專利名稱：具有防濕結構的密封管芯封裝上的直接組合層的制作方法
背景技術：
如圖4所示，精確的CSP包括在微電子管芯202的有效面204上直接制造組合層。組合層可包括設在微電子管芯的有效面204上的介質層206。可在介質層206上形成導電跡線208，其中各導電跡線208的一部分與微電子管芯的有效面204上的至少一個觸點212接觸?？芍瞥鐾庥|點如用于與外部元件(未示出)接觸的焊球或導電引腳，以與至少一條導電跡線208電接觸。圖4顯示了這種外觸點如焊球214，其被介質層206上的焊接掩膜材料216所包圍。然而在這種精確的CSP中，由微電子管芯的有效面204所提供的表面區(qū)域通常無法為需要與用于某些類型的微電子管芯(即邏輯部件)的外部元件(未示出)接觸的所有外觸點提供足夠的表面。
可通過使用插入件如襯底(基本上為剛性的材料)或柔性元件(基本上為柔性的材料)來提供附加的表面區(qū)域。圖5顯示了具有微電子管芯224的襯底插入件222，管芯224通過小焊球228與襯底插入件222的第一表面226相連并與其電接觸。小焊球228在微電子管芯224上的觸點232和襯底插入件的第一表面226上的導電跡線234之間延伸。導電跡線234通過在襯底插入件222中延伸的通孔242而與襯底插入件222的第二表面238上的焊接區(qū)236形成不連續(xù)的電接觸。外觸點244(顯示為焊球)形成于焊接區(qū)236之上。外觸點244用于實現(xiàn)微電子管芯224和外部電系統(tǒng)(未示出)之間的電連接。
使用襯底插入件222需要許多加工工序。這些加工工序增加了封裝的成本。另外，即使使用小焊球228，也存在會導致小焊球228之間發(fā)生短路的問題，并在微電子管芯224和襯底插入件222之間插入底層填料以防止污染和提供機械穩(wěn)定性方面存在著困難。
圖6顯示了一種柔性元件插入件252，其中微電子管芯256的有效面254通過粘結層262而與柔性元件插入件252的第一表面258相連。微電子管芯256被密封在密封材料264中。采用激光燒蝕在柔性元件插入件252上形成開口，其穿過柔性元件插入件252到達微電子管芯的有效面254上的觸點266和設在柔性元件插入件252內的選出的金屬墊片268。在柔性元件插入件252的第二表面272上和開口中形成了導電材料層。通過標準的光掩膜/蝕刻工藝使導電材料層形成圖案，從而形成導電通孔274和導電跡線276。外觸點形成于導電跡線276(其顯示為由鄰近導電跡線276的焊接掩膜材料282所包圍的焊球278)上。
使用柔性元件插入件252需要可形成柔性元件插入件252的膠合材料層，并要求將柔性元件插入件252膠粘到微電子管芯256上。這些膠粘工藝比較困難并可能會增加封裝的成本。另外，已經發(fā)現(xiàn)這樣得到的封裝的可靠性較差。
因此，開發(fā)一種用于CSP應用中的可提供另外的表面區(qū)域以形成跡線的新型裝置和技術是有利的。


盡管說明書總結了特別指明并清楚提出了本發(fā)明要求的權利要求，然而在結合附圖來閱讀時可從本發(fā)明的下述介紹中更容易地確定本發(fā)明的優(yōu)點，在附圖中圖1a-1m是根據(jù)本發(fā)明的形成微電子封裝的工藝的實施例的側剖視圖；圖2是詳述濕氣侵入微電子封裝的側剖視圖；圖3a-3q是根據(jù)本發(fā)明的用于在組合層內形成阻擋結構以基本上防止?jié)駳馇秩氲轿㈦娮臃庋b中的方法的側剖視圖；圖4是本領域中已知的微電子裝置的精確CSP的剖視圖；圖5是本領域中已知的采用襯底插入件的微電子裝置的CSP的剖視圖；和圖6是本領域中已知的采用柔性元件插入件的微電子裝置的CSP的剖視圖。
所示實施例的詳細介紹雖然圖1a-1m、圖2和圖3a-3q顯示了本發(fā)明的各個視圖，但這些圖并不意味著對微電子組件進行了非常詳細的描述。相反，這些圖以更清楚地表達本發(fā)明概念的方式來顯示半導體組件。另外，在這些圖之間相同的元件采用相同的標號表示。
