專利名稱：具有改進的磁場范圍的磁多層結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁致電阻裝置，其包括支承用于提供磁致電阻效應(yīng)的自由和固定的鐵磁層的襯底，所述的固定層包括人造的反鐵磁性物質(zhì)層系統(tǒng)(AAF)，和交換偏置層，該交換偏置層臨近和磁感應(yīng)該AAF層系統(tǒng)。
發(fā)明的背景旋轉(zhuǎn)閥結(jié)構(gòu)，例如大磁致電阻(GMR)和旋轉(zhuǎn)道磁致電阻(TMR)裝置最近被廣泛地研究并已經(jīng)成為具有很多公開的課題。GMR和TMR裝置包括由非磁性材料的分隔層分隔的作為基本構(gòu)件的兩個鐵磁性層。這個結(jié)構(gòu)將稱為磁裝置的基本GMR或TMR堆，或者被稱為GMR或者TMR結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)具有磁致電阻特性并表現(xiàn)GMR或TMR效應(yīng)。對于GMR裝置，分隔層是非鐵磁性金屬層，對于TMR裝置，分隔層是非金屬層，最好是絕緣層。在分隔層上，存在在兩個鐵磁層之間的磁耦合。在TMR裝置中的絕緣層考慮到對于在兩個鐵磁性層之間的電子的量子機械隧道(quantum mechanical tunneling)的重要可能性。兩個鐵磁性層的一個是所謂的自由層，而另一個是所謂的硬固定層。自由層是其磁化方向能夠通過施加具有較低強度的磁場被改變的層，該較低強度最好基本上低于用來改變固定層的磁化方向所需要的磁場強度。因此，固定層具有較佳的，更好的固定磁場方向，此處的自由層的磁化方向在外部施加磁場的作用下能夠被很容易地改變。自由層的磁化強度的變化改變了TMR或GMR裝置的阻抗。這導(dǎo)致了這些裝置的所謂的磁致電阻效應(yīng)。這些磁裝置或系統(tǒng)的特性能夠以不同的方式被利用。例如，利用GMR效應(yīng)的旋轉(zhuǎn)閥讀取元件能夠被用作先進的硬盤薄膜頭。例如獨立的磁存儲裝置或者非易失嵌入存儲裝置能夠基于GMR或TMR元件被制造。這種存儲裝置的例子是MRAM裝置。另一個應(yīng)用是用于磁特性的傳感器裝置或系統(tǒng)。這種傳感器是用于例如防剎車鎖定(ABS)系統(tǒng)或者其它汽車應(yīng)用。
磁致電阻傳感器從US5686837可知。某些磁致電阻傳感器使用所謂的GMR效應(yīng)。大磁致電阻(GMR)是依靠在磁化方向(例如，不同的層)之間的角度的物質(zhì)(例如，磁多層)的電阻的現(xiàn)象。GMR材料系統(tǒng)的例子是交換-偏轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)閥和包括人造反鐵磁性物質(zhì)的多層(AAF’S)。更好地，這種傳感器(特別是用于汽車和工業(yè)應(yīng)用的傳感器)應(yīng)該工作在廣闊的磁場范圍。因此，磁致電阻應(yīng)該適于高磁場。特別對于類似的傳感器，假如輸出信號不依靠在大場區(qū)間上的場強度是有利的。
交換-偏轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)閥表現(xiàn)了差的熱穩(wěn)定性或者太小的場范圍。另一方面，AAF’s僅僅對有限的磁場穩(wěn)定。在較高的磁場，輸出特性甚至能翻轉(zhuǎn)，因為安全的原因這是不可以接受的。
發(fā)明的簡述本發(fā)明的目的是，為了能夠?qū)嶋H的應(yīng)用GMR或TMR裝置，提供一種磁致電阻裝置，其在廣闊的磁場范圍內(nèi)提供相當(dāng)恒定的輸出信號。
