專利名稱：單結(jié)晶晶片及太陽電池單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可將使用晶片加工(wafer process)所使用的單結(jié)晶晶片的厚度，比以往薄的晶片，尤其涉及使用該晶片的MIS型半導(dǎo)體裝置及太電電池單元。
背景技術(shù)：
將硅(Si)或鎵砷(GaAs)所代表的單結(jié)晶晶片乃是經(jīng)由柴可拉斯基法(CZ法)或浮動分區(qū)法(FZ)法所制作的單結(jié)晶棒切片成為晶片狀而得。因此，希望經(jīng)由將切片的晶片厚度僅可能變薄，以及將切片加工變少，自一條晶棒獲得更多制品晶片。即，經(jīng)由減低晶片的厚度或晶片制造步驟的加工損失，無原料的浪費，下降制造成本的課題，自以往就被廣為認(rèn)知。
但是，單純將晶片的厚度變薄時，于晶片制造步驟或裝置制造步驟中，會易于產(chǎn)生破裂或缺角之故，必需有某種程度的厚度(例如，直徑為200mm的硅晶片時，需700～800μm程度)。又，減少切片所產(chǎn)生的加工損失上，由于切片裝置上的限制有其極限。
又，原料的損失非但在于晶片制造步驟會產(chǎn)生，于裝置制造步驟亦會產(chǎn)生。最終，做為芯片安裝的晶片厚度為100～200nm程度之故，自晶片背面有進行減厚加工的工序(背部研磨)，在此原料亦被浪費。
另一方面，主要使用硅單結(jié)晶晶片制作的MIS(金屬/絕緣膜/硅)型晶體管的柵極(gate)絕緣膜中，要求低漏電流特性、低界面準(zhǔn)位密位、高載植入耐性等的高性能電氣特性、高可靠性。做為滿足此等要求的門極絕緣膜形成技術(shù)，以往是使用采用氧分子或水分子的800℃以上的熱氧化技術(shù)。使用此熱氧化技術(shù)，得良好的氧化膜/硅界面特性、氧化膜的耐壓特性、漏電流特性，乃使用以往具有表面為{100}面所成硅晶片或自單結(jié)晶的{100}面傾斜4度程度的面方位的硅晶片的情形。
然而，表面為{100}面所成硅晶片是剖面的{100}面對于表面而言顯現(xiàn)垂直方向，易于步驟中，產(chǎn)生龜裂、缺陷、滑動轉(zhuǎn)位等。為此，{100}面所成硅晶片的晶片厚度是于直徑200mm中，使用700～800μm、于直徑150nm中，使用600～700μm程度為通常的，對于具有自單結(jié)晶的{100}面傾斜4度程度的面方位的晶片亦相同的。
近年以來，不依賴硅晶片的表面的面方位，開發(fā)形成優(yōu)質(zhì)的絕緣膜的手法(參照2000 Symposium on VLSI Technology，Honolulu，Hawaii，June13th-15th，2000”Advantage of Radical Oxidation forImproving Reliability of Ultra-Thin Gate Oxide”)。因此，根據(jù)如此手法，無需將制作MIS型半導(dǎo)體裝置的晶片的面方位，限定于{100}面。

發(fā)明內(nèi)容
在此本發(fā)明是為活用無需依賴于此面方位，有效形成優(yōu)質(zhì)的絕緣膜的手法，由面方位和晶片的易于破裂度的關(guān)系，經(jīng)由提供較以往晶片厚度為薄時，仍可承受與以往同等的裝置制程的單結(jié)晶晶片，減低制造成本為目的。又，經(jīng)由利用具有如此難破裂的面方位的硅晶片，將MIS型半導(dǎo)體裝置，或減低制造成本為大課題的太陽電池單元，以低成本加以提供為目的。
