一種半導(dǎo)體器件的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)，且在所述半導(dǎo)體襯底上形成有位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)且緊靠所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁結(jié)構(gòu)；對(duì)所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中將要形成源區(qū)和漏區(qū)的區(qū)域?qū)嵤╇x子注入；在所述半導(dǎo)體襯底上形成一絕緣層，以填充位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述實(shí)施離子注入的區(qū)域上方的區(qū)域；執(zhí)行一退火過程，以活化所述實(shí)施離子注入的區(qū)域中的注入離子；去除所述絕緣層；在所述柵極結(jié)構(gòu)的頂部以及所述源區(qū)和所述漏區(qū)的表面形成硅化鎳層，其中，在所述退火過程中，所述側(cè)壁結(jié)構(gòu)下方的半導(dǎo)體襯底中不會(huì)形成硅晶格錯(cuò)位邊界。根據(jù)本發(fā)明，能夠阻止硅化鎳對(duì)半導(dǎo)體器件溝道區(qū)的侵蝕。
【專利說明】一種半導(dǎo)體器件的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，具體而言涉及一種減少硅化鎳(NiSi)對(duì)半導(dǎo)體器件溝道區(qū)的侵蝕的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]基于較窄的線寬、較小的薄層電阻和較少的硅消耗量等優(yōu)點(diǎn)，硅化鎳已經(jīng)被廣泛用作接觸(contact)金屬硅化物?，F(xiàn)有的MOS晶體管工藝中，通常按照下列工藝次序在柵極結(jié)構(gòu)的頂部以及源區(qū)和漏區(qū)的表面形成硅化鎳:源/漏區(qū)離子注入，高溫退火一預(yù)清洗半導(dǎo)體襯底表面一沉積鎳金屬層和TiN保護(hù)層一進(jìn)行第一次退火一選擇性蝕刻去除未與硅發(fā)生反應(yīng)的鎳一進(jìn)行第二次退火。在上述退火處理的過程中，所形成的硅化鎳會(huì)橫向侵蝕柵極下方的溝道區(qū)，如圖1A所示；這種橫向侵蝕會(huì)導(dǎo)致晶體管元件的電短路，例如在晶體管源、漏和阱之間的電短路，從而最終導(dǎo)致半導(dǎo)體器件成品的低良率。
[0003]現(xiàn)有的MOS晶體管工藝中，在柵極結(jié)構(gòu)的頂部以及源區(qū)和漏區(qū)的表面形成硅化鎳之前，通常按照下列工藝次序?qū)嵤┮粦?yīng)力記憶過程:對(duì)柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中的源區(qū)和漏區(qū)實(shí)施離子注入一沉積應(yīng)力材料層以覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)以及所述源區(qū)和漏區(qū)一通過實(shí)施退火過程使所述源區(qū)和漏區(qū)中的注入元素均勻擴(kuò)散，并將所述應(yīng)力材料層具有的應(yīng)力轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體襯底中一去除所述應(yīng)力材料層。圖1B示出了以NMOS為例在上述應(yīng)力記憶過程之后的器件結(jié)構(gòu)的示意性剖面圖，在轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體襯底100中的拉應(yīng)力的作用下，在柵極結(jié)構(gòu)101兩側(cè)的源區(qū)102和漏區(qū)103分別靠近溝道區(qū)的地方會(huì)出現(xiàn)如斜線104示出的硅晶格錯(cuò)位邊界，這是退火時(shí)在位于所述柵極結(jié)構(gòu)101兩側(cè)的側(cè)壁結(jié)構(gòu)105的下方由光罩邊緣效應(yīng)所引發(fā)的，而所述光罩邊緣效應(yīng)是由所述柵極結(jié)構(gòu)101和所述源區(qū)102及漏區(qū)103之間的高度差所誘導(dǎo)產(chǎn)生的。在后續(xù)形成所述源區(qū)102和漏區(qū)103表面的硅化物時(shí)，所述硅化物沿著所述硅晶格錯(cuò)位邊界向所述溝道區(qū)遷移，從而導(dǎo)致上述侵蝕現(xiàn)象的發(fā)生。
