專利名稱：發(fā)光器件的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及到發(fā)光器件，它具有由夾在陽極與陰極之間的呈現EL(電致發(fā)光)的發(fā)光材料構成的薄膜(以下稱為發(fā)光層)組成的元件(以下稱為EL元件)。注意，有機EL顯示器和有機發(fā)光二極管(OLED)包括在本發(fā)明的發(fā)光器件中。
而且，能夠用于本發(fā)明中的發(fā)光材料包括所有通過單重態(tài)激發(fā)或三重態(tài)激發(fā)或二者發(fā)光(磷光和/或熒光)的發(fā)光材料。
而且，本發(fā)明中的摻雜劑是指作為客體被摻入到作為基質的由有機材料構成的薄膜中的有機材料(有機化合物)。典型情況下，摻雜劑是摻入到發(fā)光層中用來控制其發(fā)光顏色的有機材料。作為摻入發(fā)光層的摻雜劑，可以使用經由單重激發(fā)或三重激發(fā)或二者而發(fā)光(磷光和/或熒光)的有機材料。
自Eastman Kodak公司公布發(fā)光器件利用由有機材料構成的發(fā)光層在低驅動電壓下發(fā)光之后，使用有機材料的發(fā)光器件受到了廣泛的關注。在Kodak公司的公布中，其特點在于將元件結構制成疊層類型，從而能夠降低發(fā)光器件的驅動電壓。多家公司正對疊層式元件結構進行研發(fā)。
圖2是本發(fā)明人所做試驗(比較例)的投影圖，因此在提出本發(fā)明申請時還不是眾所周知的技術。
在圖2中，參考號201表示玻璃襯底，202表示由ITO(氧化銦錫)構成的陽極，203表示由PEDOT(聚噻吩)構成的空穴注入層(20nm厚)，204表示由STAD(螺旋-三苯胺衍生物)構成的空穴輸運層(20nm厚)，205表示由α-NPD(4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]聯苯)構成的空穴輸運層(10nm厚)，206表示由SDPVBi(螺旋-聯苯乙烯聯苯)構成的發(fā)光層(10nm厚)(以下稱為藍光發(fā)光層)，207表示由Alq3(三-8-喹啉-鋁絡合物)構成的摻有DCM摻雜劑的發(fā)光層(10nm厚)(以下將該發(fā)光層稱為紅光發(fā)光層)，208表示由Alq3構成的發(fā)光層(40nm厚)(以下稱為綠光發(fā)光層)，而209表示由Yb(鐿)膜構成的陰極。
在此，本發(fā)明人借助于同時蒸發(fā)(一種從不同的蒸發(fā)源同時蒸發(fā)不同的材料，從而使各個材料混合的蒸發(fā)方法)Alq3和摻雜劑而執(zhí)行薄膜淀積，從而制作紅光發(fā)光層207。然后，一旦停止同時蒸發(fā)，就僅僅蒸發(fā)Alq3，從而制作綠光發(fā)光層208。
正常情況下，在具有圖2所示疊層結構的EL元件中，藍、紅和綠色被混合到一起以形成白光。然而，如圖8所示，在本發(fā)明人進行的上述方法中，EL元件發(fā)射峰值在600nm附近的顏色，因而不能獲得純白色發(fā)光。
鑒于上述問題而提出了本發(fā)明，且本發(fā)明的目的是在形成由有機材料構成的薄膜過程中，當在薄膜中制作含有摻雜劑的層時，提高含有摻雜劑的層和不含有摻雜劑的層的連續(xù)性。
典型情況下，本發(fā)明的目的在于提供一種方法，來獲得具有含摻雜劑的發(fā)光層的EL元件的優(yōu)異發(fā)光，從而提供一種制造含有這種優(yōu)異發(fā)光性能的EL元件的發(fā)光器件的方法。
