專利名稱：電光裝置和電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到電光裝置的技術(shù)，尤其是一種在基片上制成的半導(dǎo)體元件(使用半導(dǎo)體薄膜的一種元件)形成的EL(電致發(fā)光)顯示裝置，以及涉及到具有以電光裝置作為顯示器(也指顯示部分)的電子設(shè)備(電子裝置)。
在基片上形成薄膜晶體管(TFT)的技術(shù)進(jìn)年來已取得廣泛的發(fā)展，且正進(jìn)一步開發(fā)應(yīng)用到有源矩陣型顯示裝置中。尤其地，使用多晶硅膜的TFT具有比傳統(tǒng)的多態(tài)硅膜的TFT更好的電場效應(yīng)遷移性(也指遷移性)，因此使其高速工作成為可能。因此，通過同樣在基片上形成的驅(qū)動(dòng)電路，完成傳統(tǒng)上是通過在基片外部的驅(qū)動(dòng)電路完成的像素控制成為可能。
這種型式的有源矩陣顯示裝置，由于在這種動(dòng)態(tài)的矩陣顯示裝置中同一基片上不同電路及元件的協(xié)調(diào)工作而取得的優(yōu)點(diǎn)，例如減少制造成本，減少尺寸，增加生產(chǎn)，及更高的產(chǎn)量，現(xiàn)已用在聚光燈中。
開關(guān)元件由在有源矩陣顯示中的每一個(gè)像素的TFT形成，電流的控制是由使用開關(guān)元件中的驅(qū)動(dòng)元件所完成的，且EL層被形成以發(fā)射光線。這種典型的像素結(jié)構(gòu)將被揭示在，例如，美國專利第5,684,365號(日本專利申請公開號平8-234683)的

圖1中。
如美國專利的圖1中所示的，開關(guān)(T1)元件的漏極連接到電流控制元件(T2)的柵極上，且也并行連接到一電容(Cs)上。電流控制元件T2的柵極電壓由CS電容中儲存的電荷維持。
相反，當(dāng)開關(guān)元件(T1)未被選中時(shí)，如果電容Cs沒有連接到其上(此點(diǎn)上的電流被稱為關(guān)斷電流)，電荷將從開關(guān)元件(T1)泄漏出去，而且施加到電流控制元件(T2)的柵極上的電壓將不能維持住。這是晶體管制成的開關(guān)元件(T1)所不能避免的問題。然而，在像素中形成電容Cs的話，在減少像素的有效的發(fā)光表面區(qū)域(有效圖象顯示區(qū)域)中這將成為一重要因素。
而且，為了照亮EL層，在電流控制元件(T2)中必須有大電流流動(dòng)。換句話說，在開關(guān)元件和電流控制元件中的TFT的性能是完全不同的。在這種情況下，保證所有的僅具有一種TFT結(jié)構(gòu)的電路和元件所需要的性能是很困難的。
考慮到以上傳統(tǒng)技術(shù)的問題，本發(fā)明的目的是提供具有優(yōu)越工作性能和高可靠性的電光裝置，尤其是提供一EL顯示裝置。本發(fā)明的另一目的是，通過增加電光裝置的圖像質(zhì)量，增加具有以電光裝置作為顯示裝置的電子設(shè)備(電子裝置)的質(zhì)量。
為了達(dá)到以上的目的，根據(jù)EL顯示裝置的每一個(gè)像素含有的各個(gè)元件所需要的性能，本發(fā)明使各個(gè)TFT具有最佳的結(jié)構(gòu)。換句話說，各個(gè)TFT在同一像素中有不同的結(jié)構(gòu)。
具體說，最重要的是要有足夠低的關(guān)斷電流(例如開關(guān)元件)的元件，因此最重要的是TFT的結(jié)構(gòu)應(yīng)能減少關(guān)斷電流值而不是高速工作。最重要的是元件的電流流動(dòng)(如電流控制元件)，因此最重要的是TFT結(jié)構(gòu)應(yīng)有更大的電流，并且能更好地控制由于熱載波信號注入引起的惡化，與減少關(guān)斷電流值相比惡化問題更突出。
通過正確使用如上所說的在同一基片上的各個(gè)TFT，使提升發(fā)明的EL顯示裝置的工作性能和增加它的可靠性成為可能。應(yīng)注意，本發(fā)明的觀念不限于像素部分，本發(fā)明的特性表現(xiàn)在能夠優(yōu)化TFT的結(jié)構(gòu)，這種TFT存在于像素部分和驅(qū)動(dòng)像素部分的驅(qū)動(dòng)電路部分中。
圖1是EL顯示裝置的像素部分的剖面結(jié)構(gòu)圖；圖2A和2B是EL顯示裝置的像素部分的相應(yīng)頂視圖及組合視圖；圖3A到3E是一種有源矩陣型EL顯示裝置的制造過程圖；圖4A到4D是一種有源矩陣型EL顯示裝置的制造過程圖；圖5A到5C是一種有源矩陣型EL顯示裝置的制造過程圖；圖6是一種EL模塊的外部視圖；圖7是一種EL顯示裝置的電路結(jié)構(gòu)框圖；圖8是一種EL顯示裝置的像素部分的放大圖；圖9是一種EL顯示裝置的采樣電路元件結(jié)構(gòu)圖；圖10是一種EL顯示裝置的像素部分的組合圖；圖11是一種EL顯示裝置的剖面視圖；圖12A和12B是一種EL顯示裝置的像素部分的相應(yīng)的頂視圖和合成視圖；圖13是一種EL顯示裝置的像素部分的剖面視圖；圖14是一種EL顯示裝置的像素部分的剖面視圖；圖15A和15B是一種EL顯示裝置的像素部分的相應(yīng)頂視及合成視圖；圖16A到16F是展示電子設(shè)備特例圖示；圖17A和17B是一種EL模塊的外部視圖；圖18A到18C是一種接觸結(jié)構(gòu)的制造過程圖；圖19是一種EL層的壓制結(jié)構(gòu)圖；圖20A和20B是展示電子設(shè)備特例圖示；圖21A和21B是一種EL顯示裝置像素部分的電路合成圖；圖22A和22B是一種EL顯示裝置像素部分的電路合成圖；以及圖23是一種EL顯示裝置的像素部分的剖面視圖；實(shí)施例方式圖1到2B用于闡述本發(fā)明的最佳實(shí)施例。在圖1中展示了一采用本發(fā)明的EL顯示裝置的像素部分的剖面圖。圖2A是其頂視圖，且圖2B是電路合成圖。在實(shí)際中，像素部分(圖像顯示部分)由眾多的以矩陣方式排列的同樣的像素形成。
注意，圖1的剖面視圖是圖2A頂視圖中以A-A’向剖切的視圖。在圖1和圖2A，圖2B中采用有同樣的符號，因此這三幅圖能被適當(dāng)?shù)膮⒖?。而且，在圖2A的頂視圖展示的兩個(gè)像素具有同樣的結(jié)構(gòu)。
在圖1中，標(biāo)號11是指基片，且標(biāo)號12是指基膜。基片11可采用玻璃基片，玻璃陶瓷基片，石英基片，硅基片，陶瓷基片，金屬基片或塑料基片(包含有塑料膜)。
而且，在使用包含有移動(dòng)離子的基片或有導(dǎo)電性的基片的例子中，基膜12特別有效，但其不能用于石英基片上。包含有硅的絕緣膜能被用作形成基膜12。注意，“包含有硅的絕緣膜”的術(shù)語表明，尤其，絕緣膜由硅，氧，和氮以預(yù)定的比例形成，諸如氧化硅膜，氮化硅膜或氮氧化硅膜(指SiOxNy)。
這里，有2個(gè)TFT形成在該像素中。標(biāo)號201指一種具有TFT功能的開關(guān)元件(此后即指開關(guān)TFT)，以及標(biāo)號202指起控制EL元件中的電流大小功能的TFT(此后即指電流控制TFT)，而且兩者都由n溝道TFT形成。
n溝道TFT比p溝道TFT有更大的場效應(yīng)遷移性，而因此工作速度很快且電子流能更方便的通過。而且，即使有同樣的電流大小，n溝道的TFT能做得更小些。因此，當(dāng)采用n溝道的TFT作為電流控制TFT時(shí)，顯示部分的有效表面區(qū)域能變得更大些，且這是最佳的。
p溝道的TFT具有抗熱載波信號的注入，關(guān)端電流低的優(yōu)點(diǎn)，而且已有使用p溝道TFT作為開關(guān)TFT和電流控制TFT的例子報(bào)道。然而，通過在LDD區(qū)域使用不一樣的結(jié)構(gòu)，在n溝道TFT中的熱載波信號的注入和關(guān)斷電流的問題，能通過采用本發(fā)明解決。本發(fā)明的特征在于在所有像素的各個(gè)TFT中采用n溝道TFT。
注意，在本發(fā)明中，對開關(guān)TFT和電流控制TFT限制使用n溝道TFT不是必要的，以及在開關(guān)TFT，電流控制TFT或兩者上都使用p溝道TFT是可能的。
開關(guān)TFT201被形成后，其具有一種包含有源極區(qū)域13，漏極14，LDD區(qū)域15a到15d，一高濃雜質(zhì)區(qū)域16，溝道形成區(qū)域17a到17b的動(dòng)態(tài)層；柵極絕緣膜18；柵極19a和19b；第一層間絕緣膜20，源極線21和漏極線22。
如圖2A中所示，本發(fā)明的特征在于柵極19a和19b成為通過不同材料(一種不同于柵極19a和19b的低阻抗的材料)形成的柵極線211電氣連接的雙柵極結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，不僅雙柵極結(jié)構(gòu)，而且所說的多柵極結(jié)構(gòu)(包含有2個(gè)或更多的順序連接的溝道形成區(qū)域的動(dòng)態(tài)層的結(jié)構(gòu))，例如三柵極結(jié)構(gòu)，也可被使用。多柵極結(jié)構(gòu)在降低關(guān)斷電流中特別有效。而且通過把采用本發(fā)明的像素的開關(guān)TFT201制成多柵極結(jié)構(gòu)，能在開關(guān)TFT中實(shí)現(xiàn)低關(guān)斷電流。
動(dòng)態(tài)層由包含有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜形成。換句話說，一種單晶體半導(dǎo)體膜可被采用，而且多晶半導(dǎo)體膜或微晶半導(dǎo)體膜也能被采用。而且柵極絕緣膜18能被包含有硅的絕緣膜形成。另外，導(dǎo)電膜能被用作所有的柵極，源極線和漏極線。
另外，在開關(guān)TFT201中形成有LDD區(qū)域15a到15d，并通過插入柵極絕緣膜18以防止與柵極19a和19b重疊。這種結(jié)構(gòu)在減少關(guān)斷電流中特別有效。
注意，偏置區(qū)域的形成(一包含與溝道形成區(qū)域具有相同組合的半導(dǎo)體層的區(qū)域，且未把柵極電壓施加到其上)在溝道形成區(qū)域和LDD區(qū)域間在減少關(guān)斷電流上更有優(yōu)勢。而且，當(dāng)具有2個(gè)或多個(gè)柵極的多柵極結(jié)構(gòu)被采用時(shí)，在溝道形成區(qū)域間形成的高濃雜質(zhì)區(qū)域在降低關(guān)斷電流中更有效。
通過如上所述，這樣采用多柵極結(jié)構(gòu)TFT作為開關(guān)TFT201，具有足夠低關(guān)斷電流的開關(guān)元件通過采用本發(fā)明成為現(xiàn)實(shí)的。電流控制元件的柵極電壓能因此，在沒有傳統(tǒng)方式例子中的電容Cs時(shí)，維持充足的時(shí)間(從一種選擇切換到更一選擇的過渡期)。
即，可去掉導(dǎo)致有效的發(fā)光表面區(qū)域減少的電容，且可增加有效的發(fā)光表面區(qū)域。這意味著，EL顯示裝置的圖像質(zhì)量能更亮一些。
接下來，形成了電流控制TFT202，其具有一種包含源極區(qū)域31，漏極區(qū)域32，LDD區(qū)域33，溝道形成區(qū)域34的動(dòng)態(tài)層；柵極絕緣膜18；柵極35；第一層間絕緣膜20；源極線36；以及漏極線37。注意，柵極35具有單柵極結(jié)構(gòu)，但多柵極結(jié)構(gòu)也可采用。
如圖2A和2B所示，開關(guān)TFT201的漏極電氣上連接到電流控制TFT202的柵極上。尤其地，電流控制TFT202的柵極35電氣上，通過漏極線(也是指連接線)22，連接到開關(guān)TFT201的漏極區(qū)域14上。而且，源極線36連接到電流源線212上。