上述目的通過一種磁致電阻裝置被滿足，該磁致電阻裝置包括支承用來提供磁致電阻效應(yīng)的自由和固定鐵磁層的襯底，所述的固定層包括人造的反鐵磁性層系統(tǒng)(AAF)，和交換偏轉(zhuǎn)層，該交換偏轉(zhuǎn)層鄰近于并磁感應(yīng)AAF層系統(tǒng)，其中AAF層系統(tǒng)具有大于或等于3的奇數(shù)個非相鄰的鐵磁性層。非相鄰意味著鐵磁性層被非磁性層彼此分隔開。每個鐵磁性層本身可以由幾個子層組成例如，鐵磁性子層的堆。在AAF中的奇數(shù)個鐵磁性層提供了非常大的磁場范圍。人造反鐵磁性AAF是由交替的鐵磁性和非磁性層組成的層結(jié)構(gòu)，其已經(jīng)通過材料和層厚度的選擇，這種鐵磁性層的磁化方向的交換耦合在沒有外部磁場的情況下是不平行的。每個鐵磁性層能夠包括另一組鐵磁性層。AAF減少了在固定和自由層之間的靜磁耦合。因為非常小的凈磁矩(在理想狀態(tài)下理論上為零)，AAF也提供了在磁場中的大的剛性，然而在兩個相對的方向它是穩(wěn)定的。
交換偏轉(zhuǎn)層可以包括，例如，F(xiàn)eMn，NiMn，PtMn，NiO或者最好IrMn類型的材料。IrMn的間歇溫度要高于FeMn的間歇溫度，并且不象NiMn不需要退火處理。間歇溫度是高于在反鐵磁性IrMn類型層和固定層之間的交換偏轉(zhuǎn)消失(減少到零)情況的溫度。
AAF可以包括Co/非磁性金屬/Co/非磁性金屬/Co系統(tǒng)，但最好使用CoFe/非磁性金屬/CoFe/非磁性金屬/CoFe系統(tǒng)，因為在這種系統(tǒng)中各向異性能夠被減少。
這種在AAF中的非磁性金屬最好是Ru，其提供了強耦合并表現(xiàn)得非常穩(wěn)定(沒有氧化，沒有擴散)，這對于在AAF堆中的最薄和最關(guān)鍵層的限定是非常重要的。
為了消除擴散，在所有利用Cu的界面Ni最好被避免。最好CoFe被用來代替NiFe。此外，這增加了GMR系數(shù)。與Co相比，CoFe給出了在自由層中的較低的矯頑磁力(和更好的晶體結(jié)構(gòu))。
交換偏轉(zhuǎn)場在反向上大于傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)閥；因此，交換偏轉(zhuǎn)層最好位于最接近襯底處。然而，在這種情況下，緩沖層可能需要獲得所需的質(zhì)地。研究表明，在(例如3.5nm)Ta上的(2nm)NiFe是首選的。
根據(jù)本發(fā)明的磁致電阻裝置可以被用在例如，用于位置檢測，類似的角度檢測，或者旋轉(zhuǎn)速度檢測的傳感器上，或者被用在讀取頭中。根據(jù)本發(fā)明的磁致電阻裝置也可以被用在數(shù)據(jù)存儲裝置中，例如，作為諸如MRAM結(jié)構(gòu)的磁存儲結(jié)構(gòu)的部分，最好被集成在半導(dǎo)體襯底上。
如上面所指出的，提議的交換-偏轉(zhuǎn)AAF可以被用在數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)中。本發(fā)明的一個實施例包括在一個具有在芯片上被栽培或沉積的多層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體(硅)芯片上的整個數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的集成。這個多層結(jié)構(gòu)能夠在用于形成芯片的過程的前期或者后期在芯片上被栽培或者沉積。在后期過程中，芯片部分被平面化并且多層構(gòu)造在其上被沉積或栽培。為了把多層構(gòu)造的信號傳輸?shù)桨盘柼幚磉壿嫷男酒糠郑ㄟ^焊接或者通過結(jié)構(gòu)的適當(dāng)?shù)倪B接被形成。在前期過程中，該多層構(gòu)造被直接地集成在半導(dǎo)體(硅)上。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的層能夠通過分子束外延或者MOCVD或者濺射沉積或者本領(lǐng)域技術(shù)人員知道的任何沉積技術(shù)而被沉積。