[0004]因此，需要一種半導(dǎo)體器件的制造方法，期望該方法能夠有效地解決上述問題，以便提高半導(dǎo)體器件制造的成品率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括:提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)，且在所述半導(dǎo)體襯底上形成有位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)且緊靠所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁結(jié)構(gòu)；對(duì)所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中將要形成源區(qū)和漏區(qū)的區(qū)域?qū)嵤╇x子注入；在所述半導(dǎo)體襯底上形成一絕緣層，以填充位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述實(shí)施離子注入的區(qū)域上方的區(qū)域；執(zhí)行一退火過程，以活化所述實(shí)施離子注入的區(qū)域中的注入離子；去除所述絕緣層；以及在所述柵極結(jié)構(gòu)的頂部以及所述源區(qū)和所述漏區(qū)的表面形成硅化鎳層，其中，所述絕緣層抵消由所述柵極結(jié)構(gòu)和所述源/漏區(qū)之間的高度差所產(chǎn)生的所述側(cè)壁結(jié)構(gòu)的邊緣效應(yīng)，在所述退火過程中，所述側(cè)壁結(jié)構(gòu)下方的半導(dǎo)體襯底中不會(huì)形成硅晶格錯(cuò)位邊界。[0006]進(jìn)ー步，所述絕緣層的構(gòu)成材料包括ニ氧化硅、氮化硅或者無(wú)定形碳。
[0007]進(jìn)ー步，采用化學(xué)氣相沉積エ藝或者射頻等離子體化學(xué)氣相沉積エ藝形成所述絕緣層。
[0008]進(jìn)ー步，所述絕緣層的厚度為10-1000nm。
[0009]進(jìn)ー步，所述退火エ藝為峰值退火、均溫退火、激光退火或者閃光燈退火。
[0010]進(jìn)ー步，采用所述峰值退火時(shí)，退火溫度為300-1100°C。
[0011]進(jìn)ー步，采用所述均溫退火時(shí)，退火溫度為200-1100°C，退火時(shí)間為5s_5h。
[0012]進(jìn)ー步，采用所述激光退火或者所述閃光燈退火時(shí)，退火溫度為500_1350°C，退火時(shí)間為0.1ms-1S。
[0013]進(jìn)ー步，在形成所述絕緣層之前，還包括在所述半導(dǎo)體襯底上形成ー應(yīng)カ層的步驟，以覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)和所述實(shí)施離子注入的區(qū)域。
[0014]進(jìn)ー步，在執(zhí)行所述退火過程之前，還包括研磨所述絕緣層的步驟，使所述絕緣層的表面平整。
[0015]進(jìn)一歩，所述柵極結(jié)構(gòu)包括依次層疊的柵極介電層、柵極材料層和柵極硬掩蔽層。
[0016]進(jìn)ー步，在去除所述絕緣層的過程中，所述柵極硬掩蔽層ー并被去除。
[0017]根據(jù)本發(fā)明，能夠阻止硅化鎳對(duì)半導(dǎo)體器件溝道區(qū)的侵蝕，從而提高半導(dǎo)體器件制造的成品率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。
[0019]附圖中:
[0020]圖1A為硅化鎳對(duì)半導(dǎo)體器件溝道的侵蝕的示意圖；
[0021]圖1B為以NMOS為例在實(shí)施應(yīng)力記憶過程之后的器件結(jié)構(gòu)的示意性剖面圖；
[0022]圖2A-圖2E為本發(fā)明提出的減少硅化鎳對(duì)半導(dǎo)體器件溝道區(qū)的侵蝕的方法的各步驟的示意性剖面圖；
[0023]圖3為本發(fā)明提出的減少硅化鎳對(duì)半導(dǎo)體器件溝道區(qū)的侵蝕的方法的流程圖。【具體實(shí)施方式】
[0024]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無(wú)需ー個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的ー些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0025]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便闡釋本發(fā)明提出的減少硅化鎳對(duì)半導(dǎo)體器件溝道區(qū)的侵蝕的方法。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0026]應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”時(shí)，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加ー個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0027]下面，僅以NMOS晶體管為例，參照?qǐng)D2A-圖2E和圖3來描述本發(fā)明提出的減少硅化鎳對(duì)半導(dǎo)體器件溝道區(qū)的侵蝕的方法的詳細(xì)步驟。