電流控制TFT202的特征是它的溝道寬度比開關(guān)TFT201的溝道寬度要寬。即，如圖8中所示，當(dāng)把開關(guān)TFT的信道長度當(dāng)作L1和溝道寬度當(dāng)作W1，及電流控制TFT溝道長度當(dāng)作L2和溝道寬度當(dāng)作W2時(shí)，可以有一關(guān)系表達(dá)式W2/L2≥5×W1/L1(W2/L2≤10×W1/L1是最佳的)。隨后，在電流控制TFT中能比開關(guān)TFT中更方便的流過更多的電流。
注意，多柵極結(jié)構(gòu)的開關(guān)TFT的溝道長度L1是2個(gè)或更多的通道形成區(qū)域的每一溝道長度形成的總和。在圖8的例子中形成有一雙柵極結(jié)構(gòu)，因此溝道長度L1a和L1b(相應(yīng)于兩個(gè)溝道形成區(qū)域)的總和成為開關(guān)TFT溝道長度L1了。
溝道長度L1和L2及溝道寬度W1和W2的范圍值在采用本發(fā)明中沒有特別限定，但W1在0.1到5μm(尤其在1和3μm間)，且W2在0.5到30μm(尤其在2到10μm間)是最佳的。在這時(shí)，L1在0.2到18μm(尤其在2到15μm間)，且L2在0.1到50μm(尤其在1到20μm間)是最佳的。
注意，把在電流控制TFT中的溝道長度L設(shè)成較大值以便防止過多的電流是最佳的。建議W2/L2≥3(W2/L2≥5則更好)。把每一個(gè)像素的電流控制在0.5到2μA間(最好在1到1.5μA間)也是最佳的。
通過把數(shù)值設(shè)定在此范圍內(nèi)，從具有像素?cái)?shù)為(640×480)的VGA類的EL顯示裝置到具有高視覺類像素?cái)?shù)為(1920×1080)的EL顯示裝置的所有的標(biāo)準(zhǔn)都能被包括。
而且，在開關(guān)TFT201內(nèi)形成的LDD區(qū)域的長度(寬度)能被設(shè)定成0.5到3.5μm，尤其在2.0到2.5μm間。
如圖1中的EL顯示裝置，其特征在于在電流控制TFT202上的漏極區(qū)域32和信道形成區(qū)域34之間形成有LDD區(qū)域33。另外，LDD區(qū)域33具有一相互重疊的區(qū)域，和通過插入一柵極絕緣膜18與柵極定極35不重疊的區(qū)域。
電流控制TFT202施加電流以使EL元件203發(fā)光，且同時(shí)控制供應(yīng)量和使灰度顯示成為可能。因此當(dāng)電流流過時(shí)，無惡化是必須的，且采取抗取決于熱載波信號的注入引起的惡化的方法也是必須的。從而，當(dāng)黑色顯示時(shí)，電流控制TFT202被設(shè)成關(guān)斷狀態(tài)，但如果關(guān)斷電流值是很高，則清除黑色顯示成為不可能，且這引起對比度減少的問題。因此抑制關(guān)斷電流是必須的。
考慮到取決于熱載波信號的注入引起的惡化，在LDD區(qū)域重疊柵極的結(jié)構(gòu)很有效，這是人所共知的。然而，如果整個(gè)LDD區(qū)域重疊柵極，關(guān)斷電流值則將上升，因此通過順序形成的不重疊柵極的LDD區(qū)域這一新穎的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的應(yīng)用同時(shí)解決了熱載波和關(guān)斷電流相對應(yīng)的問題，。
在這點(diǎn)上，LDD區(qū)域重疊柵極的長度可以做成0.1到3μm(在0.3到1.5μm間最佳)。如果太長了，寄生電容將更大，以及如果太短，則防止熱載波的效果將更弱。而且，LDD區(qū)域未重疊柵極的長度能設(shè)成1.0到3.5μm(在1.5和2.0μm間最佳)。如果太長，則足夠的電流將不能流過，且如果太短則減少關(guān)斷電流值的效果將變得更弱。
寄生電容形成在以上結(jié)構(gòu)的柵極和LDD區(qū)域重疊的區(qū)域中，因此不要把此區(qū)域形成在源極31和溝道形成區(qū)域34間是最佳的。載體(這時(shí)為電子)流動(dòng)的方向總是同電流控制TFT一樣，因此僅在漏極區(qū)域形成LDD區(qū)域是足夠的。
而且，從增加能流通的電流的大小觀點(diǎn)來看，使電流控制TFT202的動(dòng)態(tài)層(尤其是溝道形成區(qū)域1)的膜的厚度厚一些(在50到100nm是最佳的，尤其在60到80nm間)更有效。反過來，從使開關(guān)TFT201關(guān)斷電流值更小些的觀點(diǎn)看，使動(dòng)態(tài)層(尤其溝道形成區(qū)域)的膜的厚度更薄一些(建議在20到50nm間，尤其在25到40nm間)更有效。
接下來，標(biāo)號41表示第一層鈍化膜，且它的厚度設(shè)在10nm到1μm間(在200到500nm間最佳)。一包含有硅的絕緣膜(特別地，氮氧化硅膜或氮化硅膜最佳)可作為鈍化膜的材料。鈍化膜41起著保護(hù)制成的TFT免于潮濕和感染物質(zhì)。堿金屬，如鈉，包含在最終的TFT上形成的EL層中。換句話說，第一鈍化膜41起著保護(hù)層的作用以便這些堿金屬(移動(dòng)的離子)不會(huì)滲入TFT中。注意，在整個(gè)說明書中，堿金屬和堿-土金屬也包含在“堿金屬”此專業(yè)用語中。
而且，通過使鈍化膜41具有熱輻射效應(yīng)，防止EL層的熱敏退化也是很有效的。注意，光線由圖1中EL顯示裝置的基片11的那邊發(fā)射過來，因此鈍化膜41具有光線傳輸特性是必須的。
至少包含有從B(硼)，C(碳)和N(氮)中選出的一種元素成分的，以及至少包含有從AL(鋁)，SI(硅)和P(磷)中選出的一種元素成分的化合物能用作具有熱輻射特性的的透光材料。例如可以使用氮化鋁，典型的是AlxNy；碳化硅，典型的是SixCy；氮化硅，典型的是SixNy；氮化硼，典型的是BxNy；或磷化硼，典型的是BxPy。而且，氧化鋁化合物，典型的是AlxOy，就具有特別突出的透光特性和約20wm-1K-1的導(dǎo)熱率，可以說是最佳的材料。這些材料不僅具有熱輻射特性也在防止諸如潮濕和堿性金屬的滲透上很有效。注意，以上透明物質(zhì)的X和Y是任意整數(shù)。
以上化合物也能與其他的元素化合。例如，可以使用氮化的氧化鋁，指的是AlNxOy，其中氮加到氧化鋁中。這種材料不僅具有熱輻射特性，也在諸如防止潮濕和堿金屬物質(zhì)滲透上很有效。注意，以上氮化的氧化鋁中的X和Y是任意整數(shù)。
而且，在日本專利申請公開號昭62-90260中所說的材料，也能被采用。即，包含有Si，Al，N，O和M的化合物也能被采用(注意M是稀土元素，從Ce(銫)，Yb(鐿)，Sm(釤)，Er(鉺)，Y(釔)，La(鑭)，Gd(釓)，Dy(鏑)和Nd(釹)中選取的一種元素是最佳的)。這些材料不僅具有熱輻射特性，也在防止諸如潮濕和堿金屬物質(zhì)的滲透上很有效。
而且，諸如鉆石薄膜或不定形碳(特別是具有接近鉆石類物質(zhì)的特性，指的是鉆石形碳)類碳膜也能被采用。這些材料具有很高的熱導(dǎo)性，及用作輻射層特別有效。注意，如果膜的厚度變大將有棕帶(Brown banding)及傳送量減少的問題，以及由此使用盡可能薄的膜(膜厚度在5到100nm間)是最佳的。
注意，第一鈍化膜41的目的旨在保護(hù)TFT免于感染物質(zhì)和潮濕，因此它必須這樣形成才能不失去這種效果。一種由具有以上輻射效應(yīng)的材料制成的膜也能被它自身采用。但壓制這種薄膜和具有抗堿性金屬和潮濕(尤其是氮化硅膜SixNy或氮氧化硅膜SiOxNy)隔離特性的薄膜也是很有效的。注意，以上氮化硅膜和氮氧化硅膜的X和Y是任意整數(shù)。
標(biāo)號42指色彩過濾器，及標(biāo)號43指熒光物質(zhì)(也指熒光色素層)。兩者是同一色彩的合成物，且其包含有紅(R)，綠(G)或藍(lán)(B)。形成色彩過濾器42以增加色彩純度，且形成熒光物質(zhì)43以進(jìn)行色彩轉(zhuǎn)換。
注意，EL顯示裝置嚴(yán)格的區(qū)分成4種色彩顯示類型一種形成代表R，G，B的三類元素的方法；一種白色發(fā)光EL元件與色彩濾波器合成的方法；一種藍(lán)色或藍(lán)-綠發(fā)光EL元件與熒光物質(zhì)(熒光色彩變換層，CCM)合成的方法；以及一種采用透明電極作為陰極(相反電極)和重疊EL元件代表R，G，B的方法。
圖1的結(jié)構(gòu)是一采用藍(lán)色發(fā)光EL元件與熒光物質(zhì)合成的例子。這里，藍(lán)色發(fā)光層被用作EL元件203，形成了具有藍(lán)色光區(qū)域波長的光，包含紫外光，且熒光物質(zhì)43被光激活，且使其發(fā)出紅，綠或藍(lán)光。光線的色彩純化通過色彩濾波器42增加，同時(shí)這也被輸出。
注意，在實(shí)施本發(fā)明中可以不涉及發(fā)光的方式，以及可以將以上四種方式同本發(fā)明一起使用。
而且，在形成色彩濾波器42和熒光物質(zhì)43后，整平工作由第二內(nèi)部絕緣層44完成。樹脂膜用作第二內(nèi)部絕緣層44是最佳的，以及諸如聚酰亞胺，聚酰胺，丙烯酸或BCB(苯環(huán)丁烷)的某一種材料也可被采用。當(dāng)然，無機(jī)膜也可被采用，如果提供足夠整平的話。
通過第二內(nèi)部絕緣膜44，TFT層間的平整是很重要的。EL層形成后是很薄的，因此有由層間存在階度而導(dǎo)致缺乏發(fā)光的例子。因此在形成像素電極前，完成整平以便能夠在盡可能平整的表面形成EL層是最佳的。
而且，在第二層間絕緣膜44上形成具有高熱輻射效應(yīng)(此后指熱輻射層)的絕緣膜是有效的。5nm到1μm的厚度的膜(典型地在20到300nm)是最佳的。這種類型熱輻射層所起作用在于把由EL元件產(chǎn)生的熱被釋放出來以便熱量不能保存在EL元件中。而且，當(dāng)樹脂膜形成時(shí)，第二層間絕緣膜44相應(yīng)熱量而減弱，且熱輻射層起作用以便由EL元件產(chǎn)生的熱量不會(huì)造成壞的影響。
在制作以上所說的EL顯示裝置中，通過樹脂膜，完成TFT的整平是很有效的。但沒有一種傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)，其考慮EL元件產(chǎn)生的熱量引起的樹脂膜的惡化。因此也能說熱敏輻射層的形成在解決這點(diǎn)上很有效。
而且，所提供的一種材料，它能防止潮濕，氧氣或堿金屬(與第一鈍化膜41相似的材料)的滲透，其能被用作熱輻射層，則也能起保護(hù)層作用，以便在EL層中的堿金屬不會(huì)向TFT擴(kuò)散，同時(shí)，用做防止如上所說的熱量引起的EL元件和樹脂膜的惡化。另外，熱輻射層也起作為保護(hù)層的作用，以便潮濕和氧氣不會(huì)從TFT中滲透入EL層中。
特別地，材料具有熱輻射效應(yīng)也是必須的，一種諸如鉆石膜或鉆石形碳膜的碳膜是最佳的，且為防止如潮濕類物質(zhì)的滲透，使用碳膜和氮化硅膜(或氮氧化硅膜)的壓制結(jié)構(gòu)是最佳的。
TFT端與EL元件端采用通過絕緣膜隔離開的結(jié)構(gòu)，這樣是很有效的，該絕緣膜具有高輻射效應(yīng)和能隔離潮濕和堿金屬的優(yōu)點(diǎn)。
標(biāo)號45指由透明的導(dǎo)電膜形成的像素電極(EL元件電極)。在第二層間絕緣膜44及第一鈍化膜41間開一聯(lián)系孔后，形成像素電極45以便能連接到電流控制TFT202的漏極線37上。
EL層(有機(jī)材料最佳)46，陽極47，及保護(hù)電極48順序在像素電極45上形成。一單層結(jié)構(gòu)或一壓制結(jié)構(gòu)能被用作EL層46，但也有許多采用壓制結(jié)構(gòu)的例子。不同的壓制結(jié)構(gòu)早就被提出來了，如發(fā)光的合成層，電子傳送層，電子注入層，孔注入層及孔傳送層，但任何一種結(jié)構(gòu)都可用在本發(fā)明上。當(dāng)然，把熒光色素涂進(jìn)EL層也可被完成。注意，由像素電極(陽極)，EL層，及陰極形成的發(fā)光元件指的是具有這種特征的EL元件。