本發(fā)明的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)可以是磁存儲元件，或者磁存儲裝置，也可以是計算機或者具有諸如MRAM的存儲功能的集成電路，或者具有嵌入的非易失的磁存儲元件的ASIC，或者芯片卡或者任何這種數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)。本發(fā)明的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的組結(jié)構(gòu)能夠被形成進一步建立在系統(tǒng)的基本GMR或TMR堆上的多層構(gòu)造。同樣也在其它構(gòu)造中，該組結(jié)構(gòu)能夠是被集成在半導(dǎo)體襯底上的MRAM結(jié)構(gòu)的一部分。該組結(jié)構(gòu)也能夠是被集成在半導(dǎo)體襯底上的非易失磁存儲結(jié)構(gòu)的一部分。MRAM數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)能夠基于磁道連接或者GMR旋轉(zhuǎn)閥，代CMOS電容器并且嵌在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體芯片環(huán)境中。典型的MRAM單元部件由磁性材料層組成，該磁性材料由薄的非磁性絕緣體分隔，電子能夠通過其穿過(基本TMR堆)。在磁性層中的磁性取向能夠通過施加磁場被獨立地控制。場由穿過鄰接或者整合在MRAM單元中的細線的電流脈沖建立。當(dāng)磁性層具有相同的方向時，電流在它們之間穿過，并且比當(dāng)方向不同的時候更容易穿過絕緣體。該單元因此能夠在兩種狀態(tài)之間切換，表示二進制的0和1。作為例子，具有不平行磁方向的Co/AL-oxide/NiFe溝道連接的穿透特性與平行狀態(tài)相比較，表示出了大的電阻。在兩種狀態(tài)之間的閾值是由磁性層的矯頑磁場(Hc(Co)＝1.6kA/m和Hc(NiFe)＝0.35kA/m)確定的，并且能夠通過材料和厚度的選擇而被調(diào)節(jié)。在例子中，所有的層能夠通過磁電濺射被沉積。氧化鋁層能夠在純凈的氧氣(O2)中以100mbar的壓力持續(xù)60-180秒而被等離子氧化。薄膜的rms粗糙度臨界于信號高度并且低于0.3nm。
對于磁性存儲器一個磁性層的方向能夠由反鐵磁性被保持確定和固定。因為在MRAM中的數(shù)據(jù)被磁存儲，所以無論裝置是否通電，數(shù)據(jù)都被保持，即它是非易失的。該MRAM的優(yōu)點包括因為信號高度與磁道連接的單元面積不成比例，所以有比現(xiàn)在的靜態(tài)RAM更高的速度，比DRAM更高的密度。讀/寫時間能夠被縮短為10納秒，大約比現(xiàn)在最快的RAM存儲器快6倍。另外，相對簡單的原理允許在電路設(shè)計中的更大靈活性。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面的檢測系統(tǒng)能夠是磁傳感器裝置或者磁讀取頭，例如用于硬盤的GMR薄膜頭，或者包括用于處理磁特征信號的電子信號處理的任何這種系統(tǒng)，或者其測量和派生。本發(fā)明的檢測系統(tǒng)的該組結(jié)構(gòu)能夠被制成進一步建立在基本的系統(tǒng)GMR或TMR堆上的多層構(gòu)造。因此該系統(tǒng)的至少一部分在沒有大改變標準制造程序的情況下是可制造的，從而使得該系統(tǒng)的至少一部分是低成本的。在本發(fā)明的一個實施例中，能夠在Alsimag(氧化物混合物)滑動器上或者在一個帶有被栽培或沉積在芯片上的多層構(gòu)造的半導(dǎo)體(硅)芯片上集成整個檢測系統(tǒng)。該多層構(gòu)造在用于制造芯片的過程的前期或者后期能夠被栽培或者沉積在芯片上。