專利名稱：芯片電阻形成用的陶瓷基板及芯片電阻的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于形成芯片電阻的陶瓷基板以及采用該陶瓷基板的芯片電阻的制造方法。
如

圖17所示，芯片電阻11在陶瓷基板12的兩主面到端面上形成2個(gè)電極膜14，在一側(cè)的主面上形成電阻膜13并且在其上形成保護(hù)膜15。以往，陶瓷基板12如圖18所示那樣以分割溝6區(qū)分成多個(gè)格子內(nèi)區(qū)域3并且具備形成在該格子內(nèi)區(qū)域3的短邊側(cè)3a的一次分割溝1以及形成在長邊側(cè)3b的二次分割溝2，為了高效地制造芯片電阻11，在它的制造過程中采用上述的形狀。
又，隨著這種芯片電阻11的小型化、尺寸精度的精密化，一般在兩主面各自對(duì)應(yīng)的位置上形成分割溝6，該分割溝6的形成方法如圖19所示，通過將金屬模具備的刀刃8a、8b壓入生片5來形成。如此，將形成了規(guī)定形狀的生片5在規(guī)定溫度下燒成而得到陶瓷基板12。
其次，對(duì)于芯片電阻11的制造工序進(jìn)行說明。如圖20所示，首先在陶瓷基板12的兩主面上印刷電極膜14，在燒成之后在陶瓷基板12的一側(cè)的主面上印刷電阻膜13并進(jìn)行燒成。然后，利用激光修整對(duì)于電阻膜13的一部分進(jìn)行整形并將電阻值調(diào)整到規(guī)定范圍，然后，在電阻膜13上印刷保護(hù)膜15并進(jìn)行燒成。其次，進(jìn)行一次分割溝1的斷開并且在斷開后的細(xì)長基板片的一次分割溝1的剖面上印刷電極膜14，在燒成之后，再以二次分割溝2將細(xì)長基板片斷開，由此制造多個(gè)芯片電阻11。
作為以往采用以一次分割溝1及二次分割溝2進(jìn)行分割的方法，通常所知的是以滾筒方式以及曲折方式進(jìn)行。滾筒方式是如圖21A所示的方法，即通過將陶瓷基板12插入并且壓于大徑直滾筒16于小直徑滾筒17之間，由此，分割成如圖22A所述的細(xì)長基板片4或者圖22B所示的芯片電阻11。又，曲折方式是如圖21B所示的方法，即將陶瓷基板12通過固定部件18夾在基臺(tái)上，然后，利用壓下部件19施加曲折重量，并以分割溝1將曲折后的陶瓷基板12分割，與上述滾筒方式同樣地，在每個(gè)細(xì)長基板片4上將陶瓷基板12分離成芯片電阻11。
然而，從一次分割溝1開始斷開時(shí)，在滾筒方式中，大直徑滾筒16的壓力對(duì)于陶瓷基板12的二次分割溝也會(huì)產(chǎn)生作用，會(huì)產(chǎn)生細(xì)長基板片的二次分割溝2處斷開所謂的基板片折斷不良的情況。同樣，即使采用曲折方式，有時(shí)也會(huì)發(fā)生由于夾持陶瓷基板12的壓力而使得二次分割溝2斷開這樣的問題。這種基板片折斷不良的情況對(duì)于上述向端面印刷電極膜14工序中的利用自動(dòng)裝置進(jìn)行搬送、決定位置、印刷等的動(dòng)作會(huì)產(chǎn)生妨礙，因此，必須使得自動(dòng)裝置停止工作或者從自動(dòng)裝置中去除不良部件。
為了解決基板片折斷不良等的問題，關(guān)于溝的深度提出了各種方案，例如，在日本專利公開3-160704號(hào)公報(bào)中，在沿縱溝(一次分割溝1)分割之后沿橫溝(二次分割溝2)分割時(shí)，使得縱溝的深度為基板厚度T的0.5倍左右并且使得橫溝的深度較淺而為基板厚度T的0.2～0.3倍。
又，在日本專利公開3-64089號(hào)公報(bào)中，雖然沒有記載基板的厚度T，而所揭示的是使得最初割斷方向的分割溝6(一次分割溝1)的印刷面的深度為170～260μm、里面的深度為10～120μm，并且使得最后進(jìn)行分割的方向的分割溝6(二次分割溝2)的印刷面的深度為10～100μm、里面的深度為70～180μm。使得二次分割溝2的兩主面的合計(jì)深度比一次分割溝1的兩主面的合計(jì)深度要小并且使得二次分割溝2的印刷面的深度比其內(nèi)面?zhèn)纫。@樣在印刷面上細(xì)長電極膜14、電阻膜13、保護(hù)膜15，即使由此帶來的拉伸應(yīng)力使得印刷面鼓出，也能夠防止因一次分割溝1的斷開時(shí)陶瓷基板12的兩端上負(fù)重引起二次分割溝2的斷裂。
如上所述，以往的基板通過使得一次分割溝1的兩主面的合計(jì)深度比二次分割溝2的兩主面的合計(jì)深度要小，并且使得二次分割溝2的表里面的深度與之相反，由此，能夠防止上述滾筒方式以及曲折方式引起的在一次分割溝1斷裂時(shí)二次分割溝2發(fā)生斷裂這樣的基板片折斷的不良情況。
然而，當(dāng)前隨著芯片狀電子部件更進(jìn)一步的薄型化及小型化，芯片電阻11也同樣地向這個(gè)方向發(fā)展，使用以往的分割裝置以及穿通裝置逐漸不能精度良好地成形分割的陶瓷基板12。
對(duì)于陶瓷基板的分割技術(shù)，在上述日本專利公開3-160704號(hào)公報(bào)以及日本專利公告5-5421號(hào)公報(bào)中，使得一次分割溝1的深度為基板厚度T的50％左右，為了防止一次分割溝1斷裂時(shí)基板片折斷不良，使得二次分割溝2的兩主面的合計(jì)深度比一次分割溝1的兩主面的合計(jì)深度要小。
然而，對(duì)于陶瓷基板12的厚度T為230μm以下的薄板基板，當(dāng)分割溝6的兩主面的合計(jì)深度超過陶瓷基板12的厚度T的約40％時(shí)，則在形成陶瓷基板12的分割溝6的工序、燒成工序以及此后形成的芯片電阻11的印刷工序及其后的燒成工序中，會(huì)發(fā)生分割溝6斷裂的問題，而且較多地會(huì)產(chǎn)生在上述一次分割溝1斷裂時(shí)二次分割溝2斷裂這樣的基板折斷不良的情況。
另一方面，日本專利公開3-64089號(hào)公報(bào)中雖然使得印刷面?zhèn)鹊亩畏指顪?的深度比其內(nèi)面?zhèn)鹊臏仙疃纫〔⑶铱紤]到斷開一次分割溝1時(shí)二次分割溝2會(huì)發(fā)生斷裂不良的情況，而由于分割溝6的深度范圍很寬，即使陶瓷基板12的厚度為230μm以下的薄基板采用其深度的最小值，在陶瓷基板12的分割溝6的形成工序以及燒成工序等之中，同樣地也會(huì)發(fā)生在上述一次分割溝1的斷開時(shí)二次分割溝2斷裂不良的情況。
而且，在陶瓷基板12上，形成用于分割成芯片狀電阻單體25的上述多條分割溝6，如圖23所示，也同時(shí)形成用于分離基板邊緣部分的邊緣部分分割溝26，使得該基板的邊緣成為邊緣部分27。該邊緣部分分割溝26通常也兼作為上述一次分割溝與二次分割溝中最外輪廓的一次分割溝及二次分割溝。形成邊緣部分27的目的是為了保護(hù)電阻單體25不受外部沖擊并且防止成形時(shí)應(yīng)力的集中以及燒成中產(chǎn)生龜裂等等。
分割溝形成的工序如圖24所示，將生片5插入到金屬模28的狀態(tài)，將上穿孔機(jī)29壓入生片5并且由陰模30將外緣切斷。在該上穿孔機(jī)29上裝有刀具的刀刃31，在切斷外緣之后再將上穿孔機(jī)29壓入，刀刃31壓入生片5，同時(shí)形成上述一次分割溝及二次分割溝6以及邊緣部分分割溝26。然后，如圖25所示，在上述生片5的溝的形成工序之后，經(jīng)過燒成工序、表面處理工序、校正翹曲工序、外觀檢查工序而作成陶瓷基板12。
陶瓷基板12在形成電阻膜13之后，為了分割成電阻單體25，如圖23所示，利用邊緣部分分割溝26的切斷將邊緣部分27從陶瓷基板中分割出來。在此分割之前，邊緣部分27對(duì)于陶瓷基板12是必要的，即使對(duì)于邊緣部分分割溝26也必須防止產(chǎn)生裂縫。對(duì)于邊緣部分分割溝26，在斷裂時(shí)必須顯示良好的分割性，而在分割之前也必須要防止裂縫以及斷裂的發(fā)生。
為了獲得良好的分割特性，如圖26所示，以往的邊緣部分分割溝26觸及到陶瓷基板12的端部。然而，由于這樣的邊緣部分分割溝26很容易產(chǎn)生龜裂，如圖27所示，使得形成邊緣部分分割溝26沒有觸及到陶瓷基板12的端部(參照日本實(shí)用新型公開4-59905號(hào))，或者如圖28所示使得形成與邊緣部分分割溝26平行的盲溝32(參照日本實(shí)用新型登錄第2590335號(hào))。
又，對(duì)于邊緣部分的分割，如圖27所示，即使使得邊緣部分分割溝26形成沒有觸及陶瓷基板12的邊緣端部的形狀，由于應(yīng)力集中在邊緣部分分割溝26上，則存在這樣的問題，即在邊緣部分分割溝26或者邊緣部分分割溝26與陶瓷基板12的端部之間容易產(chǎn)生裂縫。