所有已知的EL材料都能采用到本發(fā)明上。有機(jī)材料即被廣泛當(dāng)作這種材料，且考慮到驅(qū)動(dòng)電壓，采用有機(jī)材料是最佳的。例如在以下美國專利和日本專利申請中介紹的材料即能用作有機(jī)EL材料。美國專利第4,356,429號；美國專利第4,539,507號；美國專利第4,720,432號；美國專利第4,769,292；美國專利第4,885,211號；美國專利第4,950,950號；美國專利第5,059,861號；美國專利第5,047,687號；美國專利第5,073,446號；美國專利第5,059,862號；美國專利第5,061,617號；美國專利第5,151,629號；美國專利第5,294,869號；美國專利第5,294,870號；日本專利申請公開號平10-189525；日本專利申請公開號平8-241048及日本專利申請公開號平8-78159中。
特別地，如以下顯示的通用分子式的有機(jī)材料能用作孔注入層。[分子式1]
這里，Q是N或C-R(碳鏈)；M是金屬，金屬氧化物或金屬鹵化物；R是氫，烷基芳烷基或芳基；且T1和T2是未飽和的6元環(huán)，其包含有如氫，烷基或鹵素替代物。
而且，芳香三胺可被用作孔轉(zhuǎn)移層的有機(jī)材料，其中包含有以下通用分子式展示的四烷基胺是最佳的。[分子式2]
在公式2中Are是芳香族物質(zhì)，n是由1到4的整數(shù)，且Ar，R7，R8和R9是每一不同的選好的芳香族物質(zhì)。
另外，金屬oxynoid化合物能用作EL層，電傳送層或電子注入層的有機(jī)材料。一種下圖所示的通用分子式能被用作金屬oxinoid化合物的材料。[分子式3]
可替換R2至R7，且如以下結(jié)構(gòu)的金屬oxinoid也可用。[分子式4]
在分子式4中，R2至R7如以上所說的限定。L1至L5是包含有從1到12個(gè)碳元素的碳?xì)渥逦镔|(zhì)；且L1和L2兩者，或L2和L3兩者都由苯環(huán)形成。而且，以下結(jié)構(gòu)的金屬oxinoid也能被采用。[分子式5]
這里R2至R6是可替換的。具有有機(jī)配位基的同等的合成物是這樣作為有機(jī)的EL材料被包含的。注意，以上例子，僅是可被用作本發(fā)明的EL材料的有機(jī)EL材料的一部分例子，且完全沒有限制EL材料為這些的必要。
而且，當(dāng)使用噴墨方式以形成EL層時(shí)，使用多分子材料作為EL材料是最佳的。多分子材料，如隨后將給出的，可作為典型的多分子材料多苯亞乙烯(PPVS)，及多色熒光物質(zhì)。為使色彩化，例如，把深藍(lán)色多苯亞乙烯用在紅色發(fā)光材料中；和把多苯亞乙烯用在綠色發(fā)光材料中；以及把多苯亞乙烯和多烷苯用在藍(lán)色發(fā)光材料中是最佳的?？紤]到能在噴墨方式中使用有機(jī)EL材料，所有這些記錄在日本專利申請公開號平10-012377號中的材料都能引證。
而且，包含有諸如鎂(Mg)，鋰(Li)，銫(Cs)，鋇(Ba)，鉀(K)，鈹(Be)或鈣(Ca)的低工作率的材料能用作陰極47。使用由MgAg制成的電極(由鎂和Ag以10比1混合制成的材料)是最佳的。另外，MgAgAl電極，LiAl電極和LiFAl電極也可在別的例子中使用。而且，保護(hù)電極48是一電極，形成它的目的是使其作為從外部到陰極47抗潮濕的保護(hù)膜，以及一含有鋁(Al)或銀(Ag)的材料被使用。保護(hù)電極48也有熱輻射效應(yīng)。
注意，順序形成EL層46和陽極47而不暴露在大氣中是很理想的。換句話說，無論包含有什么形式的壓制結(jié)構(gòu)，把任何物質(zhì)順序形成在多室(也指一簇工具)形沉積裝置中是最佳的。這是為了，在因?yàn)镋L層采用有機(jī)材料而暴露在大氣中時(shí)，避免吸收潮濕，則它相應(yīng)于潮濕是極脆弱的。另外，不僅EL層46和陰極47，順序形成通過保護(hù)電極48的所有的通路是更好的。
EL層對于熱是極脆弱的，因此使用真空揮發(fā)(特別地，有機(jī)分子束揮發(fā)方式在分子水平上形成一極薄的膜方面是有效的)，噴濺(sputtering)，等離子CVD，旋涂(spin coating)，屏幕打印或離子噴涂作為膜沉積方式是最佳的。也可通過噴墨方式形成EL層。對噴墨方式來說，有一種使用氣穴現(xiàn)象(參考日本專利申請公開平5-116297號)的冒泡方式，及有一種使用壓電元件(參考日本專利申請公開號平8-290647號)的壓電方式，以及考慮到有機(jī)EL材料相對熱量變脆弱的因素，壓電方式是最佳的。
標(biāo)號49是指第二鈍化膜，且其膜厚設(shè)在10nm到1μm間(最佳在200到500nm間)。形成第二鈍化膜49的目的主要是保護(hù)EL層46免于潮濕，但如果第二鈍化膜49同第一鈍化膜41一樣被制成具有熱輻射效應(yīng)也是很好的。用于第一鈍化膜41的相同材料因此也能用作第二鈍化膜49的形成材料。注意，當(dāng)有機(jī)材料用作EL層46時(shí)，它的惡化取決于其與氧氣的結(jié)合，因此使用不容易放射氧的絕緣膜是最佳的。
而且，如上所說的EL層對于熱是很脆弱的，因此讓膜在盡可能低的溫度下(最佳范圍為室溫到120℃間)沉積是最佳的。因此可以說噴濺，等離子CVD，真空揮發(fā)，離子噴涂及溶解應(yīng)用(旋涂)被認(rèn)為是理想的膜沉積方式。
本發(fā)明的EL顯示裝置具有以上所說的結(jié)構(gòu)的像素部分，且各個(gè)與其功能相應(yīng)的不同結(jié)構(gòu)的TFT排布在像素中。開關(guān)TFT具有足夠低的關(guān)斷電流值，以及對熱載波注入反應(yīng)強(qiáng)烈的電流控制TFT能在同一像素中形成，以及具有高可靠性和具有優(yōu)越圖像顯示的EL顯示裝置能被這樣形成。
注意，在圖1中像素結(jié)構(gòu)最重要的一點(diǎn)是多柵極結(jié)構(gòu)的TFT被用作開關(guān)TFT，及在圖1結(jié)構(gòu)中根據(jù)LDD區(qū)域的排布設(shè)定限制是不必要的。
關(guān)于具有以上構(gòu)造的本發(fā)明更詳細(xì)的闡述，現(xiàn)在通過以下實(shí)施例中闡述。實(shí)施例1本發(fā)明的實(shí)施例通過在圖3A到5C中闡述。一種制造像素部分和在像素部分外圍形成驅(qū)動(dòng)電路部分的TFT的方式在這里闡述。注意，為簡化闡述，CMOS電路被用作驅(qū)動(dòng)電路的基本電路。
首先，如圖3A中所示，基膜301以300nm厚度形成在玻璃基片300上。在實(shí)施例1中，氮氧化硅膜被壓制成基膜301。在接觸玻璃基片300的膜中把氮?dú)獾臐舛仍O(shè)在10到25wt％間是很好的。
而且，把熱輻射層，其由與圖1中所示第一鈍化膜41同樣材料制成，形成作基膜301的一部分是有效的。在電流控制TFT中，流有大電流，熱量是很容易產(chǎn)生的，因此把熱輻射層盡可能緊密的形成到電流控制TFT上是有效的。
接下來，一種50nm厚的不定形硅膜(未在圖中展示)通過一眾所周知的沉積方式，形成在基膜301上。注意，把這限制到不定型硅膜不是必須的，以及另一種由包含有不定型結(jié)構(gòu)(包含有微晶半導(dǎo)體膜)的半導(dǎo)體膜提供的膜也可被形成。另外，一包含有不定型結(jié)構(gòu)的合成半導(dǎo)體膜，如不定型硅鍺膜，也可被使用。而且，膜厚能設(shè)在20到100nm間。
不定型硅膜由一常見的方式結(jié)晶生成，以形成一晶體硅膜(也指多晶硅膜或多硅膜)302。通過使用一電子爐熱結(jié)晶，使用激光鍛造結(jié)晶，以及用紅外燈鍛造結(jié)晶是常見的結(jié)晶方式。實(shí)施例1采用來自用XeCl氣體的準(zhǔn)分子激光進(jìn)行結(jié)晶。
注意，脈沖發(fā)射型準(zhǔn)分子激光在實(shí)施例1中形成一線性形狀，但矩形也可采用，以及持續(xù)激發(fā)氬激光的燈和持續(xù)激發(fā)準(zhǔn)分子激光的燈也能被采用。
晶體硅膜在實(shí)施例1中用作各個(gè)TFT的動(dòng)態(tài)層，但也能把不定形硅膜用作動(dòng)態(tài)層。然而，大電流流過電流控制TFT是必須的，因此使用電流流過方便的晶體硅膜是更有效的。
注意，形成開關(guān)TFT的動(dòng)態(tài)層是有效的，在其中，通過不定型硅膜減少關(guān)斷電流是必須的，以及通過晶體硅膜形成電流控制TFT的動(dòng)態(tài)層也是有效的。電子流因載波移動(dòng)性很低，所以在不定型硅膜中電子流動(dòng)是很困難的，且關(guān)斷電流不容易流過。換句話說，電流不易流過的不定型硅膜與電流容易流過的晶體硅膜兩者都有的優(yōu)點(diǎn)最有可能制成。
接下來，如圖3B中所示，一種厚度為130nm的氧化硅膜制成的保護(hù)膜303被形成在晶體硅膜302上。這一厚度可在100到200nm的范圍內(nèi)選擇(最佳的是130到170nm間)。而且，也可使用包含有硅的其他的絕緣膜。形成了保護(hù)膜303以便在雜質(zhì)加入時(shí)晶體硅膜不會(huì)直接暴露在等離子體下，且以便摻雜過程有精細(xì)的濃度控制的可能。
然后，防護(hù)罩304a和304b形成在保護(hù)膜303上，以及一種具有n型導(dǎo)電性的(此后指n型雜質(zhì)成分)雜質(zhì)成分加入到其上。注意，在元素周期表中的15組的元素常用來作為n型雜質(zhì)成分，且尤其采用磷或砷。注意，在采用參雜等離子體的方式中，三氫化磷(PH3)在無大分子分離的情況下被等離子激活，且在實(shí)施例1中磷以1×1018原子/cm3濃度加入到其中。當(dāng)然，也可采用離子灌輸方式，以完成大分子分離。
包含在n型雜質(zhì)區(qū)域305和306中的n型雜質(zhì)成分的使用量被嚴(yán)格規(guī)定了，這樣這種處理過程就形成以2×1016到5×1019原子/cm3濃度間(典型地在5×1017到5×1018原子/cm3間)的n型雜質(zhì)成分。
接下來，在圖3C中所示的保護(hù)膜303被去除了，且加入的元素周期表中第15族元素的激活也完成了。一種常見的激活技術(shù)可用作激活方式，且在實(shí)施例1中通過準(zhǔn)分子激光燈的輻射，實(shí)現(xiàn)了激活。脈沖激發(fā)型激光和持續(xù)激發(fā)型激光都可采用，且也無限定使用準(zhǔn)分子激光燈的必要。加入的雜質(zhì)成分的目的是激活，且輻射以晶體硅膜不會(huì)熔化的能量水平是最佳的。注意，激光輻射也可在此同保護(hù)膜303共同完成。
熱處理激活也可通過激光與雜質(zhì)元件的激活一起完成。當(dāng)熱處理裝置引起激活時(shí)，考慮到基片的熱阻抗，在450到550℃的等級完成熱處理是很好的。
一個(gè)邊緣部分(連接部分)，其具有沿著n型雜質(zhì)區(qū)域305和306的邊緣的區(qū)域，即沿著不包含n型雜質(zhì)區(qū)域305和306中的n型雜質(zhì)成分所在的區(qū)域的周長，通過這種過程線性被勾畫出來的區(qū)域。這意味著，在這里TFT隨后被形成時(shí)，在LDD區(qū)域和溝道形成區(qū)域能形成很好的連接。
晶體硅膜的不必要的部分接下來被去除，如圖3D中所示，且形成了島形半導(dǎo)體膜(此后指動(dòng)態(tài)層)307到310。
然后，如圖3E中所示，形成了柵極絕緣膜311，其覆蓋在動(dòng)態(tài)層307到310上。一種含有硅且厚度介于10到200nm(其厚度最佳為50到150nm之間)的絕緣膜，也可用作柵極絕緣膜311。單層結(jié)構(gòu)或壓制結(jié)構(gòu)也可被采用。一種110nm厚的氧化氮硅膜被用在實(shí)施例1中。
