專(zhuān)利名稱(chēng)：低溫?zé)Y(jié)材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及低溫?zé)Y(jié)材料，特別是一種低溫?zé)Y(jié)材料。
隨著電子技術(shù)的數(shù)字化、電子設(shè)備的薄輕小化對(duì)電感器小型化、片式化、復(fù)合化、高性能、高可靠的要求越來(lái)越強(qiáng)烈。在電感器件市場(chǎng)的劇烈競(jìng)爭(zhēng)中，新技術(shù)和新材料已成為發(fā)展的主流方向。低溫?zé)Y(jié)瓷料的研究旨在利用國(guó)產(chǎn)原材料，開(kāi)發(fā)生產(chǎn)高性能低溫?zé)Y(jié)多層片式電感器(MLCI)用材料。目前，國(guó)內(nèi)尚未見(jiàn)有使用低溫?zé)Y(jié)材料制作片式電感器的生產(chǎn)單位，而一種既做到了高性能，磁導(dǎo)率更高，又能適應(yīng)多層片式電感器生產(chǎn)的流延疊層工藝及與全銀內(nèi)導(dǎo)體匹配共燒的工藝，更適于制作小體積大感量的多層片式電感器的低溫?zé)Y(jié)材料目前在世面上還未有出現(xiàn)。
本發(fā)明的目的就是針對(duì)上現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，提供一種低溫?zé)Y(jié)材料，高性能，磁導(dǎo)率更高，又能適應(yīng)多層片式電感器生產(chǎn)的流延疊層工藝及與全銀內(nèi)導(dǎo)體匹配共燒的工藝，更適于制作小體積大感量的多層片式電感器。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種鐵氧體組合物，它包括Fe2O3、ZnO、Ni2O3、CuO、Co3O4、Bi2O3，其重量百分比為Fe2O348-75％、ZnO8-25％、Ni2O35-20％、CuO5-10％、Co3O40.05-0.5％、Bi2O30.5-5％。它還包括Fe2O3、ZnO、Ni2O3、CuO、Co3O4、Bi2O3、NiO、PbO，其重量百分比為Fe2O345-75％、ZnO10-25％、CuO5-10％、Co3O40.05-0.5％、Bi2O32.5-5％、NiO5-20％、Pbo1-3％。一種低溫?zé)Y(jié)材料，它是由所述的鐵氧體組合物在900℃或900℃以下燒結(jié)而成；還可以在850-896℃以下燒結(jié)而成，也還可以在865℃以下燒結(jié)而成；還可以在896℃以下燒結(jié)而成。一種低溫?zé)Y(jié)材料的制備方法，它包括所述的鐵氧體組合物，將(以wt％計(jì))Fe2O348-75％、ZnO10-25％、Ni2O35-25％、CuO1-10％、Co3O40.05-0.5％、Bi2O30.5-5％充分混合進(jìn)行一次配料→一次球磨→干燥→預(yù)燒→二次配料→研磨→燒結(jié)；所述的制備方法干燥后還需打粉或過(guò)篩或研磨后還需混漿→干燥→打粉/過(guò)篩。一種低溫?zé)Y(jié)材料的制備方法，包括所述的鐵氧體組合物，它包括Fe2O3、ZnO、Ni2O3、CuO、Co3O4、Bi2O3，將(以wt％計(jì))Fe2O348-75％、ZnO8-25％、NiO5-25％、CuO5-10％、Co3O40.05-0.5％、Bi2O30.5-5％充分混合進(jìn)行一次配料→一次球磨→干燥→預(yù)燒→二次配料→研磨→燒結(jié)。
附圖的圖面說(shuō)明如下

圖1是本發(fā)明的磁飽和強(qiáng)度Ms與X間的關(guān)系圖，圖2是本發(fā)明的多晶鐵氧體有效初始磁導(dǎo)率μeo與X的關(guān)系圖，圖3是本發(fā)明的低溫?zé)Y(jié)的瓷體結(jié)構(gòu)，圖4是本發(fā)明的不同燒結(jié)溫度下多層片式電感器瓷體的SEM圖，圖5是本發(fā)明的不同燒溫下材料所制作片式電感元件RDC的變化圖。
