專利名稱：制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種制作接觸孔的方法，特別是涉及一種制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法。
背景技術：
在半導體技術中，金屬氧化半導體(metal-oxide-semiconductor；MOS)晶體管(transistor)是由柵極(gate)、源極(source)與漏極(drain)等三個電極所構成，其中MOS便是構成柵極結構的主體。早期的MOS是由金屬層(metal layer)、二氧化硅(SiO2)與含硅基底(silicon-based substrate)等三層材料所組成的。但是，由于大多數(shù)的金屬對于二氧化硅的附著能力(adhesion)很差，所以對于二氧化硅具有較佳附著能力的多晶硅(polysilicon)便被提出以取代金屬層。然而，使用多晶硅卻有電阻值太高的問題存在。即使多晶硅經(jīng)過摻雜，其電阻值還是太高，并不適合用來取代MOS的金屬層。于是，熟悉此技藝人士便提出一解決方法，也就是再多加一層厚度與多晶硅層相當?shù)慕饘俟杌?metal silicide)于多晶硅的表面，利用導電性較佳的金屬硅化物與多晶硅共同組成導電層。然后，在形成接觸孔以制作內(nèi)連線于整個柵極層上方。
公知的制作接觸孔于硅化物柵極層上方的方法簡述如下。
首先，請參照圖1A，提供一硅基底100，包含有一柵極氧化層(gate oxide)102，形成于基底100表面上；由一多晶硅層104與一金屬硅化物層106所構成的一柵極導電結構，形成于柵極氧化層102表面上，其中金屬硅化物可為硅化鎢、硅化鈦或硅化鈷；形成于整個柵極導電結構的側壁上的一對氮化硅間隔物108；一對離子布植區(qū)S、D，形成于具有氮化硅間隔物108的柵極導電結構兩側的基底100表面上，是用來作為一源/漏極區(qū)(source/drain)。
接下來，順應性形成一蝕刻終止層110于整個基底表面上。此蝕刻終止層110的材料以氮化硅或氮氧化硅較佳，其厚度約為250-300。
接著，請參見圖1B，形成一內(nèi)層介電層112于整個基底表面。在整個基底表面沉積一種或一種以上的絕緣材料，作為內(nèi)層介電層(Inter LayerDielectrics；ILD)112，例如硼磷硅玻璃(BPSG)、四乙氧基硅烷氧化層(TEOS)、旋涂式玻璃(SOG)，例如，可在SiH4，PH3，B2H6的環(huán)境下，使用常壓化學氣相沉積法(APCVD)，形成硼磷硅玻璃，或者，可使用四乙氧基硅烷(TEOS；tetraethyl-ortho-silicate)為反應氣體，利用低壓化學氣相沉積法(LPCVD)以形成氧化硅層。較佳者，內(nèi)層介電層112可借助化學機械研磨法(chemicalmechanical polishing；CMP)進行平坦化處理，以得到一平坦的上表面。
接著，請參見圖1C，例如利用旋涂法(spin coating)與適當微影顯像程序，形成具有預定圖案的一圖案化光阻114，覆蓋于內(nèi)層介電層112表面，僅露出硅化鎳層106上方預定形成接觸孔的區(qū)域。
接著，請參見圖ID，以圖案化光阻114為罩幕，蝕刻內(nèi)層介電層112，以形成一接觸孔I于硅化鎳柵極106上方的內(nèi)層介電層112內(nèi)，直到露出蝕刻終止層110表面為止。內(nèi)層介電層212的蝕刻可使用含有C4F8/C2H2F2/Ar的混合氣體或是含有C2F8/O2/Ar的混合氣體進行等離子蝕刻。
最后，請參見圖1E，去除圖案化光阻114后，再去除部份接觸孔I內(nèi)的蝕刻終止層110，便完成制作接觸孔于金屬硅化物上方。
常見的金屬硅化物有早期的硅化鎢(WSi)與硅化鈦(TiSi2)，而到了0.18μm以下的工序則以硅化鈷(CoSi)為主，然而，硅化鈷會有漏電流(current leakage)的問題，因此，硅化鎳(NiSix)的采用成了目前熱門研究課題。