接下來，形成了一種具有200到400nm厚度的導(dǎo)電膜，且以這種樣式，形成了柵極312到316。注意，在實(shí)施例1中，柵極和電氣連接到柵極(此后指柵極線)上的引線由不同材料制成。尤其，具有比柵極更低的阻抗的材料被用作柵極線。這是因?yàn)槟鼙晃⑻幚淼牟牧媳挥米鳀艠O，且甚至柵極線不能被微處理，用作線的材料也具有很低的阻抗。當(dāng)然，柵極和柵極線也可用同種材料制成。
而且，柵極線可通過單層導(dǎo)電膜制成，以及當(dāng)必須時(shí)，使用2層或3層壓制膜是最佳的。所有常見的導(dǎo)電膜都能用作柵極的材料。然而，如以上所說的，使用能被微處理的材料是最佳的，尤其，具有是以線寬為2μm或更小這種樣式的材料。
典型地，從包含有鉭(Ta)，鈦(Ti)，鉬(Mo)，鎢(W)，及鉻(Cr)族中選出的材料的膜，或一種上述元素的氮化物(典型地是氮化鉭膜，氮化鎢膜，或氮化鈦膜)，或上述元素結(jié)合的合金(典型地是Mo-W(鉬-鎢)合金或Mo-Ta(鉬-鉭)合金)；或上述元素的硅化物膜(典型地是硅化鎢膜或硅化鈦膜)；或具有導(dǎo)電性的硅膜能被采用。當(dāng)然。單層膜或疊層膜也能被采用。
一種由50nm厚氮化鉭(TaN)膜和350nm厚的鉭膜制成的疊層膜被采用在實(shí)施例1中。通過噴濺形成這種膜是很好的。而且，如果諸如Xe或Ne的惰性氣體被加入作噴濺氣體，則導(dǎo)致膜剝除的壓力能被防止。
此時(shí)，相應(yīng)地形成了柵極313和316，以便通過夾住柵極電絕緣膜311以重疊n型雜質(zhì)區(qū)域305和306的一部分。該重疊部分隨后成為一重疊柵極的LDD區(qū)域。
接下來，n型雜質(zhì)成分(磷用在實(shí)施例1中)如圖4A中所示，以自適應(yīng)方式象面罩一樣加入到柵極312到316上。這種加入方法被規(guī)定下來，以便在雜質(zhì)區(qū)域317到323加入磷，這樣就形成了1/10到1/2濃度雜質(zhì)區(qū)域305到306(典型地介于1/4到1/3之間)。尤其，1×1016到5×1018原子/cm3(典型地是3×1017到3×1018原子/cm3)的濃度是最佳的。
接下來形成了防護(hù)罩324a到324b以覆蓋各個(gè)柵極，如圖4B中所示，以及加入n型雜質(zhì)成分(磷用在實(shí)施例1中)到其中，以形成包含有高濃度磷的雜質(zhì)區(qū)域325到331。使用三磷化氫(PH3)的摻雜等離子也在這里完成，且規(guī)定下來以便這些區(qū)域的磷的濃度介于1×1020到1×1021原子/cm3(典型地在2×1020到5×1020原子/cm3間)。
通過這種處理形成了n溝道TFT的源極區(qū)域或漏極區(qū)域，且在開關(guān)TFT中，通過圖4A剩余部分形成了n型雜質(zhì)區(qū)域320到322的部分。這些剩余部分區(qū)域相對應(yīng)于圖1中開關(guān)TFT的LDD區(qū)域15a到15d。
接下來，如圖4C中縮示，防護(hù)罩324a到324d被去除，且形成了新的防護(hù)罩332。一p型雜質(zhì)元件(在實(shí)施例1中采用硼)然后加入到其中以形成包含高濃度硼的雜質(zhì)區(qū)域333到334。通過使用乙硼烷(B2H6)的等離子摻雜方式，硼以3×1020到3×1021原子/cm3的濃度(典型地是5×1020到1×1021原子/cm3)加入到其中。
注意磷已經(jīng)以1×1016到5×1018原子/cm3濃度加入到雜質(zhì)區(qū)域333到334上，但硼至少以磷3倍的濃度加入到這里。因此，已經(jīng)完全形成的n型雜質(zhì)區(qū)域反轉(zhuǎn)為p型，并起p型雜質(zhì)區(qū)域的作用。
接下來，在去除防護(hù)罩332后，以不同濃度加入的n型和p型雜質(zhì)元件被激活了。爐煉，激光鍛造，或燈煉制可作為激活的方式。在實(shí)施例1中的熱處理是在充滿氮?dú)獾?50℃的電子爐中經(jīng)4小時(shí)完成的。
這時(shí)，盡可能多的去除大氣中的氧氣是很重要的。這是因?yàn)槿绻鯕獯嬖?，電極的暴露表面將被氧化，引起電阻值升高，以及同時(shí)使接下來的最后的連接更困難。因此，在以上激活過程中，大氣中氧氣的濃度為1ppm或更低是最佳的，理想的是0.1ppm或更低。
在激活過程完成后，接下來形成了300nm厚的柵極線335。一種以鋁(Al)或銅(Cu)作為其主要成分(包含有50％到100％成份)的金屬膜可用作柵極線335的材料。同圖2中柵極線211一樣，形成了柵極線335以便開關(guān)TFT柵極(相應(yīng)于圖2中柵極19a到19b)314和315可電氣上連接在一起(參照圖4D)。
通過采用這種結(jié)構(gòu)，柵極線的線電阻能制成極小，以及因此像素顯示區(qū)域(像素部分)可以形成大的表面區(qū)域。即，實(shí)現(xiàn)使EL顯示裝置具有10英寸的對角線或更大(另外，30英寸或更大的對角線)的屏幕尺寸實(shí)，施例1的像素結(jié)構(gòu)是極有效的。
接下來形成了第一層間絕緣膜336，如圖5A中所示。包含有硅的單層絕緣膜，被用作第一層間絕緣膜336。但壓制膜可在兩者間結(jié)合。而且，介于400nm到1.5μm間厚度的膜也可采用。一800nm厚度的氧化硅膜壓制在200nm厚氮氧化硅膜之上的壓制結(jié)構(gòu)的被采用在實(shí)施例1中。
另外，熱處理過程在一種含有3％到100％氫的大氣中以300到450℃經(jīng)1到12小時(shí)而完成。這種過程是在半導(dǎo)體膜中通過熱激活的氫終結(jié)懸浮物的過程。等離子體氫化(使用被等離子激活的氫)也可作為另一種氫化手段。
注意，氫化步驟也可插入在第一層間絕緣膜336形成期間。即，氫處理可在形成200nm厚氮氧化硅膜后按以上方式完成，以及然后形成剩余的800nm厚的氧化硅膜。
接下來，在第一層間絕緣膜336中形成一個(gè)連系孔，且形成源極線337到340，以及漏極線341到343。在實(shí)施例1中，由一種100nm鈦膜，一種包含有鈦的300nm鋁膜，以及一種150nm的鈦膜通過順序噴涂成功地形成了具有三層結(jié)構(gòu)的疊層膜，其可用作這些線。當(dāng)然，也可使用別的導(dǎo)電膜，且包含有銀，鈀和銅的合金膜也可被使用。
接下來形成了厚度在50到500nm(典型地介于200到300nm間)間的第一鈍化膜344。在實(shí)施例1中，一種300nm厚的氮氧化硅膜可用作第一鈍化膜344。這也可用氮化硅膜替代。當(dāng)然，也可使用圖1中的第一鈍化膜相同的材料。
注意，在氮氧化硅膜的形成之前，使用包含氫的諸如H2或NH3的氣體以完成等離子處理是有效的。由這種預(yù)處理過程激活的氫施加到第一層間絕緣膜336上，且第一鈍化膜344的膜質(zhì)通過完成熱處理而得到提高。同時(shí)，加入到第一層間絕緣膜336上的氫擴(kuò)散到低端，且動(dòng)態(tài)層能被有效的氫化。
接下來形成了，如圖5B中所示的色彩過濾器345和熒光體346。常見的材料可用于這些元件。而且，它們可以通過分別形成圖樣的方式形成，或可順序形成后再一起形成圖樣。一種諸如屏幕打印，噴墨或防護(hù)罩揮發(fā)(一種使用防護(hù)罩材料的可選形成方式)的方式可用作形成方式。
相應(yīng)的膜厚可在0.5到5μm(典型地在1到2μm間)范圍內(nèi)選擇。特別地，熒光體346的最佳膜厚與所用材料不同而不同。換句話說，如果它太薄了，則色彩轉(zhuǎn)移效率就變差了，且如果它太厚了，則階度變大且發(fā)射光量下降。合適的膜厚因此可通過保持兩種特性的平衡設(shè)定。
注意，在實(shí)施例1中，有一種色彩轉(zhuǎn)換方式的例子，在其中從EL層激發(fā)的光在色彩上轉(zhuǎn)換，但如果采用了一種相應(yīng)于R，G，B的各個(gè)EL層的制造方式，則色彩濾波器和熒光體能被省略掉。
接下來由有機(jī)樹脂形成了第二層間絕緣膜347。諸如聚酰亞胺，聚酰胺，丙烯酸及BCB(苯環(huán)丁烯)能用作該有機(jī)樹脂。特別地，在第二層間絕緣膜347中強(qiáng)烈要求具有平整的膜，因此具有卓越的整平特性的丙烯酸是最佳的。在實(shí)施例1中，由丙烯酸形成的膜的厚度足以消除介于色彩濾波器和熒光體346之間的階度，這一厚度最佳在1到5μm間(在2到4μm間更佳)。
接下來在第二層間絕緣膜347及在第一鈍化膜344中形成了能達(dá)到漏極線343的連接孔，且形成了像素電極348。在實(shí)施例1中，氧化銦和氧化錫的混合物以110nm厚形成且制造像素電極的圖樣的目的也達(dá)到了。像素電極348成了EL元件的正電極。注意，使用其他材料也是可能的，如氧化銦和氧化鋅的化合物膜，或含有氧化鎵的氧化膜。
注意，實(shí)施例1成為一種具有像素電極，通過漏極線343，電氣上連接到電流控制TFT的漏極區(qū)域331上的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)具有以下優(yōu)點(diǎn)。
像素電極348直接連接到諸如EL層(發(fā)射層)或電荷轉(zhuǎn)移層的有機(jī)材料上，因此包含在EL層中的運(yùn)動(dòng)離子通過整個(gè)像素電極就可能擴(kuò)散出去。換句話說，如像素電極348未直接連接到漏極區(qū)域331上(動(dòng)態(tài)層的一部分)，在實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)中，能防止由于漏極線343阻斷引起的移動(dòng)離子被引入到動(dòng)態(tài)層。
接下來，如圖5C中所示，EL層349，陰極(MgAg電極)350以及保護(hù)電極在未暴露到大氣中的情況下被順序形成。在這點(diǎn)上，在形成EL層349和陰極350前，為完全去除潮濕而進(jìn)行像素電極348的熱處理是最佳的。注意一種常見的材料能用作EL層349。
在該說明書“實(shí)施例樣式”部分闡述的材料能用作EL層349。在實(shí)施例1中，EL層具有一孔注入層，一孔傳輸層，一激發(fā)層和一電子轉(zhuǎn)移層的4層結(jié)構(gòu)，如圖19，但也有未形成電子轉(zhuǎn)移層的情況，也有形成電子注入層的情況。而且也有孔注入層被省略的情況。已有這些組合形式的多個(gè)例子的報(bào)道，且任何這些的構(gòu)造都可被采用。
諸如TPD(三苯胺電介質(zhì))的胺可用作孔注入層或用作孔傳輸層，且另外，腙(典型地是DEH)，二苯乙烯(典型地是STB)或星芒(starburst)(典型地是m-MTDATA)也可被使用。尤其，具有高玻璃特性傳輸溫度和難以結(jié)晶的星芒材料是最佳的。而且多苯胺(PAni)，多噻吩(PEDOT)，以及銅酞菁染料(CuPc)也可被使用。
BPPC，二萘嵌苯，以及DCM可用作激發(fā)層中的紅色激發(fā)層，且特別地由Eu(DBM)3(phen)展示的Eu復(fù)合物是高單色的(詳情參考kido J.，et，al，Appl.Phys，第35卷pp.L394-6，1996)，其具有突出的620nm波長的激發(fā)光。
而且，尤其是-Alq3(8-羥基喹啉鋁)材料，在其中二羥基喹啉并吖啶或香豆素以百分之幾摩爾的數(shù)量級加入，它能被用作綠色激發(fā)層。化學(xué)分子式如下。[分子式6]
另外，尤其是一種蒸餾芳香胺介質(zhì)，在其中氨基替代DSA被加入到能用作藍(lán)色激發(fā)層的DSA上(蒸餾芳香胺介質(zhì))。特別地，使用高性能的材料蒸餾聯(lián)苯(DPVBi)是最佳的。它的化學(xué)分子式如下。[分子式7]
