專利名稱：多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路封裝結(jié)構(gòu)，特別涉及一種LOC(lead-on-chip)式的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)，其可用來封裝多個半導(dǎo)體晶片，且可使用較短的導(dǎo)線來電性連接其中所封裝的半導(dǎo)體晶片，因此可提高半導(dǎo)體晶片的操作性能及降低封裝制造成本。
多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)為一種可用來封裝多個半導(dǎo)體晶片的封裝結(jié)構(gòu)，借此讓其所構(gòu)建的集成電路裝置可提供倍增的操作功能及資料儲存容量。目前在現(xiàn)有技術(shù)上，已提出有許多種不同的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)，用以將多個半導(dǎo)體晶片整合于單一個集成電路封裝裝置之中。


圖1A至1C即顯示三種現(xiàn)有的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖1A顯示一堆疊式的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)，其是以一堆疊方式來封裝二個半導(dǎo)體晶片11a，12a；圖1B顯示一并排式的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)，其是將二個半導(dǎo)體晶片21a，22a以一并排方式配置于同一導(dǎo)線架平面上；而圖1C則顯示一背對背式的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)，其將二個半導(dǎo)體晶片31a，32a分別黏貼于導(dǎo)線架的正面及反面上，形成一背對背的配置方式。
然而上述的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)的一項缺點在于其僅適合用來封裝周邊焊墊式晶片(peripheral-pad IC chip)，而不適合用來封裝中央焊墊式晶片(central-pad IC chip)。所謂″周邊焊墊式晶片″是指將焊墊結(jié)構(gòu)配置于周邊的晶片，而″中央焊墊式晶片″則是指將焊墊結(jié)構(gòu)配置于中央的晶片。這是由于若將圖1A-1C所示的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)用來封裝中央焊墊式晶片，則其需要較長的導(dǎo)線來電性連接其中的晶片與導(dǎo)線架；而此增加的導(dǎo)線長度將導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片的操作性能降低，并使得封裝制造成本增加。此缺點將于以下用圖2A-2C作圖解說明。
如圖2A所示，假若將圖1A所示的封裝結(jié)構(gòu)用來封裝一周邊焊墊式晶片11b及一中央焊墊式晶片12b，則中央焊墊式晶片12b所用的導(dǎo)線組13b其導(dǎo)線長度將會大于圖1A所示的周邊焊墊式晶片12a所用的導(dǎo)線組13a。此增加的導(dǎo)線長度將導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片的操作性能降低，并使得封裝制造成本增加。
如圖2B所示，假若將圖1B所示的封裝結(jié)構(gòu)用來封裝二個中央焊墊式晶片21b、22b，則此二個中央焊墊式晶片21b、22b所用的導(dǎo)線組23b、24b其導(dǎo)線長度將會大于圖1B所示的周邊焊墊式晶片21a、22a所用的導(dǎo)線組23a、24a。此增加的導(dǎo)線長度將導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片的操作性能降低，并使得封裝制造成本增加。