本發(fā)明人根據上述實驗結果對所示EL元件的制造方法進行了各種各樣的研究。結果，本發(fā)明人得出的結論是，含有摻雜劑的發(fā)光層與不含摻雜劑的發(fā)光層之間的界面，對EL元件的發(fā)光顏色具有重要的影響。換言之，本發(fā)明人認為，當不同發(fā)光層間的界面處的一致性(連續(xù)性)差時，則不可能得到白色發(fā)光。
考慮到上述情況，在圖2所示的元件結構中，本發(fā)明人借助于一起蒸發(fā)來進行Alq3和作為摻雜劑的有機材料的薄膜淀積，從而制作紅光發(fā)光層207。然后在繼續(xù)蒸發(fā)Alq3的情況下，停止蒸發(fā)摻雜劑，僅僅蒸發(fā)Alq3，從而制作綠光發(fā)光層208。
根據本發(fā)明制造的EL元件的結構示于圖3。在圖3中，參考號301表示玻璃襯底，302表示由ITO(氧化銦錫)構成的陽極，303表示由PEDOT(聚噻吩)構成的空穴注入層(20nm厚)，304表示由STAD(螺旋-三苯胺衍生物)構成的空穴輸運層(20nm厚)，305表示由α-NPD(4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]聯苯)構成的空穴輸運層(10nm厚)，306表示由SDPVBi(螺旋-聯苯乙烯聯苯)構成的發(fā)光層(10nm厚)(以下稱為藍光發(fā)光層)，307表示由Alq3(三-8-喹啉-鋁絡合物)構成的摻有DCM摻雜劑的發(fā)光層(10nm厚)(以下將該發(fā)光層稱為紅光發(fā)光層)，308表示由Alq3構成的發(fā)光層(40nm厚)(以下稱為綠光發(fā)光層)，而309表示由Yb(鐿)膜制成的陰極。
圖3所示的本發(fā)明EL元件結構的特點在于，紅光發(fā)光層307和綠光發(fā)光層308之間的界面不很明顯，但它們的接觸區(qū)域具有極高的一致性(連續(xù)性)。由于這種元件結構，致使從被實驗的EL元件獲得了優(yōu)異的白色發(fā)光。


圖1所示曲線是本發(fā)明所獲得的白光發(fā)光的發(fā)光特性，其中各個點的橫軸表示波長，縱軸表示其亮度(光譜輻射強度)。如圖1所示，在400-700nm波長范圍內獲得了寬的發(fā)光特性，因此顯然得到了優(yōu)異的白色發(fā)光。
鑒于上述現象，在制作其結構具有含摻雜劑的發(fā)光層的EL元件的過程中，本發(fā)明人認為連續(xù)制作各個發(fā)光層而不停止蒸發(fā)作為基質的發(fā)光材料是可取的。特別是，在借助于在形成發(fā)光層的發(fā)光材料中摻入摻雜劑來控制EL元件的發(fā)光顏色的情況下，本發(fā)明人認為即使當停止或開始摻雜劑蒸發(fā)時，連續(xù)發(fā)光材料的蒸發(fā)也是可取的。
于是，本發(fā)明的制造發(fā)光器件的方法的特征在于，借助于蒸發(fā)發(fā)光材料和摻雜劑以形成發(fā)光層，然后繼續(xù)發(fā)光材料的蒸發(fā)而停止摻雜劑的蒸發(fā)以形成由該發(fā)光材料構成的發(fā)光層，來制作EL元件。
在本發(fā)明的制造發(fā)光器件的方法中，其制造方法的進一步特征在于，借助于用蒸發(fā)方法形成由發(fā)光材料構成的第一發(fā)光層，然后在繼續(xù)蒸發(fā)發(fā)光材料的情況下蒸發(fā)摻雜劑，從而形成由發(fā)光材料和摻雜劑構成的第二發(fā)光層，來制作EL元件。
利用上述制造EL元件的方法，有可能制造無源矩陣型發(fā)光器件或有源矩陣型發(fā)光器件，其中能夠獲得優(yōu)異的發(fā)光性能。