而且，當(dāng)如圖28所示那樣使得形成與邊緣部分分割溝26平行的其他的盲溝32時(shí)，在陶瓷基板的全長上刻制盲溝32，則由于僅在四邊的邊緣部分分割溝的內(nèi)邊、相對(duì)邊上能夠形成盲溝32，因此，在沒有形成盲溝32的二邊不能夠防止邊緣部分分割溝26的產(chǎn)生裂縫。又，當(dāng)盲溝32觸及到陶瓷基板12的端部時(shí)，存在這樣的問題，即在生片5的沖孔工序及其后的搬送工序、燒成工序中在盲溝32上容易產(chǎn)生裂縫而使得成品率下降。
再者，為了將形成了分割溝6及盲溝32的陶瓷基板12作成電阻8，要形成電阻膜13及電極膜，則采用印刷法以及液狀感光劑法，在印刷法中，例如，如圖30所示，采用利用位置固定銷33來固定陶瓷基板12的外緣減小印刷的方式。
為了對(duì)于陶瓷基板12的外形進(jìn)行整形，通常在生片階段如上所述在主面上形成分割溝的同時(shí)進(jìn)行沖孔加工。在圖31中，列舉了利用金屬模進(jìn)行沖孔加工中所使用的金屬模，這是采用具有陶瓷基板12邊緣形狀的上沖床34及下沖床35以及與它們對(duì)應(yīng)的模具36對(duì)于生片5進(jìn)行沖孔的方法。
采用這種方法進(jìn)行沖孔后的生片5如圖32所示，邊緣部分37存在大小上的相差而呈現(xiàn)出S字狀的剖面形狀。這是由于當(dāng)由下沖床35及模具36將生片5剪斷時(shí)，如圖33A所示因下沖床35及模具36的間隙38而在生片5的上部形成“塌邊”39。而且，當(dāng)進(jìn)一步進(jìn)行切斷時(shí)，如圖33B所示，在生片5的下部形成突出部分40。對(duì)于切斷型的金屬模，生片5的邊緣部分37成為該剖面形狀，而對(duì)于一般構(gòu)造的金屬模如圖33C所示，在模具36回復(fù)原位時(shí)由于反方向摩擦生片5的邊緣部分37，因此，在下側(cè)形成“塌邊”39并且在上側(cè)形成突出部分40。
即使在燒成生片5并作成陶瓷基板12的狀態(tài)下，該生片3的邊緣部分37的突出部分40也幾乎保持原形，而因與上述網(wǎng)板印刷的位置固定銷33的接觸或者其他搬送工序中的機(jī)械的沖擊，則很容易脫落。這會(huì)造成印刷位置的精度發(fā)生偏差或者由于脫落的碎屑掉入印刷用網(wǎng)板而帶來不良影響，成為陶瓷基板12的圖案印刷中缺損等的原因。
為了解決該問題，作為以往技術(shù)在日本專利公開63-226092號(hào)中，如圖34所示，在生片5的表里形成多角形的切溝41，將燒成生片5而獲得的陶瓷基板12的切溝41折斷，形成如圖35所示的尤如邊緣部分37那樣的多角形形狀。
另一方面在日本專利公開4-158002號(hào)中，如圖36所示例舉了下述方法，在金屬模34、35上設(shè)有刀尖為錐面的兩刀刃的切斷刀刃42，利用金屬模34、35的切斷刀刃42使得在生片的里面形成較深的切斷溝41而將生片5切斷。這是為了通過利用兩刀刃的切斷刀刃42從表里壓入而切斷生片5，如圖37所示，使得邊緣部分37的邊緣形成弧狀(曲面狀)，而沒有形成以往那樣突出的端部。
然而，如圖34及圖35所示的陶瓷基板12，由于從用金屬模加工后的金屬模中分離出生片5很困難，必須要花費(fèi)許多工夫，且由于金屬模構(gòu)造復(fù)雜而存在成本較高的問題，而且必須要附加在生片5燒成之后沿著切斷溝41將不需要的外部邊緣部分43切斷的工序。
另外，對(duì)于如圖36及圖37所示的陶瓷基板12，不需要生片5燒成之后分離不要的外部邊緣部分的工序，又，以往有這樣的優(yōu)點(diǎn)，即每一生片5或者陶瓷基板12所廢棄的外框部分的不要外部邊緣部分43較少或者能夠使得它們較少。然而，如上所述從生片5很難分離出切斷刀刃42，如圖38所示，上下切斷刀刃42進(jìn)入生片5并且從生片5的切斷溝41的尖端部產(chǎn)生的龜裂44不在垂直方向而相互呈反方向。因此，該切斷面的表面容易產(chǎn)生凹凸，這樣存在下述問題，在印刷工序中因與位置固定銷33的碰撞不能避免地微小部分會(huì)脫落以及金屬模構(gòu)造復(fù)雜使得金屬模制作費(fèi)用較高。
如此，對(duì)于應(yīng)用以往技術(shù)獲得的陶瓷基板12，雖然能夠防止在邊緣部分37產(chǎn)生突出部分40，但存在這樣的問題，即如圖39所示，通過切斷獲得端面的垂直面48形成微小的凹凸?fàn)?，由于在印刷工序中與位置固定銷33的接觸時(shí)的碰撞，凸部會(huì)掉落。又，存在生片5在加工后很難脫離金屬模的問題以及金屬模制作費(fèi)用高或維持費(fèi)用高的問題。
本發(fā)明的目的是提供一種為了防止將在芯片電阻用陶瓷基板上形成的格子狀分割溝的第1分割溝順次分離成細(xì)長基板片時(shí)的折損而具備適當(dāng)分割溝的陶瓷基板以及使用該基陶瓷基板的芯片電阻的制造方法。
又，本發(fā)明的目的是提供一種能夠防止陶瓷基板的邊緣部分及邊緣部分分割溝的缺陷并且電阻成形部分與邊緣部分能夠容易分離的陶瓷基板。
再者，本發(fā)明的目的是提供一種具備高精度基板邊緣部分的陶瓷基板以及利用該基板的電阻的制造方法。
本發(fā)明的陶瓷基板是在兩主面上對(duì)應(yīng)配置格子狀的分割溝的基板，形成在長方形格子內(nèi)區(qū)域短邊側(cè)的一次分割溝的兩主面的合計(jì)深度比形成在該格子內(nèi)區(qū)域長邊側(cè)的二次分割溝的兩主面的合計(jì)深度要小。在陶瓷基板上，形成多個(gè)平行的一次分割溝以及與它們幾乎垂直相交而相互平行的二次分割溝，一次分割溝是將分割陶瓷基板分離成最初細(xì)長基板片時(shí)首先進(jìn)行斷開的分割溝，在斷開分離后的細(xì)長基板片上留有形成的二次分割溝。
最好，這樣的陶瓷基板的一次分割溝電阻形成表面?zhèn)鹊臏仙畋壤锩鎮(zhèn)鹊臏仙钜蟆?br> 此時(shí)，二次分割溝也是電阻形成表面?zhèn)鹊臏仙畋壤锩鎮(zhèn)鹊臏仙钜?。而且，最好，一次分割溝同樣地是電阻膜形成的表面?zhèn)缺壤锩鎮(zhèn)纫?，使得其他的二次分割溝里面?zhèn)缺缺砻鎮(zhèn)纫睢?br> 陶瓷基板的形狀最好是厚度為200±30μm、格子內(nèi)區(qū)域的長邊為600μm以下且短邊側(cè)為300μm以下。最好，長邊的長度為600μm～300μm的范圍并且短邊長度為300μm～100μm的范圍。
對(duì)于分割溝的深度，一種形態(tài)是使得表面?zhèn)鹊亩畏指顪媳壤锩鎮(zhèn)纫顣r(shí)，一次分割溝的在電阻形成面?zhèn)鹊纳疃葹?0±10μm、在里面?zhèn)鹊纳疃葹?0±5μm，二次分割溝在電阻形成面?zhèn)鹊纳疃葹?0±10μm、在里面?zhèn)鹊纳疃葹?0±5μm。
另一種形態(tài)是，使得里面?zhèn)鹊亩畏指畋缺砻鎮(zhèn)纫顣r(shí)，例如最好使得一次分割溝的深度在電阻形成面?zhèn)葹?0±10μm、在里面?zhèn)鹊纳疃葹?0±5μm，二次分割溝的深度在電阻形成面?zhèn)葹?0±5μm、在里面?zhèn)鹊纳疃葹?0±10μm，此時(shí)，對(duì)于電阻形成面?zhèn)鹊囊淮畏指顪吓c里面?zhèn)鹊亩畏指顪系目虦?，開口角為30±10°，另外，里面?zhèn)鹊囊淮畏指顪系拈_口角以及電阻形成面?zhèn)鹊亩蔚拈_口角為40±5°。
又，本發(fā)明的芯片電阻的制造方法是采用具備多個(gè)一次及二次分割溝相互垂直交叉被劃分成電阻形成面的陶瓷基板，在該陶瓷基板的兩主面上形成電極并在電阻形成面上成電阻膜，此后先分割一次分割溝再分割二次分割溝。
本發(fā)明的制造方法是配置支持臺(tái)使得陶瓷基板移送到裝置基臺(tái)上并將其一次分割溝放置于分割裝置中能夠升降的安裝在升降軸上的下壓部件與固定部件之間，通過能夠上下移動(dòng)的升降軸的向下運(yùn)動(dòng)，利用固定部件來抑制陶瓷基板并進(jìn)行固定，然后以制動(dòng)機(jī)構(gòu)來限制固定部件的向下運(yùn)動(dòng)并且使得下壓部件進(jìn)一步向下運(yùn)動(dòng)而壓入陶瓷基板，由此將一次分割溝斷開并分離成細(xì)長基板片，重復(fù)上述動(dòng)作。在斷開面上形成電極膜之后，再沿著二次分割溝將該細(xì)長基板片斷開，由此形成芯片電阻。
本發(fā)明的陶瓷基板還僅在陶瓷基板的周圍將邊緣部分及其延長方向上形成盲溝或者盲孔，由此，能夠防止陶瓷基板制造工序以及電子部件制造工序中在邊緣部分分割溝以及盲溝的附近產(chǎn)生裂縫，并且使得在此后斷開成電阻單體的過程中也能夠毫無妨礙地進(jìn)行分離。