本發(fā)明包括一種封裝技術，其可在密封微電子管芯上制造出具有比微電子管芯面積更大的面積的組合層。圖1a-1j顯示了本發(fā)明的形成微電子封裝的工藝的第一實施例。如圖1a所示，保護膜104貼在微電子管芯102的有效面106上，以保護微電子管芯的有效面106免受任何污染。微電子管芯的有效面106具有至少一個設置在其上的觸點108。觸點108與微電子管芯102內的集成電路(未示出)電接觸。保護膜104最好是基本上柔性的材料，例如Kapton聚酰亞胺薄膜(E.I.du Pont de Nemours and Company，Wilmington，特拉華州)，但也由任何合適的材料制成，包括金屬膜。保護膜104可具有強度較差的熱穩(wěn)定的粘結劑如硅酮，其可與微電子管芯的有效面106相連?？稍趯⑽㈦娮庸苄?02放入模子或密封工藝所用的其它這種裝置中之前應用這種粘合類型的薄膜。保護膜104也可以是非粘合類型的薄膜，例如ETFE(乙烯-四氟乙烯)或Teflon薄膜，其在密封過程中通過模子或其它這種裝置的內表面而固定在微電子管芯的有效面106上。
然后采用密封材料112如塑料、樹脂、環(huán)氧樹脂等對微電子管芯102進行密封，如圖1b所示，所述密裝材料覆蓋了微電子管芯102的背面114和側面116?？赏ㄟ^任何已知的工藝來對微電子管芯102進行密封，包括但不限于傳遞和壓力模塑及分配。密封材料112提供了機械剛性，保護微電子管芯102免受污染，并為跡線層的構造提供了表面區(qū)域。
在密封后，如圖1c所示，將保護膜104除去以暴露出微電子管芯的有效面106。同樣如圖1c所示，最好將密封材料112模制為形成了至少一個大致與微電子管芯的有效面106成平面的表面110。在進一步的制造工序中，將采用密封材料表面110作為另外的表面區(qū)域以形成組合層，例如介質材料層和導電跡線。
如圖1d所示，在微電子管芯的有效面106、觸點108和密封材料表面110上設置了第一介質層118，例如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、雙苯并環(huán)丁烯等。本發(fā)明的介質層最好填充有環(huán)氧樹脂，其可從美國加利福尼亞州Santa C1ara的Ibiden USA公司和美國新澤西州Paramus的Ajinomoto USA公司中得到?？赏ㄟ^任何已知的工藝來形成第一介質層118，包括但不限于薄膜層合、旋涂、輥涂和噴射沉積。
如圖1e所示，隨后形成穿過第一介質層118的多個通孔122?？赏ㄟ^本領域中已知的任何方法來形成多個通孔122，包括但不限于激光打孔、光刻術，并且如果第一介質層118是光敏的話，則可通過本領域中已知的與在光刻工藝中制造光致抗蝕掩膜相同的方式來形成多個通孔122。
如圖1f所示，在第一介質層118上形成多個導電跡線124，其中各導電跡線124中的一部分延伸到至少一個所述多個通孔122中以與觸點108電接觸。該多個導電跡線124可由任何適用的導電材料制成，例如銅、鋁及它們的合金。如圖1f所示，至少一個導電跡線延伸到微電子管芯的有效面106的附近和所述密封材料表面110的附近。
可通過任何已知的技術來形成多個導電跡線124，包括但不限于半添加電鍍(semi-additive plating)和光刻技術。代表性的半添加電鍍技術包括沉積原始層(seed layer)，例如第一介質層118上的噴射沉積或無電沉積的金屬。隨后在原始層上形成抗蝕層的圖案，然后在由形成圖案的抗蝕層中的開口區(qū)域所暴露出的原始層上電解電鍍上一層金屬。剝去形成圖案的抗蝕層，并將原始層上未鍍有金屬層的部分蝕刻掉。對本領域的技術人員而言，其它形成此多個導電跡線124的方法是顯而易見的。
如圖1g所示，在多個導電跡線124和第一介質層118上設置第二介質層126。可通過任何已知的工藝來形成第二介質層126，包括但不限于薄膜層合、輥涂和噴射沉積。
