；該n-型DBR、n-GaN層、MQW活性層、及p-型DBR，系為依序磊晶成長于緩沖層上的磊晶沉積層，且通電后，MQW活性層為由「電產(chǎn)生光」的光產(chǎn)生層，波長(λ)可在380nm至600nm間；該接觸層，系為p-GaN系(p-GaN-based)的磊晶沉積層，且成長在p-型DBR上；該n型金屬電極，系設(shè)置在n-GaN層的露出面上；該p型金屬電極，系設(shè)置在p-GaN層上；由此，以構(gòu)成一氮化鎵基(GaN-based)LED的發(fā)光裝置。
本實用新型所具有的有益效果為1、本實用新型系適用于氮化鎵基LED，使聚集在量子井內(nèi)的電子與電洞，因光的來回共振而受到刺激，以提高電子與電洞的再結(jié)合(recombine)速率，故可增益發(fā)光效率；2、本實用新型可在兼顧成本的考量下，提升氮化鎵基LED的發(fā)光效率，尤其，以金屬反射層作為共振腔(Resonant Cavity)的下方鏡面，成本較低；3、本實用新型可在兼顧制造難易度的考量下，提升氮化鎵基LED的發(fā)光效率，尤其，以金屬反射層作為共振腔的下方鏡面，制造上較為簡單，且若以藍(lán)寶石(sapphire)作為基板，更可獲致較高的反射率。
本實用新型的特征、技術(shù)手段、具體功能、以及具體的實施例，繼以圖式、圖號詳細(xì)說明如后。


以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進(jìn)一步說明。
圖1為本實用新型較佳實施例的立體示意圖；圖2為本實用新型較佳實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3及圖4為圖2磊晶結(jié)構(gòu)的一特例；圖5為本實用新型第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為圖5磊晶結(jié)構(gòu)的一特例；圖7為本實用新型第三實施例的立體示意圖；圖8為本實用新型第三實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9及圖10為圖8磊晶結(jié)構(gòu)的一特例；圖11為本實用新型第四實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖12為圖11磊晶結(jié)構(gòu)的一特例。
具體實施方式
請參閱圖1至圖3所示，在較佳實施例中，本實用新型的發(fā)光裝置包括一基板10、一n-GaN層13、一MQW活性層14、一p-型DBR15、一接觸層16、一n型金屬電極17、及一p型金屬電極18等構(gòu)成；其中該基板10，系可為藍(lán)寶石(sapphire)、或碳化硅(SiC)、或氮化鎵(GaN)等材質(zhì)，基板10的上表面10a可成長一緩沖層11，基板10的下表面10b可鍍有一金屬反射層19，且金屬反射層19的反射率可在90％以上；該n-GaN層13及MQW活性層14，系為依序磊晶成長于緩沖層11上的磊晶沉積層，且通電后，MQW活性層14為由「電產(chǎn)生光」的光產(chǎn)生層(lightgenerating layer)，波長(λ)可在380nm至600nm間；該p-型DBR15，系為成長于MQW活性層14上，反射率(ReflectiveIndex)可在50％至80％間；該接觸層，系為p-GaN系(p-GaN-based，例如p-GaN、p-InGaN、p-AlInGaN)的磊晶沉積層16，且成長在p-型DBR15上；該n型金屬電極17，系設(shè)置在n-GaN層13的露出面13a上；該p型金屬電極18，系設(shè)置在p-GaN層16上；由此，可經(jīng)由后續(xù)的晶粒加工、設(shè)置、接線、及樹脂灌膜封裝，而構(gòu)成一氮化鎵基(GaN-based)的發(fā)光二極管。