注意，本發(fā)明的應用不局限于層疊含有摻雜劑的發(fā)光層和不含有摻雜劑的發(fā)光層。換言之，當制作由有機材料構成的薄膜時，本發(fā)明能夠在薄膜中形成含有摻雜劑的層的所有情況下實施。結果，含有摻雜劑的層和不含有摻雜劑的層之間的連續(xù)性得到了提高，從而可望改善發(fā)光特性、電荷注入或電荷輸運特性。
從結合附圖的下列描述中，本發(fā)明的上述和其它的目的和特點將更加明顯圖1示出了EL元件的發(fā)光特性(采用本發(fā)明的情況)；圖2示出了EL元件的結構(采用本發(fā)明的情況)；圖3示出了EL元件的結構(采用本發(fā)明的情況)；
圖4A-4E示出了發(fā)光器件的制造工藝；圖5A-5E示出了發(fā)光器件的制造工藝；圖6A-6C示出了發(fā)光器件的制造工藝；圖7示出了發(fā)光器件所顯示圖像的替代照片；圖8示出了EL元件的發(fā)光特性(不采用本發(fā)明的情況)；以及圖9A-9F示出了各種電子裝置。
在下述各個實施方案中，將詳細解釋本發(fā)明的實施方案模式。
實施方案1下面參照圖4A-6C來解釋本發(fā)明的實施方案1。在實施方案1中，將描述同時制造象素部分以及提供在其外圍的驅動電路部分的TFT的方法。但為了簡化其描述，對于驅動電路，將在各個圖中示出作為基本單元的CMOS電路。
首先，如圖4A所示，在玻璃襯底500上制作300nm厚的由氮氧化硅薄膜構成的基底膜501。在此，氮氧化硅薄膜被制作成兩層，且與玻璃襯底500接觸的層的氮濃度被比較高地設定為10-25％重量比。
接著，用等離子體CVD方法，在基底膜501上制作50nm厚的非晶硅薄膜(圖中未示出)。然后，根據日本專利公開No.Hei 7-130652公開的結晶技術，使非晶硅薄膜結晶，從而形成結晶硅薄膜502(也稱為多晶硅薄膜)。(見圖4A)然后，如圖4B所示，結晶硅膜502被圖形化，從而形成被加工成小島形狀的半導體膜503-506。(見圖4B)接著，在結晶硅膜502上制作130nm厚的由氧化硅膜構成的保護膜507。然后通過保擴層507將硼摻入到半導體膜503-506中。在實施方案1中，用不進行質量分離的等離子體摻雜方法來摻入硼。通過這一工藝，硼在半導體膜503-506中的濃度為1×1015-5×1017原子/cm3。此處摻入的硼被用來調節(jié)TFT的閾值電壓。(見圖4C)隨后，在保護膜507上制作抗蝕劑掩模508a和508b，并通過保護膜507摻入磷。在實施方案1中，磷是用等離子體摻雜方法摻入的。通過此工藝，半導體區(qū)(n-型雜質區(qū))509被制作成含有濃度為2×1016-5×1019原子/cm3的磷。(見圖4D)接著，如圖4E所示，用等離子體CVD方法，制作柵絕緣膜510以覆蓋半導體膜503-506。100nm厚的氮氧化硅被用作柵絕緣膜510。
隨后，制作由50nm厚氮化鉭(TaN)膜和350nm厚的鉭(Ta)膜組成的疊層膜，從而形成柵電極511-515。在此，柵電極512被制作成經由柵絕緣膜510覆蓋部分n-型雜質區(qū)509。
如圖5A所示，用柵電極511-515作為掩模，以自對準方式摻入濃度為1×1016-5×1018原子/cm3的磷。這樣形成的雜質區(qū)516-523，用濃度為n-型雜質區(qū)509濃度的1/2-1/10的磷進行摻雜。
然后，如圖5B所示，用柵電極511-515作為掩模，以自對準方式腐蝕柵絕緣膜507。在實施方案1中，使用CHF3氣體進行干法腐蝕，從而形成柵絕緣膜524-528。
接著，如圖5C所示，制作抗蝕劑掩模，然后摻入硼，使其濃度為3×1026-3×1021原子/cm3，從而形成含有高濃度硼的雜質區(qū)530-533。注意，雖然摻雜區(qū)530-533中已摻入了磷，但此處摻入的硼的濃度至少是磷濃度的30倍或更高。因此，之前形成的n-型雜質區(qū)完全轉變?yōu)閜-型導電，并起p-型雜質區(qū)的作用。