表1是本發(fā)明鐵氧體的比表面積與可燒結(jié)溫度。
下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳述多層片式電感器的電感量與元件結(jié)構(gòu)及材料性能的關(guān)系可以表示為L(zhǎng)=LoNX(1)這里，N是內(nèi)電極線(xiàn)圈的匝數(shù)；系數(shù)X的取值一般在1.30-1.42之間；L0是單匝線(xiàn)圈的電感量。從(1)式可見(jiàn)，研制大感量的多層片式電感器可以a、增大線(xiàn)圈的匝數(shù)；b、增大單匝線(xiàn)圈的電感量L0。
由于線(xiàn)圈匝數(shù)多的大感量多層片式電感器，層間連接點(diǎn)較多，常常會(huì)因品質(zhì)因素Q大幅度降低而導(dǎo)致多層片式電感器在制作過(guò)程中產(chǎn)品合格率大為降低。
低溫?zé)Y(jié)瓷料的主要技術(shù)指標(biāo)要求如下初始磁導(dǎo)率μI(1MHz)400±20％品質(zhì)因數(shù)Q(1MHz)≥100磁導(dǎo)率比溫度系數(shù)αμr≤10×10-6/℃體積電阻率ρv＞108Ω.cm居里溫度Tc7120℃燒結(jié)溫度TS≤900℃燒結(jié)后瓷體的晶粒粒徑D1～3μm初始磁導(dǎo)率μI在較寬的燒結(jié)溫區(qū)內(nèi)穩(wěn)定在400左右。
初始磁導(dǎo)率μI是指材料在弱磁場(chǎng)磁化過(guò)程中的一個(gè)宏觀特性表示量。根據(jù)定義有μi=limH→0BH---<2>]]>它的微觀機(jī)制是可逆磁疇矢量轉(zhuǎn)動(dòng)和可逆疇壁位移。初始磁導(dǎo)率是這兩個(gè)磁化過(guò)程的迭加，即μi=μi-spim+μi-dw(3)對(duì)于具有材料，有的以疇壁移為主，μi≈μi-dw；有的以疇為主，μ≈μi-spim。低溫?zé)Y(jié)瓷料由于要求平均晶粒尺寸小于3μm，且為提高品質(zhì)因素Q引入了一定量的改性劑Co3O4，故在弱場(chǎng)下磁化機(jī)制主要是可逆疇轉(zhuǎn)。
當(dāng)由疇轉(zhuǎn)過(guò)程引起初始磁導(dǎo)率時(shí)，μI和截止頻率fr的乘積為一個(gè)受材料內(nèi)稟特性(r和Ms)所決定的恒量，即Sneok關(guān)系(μi-1)fr=γ3πMs---<4>]]>一般來(lái)說(shuō)，μI受材料組分和微觀結(jié)構(gòu)的影響。由于多層片式電感器用材料要求結(jié)構(gòu)致密、晶粒細(xì)小而均勻(1-3μm)。故值μI主要由材料組分決定。μi∝Ms2aK+bλσ---<5>]]>這里，Ms-磁飽和極化強(qiáng)度；K-磁晶各向異性常數(shù)；λ-磁致伸縮常數(shù)；o-內(nèi)應(yīng)力，a、b為常數(shù)。
對(duì)NiCuZn鐵氧體，磁飽和強(qiáng)度Ms與Ni/Zn比有關(guān)，如圖1所示。
NiCuZn鐵氧體材料在不加任何燒結(jié)促進(jìn)劑的情況下，系統(tǒng)的燒結(jié)溫度一般在1000℃以上。要使鐵氧體與純銀內(nèi)導(dǎo)體共燒匹配，需進(jìn)一步降低其燒結(jié)溫度。而常用的降低鐵氧體燒結(jié)溫度方法主要有(1)引入低熔點(diǎn)物質(zhì)或能與鐵氧體基方中某些成份形成低共熔點(diǎn)的添加劑，以便在較低溫度下形成液相過(guò)渡燒結(jié)。
(2)利用超細(xì)磨獲取平均粒徑很小的粉體，利用微細(xì)粒子具有的高表面活化能作為燒結(jié)推動(dòng)力實(shí)現(xiàn)低溫?zé)Y(jié)。