再如圖2C所示，假若將圖1C所示的封裝結(jié)構(gòu)用來封裝二個中央焊墊式晶片31b、32b，則此二個中央焊墊式晶片31b、32b所用的導(dǎo)線組33b、34b其導(dǎo)線長度將會大于圖1C所示的周邊焊墊式晶片31a、32a所用的導(dǎo)線組33a、34a。此增加的導(dǎo)線長度將導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片的操作性能降低，并使得封裝制造成本增加。
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的主要目的便是在于提供一種新穎的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)，其可用來封裝多數(shù)個半導(dǎo)體晶片，但可使用較短的導(dǎo)線來電性連接其中所封裝的半導(dǎo)體晶片及導(dǎo)線架，借此而提升半導(dǎo)體晶片的操作性能及降低封裝制造成本。
本發(fā)明的目的可以通過以下措施來達到一種多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)，其包含一導(dǎo)線架，其具有一中央晶片座、一第一導(dǎo)腳部、及一第二導(dǎo)腳部；且其第一導(dǎo)腳部與其中央晶片座二者之間形成一第一缺口，而其第二導(dǎo)腳部與其中央晶片座二者之間則形成一第二缺口；此中央晶片座、第一導(dǎo)腳部、及第二導(dǎo)腳部均各具有一正面和一反面；一第一中央焊墊式晶片，其具有一電路面和一非電路面，且其電路面上具有一中央焊墊結(jié)構(gòu)；此中央焊墊結(jié)構(gòu)將第一中央焊墊式晶片的電路面分隔成一第一區(qū)域和一第二區(qū)域，其中第一區(qū)域貼置于該導(dǎo)線架的第一導(dǎo)腳部的反面，而第二區(qū)域則貼置于該導(dǎo)線架的中央晶片座的反面；且使該第一中央焊墊式晶片上的中央焊墊結(jié)構(gòu)對齊至該導(dǎo)線架中的第一缺口；一第二中央焊墊式晶片，其具有一電路面及一非電路面，且其電路面上具有一中央焊墊結(jié)構(gòu)；此中央焊墊結(jié)構(gòu)將該第二中央焊墊式晶片的電路面分隔成一第一區(qū)域和一第二區(qū)域，其中第一區(qū)域貼置于該導(dǎo)線架的第二導(dǎo)腳部的反面，而第二區(qū)域則貼置于該導(dǎo)線架的中央晶片座的反面；且使該第二中央焊墊式晶片上的中央焊墊結(jié)構(gòu)對齊至該導(dǎo)線架中的第二缺口；一周邊焊墊式晶片，其具有一電路面及一非電路面，且其電路面上具有一周邊焊墊結(jié)構(gòu)；該周邊焊墊式晶片的非電路面是貼置于該導(dǎo)線架的中央晶片座的正面；一第一導(dǎo)線組，用以電性連接該第一中央焊墊式晶片上的中央焊墊結(jié)構(gòu)至該導(dǎo)線架的第一導(dǎo)腳部的正面；一第二導(dǎo)線組，用以電性連接該第二中央焊墊式晶片上的中央焊墊結(jié)構(gòu)至該導(dǎo)線架的第二導(dǎo)腳部的正面；一第三導(dǎo)線組，用以電性連接該周邊焊墊式晶片上的周邊焊墊結(jié)構(gòu)至該導(dǎo)線架的第一及第二導(dǎo)腳部的正面；以及一封裝膠體，用以包覆該第一中央焊墊式晶片、該第二中央焊墊式晶片、及該周邊焊墊式晶片。
該第一及第二中央焊墊式晶片貼置于導(dǎo)線架反面的方式是采用聚亞酰胺(polyimide)膠帶。
該周邊焊墊式晶片貼置于該導(dǎo)線架的晶片座的正面的方式是采用銀膠。
該第一、第二、及第三導(dǎo)線組中的導(dǎo)線均為金線。
一種多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)，其包含一導(dǎo)線架，其具有一中央晶片座及一導(dǎo)腳部；且其導(dǎo)腳部與其中央晶片座二者之間形成一缺口；此中央晶片座及導(dǎo)腳部均各具有一正面和一反面；一中央焊墊式晶片，其具有一電路面和一非電路面，且其電路面上具有一中央焊墊結(jié)構(gòu)；此中央焊墊結(jié)構(gòu)將該中央焊墊式晶片的電路面分隔成一第一區(qū)域和一第二區(qū)域，其中第一區(qū)域貼置于該導(dǎo)線架的導(dǎo)腳部的反面，而第二區(qū)域則貼置于該導(dǎo)線架的中央晶片座的反面；且使該中央焊墊式晶片上的中央焊墊結(jié)構(gòu)對齊至該導(dǎo)線架中的缺口；一周邊焊墊式晶片，其具有一電路面及一非電路面，且其電路面上具有一周邊焊墊結(jié)構(gòu)；該周邊焊墊式晶片的非電路面是貼置于該導(dǎo)線架的中央晶片座的正面；一第一導(dǎo)線組，用以電性連接該中央焊墊式晶片上的中央焊墊結(jié)構(gòu)至該導(dǎo)線架的第一導(dǎo)腳部的正面；一第二導(dǎo)線組，用以電性連接該周邊焊墊式晶片上的周邊焊墊結(jié)構(gòu)至該導(dǎo)線架的導(dǎo)腳部的正面；以及一封裝膠體，用以包覆該中央焊墊式晶片及該周邊焊墊式晶片。