然后，如圖5D所示，制作抗蝕劑掩模534a-534d，并摻入磷，使其濃度為1×1020-1×1021原子/cm3，從而形成含有高濃度磷的雜質區(qū)535-539。要指出的是，在雜質區(qū)530-533中，雖然參考號540-543表示的區(qū)域中也類似地摻入了磷，但與p型雜質區(qū)中的濃度相比，其中的磷濃度足夠低，因而不會從p型導電轉變?yōu)閚-型導電。
然后，在清除抗蝕劑掩模534a-534d之后，制作200nm厚的氮氧化硅作為保護膜544，并隨后對摻入的磷或硼進行激活。在實施方案1中，借助于在電爐中于550℃溫度的氮氣氛下進行4小時的熱處理來進行激活。在這一熱處理過程中，由于結晶過程中使用的鎳將沿箭頭所示方向移動，故有可能在降低稍后要形成溝道的區(qū)域中的鎳濃度。此外，在這一熱處理之后，在350℃溫度的含氫氣氛中進行1小時的熱處理，從而執(zhí)行氫化工藝。(見圖5E)接著，如圖6A所示，制作第一層間絕緣膜545。在實施方案1中采用500nm厚的氧化硅膜層疊在保護膜544上的結構。然后在第一層間絕緣膜545中制作接觸孔，從而形成源引線546-549以及漏引線550-552。要指出的是，在實施方案1中，用連續(xù)濺射方法，此電極被制作成具有由60nm厚鉭膜、40nm厚氮化鉭膜、含2％重量比硅的300nm厚鋁膜、以及100nm厚鈦膜組成的四層結構的疊層膜。
接著，如圖6B所示，制作由有機樹脂構成的第二層間絕緣膜553。在實施方案1中，制作厚度為1.5μm的聚丙烯樹脂膜作為第二層間絕緣膜553。在第二層間絕緣膜553中形成接觸孔以達及漏引線552，從而形成由氧化物導電膜構成的象素電極554。制作厚度為110nm的由氧化銦與氧化錫的化合物構成的氧化物導電膜作為實施方案1中的象素電極554。
然后，在象素電極554的表面上執(zhí)行臭氧處理。在實施方案1中，借助于在象素電極暴露于氧氣的情況下用紫外線照射其表面而執(zhí)行這一處理。
然后，借助于實施本發(fā)明而制作EL層555。在實施方案1中，用疊層結構制作EL層555，其中相繼制作由PEDOT(聚噻吩)構成的空穴注入層(20nm厚)、由STAD(螺旋-三苯胺衍生物)構成的空穴輸運層(20nm厚)、由SDPVBi(螺旋-聯苯乙烯聯苯)構成的發(fā)光層(10nm厚)、由α-NPD(4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]聯苯)構成的空穴輸運層(10nm厚)、由Alq3(三-8-喹啉-鋁絡合物)構成的摻有DCM摻雜劑的發(fā)光層(10nm厚)、以及由Alq3構成的發(fā)光層(10nm厚)。
注意，在上述結構中，可以用PEDOT代替PAni。摻雜劑也不局限于DCM，而是能夠使用任何呈現紅色熒光的有機材料。
注意，在本發(fā)明中，在制作由Alq3(三-8-喹啉-鋁絡合物)構成的摻有DCM摻雜劑的發(fā)光層之后，在不停止Alq3的蒸發(fā)而僅僅停止摻雜劑的蒸發(fā)的情況下，制作由Alq3構成的發(fā)光層。
本發(fā)明能夠使由摻雜劑和Alq3構成的發(fā)光層(第一發(fā)光層)與由Alq3構成的發(fā)光層(第二發(fā)光層)之間的邊界模糊，從而形成圖3所示的元件結構。換言之，提高了第一發(fā)光層與第二發(fā)光層的連續(xù)性。本發(fā)明設想圖1所示的實際測得的數據與圖8所示的實際測得的數據之間的差異是各個發(fā)光層的連續(xù)性差異造成的。