[0028]參照?qǐng)D2A-圖2E，其中示出了本發(fā)明提出的減少硅化鎳對(duì)半導(dǎo)體器件溝道區(qū)的侵蝕的方法的各步驟的示意性剖面圖。
[0029]首先，如圖2A所示，提供半導(dǎo)體襯底200，所述半導(dǎo)體襯底200的構(gòu)成材料可以采用未摻雜的單晶硅、摻雜有雜質(zhì)的單晶硅、絕緣體上硅(SOI)等。作為示例，在本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底200選用單晶硅材料構(gòu)成。在所述半導(dǎo)體襯底200中還可以形成有隔離槽、埋層(圖中未示出)等。此外，對(duì)于NMOS晶體管而言，所述半導(dǎo)體襯底200中還可以形成有P阱(圖中未示出)，并且在形成柵極結(jié)構(gòu)之前，可以對(duì)整個(gè)P阱進(jìn)行一次小劑量砷注入，用于調(diào)整NMOS晶體管的閾值電壓Vth。
[0030]在所述半導(dǎo)體襯底200上形成有柵極結(jié)構(gòu)201，作為ー個(gè)示例，所述柵極結(jié)構(gòu)201可包括自下而上依次層疊的柵極介電層、柵極材料層和柵極硬掩蔽層。柵極介電層可包括氧化物，如，ニ氧化硅(SiO2)層。柵極材料層可包括多晶硅層、金屬層、導(dǎo)電性金屬氮化物層、導(dǎo)電性金屬氧化物層和金屬硅化物層中的ー種或多種，其中，金屬層的構(gòu)成材料可以是鎢(W)、鎳(Ni)或鈦(Ti);導(dǎo)電性金屬氮化物層可包括氮化鈦(TiN)層；導(dǎo)電性金屬氧化物層可包括氧化銥(IrO2)層；金屬硅化物層可包括硅化鈦(TiSi)層。柵極硬掩蔽層可包括氧化物層、氮化物層、氮氧化物層和無(wú)定形碳中的ー種或多種，其中，氧化物層可包括硼磷硅玻璃(BPSG)、磷硅玻璃(PSG)、正硅酸こ酯(TEOS)、未摻雜硅玻璃(USG)、旋涂玻璃(SOG)、高密度等離子體(HDP)或旋涂電介質(zhì)(S0D);氮化物層可包括氮化硅(Si3N4)層；氮氧化物層可包括氮氧化硅(SiON)層；在本實(shí)施例中，柵極硬掩蔽層的材料為氮化硅。
[0031]此外，作為示例，在所述半導(dǎo)體襯底200上還形成有位于所述柵極結(jié)構(gòu)201兩側(cè)且緊靠所述柵極結(jié)構(gòu)201的側(cè)壁結(jié)構(gòu)204。其中，所述側(cè)壁結(jié)構(gòu)204可以包括至少ー層氧化物層和/或至少ー層氮化物層。在本實(shí)施例中，所述側(cè)壁結(jié)構(gòu)204可以用于控制金屬硅化物與溝道的距離，以進(jìn)一歩防止金屬硅化物和溝道連通。
[0032]接下來，對(duì)所述柵極結(jié)構(gòu)201兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底200中將要形成源區(qū)202和漏區(qū)203的區(qū)域?qū)嵤╇x子注入。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知曉的是，所述離子注入的具體エ藝參數(shù)依據(jù)設(shè)計(jì)半導(dǎo)體器件時(shí)期望達(dá)到的要求而定。
[0033]接著，如圖2B所示，在所述半導(dǎo)體襯底200上形成一絕緣層205，以填充位于所述柵極結(jié)構(gòu)201兩側(cè)的所述實(shí)施離子注入的區(qū)域上方的區(qū)域。所述絕緣層205的構(gòu)成材料包括ニ氧化硅(Si02)、氮化硅(SiN)、無(wú)定形碳等。采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟習(xí)的エ藝技術(shù)來形成所述絕緣層205，例如，化學(xué)氣相沉積(CVD)或者射頻等離子體化學(xué)氣相沉積(F-CVD)。所述絕緣層205的厚度為10-1000nm。
[0034]在形成所述絕緣層205之前，還可以在所述半導(dǎo)體襯底200上形成一應(yīng)カ層(圖示中未予示出)，以覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)201和所述實(shí)施離子注入的區(qū)域。所述應(yīng)カ層的材料優(yōu)選具有拉應(yīng)カ的氮化硅。
[0035]接著,如圖2C所示,研磨所述絕緣層205,使所述絕緣層205的表面平整。本實(shí)施例中，采用化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)エ藝實(shí)施所述研磨，所述研磨過程是可選的。
[0036]接下來，執(zhí)行ー退火過程，以活化所述實(shí)施離子注入的區(qū)域中的注入離子。所述退火過程還可以使所述應(yīng)カ層所具有的拉應(yīng)カ轉(zhuǎn)移到所述半導(dǎo)體襯底200的溝道區(qū)中。由于所述絕緣層205的厚度較厚，其可以抵消由所述柵極結(jié)構(gòu)和所述源/漏區(qū)之間的高度差所產(chǎn)生的所述側(cè)壁結(jié)構(gòu)的邊緣效應(yīng)，因此，在所述退火過程中，所述半導(dǎo)體襯底200中不會(huì)出現(xiàn)如圖1B所示出的硅晶格錯(cuò)位邊界。