為解決上述課題的本發(fā)明是單結(jié)晶晶片的主表面，對于單結(jié)晶的[100]軸，于
方向，具有α(0°＜α＜90°)、于
方向，具有β(0°＜β＜90°)、[10-1]方向或[101]方向具有γ(0°≤γ＜45°)的傾斜角度的面或與該面等效的面為特征的單結(jié)晶晶片。
如此單結(jié)晶晶片的表面是成為自易于劈開的所有{110}面傾斜的面方位，較以往的{110}面的單結(jié)晶晶片，對于自外部的應(yīng)力，難以被破裂。因此，可較以往可制作厚度為薄的晶片之故，自1條單結(jié)晶晶棒可制作的晶片張數(shù)會增加，可減低制造成本。
此時，單結(jié)晶晶片可由半導(dǎo)體硅而成。
如此，單結(jié)晶晶片為半導(dǎo)體硅時，為最為常用的半導(dǎo)體之故，有非常大的制造成本減低效果。
此時，可成為晶片的厚度(μm)/晶片的直徑(mm)≤3。
如此地，本發(fā)明的單結(jié)晶晶片在機械強度上為優(yōu)異之故，可成為以往所無法現(xiàn)對于晶片的厚度(μm)/晶片的直徑(mm)≤3的晶片的直徑的晶片厚度極薄的晶片。因此，制造成本減低所產(chǎn)生的效果會變得更大。
因此，于單結(jié)晶晶片的表面，形成絕緣膜者為佳。
如此地，使用本發(fā)明的硅單結(jié)晶晶片，于至少一方的表面，形成絕緣膜時，可抑制晶片的劈開。絕緣膜形成于晶片整面者其劈開抑制效果為高。又，使用如此晶片，例如可制作MIS半導(dǎo)體裝置，于厚度薄不易裂開的晶片上，可以低成本制作裝置。
此時，前述絕緣膜成為含有Kr的硅氧化膜，或前述絕緣膜成為含有Ar或Kr及氫的硅氮化膜者為佳。
如此地，絕緣膜為含有Kr的硅氧化膜，或含有Ar或Kr及氫的硅氮化膜時，不依賴面方位，可得良好的絕緣膜。
更且，可使用如此本發(fā)明的單結(jié)晶晶片，制造太陽電池單元。
太陽電池乃由于高制造成本，而無法普及之故，使用較以往強度為高，可進行薄硅單結(jié)晶晶片的加工所成本發(fā)明的晶片時，可達成太陽電池的制造成本的下降，其效果為大。
如以上所述，本發(fā)明的單結(jié)晶晶片是較以往，晶片的厚度為薄時，與以往相同地，可承受裝置制程的單結(jié)晶晶片。因此，可將單結(jié)晶原料的損失較以往明顯減低，又，經(jīng)由利用如此的硅晶片，可將MIS型半導(dǎo)體裝置，或減低制造成本為大課題的太陽電池單元，以低成本加以提供。


圖1是說明本發(fā)明的單結(jié)晶晶片的面方位的說明圖。
圖2是顯示于本發(fā)明的單結(jié)晶晶片，使用為形成氧化膜的徑向線槽天線(Radial Line Slot Antenna)裝置的一例圖。
圖3是顯示使用Kr/O2高密度電漿的硅晶片表面氧化時的含有Kr的氧化膜厚和氧化時間的關(guān)系圖。
圖4是顯示將氧化膜的界面準(zhǔn)位密度，自低頻C-V測定求得的結(jié)果的圖。
具體實施例方式
以下，更詳細(xì)說明本發(fā)明。
本發(fā)明人是如前述，接受不依形成硅晶片的表面的面方位地，形成優(yōu)質(zhì)的絕緣膜手法的被開發(fā)，為利用此，著眼于晶片的面方位和易破裂的關(guān)系。即，限定裝置特性上晶片的面方位的理由會消失之故，經(jīng)由選擇盡可能強度高的面方位，制作較以往厚度薄的晶片時，可得晶片的破裂，缺口的產(chǎn)生與以往相同者，結(jié)果，可增加自1條得到的晶片張數(shù)。