接著，用蒸發(fā)方法制作厚度為400nm的由金屬膜(具體地說是鐿膜)構成的陰極559。這樣就完成了圖6C所示結構的有源矩陣襯底。在實施方案1中，將紫外線固化樹脂膜涂敷到圖6C所示的有源矩陣襯底頂部上，然后在將玻璃襯底鍵合到其上之后，紫外線固化樹脂就被固化，從而將元件密封。
再將柔性印刷電路(FPC)固定到有源矩陣襯底，從而完成發(fā)光器件。圖7示出了根據實施方案1制造的發(fā)光器件的顯示圖象。于是就制造了有源矩陣發(fā)光器件，其中獲得了滿意的白色發(fā)光。
實施方案2制造本發(fā)明EL元件的方法，也能夠被用于制造無源矩陣發(fā)光器件的方法中。本發(fā)明不同于熟知的制造無源型發(fā)光器件的方法僅僅在于制作EL元件部分。當制作發(fā)光層時，若根據本發(fā)明制作發(fā)光層，則能夠獲得本發(fā)明的效果。
實施方案3在實施方案1所述的有源矩陣型發(fā)光器件中，各個元件由平面TFT構成。但各個元件可以由底部柵極TFT(典型地說是反型TFT)構成。此時，結晶硅膜或非晶硅膜可以被用作有源層。于是，本發(fā)明的特征是EL元件的制造工藝，因而對TFT的結構沒有限制。
實施方案4在實施方案1中，呈現紅色熒光的已知有機材料可以用作待要摻入發(fā)光層中的摻雜劑。此外，也可以使用呈現紅色磷光的有機材料。
注意，借助于將其與實施方案1-3的任何一種結構進行組合，能夠實現實施方案4的結構。
實施方案5在實施方案1中，能夠用具有降低空穴注入勢壘功能的有機材料作為空穴注入層。在實施方案5中，用導電聚合物作為空穴注入層。更具體地說，可以使用摻碘的聚乙炔，并可以用溴代替碘。
注意，借助于將其與實施方案1-4的任何一種結構進行組合，能夠實現實施方案5的結構。
實施方案6在本發(fā)明中，利用發(fā)光材料作為發(fā)光層，其中來自三重激發(fā)態(tài)的磷光能夠被用來發(fā)光，這使發(fā)光外量子效率得到明顯的改善。結果，EL元件的功耗能夠降低，壽命能夠延長，重量能夠減輕。以下描述利用三重激發(fā)態(tài)改善發(fā)光外量子效率的報道(T.Tsutsui，C.Adachi，S.Saito，Photochemical Processes in Organized MolecularSystems，ed.K.Honda，(Elsevier Sci.Pub.，Tokyo，1991)p.437)。
下面示出了上述論文報道的有機材料(香豆素顏料)的分子式(化學式1) (M.A.Baldo，D.F.O’Brien，Y.You，A.Shoustikov，S.Sibley，M.E.Thompson，S.R.Forrest，Nature 395(1998)，p.151)下面示出了上述論文報道的有機材料(Pt絡合物)的分子式(化學式2) (M.A.Baldo，S.Lamansky，P.E.Burrrows，M.E.Thompson，S.R.Forrest，Appl.Phys.Lett.，75(1999)p.4)，(T.Tsutsui，M.-J.Yang，M.Yahiro，K.Nakamura，T.Watanabe，T.Tsuji，Y.Fukuda，T.Wakimoto，S.Mayaguchi，Jpn.Appl.Phys.，38(12B)(1999)L1502)。
下面示出了上述論文報道的有機材料(Ir絡合物)的分子式(化學式3) 如上所述，若能夠利用來自三重激發(fā)態(tài)的磷光發(fā)射，則理論上能夠實現比來自單重激發(fā)態(tài)的熒光高3-4倍的發(fā)光外量子效率。
