技術(shù)編號(hào)：6965515
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種氮化鎵基LED的發(fā)光裝置，尤指一種適用于氮化鎵基(GaN-based)III-V族材料的發(fā)光二極管者(light-emitting diode簡(jiǎn)稱LED)，主要系利用光的來回共振，刺激量子井(Quantum Well)內(nèi)電子與電洞再結(jié)合(recombine)的速率，以提升氮化鎵基LED的發(fā)光效率(Luminous Efficiency)；該發(fā)光裝置包括一基板、一n-GaN基的磊晶沉積層、一多量子井(Multi-Quantum Well，簡(jiǎn)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。