此間應(yīng)予以說明者，乃在于在較佳實施例中，該發(fā)光裝置的制成方式如下先在基板10的上表面10a形成一緩沖層11，基板10可為藍(lán)寶石(sapphire)、或碳化硅(SiC)、或氮化鎵(GaN)等材質(zhì)；再于緩沖層11上形成一層n-GaN系磊晶沉積層13；再于n-GaN系磊晶沉積層13上形成一MQW活性層14，且MQW活性層14產(chǎn)生光的波長(λ)可在380nm至600nm間；再于MQW活性層14上形成一p-型布拉格反射鏡(DBR)15；再于p-型布拉格反射鏡(DBR)15上形成一層p-GaN系(p-GaN-based，例如p-GaN、p-InGaN、p-AlInGaN)的磊晶沉積層16，且以蝕刻法(Etching)將部份n-GaN層13表面、部份MQW活性層14、部份p-型布拉格反射鏡15、及部份p-GaN層16移除，使n-GaN層13具有一露出面13a，且可在露出面13a上設(shè)置一n型金屬電極17，并在p-GaN層16上設(shè)置一p型金屬電極18；最后，基板10的底部可由電鍍或濺鍍(sputtering)的方式設(shè)有一金屬反射層19；由此，即可構(gòu)成一氮化鎵基(GaN-based)LED的發(fā)光裝置。
此間擬提出說明者，乃在于根據(jù)國際照明委員會所制定的CIE色品圖(CIE Chromaticity diagram)，一般若本實用新型的MQW活性層14，在通電后產(chǎn)生光的波長(λ)在465nm至485nm間，則本實用新型裝置即可構(gòu)成一藍(lán)色光系LED的發(fā)光裝置；若本實用新型的MQW活性層14，在通電后產(chǎn)生光的波長(λ)在495nm至540nm間，則本實用新型裝置即可構(gòu)成一綠色光系LED的發(fā)光裝置；而若本實用新型的MQW活性層14，在通電后產(chǎn)生光的波長(λ)在560nm至580nm間，則本實用新型裝置即可構(gòu)成一黃色光系LED的發(fā)光裝置；當(dāng)然，本實用新型可適用的范圍在380nm至600nm間，除了前述三個特定波長區(qū)段所構(gòu)成的較純色系LED的發(fā)光裝置外，亦可構(gòu)成其它過渡色系LED的發(fā)光裝置。
如圖3及圖4所示，為該發(fā)光裝置的磊晶結(jié)構(gòu)特例，其中第一、二層111，可為LT-GaN/HT-GaN的緩沖層，LT-GaN系為先成長在基板101上的低溫緩沖層，厚度可在30至500，HT-GaN系為成長在LT-GaN上的高溫緩沖層，厚度可在0.5至6μm；第三層131，可為n-GaN的半導(dǎo)體層，厚度可在2至6μm；第四層141，可為InGaN/GaN的MQW；第五層151，可為p-AlGaN/GaN的DBR；第六層161，可為p+-GaN-based的半導(dǎo)體層，厚度可在0.2至0.5μm；且磊晶結(jié)構(gòu)系成長在基板101上，該基板101，可為藍(lán)寶石(sapphire)、或碳化硅(SiC)、或氮化鎵(GaN)的基板，制造上，一般基板101系先以300至500μm的厚度進(jìn)行磊晶，俟磊晶完成后，再由基板101的底部研磨成50至300μm的厚度，并于底部以電鍍或濺鍍的方式鍍上金屬反射層191；該金屬反射層191，可為Ag/Al材質(zhì)(即先鍍上銀，再于鍍上鋁，使銀不致外露)，或為Ag材質(zhì)，或任何金屬材質(zhì)，厚度可在50至10μm
請參閱圖5所示，在第二實施例中，該發(fā)光裝置，進(jìn)一步可在蝕刻后剩余的p-GaN層16上，以磊晶的方式成長一適當(dāng)厚度且可透光的金屬氧化層20，而作為窗口層；其中，該金屬氧化層20，可為具有較佳的可見光透光性范圍(transparency in visible range)的金屬氧化層者，例如范圍約在380nm至600nm者。
請參閱圖6所示，為該發(fā)光裝置第二實施例的磊晶結(jié)構(gòu)特例，其中第一、二層111、第二層121、第三層131、第四層141、第五層151、第六層161、基板101、及金屬反射層191等，與較佳實施例相同；第七層201，系可為ZnO材質(zhì)的金屬氧化層，或ZnO摻雜Al的金屬氧化層，厚度可在50至50μm。
此間應(yīng)再予以說明者，乃在于該金屬氧化層20，進(jìn)一步可為InxZn1-xO、或SnxZn1-xO、或InxSnyZn1-x-yO等材質(zhì)所構(gòu)成的金屬氧化層者，且0≤X≤1，且0≤Y≤1，且0≤X+Y≤1；或可為折射率(refractive index)至少在1.5的金屬氧化層者；或可為n型傳導(dǎo)(n-type conduction)或p型傳導(dǎo)(p-type conduction)的金屬氧化層者；或可為摻雜有稀土元素(rareearth-doped)的金屬氧化層者。
此間應(yīng)再予以說明者，乃在于該發(fā)光裝置，進(jìn)一步可在金屬氧化層20的裸露表面(即金屬氧化層20表面不含與p型金屬電極18接觸的部份)，施予表面處理，而具有粗糙表面(Rough Surface)21或壓花紋路，以增益光的逃脫放出。