然而，以硅化鎳為柵極層的材料在去除蝕刻終止層時，由于鎳的活性極高，很容易與任何化學蝕刻劑例如O2、F或CO發(fā)生反應，而形成氧化物的產(chǎn)物，嚴重降低柵極層的導電率。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明主要目的在于提供一種制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，以避免硅化鎳與蝕刻劑發(fā)生反應，而降低硅化鎳層的導電性。
本發(fā)明的上述目的是這樣實現(xiàn)的一種制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其中，包括提供一基底，其表面具有一硅化鎳層；依序形成一蝕刻緩沖層與一蝕刻終止層于所述硅化鎳層表面；
形成一內(nèi)層介電層于整個基底表面；圖案化所述內(nèi)層介電層，以形成一接觸孔于上述硅化鎳層上方，露出所述蝕刻終止層表面；去除所述接觸孔內(nèi)的蝕刻終止層；以及以一惰性氣體等離子轟擊去除所述接觸孔內(nèi)的蝕刻緩沖層，直到露出所述硅化鎳柵極表面為止。
本發(fā)明所述的制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其中，所述的蝕刻緩沖層的材料包括氧化硅。
本發(fā)明所述的制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其中，所述的蝕刻緩沖層的厚度為50-150。
本發(fā)明所述的制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其中，所述的蝕刻緩沖層是利用化學氣相沉積法形成。
本發(fā)明所述的制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其中，所述的蝕刻緩沖層是利用高溫下通入一N2O氣體與所述硅化鎳反應而形成。
本發(fā)明所述的制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其中，所述的內(nèi)層介電層的材料包括氧化硅。
本發(fā)明所述的制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其中，所述的惰性氣體等離子包括氬氣。
本發(fā)明所述的制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其中，所述的去除所述接觸孔內(nèi)的蝕刻緩沖層的步驟還包括利用0.1-10％的含氟氣體的等離子進行化學性蝕刻。
本發(fā)明所述的一種制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其中，包括提供一基底，其表面具有一硅化鎳層；形成一蝕刻終止層于上述硅化鎳層表面；形成一內(nèi)層介電層于整個基底表面；圖案化上述內(nèi)層介電層，以形成一接觸孔于上述硅化鎳層上方，露出上述蝕刻終止層表面；去除部份上述接觸孔內(nèi)的蝕刻終止層，僅留下厚度為50-150的一殘留蝕刻終止層；以及以一惰性氣體等離子轟擊去除上述殘留蝕刻終止層，直到露出上述硅化鎳柵極表面為止。
本發(fā)明所述的制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其中，所述的蝕刻終止層的材料包括氮化硅或氮氧化硅。
本發(fā)明所述的制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其中，所述的惰性氣體等離子包括氬氣。
本發(fā)明所述的制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其中，去除所述殘留蝕刻終止層的步驟還包括利用0.1-10％的含氟氣體的等離子進行化學性蝕刻。
根據(jù)本發(fā)明提出的一種制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法。此方法的主要特征在于不一次完全去除蝕刻終止層，而殘留—厚度極薄的蝕刻終止層，以物理性蝕刻方式去除殘留蝕刻終止層，蝕刻氣體便不會與硅化鎳層發(fā)生反應。