本發(fā)明的陶瓷基板在其邊緣端部的兩面上具有倒角以及斜面，在這些倒角之間具有層厚為基板厚度50％以上特別地在50～80％范圍寬度的垂直端面，具有該垂直端面的最大光潔度Rmax(按照J(rèn)IS B0601所規(guī)定的表面光潔度的規(guī)格)的平均值為6μm以下的特征。
又，本發(fā)明的制造方法中包含在燒成陶瓷基板之前在陶瓷基板的邊緣端部的兩面上形成倒角的工序。即本方法時(shí)將在刀尖具有垂直面且根部具有倒角形成用斜面的尖角狀一側(cè)刀刃的切斷刀刃從燒成前的陶瓷生片的一主面壓入，在所述陶瓷生片的周圍形成層厚度為所述陶瓷生片的60％～80％的切斷溝之后，沿著所述切斷溝進(jìn)行切斷，形成在邊緣部分具有倒角的生片，然后將其燒成來制造陶瓷基板。
圖1是本發(fā)明的芯片電阻用陶瓷基板的立體圖。
圖2是形成了電阻的本發(fā)明的芯片電阻用陶瓷基板的立體圖。
圖3A是芯片電阻用陶瓷基板的平面圖，圖3B表示燒成時(shí)拉伸應(yīng)力的生片的平面圖。
圖4是形成了電阻膜與保護(hù)膜之后的陶瓷基板的剖視圖。
圖5A與圖5B是表示拉斷應(yīng)力大小的生片的剖視圖，圖5C是表示產(chǎn)生微小裂縫的生片的剖視圖。
圖6是生片的剖視圖。
圖7A～圖7C是模式性地表示本發(fā)明的芯片電阻用陶瓷基板的分割裝置的模式的剖視圖。
圖8A～圖8C是本發(fā)明的電子部件用陶瓷基板的平面圖。
圖9A是本發(fā)明的電子部件用陶瓷基板的放大圖，圖9B是其剖視圖，圖9C～圖9E是其平面圖。
圖10A～圖10C是電子部件用陶瓷基板的平面圖。
圖11是本發(fā)明的陶瓷基板的剖視圖。
圖12是使用在本發(fā)明的陶瓷基板的制造方法中的切斷刀刃的剖視圖。
圖13是圖12的切斷刀刃組裝到金屬模后狀態(tài)的剖視圖。
圖14A～圖14C是表示本發(fā)明的陶瓷基板的制造方法的剖視圖。
圖15是表示本發(fā)明的陶瓷基板的制造方法中生片的制品部分與不需要的外部邊緣42分離工序的剖視圖。
圖16是表示本發(fā)明的陶瓷基板的邊緣部分的剖視圖。
圖17表示芯片電阻的剖視圖。
圖18是芯片電阻用陶瓷基板的立體圖。
圖19是表示由金屬模在生片上形成分割溝的一例的剖視圖。
圖20是芯片電阻的制造工序圖。
圖21A與圖21B是表示以往的分割裝置的分割動(dòng)作的剖視圖。
圖22A與圖22B是表示芯片電阻用陶瓷基板的分割例平面圖。
圖23是形成了以往的分割溝的電子部件用陶瓷基板的立體圖。
圖24是將生片進(jìn)行沖孔成型的金屬模的剖視圖。
圖25是陶瓷基板的制造工序的流程圖。
圖26是以往的陶瓷基板的平面圖。
圖27是以往的陶瓷基板的平面圖。
圖28是以往的陶瓷基板的平面圖。
圖29是表示以往的陶瓷基板的邊緣部分的剖視圖。
圖30是決定陶瓷基板印刷時(shí)的位置的平面圖。
圖31是表示以往的陶瓷基板的制造方法的剖視圖。
圖32是以往的陶瓷基板的邊緣部分的剖視圖。
圖33A～圖33C是表示以往的陶瓷基板的制造方法的剖視圖。
圖34是用于說明以往的陶瓷基板的制造工序的多角形切口溝部分的剖視圖。
圖35是以圖34所示的方法制作成的陶瓷基板的邊緣部分的剖視圖。
圖36是表示以往陶瓷基板的制造方法的剖視圖。
圖37是以圖36所示的方法制作成的陶瓷基板的邊緣部分的剖視圖。
圖38是表示以往的陶瓷基板的制造方法的剖視圖。
圖39是由圖38所示的方法制作成的陶瓷基板的邊緣部分的剖視圖。
實(shí)施形態(tài)1本發(fā)明的芯片電阻用陶瓷基板是指由陶瓷進(jìn)行燒結(jié)后的薄板或薄層。使用氧化鋁、氮化鋁、多鋁紅柱石、鎂橄欖石、玻璃陶瓷等的陶瓷。例如，可以利用Al2O3含量為93.0～99.6重量％的氧化鋁粉。通常，使用這些陶瓷微細(xì)粉末，在微細(xì)粉末中摻入燒結(jié)助劑、溶劑、樹脂粘結(jié)料作成漿體，例如使用刮片法等形成陶瓷的生片5。為了進(jìn)行沖孔以及形成溝，對(duì)于生片5由壓機(jī)進(jìn)行沖孔而固定外形，并且壓機(jī)的金屬模所具備的刀刃8壓入規(guī)定深度而形成分割溝6、26以及盲溝5。此后在一定溫度下進(jìn)行燒卻(脫粘結(jié)料)，然后，經(jīng)過高溫下的燒結(jié)陶瓷基板成形。
對(duì)于燒結(jié)后的陶瓷基板，在基板的兩主面上至少具備分割溝6，分割溝6是由在一個(gè)方向上平行的多個(gè)溝與在其垂直方向上平行的多個(gè)溝形成。如圖1所示，在兩主面上這些溝以多個(gè)格子狀對(duì)應(yīng)排列。分割溝是沿著它將基板進(jìn)行分割的溝，則將格子內(nèi)區(qū)域3的短邊側(cè)3a的溝作為一次分割溝1，又將該格子內(nèi)區(qū)域3的長邊側(cè)3b上形成的溝作為二次分割溝2，在本說明書中，在斷開時(shí)，先使一次分割溝1分離，然后使二次分割溝2分離。這樣，一次分割溝1的相互間隔比二次分割溝的相互間隔要寬。在芯片電阻11的制造工序中，如圖2所示，對(duì)于陶瓷基板12在其兩側(cè)的主面中僅僅在一側(cè)的主面上形成電阻膜13。形成該電阻膜13的主面可以稱為電阻形成面或者單單稱為表面，另一側(cè)的主面單單稱為里面。
本發(fā)明的陶瓷基板使得電阻形成面?zhèn)纫淮畏指顪?a與其里面?zhèn)纫淮畏指顪?b的合計(jì)深度比電阻形成面?zhèn)榷畏指顪?a與其里面?zhèn)榷畏指顪?b的合計(jì)深度要淺。
如圖3A所示，使得陶瓷基板12的一次分割溝1的相互間的間距P1比二次分割溝2間的間距P2要寬。如圖3B所示，在生片5的燒成中脫粘結(jié)料時(shí)，生片5發(fā)生膨脹而拉伸應(yīng)力從中央向外側(cè)的箭頭方向作用，雖然應(yīng)力向間距狹窄的二次分割溝2分散，然而，應(yīng)力集中在間距P1較寬的一次分割溝1，而容易產(chǎn)生裂縫及斷裂。使得一次分割溝1比二次分割溝2要小的原因是為了抑制這種裂縫及斷裂的發(fā)生。
若使得一次分割溝1較淺，最初，在分離一次分割溝1時(shí)的分離性能很差，通過采用本發(fā)明下述的分割裝置，即使一次分割溝1較淺，也能夠很好地進(jìn)行分離。
對(duì)于陶瓷基板12的厚度T在230μm以下時(shí)，最好一次分割溝1以及二次分割溝2的兩主面的合計(jì)深度為基板厚度T的40％以下，當(dāng)該分割溝6的深度超過厚度T的40％時(shí)，則在將金屬模所具備的刀刃7壓向生片5而形成分割溝6的過程中，生片5會(huì)破裂，在此后的燒結(jié)工序即及此后印刷芯片電阻11進(jìn)行燒成的工序中分割溝6會(huì)斷裂，又，這是由于在一次分割溝1的分割工序中容易產(chǎn)生二次分割溝2斷裂的基板片折斷不良的情況。因此，對(duì)于一次分割溝1以及二次分割溝2的厚度T較好的范圍是使得一次分割溝1為7.5～22.5％，使得二次分割溝2為17.5～32.5％。
又，對(duì)于電阻形成面與其里面的分割溝6的深度，使得一次分割溝1、二次分割溝2的承受斷裂時(shí)施加壓力的面較深，并且為了使得斷裂時(shí)斷裂方向相對(duì)于基板的厚度方向?yàn)樨Q直方，其相對(duì)側(cè)只要有能夠引導(dǎo)斷裂方向的深度即可。對(duì)于分割溝的深度，一種形態(tài)是使得一次分割溝1、二次分割溝2的電阻形成面都比里面?zhèn)纫?，無論在一次分割還是二次分割中，都能夠向表面?zhèn)鹊姆指顪鲜┘訅毫Α?br> 這種形態(tài)下，對(duì)于厚度T為200±30μm、格子內(nèi)區(qū)域3的尺寸為600μm×300μm以下的陶瓷基板12，最好使得電阻形成面?zhèn)纫淮畏指顪?a的深度為20±10μm、里面?zhèn)纫淮畏指顪?b的深度為10±5μm、電阻形成面?zhèn)榷畏指顪?a的深度為40±10μm、里面?zhèn)榷畏指顪?b的深度為10±5μm。如此，在極端形成較小深度的一次分割溝1，可以防止上述生片5燒成時(shí)裂縫的發(fā)生，并且在下述破裂方法，這種深度也能進(jìn)行良好的分離。
又，對(duì)于一次分割溝1、二次分割溝2，分割溝的開口角最好都是電阻形成面為30°±10°、里面為40°±5°。當(dāng)金屬模具備的刀刃壓入生片5時(shí)，進(jìn)入生片5的刀刃的體積大較大，則生片5向分割溝邊緣突起，使得形成的較深的電阻形成面的分割溝的開口角較狹是為了減小該突起。又，使得形成的較淺的里面的分割溝的開口角較大是為了確保與金屬模刀刃加工技術(shù)以及與陶瓷基板12的產(chǎn)量相適應(yīng)的刀刃的強(qiáng)度。
