專利名稱：機械性增強的焊接區(qū)界面及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及集成電路而更詳細(xì)地涉及在集成電路內(nèi)應(yīng)用的在機械上加固的焊接區(qū)界面。
本申請涉及1999年10月4日歸檔并授于名稱“半導(dǎo)體器件和制作方法”(“Semiconductor Device and Method of Formation”)的美國專利申請No.09/411,266，美國專利申請No.09/411,266被委托給申請代理人而在本申請說明書中由參考文獻(xiàn)引用。
在半導(dǎo)體襯底上采用形成電路元件的許多不同的工藝操作制成集成電路。為了使進(jìn)出線路與半導(dǎo)體襯底相聯(lián)系，在集成電路上形成焊接區(qū)。焊接區(qū)提供經(jīng)由探針、焊線、導(dǎo)電凸出部等從芯片和到芯片輸送電信號和電源的手段。
一般由例如鋁、銅或其一些合金制成焊接區(qū)。因為與鋁比較起來銅改善電磁性和提高承受較高電流密度的能力，所以銅常常用于集成電路里的金屬層。然而，銅是非自鈍化的金屬，當(dāng)芯片暴露于大氣或者沒有密閉封裝而使潮氣與銅焊接區(qū)相互作用時能夠發(fā)生銅焊接區(qū)的氧化或腐蝕。對于焊接區(qū)來說，這種腐蝕會降低焊接導(dǎo)線或凸出部的能力而且也會使焊接損壞而引起工作時間范圍內(nèi)的故障。相反，鋁是自鈍化的，而所以是更耐由暴露大氣引起的剝蝕的。因此，一般用鋁制作焊接區(qū)。
為了獲得鋁的自鈍化性質(zhì)的優(yōu)點和銅的優(yōu)良電特性，在集成電路設(shè)計中可以采用復(fù)合的焊接區(qū)結(jié)構(gòu)。在復(fù)合焊接區(qū)(焊盤)結(jié)構(gòu)中，銅用于與集成電路中其他薄層面接的在上面的焊接區(qū)薄層。在銅部分的頂部制作耐腐蝕的鋁封頂層，以形成保護(hù)銅部分免于暴露大氣的氣密封。在考慮到電連通性時為了在物理上使復(fù)合焊接區(qū)中的銅部分和鋁部分隔離，可以在界面上形成比較薄的阻擋金屬層。
當(dāng)進(jìn)行測試操作和用探針探測操作時在復(fù)合焊接區(qū)結(jié)構(gòu)中會出現(xiàn)一些問題。為了獲得與焊接區(qū)的良好的連續(xù)性，像探針之類的元件必須施加會損壞或移動焊接區(qū)表面部分的力。因此，用像這樣一些元件的物理接觸會損壞組成復(fù)合焊接區(qū)結(jié)構(gòu)的各種金屬之間的界面。如果在下面的銅層和鋁封頂層之間阻擋層被破壞，那么產(chǎn)生的損傷會引起金屬間化合物的生成。鋁銅金屬間化合物含有包括降低機械強度和增加電阻不希望有的特性。此外如果探針使下面的銅暴露于外部環(huán)境條件，則就可能損壞銅。
在焊接區(qū)結(jié)構(gòu)涉及通過探針元件對焊接區(qū)施加傳送到集成電路內(nèi)基于物理連接的下面薄層的機械力的情況下會出現(xiàn)另一問題。在下面的低楊氏模量絕緣材料不能承受像這樣由力傳送引起的應(yīng)力。由于拉得很長的互連的杠桿作用引起的施加力增大可以導(dǎo)致在例如通路到金屬界面等等的集成電路內(nèi)半導(dǎo)體器件的機械故障和可能發(fā)生的電故障。像這樣由增大的施加力引起的破壞一般發(fā)生在界面上。當(dāng)更柔軟的絕緣材料(具有較低的楊氏模量或倔服強度)包圍被加壓力的元件時也可能增大由施加的力引起的破壞。
所以，對復(fù)合焊接區(qū)結(jié)構(gòu)有機械上加固的需要，以致用探針探測操作或封裝操作期間施加的力沒有引起焊接區(qū)的損壞或沒有傳送到可能發(fā)生其他不希望有的影響的集成電路內(nèi)部部分。