研究表明，兩個(gè)技術(shù)相結(jié)合是實(shí)現(xiàn)900℃內(nèi)燒結(jié)成瓷的較好手段。
值得注意的是低熔點(diǎn)物質(zhì)或能與鐵氧體基方中某些成份形成低共熔點(diǎn)的添加劑一般都是非磁相。從M.T.Johnson和E.G.Visser多晶鐵氧體相關(guān)性模型來(lái)看，非磁性晶界相將從以下幾個(gè)方面影響復(fù)磁導(dǎo)率磁譜，μe′=μeo1+f2(μeoμiofr)2=μeo1+(ffr′)2----<6>]]>μe′′=μe0f(μe0μi0fr)1+f2(μe0μi0fr)2=μe0ffr′1+(ffr′)2---<7>]]>μe0=μi0(1+x)1+xμi0---<8>]]>fr′=μi0μe0fr---<9>]]>這里，μe、μe分別是多晶鐵氧體復(fù)磁導(dǎo)率的實(shí)部和虛部；μeo、μio分別是低頻下多晶鐵氧體的有效磁導(dǎo)率和晶粒的本征磁導(dǎo)率；f是頻率；fr、fr分別是晶粒的本片截止頻率和多晶鐵氧體的有效截止頻率；x是晶界尺寸與晶粒尺寸的比值。
(6)(7)(8)(9)式顯示，多晶鐵氧體的有效磁導(dǎo)率大小和晶界尺寸與晶粒尺寸的比值x有著非常重要的聯(lián)系，μeo隨x增大而減小，fr’隨x增大而增大，μeo與fr的乘積符合Snoeks定律，即μe0×fr′=μe0×μi0μe0fr=μi0×fr=Snoeks const.]]>。<9>
假設(shè)晶粒的本片初始磁導(dǎo)率μio為2000，利用式(8)作X與μeo的關(guān)系圖(見(jiàn)圖2)，看出，當(dāng)平均晶粒尺寸為3μm，平均晶界寬度為3nM時(shí)，多晶鐵氧體的初始有效磁導(dǎo)率μio下降為666.7，也即將近為晶粒本征初始磁導(dǎo)率的三分之一。在瓷料的配方中，其重點(diǎn)是先選擇高的初始磁導(dǎo)率基方，然后盡可能地增大瓷體的致密度，減小非磁性晶界的寬度。
減小非磁性晶界寬度的方法可以是1、盡可能減少非磁性低熔點(diǎn)物質(zhì)的使用量2、適當(dāng)提高基方中Cu的含量，以形成過(guò)渡液相燒結(jié)，增加瓷體致密度；3、合理控制在較低的預(yù)燒溫度，采用超細(xì)磨獲得比表面積大的粉體，提高燒成過(guò)程中的反應(yīng)推動(dòng)力。
本發(fā)明獲得高初始磁導(dǎo)率μI值的基方。經(jīng)過(guò)大量的Ni/Zn比、Cu含量、缺鐵量以及添加劑Co3O4含量的實(shí)驗(yàn)研究，并參照?qǐng)D1的數(shù)據(jù)，得出性能優(yōu)良的高μI值基方?；降呐浞绞綖閇(NixZny)1-zCuz]Fe2-5O4-25+kwt％Co3O4式中x/y=0.38-0.24,z=0.16-0.19,δ=0.02-0.07,k=0.05-0.08。基方的主要性能如下μi=800-1000, Q=45-65,ρv＞106Ωm,αμr＜10-6/℃, Ts=960-980℃要制作高性能低溫?zé)Y(jié)多層片式電感器(MLCI)和磁珠，必須實(shí)現(xiàn)瓷料的低溫?zé)Y(jié)。降低磁料燒結(jié)溫度的方法主要有(1)引入低熔點(diǎn)物質(zhì)。常用的有V2O5、PbO、Bi2O3、B2O3等氧化物或這些氧化物組成的玻璃等。(2)增大NiCuZn鐵氧體粉的比表面積。
實(shí)驗(yàn)顯示V2O5與Bi2O3的降溫效果比PbO、B2O3好，但V2O5會(huì)導(dǎo)致品質(zhì)因數(shù)Q下降。對(duì)于平均粒度為2.0μm的某種NiCuZn鐵氧體材料，添加2％的Bi2O3可實(shí)現(xiàn)在865℃～895℃內(nèi)燒結(jié)，但卻存在(1)起始磁導(dǎo)率μI下降太多。(2)晶粒生長(zhǎng)不均勻，局部生長(zhǎng)過(guò)大。(3)晶粒粒徑受燒結(jié)溫度的影響太大。(4)起始磁導(dǎo)率受燒結(jié)溫度影響太大。