該中央焊墊式晶片貼置于導(dǎo)線架反面的方式是采用聚亞酰胺膠帶。
該周邊焊墊式晶片貼置于該導(dǎo)線架的晶片座的正面的方式是采用銀膠。
該第一及第二導(dǎo)線組中的導(dǎo)線均為金線。
本發(fā)明相比現(xiàn)有技術(shù)具有如下優(yōu)點根據(jù)以上所述的目的，本發(fā)明提供了一種新穎的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)可用以封裝三個半導(dǎo)體晶片，包括二個中央焊墊式晶片及一個周邊焊墊式晶片。本發(fā)明的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)包含以下構(gòu)件(a)一導(dǎo)線架，其具有一中央晶片座、一第一導(dǎo)腳部、及一第二導(dǎo)腳部；且其第一導(dǎo)腳部與其中央晶片座二者之間形成一第一缺口，而其第二導(dǎo)腳部與其中央晶片座二者之間則形成一第二缺口；(b)一第一中央焊墊式晶片，其電路面上具有一中央焊墊結(jié)構(gòu)；此中央焊墊結(jié)構(gòu)將第一中央焊墊式晶片的電路面分隔成一第一區(qū)域和一第二區(qū)域，其中第一區(qū)域貼置于該導(dǎo)線架的第一導(dǎo)腳部的反面，而第二區(qū)域則貼置于該導(dǎo)線架的中央晶片座的反面；且使該第一中央焊墊式晶片上的中央焊墊結(jié)構(gòu)對齊至該導(dǎo)線架中的第一缺口；(c)一第二中央焊墊式晶片，其電路面上具有一中央焊墊結(jié)構(gòu)；此中央焊墊結(jié)構(gòu)將該第二中央焊墊式晶片的電路面分隔成一第一區(qū)域和一第二區(qū)域，其中第一區(qū)域貼置于該導(dǎo)線架的第二導(dǎo)腳部的反面，而第二區(qū)域則貼置于該導(dǎo)線架的中央晶片座的反面；且使該第二中央焊墊式晶片上的中央焊墊結(jié)構(gòu)對齊至該導(dǎo)線架中的第二缺口；(d)一周邊焊墊式晶片，其電路面上具有一周邊焊墊結(jié)構(gòu)；該周邊焊墊式晶片的非電路面是貼置于該導(dǎo)線架的中央晶片座的正面；(e)一第一導(dǎo)線組，用以電性連接該第一中央焊墊式晶片上的中央焊墊結(jié)構(gòu)至該導(dǎo)線架的第一導(dǎo)腳部的正面；(f)一第二導(dǎo)線組，用以電性連接該第二中央焊墊式晶片上的中央焊墊結(jié)構(gòu)至該導(dǎo)線架的第二導(dǎo)腳部的正面；(g)一第三導(dǎo)線組，用以電性連接該周邊焊墊式晶片上的周邊焊墊結(jié)構(gòu)至該導(dǎo)線架的第一及第二導(dǎo)腳部的正面；以及(h)一封裝膠體，用以包覆該第一中央焊墊式晶片、該第二中央焊墊式晶片、及該周邊焊墊式晶片。
上述的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)的特點在于可使用較短的導(dǎo)線來電性連接這些晶片，因此可提升晶片的操作性能及降低封裝制造成本。本發(fā)明因此較現(xiàn)有技術(shù)具有更佳的實用性。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文將舉本發(fā)明的較佳實施例，并配合所附圖示，詳細說明本發(fā)明的實質(zhì)技術(shù)內(nèi)容。所附圖示的內(nèi)容簡述如下圖1A至1C(現(xiàn)有技術(shù))顯示三種現(xiàn)有的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖2A至2C(現(xiàn)有技術(shù))顯示三種現(xiàn)有的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖3顯示本發(fā)明的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；及圖4顯示本發(fā)明的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)中所采用的導(dǎo)線架的上視圖。