然而，做為制作裝置的硅晶片的面方位，以往乃使用如{100}面或(111)面的低指數(shù)者，亦使用自此面方位傾斜的面方位的晶片。例如，記載于日本特開昭56-109896號、日本特公平3-61634號、日本特開平8-26891號公報的發(fā)明，是記載有使用自{100}面或(111)面對于個{110}面數(shù)度傾斜的面。但是，此乃儀對于一個的{110}面傾斜的，難以稱為難以破裂的晶片。又，上述技術(shù)是有關(guān)制程導(dǎo)致結(jié)晶缺陷的產(chǎn)生防止或磊晶成長時的缺陷的產(chǎn)生防止。
另一方面，關(guān)于面方位和晶片的易于破裂的關(guān)系，于日本特開平9-262825號，記載有以線鋸切割單結(jié)晶的時，鋸標(biāo)記與劈開方向一致時，則易于破裂。但是，在此所考量的劈開面為僅正交于{100}面的{110}面，對于與{100}面具有45度的角度的{110}面則完全未加考量，切出的晶片亦為僅由{100}面等的低指數(shù)面所成晶片。
本發(fā)明人乃為制作難以破裂的晶片，僅考量正交于{100}面的{110}面是不夠的，對于與{100}面具有45度的角度的{110}面亦需加以考量，進而完成了本發(fā)明。
以下，對于本發(fā)明，雖參照圖面加以說明，本發(fā)明是非限定于此等。
圖1是說明本發(fā)明的單結(jié)晶晶片的面方位的圖面。圖1中的粗線所示箭頭(向量)，顯示本發(fā)明的單結(jié)晶晶片的面方位(晶片表面的法線方向)，對于[100]軸(X軸)而言，于
方向，具有α(0°＜α＜90°)、于
方向，具有β(0°＜β＜90°)、于[10-1]方向具有γ(0°≤γ＜45°)的傾斜角度。
即，自此面方位所成單結(jié)晶晶片乃具有自(011)面、(01-1)面、向10-1)面僅傾斜各角度α、β、γ的面，較以往的低指數(shù)的面方位的晶片，對于自外部的應(yīng)力機械性強度會變高。
在此，于α＝β之時，會成為γ＝0°之故，將如此傾斜面的晶片的截面，由
方向視之時，劈開面的(10-1)面和(101)面是對于(100)面，成為各具有45°的左右對稱的面。因此，結(jié)晶的有效結(jié)合數(shù)在任一面方位沒有差異時，γ＝0°就強度而言，是為最高的。但是，實際上的強度由面方位和有效結(jié)合數(shù)的兩者所決定，有效結(jié)合數(shù)較面方位有差異之故，不能一言蔽之γ＝0°為最佳，于0°≤γ＜45°的范圍，亦可得高度的強度。然而，硅單結(jié)晶時的有效結(jié)合數(shù)于(111)面、(110)面、(100)面，各為11.8×1014個/cm2、9.6×1014個/cm2、6.8×1014個/cm2。
又，α＞β之時之γ非圖1所示[10-1]方向的傾斜角，而意味[101]方向的傾斜角，乃是意味[101]方向的傾斜角。
然而，做為與圖1的單結(jié)晶晶片等效的面方位，考量結(jié)晶的對稱性時，將圖1的向量向zy平面，于90度地旋轉(zhuǎn)方向存在有3面。
制作如此特定的傾斜面所成晶片時，只要在通常的條件下制作的單結(jié)晶晶棒，以所定角度傾斜加以切割即可。硅單結(jié)晶之時，做為通常制作的晶棒的結(jié)晶方位，有<100>、<111>，之外，做為不產(chǎn)生結(jié)晶過剩的變形而制作的結(jié)晶方位，有<100>、<511>。又，做為拉起單結(jié)晶時的種晶，經(jīng)由使用預(yù)先附有數(shù)度程度的外角的種晶，可拉起有外角的結(jié)晶之故，使用如此的結(jié)晶時，可簡化切割時的方位調(diào)整。