附圖的簡略描述用例子而不局限附圖的方法說明本發(fā)明，在附圖中，相同的標(biāo)記表示同樣的元件，并且在附圖中

圖1、舉例說明包括根據(jù)本發(fā)明特定實施例形成部分的復(fù)合焊接區(qū)的一部分半導(dǎo)體芯片的橫截面圖；圖2、舉例說明包括根據(jù)本發(fā)明特定實施例的復(fù)合焊接區(qū)的半導(dǎo)體芯片的橫截面圖；圖3、舉例說明根據(jù)本發(fā)明的另一實施例所完成的復(fù)合焊接區(qū)的橫截面圖；圖4、圖解說明圖3所舉例說明的焊接區(qū)的自表面向下的視圖；圖5、舉例說明相當(dāng)于與一些根據(jù)本發(fā)明的復(fù)合焊接區(qū)對應(yīng)的一些潛在支撐結(jié)構(gòu)圖形的一些自表面向下的視圖；和圖6、舉例說明根據(jù)本發(fā)明特定實施例制作復(fù)合焊接區(qū)的方法流程圖。
精通技術(shù)的人知道，為了簡單和清楚地用圖解說明圖中的一些元件而不一定按比例繪圖。例如，為了有助于提高對本發(fā)明實施例的理解，圖中某些元件的尺寸可能相對于其他元件被放大了。
概括來說，本發(fā)明提供耐在用探針探測操作、封裝操作或利用焊接區(qū)的其他類似的后制作操作期間可能施加的外力的復(fù)合焊接區(qū)。復(fù)合焊接區(qū)包括在半導(dǎo)體襯底上形成的非自純化導(dǎo)電焊接區(qū)。然后在導(dǎo)電焊接區(qū)上形成絕緣層。去除部分絕緣層以使絕緣層成為有穿孔的而露出部分導(dǎo)電焊接區(qū)。剩余的絕緣層形成覆蓋焊接區(qū)的支撐結(jié)構(gòu)。然后形成疊加在焊接區(qū)結(jié)構(gòu)上的自鈍化導(dǎo)電封頂層，此外絕緣層中的穿孔可以供封頂層和在下面的焊接區(qū)的暴露部分之間電接觸之用。支撐結(jié)構(gòu)構(gòu)成保護(hù)封頂層和焊接區(qū)之間界面的機械阻擋層。當(dāng)支撐結(jié)構(gòu)仍然與絕緣層的未去除部分連接時，因為被支撐結(jié)構(gòu)緩沖的力是分布在絕緣層二旁邊而不是集中在焊接區(qū)位置上，所以獲得額外的機械強度。
在用探針探測的操作中，支撐結(jié)構(gòu)防止像針之類的探針元件穿透封頂層而擾亂封頂層和導(dǎo)電焊接區(qū)(bond pad)之間的界面。如果探針終于還是使大量的封頂層移動，則因為導(dǎo)電材料保留在絕緣層的穿孔里所以焊接線之間或者其他封裝結(jié)構(gòu)之間的電接觸還是可以保持的。除了這些優(yōu)點外，通過使穿孔的絕緣層構(gòu)形以使施加于封頂層的力分布在絕緣層二旁邊的較大表面面積，大大地減小由于施力點引起的集成電路內(nèi)部損壞的潛在可能。
在一種替代的實施例中，通過采用包在復(fù)合焊接區(qū)中的導(dǎo)電焊接區(qū)部分(鑲嵌的金屬部分)內(nèi)的絕緣柱獲得額外的機械支撐。像這樣的柱栓在拋光操作期間通常用于緩解表面凹陷(不平整金屬去除)的技術(shù)。當(dāng)把柱栓設(shè)置在穿孔的絕緣層支撐結(jié)構(gòu)下方時進(jìn)一步改進(jìn)額外的機械支撐。在某些情況下，柱栓也可以增強封頂層與在下面的焊接區(qū)結(jié)構(gòu)的粘結(jié)作用。