對(duì)這些問(wèn)題進(jìn)行分析后發(fā)現(xiàn)，燒結(jié)后起始磁導(dǎo)率μI的高低與Bi2O3的添加量有關(guān)。
Bi2O3在燒結(jié)后通常以玻璃相的形式存在于晶界中，使晶界厚度的增加，從而導(dǎo)致起始磁導(dǎo)率μI大幅度地降低。添加2％的Bi2O3后μI已達(dá)不到400±20％。
晶粒局部生長(zhǎng)不均勻是液相燒結(jié)所致。小顆粒因表面能大，在液相傳質(zhì)作用下，小晶粒不斷減小，大晶粒不斷長(zhǎng)大。而中等大小的顆粒生長(zhǎng)較慢，這樣就造成了晶粒生長(zhǎng)的不均勻。燒結(jié)溫度越高，鐵氧體晶粒長(zhǎng)得越大。
鐵氧體的μI的大小受晶粒大小的影響極大。晶粒粒徑受燒結(jié)溫度的影響了造成了起始磁導(dǎo)率μI受燒結(jié)溫度的影響大。故單純采用Bi2O3的方法不行。
增大NiCuZn鐵氧體的比表面積可以促進(jìn)燒結(jié)(見(jiàn)表1)。
將NiCuZn鐵氧體粉體比表面積增大到26.42m2/g以上可實(shí)現(xiàn)900℃以?xún)?nèi)燒結(jié)。但將NiCuZn鐵氧體粉體表面積增大到26.42m2/g以上，需砂磨很長(zhǎng)的時(shí)間，會(huì)使生產(chǎn)周期太長(zhǎng)，并會(huì)增加成本。
比表面積太大的NiCuZn鐵氧體粉體在制作多層片式電感器元件的過(guò)程中因太大的比表面積使粉體顆粒的表面活性強(qiáng)，在流延中粉體顆粒易于聚團(tuán)，致使多層片式電感器的內(nèi)導(dǎo)體間的鐵氧體材料厚度不一致，電感量Ls偏離設(shè)計(jì)值。粉體聚團(tuán)還會(huì)使生產(chǎn)出的多層片式電感器的斷路率增加。
故單純采用增大NiCuZn鐵氧體粉體的比表面積的不行。
低溫?zé)Y(jié)瓷料采用了一種綜合的降燒結(jié)溫度的辦法。將粉體磨到一定的比表面積，再添加極少量的Bi2O3，結(jié)合NiCuZn鐵氧體基方中選取了適量的CuO促進(jìn)燒結(jié)作用，在確保高性能的前提下，實(shí)現(xiàn)了在865℃～896℃溫度條件下燒結(jié)。燒結(jié)后瓷體結(jié)構(gòu)致密、均勻，晶粒粒徑為1～3μm，見(jiàn)圖3。
低溫?zé)Y(jié)瓷料主要性能如下Ts=880±15℃,μi=342-435,Q=120-186,ρv＞106Ωm,αw=(4.5-6.3)×10-6/℃,fr＞16MHZ。
由低溫?zé)Y(jié)材料制得的2012型多層片式電感器在865～895℃近30℃的燒結(jié)溫度范圍內(nèi)，在0.5MHz～5MHz的頻率范圍內(nèi)，由于燒溫不同而引起的相互偏差僅在5％以?xún)?nèi)。
圖4是不同燒結(jié)溫度下多層片式電感器瓷體的SEM照片，仔細(xì)對(duì)比發(fā)現(xiàn)在865℃到890℃相差25℃的燒溫變化情況下，材料的晶粒都在1～3μm之間，且結(jié)構(gòu)致密，氣孔率低，說(shuō)明在這一燒溫范圍內(nèi)，由于溫度的變化而帶來(lái)的影響極小。
圖5顯示的不同燒結(jié)溫度下低溫?zé)Y(jié)材料所制多層片式電感器直流電阻RDC的變化情況，由圖可知隨著燒結(jié)溫度的升高，片式電感的直流電阻幾乎不變。這說(shuō)明在這一燒溫范圍內(nèi)，銀內(nèi)電極的圖形尺寸穩(wěn)定，銀沒(méi)有參與反應(yīng)或擴(kuò)散。這一點(diǎn)還可以從多層片式電感器(MLCI)的斷面SEM照片中得到進(jìn)一步的證實(shí)。如圖面所示，銀內(nèi)導(dǎo)體與鐵氧體材料匹配良好相互間沒(méi)有出現(xiàn)分層和孔洞，內(nèi)導(dǎo)體圖形邊緣平滑清晰無(wú)明顯的護(hù)散跡象。