此方法的步驟主要是包括首先，提供一基底，其表面具有一硅化鎳層。接著，形成一蝕刻終止層于上述硅化鎳層表面。接著，形成一內(nèi)層介電層于整個基底表面。接著，圖案化上述內(nèi)層介電層，以形成一接觸孔于上述硅化鎳層上方，露出上述蝕刻終止層表面。接著，去除部份上述接觸孔內(nèi)的蝕刻終止層，僅留下厚度為50-150的一殘留蝕刻終止層。最后，以物理性蝕刻法去除上述殘留蝕刻終止層，直到露出上述硅化鎳柵極表面為止。
根據(jù)本發(fā)明，在去除上述殘留蝕刻終止層的步驟中，上述物理性蝕刻法可利用一例如為氬氣的隋性氣體等離子轟擊上述殘留蝕刻終止層而進行。該步驟還可包括利用含量例如為0.1-10％的含氟氣體等離子以進行化學性蝕刻。
如前所述，上述蝕刻終止層的材料可為氮化硅或氮氧化硅，而上述內(nèi)層介電層的材料可為氧化硅。
如前所述，圖案化上述內(nèi)層介電層的方法可包括首先，形成一圖案化光阻，覆蓋于上述內(nèi)層介電層表面，僅露出上述硅化鎳層上方預定形成接觸孔的區(qū)域。接著，以上述圖案化光阻為罩幕，蝕刻上述內(nèi)層介電層，以形成一接觸孔于上述硅化鎳柵極上方的內(nèi)層介電層內(nèi)，直到露出蝕刻終止層表面為止。最后，去除上述圖案化光阻。
如前所述，去除上述圖案化光阻的步驟可施行于去除部份上述接觸孔內(nèi)的蝕刻終止層的步驟之前或之后。
根據(jù)本發(fā)明，又提出第二種制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法。此方法新引用一蝕刻緩沖層于蝕刻終止層與硅化鎳層之間，再利用第一方法中的物理性蝕刻去除蝕刻緩沖層，蝕刻氣體便不會與硅化鎳層發(fā)生反應。
此方法的步驟主要包括首先，提供一基底，其表面具有一硅化鎳層。接著，依序形成一蝕刻緩沖層與一蝕刻終止層于上述硅化鎳層表面。接著，形成一內(nèi)層介電層于整個基底表面。接著，圖案化上述內(nèi)層介電層，以形成一接觸孔于上述硅化鎳層上方，露出上述蝕刻終止層表面，接著，去除上述接觸孔內(nèi)的蝕刻終止層。最后，以物理性蝕刻法去除上述接觸孔內(nèi)的蝕刻緩沖層，直到露出上述硅化鎳柵極表面為止。
如同本發(fā)明的第一方法，上述物理性蝕刻法可利用一例如為氬氣的惰性氣體等離子轟擊上述蝕刻緩沖層而進行。該步驟還可包括利用含量例如為0.1-10％的含氟氣體等離子以進行化學性蝕刻。
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，現(xiàn)特舉較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明。
圖1A至圖1E是顯示公知形成接觸孔于金屬硅化物柵極層上方的工序的剖視示意圖；圖2A至圖2H是顯示根據(jù)本發(fā)明的一較佳實施例的工序的剖視示意圖；圖3A至圖3H是顯示根據(jù)本發(fā)明的另一較佳實施例的工序的剖視示意圖。
具體實施例方式
實施例一以下請參照圖2A至圖2H的工序的剖視示意圖，詳細說明根據(jù)本發(fā)明的一較佳實施例。
本實施例將以硅化鎳應用于柵極層上做為范例，以說明本發(fā)明，然而，硅化鎳也可應用于漏極/源極(source/dfaic)，本發(fā)明的硅化鎳應用并不僅局限于柵極層。
首先，請參照圖2A，提供一硅基底200，包含有一柵極氧化層(gate oxide)202，形成于基底200表面上；由一多晶硅層204與一硅化鎳層206所構成的一柵極導電結構，形成于柵極氧化層202表面上；形成于整個柵極導電結構的側壁上的一對氮化硅間隔物208；一對離子布植區(qū)S、D，形成于具有氮化硅間隔物208的柵極導電結構兩側的基底200表面上，是用來作為一源/漏極區(qū)(source/drain)。熟悉此技藝人士可借助一多晶硅層與一鎳金屬層以一快速熱處理程序(rapid thermal process；RTP)而相互反應形成硅化鎳層206，即為公知的金屬硅化物工序(salicide)，由于這些工序非關本發(fā)明的特征，故在此不多作贅述。