參閱圖1-6能夠更好地理解本發(fā)明。圖1包括一部分半導(dǎo)體器件的橫截面圖的圖解說明。半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體襯底100、場隔離區(qū)102和在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成的摻雜區(qū)104。柵絕緣層106覆蓋在部分半導(dǎo)體器件襯底100上面，而柵電極110覆蓋在柵絕緣層106上面。鄰近柵電極層104的側(cè)壁形成墊圈108。使第一層間絕緣層(IDL)116構(gòu)成圖形而形成被填滿粘結(jié)層112(可選的)和接觸填料114的接觸孔。粘結(jié)層112一般是難熔金屬、難熔金屬氮化物或者難熔金屬或其氮化物的混合物。接觸填料114一般包括鎢、多晶硅或諸如此類。在沉積粘結(jié)層112和接觸填料114以后，拋光襯底，以去除沒有夾在接觸孔當(dāng)中的粘結(jié)層112和接觸填料114的部分而形成導(dǎo)電針形接點111。
然后形成疊置在層間絕緣(ILD)層116和導(dǎo)電針形接點111上面的第一層面互連120。采用開槽和拋光工藝方法的配合或者換個辦法采用構(gòu)成圖形和蝕刻工藝方法的配合能夠形成第一層面互連120。如果采用銅形成第一層面互連120，則可以鄰接第一層面互連120形成阻擋層(未表示出)以減少銅進(jìn)入到周圍材料的遷移。
根據(jù)同一實施例，使第一層面互連120形成為單鑲嵌結(jié)構(gòu)。因此，通過先沉積一部分第二ILD118，然后蝕刻第二ILD118而形成構(gòu)槽，在構(gòu)槽中沉積第一層面互連120的材料。只要發(fā)現(xiàn)第一層面互連120沉積，便用拋光工藝方法去除剩留在被形成的構(gòu)槽外面的多余材料。
假定第一層面互連120已形成為單鑲嵌結(jié)構(gòu)，則繼拋光步驟之后形成第二ILD118的剩余部分。然后在第二ILD118內(nèi)形成能包括導(dǎo)電粘結(jié)/阻擋薄膜122和銅材料124的互連126。粘結(jié)/阻擋薄膜122一般是難熔金屬、難熔金屬氮化物或者難熔金屬或其氮化物的混合物。銅填料124一般是銅或者銅含量至少為90原子百分比的銅合金。銅能夠與鎂、硫、碳或諸如此類合金化以改進(jìn)互連的粘結(jié)、電遷移或其他性能。雖然在本實施例中圖解說明互連126為雙鑲嵌互連，但是精通技術(shù)的人知道用另一種方法能夠使互連126形成為與單鑲嵌互連或者平版印刷構(gòu)成圖形和蝕刻的互連配合的導(dǎo)電針形接點。在沉積粘結(jié)/阻擋薄膜122和銅填料124以后，拋光襯底以去除沒有夾在雙鑲嵌孔之中的粘結(jié)/阻擋薄膜122和銅填料124而形成圖1中所示的雙鑲嵌互連。
然后在第二ILD118和雙鑲嵌互連126上形成第三ILD130。第三ILD130和任何其他在下面的絕緣層可以包含像四乙基原硅酸鹽(TEOS)、氮化硅、氮氧化硅、磷硅酸鹽玻璃(PSG)、硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)之類材料、像干凝膠、氣凝膠、聚酰亞胺、聚對苯二亞甲基、雙環(huán)丁烷(biscyclobutenes)、碳氟化合物、聚芳基乙醚基料、旋涂玻璃、聚硅氧烷、硅倍半噁烷(silsesquioxanes)、含碳氧化硅、含碳和氫的氧化硅或其混合物之類的低介電常數(shù)材料。第三LID130和任何其他在下面的絕緣層可以包含具有楊氏模量小于大約50吉帕的材料。在其他的實施例中，可以由其他具有較低屈服強度而所以是更柔韌的材料組成第三ILD130。雖然圖1中用舉例所說明的半導(dǎo)體器件部分包含三層面互連層，但是許多互連間能間置在器件層和用來設(shè)置通向半導(dǎo)體器件的入口的焊接區(qū)的最頂層之中。在圖1用舉例所說明的實施例中，在最上面的(第三)ILD130內(nèi)制作焊接區(qū)。