如此本發(fā)明的單結(jié)晶晶片的表面乃成為自易于劈開的所有{110}面傾斜面方位之故，較以往的{100}面的單結(jié)晶晶片，對于自外部的應(yīng)力，可制作難以破裂、厚度為薄的晶片。
例如，將單結(jié)晶晶片自半導(dǎo)體硅制作之時，于以往的{100}面的硅單結(jié)晶晶片中，制作直徑為200mm的晶片需要厚度700～800μm程度，但本發(fā)明的單結(jié)晶晶片中，可使此變得更薄，例如于直徑200mm的晶片中，厚度可達600μm以下。因此，自一條單結(jié)晶晶棒可制作的晶片張數(shù)增加，可減低制造成本。
接著，使用具有如此傾斜面(以下記載為(abc)面)的硅晶片，對于在MIS型半導(dǎo)體裝置需形成門極絕緣膜的方法，加以說明。
以如下的方法，形成絕緣膜時，確實地可形成無門極絕緣膜的特性較以往不差的面方位相關(guān)性的絕緣膜。
圖2乃顯示在本發(fā)明的單結(jié)晶晶片，使用為形成氧化膜的徑向槽天線裝置的一例圖。于本實施形態(tài)中，為了氧化膜的形成，將Kr做為電漿激發(fā)氣體加以使脂時，有新穎的特征。將真空容器(處理室)1內(nèi)成為真空，自淋浴板2，導(dǎo)入Kr氣體、O2氣體，將處理室內(nèi)的壓力，設(shè)定為1Torr(約133Pa)的程度。
將硅晶片等的圓形妖之基板3置于具有加熱機構(gòu)的試料臺4上，使試料的溫度成為400℃地加以設(shè)定。此溫度設(shè)定可成為200～500℃程度的范圍內(nèi)。由同軸導(dǎo)波管5，透過徑向槽天線6、介電質(zhì)板7，于處理室內(nèi)，供給2.45GHz的微波，于處理室內(nèi)生成高密度的電漿。又，供給的微波的頻率只要為在于900MHz以上10GHz以下程度的范圍，可任意選擇其頻率。
于淋浴板2和基板3的間隔，在本實施形態(tài)中是為6cm。此間隔愈狹愈可高速成膜。于本實施形態(tài)中，顯示了采用使用徑向槽天線的電漿裝置成膜的例，但使用其它的方法，將微波導(dǎo)入處理室內(nèi)亦可。
于混合Kr氣體和O2氣體的高密度激發(fā)電漿中，在于中間激發(fā)狀態(tài)的Kr*與O2分子沖擊，有效率地產(chǎn)生示子狀O*。經(jīng)由此原子狀氧氣，基板表面被氧化。以往的硅表面的氧化是經(jīng)由H2O分子、O2分子所進行，處理溫度為高達800℃以上，但本發(fā)明的原子狀氧所成氧化，可在于550℃以下的足夠低溫下進行。
為使Kr*與O2的沖擊機會加大，處理室壓力高者為佳，但過高時，所產(chǎn)生之O*間會沖擊，而回到O2分子的狀態(tài)。本發(fā)明人等則將處理室內(nèi)的壓力比保持于Kr97％氧3％，測定經(jīng)由變化時的硅基板溫度400℃、10分鐘間的氧化處理而成長的氧化膜厚度時，處理室的氣壓于1Torr冒，氧化膜會最厚，得知此壓力以及該附近的氧化條件為最佳。此壓力條件在基板硅的面方位為數(shù)100)面，或在(111)面時皆不會改變，于(abc)面之時亦同樣。
圖3中，顯示使用Kr/O2高密度電漿硅晶片表面氧化時的含有Kr的氧化膜厚和氧化時間的關(guān)系圖。硅基板乃顯示面方位(100)面和(111)面及(abc)面者。圖3中，同時顯示以往900℃的干熱氧化所成氧化時間相關(guān)性?；鍦囟?00℃，處理室內(nèi)壓力1Torr的Kr/O2高密度電漿氧化的氧化速度乃較基板溫度900℃的大氣壓干O2氧化的氧化速度為快。
