專利名稱：快速能量傳輸回火裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種快速能量傳輸回火裝置及方法。
(2)背景技術(shù)將薄膜晶體管(TFT)驅(qū)動元件及薄膜太陽電池整合于一玻璃或一塑膠基板是新一代薄膜晶體管(TFT)平面顯示器及薄膜太陽電池的一項基本需求，由于低溫多晶硅(low temperature polysilicon，簡稱LTPS)可整合于一玻璃或一塑膠基板，且因具有較非晶硅(amorphous silicon)高出一至二個數(shù)量級的電子遷移率，可有效改善薄膜晶體管驅(qū)動元件特性，低溫多晶硅成為目前新一代平面顯示器薄膜晶體管(TFT)驅(qū)動元件及薄膜太陽電池的重要材料。
薄膜液晶顯示器的多晶硅(polysilicon)薄膜晶體管(TFT)面板的多晶硅薄膜部分，目前業(yè)界通常使用以下兩種方法制作。
第一種方法使用激光回火技術(shù)，一般是于一玻璃(或塑膠)基板上，先沉積一二氧化硅緩沖層，續(xù)于二氧化硅緩沖層上沉積一非晶硅薄膜層；由于近紫外光能量可被非晶硅有效吸收，激光回火技術(shù)是以一近紫外光準(zhǔn)分子激光所發(fā)射出的光子自上方以間隔短脈沖方式依序加熱沉積于一玻璃(或塑膠)基板上的一非晶硅薄膜表面及淺層區(qū)域，藉具有ArF193nm、KrF248nm及XeCl308nm等近紫外光成份的一稀有氣體鹵素準(zhǔn)分子激光(rare-gas halogen excimer laser)所發(fā)射出的近紫外光高能量光子以間隔短脈沖照射，瞬間將非晶硅薄膜加熱至1400℃左右高溫，非晶硅薄膜層可快速熔解，因脈沖時間很短熱量下移擴(kuò)散不會太深，藉二氧化硅緩沖層的隔熱保護(hù)，殘余熱量擴(kuò)散不會造成玻璃基板軟化，但激光回火技術(shù)存在下列缺點1.準(zhǔn)分子激光回火裝置設(shè)備十分昂貴。
2.一束激光與另一束激光間的能量密度常有不穩(wěn)定的現(xiàn)象。
3.掃瞄式回火處理大面積基板，費(fèi)時費(fèi)工。
4.結(jié)晶區(qū)(grain)之間由于成長推擠效應(yīng)，形成部分區(qū)域隆起、部分區(qū)域下陷的狀況，導(dǎo)致多晶硅薄膜層表面粗糙度高及均勻度欠佳的缺失。
第二種方法是以爐管回火(furnace annealing)固相結(jié)晶(solid phasecrystallization)技術(shù)，其是將一沉積于一玻璃(或塑膠)基板上的一非晶硅薄膜層于一400℃-600℃的爐管內(nèi)進(jìn)行一兩小時至數(shù)十小時的回火過程，于回火過程中，非晶硅薄膜層吸收爐管溫度提供的能量，緩慢地轉(zhuǎn)換為一多晶硅薄膜層，但爐管回火固相結(jié)晶技術(shù)存在下列缺點1.由于溫度較低(400℃-600℃)，爐管回火方式制作多晶硅薄膜層的各別結(jié)晶區(qū)成長速率(growth rate)慢，產(chǎn)能受限。
2.由于溫度較低(400℃-600℃)，提供的能量較低，爐管回火方式制作多晶硅薄膜層的各別結(jié)晶區(qū)較小，導(dǎo)電性低于以激光回火方式制作的多晶硅薄膜層。