對(duì)于溝的深度的其他形態(tài)有，使得一次分割溝1的電阻形成面比里面深、使得二次分割溝2里面比電阻形成面深。這種情況下，在陶瓷基板12斷裂時(shí)，首先從電阻形成面?zhèn)认蛞淮畏指顪?施壓，此后從里面?zhèn)认蚨畏指顪?施壓而使得陶瓷基板12斷裂。使得該二次分割溝2在電阻形成面的深度較小而里面的深度較大的原因是為了防止下述情況，即在陶瓷基板12上印刷電阻膜13、保護(hù)膜15并進(jìn)行燒成時(shí)，如圖4所示，由于電阻膜13、保護(hù)膜15的形成物的收縮力使得陶瓷基板12很容易出現(xiàn)谷形的曲翹，此時(shí)，當(dāng)在一次分割溝1斷裂時(shí)向陶瓷基板12施壓，則谷形狀基板的兩端承受重壓，很容易發(fā)生二次分割溝2斷裂的基板片折斷不良。
如此，對(duì)于厚度T為200±30μm、格子內(nèi)區(qū)域3的尺寸為600μm×300μm以下的陶瓷基板12，使得電阻形成面?zhèn)纫淮畏指顪?a的深度為20±10μm、里面?zhèn)纫淮畏指顪?b的深度為10±5μm、電阻形成面?zhèn)榷畏指顪?a的深度為10±5μm、里面?zhèn)榷畏指顪?b的深度為40±10μm。
又，對(duì)于分割溝6的開口角θ，電阻形成面?zhèn)纫淮畏指顪?a以及里面?zhèn)榷畏指顪?b為30°±10°、里面?zhèn)纫淮畏指顪?b以及電阻形成面?zhèn)榷畏指顪?a為40°±5°。使得電阻形成面?zhèn)纫淮畏指顪?a以及里面?zhèn)榷畏指顪?b的開口角θ比里面?zhèn)纫淮畏指顪?b以及電阻形成面?zhèn)榷畏指顪?a要淺的是由于如圖5A所示，當(dāng)分割溝6的開口角θ較小時(shí)與圖5B所示的開口角θ較大時(shí)的情況相比，在分割溝6形成時(shí)向生片5的拉伸應(yīng)力較大，結(jié)果如圖5C所示，在分割溝6的垂直下方容易出現(xiàn)微小的裂縫7。希望不會(huì)出現(xiàn)微小裂縫7，而當(dāng)產(chǎn)生裂縫7時(shí)，最好是在斷裂面?zhèn)龋驗(yàn)槿粼谄湎鄬?duì)側(cè)上產(chǎn)生裂縫7，則會(huì)引起基板片折斷不良情況。又，使得開口角θ較小的分割溝6較深的原因是如圖6所示為了防止由于將金屬模所具備的刀刃8壓入生片5而使生片5的表面形成突起45，因而使得深進(jìn)入的刀刃8的體積較小。一方較淺的分割溝6為了使得與金屬模刀刃8的加工技術(shù)上以及陶瓷基板12產(chǎn)量成型相適的刀刃8的強(qiáng)度上或長度的刀刃寬度為一定，而使得分割溝6的開口角θ較大。
關(guān)于本發(fā)明的芯片電阻的制造方法，對(duì)于使用本發(fā)明的陶瓷基板12制造芯片電阻11的方法進(jìn)行說明。與上述圖20的制造工序相同，在形成了分割溝的陶瓷基板12的兩主面上印刷電極糊，燒附形成電極膜14。然后，在形成對(duì)應(yīng)于陶瓷基板12厚度方向的較深的一次分割溝1的主面上印刷、燒附電阻材料，形成電阻膜13。其次，通過激光照射對(duì)電阻膜13進(jìn)行整形并且調(diào)整它為規(guī)定的電阻值，在該電阻膜13上印刷燒附保護(hù)膜15。
此后，先分離一次分割溝1使其成為細(xì)長的基板片，在斷裂面上印刷·燒附電極膜14之后，通過二次分割溝2將各基板片分離，形成芯片電阻。
接著，對(duì)此分割方法進(jìn)行說明。圖7A表示分割裝置的分割動(dòng)作，首先為了使得陶瓷基板12的電阻形成面在上并且一次分割溝1的斷裂部位位于分割裝置的下壓部件19與固定部件18之間，將陶瓷基板12運(yùn)送到下部薄板20上。其次，如圖7B所示，通過曲柄結(jié)構(gòu)21上下旋轉(zhuǎn)，能夠上下運(yùn)動(dòng)的升降軸22上下可動(dòng)，使得下壓部件19與固定部件18向下運(yùn)動(dòng)，由制動(dòng)結(jié)構(gòu)24規(guī)定固定部件18的向下運(yùn)動(dòng)并使其與陶瓷基板12相接。如圖7C所示，而且通過升降軸22向下運(yùn)動(dòng)，由于連結(jié)部分23的杠桿機(jī)構(gòu)，利用固定部件18使得下壓部件19進(jìn)一步向下運(yùn)動(dòng)而壓向基板，由此將一次分割溝1斷開。
根據(jù)此方法進(jìn)行的一次分割，能夠高精度地進(jìn)行斷開，并且不會(huì)將多余的壓力施加到二次分割溝2，而且由于二次分割溝2受到壓力的電阻形成面的分割溝6的深度較小，即使陶瓷基板12即使呈現(xiàn)出谷形，基板片也不會(huì)發(fā)生折斷不良現(xiàn)象。
二次分割即可以采用上述的分割方法，也可以采用以往的滾筒方法，使得細(xì)長基板片4的電阻形成面在下方，由里面施加壓力而斷開。
實(shí)施例1以刮片法形成Al2O3含量為96.0％重量的陶瓷生片5，將金屬模所具備的刀刃8壓到該生片5的一定深度而形成分割溝6，此后，通過在一定溫度下進(jìn)行燒成，形成外圍尺寸為60.0mm×49.5mm、厚度T為200μm的陶瓷基板12。陶瓷基板12以分割溝劃分開的格子內(nèi)區(qū)域3的長邊側(cè)3b的尺寸為580μm、短邊側(cè)3a的尺寸為290μm，格子內(nèi)區(qū)域3的個(gè)數(shù)是2880個(gè)。此后，將它們分割開而形成芯片電阻11。
本發(fā)明的陶瓷基板12如表1所示，電阻形成面?zhèn)纫淮畏指顪?a的深度是，試料A為8μm、試料B為10μm、試料C為20μm、試料D為30μm、試料E為32μm，電阻形成面?zhèn)榷畏指?a的深度都為40μm，里面?zhèn)纫淮畏指顪?b以及里面?zhèn)榷畏指顪?b的深度都為10μm。又，一次分割溝1以及二次分割溝2同樣的分割溝的開口角是電阻形成面?zhèn)葹?0°、里面?zhèn)葹?0°。
比較例也是同樣形狀的陶瓷基板12，電阻形成面?zhèn)纫淮畏指顪?a的深度為90μm、電阻形成面?zhèn)榷畏指顪?a的深度為50μm，里面?zhèn)纫淮畏指顪?b以及二次分割溝2b的深度都為10μm。這是使得一次分割1的兩主面的合計(jì)深度為基板厚度T的50％，二次分割溝2的兩主面的合計(jì)深度為基板厚度T的30％。又，一次分割溝1以及二次分割溝2的分割溝的開口角都是電阻形成面?zhèn)葹?0°，里面?zhèn)葹?0°。
對(duì)于分割溝的形成，利用沖壓方式首先將具備分割溝形成用的刀刃的金屬模壓入上述的生片5的兩主面，在表里面同時(shí)形成二次分割溝2，然后同樣地在兩主面同時(shí)形成一次分割溝1。
一次分割是在兩主面上形成電極膜14、在基板厚度方向上形成對(duì)應(yīng)分割溝較深的主面上形成電阻膜13以及保護(hù)膜15之后，利用如圖7A～圖7C所示的分割裝置將形成在格子內(nèi)區(qū)域短邊側(cè)3a的一次分割溝1進(jìn)行分割。然而，二次分割溝的分割利用圖21的以往方法、滾筒方法進(jìn)行分割。
對(duì)此，其他比較例的一次分割溝1的分割與二次分割都是以以往的方法即圖21所示的滾筒方式來實(shí)施的。
對(duì)于本發(fā)明的實(shí)施例以及比較例，從生片5的形成分割溝到芯片電阻11的制造工序的一次分割溝1的斷裂，此過程中的生片5的斷開以及陶瓷基板12的斷裂不良、基板片的折斷不良、斷裂毛刺的發(fā)生率如表1所示。對(duì)于斷裂毛刺，將它的大小超過15μm以上的作為不良毛刺。
表1
從此結(jié)果可知，本發(fā)明的芯片電阻用陶瓷基板12的合計(jì)不良率為4.1％之下，而能夠提高成品率。
由于比較例是使得一次分割溝1的兩主面的合計(jì)深度為基板厚度T的50％，二次分割溝2的兩主面的合計(jì)深度為基板厚度T的30％，經(jīng)常會(huì)產(chǎn)生生片5分割溝形成時(shí)的斷裂、陶瓷基板12燒成時(shí)的斷裂、芯片電阻11制造工序中進(jìn)行印刷燒成時(shí)的斷裂以及利用滾筒方式一次分割溝1分割時(shí)二次分割溝2斷裂的基板片折斷不良情況以及分割毛刺不良，合計(jì)不良率高到51.9％。
即使在本實(shí)施形態(tài)中，特別地對(duì)于一次分割溝1兩主面的合計(jì)深度為基板厚度T的9％的試料A，一次分割溝1的斷裂不良升高到0.5％，又，對(duì)于一次分割1的兩主面合計(jì)厚度為基板厚度T的21％的試料E，在生片5上形成分割溝時(shí)經(jīng)常會(huì)產(chǎn)生斷裂。因此，一次分割溝1的兩主面的合計(jì)深度的最佳范圍是基板厚度T的10～20％的試料B、C、D。二次分割溝2的兩主面合計(jì)深度對(duì)于試料A～E都為基板厚度T的20％，而沒有什么特別的問題。