而且，一種300nm厚氮化硅膜形成為第二鈍化膜352，并且這也可在未暴露到大氣中的情況下在保護(hù)電極351形成后，順序形成。當(dāng)然，同圖1中的第二鈍化膜149一樣的材料也能被采用作第二鈍化膜352。
一種由孔注入層，孔傳輸層，激發(fā)層以及電子注入層制成的4層結(jié)構(gòu)，用在實(shí)施例1中，但已有許多別的組合的例子被報(bào)道了，且任何這些構(gòu)造也可被采用。而且，MgAg電極被用作為實(shí)施例1中的EL元件的陰極，但也可使用別的常見的材料。
為防止MgAg電極350的惡化，保護(hù)電極351被形成，且具有以鋁為其主要成分的金屬膜是典型的。當(dāng)然，也可采用別的材料。而且，EL層349和MgAg電極350對于潮濕是極度脆弱的，因此它最好是通過在未暴露到大氣中的情況下順序形成，直到保護(hù)電極351，以使EL層與外界空氣隔離。
注意，EL層349的膜厚約在10到400nm(典型地是60到160nm間)，且MgAg電極350的厚度在180到300nm間(典型地在200到250nm間)。
有源矩陣型EL顯示裝置，其具有圖5C中所示的結(jié)構(gòu)，這樣就最終完成了。通過排列使TFT不僅在像素部分中，也在驅(qū)動(dòng)電路部分中，具有最佳的結(jié)構(gòu)，實(shí)施例1中的有源矩陣型EL顯示裝置，展現(xiàn)出高可靠性，以及能提升工作特性的優(yōu)點(diǎn)。
首先，一種具有盡可能減少熱載波信號注入而不降低工作速度結(jié)構(gòu)的TFT被用作形成驅(qū)動(dòng)電路的CMOS電路中的n形溝道TFT205。注意，驅(qū)動(dòng)電路這里是指包含有移位寄存器，緩沖器，電平偏移器及采樣電路(也指轉(zhuǎn)移柵極)的電路。當(dāng)完成數(shù)字驅(qū)動(dòng)時(shí)，信號反轉(zhuǎn)電路如D/A反轉(zhuǎn)電路也包含在其中。
在實(shí)施例1的情況中，如圖5C中所示，n溝道TFT205的動(dòng)態(tài)層包含有源極區(qū)域355，漏極區(qū)域356，LDD區(qū)域357及溝道形成區(qū)域358，且LDD區(qū)域357夾著柵極絕緣膜311重疊在柵極313上。
把LDD區(qū)域形成在漏極一端，僅僅是考慮不降低工作速度。而且，關(guān)注在n溝道TFT202中關(guān)斷電流值與一味追求工作速度是不必要的。因此，LDD區(qū)域357完全重疊在柵極313上以盡可能多的減少阻抗部分是最佳的。換句話說，能消除所有偏置是很好的。
熱載波信號注入引起的CMOS電路的P溝道TFT206的惡化是無關(guān)緊要的，且特別地，因此在此未形成有LDD區(qū)域。當(dāng)然，通過形成與n溝道TFT205相似的LDD區(qū)域以阻擋熱載波信號也是可能的。
注意，在驅(qū)動(dòng)電路中，與其它電路比較起來，采樣電路是有一些特殊的地方，且有一大電流在通道形成區(qū)域內(nèi)雙向的流過。即，源極區(qū)域與漏極區(qū)域的功用互換了。另外，盡可能多的關(guān)斷電流值是必須的，且在這種考慮下，把具有此功能的TFT安放在介于開關(guān)TFT和電流控制TFT間的中間位置上是最佳的。
因此，把TFT排列成圖9中所示的結(jié)構(gòu)作為n型TFT以形成采樣電路是最佳的。如圖9中所示，LDD區(qū)域901a和901b的一部分覆蓋了柵極903，其中夾著一層?xùn)艠O絕緣膜902。這種效果被闡述在電流控制TFT202的解述中，且采樣電路不同之處在于形成LDD區(qū)域901a和901b，它其像夾三明治一樣夾有一個(gè)溝道形成區(qū)域904。
而且，形成了一種具有圖1中所示結(jié)構(gòu)的像素，以形成像素部分。開關(guān)TFT和形成在像素中的電流控制TFT的結(jié)構(gòu)已在圖1中闡述，且因此那些闡述在此省略。
注意，在實(shí)際中，在完成圖5C的過程后，通過使用封裝材料如高度真空保護(hù)膜(如薄膜或紫外硬化樹脂膜)或陶瓷密封罐進(jìn)行額外的包裝(密封)是最佳的，以使其不會(huì)暴露在大氣中。通過在封裝材料內(nèi)形成惰性環(huán)境，且通過在封裝材料中安置一個(gè)吸收體(例如氧化鋇)，EL層的可靠性(使用壽命)被增加了。
而且，在氣密性被密封處理增強(qiáng)后，在基片上形成的元件或電路的輸出終端和外部信號終端間的連接器(靈活性的印刷電路，F(xiàn)PC)被附在其上，以完成產(chǎn)品制造。處于可以發(fā)貨狀態(tài)下的EL顯示裝置在整個(gè)說明書中被稱作為EL模塊。
實(shí)施例1中的有源矩陣型EL顯示裝置的構(gòu)造，在此通過圖6的透視圖闡述。實(shí)施例1的有源矩陣型EL顯示裝置形成在玻璃基片601上，且其包含有像素部分602，柵極端驅(qū)動(dòng)電路603，以及源極端驅(qū)動(dòng)電路604。像素部分的開關(guān)TFT605是一種n溝道TFT，且被放置在連接到柵極端驅(qū)動(dòng)電路603的柵極線606與柵極端驅(qū)動(dòng)電路604的源極線607的交叉點(diǎn)上。而且，開關(guān)TFT605的漏極也電氣連接到電流控制TFT608的柵極上。
另外，電流控制TFT608的源極被連接到電流源線609，且EL元件610電氣上連接到電流控制TFT608的漏極。所提供的電流控制TFT608是n溝道TFT，連接EL元件610的陰極最好連接到電流控制TFT608的漏極。而且，如果電流控制TFT608是一種P溝道TFT，則連接EL元件610的陽極到電流控制TFT608的漏極是最佳的。
輸入線(連接線)612和613，以及連接到電源線609上的輸入線614，然后被形成在外部輸入終端FPC611上以便傳送信號到驅(qū)動(dòng)電路。
如圖7中所示的是一種圖6中展示的EL顯示裝置的組合電路的例子。實(shí)施例1中的EL顯示裝置具有源極端驅(qū)動(dòng)電路701，柵極端驅(qū)動(dòng)電路(A)707，柵極端驅(qū)動(dòng)電路(B)711，以及像素部分706。注意，在整個(gè)說明書中，驅(qū)動(dòng)電路是一個(gè)普通的專業(yè)用語，其包含有源極端處理電路和柵極端處理電路。
源極端驅(qū)動(dòng)電路701具有移位寄存器702，水平移位器703，緩沖器704，以及采樣電路(轉(zhuǎn)移柵極)705。另外，柵極端驅(qū)動(dòng)電路(A)707具有移位寄存器708，水平移位器709，緩沖器710。柵極端驅(qū)動(dòng)電路(B)711具有相似的組合。
施加到移位寄存器702和708上的驅(qū)動(dòng)電壓在5到16V(尤其為10V)間，且在圖5C中標(biāo)號205所展示的結(jié)構(gòu)適合于用在構(gòu)成電路的CMOS電路中的n溝道TFT。
而且，驅(qū)動(dòng)電壓升高為介于14到16V間，以便施加到水平移位器703和709，和緩沖器704和710上，類似于寄存器，包含有圖5C中的n溝道TFT205的CMOS電路是適合的。注意，多柵極結(jié)構(gòu)的使用，如把雙柵極或三柵極結(jié)構(gòu)用于柵極線，在增加每一電路的可靠性上是有效的。
雖然，施加到采樣電路705上的驅(qū)動(dòng)電壓在14到16V間，但減少因源極區(qū)域和漏極區(qū)域反轉(zhuǎn)引起的關(guān)斷電流值是必須的，因此圖9中包含n溝道TFT208的CMOS電路是符合要求的。
另外，像素部分706的驅(qū)動(dòng)電壓在14到16V間，且每一像素以圖1中所示結(jié)構(gòu)排列。
注意，通過采用圖3A到3C的制造過程來制造TFT，以上的構(gòu)造能輕易實(shí)現(xiàn)。而且，僅有像素部分和驅(qū)動(dòng)電路的構(gòu)造在實(shí)施例1中展示，但除了驅(qū)動(dòng)電路外，在同一基片上且采用實(shí)施例1的制造過程形成其它的邏輯電路也是可能的，例如信號分配電路，D/A轉(zhuǎn)換電路，運(yùn)算放大電路以及γ補(bǔ)償電路。另外，也考慮到了形成諸如內(nèi)存部分和微處理器部分的電路。
實(shí)施例1的EL模塊的闡述，包括封裝材料，通過圖17A和17B完成。注意，當(dāng)必要時(shí)，用于圖6和圖7的符號也被引用。
像素部分1701，源極端驅(qū)動(dòng)電路1702，以及柵極端驅(qū)動(dòng)電路1703形成在基片(包括在TFT下的基膜)1700上。來自相應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路的各個(gè)線，經(jīng)FPC611通過輸入線612到614再連接到外部設(shè)備上。
在這里，形成了封裝材料1704以至少包圍像素部分，且最好是包圍驅(qū)動(dòng)電路和像素部分。注意，封裝材料1704具有內(nèi)部尺寸比EL元件的外部尺寸大的不規(guī)則外形，或具有薄片形狀，并通過粘合劑1705形成在基片1700上以便同基片1700一起形成真空空間。在這里，EL元件是在以上的密封空間中完全密封的狀態(tài)，且與外界大氣完全隔離。注意，可形成多個(gè)的封裝材料1704。
使用諸如玻璃或聚合體的絕緣物質(zhì)作為封裝材料1704是最佳的。以下將給出幾個(gè)例子不定型玻璃(如石英或硅化硼)，結(jié)晶玻璃，陶瓷玻璃，有機(jī)樹脂(如丙烯酸樹脂，苯乙烯樹脂，多碳樹脂，和環(huán)氧樹脂)，以及硅樹脂。另外，也可使用陶瓷。而且，在粘合劑1705中使用的是絕緣材料，但使用諸如不銹合金的金屬材料也是可以的。
把諸如環(huán)氧樹脂或芳香族樹脂用作粘合劑1705的材料是可行的。另外熱硬處理樹脂或光硬處理樹脂也能用作粘合劑。注意，通過盡可能多的使用不會(huì)傳送氧氣和潮濕的材料是必須的。
另外，在介于封裝材料和基片1700上的開口處1706充以惰性氣體(如氬，氦或氮)。對氣體沒有設(shè)限制，且使用惰性液體也是可能的(如液化氟化碳，典型的是全氟化烯)。這些在日本專利申請公開號平8-78519號中使用的材料，也可用作惰性液體。這些空間也可填充以樹脂。
在開口1706上形成干燥體也是有效的。諸如在日本專利申請公開號平9-148066中記錄的材料能用作干燥體。尤其氧化鋇能被使用。而且不僅是干燥體，在形成抗氧化體上也是有效的。
如圖17B中所示，眾多的具有EL元件的隔離像素形成在像素部分里，且所有的像素都以保護(hù)電極1707作為共用電極。在實(shí)施例1中，在不暴露到大氣的情況下，順序形成EL層，陰極(MgAg電極)，以及保護(hù)電極是最佳的。EL層和陰極使用相同的防護(hù)罩材料形成。且所提供的保護(hù)電極由隔離防護(hù)罩材料制成，然后圖17B中的結(jié)構(gòu)才能得以實(shí)現(xiàn)。
此處，EL層和陰極僅可在像素部分的這一點(diǎn)上形成，且把他們形成在驅(qū)動(dòng)電路中是不必要的。當(dāng)然，把他們形成在驅(qū)動(dòng)電路上是不成問題的。但考慮到EL層中含有堿金屬，最好不要將它形成在驅(qū)動(dòng)電路上。
注意，輸入線1709被連接到在標(biāo)號1728所指的區(qū)域的保護(hù)電極1707上。輸入線1709是施加預(yù)置電壓到保護(hù)電極1707的線，且通過導(dǎo)電性的粘貼材料(尤其是各向異性的導(dǎo)電膜)1710連接到FPC611上。
為在區(qū)域1708中實(shí)現(xiàn)接觸結(jié)構(gòu)的制造過程，在此通過圖18A到18C來闡述。