如圖1h所示，隨后形成穿過第二介質層126的多個第二通孔128?？赏ㄟ^本領域中已知的任何方法來形成多個第二通孔128，包括但不限于激光打孔，并且如果第二介質層126是光敏的話，則可通過本領域中已知的與在光刻工藝中制造光致抗蝕掩膜相同的方式來形成多個第二通孔128。
如果多個導電跡線124無法使多個第二通孔128放入合適的位置，則在此多個第二通孔128內和第二介質層126上形成導電跡線的其它部分，在第二介質層126上形成另一介質層，并在此介質層上例如如圖1f-1h所述地形成另一些多個通孔。重復介質層的成層和導電跡線的形成，直到通孔處于合適的位置為止。因此，單個導電跡線的一些部分可從其多個部分中形成，并可位于不同的介質層上。
可形成第二多個導電跡線132，其中第二多個導電跡線132中的每一個的一部分延伸到至少一個所述多個第二通孔128中。各個第二多個導電跡線132均包括一個連接區(qū)134(由虛線140表示的跡線上的擴大區(qū)域)，如圖1i所示。
一旦形成第二多個導電跡線132和連接區(qū)134，就可采用它們來形成與外部元件(未示出)相連的導電互連構件，例如焊接塊、焊球、引腳等。例如，可在第二介質層126和第二多個導電跡線132以及連接區(qū)134上設置焊接掩膜材料136。隨后在焊接掩膜材料136上形成多個通孔，從而暴露出各連接區(qū)134的至少一部分。例如可通過在各連接區(qū)134的暴露部分上絲網(wǎng)印刷焊膏并隨后進行回流焊接工藝或其它已知的涂鍍技術，從而形成多個導電凸塊138如焊接塊，如圖1j所示。
應當理解，密封材料112只是可使用的封裝材料的一個示例。例如，在微電子封裝的制造中，可采用微電子封裝核心142與密封材料112一起用作封裝材料，例如如圖1k所示。微電子封裝核心142最好由大致平面的材料組成。用于制造微電子封裝核心142的材料可包括但不限于雙馬來酰亞胺三嗪(BT)樹脂基材料、FR4材料(一種阻燃玻璃/環(huán)氧樹脂材料)以及各種聚酰亞胺材料。另外，在微電子封裝的制造中，可采用散熱件144與密封材料112一起用作密封材料，例如如圖11所示。用于制造散熱件144的材料可包括任何導電材料，包括但不限于銅、鋁及其合金。
圖1m顯示了用密封材料112密封的多個微電子管芯102。在圖1m中，構成組合層的介質材料層和導電跡線被簡單地一起表示為組合層152。然后沿線154穿過組合層152和密封材料112切出單個的微電子管芯102，以形成至少一個單獨的微電子管芯封裝，例如如圖1j所示。當然可以理解，也可從中單獨地制出圖1k的微電子封裝核心142，以形成如圖1k所示的微電子封裝。另外應當理解，也可從中單獨地制出圖1l的散熱件144，以形成如圖1l所示的微電子封裝。
雖然如圖1a-1j所示的組合層工藝是微電子管芯封裝制造中的一項有效技術，但它容易因濕氣入侵而出現(xiàn)脫層的故障。已經發(fā)現(xiàn)，濕氣沿著介質層(即介質層118，126和136)之間的界面的擴散(如圖2中的箭頭202和202”所示)比穿過介質層材料自身的擴散要快得多。
圖3a-3o顯示了一種根據(jù)本發(fā)明的形成阻擋結構以減輕或消除如圖2所示的層間濕氣侵入和脫層的方法。圖3a顯示了通常在如圖1a-1c所示的制造工序之后的微電子管芯和封裝材料。因此，圖3a顯示了具有有效面306和至少一個觸點308的微電子管芯302。圖3a還顯示了鄰近微電子管芯302的具有表面310的襯底304。襯底304一般表示了如圖1a-1j所示的密封材料112、如圖1k所示的微電子封裝核心142、如圖1l所示的散熱件144或任何適用的封裝材料。襯底304顯示為具有邊緣312。但是，應當理解，直到單個微電子管芯302被如圖1m所示地切開/分離后才形成襯底邊緣312。
第一介質層318設在微電子管芯的有效面306、觸點308和襯底表面310上，并且形成了至少一個穿過第一介質層318的第一通孔322以暴露出至少一個觸點308，如圖3b所示。隨后在第一介質層318上形成多個導電跡線和阻擋結構。最好通過半添加電鍍技術來形成此多個導電跡線和阻擋結構，包括在第一介質層318上和第一通孔322內沉積最好是銅/鈦合金的金屬的第一原始層324以覆蓋觸點308，如圖3c所示。然后在第一原始層324上形成第一抗蝕層326的圖案，如圖3d所示。第一抗蝕層326形成有第一開口328，其包括了第一通孔322以用于在之后形成導電跡線，并形成有靠近襯底邊緣312的第一狹長開口332，其基本上垂直于圖3d延伸以用于之后形成第一阻擋結構。