接下來，請參見圖2B，順應性形成一蝕刻終止層210于整個基底表面上。此蝕刻終止層210的材料以氮化硅或氮氧化硅較佳，可利用低壓化學氣相沉積法(LPCVD)，以二氯硅烷(SiCl2H2)與氨氣(NH3)為反應氣體，在250-400℃的操作溫度下沉積而成，其厚度約為250-300。
接著，請參見圖2C，形成一內(nèi)層介電層212于整個基底表面。在整個基底表面沉積一種或一種以上的絕緣材料，作為內(nèi)層介電層(Inter LayerDielectrics；ILD)212，例如硼磷硅玻璃(BPSG)、四乙氧基硅烷氧化層(TEOS)、旋涂式玻璃(SOG)等。例如，可在SiH4，PH3，B2H6的環(huán)境下，使用常壓化學氣相沉積法(APCVD)，形成硼磷硅玻璃，或者，可使用四乙氧基硅烷(TEOS；tetraethyl-ortho-silicate)為反應氣體，利用低壓化學氣相沉積法(LPCVD)以形成氧化硅層。較佳者，內(nèi)層介電層212可借助化學機械研磨法(chemicalmechanical polishing；CMP)進行平坦化處理，以得到一平坦的上表面。
接著，請參見圖2D，例如利用旋涂法(spin coating)與適當微影顯像程序，形成具有預定圖案的一圖案化光阻214，覆蓋于內(nèi)層介電層212表面，僅露出硅化鎳層206上方預定形成接觸孔的區(qū)域。
接著，請參見圖2E，以圖案化光阻214為罩幕，蝕刻內(nèi)層介電層212，以形成一接觸孔II于硅化鎳柵極206上方的內(nèi)層介電層212內(nèi)，直到露出蝕刻終止層210表面為止。內(nèi)層介電層212的蝕刻可使用含有C4F8/C2H2F2/Ar的混合氣體或是含有C2F8/O2/Ar的混合氣體進行等離子蝕刻。
接著，請參見圖2F，去除圖案化光阻214后，再去除部份接觸孔II內(nèi)的蝕刻終止層210，僅留下約1/3-1/2原厚度的殘留蝕刻終止層210a，例如50-150。去除圖案化光阻214的步驟可施行于去除部份接觸孔內(nèi)的蝕刻終止層210的步驟之前或之后，不需加以限制?？衫昧蛩?H2SO4)與雙氧水(H2O2)的混合溶液在溫度90-130℃下去除圖案化光阻214。部分蝕刻終止層210的蝕刻，采用具氮化物對氧化物高選擇比的蝕刻，可使用CH2F2/O2/Ar為蝕刻劑，以時間模式控制蝕刻終止點。
最后，請參見圖2G，以物理性蝕刻法500，例如以隋性氣體等離子轟擊，去除接觸孔II內(nèi)的殘留蝕刻終止層210a，直到露出硅化鎳柵極20表面為止，此為本發(fā)明的主要特征之一。并且，在物理性蝕刻500過程中更可添加少量化學性蝕刻隨之進行，例如利用含量約0.1-10％的含氟氣體等離子(NF3、HF)以進行蝕刻。如此一來，可完全打開硅化鎳層206上方的接觸孔開口II，如圖2H所示，但物理性蝕刻500不會對硅化鎳層206發(fā)生任何反應。其中，該惰性氣體例如為氬氣(Ar)，其流量約為100-100000sccm。等離子蝕刻溫度可介于0-300℃，等離子蝕刻壓力可介于0.1-10mTorr，電源功率約為100-800W，偏壓功率約為100-800W。
實施例二以下請參照圖3A至圖3H的工序的剖視示意圖，詳細說明根據(jù)本發(fā)明的另一較佳實施例。
同樣地，本實施例將以硅化鎳應用于柵極層上做為范例，以說明本發(fā)明，然而，硅化鎳也可應用于漏極/源極(source/drain)，本發(fā)明的硅化鎳應用并不僅局限于柵極層。
首先，請參照圖2A，提供一硅基底300，包含有一柵極氧化層(gate oxide)302，形成于基底300表面上；由一多晶硅層304與一硅化鎳層306所構成的一柵極導電結構，形成于柵極氧化層302表面上；形成于整個柵極導電結構的側壁上的一對氮化硅間隔物308；一對離子布植區(qū)S、D，形成于具有氮化硅間隔物308的柵極導電結構兩側的基底300表面上，是用來作為一源/漏極區(qū)(source/drain)。熟悉此技藝人士可借助一多晶硅層與一鎳金屬層以一快速熱處理程序(rapid thermal process；RTP)而相互反應形成硅化鎳層306，即為公知的金屬硅化物工序(salicide)，由于這些工序非關本發(fā)明的特征，故在此不多作贅述。