[0037]所述退火エ藝可以是峰值退火、均溫退火、激光退火或者閃光燈退火。本實(shí)施例中，采用峰值退火時(shí)，退火溫度為300-1100°C ;采用均溫退火時(shí)，退火溫度為200-1100°C，退火時(shí)間為5s-5h ;采用激光退火或者閃光燈退火時(shí)，退火溫度為500-1350°C，退火時(shí)間為0.1ms-1s0
[0038]接著，如圖2D所示，去除所述絕緣層205。所述去除過程可以通過采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟習(xí)的エ藝技術(shù)來完成，在此不再加以贅述。在上述去除過程中，位于所述柵極結(jié)構(gòu)201最上部的柵極硬掩蔽層也一井被去除。
[0039]接著，如圖2E所示，在所述柵極結(jié)構(gòu)201的頂部以及所述源區(qū)202和所述漏區(qū)203的表面形成硅化鎳層206。本實(shí)施例中，形成所述硅化鎳層的エ藝步驟包括:先去除所述柵極結(jié)構(gòu)201中最上層的柵極硬掩蔽層，可以采用濕法預(yù)清洗的方法完成該過程；再在半導(dǎo)體襯底200上形成金屬鎳(Ni)層以覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)201的頂部以及所述源區(qū)202和所述漏區(qū)203，形成所述金屬鎳(Ni)層的エ藝可以采用本領(lǐng)域內(nèi)常用的方法，例如，物理氣相沉積法或蒸鍍法等；同時(shí)，可在所述金屬鎳(Ni)層上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層的材料是耐火金屬/耐火金屬的氮化物，例如Ti/TiN，所述保護(hù)層的作用是避免所述金屬鎳(Ni)層暴露于非惰性的環(huán)境而發(fā)生氧化。
[0040]然后，對(duì)所述金屬鎳(Ni)層進(jìn)行退火處理，退火エ藝可以是激光退火、峰值退火或者均溫退火。經(jīng)過退火處理，金屬層中的鎳(Ni)向所述源區(qū)202和所述漏區(qū)203中的硅材料以及所述柵極結(jié)構(gòu)201的柵極材料層中擴(kuò)散，與其中的硅或者多晶硅形成金屬鎳硅化物。
[0041]接下來，去除未發(fā)生反應(yīng)的金屬鎳層。作為示例，通過選擇性濕法蝕刻去除沒有與所述源區(qū)202和所述漏區(qū)203中的硅以及所述柵極結(jié)構(gòu)201的柵極材料層中的多晶硅反應(yīng)生成金屬硅化物的金屬鎳。所述濕法蝕刻的腐蝕液可以采用硫酸和雙氧水(SPM)的混合溶液，或者氫氧化氨和雙氧水(SCl)的水溶液和磷酸、硝酸和甲酸(MII)的混合溶液,在蝕刻過程中，所述金屬鎳(Ni)層上的保護(hù)層也一井去除。進(jìn)ー步地，所述蝕刻過程終止后，可以對(duì)形成的金屬鎳硅化物進(jìn)行第二次退火處理。
[0042]退火處理步驟完成后，在所述源區(qū)202和所述漏區(qū)203的表面以及所述柵極結(jié)構(gòu)201的頂部形成娃化鎳層206。
[0043]至此，完成了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的方法實(shí)施的全部エ藝步驟，通過本發(fā)明提出的方法，能夠阻止硅化鎳對(duì)半導(dǎo)體器件溝道區(qū)的侵蝕，從而提高半導(dǎo)體器件制造的成品率。
[0044]接下來，可以通過后續(xù)エ藝完成整個(gè)半導(dǎo)體器件的制作，所述后續(xù)エ藝與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件加工エ藝完全相同。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知曉的是，本發(fā)明提出的方法同樣適用于PMOS晶體管，只需要將構(gòu)成所述應(yīng)カ層的具有拉應(yīng)カ的材料替換為具有壓應(yīng)カ的材料即可。
[0045]參照?qǐng)D3，其中示出了本發(fā)明提出的減少硅化鎳對(duì)半導(dǎo)體器件溝道區(qū)的侵蝕的方法的流程圖，用于簡(jiǎn)要示出整個(gè)制造エ藝的流程。
[0046]在步驟301中，提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)，且在所述半導(dǎo)體襯底上形成有位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)且緊靠所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁結(jié)構(gòu)；
[0047]在步驟302中，對(duì)所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中將要形成源區(qū)和漏區(qū)的區(qū)域?qū)嵤╇x子注入；