根據(jù)以上結(jié)果，對(duì)于厚度為200±30μm、格子內(nèi)區(qū)域3的尺寸為600μm×300μm以下的陶瓷基板12的電阻形成面一次分割溝1a深度為20±10μm、里面?zhèn)纫淮畏指顪?b的深度為10±5μm、電阻形成面?zhèn)榷畏指顪?a的深度為40±10μm、里面?zhèn)榷畏指顪?b的深度為10±5μm的本發(fā)明的芯片電阻用陶瓷基板，對(duì)于一次分割溝1的分割方法采用使得升降軸31的向下運(yùn)動(dòng)通過帶有杠桿機(jī)構(gòu)的連結(jié)部分32并利用固定部件18以及下壓部件19高精度地進(jìn)行分離的方法，由此，能夠保持小尺寸的芯片電阻11成品率并且能夠以高效率的自動(dòng)生產(chǎn)線進(jìn)行制造。
實(shí)施例2僅如下述那樣改變陶瓷基板的分割溝的尺寸，而其他條件與實(shí)施例1相同。
本實(shí)施例的陶瓷基板12如表2所示，電阻形成面?zhèn)纫淮畏指顪?a的深度是，試料A為8μm、試料B為10μm、試料C為20μm、試料D為30μm、試料E為32μm，里面?zhèn)纫淮畏指顪?b的深度都為10μm，電阻形成面?zhèn)榷畏指顪?a的深度都為10μm，里面?zhèn)榷畏指顪?b的深度都為10μm，里面?zhèn)榷畏指顪?b的深度都為40μm。又，電阻形成面?zhèn)纫淮畏指顪?a以及里面?zhèn)榷畏指顪?b的分割溝6的開口角為θ30°、里面?zhèn)纫淮畏指顪?b以及電阻形成面?zhèn)榷畏指顪?a的分割溝6的開口角θ為40°。
比較例也是同樣形狀的陶瓷基板12，電阻形成面?zhèn)纫淮畏指顪?a的深度為90μm、電阻形成面?zhèn)榷畏指顪?a的深度為50μm，里面?zhèn)纫淮畏指顪?b以及二次分割溝2b的深度都為10μm。又，一次分割溝1以及二次分割溝2的分割溝的開口角θ都是電阻形成面?zhèn)葹?0°，里面?zhèn)葹?0°。
使得分割溝的形成、芯片電阻的制造、分割試驗(yàn)與實(shí)施例1相同。
又，對(duì)于微小裂縫7的產(chǎn)生，對(duì)于沒有進(jìn)行印刷等的陶瓷基板12，本發(fā)明實(shí)施例、比較例都是用油性紅色萬能筆對(duì)于5層薄層分別將分割溝6進(jìn)行著色之后，發(fā)生斷裂，對(duì)于各薄層任意的5個(gè)點(diǎn)，用工具顯微鏡觀察其斷裂剖面，來測定基板厚度方向上微小裂縫7的深度，其平均值記載在表2中。
表2
從此結(jié)果可知，由于比較例是使得一次分割溝1的兩主面的合計(jì)深度為基板厚度T的50％，二次分割溝2的兩主面的合計(jì)深度為基板厚度T的30％，而且使得由此分割溝1以及二次分割溝2的電阻形成面都比其里面?zhèn)纫畈⑶译娮栊纬擅娴姆指顪?的開口角θ小到為30°，則在電阻形成面由此分割溝1a上即電阻形成面二次分割溝2a上分別產(chǎn)生18.5μm及8.2μm深度的微小裂縫7，經(jīng)常會(huì)產(chǎn)生生片5的分割溝6形成時(shí)的斷裂、陶瓷基板12燒成時(shí)的斷裂、芯片電阻11制造工序中進(jìn)行印刷燒成時(shí)的斷裂以及利用滾筒方式一次分割溝1分割時(shí)二次分割溝2斷裂的基板片折斷不良的情況以及分割毛刺不良和二次分割溝2的斷裂毛刺不良，合計(jì)不良率達(dá)到52.7％。
對(duì)此，可知本發(fā)明的芯片電阻用陶瓷基板12不良率的合計(jì)為4.5％，能夠提高成品率。
即使在本發(fā)明的實(shí)施例中，對(duì)于一次分割溝1的基板厚度T兩主面的合計(jì)深度為其的9％的試料A，一次分割溝1的斷裂毛刺不良高達(dá)0.4％，又，對(duì)于一次分割溝1的基板厚度T，兩主面合計(jì)厚度為其21％的試料E，在生片5上形成分割溝6時(shí)斷裂經(jīng)常到達(dá)2.8％。因此，一次分割溝1的兩主面的合計(jì)深度的最佳范圍是基板厚度T的10～20％的試料B、C、D。二次分割溝2的兩主面合計(jì)深度對(duì)于試料A～E都為基板厚度T的25％，而都沒有產(chǎn)生特別的問題。
本發(fā)明實(shí)施例的不良率比比較例顯著下降的原因是附加了上述的分割溝6的合計(jì)深度的設(shè)定，通過使得二次分割溝2的電阻形成面較淺而其里面較深，由此即使形成了電阻膜13、保護(hù)膜15的陶瓷基板12聳現(xiàn)為谷形，也可以抑制一次斷開時(shí)二次分割溝2斷裂基板折斷不良情況的發(fā)生，又，在分割溝6的豎直下方產(chǎn)生微小裂縫7，即由于分割溝6的深度淺而整體上較少的每種試料的開口角θ都為30°以及狹小的電阻形成面?zhèn)纫淮畏指顪?a、里面?zhèn)榷畏指顪?b上4.7μm以下各自相對(duì)側(cè)的開口角θ為40°的分割溝6上產(chǎn)生0.7μm以下程度的微小裂縫7，不會(huì)使得上述不良率上升。
根據(jù)以上結(jié)果，對(duì)于厚度為200±30μm、格子內(nèi)區(qū)域3的尺寸縱向?yàn)?00μm以下橫向?yàn)?00μm以下的陶瓷基板12的電阻形成面一次分割溝1a深度為20±10μm、里面?zhèn)纫淮畏指顪?b的深度為10±5μm、電阻形成面?zhèn)榷畏指顪?a的深度為10±5μm、里面?zhèn)榷畏指顪?b的深度為40±10μm，使得分割溝6的開口角θ為電阻形成面一次分割溝1a以及里面?zhèn)榷畏指顪?b的為30°，里面?zhèn)纫淮畏指顪?b以及電阻形成面?zhèn)榷畏指顪?a的為40°，由此，能夠保持薄板小型的芯片電阻11成品率并且能夠以高效率的自動(dòng)生產(chǎn)線進(jìn)行制造。
如上所述，本發(fā)明的芯片電阻用陶瓷基板，使得一次分割溝的兩主面端面合計(jì)深度比二次分割溝的兩主面的合計(jì)深度要小，而且形成電阻形成面要比里面深，并且作為能夠用下述的分割方法進(jìn)行良好分割的深度，二次分割溝的深度是控制陶瓷基板以及芯片電阻制造工序中斷裂發(fā)生率為較低范圍的深度，并且使得電阻形成面比里面要小，一次分割溝1的分割是是采用通過帶有杠桿機(jī)構(gòu)的連結(jié)部分以升降軸使得固定部件以及下壓部件向下運(yùn)動(dòng)從電阻形成面進(jìn)行施壓的方法，以從電阻形成面的里面進(jìn)行的方式或者以往的滾筒方式施加壓力進(jìn)行二次分割溝的分割，即使對(duì)于厚度230μm、格子內(nèi)區(qū)域?yàn)?00×300μm以下的陶瓷基板，能夠抑制陶瓷基板制造工序中以及芯片電阻制造工序中的斷裂以及一次分割溝的分割時(shí)基板的折斷不良、分割毛刺不良的產(chǎn)生，而且能夠高效地以自動(dòng)生產(chǎn)線進(jìn)行制造。
實(shí)施形態(tài)2對(duì)于該實(shí)施形態(tài)的陶瓷基板12，在電阻成形，和上述一次及二次分割溝1、2一起，在基板邊緣外有邊緣部分27，為了將該邊緣部分27從電阻成形部分分離開來，而形成了邊緣分割溝26。邊緣部分分割溝26兼為外輪廓的一次及二次分割溝，而該邊緣部分分割溝26的端部達(dá)到邊緣部分27。
在邊緣部分分割溝26的邊緣部分27內(nèi)的端部還形成盲溝或者盲孔，可以保護(hù)邊緣部分分割溝26的頂端部，以防龜裂產(chǎn)生。
作為盲溝32的示例，在圖8A中，在邊緣分割溝26的端部形成垂直方向上較短的終端用盲溝32。又，作為其他示例，如圖8B所示，在邊緣部分分割溝26的端部的其延長方向上并與其分離的位置上能夠形成垂直方向上較短的終端用盲溝32。其他示例，如圖8C所示，在邊緣部分分割溝26的頂端部也能夠形成盲孔46。也可以在邊緣部分分割溝26的延長位置上形成該盲孔46。
即使應(yīng)力集中在陶瓷基板12的邊緣部分分割溝26上，而利用盲溝32或者盲孔46能夠分散該應(yīng)力并防止裂縫的產(chǎn)生，則陶瓷基板12的制造工序及其后的電子部件制造工序的成品率提高。又，由于邊緣部分分割溝26的端部進(jìn)入到邊緣部分27，則邊緣部分27的斷開性能良好。