最好是銅的第一金屬層330最好通過電解電鍍而沉積在第一原始層324上的形成圖案的第一抗蝕層326的圖案區(qū)域內，如圖3e所示。然后將形成圖案的第一抗蝕層326剝去，如圖3f所示。將第一原始層324上未鍍有第一金屬層330的部分蝕刻掉，如圖3g所示。這就形成了至少一個第一導電跡線334和鄰近襯底邊緣312的第一阻擋結構336。如圖3h所示，在第一導電跡線34、第一阻擋結構336和第一介質層318上設置第二介質層338。
如圖3i所示，隨后形成至少一個穿過第二介質層338到達第一導電跡線334的第二通孔342和穿過第二介質層338到達第一阻擋結構336的第一溝槽344(垂直于圖3i延伸)。通過上述任何適當?shù)姆椒ú⒉捎孟嗤某尚喂ば騺硇纬傻诙?42和第一溝槽344。
如圖3j所示，在第二介質層338上沉積第二原始層352，沉積到第二通孔342中以與第一導電跡線334接觸，并且沉積到第一溝槽344中以與第一阻擋結構336接觸。然后在第二原始層352上形成第二抗蝕層354的圖案，如圖3k所示。第二抗蝕層354形成有第二開口356，其包括了第二通孔342以用于在之后形成第二導電跡線，并形成有第二狹長開口358，其包括了第一溝槽344并基本上垂直于圖3d延伸，以用于在之后形成第二阻擋結構。
如圖3l所示，在形成圖案的第二抗蝕層354的圖案區(qū)域內的第二原始層352上沉積第二金屬層362。然后將形成圖案的第二抗蝕層354剝去，如圖3m所示。將第二原始層352上未鍍有第二金屬層362的部分蝕刻掉，如圖3n所示。這就形成了至少一個第二導電跡線364和鄰近襯底邊緣312的第二阻擋結構366。
重復此過程直到組合層完成為止，這將導致形成防濕結構368，如圖3o所示。防濕結構368包括第一阻擋結構336、第二阻擋結構366以及另外的顯示為部分372，372’，372”的附加阻擋結構(還顯示了另外的介質層374，374’，374”，374)。由于防濕結構368與其它導電跡線和通孔結構一起制造，因此在形成時不需要額外的工序。另外如上所述，防濕結構368基本上阻擋了濕氣沿著界面擴散到組合層中。
當然應當理解，所示實施例采用了如圖3o所示的使防濕結構368的橫截面為大致鋸齒狀的技術，也可設計出一種堆疊多個針形接頭(plug)的技術以使所用的空間最小。這種防濕結構380顯示于圖3p中，包括多個針形接頭382，384，386和388(還顯示了另外的介質層374，374’，374”和374)。
如作為整個微電子裝置390的頂視圖的圖3q所示，防濕結構368(以虛線顯示)最好圍繞著微電子管芯302(也以虛線顯示)并鄰近襯底邊緣312。因此，防濕結構368形成了一個濕氣阻擋環(huán)，其基本上防止了濕氣從組合層的所有側面侵入到微電子封裝中。
雖然在上文中就組合層技術對本發(fā)明進行了介紹，但本發(fā)明的廣義概念可應用到制造介質層和跡線層的其它應用中。如本領域的技術人員所了解的那樣，這種應用包括但不限于COF(軟性電路板上芯片)和OLGA(有機平臺格柵陣列)結構。
通過上述對本發(fā)明實施例的詳細介紹，應當理解，由所附權利要求定義的本發(fā)明不限于上述的特定細節(jié)，在不脫離本發(fā)明的精神實質或范圍的前提下，可對本發(fā)明進行多種明顯的變動。
權利要求
1.一種防濕結構，包括具有表面和至少一個邊緣的封裝材料；設在所述封裝材料表面的至少一部分上的第一介質材料層；和設在鄰近所述封裝材料邊緣的所述第一介質材料層上的至少一個第一阻擋結構。
2.根據(jù)權利要求1所述的防濕結構，其特征在于，所述防濕結構還包括至少一個設在所述至少一個第一阻擋結構和所述第一介質材料層上的另外的介質材料層。