經(jīng)由導(dǎo)入使用Kr/O2高密度電漿的硅基板表面氧化，可大幅提升表面的氧化技術(shù)的生產(chǎn)性。于以往的高溫?zé)嵫趸夹g(shù)中，將形成于表面的氧化膜，經(jīng)由O2分子或H2O分子的擴散而穿透，到達硅/硅氧化膜的界面，給予氧化的故，氧化速度是經(jīng)由O2分子或H2O分子的氧化膜的擴散速度規(guī)定速度，對于氧化時間t，以t1/2增加為常識，但是于本發(fā)明的Kr/O2高密度電漿氧化中，氧化膜厚達35nm時，氧化速度為線性的。此乃原子狀的氧的擴散速度于硅氧化膜中為極大，意味可自由通過硅氧化膜。
將以上述手續(xù)形成的硅氧化膜中的Kr密度1深度方向，使用全反射螢光X線分光裝置進行調(diào)查。Kr密度為氧化膜厚度愈薄的范圍愈為減少，于硅氧化膜表面則以2×1011程度的密度存在有Kr。即，此硅膜為在于膜厚為4nm以上的膜中，Kr濃度為一定，向硅/硅氧化膜的界面，減少Kr濃度的膜。
圖4是將氧化膜的界面位準(zhǔn)密度由低頻C-V測定求得的結(jié)果。硅氧化膜的形成為使用圖2所示的裝置，于基板溫度400℃成膜。稀有氧體中的氧的分壓為3％，處理室內(nèi)的壓力固定于1Torr。為了比較，于900℃氧100％氧氛下成膜的熱氧化膜的界面準(zhǔn)位密度亦同時顯示。使用Kr氣體成膜的氧化膜的界面位準(zhǔn)密度對于(100)面、(111)面及(abc)面皆為低，與形成于900℃的干氧化氣氛成膜的(100)面的熱氧化膜的界面位準(zhǔn)密度同等。因此，于(abc)面中，可得同樣界面位準(zhǔn)密度低的優(yōu)質(zhì)的氧化膜。然而，形成于(111)面的熱氧化膜的界面位準(zhǔn)密度是較此等，大上10倍以上。本發(fā)明的界面位準(zhǔn)密度為中間間隔的界面捕獲電荷密度(Dit、interface trap density)，經(jīng)由準(zhǔn)靜態(tài)C-V法(quasi-static capacitance-voltage technique)求得。
有關(guān)此氧化膜的耐壓特性、漏放(leak)特性、熱載承受性，流入有疲勞電流的硅氧化膜到達破壞時的電荷量QBS(Charge-to-Breakdown)等的電氣特性，可靠性特性，使用Kr/O2高密度電漿的硅基板表面氧化所成氧化膜是可得與900℃的熱氧化同樣的良好特性。
如上所述，經(jīng)由Kr/O2高密度電漿成長的氧化膜是雖以400℃低溫氧化，不影響面方位，于(abc)面中，顯示與以往的(100)面的高溫?zé)嵫趸ね然蚋鼉?yōu)異的特性?？傻玫饺绱说男Ч似鹨蛴谘趸ぶ泻蠯r的緣故。經(jīng)由在于氧化膜中含有Kr，可緩和膜中或Si/SiO2-界面的疲勞，減低膜中電荷或界面位準(zhǔn)密度，大幅改善硅氧化膜的電氣特性。尤其，于表面密度中，包含5×1011cm-2以上的Kr，可賦予硅氧化膜的電氣性特性、可靠性特性的改善。
于使用此門極氧化膜的MIS晶體管等的面方位，亦顯示良好特性。于(abc)面，可得與(100)面同等的特性。
然而，為實現(xiàn)本發(fā)明的氧化膜，于圖2的裝置外，使用可采用電漿的低溫氧化膜形成的其它的電漿制程用裝置亦可。
例如可以具有放出經(jīng)由微波為激發(fā)電漿的Kr氣體的第1的氣體放出手段，和與放出氧氣的前述第1的氣體放出手段不同的第2的氣體放出手段的2段淋浴板型電漿制程裝置加以形成。