對(duì)于盲溝以及盲孔進(jìn)行詳細(xì)的說明，這里，如圖9A所示，在邊緣部分分割溝26的垂直方向上形成盲溝32，盲溝32的長度A相對(duì)于邊緣部分分割溝26的寬度K，最好為A＞K。又，陶瓷基板12的端部與盲溝32的頂端之間的距離N相對(duì)于邊緣部分27的寬度M，最好N＞0.1×M。而且，陶瓷基板12的端部與盲溝32的距離B以及邊緣部分分割溝26的交叉部分到邊緣部分分割溝26所突出部分的距離C最好分別為B＞10×K、C＞10×K。
盲溝32的深度G如圖9B所示，相對(duì)于邊緣部分分割溝26的深度H,G為0.75×H到1.5×H的范圍，相對(duì)于陶瓷基板12的厚度T,G最好為0.08×T到0.5×T之間。當(dāng)盲溝32與邊緣部分分割溝26分離的情況下，如圖9C所示，邊緣部分分割溝26與盲溝32的距離D相對(duì)于盲溝32的長度A，最好為D≤0.5×A。
對(duì)于在邊緣部分分割溝26的頂端形成盲溝46的情況，如圖9D所示，盲孔46的直徑E相對(duì)于邊緣部分分割溝26的寬度K，最好為5×K＞E＞K，盲孔46與陶瓷基板12的端部的距離F最好為F＞E。如圖9E所示，當(dāng)盲孔46與邊緣部分分割溝26分離的情況下，邊緣部分分割溝26與盲孔46的距離R相對(duì)于盲孔46的直徑E，最好為R≤0.5×E，陶瓷基板12的的邊緣部分與盲孔46的距離F以及從邊緣部分分割溝26的交叉部分到邊緣部分分割溝26的突出部分的距離C與上面說明的相同。
然而，如圖10A所示，即使在邊緣部分分割溝26的端部形成箭頭狀的盲溝32，也不能獲得此效果。
這是當(dāng)用如圖24所示的金屬模28對(duì)于陶瓷基板12進(jìn)行沖孔成型時(shí)，如圖10B所示利用分離的削切刀刃47a、47b形成盲溝32。由于即便在該削切刀刃47a與47b的連接部分上在削切刀刃47c的方向上產(chǎn)生裂縫，也不能防止裂縫的延伸。
又，如圖10C所示，將邊緣部分分割溝26的端部作為中心，當(dāng)盲溝32的左右的長度P、Q不相等時(shí)，由于盲溝32不能夠均勻地分散集中在邊緣部分分割溝26上的應(yīng)力，因此，有時(shí)在盲溝32上會(huì)產(chǎn)生裂縫，有時(shí)因盲溝32不能夠緩和應(yīng)力而貫通盲溝32形成裂縫。因此，最好盲溝32對(duì)于邊緣部分分割溝26具有左右相等的長度。
本實(shí)施形態(tài)的制造方法是將金屬模所具備的削切刀刃以及圓形壓入陶瓷生片形成邊緣部分分割溝26、電阻單體分割溝6、盲溝32以及盲孔46，此后在規(guī)定溫度下將它們燒成。
實(shí)施例3作為本發(fā)明的實(shí)施例，已經(jīng)例舉了圖8A的將盲溝32連接在邊緣部分分割溝26形成的基板、圖8B的將盲溝32與邊緣部分分割溝26分離形成的基板以及圖8C所示的將盲孔46與邊緣部分分割溝26連接形成的基板。作為比較例選擇例舉了圖26所示的邊緣部分分割溝26觸及到陶瓷基板12的邊緣端部的基板、圖27所示的邊緣部分分割溝26沒有觸及到陶瓷基板12的邊緣端部的基板。還將圖28所示的形成與邊緣分割溝26平行的盲溝32的基板作為比較例。
這些基板是將金屬模28所具備的削切刀刃壓入氧化鋁含有量為96％的生片5的表面來形成分割溝，并且此后在規(guī)定溫度下燒成。
陶瓷基板12的外圍尺寸為78mm×60nm長方形、厚度0.8mm。本發(fā)明的圖8A、圖8B、圖8C形狀的試料分別為試料a、試料b、試料c。比較例的圖26、圖27、圖28形狀的試料甲、試料乙、試料丙。各試料的尺寸值如表3所示。
表3 單位mm
各試料數(shù)為10000層，比較圖25所示的陶瓷基板制造工序、外觀檢查工序中的產(chǎn)生裂縫的不良率。又，為了比較邊緣部分27的斷開性能，將圖8A所示的陶瓷基板12如圖8B以及圖8C所示那樣，由邊緣部分分割溝26將邊緣部分27各10000層薄層手動(dòng)折斷(hand break)，將形成圖8D所示電阻單體25的毛刺L為0.2mm以上作為不良情況，比較了不良情況的發(fā)生率。以上的結(jié)果表示在表4。
表中的判定是用○表示裂縫不良率未滿1％，用△表示裂縫不良率1％以上而未滿2％，用×表示裂縫不良率2％以上。
表4 數(shù)量各10,000層
根據(jù)實(shí)施例3可以判斷采用本發(fā)明實(shí)施例的試料a、試料b、試料c時(shí)，盲溝32與邊緣部分分割溝26的裂縫發(fā)生率以及邊緣部分27的斷裂引起的毛刺L的發(fā)生率都較低判定為“0”。
對(duì)于比較例的試料甲與試料乙，邊緣部分分割溝26的裂縫發(fā)生率因?yàn)椤炼卸ㄋ鼮檩^高，又，試料丙從盲溝32其的裂縫發(fā)生率為×而判定它為較高。又，由邊緣部分27的斷裂引起的毛刺L的發(fā)生率僅試料丙為較高的值。
實(shí)施例4作為本發(fā)明的實(shí)施例，如實(shí)施例3同樣地作成圖9A所示的陶瓷基板12。對(duì)于該試料，使得盲溝32的長度為A、邊緣部分分割溝26的寬度為K、陶瓷基板12的邊緣端部與盲溝32的距離為B、邊緣部分分割溝26的交叉部至邊緣部分分割溝26的突出部距離為C、邊緣部分27的寬度為M、陶瓷基板12的邊緣端部與盲溝32的端部的距離為N，并且K=0.2mm、B=5mm、C=5mm、M=10mm，設(shè)定盲溝32的長度A為0.1mm到18mm的9個(gè)種類。試料4-1是A=0.1mm、試料4-2是A=0.2mm、試料4-3是A=0.4mm、試料4-4是A=1.0mm、試料4-5是A=2.0mm、試料4-6是A=5.0mm、試料4-7是A=14mm、試料4-8是A=16mm、試料4-9是A=18mm。
對(duì)于上述各試料，陶瓷基板12的邊緣端部與盲溝32的端部之間的距離N都為N=M-(A/2)的值。
其他的陶瓷基板12的條件與實(shí)施例3的試料相同。試料數(shù)與裂縫的調(diào)查方法、評(píng)定方法也與實(shí)施例3相同，其結(jié)果由表5表示。
表5 數(shù)量各10,000層
根據(jù)實(shí)施例4，對(duì)于盲溝32的長度A比邊緣部分分割溝26的寬度K要小的試料4-1，其盲溝32與邊緣部分分割溝26的裂縫發(fā)生率都為×而判定為較高。對(duì)于盲溝32的長度A與邊緣部分分割溝26的寬度K相同的試料4-2，盲溝32與邊緣部分分割溝26裂縫發(fā)生率雖然比試料4-1要低，但判定為△。
又，盲溝32的長度A由于為最長即18mm，陶瓷基板12邊緣部分與盲溝32的端部之間的距離N為較短的1.0mm時(shí)，則試料4-9從盲溝32起的裂縫發(fā)生率稍高，判定為△。
對(duì)于盲溝32的長度A為0.4mm～16mm的試料4-3、試料4-4、試料4-5、試料4-6、試料4-7、試料4-8，盲溝32與邊緣部分分割溝26的裂縫發(fā)生率為較低，判定為○。
實(shí)施例5作為本發(fā)明的實(shí)施例，與實(shí)施例3同樣地作成圖9D所示的陶瓷基板12。試料以陶瓷基板12的邊緣部分與盲孔46的距離F=3mm、邊緣部分27的寬度M=10mm、邊緣部分分割溝26的寬度K=0.2mm，以盲孔46的直徑E的大小分別設(shè)定為5個(gè)種類。試料3-1是E=0.15mm、試料3-2是E=0.25mm、試料3-3是E=0.3mm、試料3-4是E=0.6mm、試料3-5是E=1.0mm。其他的陶瓷基板12的條件與試料數(shù)、裂縫、斷裂的調(diào)查方法、評(píng)定方法也與實(shí)施例3相同，其結(jié)果由表6表示。
表6數(shù)量各10,000層
盲孔46的直徑E小于邊緣分割溝26的寬度K的試料3-1由于盲孔46與邊緣部分分割溝26之間的裂縫發(fā)生率合計(jì)為1％以上，則判定為△，直徑E為5×K的試料3-5由于盲孔46與邊緣部分分割溝26的裂縫發(fā)生率合計(jì)在1％以上，也判定為△。
盲孔46的直徑E超過邊緣部分分割溝26的寬度K而未滿5×K的試料3-2、試料3-3、試料3-4盲孔46與邊緣部分分割溝26起的裂縫發(fā)生率為較低，則判定為○。
根據(jù)上述實(shí)施例3，本發(fā)明的實(shí)施例相比于比較例，能夠降低裂縫、毛刺L的發(fā)生率，根據(jù)實(shí)施例4、3本發(fā)明特征性的主要部分的尺寸值最好為A＞K且N＞0.1×M，并且5×K＞E＞K。
根據(jù)本發(fā)明，對(duì)于在周邊具備邊緣部分的陶瓷基板，通過在邊緣部分分割溝的端部或者僅在其延長上形成盲溝或者盲孔，不會(huì)降低分割溝的分割性能，并且對(duì)于陶瓷基板制造工序及其后的電子部件制造工序，能夠防止裂縫以及斷裂的發(fā)生并且能夠提高成品率與生產(chǎn)率。