3.根據(jù)權利要求2所述的防濕結構，其特征在于，所述防濕結構還包括至少一個與所述至少一個第一阻擋結構接觸的第二阻擋結構，其中所述至少一個第二阻擋結構的至少一部分延伸穿過所述至少一個另外的介質材料層。
4.根據(jù)權利要求1所述的防濕結構，其特征在于，所述封裝材料包括密封材料。
5.根據(jù)權利要求1所述的防濕結構，其特征在于，所述封裝材料包括封裝核心材料。
6.根據(jù)權利要求1所述的防濕結構，其特征在于，所述封裝材料包括散熱件。
7.一種微電子封裝，包括具有有效面和至少一個側面的微電子管芯；鄰近所述至少一個微電子管芯側面的封裝材料，其中所述封裝材料包括大致與所述微電子管芯的有效面成一平面的表面并包括至少一個邊緣；設在所述封裝材料表面的至少一部分上的第一介質材料層；和設在鄰近所述封裝材料邊緣的所述第一介質材料層上的至少一個第一阻擋結構。
8.根據(jù)權利要求7所述的微電子封裝，其特征在于，所述微電子封裝還包括設在所述至少一個第一阻擋結構和所述第一介質材料層上的另外的介質材料層。
9.根據(jù)權利要求8所述的微電子封裝，其特征在于，所述微電子封裝還包括至少一個第二阻擋結構，其中所述至少一個第二阻擋結構的至少一部分延伸穿過所述至少一個另外的介質材料層并與所述至少一個第一阻擋結構接觸。
10.根據(jù)權利要求7所述的微電子封裝，其特征在于，所述封裝材料包括密封材料。
11.根據(jù)權利要求7所述的微電子封裝，其特征在于，所述封裝材料包括封裝核心材料。
12.根據(jù)權利要求7所述的微電子封裝，其特征在于，所述封裝材料包括散熱件。
13.一種微電子封裝，包括具有有效面和至少一個側面的微電子管芯；鄰近所述至少一個微電子管芯側面的封裝材料，其中所述封裝材料包括至少一個大致與所述微電子管芯的有效面成一平面的表面并包括至少一個邊緣；設在所述封裝材料表面的至少一部分上的第一介質材料層；設在所述第一介質材料層上的至少一個第一導電跡線，所述至少一個第一導電跡線的一部分延伸穿過所述第一介質材料層以與所述微電子管芯的有效面接觸；和設在鄰近所述封裝材料邊緣的所述第一介質材料層上的至少一個第一阻擋結構。
14.根據(jù)權利要求13所述的微電子封裝，其特征在于，所述微電子封裝還包括設在所述至少一個第一阻擋結構、所述至少一個第一導電跡線和所述第一介質材料層上的另外的介質材料層。
15.根據(jù)權利要求14所述的微電子封裝，其特征在于，所述微電子封裝還包括至少一個第二阻擋結構，其中所述至少一個第二阻擋結構的至少一部分延伸穿過所述至少一個另外的介質材料層以與所述至少一個第一阻擋結構接觸。
16.根據(jù)權利要求14所述的微電子封裝，其特征在于，所述微電子封裝還包括至少一個第二導電跡線，其中所述至少一個第二導電跡線的至少一部分延伸穿過所述至少一個另外的介質材料層并與所述至少一個第一導電跡線接觸。
17.根據(jù)權利要求13所述的微電子封裝，其特征在于，所述封裝材料包括密封材料。
18.根據(jù)權利要求13所述的微電子封裝，其特征在于，所述封裝材料包括封裝核心材料。
19.根據(jù)權利要求13所述的微電子封裝，其特征在于，所述封裝材料包括散熱件。
20.一種制造防濕結構的方法，包括提供具有表面和至少一個邊緣的襯底；在所述襯底表面的至少一部分上設置第一介質材料層；和在鄰近所述至少一個襯底邊緣的所述第一介質材料層上形成至少一個第一阻擋結構。
21.根據(jù)權利要求20所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述至少一個第一阻擋結構和所述第一介質材料層上設置至少一個另外的介質材料層。
22.根據(jù)權利要求21所述的方法，其特征在于，所述方法還包括使至少一個第二阻擋結構與所述至少一個第一阻擋結構相接觸，其中所述至少一個第二阻擋結構的至少一部分延伸穿過所述至少一個另外的介質材料層。