爐管回火的另一態(tài)樣為一種爐管回火金屬誘發(fā)結(jié)晶(metal inducedcrystallization)技術(shù)或金屬誘發(fā)橫向結(jié)晶(metal induced lateralcrystallization)技術(shù)，與爐管回火固相結(jié)晶技術(shù)不同的是于非晶硅薄膜層上或下沉積或蒸鍍一金屬催化層，在金屬催化作用下可降低非晶硅薄膜層轉(zhuǎn)換成多晶硅所需的爐管溫度及回火時間，但此爐管回火金屬誘發(fā)結(jié)晶或金屬誘發(fā)橫向結(jié)晶技術(shù)制作的多晶硅薄膜層，除具有爐管回火固相結(jié)晶技術(shù)兩項缺點外，金屬原子擴(kuò)散(diffusion)現(xiàn)象會導(dǎo)致金屬殘留于多晶硅薄膜層的污染問題。
(3)發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的一目的在于提出一種快速能量傳輸回火裝置及方法，容易且可大面積制造，并能有效使非晶硅薄膜層快速回火結(jié)晶，并能避免玻璃(或塑膠)基板受到高溫傷害。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種可快速有效吸收一光源能量、快速升溫，并快速釋出、傳輸熱能的能量板，經(jīng)由氣體或固體介質(zhì)傳輸能量，可提供非晶硅薄膜藉以回火轉(zhuǎn)換為一多晶硅薄膜的熱能的快速能量傳輸回火裝置及方法。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種通過散熱板可保護(hù)玻璃基板免于過熱受損的快速能量傳輸回火裝置及方法。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種可固定或隨時間機(jī)動調(diào)整能量板與非晶硅薄膜間距以控制傳輸入非晶硅薄膜的能量的快速能量傳輸回火裝置及方法。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種可固定或隨時間機(jī)動調(diào)整玻璃基板與散熱板間距以控制玻璃基板傳輸出的能量的快速能量傳輸回火裝置及方法。
本發(fā)明的另一目的在于可藉助一線性移動裝置將非晶硅薄膜及玻璃基板與散熱板依序通過能量板的上或下方，以掃描方式控制非晶硅薄膜層自能量板吸收熱能的回火的快速能量傳輸回火裝置及方法。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種藉助導(dǎo)熱層、隔熱層、受熱層、散熱層或隔熱層達(dá)成選擇性結(jié)晶，或引導(dǎo)結(jié)晶朝特定方向成長的快速能量傳輸回火裝置及方法。
根據(jù)本發(fā)明一方面提供一種快速能量傳輸回火裝置，其特點是，包括一光源單元，可快速提供主要光波能量；一能量單元，為可快速吸收光源主要波長能量并快速升溫的一受熱件；以及一回火單元，包含一基板及沉積于基板上的一非晶薄膜，回火單元的非晶薄膜是面對能量單元且相隔一適當(dāng)距離；其中，當(dāng)能量單元快速升溫并釋出熱能，可加熱非晶薄膜并將非晶薄膜轉(zhuǎn)換為一多晶薄膜。
根據(jù)本發(fā)明另一方面提供一種快速能量傳輸回火方法，其特點是，包括以下步驟a.提供一光源，可快速釋出主要光波能量；b.提供一能量單元，為可快速吸收光源主要波長能量并快速升溫的一受熱件；以及c.提供一回火單元，包含一基板及沉積于基板上的一非晶薄膜，回火單元的非晶薄膜是面對能量單元且相隔一適當(dāng)距離，可藉快速升溫的能量單元釋出的熱能加熱，轉(zhuǎn)換為一多晶薄膜；以及d.提供一散熱單元，它為一恒溫或可控溫的一散熱件，散熱單元與回火單元相隔一適當(dāng)距離，以吸收基板所釋出的能量。