然后在第三ILD130內(nèi)以類似于第二ILD118內(nèi)用來形成互連126的方法形成包括導(dǎo)電焊接區(qū)134的最上面的互連層133。一般來說，最上面的互連層133主要包含銅，但是在其他一些實施例中，可以采用像鋁之類的自鈍化材料。像互連126的銅填料的情況一樣，可以用導(dǎo)電的粘結(jié)/阻擋薄膜132使用來形成最上面的互連層133的填料和第三ILD130隔離。根據(jù)同一實施例，使導(dǎo)電焊接區(qū)134位置控制在離用來接觸互連126的通路(層間互連)某個距離。在圖1中圖解所說明的距離x表示這個距離。
然后在最上面的互連層133和導(dǎo)電焊接區(qū)134上形成絕緣(鈍化)層136。一般說來，由含氮化合物組成絕緣層。換言之，絕緣層能夠包含氧化硅、氮氧化硅、含氫和碳的氧化硅或諸如此類。去除一些絕緣層部分以在絕緣層內(nèi)形成包括許多支撐結(jié)構(gòu)138的穿孔區(qū)域。使穿孔區(qū)域構(gòu)成疊置在形成復(fù)合焊接區(qū)的面積內(nèi)的導(dǎo)電焊接區(qū)134上以致露出一部分導(dǎo)電焊接區(qū)134。在一些實施例中，大多數(shù)支撐結(jié)構(gòu)138保持與沒有被去除的絕緣層134部分連接。
在圖2中繼續(xù)形成復(fù)合焊接區(qū)結(jié)構(gòu)。圖2舉例說明圖1中用舉例說明的半導(dǎo)體器件部分在后續(xù)工藝處理步驟以后的橫截面圖。根據(jù)同一實施例，在絕緣層136的穿孔部分內(nèi)形成可以包括鉭、鈦、鎢、鉻或這些材料的氮化物的阻擋層202。然后在大多數(shù)支撐結(jié)構(gòu)138上形成導(dǎo)電封頂層204。一般來說，導(dǎo)電封頂層204包含像鋁之類的自鈍化材料。導(dǎo)電封頂層204也可以包含鎳或鈀。接著可以把導(dǎo)電封頂層204連接到導(dǎo)線接頭或者在半導(dǎo)體器件封裝期間使導(dǎo)電封頂層204與導(dǎo)電凸出部電連接。
絕緣層136中的穿孔使組成封頂層204的自鈍化材料和導(dǎo)電焊接區(qū)134之間電接觸成為可能。然而，支撐結(jié)構(gòu)138構(gòu)成封頂層204和導(dǎo)電焊接區(qū)134之間形成的界面的機械保護(hù)罩。注意到如果使支撐結(jié)構(gòu)138與絕緣層136的未去除部分互連，則獲得半導(dǎo)體器件對外力的附加保護(hù)罩。這是因為施加在復(fù)合焊接區(qū)中的封頂層204上的外力將分布在絕緣層136的兩旁邊。該外力可以是由用探針探測、導(dǎo)線焊接、碰撞、封裝等等引起的。
為了為在半導(dǎo)體器件和用于與半導(dǎo)體器件連接的封裝材料之間的應(yīng)力消除創(chuàng)造條件，在完成復(fù)合焊接區(qū)結(jié)構(gòu)以后在半導(dǎo)體器件上可以形成聚酰亞胺層206。包裹聚酰亞胺層206是視使用的特定制造工藝過程而定的可選擇的步驟。
圖3圖解說明在復(fù)合焊接區(qū)結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電焊接區(qū)部分134內(nèi)包括許多絕緣柱302的發(fā)明替代實施例。如圖解所說明的那樣，一般把絕緣柱302設(shè)置在絕緣層136中的穿孔部分內(nèi)支撐結(jié)構(gòu)138正下方。把絕緣柱302設(shè)置在支撐結(jié)構(gòu)138正下方增強支撐結(jié)構(gòu)138構(gòu)成的機械支撐以便提高復(fù)合焊接區(qū)結(jié)構(gòu)的堅固性。堅固性的提高是由于力從支撐結(jié)構(gòu)138通過絕緣柱302傳遞到第三ILD130所造成的。在支撐結(jié)構(gòu)138正下方配置絕緣柱302也有助于不減少為封頂層204和導(dǎo)電焊接區(qū)134間界面提供的接觸面積。