[0048]在步驟303中，在所述半導(dǎo)體襯底上形成ー絕緣層，以填充位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述實(shí)施離子注入的區(qū)域上方的區(qū)域；
[0049]在步驟304中，執(zhí)行ー退火過程，以活化所述實(shí)施離子注入的區(qū)域中的注入離子；
[0050]在步驟305中，去除所述絕緣層；
[0051]在步驟306中，在所述柵極結(jié)構(gòu)的頂部以及所述源區(qū)和所述漏區(qū)的表面形成硅化鎳層。
[0052]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括: 提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)，且在所述半導(dǎo)體襯底上形成有位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)且緊靠所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁結(jié)構(gòu)； 對(duì)所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中將要形成源區(qū)和漏區(qū)的區(qū)域?qū)嵤╇x子注入； 在所述半導(dǎo)體襯底上形成一絕緣層，以填充位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述實(shí)施離子注入的區(qū)域上方的區(qū)域； 執(zhí)行一退火過程，以活化所述實(shí)施離子注入的區(qū)域中的注入離子； 去除所述絕緣層；以及 在所述柵極結(jié)構(gòu)的頂部以及所述源區(qū)和所述漏區(qū)的表面形成硅化鎳層， 其中，所述絕緣層抵消由所述柵極結(jié)構(gòu)和所述源/漏區(qū)之間的高度差所產(chǎn)生的所述側(cè)壁結(jié)構(gòu)的邊緣效應(yīng)，在所述退火過程中，所述側(cè)壁結(jié)構(gòu)下方的半導(dǎo)體襯底中不會(huì)形成硅晶格錯(cuò)位邊界。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述絕緣層的構(gòu)成材料包括二氧化硅、氮化硅或者無(wú)定形碳。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積工藝或者射頻等離子體化學(xué)氣相沉積工藝形成所述絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述絕緣層的厚度為10-1000nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火工藝為峰值退火、均溫退火、激光退火或者閃光燈退火。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，采用所述峰值退火時(shí)，退火溫度為300-1100。。。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，采用所述均溫退火時(shí)，退火溫度為200-1100°C，退火時(shí)間為 5s-5h。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，采用所述激光退火或者所述閃光燈退火時(shí)，退火溫度為500-1350°C，退火時(shí)間為0.lms-ls。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述絕緣層之前，還包括在所述半導(dǎo)體襯底上形成一應(yīng)力層的步驟，以覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)和所述實(shí)施離子注入的區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在執(zhí)行所述退火過程之前，還包括研磨所述絕緣層的步驟，使所述絕緣層的表面平整。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括依次層疊的柵極介電層、柵極材料層和柵極硬掩蔽層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在去除所述絕緣層的過程中，所述柵極硬掩蔽層一并被去除。
【文檔編號(hào)】H01L21/336GK103594364SQ201210289041
【公開日】2014年2月19日 申請(qǐng)日期:2012年8月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月14日
【發(fā)明者】禹國(guó)賓, 吳兵, 何永根 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司