為進(jìn)一步說明本發(fā)明的目的、結(jié)構(gòu)特點和效果，以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述。
(4)


圖1是本發(fā)明第一較佳實施例快速能量傳輸回火裝置示意圖。
圖2是本發(fā)明第二較佳實施例快速能量傳輸回火裝置示意圖。
圖3是本發(fā)明第三較佳實施例快速能量傳輸回火裝置示意圖。
圖四是本發(fā)明第四較佳實施例快速能量傳輸回火裝置的試片示意圖。
圖5A是本發(fā)明以第一較佳實施例實驗的N型雜質(zhì)活化試片回火前的剖面穿透式電子顯微鏡圖像。
圖5B是本發(fā)明以第一較佳實施例實驗的N型雜質(zhì)活化試片回火后的剖面穿透式電子顯微鏡圖像。
圖6A是本發(fā)明以第一較佳實施例實驗的氫化非晶硅試片回火后的剖面穿透式電子顯微鏡圖像。
圖6B是本發(fā)明以第一較佳實施例實驗的氫化非晶硅試片回火后的剖面穿透式電子繞射圖像。
(5)具體實施方式
下面將結(jié)合

本發(fā)明，熟悉本技術(shù)的人員須了解下文中的說明僅是作為例證用，而不用于限制本發(fā)明。
第一較佳實施例圖1為本發(fā)明第一較佳實施例快速能量傳輸回火裝置30示意圖，包括固定于一承載板31上的多個石英柱32、由多個石英柱32支撐和厚度為dS的一試片33，試片包含一玻璃基板331、于玻璃基板331上依次沉積的一二氧化硅層332及一非晶硅薄膜層333；一能量板34，設(shè)于試片33上方一第一距離d1處；一散熱板35，設(shè)于試片33下方一第二距離d2處，可讓多個石英柱32穿過，故承載板31可上下移動、一鎢絲鹵素?zé)粼?6，設(shè)于能量板34上方，可提供能量板34所需的熱能，能量板則由石墨、鉬、單晶硅或其他可快速吸收鎢絲鹵素?zé)粼?6能量并快速升溫的材料所構(gòu)成。
第一較佳實施例快速能量傳輸回火裝置30是藉助鎢絲鹵素?zé)粼?6自上方朝能量板34進(jìn)行脈沖式或非脈沖式快速照射，承載板31及散熱板35的位置皆可移動，故第一距離d1及第二距離d2可在回火過程中固定不變或隨時間任意調(diào)整，以此隨時間機(jī)動控制非晶硅薄膜的吸熱與玻璃基板的散熱。以傳導(dǎo)(conduction)為例，依據(jù)熱能通量(the flux of heat energy)公式，Jh1＝Kth1(Te-Ts1)/d1，Jh1(W/cm2)為由能量板34下表面經(jīng)第一距離d1傳導(dǎo)至非晶硅薄膜層333上表面的熱能通量，Kth1(W/cm oC)為能量板34下表面與非晶硅薄膜層333上表面第一距離d1之間氣體或固體介質(zhì)的熱導(dǎo)率(thermal conductivity)，Te為能量板34下表面的溫度，Ts1為非晶硅薄膜層333上表面的溫度。