首先，圖5A的狀態(tài)可通過實(shí)施例1的過程獲得。在這時(shí)，第一層間絕緣膜336和柵極絕緣膜311從基片的邊緣處(在圖17B中展示的標(biāo)號1708所指的區(qū)域)去除，并且輸入線1709形成在該區(qū)域。當(dāng)然，同時(shí)也形成了圖5A的源極線和漏極線(參見圖18A)。
接下來，當(dāng)蝕刻在圖5B中的第二層間絕緣膜347和第一鈍化膜344時(shí)，標(biāo)號1801所指的區(qū)域被去除，且形成一個(gè)開放部分1802(參見圖18B)。
在這種狀況下完成在像素部分形成EL元件的過程(像素電極，EL層和陰極的形成過程)。這時(shí)一種防護(hù)罩材料被用在圖18A到18C所示的區(qū)域中，以便EL元件不會(huì)形成在該區(qū)域。在形成陰極349后，采用隔離罩材料形成了保護(hù)電極350。保護(hù)電極350和輸入線1709這樣電氣連接在一起。而且，形成了第二鈍化膜352，這樣一來圖18C的狀態(tài)就實(shí)現(xiàn)了。
在圖17B中標(biāo)號1708所示的區(qū)域的接觸結(jié)構(gòu)通過以上的步驟實(shí)現(xiàn)了。然后，輸入線1709通過介于封裝材料1704和基片1700間的開口處連接到FPC611上(注意它由粘合劑1705填充；換句話說，粘合劑1705必須保持這樣的厚度以便充分消除其與輸入線的階梯)。注意，在這里闡述了輸入線1709，但輸入線612到614也同樣通過封裝材料1704連接到FPC611上。實(shí)施例2在實(shí)施例2中，一種像素構(gòu)造的例子展示在圖10中，其與圖2B中展示的構(gòu)造不一樣。
在實(shí)施例2中，圖2B中展示的2個(gè)像素，圍著電流源線對稱地排列。即，如圖10所示，通過使電流源線213在鄰近電流源線的兩個(gè)像素間共享，于是所需的線數(shù)能被減少。注意，放置在像素內(nèi)的TFT的結(jié)構(gòu)可被保留。
如果這種構(gòu)造被采用，則將使制造具有高精確度的像素部分將成為可能，以增強(qiáng)圖像的質(zhì)量。
注意，實(shí)施例2的構(gòu)造可采用實(shí)施例1的制造過程輕易的實(shí)現(xiàn)，且對于TFT的結(jié)構(gòu)可參考實(shí)施例1的闡述和圖1的闡述。實(shí)施例3形成具有不同于圖1的結(jié)構(gòu)的像素部分情況，將利用圖11在實(shí)施例3中闡述。注意，第二層間絕緣膜44形成的過程可通過采用與實(shí)施例1一樣的過程完成。而且，被第二層間絕緣膜44覆蓋的開關(guān)TFT201與電流控制TFT202的結(jié)構(gòu)，是與圖1中的結(jié)構(gòu)相同的且他們的闡述因此被省略。
在實(shí)施例3的情況中，在形成位于第二層間絕緣膜44和第一鈍化膜41間的聯(lián)系孔后，形成像素電極51，陰極52和EL層53。在未暴露到大氣中的條件下，通過真空揮發(fā)在實(shí)施例3中也順序形成陰極52和EL層53，且此時(shí)一種紅色激發(fā)EL層，一種綠色激發(fā)EL層，以及一種藍(lán)色激層在通過使用防護(hù)罩材料的像素中被選擇性形成。注意，僅當(dāng)與圖11中所示的像素(其具有相應(yīng)于紅色，綠色，藍(lán)色)一樣結(jié)構(gòu)的像素被形成后，彩色顯示才能通過這些像素完成。一種已知的材料可用作為每個(gè)EL層的色彩。
一種150nm厚的鋁合金膜(包含有1WT％鈦的鋁膜)在實(shí)施例3中被形成作為像素電極51。雖然用作這種用途的是金屬材料，但任何材料者阿用作像素電極的材料，但最好是使用具有高反射性的材料。而且，230nm厚的MgAg電極被用作陰極52，且EL層53的膜厚是90nm(其包括從底部開始的一種20nm電子傳輸層，一種40nm激發(fā)層，以及一種30nm孔傳輸層)。
接下來，由透明的導(dǎo)電膜制成的具有110nm厚度的陽極54(一在實(shí)施例3中的ITO膜)被形成。EL元件209是就是這樣形成的，且如果第二鈍化膜55以實(shí)施例1中所示的同樣的材料制成，則具有圖11中所示結(jié)構(gòu)的像素被完成了。
當(dāng)使用實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)時(shí)，由每一像素生成的紅、綠、藍(lán)光在形成TFT的基片上相反的方向中輻射。因此原因，幾乎在像素的整個(gè)區(qū)域內(nèi)，既TFT形成的這個(gè)區(qū)域中，能被用作有效的激發(fā)區(qū)域。因此，像素的有效激發(fā)光表面區(qū)域被顯著增加且圖像的亮度與對比度(介于亮與黑的比率)被增加。
注意，用實(shí)施例1和2的任何構(gòu)造與實(shí)施例3的構(gòu)造自由組合是可能的。實(shí)施例4形成一種具有不同于實(shí)施例1的圖2的像素結(jié)構(gòu)的情況，將利用圖12A和12B在實(shí)施例4中闡述。
在圖12A中，標(biāo)號1201指開關(guān)TFT，其包含有動(dòng)態(tài)層56，柵極57a，柵極線57b，源極線58，以及漏極線59。而且，標(biāo)號1202指電流控制TFT，其包含有動(dòng)態(tài)層60，柵極61，源極線62以及漏極線63。電流控制TFT1202的源極線62連接到電流源64上，且漏極線63連接到EL元件65上。圖12B展示了該像素的電路組合。
圖12A和圖2A的不同點(diǎn)在于開關(guān)TFT的結(jié)構(gòu)。在實(shí)施例4中，柵極57a以精選的介于0.1到0.5um間的線寬制成。且動(dòng)態(tài)層56被形成以便橫穿過那部分。柵極線57b被形成以便電氣連接到每一像素的柵極57a。一種具有不會(huì)獨(dú)占太多表面區(qū)域的三柵極結(jié)構(gòu)就這樣實(shí)現(xiàn)了。
剩余的部分同圖2A中的相似，且有效激發(fā)表面區(qū)域變大，這是因?yàn)槿绻捎脤?shí)施例4的結(jié)構(gòu)，由開關(guān)TFT專享的表面區(qū)域?qū)⒆冃　Q句話說，圖像亮度被增強(qiáng)。而且，能實(shí)現(xiàn)柵極結(jié)構(gòu)，在其中冗余部分被增加以便減少關(guān)斷電流值，，以及因此圖像質(zhì)量能進(jìn)一步增強(qiáng)。
注意，在實(shí)施例4的構(gòu)造中，同在實(shí)施例2中一樣電流源線64能被鄰近的像素共享，以及類似于實(shí)施例3中的結(jié)構(gòu)也可被使用。而且，其制造過程能采用實(shí)施例1的方式完成。實(shí)施例5采用頂柵極型TFT的例子在實(shí)施例1到4中闡述，且本發(fā)明也可采用底部柵極型TFT來實(shí)施。一種采用反轉(zhuǎn)觸發(fā)型TFT的實(shí)施本發(fā)明的例子在實(shí)施例5中利用圖13闡述。注意，除了TFT的結(jié)構(gòu)，本結(jié)構(gòu)與圖1中的一樣，因此和圖1一樣的符號當(dāng)必要時(shí)將被使用。
在圖13中，和圖1中相似的材料能用在基片11和基膜12中。開關(guān)TFT1301和電流控制TFT1302則被形成在基膜12上。
開關(guān)TFT1301包含有柵極70a和70b；柵極線71；柵極絕緣膜72，源極區(qū)73；漏極區(qū)域74；LDD區(qū)域75a到75d；高濃度雜質(zhì)區(qū)域76；溝道形成區(qū)域77a到77b；溝道保護(hù)膜78a和78b；第一層間絕緣膜79；源極線80；及漏極線81。
而且，電流控制TFT1302包含有柵極82；柵極絕緣膜72；源極區(qū)域83；漏極區(qū)域84；LDD區(qū)域85；溝道形成區(qū)域86；溝道保護(hù)膜87；第一層間絕緣膜79；源極線88；以及漏極線89。柵極82在這點(diǎn)上電氣連接到開關(guān)TFT1301的漏極線81上。
注意，以上開關(guān)TFT1301和電流控制TFT1302可以常見的制造反轉(zhuǎn)觸發(fā)型TFT的方式形成。而且，與在實(shí)施例1中的頂柵極型TFT的相應(yīng)部分使用的相似的材料能用作形成以上TFT中的每一部分(如線，絕緣膜，及動(dòng)態(tài)層)的材料。注意，溝道保護(hù)膜78a，78b，和87其不具有頂柵極型TFT的構(gòu)造，因此可由包含有硅的絕緣膜形成。而且，考慮到諸如源極區(qū)域，漏極區(qū)域，以及LDD區(qū)域的雜質(zhì)區(qū)域的形成，他們可通過使用影印石版術(shù)技術(shù)和單獨(dú)改變雜質(zhì)濃度的方式被形成。
當(dāng)TFT完成時(shí)，完成具有EL元件1303的像素，其中第一鈍化膜41，絕緣膜(整平膜)44，第二鈍化膜49，像素電極(陽極)46，EL層47，MgAg電極(陰極)45，鋁電極(保護(hù)膜)48，以及第三鈍化膜50按順序形成。實(shí)施例1的相應(yīng)的制造過程和所用的材料可被參照。
注意，具有實(shí)施例2到4任一構(gòu)造與實(shí)施例5構(gòu)造的自由組合是可能的。實(shí)施例6使用具有高熱輻射效應(yīng)的材料，其與第一鈍化膜41和第二鈍化膜49的相似，作為形成在實(shí)施例1的圖5C或圖1的結(jié)構(gòu)中介于動(dòng)態(tài)層和基片間的基膜是有效的。尤其，大量電流在電流控制TFT中流過，因此容易產(chǎn)生熱量，并由自身產(chǎn)生的熱量引起的惡化將成為問題所在。在這種情況下，TFT熱惡化能通過使用實(shí)施例6中具有熱輻射效應(yīng)基膜防止。
當(dāng)然，保護(hù)移動(dòng)離子擴(kuò)散遠(yuǎn)離基片的效應(yīng)也很重要，并因此使用含有Si，Al，N，O和M以及與第一鈍化膜41相似的含硅的絕緣膜的化合物的壓制結(jié)構(gòu)是最佳的。
注意，用實(shí)施例1到5任一的構(gòu)造自由地與實(shí)施例6的構(gòu)造相結(jié)合是可能的。實(shí)施例7當(dāng)采用實(shí)施例3中的像素結(jié)構(gòu)時(shí)，從EL層激發(fā)出來的光以與基片相反的方向輻射，因此注意絕緣膜(其存在于基片和像素電極間)等的材料的透射系數(shù)是不必要的。換句話說，具有低透射系數(shù)的材料也可被采用。
因此使用諸如鉆石薄膜，鉆石形碳膜或不定形碳膜的碳膜作為基膜12或第一鈍化膜41是有利的。換句話說，因?yàn)椴豁殦?dān)心降低透射系數(shù)，膜厚可設(shè)的較厚可在100與500nm間，且具有極高熱輻射效應(yīng)是可能的。
考慮到在第二鈍化膜中使用以上所說的碳膜，注意，必須避免透射系數(shù)的減少，因此把膜厚設(shè)在5到100nm間是最佳的。
注意，在實(shí)施例7中，當(dāng)碳膜被用作基膜12，第一鈍化膜41和第二鈍化膜49的任一個(gè)時(shí)，其同別的絕緣膜壓制在一起是有效的。
另外，當(dāng)采用實(shí)施例3中的像素結(jié)構(gòu)時(shí)，其對實(shí)施例7是有效的，以及對別的構(gòu)造也是有效的，具有實(shí)施例1到6的任一構(gòu)造與實(shí)施例7的構(gòu)造自由結(jié)合是可能的。實(shí)施例8在EL顯示裝置的像素中的開關(guān)TFT3的關(guān)斷電流值，通過開關(guān)TFT采用的多柵極結(jié)構(gòu)被減少，且本發(fā)明的特征通過消除儲存電容的需要而表現(xiàn)出來。這是一種為更好利用表面區(qū)域(為儲存電容保留的區(qū)域)作為激發(fā)區(qū)域的裝置。