在后期過程，部分芯片被平面化并且多層構(gòu)造被沉積或者栽培在其上。為了把多層構(gòu)造的信號傳輸?shù)桨盘柼幚磉壿嫷男酒糠?，通過焊接或者通過結(jié)構(gòu)的適當(dāng)?shù)倪B接被形成。在前期過程中，該多層構(gòu)造被直接地集成在半導(dǎo)體(硅)上。本發(fā)明的檢測系統(tǒng)也可以是具有存儲器功能和集成的檢測系統(tǒng)的集成電路，或者具有嵌入的非易失的磁存儲元件和檢測系統(tǒng)的ASIC，或者具有檢測系統(tǒng)的芯片卡或者任何這種檢測系統(tǒng)。本發(fā)明的檢測系統(tǒng)的該組結(jié)構(gòu)能夠被形成進一步建立在系統(tǒng)的基本GMR或TMR堆上的多層構(gòu)造。
本發(fā)明的這些和其它實施例將參考附圖被說明。
附圖簡述

圖1表示了穿過根據(jù)本發(fā)明的磁致電阻裝置的第一個實施例的示意性橫截面圖。
圖2表示根據(jù)圖1的帶有奇數(shù)個和偶數(shù)個鐵磁層的裝置的磁致電阻曲線。
圖3表示包括根據(jù)本發(fā)明的磁致電阻裝置的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的示意性頂視圖。
圖4表示包括根據(jù)本發(fā)明的磁致電阻裝置的磁存儲器。
發(fā)明的
具體實施例方式
本發(fā)明將參考確定的實施例并參考確定的附圖被描述，但本發(fā)明不限于此，而是由權(quán)利要求限定的。在本發(fā)明的特定實施例中，基于基本的GMR或TMR堆的磁多層構(gòu)造被公開。這些多層構(gòu)造根據(jù)本領(lǐng)域中技術(shù)人員已知的技術(shù)能夠被集成在本發(fā)明的系統(tǒng)中。例如，在本發(fā)明的實施例中，能夠在一個帶有被栽培或沉積在芯片上的多層構(gòu)造的半導(dǎo)體(硅)芯片上集成整個檢測或者數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)。該多層構(gòu)造在用于制造芯片的過程的前期或者后期能夠被栽培或者沉積在芯片上。在后期過程，部分芯片被平面化和多層構(gòu)造被沉積或者栽培在其上。為了把多層構(gòu)造的信號傳輸?shù)桨盘柼幚磉壿嫷男酒糠?，通過焊接或者通過結(jié)構(gòu)形成適當(dāng)?shù)倪B接。這是明顯地，對于本領(lǐng)域中的技術(shù)人員來說，在不偏離本發(fā)明的實際精神的情況下，本發(fā)明的其它可選擇的和等價的實施例能夠被構(gòu)思和轉(zhuǎn)變成實踐，本發(fā)明的范圍僅由所附加的權(quán)利要求來限定的。
圖1表示了本發(fā)明的GMR多層堆的第一個實施例的示意性構(gòu)成。在襯底2(例如玻璃，半導(dǎo)體材料，象Si或者陶瓷材料，像Al2O3)上，假如需要，提供了緩沖層28，用來改進隨后的層的結(jié)晶結(jié)構(gòu)或者晶粒度。假如使用了，緩沖層28可以包括，例如和最好，Ta的第一子層4和NiFe的第二子層6。在緩沖層28上，交換偏轉(zhuǎn)層8被沉積。該交換偏轉(zhuǎn)層可以是，例如，F(xiàn)eMn，NiMn，PtMn，NiO或者最好是IrMn類型的材料(例如，10nm的IrMn)。而IrMn意味著是IrMn或者是帶有至少一種其它金屬的IrMn合金。在交換偏轉(zhuǎn)層8的上面，人工反鐵磁性(AAF)堆30被提供，其包括奇數(shù)個鐵磁性層10，14，18，該奇數(shù)等于或者大于3，其帶有散置在它們之間的非磁性層12，16。堆30可以包括，例如，第一Co90Fe10層10(例如，4.0nm厚)，第一Ru層12(例如，0.8nm厚)和第二Co90Fe10層14(例如，4.0nm厚)。