接著，對于使用電漿的低溫氮化膜的形成加以記述。氮化膜形成裝置是與圖2所示者幾乎一樣。于本實施形態(tài)中，為了氮化膜的形成，將Ar或Kr做為電漿激發(fā)氣體加以使用。將真空容器(處理室)1內(nèi)成為真空，由淋浴板2導(dǎo)入Ar氣體、NH3-氣體，將處理室內(nèi)的壓力設(shè)定成100mTorr。將硅晶片等的圓形狀的基板3，置于具有加熱機構(gòu)的試料臺4上，試料的溫度成為500℃地加以設(shè)定。此溫度設(shè)定為200～500℃程度的范圍內(nèi)即可。
自同軸導(dǎo)波管5，透過徑向線槽天線6，介電體板7，于處理室供給2.45GHz的微波，于處理室內(nèi)生成高密度的電漿。又，供給的微波的頻率只要為在于900MHz以上10GHz以下程度的范圍即可。淋浴板2和基板3的間隔，在本實施形態(tài)中是為6cm。此間隔愈狹愈可高速成膜。
于本實施形態(tài)中，顯示了采用使用徑向槽天線的電漿裝置成膜的例，但對于電漿激發(fā)氣體雖使用Ar，但使用Kr亦可得同樣的結(jié)果。又，于電漿制程氣體雖使用NH3，但亦可使用N2和H2等的混合氣體。
于Ar或Kr和NH3(或N2、H2)的混合氣體的高密度激發(fā)電漿中，經(jīng)由在于中間激發(fā)狀態(tài)的Ar*或Kr*--，NH*自由基可有效率產(chǎn)生。經(jīng)由此NH*自由基，基板表面被氮化。根據(jù)此硅氮化，不選擇硅的面方位，于低溫可形成高品質(zhì)的氮化膜。
于本發(fā)明的硅氮化膜形成中，存在氫為一重要要件。于電漿中經(jīng)由存在氫，硅氮化膜中及界面的懸空鍵則形成Si-H、N-H結(jié)合終結(jié)，無該結(jié)果硅氮化膜及界面的電子陷阱。Si-H結(jié)合、N-H結(jié)合存在于本發(fā)明的氮化膜，各測定紅外吸收光譜、X線光電子分光光譜地被加以確認(rèn)。存在氫地，無CV特性的滯后特性，硅/硅氮化膜界面準(zhǔn)位密度亦抑制于3×1010Ev-1cm-2的低程度。使用稀有氣體(Ar或Kr)和N2/H2的混合氣體，形成硅氮化膜之時，將氫氣的分壓成為0.5％以上，急遽減少膜中的電子或正孔的陷阱。
為實現(xiàn)本發(fā)明的氮化膜，于圖2的裝置外，使用采用電漿的低溫的氮化膜形成的其仔的電漿用裝置亦可。例如，可以具有經(jīng)由微波放出為激發(fā)Ar或Kr氣體的第1的氣體放出手段，和放出NH3(或N2/H2氣體)氣體的與前述第1的氣體放出手段不同的第2的氣體放出手段的2段淋浴板型電漿裝置加以形成。
接著，對于經(jīng)由具有如本發(fā)明的(abc)面的硅晶片，制造太陽能電池單元的方法加以說明。
如已說明，主表面(abc)面所成硅晶片其機械強度為高。因此，較切割以往太陽電池用的硅單結(jié)晶晶棒的厚度(直徑100～150mm為400～600μm程度)，可更薄地加以切割，例如直徑100～150mm中，可為300～450μm或其以下。因此，該晶片的產(chǎn)率提升，成本亦可下降。
切割是經(jīng)由線鋸或內(nèi)周刃所進行，經(jīng)由切割時的機械性沖擊，結(jié)晶會產(chǎn)生彎曲。此彎曲會劣化晶片的電氣性特性，對單元的特性會有影響。因此，為除去此彎曲層，進行10～20μm程度的化學(xué)蝕刻。此蝕刻乃經(jīng)由HF和H2O的混合酸進行為一般的，此時，將數(shù)10張的晶片，置入蝕刻用的載體，為于面內(nèi)均勻蝕刻，邊旋轉(zhuǎn)載體進行蝕刻。因亥，于如此蝕刻工序，晶片強度高者可有利地作用，即使是薄晶片，亦難以破裂，又進行稱為提升變換效率的紋理處理的經(jīng)由堿而進行的蝕刻。