請參閱圖7至圖9所示，在第三實施例中，本實用新型的發(fā)光裝置包括一基板30、一n-型DBR32、一n-GaN層34、一MQW活性層35、一p-型DBR36、一接觸層、一n型金屬電極38、及一p型金屬電極39等構(gòu)成；其中該基板30，系可為藍(lán)寶石(sapphire)、或碳化硅(SiC)、或氮化鎵(GaN)等材質(zhì)，基板30的上表面30a可成長一緩沖層31；該n-型DBR32、n-GaN層34、MQW活性層35、及p-型DBR36，系為依序磊晶成長于緩沖層31上的磊晶沉積層，且通電后，MQW活性層35為由「電產(chǎn)生光」的光產(chǎn)生層，波長(λ)可在380nm至600nm間，n-型DBR32及p-型DBR36的反射率(Reflective Index)并低于90％以下；該接觸層，系為p-GaN系(p-GaN-based，例如p-GaN、p-InGaN、p-AlInGaN)的磊晶沉積層37，且成長在p-型DBR36上；該n型金屬電極38，系設(shè)置在n-GaN層34的露出面34a上；
該p型金屬電極39，系設(shè)置在p-GaN層37上；由此，可經(jīng)由后續(xù)的晶粒加工、設(shè)置、接線、及樹脂灌膜封裝，而構(gòu)成一氮化鎵基(GaN-based)的發(fā)光二極管。
此間應(yīng)予以說明者，乃在于在第三實施例中，該發(fā)光裝置的制成方式如下先在基板30的上表面30a形成一緩沖層31，基板30可為藍(lán)寶石(sapphire)、或碳化硅(SiC)、或氮化鎵(GaN)等材質(zhì)；再于緩沖層31上形成一n-型布拉格反射鏡(DBR)32；再于n-型DBR32上形成一n-GaN系磊晶沉積層34；再于n-GaN系磊晶沉積層34上形成一MQW活性層35，且MQW活性層35產(chǎn)生光的波長(λ)可在380nm至600nm間；再于MQW活性層35上形成一p-型布拉格反射鏡(DBR)36；再于p-型布拉格反射鏡(DBR)36上形成一層p-GaN系(p-GaN-based，例如p-GaN、p-InGaN、p-AlInGaN)的磊晶沉積層37，且以蝕刻法將部份n-GaN層34表面、部份MQW活性層35、部份p-型布拉格反射鏡36、及部份p-GaN層37移除，使n-GaN層34具有一露出面34a，且可在露出面34a上設(shè)置一n型金屬電極38，并在p-GaN層37上設(shè)置一p型金屬電極39；由此，即可構(gòu)成一氮化鎵基(GaN-based)LED的發(fā)光裝置。
如圖9及圖10所示，系為該發(fā)光裝置第三實施例的磊晶結(jié)構(gòu)特例，其中第一、二層311，可為LT-GaN/HT-GaN的緩沖層，LT-GaN系為先成長在基板301上的低溫緩沖層，厚度可在30至500，HT-GaN系為成長在LT-GaN上的高溫緩沖層，厚度可在0.5至6μm；第三層321，可為n-AlGaN/GaN的DBR；第四層341，可為n-GaN的半導(dǎo)體層，厚度可在2至6μm；第五層351，可為InGaN/GaN的MQW；第六層361，可為p-AlGaN/GaN的DBR；第七層371，可為p+-GaN-based的半導(dǎo)體層，厚度可在0.2至0.5μm；且磊晶結(jié)構(gòu)系成長在基板301上，該基板301，可為藍(lán)寶石(sapphire)、或碳化硅(SiC)、或硅(Si)、或氮化鎵(GaN)的基板，厚度可在300至500μm。
請參閱圖11所示，在第四實施例中，該發(fā)光裝置，進(jìn)一步可在蝕刻后剩余的p-GaN層37上，以磊晶的方式成長一適當(dāng)厚度且可透光的金屬氧化層40，而作為窗口層；其中，該金屬氧化層40，可為具有較佳的可見光透光性范圍的金屬氧化層者，例如范圍約在380至600nm者。
請參閱圖12示，系為該發(fā)光裝置第四施例的磊晶結(jié)構(gòu)特例，其中第一、二層311、第三層321、第四層341、第五層351、第六層361、第七層371、及基板301等，與第四實施例相同；第八層401，系可為ZnO材質(zhì)的金屬氧化層，或ZnO摻雜Al的金屬氧化層，厚度可在50至50μm。
此間應(yīng)再予以說明者，乃在于該金屬氧化層40，進(jìn)一步可為InxZn1-xO、或SnxZn1-xO、或InxSnyZn1-x-yO等材質(zhì)所構(gòu)成的金屬氧化層者，且0≤X≤1，且0≤Y≤1，且0≤X+Y≤1；或可為折射率(refractive index)至少在1.5的金屬氧化層者；或可為n型傳導(dǎo)(n-type conduction)或p型傳導(dǎo)(p-type conduction)的金屬氧化層者；或可為摻雜有稀土元素(rareearth-doped)的金屬氧化層者。