為了在堆30中獲得奇數(shù)個鐵磁性層，第二Ru層16(例如，0.8nm厚)和第三Co90Fe10層18(例如，4.0nm厚)被增加。對于較高的奇數(shù)或者偶數(shù)個鐵磁性層，另外的Ru/CoFe層的組合可以被增加。在AAF堆30上，非磁性間隔層20被沉積。間隔層的材料可以是Cu類型的材料。而Cu類型意味著是Cu(例如，2.5nm厚的Cu)或者是帶有其它金屬，特別是Ag的Cu合金。在間隔層20的上面，Co90Fe10的層22(例如，0.8nm厚)被提供，其帶有Ni80F20層24(例如，5nm厚)。保護層26(例如，4nm的Ta)覆蓋該層系統(tǒng)。
為了證明本發(fā)明的改進的磁場范圍，與在圖1中顯示的帶有在AAF堆30中的有奇數(shù)和偶數(shù)個不同數(shù)量的鐵磁性層相似的例子被準備，從而在AAF堆30中的鐵磁性材料的總體數(shù)量被保持基本上相同。材料的厚度在表1中被給出。從這個表中能夠看出，朝向?qū)佣训耐鈧?cè)的鐵磁性層的厚度比朝向堆中心的層在某些情況下被形成得更薄。然而，本發(fā)明包括使外側(cè)鐵磁性層的厚度比內(nèi)側(cè)層的更薄。
表1

*非臨近鐵磁層的數(shù)量磁致電阻曲線平行于磁場被測量(相對于交換偏轉(zhuǎn)方向)。測量被表示在圖2中，從而各個曲線被垂直地偏移以允許容易的比較。最顯著的結(jié)果是3-倍和5-倍AAF堆30的磁致電阻在零區(qū)域的兩側(cè)是非常平的。這對于傳感器應(yīng)用來說是特別有利的。
這個重要的結(jié)果僅僅能利用在AAF堆30中的鐵磁性層的奇數(shù)組合來獲得。另外，具有AAF堆30的IrMn交換偏轉(zhuǎn)層的組合提供了高溫穩(wěn)定性，例如，在250℃到350℃或者更高的溫度，沒有交換偏轉(zhuǎn)的方向的旋轉(zhuǎn)。
自由層可以是單一的CoFe層，或多個子層(例如，CoFe+NiFe；CoFe+NiFe+CoFe等)。
代替CoFe，CoNiFe的Co可以被使用，但假如CoNiFe被使用，最好不與Cu間隔層相鄰。
AAF可以包括多個鐵磁性和非磁性層。每個鐵磁性層可以相對自由層如上所述地被構(gòu)成。
傳感器可以包括兩個固定鐵磁性層和自由鐵磁性層的組合。
本發(fā)明的傳感器也可以被用作數(shù)據(jù)存儲單元。在自由和固定層的磁化方向之間設(shè)置的角度表示例如，“0”或者“1”。數(shù)據(jù)內(nèi)容能夠通過測量存儲“單元”的阻抗而被讀取。
上面的實施例涉及包括自由和固定鐵磁性層的加強的GMR或TMR效應(yīng)類型多層裝置，其具有在汽車應(yīng)用中所需要的大磁場范圍。GMR多層具有不對稱的磁致電阻曲線并且能夠為具有互補的輸出信號的傳感器。通過這些措施的組合可獲得進一步的改進，該措施包括使用交換偏轉(zhuǎn)人工鐵磁性物質(zhì)的組合作為固定層和IrMn交換偏轉(zhuǎn)層，后者最好布置在緩沖層頂部的層堆的底部。
所述的材料系統(tǒng)可以被廣泛地使用在GMR傳感器中，特別是對于汽車和工業(yè)應(yīng)用。特殊的應(yīng)用是數(shù)字位置傳感器(例如，用于曲軸位置的)和類似的角度傳感器(例如，閥位置，踏板位置，方向盤位置)。由于發(fā)明的傳感器具有不對稱的磁致電阻曲線，它能夠是具有互補的輸出信號的傳感器。通過生產(chǎn)其中固定層(的磁向)相對自由層是+90°的第一自由/固定層系統(tǒng)和其中固定層(的磁向)相對自由層是-90°的第二自由/固定層系統(tǒng)，提供互補輸出信號的傳感器元件能夠被形成。通過加熱和冷卻在具有所要的方向的磁場中的層，定向固定層能夠被實現(xiàn)。這種方法在由K.M.Lenssen的“加強的大磁致電阻傳感器(Robust Giant Magnetoresistance Sensors)”，1999年9月12-15日，在荷蘭海牙的第13次關(guān)于固態(tài)傳感器的歐洲會議中被描述。