然而，即使保存電容未被完全消除，通過專用的表面區(qū)域被制成更小的數(shù)量以增加有效的激發(fā)表面區(qū)域的效果也能達(dá)到。換句話說，通過開關(guān)TFT采用的多柵極結(jié)構(gòu)以減少關(guān)斷電流值，以及僅通過儲存電容的專用的表面區(qū)域的收縮，本發(fā)明的目的能被完全充分達(dá)到。
因此使用如圖14中的像素結(jié)構(gòu)是可能的。注意，當(dāng)必須時(shí)，在圖14中能采用同圖1中一樣的符號。
圖14和圖1的不同點(diǎn)在于連接到開關(guān)TFT上的儲存電容1401的存在。該儲存電容1401，通過由開關(guān)TFT201的漏極區(qū)域14，柵極絕緣膜18和電容電極(上層電極)1403擴(kuò)展而來的半導(dǎo)體區(qū)域(下層電極)形成。電容電極1403在與TFT的柵極19a，19b，及35相同的時(shí)間一起形成。
如圖15A中所示的頂視圖。在圖15A中的頂視圖是由相應(yīng)于圖14中沿線A-A’處取來的剖面視圖。如圖1 5A中所示的，通過電氣上連接到電容電極1403的連接線1404，電容電極1403電氣上連接到電流控制TFT的源極區(qū)域31上。注意，該連接線1404，同時(shí)與源極線21和36及漏極線22和27一起形成。而且，圖15B展示了圖15A中頂視圖的電路構(gòu)造。
注意，實(shí)施例8的構(gòu)造能同實(shí)施例1到7的任一構(gòu)造自由組合。換句話說，僅本諸存電容形成在像素中，而無任何限制相加到相應(yīng)的TFT結(jié)構(gòu)或EL層材料中。實(shí)施例9在實(shí)施例1中，激光晶化被用作形成晶體硅膜302的方式，而且在實(shí)施例9中闡述了使用不同結(jié)晶方式的情況。
在實(shí)施例9中，形成不定型硅膜后，結(jié)晶通過采用日本專利申請公開號平7-130652中記錄的技術(shù)完成。在以上專利申請中記錄的技術(shù)是通過使用諸如鎳的元素作為催化劑以促進(jìn)結(jié)晶而獲取的一種具有好的晶體結(jié)構(gòu)的晶體硅膜技術(shù)。
而且，在結(jié)晶過程完成后，去除用于結(jié)晶中的催化劑的過程可被完成。在這種情況下，催化劑通過使用日本專利申請公開號平10-270363或日本專利申請公開號平8-330602中記錄的技術(shù)，可被獲取。
另外，通過本發(fā)明的使用者使用日本專利申請公開號平11-076967號的規(guī)范中記錄的技術(shù)可形成一種TFT。
實(shí)施例1中展示的制造過程，是本發(fā)明的一種實(shí)施例，且提供有實(shí)施例1的圖1或圖5C結(jié)構(gòu)能被實(shí)現(xiàn)。然而別的制造過程，也可如同以上的方式無任何問題的使用。
注意，具有實(shí)施例1到8的任一種構(gòu)造與實(shí)施例9的構(gòu)造自由結(jié)合是可能的。實(shí)施例10在驅(qū)動(dòng)本發(fā)明的EL顯示裝置中，模擬驅(qū)動(dòng)能通過使用模擬信號作為圖像信號完成，且數(shù)字驅(qū)動(dòng)能通過使用數(shù)字信號完成。
當(dāng)模擬驅(qū)動(dòng)完成時(shí)，模擬信號發(fā)送到開關(guān)TFT的源極線上，且其含有灰階信息的模擬信號成為電流控制TFT柵極電壓。EL元件中流動(dòng)的電流則被電流控制TFT所控制，EL元件的激發(fā)光強(qiáng)度被控制，且灰階顯示完成。在這種情況下，使電流控制TFT工作在飽和區(qū)域是最佳的。換句話說，使TFT在|Vds|＞|Vgs-Vth|的條件下工作是最佳的。注意，Vds是介于源極區(qū)域和漏極區(qū)域的電壓差，Vgs是介于電極間的電壓差，以及Vth是TFT的極限電壓。
在另一方面，當(dāng)數(shù)字驅(qū)動(dòng)完成時(shí)，它不同于模擬型灰度顯示，且灰階顯示通過分時(shí)驅(qū)動(dòng)完成(時(shí)間比率灰階驅(qū)動(dòng))或表面區(qū)域率灰階驅(qū)動(dòng)。既，通過規(guī)定激發(fā)時(shí)間或激發(fā)表面比率，彩色灰階當(dāng)發(fā)生變化時(shí)灰階能被視覺地看到。在這種情況下，使電流控制TFT的工作在一線性區(qū)域是最佳的。換句話說，使TFT工作在(|Vds|＜|Vgs-Vth)的條件之內(nèi)是最佳的。
與液晶元件相比，EL元件具有極快的響應(yīng)速度，因此使其具有高速驅(qū)動(dòng)是可能的優(yōu)點(diǎn)。因此，EL元件適合于時(shí)間比率灰階驅(qū)動(dòng)，其中一幀圖像被分成許多幅子幀后再完成灰階顯示。而且，它具有每幀周期短的優(yōu)勢，因此電流控制TFT的柵極電壓維持的時(shí)間也可縮短，以及儲存電容能被減小或去除。
本發(fā)明是涉及到元件結(jié)構(gòu)的技術(shù)，因此任何驅(qū)動(dòng)形式都可這樣使用。實(shí)施例11在實(shí)施例11中，采用本發(fā)明的EL顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的例子展示在圖21A和21B中。注意，在實(shí)施例11中，標(biāo)號4701是指開關(guān)TFT4702的源極線，標(biāo)號4703指開關(guān)TFT4702的柵極線，標(biāo)號4704是指電流源TFT，標(biāo)號4705是指電流源線，標(biāo)號4706指電源控制TFT，標(biāo)號4707指電源控制柵極線，以及4708指EL元件。日本專利申請公開號平11-341272可被用作相應(yīng)的電源控制TFT4706工作方式的參考。
而且，在實(shí)施例11中，電源控制TFT4706被形成在電流控制TFT4704和EL元件4708間，但具有形成在電源控制TFT4706和EL元件4708間的電流控制TFT4704的結(jié)構(gòu)也可被采用。另外，讓電源控制TFT4706與電流控制TFT4704具有相同結(jié)構(gòu)或讓兩者通過動(dòng)態(tài)層順序形成是最佳的。
圖21A是一種電流源被兩像素共享的情況。既，這種特性表現(xiàn)在沿著電流源線4705線性對稱的形成這兩個(gè)像素上。在這種情況下，電流源線的數(shù)量能被減少，因此像素部分能做的更精密。
而且，圖21B是形成有與柵極線4703并行的電流源線4710的例子，且在其中形成有與源極線4701并行的電源控制柵極線4711。注意，在圖23B中，形成該結(jié)構(gòu)以便電流源線4710和柵極線4703不會(huì)重疊，但供應(yīng)給這兩者的是夾著絕緣膜在不同層上形成的線，則它們能被重疊。在這種情況下，電流源線4710和柵極線4703的專用表面區(qū)域能被共享，且像素部分甚至能做的更精確些。實(shí)施例12在實(shí)施例12中，采用本發(fā)明的EL顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的例子展現(xiàn)在圖22A和22B中。注意，在實(shí)施例12中標(biāo)號4801指開關(guān)TFT4802的源極線，標(biāo)號4803指開關(guān)TFT4802的柵極線，標(biāo)號4804指電流控制TFT，4805指電流源線，4806指擦除TFT，4807指擦除柵極線以及4808指EL元件。日本專利申請公開號平11-338786可作為相應(yīng)的擦除TFT4806工作方式的參考。
可擦除TFT4806的漏極被連接到電流控制TFT4804的柵極上，且這使強(qiáng)行改變電流控制TFT4804的柵極電壓成為可能。注意，n溝道TFT或P溝道TFT可用作擦除TFT4804，但使其同開關(guān)TFT4802具有相同的結(jié)構(gòu)以便使關(guān)斷電流值能小些是最佳的。
圖22A是一種電流源線4805被兩個(gè)像素所共享的情況。既，這種特征表現(xiàn)為沿著電流源線4805線性對稱的形成這兩個(gè)像素。在這種情況下，電流源線數(shù)能被減少因此像素部分能做的更精密一些。
另外，圖22B是一種形成有與柵極線4803并行的電流源線4810的例子，且在其中形成有與源極線4801并行的擦除柵極線4811。注意，在圖22B中，形成本結(jié)構(gòu)以便電流源線和柵極線4803不會(huì)重疊，但兩者夾著一層絕緣膜在不同層上形成有線時(shí)，則它們能重疊形成。在這種情況下，電流源線4810和柵極線4803的專用表面區(qū)域能被共享，且像素部分能做的更精密。實(shí)施例13采用本發(fā)明的EL顯示裝置，可具有多個(gè)TFT形成在一個(gè)像素中的結(jié)構(gòu)。在實(shí)施例11和12中，展示的是形成有3個(gè)TFT的例子，但也可形成4到6個(gè)TFT結(jié)構(gòu)。不對EL顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)設(shè)定任何限制，而實(shí)施本發(fā)明是可能的。實(shí)施例14使用一種P溝道TFT作為圖1中電流控制TFT202的例子，闡述在實(shí)施例14中。注意，剩余部分與圖1中的部分相同，因此剩余部分的詳細(xì)闡述被省略了。
一種實(shí)施例14的像素結(jié)構(gòu)的剖面視圖展現(xiàn)在圖23中。實(shí)施例1可作為在實(shí)施例14中使用的P溝道TFT制造方式的參照。一種P溝道TFT的動(dòng)態(tài)層包含有源極區(qū)2801，漏極區(qū)域2802以及溝道形成區(qū)域2803，且源極區(qū)域2801連接到源極線36上，以及漏極區(qū)域連接到漏極線37上。
在EL元件的陽極連接到電流控制TFT的例子中，使用P溝道TFT作為電流控制TFT是最佳的。
注意，通過把實(shí)施例1到13的任一種構(gòu)造與實(shí)施例14的構(gòu)造自由地相結(jié)合以貫徹實(shí)施例14的構(gòu)造是可能的。實(shí)施例15通過使用EL材料，其中從三態(tài)電子空穴中激發(fā)的磷光能被用在實(shí)施例15的光線發(fā)射中，外部發(fā)射量子效率能被極大增加。通過這樣做，可使EL元件具有低功耗，長壽命以及降低EL元件重量。
應(yīng)用三態(tài)電子空穴和增加外部發(fā)射量子效率的報(bào)道在以下文章中展示。Tsutsui，T.，Adachi，C.，and Saito，S.，在有機(jī)分子系統(tǒng)中的光化學(xué)過程，Ed.Honda，K.，(Elsevier Sci.Pub.Tokyo，1991)，P.437。
在以上文章中報(bào)道的EL材料(香豆素色素)的分子式，展現(xiàn)在以下中。[分子式8]
Baldo，M.A.，O′Brien，D.F.，You，Y.，Shoustikov，A.，Sibley，s.，Thompson，M.E.，andForrest，S.R.，Nature 395(1998)P.151.
在以上文章中報(bào)道的EL材料(Pt合成物)的分子式，展現(xiàn)在以下中。[分子式9]
Baldo，M.A.，Lamansky，s.，Burrows，P.E.，Thompson，M.E.，and Forrest，S.R.，Appl.Phys.Lett.，75(1999)P.4。Tsutui，T.，Yang，M.J.，Yahiro，M.，NaKamura，K.，Watanabe，T.，Tsuji，T.，F(xiàn)ukuda，Y.，Wakimoto，T.，Mayaguch，S.，Jpn.Appl.Phys.，38(12B)(1999)L1502.