23.根據(jù)權利要求20所述的方法，其特征在于，所述形成所述至少一個第一阻擋結構包括在所述第一介質材料層上沉積原始層；在所述金屬原始層上形成抗蝕層的圖案，以形成具有用于所述至少一個第一阻擋結構的所需圖案的至少一個狹長開口；將金屬涂鍍在所述原始層上的所述至少一個狹長開口內；除去所述抗蝕層；除去所述原始層上未鍍有所述金屬的部分。
24.根據(jù)權利要求23所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述第一介質材料層和所述至少一個第一阻擋結構上設置第二介質材料層；形成至少一個穿過所述第二介質材料層以暴露出所述至少一個第一阻擋結構的一部分的溝槽；和在所述第二介質材料層上形成至少一個第二阻擋結構，其中所述第二阻擋結構的一部分延伸進入所述至少一個溝槽中以與所述至少一個第一阻擋結構接觸。
25.一種制造微電子封裝的方法，包括提供具有有效面和至少一個側面的至少一個微電子管芯；在所述至少一個微電子管芯側面附近提供封裝材料，其中所述封裝材料提供了大致與所述微電子管芯的有效面成一平面的表面；在所述微電子管芯的有效面和所述封裝材料表面的至少一部分上沉積第一介質材料層；形成至少一個穿過所述第一介質材料層以暴露出所述微電子管芯的有效面的一部分的第一通孔；在所述第一介質材料層上形成至少一個第一導電跡線，其中所述第一導電跡線的一部分延伸進入到所述至少一個第一通孔中以與所述微電子管芯的有效面電接觸；和在鄰近所述封裝材料表面的邊緣的所述第一介質材料層上形成至少一個第一阻擋結構。
26.根據(jù)權利要求25所述的方法，其特征在于，所述形成所述至少一個導電跡線和所述形成至少一個第一阻擋結構包括同時形成所述至少一個第一導電跡線和所述至少一個第一阻擋結構。
27.根據(jù)權利要求26所述的方法，其特征在于，所述同時形成所述至少一個第一導電跡線和所述至少一個第一阻擋結構包括在所述第一介質材料層上沉積延伸到所述第一通孔中的原始層；在所述原始層上形成抗蝕層的圖案，以形成具有用于所述至少一個第一導電跡線的所需圖案的至少一個開口，以及具有用于所述至少一個第一阻擋結構的所需圖案的至少一個狹長開口；將金屬鍍在所述原始層上的所述至少一個開口和所述至少一個狹長開口內；除去所述抗蝕層；除去所述原始層上未鍍有所述金屬的部分。
28.根據(jù)權利要求27所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述第一介質材料、所述至少一個第一導電跡線和所述至少一個第一阻擋結構上沉積第二介質材料層；形成至少一個穿過所述第二介質材料層以暴露出所述至少一個第一導電跡線的一部分的第二通孔；在所述第一介質材料層上形成至少一個第二導電跡線，其延伸進入到所述至少一個第二通孔中以與所述至少一個導電跡線電接觸；形成至少一個穿過所述第二介質材料層以暴露出所述至少一個第一阻擋結構的一部分的溝槽；和在所述第二介質材料層上形成至少一個第二阻擋結構，其延伸進入到所述至少一個溝槽中以與所述至少一個第一阻擋結構接觸。
全文摘要
一種制造包括具有位于密封微電子管芯(102)和圍繞著微電子管芯的其它封裝材料(112)上的導電跡線(124)的組合層(118，124，136)的微電子封裝的封裝技術，其中防濕結構與導電跡線同時形成。代表性的微電子封裝包括具有有效面和至少一個側面的微電子管芯。封裝材料(112)設在微電子管芯側(2)的附近，其中封裝材料(112)包括至少一個大致與微電子管芯的有效面成一平面的表面。第一介質材料層(118)可設在微電子管芯的有效面和封裝材料表面的至少一部分上。然后在第一介質材料層上形成至少一個導電跡線(124)以與微電子管芯的有效面電接觸。同時采用與導電跡線(124)相同的材料形成了位于鄰近微電子封裝的邊緣處的阻擋結構。
文檔編號H01L23/00GK1476631SQ01815414
公開日2004年2月18日 申請日期2001年9月7日 優(yōu)先權日2000年9月13日
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