接下來，請參見圖3B，順應性依序形成一蝕刻緩沖層310與一蝕刻終止層312于整個基底表面上。此蝕刻緩沖層310為本發(fā)明的特征之一，其材料較佳為氧化硅，可使用四乙氧基硅烷(TEOS；tetraethyl-ortho-silicate)為反應氣體，利用低壓化學氣相沉積法(LPCVD)或等離子輔助氣相沉積法(PECVD)以形成氧化硅層，其厚度約為50-150。氧化硅蝕刻緩沖層也可利用高溫，例如300-500℃下通入一N2O與SiH4氣體的混合氣體或一NH3、N2和SH4的混合氣體而反應形成。另外，蝕刻終止層312的材料以氮化硅或氮氧化硅較佳，可利用低壓化學氣相沉積法(LPCVD)，以二氯硅烷(SiCl2H2)與氨氣(NH3)為反應氣體，在250-400℃的操作溫度下沉積而成，其厚度約為250-300。
接著，請參見圖3C，形成一內(nèi)層介電層314于整個基底表面。在整個基底表面沉積一種或一種以上的絕緣材料，作為內(nèi)層介電層(Inter LayerDielectrics；ILD)314，例如硼磷硅玻璃(BPSG)、四乙氧基硅烷氧化層(TEOS)、旋涂式玻璃(SOG)等。例如，可在SiH4，PH3，B2H6的環(huán)境下，使用常壓化學氣相沉積法(APCVD)，形成硼磷硅玻璃，或者，可使用四乙氧基硅烷(TEOS；tetraethyl-ortho-silicate)為反應氣體，利用低壓化學氣相沉積法(LPCVD)以形成氧化硅層。較佳者，內(nèi)層介電層314可借助化學機械研磨法(chemicalmechanical polishing；CMP)進行平坦化處理，以得到一平坦的上表面。
接著，請參見圖3D，例如利用旋涂法(spin coating)與適當微影顯像程序，形成具有預定圖案的一圖案化光阻316，覆蓋于內(nèi)層介電層314表面，僅露出硅化鎳層306上方預定形成接觸孔的區(qū)域。
接著，請參見圖3E，以圖案化光阻316為罩幕，蝕刻內(nèi)層介電層314，以形成一接觸孔III于硅化鎳柵極306上方的內(nèi)層介電層314內(nèi)，直到露出蝕刻終止層312表面為止。內(nèi)層介電層314的蝕刻可使用含有C4F8/C2H2F2/Ar的混合氣體或是含有C5F8/O2/Ar的混合氣體進行等離子蝕刻。
接著，請參見圖3F，去除圖案化光阻316后，再去除接觸孔III內(nèi)的蝕刻終止層312。去除圖案化光阻316的步驟可施行于去除部份接觸孔內(nèi)的蝕刻終止層312的步驟之前或之后，不需加以限制?？衫昧蛩?H2SO4)與雙氧水(H2O2)的混合溶液在溫度90-130℃下去除圖案化光阻316。去除終止層312的蝕刻，采用具氮化物對氧化物高選擇比的蝕刻，可使用CH2F2/O2/Ar為蝕刻劑，直到露出氧化物蝕刻緩沖層為止。
最后，請參見圖3G，以物理性蝕刻法600，例如以惰性氣體等離子轟擊，去除接觸孔III內(nèi)的蝕刻緩沖層310，直到露出硅化鎳柵極306表面為止，此為本發(fā)明的主要特征之一。該惰性氣體例如為氬氣(Ar)。并且，在物理性蝕刻600過程中更可添加少量化學性蝕刻隨之進行，例如利用含量約0.1-10％的含氟氣體等離子(NF3、HF)以進行蝕刻。如此一來，可完全打開硅化鎳層306上方的接觸孔開口III，如圖3H所示，但物理性蝕刻600不會對硅化鎳層306發(fā)生任何反應。其中，該惰性氣體例如為氬氣(Ar)，其流量約為1000-100000sccm，等離子蝕刻溫度可介于0-300℃，等離子蝕刻壓力可介于0.1-10mTorr，電源功率約為100-800W，偏壓功率約為100-800W。
本發(fā)明雖以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可做各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視權利要求書所界定者為準。
權利要求