實(shí)施形態(tài)3該實(shí)施形態(tài)如圖11所示，本發(fā)明的陶瓷基板12在端部37的兩側(cè)的主面?zhèn)壬暇哂械菇遣糠?7，它們之間的垂直面48至少為陶瓷基板12的厚度T的50％以上，其表面上凹凸很少并且最大粗糙度Rmax為6μm以下。由此，能夠防止印刷工序等中陶瓷基板12的位置固定銷33引起的端部37的缺損以及凸部細(xì)微脫落的發(fā)生。
這里，作為上述最大光潔度Rmax，對(duì)于至少20張以上的陶瓷基板12測定了20個(gè)以上最大粗糙度Rmax時(shí)的平均值。
本發(fā)明的陶瓷基板12的邊緣部分的成形是通過將切斷刀刃42壓入生片5而形成。圖12表示切斷刀刃42的剖面形狀，而切斷刀刃的刀尖49是由刀刃垂直面50與刀尖傾斜面52形成，并且制成單刃的形狀，刀尖角度θ最好為45度以下，經(jīng)過其根部一側(cè)上與刀尖垂直面50精密連接的倒角傾斜面51，設(shè)有切斷刀刃的11根部側(cè)平行面53、54。
該切斷刀刃42如圖13所示，切斷刀刃42安裝在上穿孔機(jī)34的下面?zhèn)?，并且與切斷刀刃的刀尖49的垂直面50相對(duì)，使得能夠?qū)⑸诔龀梢?guī)定形狀。因此，使得切斷刀刃倒角用傾斜面51的部分面向金屬模的內(nèi)側(cè)并且安裝在上穿孔機(jī)34上。
使用時(shí)，在下沖床與上沖床34之間放置生片，放下上沖床將切斷刀刃42壓向5，則如圖14A所示，切斷刀刃42壓入生片5。然后，如圖14B所示，進(jìn)一步壓入，在達(dá)到生片5厚度T的約50％時(shí)切斷刀刃倒角用傾斜面51在生片5上開始形成倒角部分47。而且，如圖14C所示，當(dāng)將切斷刀刃42壓入到生片5厚度T的60～80％時(shí)，利用切斷倒角用傾斜面51在生片5上形成倒角部分47，另一方面，在生片5上由于切斷刀刃42的刀尖49的傾斜面使得擴(kuò)張而施加壓縮應(yīng)力，向箭頭方向產(chǎn)生龜裂44。如此，沒有完全切斷生片5，若將切斷刀刃42向上拉，則形成包圍生片的切斷溝，在切斷溝的底部形成龜裂44即倒角部分47。
生片5從金屬模中脫出，在輸送過程中如圖15所示，生片的切斷溝外側(cè)的外部邊緣部分分離并且留下固定形狀的生片。這里，分離了不需要的外部邊緣部分并且此時(shí)它沿著前面圖14C所示的龜裂自然地?cái)嗔?，在邊緣部?7上，如圖11所示在生片5的，兩個(gè)主面?zhèn)壬闲纬傻菇遣糠?7，在其之間形成垂直面48的剖面形狀。
通過將這樣形成的生片5在規(guī)定溫度下進(jìn)行燒成，制造燒成后具有同樣剖面形狀的陶瓷基板12。
該實(shí)施形態(tài)能夠適用于通過刮片法或者滾筒壓制法(roll compaction)成形的所有材料的陶瓷生片。又，切斷刀刃42的材料最好是超硬合金，它可以裝備在金屬模上或者裝備在沖床等上，壓入到生片5。
實(shí)施例6本發(fā)明實(shí)施例是切斷刀刃的刀尖49的刀尖角度θ為35°在壓入到生片5厚度T50％時(shí)起以超硬合金作成形成切斷刀刃倒角用傾斜面51形狀的切斷刀刃42，并且將該切斷刀刃42安裝在金屬模的上沖床34上，將上述金屬模壓入氧化鋁含有量為96％的以刮片法成形的生片5中而作成試料，將該試料在規(guī)定溫度下進(jìn)行燒成而獲得陶瓷基板12。
對(duì)于該陶瓷基板12，測定圖16所示的邊緣部分37的倒角部分47的厚度t1,t3、垂直面48的厚度t2、倒角部分47的寬度-X1,-X2以及突出部分40的寬度X1,X2的各部分的尺寸。
又，作為比較例，通過采用圖31所示的金屬模的加工法將試料作成并燒成之后，對(duì)于圖29所示的位置，與本發(fā)明試料同樣地測定各部分的尺寸進(jìn)行比較。
本發(fā)明與比較例都采用由燒成后的陶瓷基板12厚度T為0.64mm形成的生片5，以任意50層薄層來測定試料，每一層薄層對(duì)于任意一點(diǎn)用工具顯微鏡進(jìn)行測定。
以上的測定結(jié)果如表7所示。
表7 單位(mm)
對(duì)于本發(fā)明的實(shí)施例，在陶瓷基板12的邊緣部分37的兩主面?zhèn)壬闲纬傻菇遣糠?7并且在其上沒有產(chǎn)生突出部分40。又，還形成相對(duì)于陶瓷基板12的厚度T50％的垂直面48并且在其表面沒有會(huì)帶來凹凸問題的。比較例1在其邊緣部分37的表面的主面?zhèn)壬袭a(chǎn)生突出部分40并且里面的主面?zhèn)瘸蔀橐园霃綘畹腟字形狀。
實(shí)施例7分別作成實(shí)施例6的本發(fā)明實(shí)施例以及金屬模加工后的比較例1的試料、作為比較2由圖34及圖35所示的在表里形成多角形切斷溝41并經(jīng)過燒成將該切斷溝41折斷的試料、作為比較例3由圖36及圖37所示的將以往的兩刀刃的切斷刀刃42壓入生片5的表面及里面進(jìn)行切斷并燒成之后的試料，測定邊緣部分37垂直面48的表面光潔度的最大粗糙度Rmax。
本發(fā)明實(shí)施例以及比較例1,2,3，的陶瓷基板12的厚度T都為0.64mm并且測定數(shù)都為20層，對(duì)于垂直面48的剖面對(duì)一層任意一點(diǎn)在縱方向上用表面光潔度計(jì)進(jìn)行測定。表面光潔度計(jì)的探頭直徑為2μm，對(duì)于本發(fā)明的實(shí)施例以及比較例2、3不能由垂直面48的厚度t2來特定測定長度，比較例1也不能夠由垂直面48特定測定長度，因此，對(duì)于陶瓷基板的厚度T要分別進(jìn)行測量。此結(jié)果由表8表示。
表8
陶瓷基板12的邊緣部分37的垂直面48的最大粗糙度Rmax在本發(fā)明實(shí)施例中平均值為5.500μm，比較例1中其平均值較大為20.980μm，比較例2中其平均值為8.200μm，比較例3中其平均值為9.114μm，相對(duì)于本發(fā)明的實(shí)施例任何一個(gè)值都偏大。
實(shí)施例8在本發(fā)明的實(shí)施例中，對(duì)于切斷刀刃42的壓入深度及其里面?zhèn)戎髅娴牡菇切纬蛇M(jìn)行測試。試料采用實(shí)施例6的本發(fā)明實(shí)施例，條件為1～5，分別改變表面?zhèn)鹊牡菇遣糠?7的厚度t1以及垂直面48的厚度t2，加工各50層生片5，在從金屬模脫離輸送工序中生片不需要的外部邊緣部分43的分離時(shí)其自然斷裂，并且將在里面?zhèn)刃纬傻菇遣糠?7的作為良品，否則作為次品。
此結(jié)果如表9所示。對(duì)于條件1～5，陶瓷基板12的厚度T均為0.64mm，表中的數(shù)據(jù)是燒成后的值。
表9 在切斷刀刃42的壓入深度(t1+t2)為陶瓷基板厚度T的54.7％的條件1下，從金屬模脫離后的輸送工序中生片不需要的外部邊緣部分43不能夠良好地自然斷裂并且里面?zhèn)鹊菇遣糠?7的形成不良率為40％，又，在切斷刀刃42的壓入深度為83.6％的條件5下，在里面?zhèn)葲]有形成倒角部分47的為20％。
在切斷刀刃42的壓入深度為陶瓷基板厚度T的59.7％的條件2、65.6％的條件3以及80.5％的條件4下，里面?zhèn)鹊牡菇遣糠?7的形成不良率都為0％。
由此，使得切斷刀刃42壓入生片5形成的切斷溝41的深度為生片5厚度T的60％以上，又，為了在生片5的另一主面?zhèn)壬弦残纬傻菇遣糠?7，則使之上限為80％。
這樣的金屬模加工時(shí)的生片5與切斷刀刃42的分離不會(huì)引起損壞，而且它是一種在生產(chǎn)性上效率高的加工。
如此，根據(jù)本發(fā)明，通過在生片表面的一方向上壓入切斷刀刃，僅設(shè)定其壓入深度，將生片及其燒成獲得陶瓷基板的剖面邊緣部分上能夠形成至少50％以上凹凸少的垂直面以及在兩主面?zhèn)壬夏軌蛐纬蓻]有突出部分的倒角部分。
在根據(jù)本發(fā)明獲得的陶瓷基板上，利用印刷法等用位置固定銷進(jìn)行固定，也能夠放置××的產(chǎn)生，并且能夠防止位置偏移以及因斷落部分附著在倒角部分的表面所引起的印刷不良等。里面?zhèn)鹊牡菇遣糠值谋砻姹缺砻鎮(zhèn)鹊牡菇遣糠值囊植冢捎谟∷r(shí)不存在與位置決定銷的接觸等，而不存在任何問題。
又，切斷刀刃僅安裝在金屬模的沖床的一側(cè)，由于生片加工時(shí)生片與切斷刀刃能夠良好地分離，則能夠進(jìn)行加工時(shí)沒有損壞的、高生產(chǎn)性的加工。而且，與將切斷刀刃使設(shè)置在金屬模上部、下部分的以往方法進(jìn)行比較，能夠降低制作金屬模的費(fèi)用，并且由切斷刀刃的磨損引起的修整以及替換或者交換時(shí)的安裝都變得容易。