圖3顯示本發(fā)明的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。如圖所示，本發(fā)明的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)是構(gòu)建于一特制的導(dǎo)線架100上，用以封裝三個半導(dǎo)體晶片，包括一第一中央焊墊式晶片210、一第二中央焊墊式晶片220、以及一周邊焊墊式晶片300。每一個晶片均具有一電路面及一非電路面；其中電路面是指晶片上形成半導(dǎo)體電路結(jié)構(gòu)及焊墊的正面，而非電路面則指晶片的反面。
第一中央焊墊式晶片210的電路面上形成有一中央焊墊結(jié)構(gòu)211，其至少包含一組以直線排列的焊墊(未個別顯示)；第二中央焊墊式晶片220的電路面上形成有一中央焊墊結(jié)構(gòu)221，其至少包含一組以直線排列的焊墊(未個別顯示)；而周邊焊墊式晶片300的電路面上則形成有一周邊焊墊結(jié)構(gòu)310，其包括二組以直線排列的焊墊(未個別顯示)，分別設(shè)置于二側(cè)的周邊上。
圖4顯示本發(fā)明的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)中所采用的導(dǎo)線架100的上視圖。如圖所示，此導(dǎo)線架100形成有一中央晶片座(central diepad)110、一第一導(dǎo)腳部121、及一第二導(dǎo)腳部122。第一導(dǎo)腳部121及第二導(dǎo)腳部122分別包含多數(shù)支導(dǎo)腳。此外，第一導(dǎo)腳部121與中央晶片座110二者之間形成一第一缺口131，而第二導(dǎo)腳部122與中央晶片座110二者之間則形成一第二缺口132。
請再參閱圖3，第一中央焊墊式晶片210的黏晶方式是使用聚亞酰胺(polyimide)膠帶141將其電路面左半部貼置于導(dǎo)線架100的第一導(dǎo)腳部121的反面；而其電路面右半部則貼置于導(dǎo)線架100的中央晶片座110的反面，并將其中央焊墊結(jié)構(gòu)211對齊至導(dǎo)線架100的第一缺口131(此處所謂的″電路面左半部″是指第一中央焊墊式晶片210的電路面上，以中央焊墊結(jié)構(gòu)211為界所劃分的二個區(qū)域中的左邊區(qū)域；而″電路面右半部″則是指此二個區(qū)域中的右邊區(qū)域)。
同樣地，第二中央焊墊式晶片220的黏晶方式是使用聚亞酰胺膠帶141將其電路面左半部貼置于導(dǎo)線架100的中央晶片座110的反面；而其電路面右半部則貼置于導(dǎo)線架100的第二導(dǎo)腳部122的反面，并將其中央焊墊結(jié)構(gòu)221對齊至導(dǎo)線架100的第二缺口132(此處所謂的″電路面左半部″是指第二中央焊墊式晶片220的電路面上，以中央焊墊結(jié)構(gòu)221為界所劃分的二個區(qū)域中的左邊區(qū)域；而″電路面右半部″則是指此二個區(qū)域中的右邊區(qū)域)。此黏晶方式即等同于一LOC(lead-on-chip)式的封裝結(jié)構(gòu)。
周邊焊墊式晶片300的黏晶方式是將其非電路面以銀膠(silverpaste)142貼置于導(dǎo)線架100的中央晶片座110的正面。
黏晶制程完成后，接著進行一導(dǎo)線制程(wire-bonding process)，用以施加多組導(dǎo)線，包括一第一導(dǎo)線組410，用以將第一中央焊墊式晶片210上的中央焊墊結(jié)構(gòu)211電性連接至導(dǎo)線架100的第一導(dǎo)腳部121的正面；一第二導(dǎo)線組420，用以將第二中央焊墊式晶片220上的中央焊墊結(jié)構(gòu)221電性連接至導(dǎo)線架100的第二導(dǎo)腳部122的正面；以及一第三導(dǎo)線組430，用以將周邊焊墊式晶片300上的周邊焊墊結(jié)構(gòu)310電性連接至導(dǎo)線架100的第一及第二導(dǎo)腳部121、122的正面。這些導(dǎo)線組410、420、430中的導(dǎo)線例如可為金線。本發(fā)明的一項特點為，第一導(dǎo)線組410及第二導(dǎo)線組420是分別穿過導(dǎo)線架100中的第一缺口131及第二缺口132而電性連接其二端的晶片，因此可以縮短其中的導(dǎo)線的長度。