由能量板34下表面?zhèn)鬏斨练蔷Ч璞∧?33上表面的能量大小由Kth1、Te、Ts1、及d1四個參數(shù)值決定，以第一距離d1而言，第一距離d1值愈小傳輸?shù)哪芰坑螅?dāng)d1值趨近于零，能量傳輸有最大值，Ts1趨近于Te，而當(dāng)d1值趨近于無限大，能量傳輸有最小值，Jh1趨近于零，因此第一距離d1值的調(diào)整可以十分有效地由最大值至最小值控制能量板34下表面?zhèn)鬏斨练蔷Ч璞∧?33上表面的熱能量，以使非晶硅薄膜層333轉(zhuǎn)換為一多晶硅薄膜層，二氧化硅隔熱層332是提供隔熱功能，保護(hù)玻璃基板331免于過熱(超過600℃)軟化產(chǎn)生的損害；設(shè)于試片33下方第二距離d2處的散熱板35，可為一恒溫的散熱板，可設(shè)定遠(yuǎn)低于能量板34的溫度，如25、100、200或300℃，同理，以傳導(dǎo)(conduction)為例，依據(jù)熱能通量(the flux of heatenergy)公式，Jh2＝Kth2(Ts2-Tb)/d2，Jh2(W/cm2)為由玻璃基板331下表面經(jīng)第二距離d2傳導(dǎo)至散熱板35上表面的熱能通量，Kth2(W/cm oC)為玻璃基板331下表面與散熱板35上表面第二距離d2之間氣體或固體介質(zhì)的熱導(dǎo)率，Ts2為玻璃基板331下表面的溫度，Tb為散熱板35上表面的溫度。由玻璃基板331下表面?zhèn)鬏斨辽岚?5上表面的能量大小由Kth2、Ts2、Tb、及d2四個參數(shù)值決定，以第二距離d2而言，第二距離d2值愈小傳輸?shù)哪芰坑?，?dāng)d2值趨近于零，能量傳輸有最大值，Ts2趨近于Tb，而當(dāng)d2值趨近于無限大，能量傳輸有最小值，Jh2趨近于零，因此第二距離d2值的調(diào)整可以十分有效地由最大值至最小值控制玻璃基板331下表面?zhèn)鬏斨辽岚?5上表面的熱能量，以避免玻璃基板331因過熱而受到傷害。能量板34的面積、厚度、材料、及數(shù)量，鎢絲鹵素?zé)粼吹姆逯挡ㄩL、強(qiáng)度、脈沖式或非脈沖式快速照射的周期、溫度或時段，能量板34與試片33間的第一距離d1及試片33與散熱板35間的第二距離d2，兩者間的介質(zhì)、氣流、氣溫、及氣壓，散熱板35的面積、厚度、材料、溫度、及數(shù)量等諸多參數(shù)，彼此相互關(guān)連、依存、作用、影響，需以實驗逐步調(diào)整、校正，以獲最佳回火結(jié)晶效果。
第二較佳實施例圖2為本發(fā)明第二較佳實施例快速能量傳輸回火裝置40示意圖，包括一鎢絲鹵素?zé)粼?6；厚度為dS的一試片43，它包含一玻璃基板431、于玻璃基板431上依次沉積的一二氧化硅層432及一非晶硅薄膜層433；一能量板44，設(shè)于試片43上方一第一距離d1處；一散熱板45，它設(shè)于試片43下方一第二距離d2處。其整體結(jié)構(gòu)與第一較佳實施例快速能量傳輸回火裝置30大致相同；而第一相異處在于非晶硅薄膜層433上的一第一凸塊434a，該第一凸塊434a的突起導(dǎo)致其與能量板44間的距離d1’小于非晶硅薄膜層433與能量板44間的第一距離d1，第一凸塊434a受熱較多，故其下方的一第一非晶硅薄膜層區(qū)域436a吸收的熱能量高于一第七非晶硅薄膜層區(qū)域439，同理，第二凸塊435a下方的一第二非晶硅薄膜層區(qū)域437a吸收的熱能量亦高于第七非晶硅薄膜層區(qū)域439，第一非晶硅薄膜層區(qū)域436a及第二非晶硅薄膜層區(qū)域437a所吸收較高的熱能量會傳導(dǎo)至兩區(qū)域間的一第五非晶硅薄膜層區(qū)域438a，因此，第一非晶硅薄膜層區(qū)域436a、第二非晶硅薄膜層區(qū)域437a及第五非晶硅薄膜層區(qū)域438a三者的結(jié)晶速率高于第七非晶