在圖3中顯示的根據(jù)本發(fā)明的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)包括框架32，和主軸34，其旋轉(zhuǎn)地安裝在框架32上用來支承存儲介質(zhì)，特別是盤類信息載體36，例如磁-光盤。該信息載體36可以是整體載體或者可移動載體。該系統(tǒng)還包括激光源，和承載具有讀取頭40的滑動器的擺臂38，該讀取頭40包括根據(jù)本發(fā)明的磁致電阻裝置。用于驅(qū)動主軸34和臂38的驅(qū)動被提供。在運轉(zhuǎn)狀態(tài)，讀取頭40檢測存在于旋轉(zhuǎn)信息載體36上的信息，該頭被相對信息載體36布置并且相對于載體36基本徑向地移動。根據(jù)本發(fā)明表示的系統(tǒng)也可以是用于從卡片或磁帶上讀取信息的系統(tǒng)。
在圖4中表示的根據(jù)本發(fā)明的磁存儲器包括存儲元件42，字線44和位線46，來選擇特定的存儲元件。每個存儲元件42包括AAF層系統(tǒng)30。在位線46中的存儲元件42通過具有低電阻系數(shù)的非磁性金屬48，例如Cu，被彼此隔離。
雖然本發(fā)明參考最佳實施例已經(jīng)被表示和描述，應(yīng)該理解為，在不偏離如所附權(quán)利要求中所定義的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，本領(lǐng)域中的技術(shù)人員可以在形式和細節(jié)上作出各種變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種磁致電阻裝置，包括支承用來提供磁致電阻效應(yīng)的自由和固定鐵磁層的襯底，所述的固定層包括人造的反鐵磁性層系統(tǒng)(AAF)，和交換偏轉(zhuǎn)層，該交換偏轉(zhuǎn)層鄰近和磁感應(yīng)AAF層系統(tǒng)，其中AAF層系統(tǒng)具有大于或等于3的奇數(shù)個非相鄰的鐵磁性層。
2.如權(quán)利要求1的裝置，其中AAF層系統(tǒng)包括三個CoFe層和兩個中間的非磁性層。
3.如權(quán)利要求1的裝置，其中自由和固定鐵磁性層被Cu類型層分離，該Cu類型層的兩側(cè)鄰接Co或者CoFe層。
4.如權(quán)利要求1或2的裝置，其中AAF的每個中間層是Ru層。
5.如權(quán)利要求1到4中的任何一個的裝置，其中交換偏轉(zhuǎn)層被布置在襯底和AAF層系統(tǒng)之間。
6.如權(quán)利要求1到5中的任何一個的裝置，其中在奇數(shù)個非鄰近的鐵磁性層內(nèi)形成層堆。
7.如權(quán)利要求6的裝置，其中朝向堆的外側(cè)的至少兩個鐵磁性層比朝向堆的中心的鐵磁性層薄。
8.如權(quán)利要求6的裝置，其中朝向堆的外側(cè)的至少兩個鐵磁性層比朝向堆的中心的鐵磁性層厚。
9.包括根據(jù)前述權(quán)利要求1到8中的任何一個的包括磁致電阻裝置的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)。
10.包括根據(jù)前述權(quán)利要求1到8中的任何一個的包括磁致電阻裝置的磁存儲器。
全文摘要
根據(jù)需要的，例如在汽車應(yīng)用中，一種加強的GMR或者TMR效應(yīng)類型多層結(jié)構(gòu)，其包括自由和固定鐵磁性層，具有被描述的廣闊的磁場范圍。通過使用在交換－偏轉(zhuǎn)人工反鐵磁體中的非相鄰鐵磁性層作為固定層，獲得改進。
文檔編號H01L43/08GK1460272SQ01801706
公開日2003年12月3日 申請日期2001年6月12日 優(yōu)先權(quán)日2000年6月21日
發(fā)明者K·-M·H·倫森, A·E·T·奎珀 申請人:皇家菲利浦電子有限公司