如有需要，可再施加一第四導(dǎo)線組440及一第五導(dǎo)線組450；其中第四導(dǎo)線組440用以將第一中央焊墊式晶片210上的中央焊墊結(jié)構(gòu)211電性連接至周邊焊墊式晶片300上的周邊焊墊結(jié)構(gòu)310，而第五導(dǎo)線組450則用以將第二中央焊墊式晶片220上的中央焊墊結(jié)構(gòu)221電性連接至周邊焊墊式晶片300上的周邊焊墊結(jié)構(gòu)310。此第四導(dǎo)線組440及第五導(dǎo)線組450亦是分別穿過導(dǎo)線架100中的第一缺口131及第二缺口132而電性連接其二端的晶片，因此亦可以縮短其中的導(dǎo)線的長度。
最后進行一封裝膠體制程，以形成一封裝膠體500，用以包覆上述的三個晶片210、220、300。此封裝膠體制程為一現(xiàn)有制程，因此以下將不對其所包含的步驟作詳細的說明。此即完成本發(fā)明的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)的制造。
綜而言之，本發(fā)明提供了一種新穎的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)，其可用來封裝二個中央焊墊式晶片及一個周邊焊墊式晶片，其特點在于可使用較短的導(dǎo)線來電性連接這些晶片，因此可提升晶片的操作性能及降低封裝制造成本。本發(fā)明因此較現(xiàn)有技術(shù)具有更佳的實用性。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用以限定本發(fā)明的實質(zhì)技術(shù)內(nèi)容的范圍。本發(fā)明的實質(zhì)技術(shù)內(nèi)容是廣義地定義于下述的權(quán)利要求范圍中。任何他人所完成的技術(shù)實體，若是與下述的權(quán)利要求范圍所限定的完全相同、或是為一種等效的變更，均將被視為涵蓋于此權(quán)利要求之中。
權(quán)利要求
1.一種多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包含一導(dǎo)線架，其具有一中央晶片座、一第一導(dǎo)腳部、及一第二導(dǎo)腳部；且其第一導(dǎo)腳部與其中央晶片座二者之間形成一第一缺口，而其第二導(dǎo)腳部與其中央晶片座二者之間則形成一第二缺口；此中央晶片座、第一導(dǎo)腳部、及第二導(dǎo)腳部均各具有一正面和一反面；一第一中央焊墊式晶片，其具有一電路面和一非電路面，且其電路面上具有一中央焊墊結(jié)構(gòu)；此中央焊墊結(jié)構(gòu)將第一中央焊墊式晶片的電路面分隔成一第一區(qū)域和一第二區(qū)域，其中第一區(qū)域貼置于該導(dǎo)線架的第一導(dǎo)腳部的反面，而第二區(qū)域則貼置于該導(dǎo)線架的中央晶片座的反面；且使該第一中央焊墊式晶片上的中央焊墊結(jié)構(gòu)對齊至該導(dǎo)線架中的第一缺口；一第二中央焊墊式晶片，其具有一電路面及一非電路面，且其電路面上具有一中央焊墊結(jié)構(gòu)；此中央焊墊結(jié)構(gòu)將該第二中央焊墊式晶片的電路面分隔成一第一區(qū)域和一第二區(qū)域，其中第一區(qū)域貼置于該導(dǎo)線架的第二導(dǎo)腳部的反面，而第二區(qū)域則貼置于該導(dǎo)線架的中央晶片座的反面；且使該第二中央焊墊式晶片上的中央焊墊結(jié)構(gòu)對齊至該導(dǎo)線架中的第二缺口；一周邊焊墊式晶片，其具有一電路面及一非電路面，且其電路面上具有一周邊焊墊結(jié)構(gòu)；該周邊焊墊式晶片的非電路面是貼置于該導(dǎo)線架的中央晶片座的正面；一第一導(dǎo)線組，用以電性連接該第一中央焊墊式晶片上的中央焊墊結(jié)構(gòu)至該導(dǎo)線架的第一導(dǎo)腳部的正面；一第二導(dǎo)線組，用以電性連接該第二中央焊墊式晶片上的中央焊墊結(jié)構(gòu)至該導(dǎo)線架的第二導(dǎo)腳部的正面；一第三導(dǎo)線組，用以電性連接該周邊焊墊式晶片上的周邊焊墊結(jié)構(gòu)至該導(dǎo)線架的第一及第二導(dǎo)腳部的正面；以及一封裝膠體，用以包覆該第一中央焊墊式晶片、該第二中央焊墊式晶片、及該周邊焊墊式晶片。