硅薄膜層區(qū)域439及非晶硅薄膜層433的其他區(qū)域；第二相異處在于玻璃基板431上的一第三凸塊434b，該第三凸塊434b與散熱板45的距離d2’小于玻璃基板431與散熱板45間的第二距離d2，第三凸塊434b散熱較多，同理，第四凸塊435b散熱亦較多，第三凸塊434b上方的一第三非晶硅薄膜層區(qū)域436b及第四凸塊435b上方的一第四非晶硅薄膜層區(qū)域437b散熱速度高于第七非晶硅薄膜層區(qū)域439，故第三非晶硅薄膜層區(qū)域436b、第四非晶硅薄膜層區(qū)域437b及兩區(qū)域之間的一第六非晶硅薄膜層區(qū)域438b散熱速度高于第七非晶硅薄膜層區(qū)域439及非晶硅薄膜層433的其他區(qū)域；綜上所述，非晶硅薄膜層433上的凸塊可使其下方及相鄰近的非晶硅薄膜層區(qū)域加快吸熱而加快升溫，而玻璃基板上的凸塊可令其上方及相鄰近的非晶硅薄膜層區(qū)域加快散熱而加快降溫。
第三較佳實施例

圖3分別為本發(fā)明第三較佳實施例快速能量傳輸回火裝置50示意圖，其結(jié)構(gòu)及實施方式與圖1第一較佳實施例快速能量傳輸回火裝置30大致相同，包括一鎢絲鹵素?zé)粼?6及一能量板54皆固定不動，所不同者是圖3中，一散熱板55、固定于一承載板51上的多個石英柱52、由多個石英柱52支撐的一試片53及試片53下方的一散熱板55，皆可置于一輸送帶(圖中未示出)上，同時向左移動，故試片53可隨的陸續(xù)通過能量板54下方，藉能量板54釋出的熱能掃瞄，快速吸收能量板54釋出的熱能，快速升溫，散熱板55及承載板51皆可上下調(diào)整移動，完成類似圖1第一較佳實施例快速能量傳輸回火裝置30中所述的回火結(jié)晶制程。
第四較佳實施例圖四為本發(fā)明第四較佳實施例快速能量傳輸回火裝置的一試片73示意圖，包括于一玻璃(或一塑膠)基板731上方依次沉積的一如金屬的導(dǎo)熱層732、一如二氧化硅或氮化硅的隔熱層733、一如非晶硅的非晶薄膜層734、一受熱層735，以及于該玻璃(或塑膠)基板731下方沉積的一如金屬的散熱層736，其中導(dǎo)熱層732、隔熱層733及散熱層736可為連續(xù)薄膜，或如線條狀、格狀及其他幾何圖案的薄膜，非晶薄膜層734亦可為連續(xù)薄膜，或如線條狀、格狀及其他幾何圖案的薄膜，受熱層735可為圖4中所示的幾何圖形，其中a1、a2、a3、a4尺寸可任意改變，調(diào)整受熱層735不同區(qū)域的受熱程度不同，以獲得選擇性結(jié)晶，其他幾何圖案的薄膜亦可依需求靈活應(yīng)用，其原理是利用不同厚度不同的熱傳導(dǎo)及不同的熱容量，導(dǎo)致不同區(qū)域不同的升溫速率或降溫速率。因此，非晶薄膜層734的結(jié)晶可選擇性地在特定區(qū)域發(fā)生，控制導(dǎo)熱方向亦可引導(dǎo)結(jié)晶朝特定方向成長。
以上第一較佳實施例至第三較佳實施例快速能量傳輸回火裝置30、40、50，及第四較佳實施例快速能量傳輸回火裝置試片73，詳細(xì)描述了本發(fā)明的不同實施方式。