1.一種制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其特征在于，包括提供一基底，其表面具有一硅化鎳層；依序形成一蝕刻緩沖層與一蝕刻終止層于所述硅化鎳層表面；形成一內(nèi)層介電層于整個基底表面；圖案化所述內(nèi)層介電層，以形成一接觸孔于上述硅化鎳層上方，露出所述蝕刻終止層表面；去除所述接觸孔內(nèi)的蝕刻終止層；以及以一惰性氣體等離子轟擊去除所述接觸孔內(nèi)的蝕刻緩沖層，直到露出所述硅化鎳柵極表面為止。
2.如權利要求1所述的制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其特征在于，所述的蝕刻緩沖層的材料包括氧化硅。
3.如權利要求1所述的制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其特征在于，所述的蝕刻緩沖層的厚度為50-150。
4.如權利要求2所述的制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其特征在于，所述的蝕刻緩沖層是利用化學氣相沉積法形成。
5.如權利要求2所述的制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其特征在于，所述的蝕刻緩沖層是利用高溫下通入一N2O氣體與所述硅化鎳反應而形成。
6.如權利要求1所述的制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其特征在于，所述的內(nèi)層介電層的材料包括氧化硅。
7.如權利要求1所述的制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其特征在于，所述的惰性氣體等離子包括氬氣。
8.如權利要求1所述的制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其特征在于，所述的去除所述接觸孔內(nèi)的蝕刻緩沖層的步驟還包括利用0.1-10％的含氟氣體的等離子進行化學性蝕刻。
9.一種制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其特征在于，包括提供一基底，其表面具有一硅化鎳層；形成一蝕刻終止層于上述硅化鎳層表面；形成一內(nèi)層介電層于整個基底表面；圖案化上述內(nèi)層介電層，以形成一接觸孔于上述硅化鎳層上方，露出上述蝕刻終止層表面；去除部份上述接觸孔內(nèi)的蝕刻終止層，僅留下厚度為50-150的一殘留蝕刻終止層；以及以一惰性氣體等離子轟擊去除上述殘留蝕刻終止層，直到露出上述硅化鎳柵極表面為止。
10.如權利要求9所述的制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其特征在于，所述的蝕刻終止層的材料包括氮化硅或氮氧化硅。
11.如權利要求9所述的制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其特征在于，所述的惰性氣體等離子包括氬氣。
12.如權利要求9所述的制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其特征在于，去除所述殘留蝕刻終止層的步驟還包括利用0.1-10％的含氟氣體的等離子進行化學性蝕刻。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法，其特征是利用物理性蝕刻以克服公知工序中高活性的硅化鎳層與蝕刻劑發(fā)生反應的問題。方法一，不一次完全去除蝕刻終止層，而殘留一厚度極薄的蝕刻終止層，以物理性蝕刻方式去除殘留蝕刻終止層，蝕刻氣體便不會與硅化鎳層發(fā)生反應。方法二，新引用一蝕刻緩沖層于蝕刻終止層與硅化鎳層之間，再利用物理性蝕刻方式去除蝕刻緩沖層，同樣地，蝕刻氣體便不會與硅化鎳層發(fā)生反應。
文檔編號H01L21/28GK1501448SQ0215221
公開日2004年6月2日 申請日期2002年11月19日 優(yōu)先權日2002年11月19日
發(fā)明者吳啟明, 王美勻, 張志維, 謝靜華, 眭曉林, 傅竹韻, 徐祖望, 蔡明桓, 邱遠鴻 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司