此實施方案的結構能夠與實施方案1-5的任何一種結構進行自由組合。
實施方案7根據本發(fā)明制造的發(fā)光器件是自發(fā)光型器件，因而比之液晶顯示器件，在明亮處所呈現更優(yōu)異的顯示圖象可識別性。而且，此發(fā)光器件具有更寬廣的視角。因此，這種發(fā)光器件可以被用于各種各樣電子裝置的顯示部分。
本發(fā)明的電子裝置有攝象機、數碼相機、風鏡式顯示器(頭戴顯示器)、車輛導航系統(tǒng)、聲音重放裝置(汽車立體音響或立體音響等)、筆記本個人計算機、游戲裝置、便攜信息終端(諸如移動計算機、手機、便攜游戲機、或電子記事本)、以及配備有記錄媒質的放象設備(具體地說是諸如數碼萬能碟盤機(DVD)之類的配備有重放記錄媒質中的圖象并顯示圖象的顯示部分的裝置)。圖9A-9F示出了這些電子設備的具體例子。
圖9A示出了一種電致發(fā)光顯示器件，它包含殼2001、支座2002、和顯示部分2003。本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分2003。這種發(fā)光顯示器是自發(fā)光型的，故無需后照光。顯示部分于是能夠制得比液晶顯示器更薄。
圖9B示出了一種錄象機，包含主體2101、顯示部分2102、聲音輸入部分2103、操作開關2104、電池2105、和圖象接收部分2106。本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分2102。
圖9C示出了一種數碼靜物相機，包含主體2201、顯示部分2202、取景框2203、和操作開關2204。本發(fā)明的發(fā)光器件可用于顯示部分2202。
圖9D是一種配備有記錄媒質的放象機(具體地說是DVD放象機)，包含主體2301、記錄媒質(諸如DVD等)2302、操作開關2303、顯示部分(a)2304、和顯示部分(b)2305。顯示部分(a)2304主要用來顯示圖象信息。顯示部分(b)2305主要用來顯示字符信息。本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分(a)2304和顯示部分(b)2305。注意，配備有記錄媒質的放象機包括諸如游戲機之類的裝置。
圖9E示出了一種便攜式(移動)計算機，包含主體2401、顯示部分2402、圖象接收部分2403、和操作開關2404、以及存儲器插口2405。本發(fā)明的發(fā)光器件可用于顯示器2402。在這種便攜式計算機中，信息也能夠被記錄在其中集成了快速存儲器和/或非易失存儲器的記錄媒質中和/或被重放。
圖9F是一種個人計算機，包含主體2501、機殼2502、顯示部分2503、和鍵盤2504。本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分2503。
而且，上述電子裝置常常顯示通過諸如互連網和CATV(有線電視)之類的電子通信電路傳輸的信息，特別是顯示移動圖象的情況正在增長。有機化合物材料的響應速度是如此之高，以至于上述電子裝置適合于顯示移動圖象。
此外，由于發(fā)光器件節(jié)省發(fā)光部分的功率，故最好顯示信息使發(fā)光部分盡可能小。因此，當使用主要用于字符信息的顯示部分，諸如便攜式信息終端，特別是手機或立體聲響中的發(fā)光器件時，最好將發(fā)光器件驅動成由發(fā)光部分形成字符信息，而將不發(fā)光部分設定為背景。
如上所述，本發(fā)明的應用范圍極為廣闊，可以用于各種領域的電子裝置。而且，可以利用自由組合第1-13實施方案的發(fā)光器件的結構，來獲得本實施方案的電子裝置。