此間應(yīng)再予以說明者，乃在于該發(fā)光裝置，進(jìn)一步可在金屬氧化層40的裸露表面(即金屬氧化層40表面不含與p型金屬電極39接觸的部份)，進(jìn)一步施予表面處理，而具有粗糙表面41或壓花紋路，以增益光的逃脫放出。
再者，本實用新型的磊晶結(jié)構(gòu)，系可由濺鍍自我組織(self-texturing by sputtering)法所形成，或可由物理氣相沉積(physical vapor deposition)法所形成，或可由離子電鍍(ionplating)法所形成，或可由脈沖雷射蒸鍍(pulsed laser evaporation)法所形成，或可由化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition)法所形成，或可由分子束磊晶成長(molecular beam epitaxy)法所形成。
權(quán)利要求1.一種氮化鎵基LED的發(fā)光裝置，包括一基板、一n-GaN層、一MQW活性層、一p-型DBR、一接觸層、一n型金屬電極、及一p型金屬電極等構(gòu)成；其特征在于該基板，系可為藍(lán)寶石(sapphire)材質(zhì)，基板的上表面可成長一緩沖層，且基板的下表面可鍍有一金屬反射層；該n-GaN層、MQW活性層、及p-型DBR，系為依序磊晶成長于緩沖層上的磊晶沉積層，且通電后，MQW活性層為由「電產(chǎn)生光」的光產(chǎn)生層，波長(λ)可在380nm至600nm間；該接觸層，系為p-GaN系(p-GaN-based)的磊晶沉積層，且成長在p-型DBR上；該n型金屬電極，系設(shè)置在n-GaN層的露出面上；該p型金屬電極，系設(shè)置在p-GaN層上；由此，以構(gòu)成一氮化鎵基(GaN-based)LED的發(fā)光裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基LED的發(fā)光裝置，其特征在于該發(fā)光裝置的磊晶結(jié)構(gòu)特例，系為一LT-GaN/HT-GaN的緩沖層，LT-GaN系為先成長在基板上的低溫緩沖層，厚度可在30至500，HT-GaN系為成長在LT-GaN上的高溫緩沖層，厚度可在0.5至6μm；一n-GaN的半導(dǎo)體層，厚度可在2至6μm；一InGaN/GaN的MQW層；一p-AlGaN/GaN的DBR；一p+-GaN-based的半導(dǎo)體層，厚度可在0.2至0.5μm；且該基板，可為藍(lán)寶石(sapphire)材質(zhì)，先以300至500μm的厚度進(jìn)行磊晶，磊晶完成后，再由底部研磨成50至300μm的厚度，并于底部以電鍍或濺鍍的方式，鍍上厚度為50至10μm材質(zhì)為Ag/Al的金屬反射層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基LED的發(fā)光裝置，其特征在于該基板，亦可為碳化硅(SiC)、或氮化鎵(GaN)等材質(zhì)；該金屬反射層，亦可為Ag材質(zhì)，或任何金屬材質(zhì)，反射率可在90％以上；該p-型DBR的反射率，可在50％至80％間；該接觸層，亦可為p-InGaN、或p-AlInGaN的磊晶沉積層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基LED的發(fā)光裝置，其特征在于該接觸層上，進(jìn)一步可成長有一ZnO、或ZnO摻雜Al的金屬氧化層，或InxZn1-xO、SnxZn1-xO、InxSnyZn1-x-yO的金屬氧化層，厚度可在50至50μm，且0≤X≤1，且0≤Y≤1，且0≤X+Y≤1。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氮化鎵基LED的發(fā)光裝置，其特征在于該金屬氧化層，亦可為折射率至少在1.5的金屬氧化層，或摻雜有稀土元素(rare earth-doped)的金屬氧化層，或具有較佳的可見光透光性范圍(約在380nm至600nm間)的金屬氧化層，或n型傳導(dǎo)或p型傳導(dǎo)的金屬氧化層者。