2.如權(quán)利要求1所述的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一及第二中央焊墊式晶片貼置于導(dǎo)線架反面的方式是采用聚亞酰胺(polyimide)膠帶。
3.如權(quán)利要求1所述的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該周邊焊墊式晶片貼置于該導(dǎo)線架的晶片座的正面的方式是采用銀膠。
4.如權(quán)利要求1所述的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一、第二、及第三導(dǎo)線組中的導(dǎo)線均為金線。
5.一種多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包含一導(dǎo)線架，其具有一中央晶片座及一導(dǎo)腳部；且其導(dǎo)腳部與其中央晶片座二者之間形成一缺口；此中央晶片座及導(dǎo)腳部均各具有一正面和一反面；一中央焊墊式晶片，其具有一電路面和一非電路面，且其電路面上具有一中央焊墊結(jié)構(gòu)；此中央焊墊結(jié)構(gòu)將該中央焊墊式晶片的電路面分隔成一第一區(qū)域和一第二區(qū)域，其中第一區(qū)域貼置于該導(dǎo)線架的導(dǎo)腳部的反面，而第二區(qū)域則貼置于該導(dǎo)線架的中央晶片座的反面；且使該中央焊墊式晶片上的中央焊墊結(jié)構(gòu)對齊至該導(dǎo)線架中的缺口；一周邊焊墊式晶片，其具有一電路面及一非電路面，且其電路面上具有一周邊焊墊結(jié)構(gòu)；該周邊焊墊式晶片的非電路面是貼置于該導(dǎo)線架的中央晶片座的正面；一第一導(dǎo)線組，用以電性連接該中央焊墊式晶片上的中央焊墊結(jié)構(gòu)至該導(dǎo)線架的第一導(dǎo)腳部的正面；一第二導(dǎo)線組，用以電性連接該周邊焊墊式晶片上的周邊焊墊結(jié)構(gòu)至該導(dǎo)線架的導(dǎo)腳部的正面；以及一封裝膠體，用以包覆該中央焊墊式晶片及該周邊焊墊式晶片。
6.如權(quán)利要求5所述的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該中央焊墊式晶片貼置于導(dǎo)線架反面的方式是采用聚亞酰胺膠帶。
7.如權(quán)利要求5所述的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該周邊焊墊式晶片貼置于該導(dǎo)線架的晶片座的正面的方式是采用銀膠。
8.如權(quán)利要求5所述的多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一及第二導(dǎo)線組中的導(dǎo)線均為金線。
全文摘要
一種多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu),可用來封裝多個半導(dǎo)體晶片。此多晶片集成電路封裝結(jié)構(gòu)是構(gòu)建于一特制的導(dǎo)線架上,用以封裝至少二個中央焊墊式晶片及一個周邊焊墊式晶片。此導(dǎo)線架形成有一中央晶片座及二個導(dǎo)腳部;且此二個導(dǎo)腳部與中央晶片座之間分別形成缺口。由于晶片與導(dǎo)線架之間的電性連接導(dǎo)線可穿過導(dǎo)線架中的缺口,因此可借以縮短其中的導(dǎo)線的長度,借此而提高半導(dǎo)體晶片的操作性能及降低封裝制造成本。
文檔編號H01L23/48GK1354518SQ0013244
公開日2002年6月19日 申請日期2000年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2000年11月17日
發(fā)明者饒瑞孟, 柯俊吉, 劉渭琪 申請人:矽品精密工業(yè)股份有限公司