圖4圖解說明圖3中的復(fù)合焊接區(qū)結(jié)構(gòu)的自頂向下視圖(為了圖解說明假定封頂層是透明的)。如圖解所說明的那樣，絕緣柱302被包在復(fù)合焊接區(qū)結(jié)構(gòu)內(nèi)呈陣列格式。包含在絕緣層136的穿孔部分內(nèi)的支撐結(jié)構(gòu)138呈現(xiàn)為橫穿焊接區(qū)結(jié)構(gòu)長度的絕緣材料條。雖然一般把圖4中的焊接區(qū)結(jié)構(gòu)表示成正方形，但是可以做成各種各樣形狀的焊接區(qū)結(jié)構(gòu)，這對于精通技術(shù)的人來說是顯而易見的。
圖5圖解說明可以應(yīng)用于對這些復(fù)合焊接區(qū)結(jié)構(gòu)中的兩個部分之間的界面提供一定程度的機械隔離同時使封頂層與復(fù)合焊接區(qū)結(jié)構(gòu)中的焊接區(qū)部分電連接的許多替代的穿孔圖形。每個不同的圖形可能對不同的實施例蘊含最理想的優(yōu)點。穿孔排列圖形510構(gòu)成封頂層和焊接區(qū)部分間通路連接陣列。因為在穿孔排列圖形510中大部分鈍化(絕緣)層被原封不動保留，所以在使用這樣的圖形時的力容許極限會相對地大于圖解說明中的其他圖形。
浮置網(wǎng)格圖形520設(shè)置一種有效地浮動而沒有與剩留的絕緣層部分物理連接的游離支撐結(jié)構(gòu)部分。浮置網(wǎng)格圖形520相對于可能施加于封頂層的垂直應(yīng)力提供附加的強度。然而，從保持與剩留的絕緣層部分連接狀態(tài)的那些圖形中減少了分布施加力的面積。
變密度網(wǎng)格結(jié)構(gòu)530可以提供在使探針或其他的測試裝置調(diào)整到焊接區(qū)結(jié)構(gòu)中的特定部分方面的優(yōu)點。實現(xiàn)上述的優(yōu)點歸因于絕緣材料的有無會造成金屬層參差不齊的構(gòu)形。支撐結(jié)構(gòu)之間的大間隙可以允許金屬以能夠在較大間隙內(nèi)保留較少金屬材料而所以保持金屬填滿間隙而不增高到絕緣支撐結(jié)構(gòu)的較淺構(gòu)形的不平坦方式沉積。一般說來，設(shè)計成在復(fù)合焊接區(qū)結(jié)構(gòu)的中心部分或其他所希望的部位上形成凹坑的圖案，因此探針會移向這樣的凹陷處。
浮置自由端網(wǎng)格圖案540在保持與總體絕緣層物理連接時可以提供由浮置網(wǎng)格圖案520相對于垂直應(yīng)力構(gòu)成的一些優(yōu)點。因此，雖然垂直應(yīng)力強度與浮置網(wǎng)格圖形520的垂直應(yīng)力強度不一樣大，但是使施加力的分布保持在較寬的面積上。
變密度人字形網(wǎng)格550可以提供一種用于使探針或類似的測試裝置轉(zhuǎn)向焊接區(qū)結(jié)構(gòu)上特定位置的替代圖形。在變密度人字形網(wǎng)格550的情況中，通過形成溝槽即定向的金屬材料道獲得變密度人字形網(wǎng)格550以使探針將接觸結(jié)構(gòu)而通過溝槽對準(zhǔn)焊接區(qū)中的特定區(qū)域。