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氮化鎵基LED的發(fā)光裝置，其特征在于該金屬氧化層的厚度，可在50至50μm間，且進(jìn)一步可在裸露表面上施予表面處理，而具有粗糙表面或壓花紋路。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基LED的發(fā)光裝置，其特征在于該發(fā)光裝置亦可由一基板、一n-型DBR、一n-GaN層、一MQW活性層、一p-型DBR、一接觸層、一n型金屬電極、及一p型金屬電極等所構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氮化鎵基LED的發(fā)光裝置，其特征在于該基板，系可為藍(lán)寶石(sapphire)材質(zhì)，基板的上表面可成長一緩沖層；該n-型DBR、n-GaN層、MQW活性層、及p-型DBR，系為依序磊晶成長于緩沖層上的磊晶沉積層，且通電后，MQW活性層為由「電產(chǎn)生光」的光產(chǎn)生層，波長(λ)可在380nm至600nm間；該接觸層，系為p-GaN系(p-GaN-based)的磊晶沉積層，且成長在p-型DBR上；該n型金屬電極，系設(shè)置在n-GaN層的露出面上；且該p型金屬電極，系設(shè)置在p-GaN層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氮化鎵基LED的發(fā)光裝置，其特征在于該發(fā)光裝置的磊晶結(jié)構(gòu)特例，系為一LT-GaN/HT-GaN的緩沖層，LT-GaN系為先成長在基板上的低溫緩沖層，厚度可在30至500，HT-GaN系為成長在LT-GaN上的高溫緩沖層，厚度可在0.5至6μm；一n-AlGaN/GaN的DBR；一n-GaN的半導(dǎo)體層，厚度可在2至6μm；一InGaN/GaN的MQW層；一p-AlGaN/GaN的DBR；一p+-GaN-based的半導(dǎo)體層，厚度可在0.2至0.5μm；且該基板，可為藍(lán)寶石(sapphire)材質(zhì)，厚度可在300至500μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氮化鎵基LED的發(fā)光裝置，其特征在于該基板，亦可為碳化硅(SiC)、或硅(Si)、或氮化鎵(GaN)等材質(zhì)；該n-型DBR及p-型DBR，系為反射率低于90％以下者；該接觸層，亦可為p-InGaN、或p-AlInGaN的磊晶沉積層。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氮化鎵基LED的發(fā)光裝置，其特征在于該接觸層上，進(jìn)一步可成長有一ZnO、或ZnO摻雜Al的金屬氧化層，或InxZn1-xO、SnxZn1-xO、InxSnyZn1-x-yO的金屬氧化層，厚度可在50至50μm，且0≤X≤1，且0≤Y≤1，且0≤X+Y≤1。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的氮化鎵基LED的發(fā)光裝置，其特征在于該金屬氧化層，亦可為折射率至少在1.5的金屬氧化層，或摻雜有稀土元素(rare earth-doped)的金屬氧化層，或具有較佳的可見光透光性范圍(約在380nm至600nm間)的金屬氧化層，或n型傳導(dǎo)或p型傳導(dǎo)的金屬氧化層者。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的氮化鎵基LED的發(fā)光裝置，其特征在于該金屬氧化層的厚度，可在50至50μm間，且進(jìn)一步可在裸露表面上施予表面處理，而具有粗糙表面或壓花紋路。
專利摘要本實用新型涉及一種氮化鎵基LED的發(fā)光裝置，系利用光的來回共振，刺激量子井內(nèi)電子與電洞再結(jié)合的速率，以提升氮化鎵基LED的發(fā)光效率；包括一基板、一n－GaN基的磊晶沉積層、一多量子井的活性層、一p－型布拉格反射鏡(DBR)、一p－GaN基的磊晶沉積層、一n型金屬電極、及一p型金屬電極，且基板底部并設(shè)有一金屬反射層，具有成本較低及易于制造等特性。
文檔編號H01L33/00GK2593371SQ0229259
公開日2003年12月17日 申請日期2002年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月26日
發(fā)明者洪詳竣, 黃振斌 申請人:炬鑫科技股份有限公司