此外，本發(fā)明以第一較佳實施例所獲下列的第一實驗結(jié)果，在第一距離d1＝2mm，第二距離d2＝3mm條件下，以鎢絲鹵素?zé)粼醋陨戏匠芰堪暹M(jìn)行脈沖式快速照射，其是重復(fù)五次單一脈沖，每單一脈沖的設(shè)定值是自400℃于三秒鐘升溫至900℃，維持900℃五秒鐘，續(xù)自900℃于十秒鐘降溫至400℃，單一脈沖周期共持續(xù)十八秒鐘，下一單一脈沖周期緊接著開始，如此周而復(fù)始、共重復(fù)五個周期，僅花費(fèi)九十秒鐘(18×5＝90秒)，即可將一厚度為500埃的低溫多晶硅薄膜，因N型離子布植摻雜(磷(Phosphorus)20keV，1×1015/cm2)撞擊損壞所形成約400埃的非晶硅薄膜層回火成多晶硅且將雜質(zhì)活化，如圖5A及圖5B所示分別為此N型雜質(zhì)活化試片回火前及回火后的剖面穿透式電子顯微鏡圖像，可以清楚看出回火后非晶硅薄膜層已完全轉(zhuǎn)換為一多晶硅薄膜層，且其雜質(zhì)活化效果良好，具有良好導(dǎo)電性，片電阻值約280Ω/square，此結(jié)果與一般使用激光回火的效果相當(dāng)；又本發(fā)明以第一較佳實施例所獲下列的第二實驗結(jié)果，與第一實驗不同處是以15個周期共270秒(18×15＝270秒)，即可將沉積于一玻璃基板上的一厚度為4000埃的氫化非晶硅薄膜(a-SiH)，在未去氫條件下回火成多晶硅薄膜，沒有氫爆現(xiàn)象，如圖6A及圖6B所示分別為此氫化非晶硅試片回火后的剖面穿透式電子顯微鏡圖像及電子繞射圖像，可以清楚看出回火后氫化非晶硅薄膜層已完全轉(zhuǎn)換為一多晶薄膜層，且界面十分平坦，并有多晶硅的繞射圖像；另外，本發(fā)明快速能量傳輸回火裝置亦可藉助一回饋控制系統(tǒng)，機(jī)動調(diào)整能量板的溫度，加熱步驟可不受鎢絲鹵素或其他燈源衰退的影響，且燈源、能量板、散熱板、及承載板等均可以由許多單元組合成大面積的結(jié)構(gòu)，故可迅速有效的進(jìn)行大面積的快速能量傳輸回火制程。
當(dāng)然，本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，以上的實施例僅是用來說明本發(fā)明，而并非用作為對本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實質(zhì)精神范圍內(nèi)，對以上所述實施例的變化、變型都將落在本發(fā)明權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種快速能量傳輸回火裝置，其特征在于，包括一光源單元，可快速提供主要光波能量；一能量單元，為可快速吸收光源主要波長能量并快速升溫的一受熱件；以及一回火單元，包含一基板及沉積于基板上的一非晶薄膜，回火單元的非晶薄膜是面對能量單元且相隔一適當(dāng)距離；其中，當(dāng)能量單元快速升溫并釋出熱能，可加熱非晶薄膜并將非晶薄膜轉(zhuǎn)換為一多晶薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的快速能量傳輸回火裝置，其特征在于，還可包含一散熱單元，它設(shè)于面對基板一適當(dāng)距離處。
3.如權(quán)利要求1及第2所述的快速能量傳輸回火裝置，其特征在于，回火單元與能量單元及回火單元與散熱單元相隔的適當(dāng)距離可固定或隨時間任意調(diào)整且是可為零。