圖6舉例說明用于形成包括復(fù)合焊接區(qū)結(jié)構(gòu)在內(nèi)的半導(dǎo)體器件的方法流程圖。該方法從在半導(dǎo)體襯底上形成導(dǎo)電焊接區(qū)的步驟602開始。一般來說，導(dǎo)電焊接區(qū)在組分上主要是銅。導(dǎo)電焊接區(qū)的制作包括在導(dǎo)電焊接區(qū)內(nèi)形成絕緣柱。正如對圖3所描述的那樣，絕緣柱可以對焊合焊接區(qū)結(jié)構(gòu)提供附加的機械支撐。
在步驟604時，在導(dǎo)電焊接區(qū)上形成絕緣層(鈍化層)。在步驟606時，去除部分絕緣層而形成許多疊置在焊接區(qū)上面的支撐結(jié)構(gòu)。一般說來，通過蝕刻絕緣層來完成去除該部分的步驟。去除部分絕緣層并且使允許電連接的一部分焊接區(qū)露出。
在步驟608時形成在許多支撐結(jié)構(gòu)上面的導(dǎo)電封頂層。導(dǎo)電封頂層電接觸一部分焊接區(qū)，電接觸發(fā)生在已被去除第一絕緣層而露出焊接區(qū)的部位。導(dǎo)電封頂層可以包括鋁，或者也可以由像鎳或鉑之類的材料構(gòu)成導(dǎo)電封頂層。
正如對圖2中的橫截面所描述的那樣，用阻擋層可以使封頂層和導(dǎo)電焊接區(qū)隔離。一般是，由像鉭、鈦、鎢、鉻或者這些材料的氮化物組成阻擋層。在步驟610時蝕刻封頂層而形成復(fù)合焊接區(qū)結(jié)構(gòu)。
通過把穿孔的絕緣層夾入封頂層和復(fù)合焊接區(qū)結(jié)構(gòu)中的焊接區(qū)之間，在導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間設(shè)置一些物理隔離層面時保持焊結(jié)區(qū)結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電層之間的電連通性。因此，避免由在先技術(shù)的焊接區(qū)結(jié)構(gòu)中可能由于探針對封頂層和焊接區(qū)間界面的損壞所造成的問題。此外，用自鈍化材料形成封頂層保證使由于侵蝕或其他外界引起的影響所造成的破壞減到最低程度。穿孔的絕緣層中的支撐結(jié)構(gòu)還有助緩沖外力而因此避免半導(dǎo)體器件損壞。
在以上的詳細(xì)說明中，參照具體的實施例描述了發(fā)明。然而，精通技術(shù)的人知道在沒有脫離如在下面的權(quán)利要求書中所陳述的本發(fā)明范圍情況下能夠作各種各樣的變換和變化。因此，說明書和附圖是被看成一種圖解說明而不是一種限制性的斷定，而意在使所有像這樣的變換包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
以上按照具體的實施例描述了益處、其他優(yōu)點和問題的解決。然而，一些益處、優(yōu)點、問題的解決和可以使任一益處、優(yōu)點或解決辦法被發(fā)現(xiàn)或變得更明確的基本原理不被認(rèn)作是任一或者所有的權(quán)利要求中的關(guān)鍵性要求或者基本的細(xì)節(jié)或要素。正如在本說明書中采用的措詞包括或其任何別的變形那樣，意在覆蓋非排他的包含，以使包括說明的元件的工藝過程、方法、制品或設(shè)備不僅包括這些元件而且可以包括沒有特意說明的或者是這樣的工藝過程、方法、制品或設(shè)備所固有的其他元件。
權(quán)利要求