在以上文章中報(bào)道的EL材料(IR合成物)的分子式，展現(xiàn)在以下中。[分子式10]
由于所提供的來自三態(tài)電子空穴激發(fā)的磷光能被利用，則在原理上，實(shí)現(xiàn)一外部發(fā)射量子效率3到4倍高于使用單態(tài)電子空穴激發(fā)的磷光是可能的。注意，實(shí)施例1到13的任一種構(gòu)造與實(shí)施例15的構(gòu)造自由結(jié)合以貫徹實(shí)施例15的構(gòu)造是可能的。實(shí)施例16在實(shí)施例1中，把一種有機(jī)EL材料用作EL層是最佳的，但本發(fā)明也可通過使用無機(jī)EL材料得以實(shí)施。然而，現(xiàn)在的無機(jī)EL材料具有極高的驅(qū)動(dòng)電壓，因此具有電壓阻抗特性的能保留驅(qū)動(dòng)電壓的TFT必須用在執(zhí)行模擬驅(qū)動(dòng)的例子中。
作為選擇，如果具有比傳統(tǒng)的EL無機(jī)材料更低驅(qū)動(dòng)電壓的無機(jī)EL材料被開發(fā)了，則把它們用于本發(fā)明是可能的。
而且，把實(shí)施例1到14的任一種構(gòu)造與實(shí)施例1構(gòu)造自由結(jié)合起來是可能的。實(shí)施例17由實(shí)施本發(fā)明形成的有源矩陣型EL顯示裝置(EL模塊)具有比液晶顯示裝置在明亮區(qū)域更優(yōu)越的可見性，因?yàn)樗亲园l(fā)射型裝置。因此用作直觀型EL顯示器(包括含有EL模塊的顯示器)裝置其具有寬廣的使用范圍。
注意，寬視角能作為EL顯示器比液晶顯示器更好的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明中的EL顯示器因此可用作具有30英寸或更大的(尤其等于40英寸或更大)的對角線顯示器(顯示監(jiān)視器)，以適用于電視廣播用的大屏幕。
而且，不僅可用作EL顯示器(如個(gè)人計(jì)算機(jī)監(jiān)視器，電視廣播接收監(jiān)視器，或廣告顯示監(jiān)視器)，它也能用作不同電子裝置的顯示器。
以下可作為這種電子裝置的例子視頻相機(jī)，數(shù)字相機(jī)，眼鏡型顯示器(跨接在頭上的顯示器)，車載導(dǎo)航系統(tǒng)，個(gè)人計(jì)算機(jī)，便攜式信息終端(如移動(dòng)計(jì)算機(jī)，移動(dòng)電話，或電子圖書)，及圖像重放裝置，其使用記錄介質(zhì)(尤其是一種完成記錄介質(zhì)重放的裝置且其具有一顯示器其能顯示這些圖象，如壓縮盤(CD)，激光盤(LD)或數(shù)字視頻盤(DVD))。這些電子裝置的例子展現(xiàn)在圖16A到16F中。
圖16A是一種個(gè)人計(jì)算機(jī)，包含有主機(jī)2001，外殼2002，顯示部分2003，鍵盤2004。本發(fā)明可用于顯示部分2003中。
圖16B是一種視頻相機(jī)，其包含有主機(jī)2101，顯示部分2102，音頻輸入部分2103，操作開關(guān)2104，電池2105以及圖像接收部分2106。本發(fā)明可用于顯示部分2102中。
圖16C是一種眼鏡型顯示器其包含有主機(jī)2201，顯示部分2202，以及臂桿部分2203。本發(fā)明可用于顯示部分2202中。
圖16D是一種手提式計(jì)算機(jī)其包含有主機(jī)2301，相機(jī)部分2302，圖像接收部分2303，操作開關(guān)2304，以及一個(gè)顯示部分2305。本發(fā)明能用于顯示部分2305中。
圖16E是一種圖像重放裝置(特別地，DVD播放裝置)，其具有記錄介質(zhì)，包含有主機(jī)2401，記錄介質(zhì)(如CD，LD或DVD)2402，操作開關(guān)2403，以及顯示部分(a)2404，以及顯示部分(b)2405。顯示部分(a)主要用于顯示圖像信息，圖像顯示部分(b)主要用于顯示字符信息。本發(fā)明可用于圖像顯示部分(a)和圖像顯示部分(b)中。注意，本發(fā)明可用于在具有記錄介質(zhì)的圖像重放裝置中，如CD播放裝置和游戲裝置中。
圖16F是一種EL顯示器，包含有外殼2501，支撐座2502以及顯示部分2503。本發(fā)明能用于顯示部分2503中。采用本發(fā)明EL顯示器在大屏幕的例子中特別有優(yōu)勢，且在具有對角線大于或等于10英寸(尤其在大于或等于30英寸中)的顯示器中有促進(jìn)作用。
而且，如果EL材料的激發(fā)發(fā)光在將來得以提高，則有可能將本發(fā)明采用到前投影型或背投影型儀器中。
以上的電子裝置，正變得越來越廣泛地用于顯示由電子發(fā)射電路，如Internet(因特網(wǎng))或CATV(有線電視)，所提供的信息。且特別地，隨著顯示實(shí)時(shí)信息的機(jī)會(huì)正在增加，由于EL材料的響應(yīng)速度是極高的，因此EL顯示器適合于完成這種形式的顯示工作。
EL顯示器的發(fā)射部分消耗電能，因此顯示信息以便使發(fā)射部分盡可能小一些是最佳的。因此，當(dāng)把EL顯示裝置主要用于顯示字符信息的顯示部分時(shí)，如可移動(dòng)的信息終端，尤其是汽車語音系統(tǒng)的移動(dòng)電話，通過設(shè)置非發(fā)射部分作為背景及在發(fā)射部分形成字符信息，以驅(qū)動(dòng)它這是最佳的。
圖20A是便攜式移動(dòng)電話，包含主機(jī)2601，音頻輸出部分2602，音頻輸入部分2603，顯示部分2604，操作開關(guān)2605以天線部分2606。本發(fā)明的EL顯示裝置能用在顯示部分2604中。注意，通過在顯示部分2604中在黑背景下顯示白色字符，手提電話的能耗能減低。
圖20B是一種車載音頻系統(tǒng)(汽車音響系統(tǒng))，其包含有主機(jī)2701，顯示部分2702，及操作開關(guān)2703和2704。本發(fā)明的EL顯示裝置能用于顯示部分2702中。而且，在實(shí)施例17中展示有車載音響系統(tǒng)，但桌面型音響系統(tǒng)也可采用。注意，通過在顯示部分2702中的黑色背景下顯示白色字符，能降低能耗。
本發(fā)明的應(yīng)用范圍是極廣泛的，且把本發(fā)明應(yīng)用到所有領(lǐng)域的電子裝置中是可能的。而且，實(shí)施例17中的電子裝置能通過采用實(shí)施例1到16的任一構(gòu)造得以實(shí)現(xiàn)。
通過采用本發(fā)明，有可能形成這樣的象素，其中在同一個(gè)基片上形成有的多個(gè)TFT，這些TFT具有與各種相應(yīng)元件所需的要求相適應(yīng)的最佳性能。且有源矩陣型EL顯示裝置的工作性能和可靠性能極大地增加。
而且，通過把這種形式的EL顯示器作為顯示器，使生產(chǎn)采用本發(fā)明的產(chǎn)品(電子設(shè)備)具有好的圖像質(zhì)量和持續(xù)性(高可靠性)成為可能。
權(quán)利要求
1.一種具有像素的電光裝置，包括第一TFT；第二TFT，包含電連接到第一TFT的柵極；以及電連接到第二TFT的EL元件，其中第一TFT包含一動(dòng)態(tài)層，在其上形成有2個(gè)或更多的順序連接的溝道形成區(qū)域。
2.一種具有像素的電光裝置，包括第一TFT；第二TFT，包含電連接到第一TFT的柵極；以及電連接到第二TFT的EL元件，其中第一TFT包含一動(dòng)態(tài)層，在其上形成有2個(gè)或更多的順序連接的溝道形成區(qū)域，且第二TFT的溝道寬度比第一TFT的溝道寬度更寬。
3.一種具有像素的電光裝置，包括第一TFT；第二TFT，包含電連接到第一TFT的柵極；以及電連接到第二TFT的EL元件，其中第一TFT包含一動(dòng)態(tài)層，在其上形成有2個(gè)或更多的順序連接的溝道形成區(qū)域，且建立有一個(gè)W2/L2≥5×W1/L1的等式，其中W2是第二TFT的溝道寬度，L2是第二TFT的溝道長度，W1是第一TFT的溝道寬度，L1是第一TFT的溝道長度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的電光裝置，其特征在于，第二TFT的溝道長度(L2)在0.1到50μm間，第二TFT的溝道寬度(W2)在0.5到30μm間，第一TFT的溝道長度(L1)在0.2到18μm間，第一TFT的溝道寬度(W1)在0.1到5μm間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的電光裝置，其特征在于，第一TFT是開關(guān)TFT，而第二TFT是一電流控制TFT。
6.根據(jù)權(quán)利要求2的電光裝置，其特征在于，第一TFT是開關(guān)TFT，而第二TFT是一電流控制TFT。
7.根據(jù)權(quán)利要求3的電光裝置，其特征在于，第一TFT是開關(guān)TFT，而第二TFT是一電流控制TFT。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的電光裝置，其特征在于，第一TFT的LDD區(qū)域這樣形成，使得通過在兩者間插入一柵極絕緣膜不會(huì)重疊第一TFT的柵極，并且第二TFT的一部分或全部LDD區(qū)域這樣形成，使得覆蓋第二TFT的柵極。
9.根據(jù)權(quán)利要求2的電光裝置，其特征在于，第一TFT的LDD區(qū)域這樣形成，便得通過在兩者間插入一柵極絕緣膜不會(huì)重疊第一TFT的柵極，并且第二TFT的一部分或全部LDD區(qū)域這樣形成，使得覆蓋第二TFT的柵極。
10.根據(jù)權(quán)利要求3的電光裝置，其特征在于，第一TFT的一部分或全部LDD區(qū)域這樣形成，使得通過在兩者間插入一柵極絕緣膜不會(huì)重疊第一TFT的柵極，并且第二TFT的LDD區(qū)域這樣形成，使得覆蓋第二TFT的柵極。
11.一種包含有根據(jù)權(quán)利要求1的電光裝置的電子裝置。
12.一種包含有根據(jù)權(quán)利要求2的電光裝置的電子裝置
13.一種包含有根據(jù)權(quán)利要求3的電光裝置的電子裝置
14.一種選自視頻相機(jī)，數(shù)字相機(jī)，眼鏡型顯示器，車載導(dǎo)航系統(tǒng)，個(gè)人計(jì)算機(jī)，移動(dòng)計(jì)算機(jī)，手持電話，電子圖書，使用記錄介質(zhì)的圖像重放裝置的電子裝置，其包含一種根據(jù)權(quán)利要求1的電光裝置。
15.一種選自視頻相機(jī)，數(shù)字相機(jī)，眼鏡型顯示器，車載導(dǎo)航系統(tǒng)，個(gè)人計(jì)算機(jī)，移動(dòng)計(jì)算機(jī)，手持電話，電子圖書，使用記錄介質(zhì)的圖像重放裝置的電子裝置，其包含一種根據(jù)權(quán)利要求2的電光裝置。
16.一種選自視頻相機(jī)，數(shù)字相機(jī)，眼鏡型顯示器，車載導(dǎo)航系統(tǒng)，個(gè)人計(jì)算機(jī)，移動(dòng)計(jì)算機(jī)，手持電話，電子圖書，使用記錄介質(zhì)的圖像重放裝置的電子裝置，其包含一種根據(jù)權(quán)利要求3的電光裝置。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種具有高工作性能和可靠性的EL顯示裝置。開關(guān)TFT201形成在具有多柵極結(jié)構(gòu)的像素中,多柵極結(jié)構(gòu)是一種把重要性關(guān)注在減少關(guān)斷電流值的結(jié)構(gòu)。而且,電流控制TFT202具有比開關(guān)TFT更寬的溝道寬度,以制成適合于電流流動(dòng)的結(jié)構(gòu)。此外,形成有電流控制TFT202的LDD區(qū)域33以便重疊一柵極35的一部分,從而制成一種關(guān)注于防止熱載波信號注入和降低關(guān)斷電流值的結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01L51/52GK1278109SQ00124108
公開日2000年12月27日 申請日期2000年6月3日 優(yōu)先權(quán)日1999年6月4日
發(fā)明者山崎舜平, 小山潤, 山本一宇, 小沼利光 申請人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所