之，通常所使用者為P型的硅晶片之故，于此經(jīng)由擴散n型不純物，形成pn接合，經(jīng)由電極形成、反射防止膜的形成，制作太陽電池單元。
又，于p型晶片的表面，經(jīng)由將n型層磊晶成長順序形成，經(jīng)由pnp型的串接型構(gòu)造，達成20％以上的變換效率和輸出電壓1.5V。
如此地，本發(fā)明的主表面的由(abc)面所成的晶片即使厚度為薄，可充分承受制作裝置或太陽電的工序，可達此等明顯制造成本的下降。
然而，本發(fā)明是非限定于上述實施形態(tài)。上述實施形態(tài)為一例示，具有與記載于本發(fā)明的權(quán)利要求范圍的技術(shù)思想實質(zhì)上同一的構(gòu)成，可發(fā)揮同樣作用效果者不論是任何形式者，皆包含于本發(fā)明的技術(shù)范圍。
例如，于上述實施形態(tài)中，將單結(jié)晶晶片由半導(dǎo)體硅所成的時為例列舉說明，但本發(fā)明非限定于此，對于硅以外的單結(jié)晶或化合物半導(dǎo)體，亦可適用，包含于本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種單結(jié)晶晶片，其特征是單結(jié)晶晶片的主表面是相對于單結(jié)晶的[100]軸，在
方向具有α(0°＜α＜90°)、在
方向具有β(0°＜β＜90°)、在[10-1]方向或[101]方向具有γ(0°≤γ＜45°)的傾斜角度的面或與該面等效的面。
2.如權(quán)利要求1所述的單結(jié)晶晶片，其特征是單結(jié)晶晶片由半導(dǎo)體硅形成。
3.如權(quán)利要求1或2所述的單結(jié)晶晶片，其特征是晶片的厚度(μm)/晶片的直徑(mm)≤3。
4.如權(quán)利要求2或3所述的單結(jié)晶晶片，其特征是在單結(jié)晶晶片的表面，形成絕緣膜。
5.如權(quán)利要求4所述的單結(jié)晶晶片，其特征是前述絕緣膜為含有Kr的硅氧化膜。
6.如權(quán)利要求4所述的單結(jié)晶晶片，其特征是前述絕緣膜為含有Ar或Kr及氫的硅氮化膜。
7.一種太陽電池單元，其特征是其是使用如權(quán)利要求1至6的任一項的單結(jié)晶晶片加以制作的。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種單結(jié)晶晶片及太陽電池單元，單結(jié)晶晶片的主表面是相對于單結(jié)晶的[100]軸，于
方向具有α(0°＜α＜90°)、于
方向具有β(0°＜β＜90°)、于[10－1]方向或[101]方向具有γ(0°≤γ＜45°)的傾斜角度的面或與該面等效的面為特征的單結(jié)晶晶片。由此，可經(jīng)由提供即使晶片厚度為薄，可承受裝置制程的單結(jié)晶晶片，可減低單結(jié)晶原料的損失。又，經(jīng)由利用如此晶片，可低成本提供MIS型半導(dǎo)體裝置或太陽電池單元。
文檔編號H01L31/036GK1440565SQ01812499
公開日2003年9月3日 申請日期2001年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月10日
發(fā)明者大見忠弘, 須川成利, 伊藤辰夫, 金谷晃一 申請人:信越半導(dǎo)體株式會社