4.如權(quán)利要求1所述的快速能量傳輸回火裝置，其特征在于，一光源單元可為單一或多個鎢絲鹵素?zé)粼醇半瘹饣」鉄粼粗兄辽僦?，或任何可提供能量單元所需熱能的燈源或光源；一能量單元可為單一或多個能量板組合而成，能量板可為石墨、鉬、單晶硅、或任何其他適當(dāng)可快速吸收燈源能量的材料；以及一基板可為一玻璃基板、一塑膠基板、一石英基板、或任何其他適當(dāng)?shù)幕濉?br> 5.如權(quán)利要求2所述的快速能量傳輸回火裝置，其特征在于，散熱單元可為單一或多個恒溫及可控溫散熱板中至少之一組合而成，散熱板可為金屬、半導(dǎo)體、或絕緣體、或任何其他適當(dāng)?shù)纳岵牧稀?br> 6.如權(quán)利要求2所述的快速能量傳輸回火裝置，其特征在于，還可包含一承載單元及一支撐單元，支撐單元第一端固定于承載單元，第二端與基板接觸以支撐回火單元。
7.如權(quán)利要求1所述的快速能量傳輸回火裝置，其特征在于，還包含一隔熱層，設(shè)于基板及非晶薄膜之間，隔熱層可為二氧化硅、氮化硅或其他適當(dāng)?shù)母魺岵牧希灰簧釋?，設(shè)于非晶薄膜另一側(cè)的基板上，可為金屬、半導(dǎo)體、或絕緣體、或任何其他適當(dāng)?shù)纳岵牧?；一?dǎo)熱層，設(shè)于基板及隔熱層之間，可為金屬或其他適當(dāng)?shù)膶?dǎo)熱材料；以及一受熱層，設(shè)于基板另一側(cè)的非晶薄膜上，可為半導(dǎo)體、金屬、絕緣體或其他適當(dāng)?shù)氖軣岵牧稀?br> 8.如權(quán)利要求1或2所述的快速能量傳輸回火裝置，其特征在于，能量單元與回火單元間及回火單元與散熱單元間具有固體介質(zhì)或氣體介質(zhì)或固體與氣體介質(zhì)并存。
9.如權(quán)利要求1所述的快速能量傳輸回火裝置，其特征在于，回火單元可藉助一輸送單元移動，面對能量單元的非晶薄膜可依次藉能量單元釋出的熱能掃瞄并加熱，以轉(zhuǎn)換為一多晶薄膜。
10.一種快速能量傳輸回火方法，其特征在于，包括以下步驟a.提供一光源，可快速釋出主要光波能量；b.提供一能量單元，為可快速吸收光源主要波長能量并快速升溫的一受熱件；以及c.提供一回火單元，包含一基板及沉積于基板上的一非晶薄膜，回火單元的非晶薄膜是面對能量單元且相隔一適當(dāng)距離，可藉快速升溫的能量單元釋出的熱能加熱，轉(zhuǎn)換為一多晶薄膜；以及d.提供一散熱單元，它為一恒溫或可控溫的一散熱件，散熱單元與回火單元相隔一適當(dāng)距離，以吸收基板所釋出的能量。
全文摘要
一種快速能量傳輸回火裝置及方法，于一鎢絲鹵素或氙氣弧光燈源與一沉積于一玻璃基板上的一非晶薄膜的兩單元間設(shè)置一能量板，能量板面對非晶薄膜所釋出的熱能經(jīng)由氣體或固體介質(zhì)傳輸以加熱非晶薄膜并將它轉(zhuǎn)換為一多晶薄膜。還可于玻璃基板的另一側(cè)設(shè)置一散熱板及一承載板，散熱板吸收玻璃基板的熱量以保護(hù)它免于過熱而受損，散熱板及承載板可移動任意調(diào)整非晶薄膜與能量板及玻璃基板與散熱板的距離，以控制傳輸入非晶薄膜及玻璃基板傳輸出的能量大小。玻璃基板與多晶薄膜間可設(shè)置一導(dǎo)熱層及一隔熱層，玻璃基板另一面可設(shè)置一散熱層，非晶薄膜上可設(shè)置一受熱層，以控制并獲得選擇性結(jié)晶或控制導(dǎo)熱方向和引導(dǎo)結(jié)晶朝特定方向成長。
文檔編號H01L21/02GK1472781SQ0212736
公開日2004年2月4日 申請日期2002年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月30日
發(fā)明者江雨龍 申請人:江雨龍