借助于實施本發(fā)明，能夠制造具有呈現優(yōu)異發(fā)光性能的EL元件的發(fā)光器件。結果，有可能制造具有明亮顯示部分的電子裝置。
權利要求
1.一種制造發(fā)光器件的方法，包含下列步驟用蒸發(fā)方法制作由有機材料和摻雜劑構成的第一薄膜；以及借助于停止蒸發(fā)摻雜劑，同時繼續(xù)蒸發(fā)有機材料，而制作由有機材料構成的第二薄膜。
2.一種制造發(fā)光器件的方法，包含下列步驟用蒸發(fā)方法制作由有機材料構成的第一薄膜；以及借助于蒸發(fā)摻雜劑，同時繼續(xù)蒸發(fā)有機材料，而制作由有機材料和摻雜劑構成的第二薄膜。
3.一種制造發(fā)光器件的方法，包含下列步驟用蒸發(fā)方法制作由發(fā)光材料和摻雜劑構成的第一發(fā)光層；以及借助于停止蒸發(fā)摻雜劑，同時繼續(xù)蒸發(fā)發(fā)光材料，而制作由發(fā)光材料構成的第二發(fā)光層。
4.一種制造發(fā)光器件的方法，包含下列步驟用蒸發(fā)方法制作由發(fā)光材料構成的第一發(fā)光層；以及借助于蒸發(fā)摻雜劑，同時繼續(xù)蒸發(fā)發(fā)光材料，而制作由發(fā)光材料和摻雜劑構成的第二發(fā)光層。
5.一種制造發(fā)光器件的方法，包含下列步驟用蒸發(fā)方法制作由發(fā)光材料和摻雜劑構成的紅色發(fā)光層；以及借助于停止蒸發(fā)摻雜劑，同時繼續(xù)蒸發(fā)發(fā)光材料，而制作由發(fā)光材料構成的綠色發(fā)光層。
6.一種制造發(fā)光器件的方法，包含下列步驟用蒸發(fā)方法制作由發(fā)光材料構成的綠色發(fā)光層；以及借助于蒸發(fā)摻雜劑，同時繼續(xù)蒸發(fā)發(fā)光材料，而制作由發(fā)光材料和摻雜劑構成的紅色發(fā)光層。
7.根據權利要求1-4中任何一個的制造發(fā)光器件的方法，其特征是，其中在第二發(fā)光層上制作金屬膜。
8.根據權利要求1-6中任何一個的制造發(fā)光器件的方法，其特征是，其中的發(fā)光材料是Alq3(三-8-喹啉-鋁絡合物)。
9.根據權利要求1-6中任何一個的制造發(fā)光器件的方法，其特征是，其中的摻雜劑是呈現熒光的有機材料。
10.根據權利要求1-6中任何一個的制造發(fā)光器件的方法，其特征是，其中的摻雜劑是呈現磷光的有機材料。
11.根據權利要求1-6中任何一個的制造發(fā)光器件的方法，其特征是，其中所述發(fā)光器件被組合到選自攝象機、數碼相機、風鏡式顯示器、車輛導航系統(tǒng)、聲音重放、筆記本個人計算機、游戲機、便攜式信息終端、和放象機的電子裝置中。
全文摘要
提供了一種獲得具有包含摻雜劑的發(fā)光層的EL元件的優(yōu)異發(fā)光性能的方法,從而提供了一種制造含有此具有優(yōu)異發(fā)光性能的EL元件的發(fā)光器件的方法,其中用蒸發(fā)方法制作由發(fā)光材料和摻雜劑構成的第一發(fā)光層,并借助于繼續(xù)蒸發(fā)發(fā)光材料,同時停止蒸發(fā)摻雜劑,而制作由發(fā)光材料構成的第二發(fā)光層。結果,提高了各個發(fā)光層的連續(xù)性,從而能夠得到優(yōu)異的發(fā)光性能。
文檔編號H01L51/40GK1333645SQ01119049
公開日2002年1月30日 申請日期2001年5月14日 優(yōu)先權日2000年5月12日
發(fā)明者山形裕和, 高橋正弘 申請人:株式會社半導體能源研究所