1．一種制作半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于在半導(dǎo)體襯底(100)上形成導(dǎo)電焊接區(qū)(134)；在導(dǎo)電焊接區(qū)(134)上形成絕緣層(136)；去除部分絕緣層(136)，其中絕緣層(136)的去除部分形成疊置在導(dǎo)電焊接區(qū)(134)上的多個支撐結(jié)構(gòu)(138)，并且其中絕緣層(136)的去除部分使一部分導(dǎo)電焊接區(qū)(134)露出；和形成疊置在多個支撐結(jié)構(gòu)(138)上的導(dǎo)電封頂層(204)，其中導(dǎo)電封頂層(204)電接觸一部分導(dǎo)電焊接區(qū)(134)。
2．權(quán)利要求1的方法，其中導(dǎo)電焊接區(qū)(134)主要包括銅，并且其中導(dǎo)電封頂層(204)包括鋁。
3．權(quán)利要求1的方法，進(jìn)一步特征在于在導(dǎo)電焊接區(qū)(134)內(nèi)形成絕緣柱(302)，其中至少一部分支撐結(jié)構(gòu)(138)疊置在一部分絕緣柱(302)上。
4．權(quán)利要求1的方法，其中許多支撐結(jié)構(gòu)(138)與絕緣層(136)的來去除部分互連。
5．權(quán)利要求4的方法，其中形成的導(dǎo)電焊接區(qū)(134)進(jìn)一步包括在至少一層具有楊氏模量小于約50吉帕斯卡的絕緣層(130、118、116)上形成的導(dǎo)電焊接區(qū)(134)。
6．權(quán)利要求1的方法，其中導(dǎo)電封頂層(204)包括從由鎳和鈀組成的組中選出的材料。
7．一種半導(dǎo)體器件，其特征在于在半導(dǎo)體襯底(100)上的導(dǎo)電焊接區(qū)(134)；在導(dǎo)電焊接區(qū)(134)上的絕緣層(136)；疊置在導(dǎo)電焊接區(qū)(134)上的多個支撐結(jié)構(gòu)(138)；和疊置在多個支撐結(jié)構(gòu)(138)上的導(dǎo)電封頂層(204)，其中導(dǎo)電封頂層(204)電接觸一部分導(dǎo)電焊接區(qū)(134)。
8．權(quán)利要求7的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步特點在于在導(dǎo)電焊接區(qū)中的絕緣柱(302)，其中多個支撐結(jié)構(gòu)(138)中至少之一的至少一部分疊置在一部分絕緣柱(302)上。
9．權(quán)利要求7的半導(dǎo)體器件，其中多個支撐結(jié)構(gòu)(138)中的至少一部分與絕緣層(136)的來去除部分互連。
10．權(quán)利要求7的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步特征在于在導(dǎo)電焊接區(qū)(134)下面至少一層絕緣層(130、118、116)具有小于約50吉帕斯卡的楊氏模量。
全文摘要
提供耐在用探針探測或封裝操作期間會施加的外力的復(fù)合焊盤。復(fù)合焊盤包括在半導(dǎo)體襯底(100)上形成的非自鈍化導(dǎo)電焊盤(134)。然后在導(dǎo)電焊盤上形成絕緣層(136)。去除部分絕緣層使該層有穿孔而露出一部分導(dǎo)電焊盤。留下的部分形成疊置在焊盤上的支撐結(jié)構(gòu)(138)。然后在焊盤結(jié)構(gòu)上面形成自鈍化導(dǎo)電封頂層(204),在這場合下絕緣層中的穿孔可以供封頂層和在下面的焊盤露出部分之間電接觸用。支撐結(jié)構(gòu)(138)構(gòu)成保護(hù)封頂層和焊盤之間界面的機械阻擋層。
文檔編號H01L21/3205GK1305224SQ0013096
公開日2001年7月25日 申請日期2000年11月21日 優(yōu)先權(quán)日1999年11月22日
發(fā)明者斯科特·K·鮑茲德爾, 托馬斯·S·科巴亞西 申請人:摩托羅拉公司