權(quán)利要求
1．一種芯片電阻用陶瓷基板，它是用于形成通過在基板的兩主面上對(duì)應(yīng)地形成格子狀的分割溝而在所述主面上劃分長方形狀區(qū)域來構(gòu)成的芯片電阻，其特征在于，形成在所述區(qū)域短邊側(cè)的一次分割溝的兩主面的合計(jì)深度比形成在所述區(qū)域長邊側(cè)的二次分割溝的兩主面的合計(jì)深度要淺。
2．如權(quán)利要求1所述的芯片電阻用陶瓷基板，其特征在于，所述一次分割溝與所述二次分割溝電阻形成面?zhèn)鹊臏仙疃急壤锩鎮(zhèn)鹊臏仙钜蟆?br> 3．如權(quán)利要求2所述的芯片電阻用陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板的厚度為200±30μm，所述格子內(nèi)區(qū)域的長邊為600μm～300μm且短邊為300μm～100μm，所述一次分割溝的深度在電阻形成面?zhèn)葹?0±10μm且在里面?zhèn)鹊纳疃葹?0±5μm，所述二次分割溝的深度在電阻形成面?zhèn)葹?0±10μm且在里面?zhèn)鹊纳疃葹?0±5μm。
4．一種芯片電阻用陶瓷基板，它是用于形成通過在基板的兩主面上形成對(duì)應(yīng)格子狀的分割溝而在所述主面上劃分長方形狀區(qū)域來構(gòu)成的芯片電阻，其特征在于，形成在所述區(qū)域短邊側(cè)的一次分割溝的兩主面的合計(jì)深度比形成在所述區(qū)域長邊側(cè)的二次分割溝的兩主面的合計(jì)深度要小，所述一次分割溝的電阻形成面?zhèn)缺壤锩鎮(zhèn)纫睿龆畏指顪系睦锩鎮(zhèn)缺入娮栊纬擅鎮(zhèn)纫睢?br> 5．如權(quán)利要求4所述的芯片電阻用陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板的厚度為200±30μm，所述格子內(nèi)區(qū)域的所述格子內(nèi)區(qū)域的長邊為600μm～300μm且短邊為300μm～100μm，所述一次分割溝的深度在電阻形成面?zhèn)葹?0±10μm且在里面?zhèn)鹊纳疃葹?0±5μm，所述二次分割溝的深度在電阻形成面?zhèn)葹?0±5μm且在里面?zhèn)鹊纳疃葹?0±10μm。
6．如權(quán)利要求5所述的芯片電阻用陶瓷基板，其特征在于，所述一次分割溝的電阻形成面?zhèn)鹊拈_口角以及所述二次分割溝的里面?zhèn)鹊拈_口角都在30±10°的范圍內(nèi)，所述一次分割溝的里面?zhèn)鹊拈_口角以及所述二次分割溝的電阻形成面?zhèn)鹊拈_口角都在40±5°的范圍內(nèi)，
7．如權(quán)利要求1～6任意一項(xiàng)所述的芯片電阻用陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板具有在周圍將邊緣部分與所述陶瓷基板分割的邊緣部分分割溝，僅在所述邊緣部分分割溝的端部或其延長方向上具有盲溝或者盲孔。
8．如權(quán)利要求1～6任意一項(xiàng)所述的芯片電阻用陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板在兩主面的邊緣端部具備倒角，在所述倒角之間具有基板厚度50％以上垂直的端面，所述垂直端面的最大粗糙度Rmax為6μm以下。
9．一種芯片電阻的制造方法，它是將分割溝在兩主面上對(duì)應(yīng)地形成格子狀的生片進(jìn)行燒成并且將所述生片作為陶瓷基板，在所述基板的兩主面上形成電極并在表面?zhèn)刃纬呻娮枘?，再分割所述陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板的兩主面具有由一次分割溝及與所述一次分割溝垂直相交的二次分割溝分割的區(qū)域，在所述區(qū)域短邊側(cè)形成的所述一次分割溝的兩主面的合計(jì)深度比在所述區(qū)域長邊側(cè)形成的所述二次分割溝的兩主面的合計(jì)深度要小，并且所述一次分割首先斷開。
10．如權(quán)利要求9所述的芯片電阻的制造方法，其特征在于，所述一次分割溝的分割方法是將所述陶瓷基板移送到裝置基臺(tái)上將所述陶瓷基板要斷開的一次分割溝放置于分割裝置中能夠升降的下壓部件與固定部件的垂直下方，通過能夠上下移動(dòng)的升降軸使所述下壓部件與固定部件向下運(yùn)動(dòng)，以制動(dòng)器來限制所述固定部件向下運(yùn)動(dòng)并且使得所述陶瓷基板與所述固定部件相觸而進(jìn)行固定，同時(shí)利用連結(jié)部分的杠桿機(jī)構(gòu)使所述下壓部件通過所述固定部進(jìn)一步向下運(yùn)動(dòng)并壓入所述陶瓷基板，由此將所述一次分割溝曲折而與所述基板分離。
11．如權(quán)利要求9或10所述的芯片電阻的制造方法，其特征在于，所述一次分割溝與所述二次分割在電阻形成面?zhèn)鹊臏仙畋仍诶锩鎮(zhèn)鹊臏仙钜蟆?br> 12．如權(quán)利要求9或10所述的芯片電阻的制造方法，其特征在在于，所述陶瓷基板的厚度為200±30μm，并且所述格子內(nèi)區(qū)域的長邊為600μm～300μm且短邊為300μm～100μm，所述一次分割溝的深度在電阻形成面?zhèn)葹?0±10μm且在里面?zhèn)鹊纳疃葹?0±5μm，所述二次分割溝的深度在電阻形成面?zhèn)葹?0±10μm且在里面?zhèn)鹊纳疃葹?0±5μm。
13．如權(quán)利要求9或10所述的芯片電阻的制造方法，其特征在于，所述一次分割溝在電阻形成面?zhèn)缺壤锩鎮(zhèn)纫?，并且所述二次分割溝在里面?zhèn)缺入娮栊纬擅鎮(zhèn)纫睢?br> 14．如權(quán)利要求9或10所述的芯片電阻的制造方法，其特征在于，所述陶瓷基板的厚度為200±30μm，所述格子內(nèi)區(qū)域的所述格子內(nèi)區(qū)域的長邊為600μm～300μm且短邊為300μm～100μm，所述一次分割溝的深度在電阻形成面?zhèn)葹?0±10μm且在里面?zhèn)鹊纳疃葹?0±5μm，所述二次分割溝的深度在電阻形成面?zhèn)葹?0±5μm且在里面?zhèn)鹊纳疃葹?0±10μm。
15．如權(quán)利要求9或10所述的芯片電阻的制造方法，其特征在于，所述一次分割溝的電阻形成面?zhèn)鹊拈_口角以及所述二次分割溝的里面?zhèn)鹊拈_口角都在30±10°的范圍內(nèi)，所述一次分割溝的里面?zhèn)鹊拈_口角以及所述二次分割溝的電阻形成面?zhèn)鹊拈_口角都在40±5°的范圍內(nèi)，
16．如權(quán)利要求9或10所述的芯片電阻的制造方法，其特征在于，在形成所述分割溝時(shí)，所述陶瓷基板預(yù)先具有在周圍將邊緣部分與所述陶瓷基板分割的邊緣部分分割溝，僅在所述邊緣部分分割溝的端部或其延長方向上形成盲溝或者盲孔。
17．如權(quán)利要求9或10所述的芯片電阻的制造方法，其特征在于，所述陶瓷基板具備兩主面的邊緣端部倒角，在所述倒角之間具有基板厚度50％以上垂直端面，所述垂直端面的最大粗糙度Rmax為6μm以下。
18．如權(quán)利要求9、10或17任意一項(xiàng)所述的芯片電阻的制造方法，其特征在于，先燒成生片，將在刀尖具有垂直面且根部具有倒角用斜面的切斷刀刃從陶瓷生片的一主面壓入，在所述陶瓷生片的周圍形成層厚度為所述陶瓷生片的60％～80％的切斷溝之后，沿著所述切斷溝進(jìn)行切斷。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠抑制在陶瓷基板及芯片電阻的制造過程中產(chǎn)生不良的斷裂并且能滿足分割后尺寸精度的芯片電阻用陶瓷基板。使得一次分割溝的兩主面的合計(jì)深度比二次分割溝的兩主面的合計(jì)深度要淺,并使得電阻形成面?zhèn)纫淮畏指顪?a比內(nèi)面?zhèn)纫淮畏指顪?b要深而使得內(nèi)面?zhèn)榷畏指顪?b比電阻形成面?zhèn)榷畏指顪?a要深。在陶瓷基板的邊緣部分分割溝2b的端部或僅在其延長上形成盲溝或盲孔。
文檔編號(hào)H01C17/06GK1325117SQ01118979
公開日2001年12月5日 申請(qǐng)日期2001年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2000年5月23日
發(fā)明者高尾克一, 岡本忠裕, 津曲兼溫, 中元徹郎 申請(qǐng)人:京瓷株式會(huì)社