本發(fā)明通過(guò)選取使磁晶飽和磁化強(qiáng)度Ms足夠高并使磁晶各向異性常數(shù)K1較小的材料組份使磁晶具有較高的起始磁導(dǎo)率μi。通過(guò)對(duì)晶界度的控制，最終獲得了400±20％的起始磁導(dǎo)率μI。及通過(guò)適量地缺鐵，加入Co3O4等方法獲得了較高的Q值與較高的絕緣電阻率ρv。通過(guò)增大粉體比表面積并添加極少量的燒結(jié)促進(jìn)劑，在確保高μI、高Q等性能條件下實(shí)現(xiàn)了低溫?zé)Y(jié)。轉(zhuǎn)化中通過(guò)對(duì)材料組份的適當(dāng)調(diào)整和對(duì)工藝的改進(jìn)，使瓷料與全銀內(nèi)導(dǎo)體共燒既能保持內(nèi)電極的完整，又能保證瓷體晶粒大小均勻，結(jié)構(gòu)致密。從而既保證了所制電感器的電感量的集中，又提高了元件的品質(zhì)因數(shù)Q。適合生產(chǎn)高性能的多層片式電感器(MLCI)與磁珠。
本發(fā)明相比現(xiàn)有技術(shù)具有高性能，磁導(dǎo)率更高，又能適應(yīng)多層片式電感器生產(chǎn)的流延疊層工藝及與全銀內(nèi)導(dǎo)體匹配共燒的工藝，更適于制作小體積大感量的多層片式電感器。
實(shí)施例1一種鐵氧體組合物，它包括Fe2O3、ZnO、Ni2O3、CuO、Co3O4、Bi2O3，其重量百分比為Fe2O348％、ZnO20％、Ni2O320％、CuO10％、Co3O40.5％、Bi2O31.5％。一種低溫?zé)Y(jié)材料，它是由所述的鐵氧體組合物在900℃或900℃以下燒結(jié)而成。一種低溫?zé)Y(jié)材料的制備方法，包括所述的鐵氧體組合物，將(以wt％計(jì))Fe2O348％、ZnO20％、Ni2O320％、CuO10％、Co3O40.5％、Bi2O31.5％充分混合進(jìn)行一次配料→一次球磨→干燥→預(yù)燒→二次配料→研磨→燒結(jié)即可。
實(shí)施例2一種鐵氧體組合物，它還包括Fe2O3、ZnO、CuO、Co3O4、Bi2O3、NiO、PbO，其重量百分比為Fe2O360％、ZnO15％、CuO5％、Co3O40.5％、Bi2O32.5％、NiO15％、PbO2％；一種低溫?zé)Y(jié)材料，鐵氧體組合物可以在850-896℃以下燒結(jié)而成。一種低溫?zé)Y(jié)材料的制備方法，包括所述的鐵氧體組合物，將(以wt％計(jì))Fe2O360％、ZnO15％、CuO5％、Co3O40.5％、Bi2O32.5％、NiO15％、PbO2％充分混合進(jìn)行一次配料→一次球磨→干燥→預(yù)燒→二次配料→研磨→燒結(jié)即可。
實(shí)施例3一種鐵氧體組合物，它包括Fe2O3、ZnO、Ni2O3、CuO、Co3O4、Bi2O3，其重量百分比為Fe2O355％、ZnO15％、Ni2O320％、CuO5％、Co3O40.5％、Bi2O33.5％、PbO1％。一種低溫?zé)Y(jié)材料，鐵氧體組合物還可以在865℃以下燒結(jié)而成。一種低溫?zé)Y(jié)材料的制備方法，包括所述的鐵氧體組合物，將(以wt％計(jì))Fe2O355％、ZnO15％、Ni2O325％、CuO5％、Co3O40.5％、Bi2O33.5％、PbO1％充分混合進(jìn)行一次配料→一次球磨→干燥→預(yù)燒→二次配料→研磨→燒結(jié)即可。
實(shí)施例4一種鐵氧體組合物，它包括Fe2O3、ZnO、Ni2O3、CuO、Co3O4、Bi2O3、PbO，其重量百分比為Fe2O365％、ZnO10％、Ni2O310％、CuO9％、Co3O40.5％、Bi2O35％、PbO0.5％。一種低溫?zé)Y(jié)材料，它是由所述的鐵氧體組合物在900℃或900℃以下燒結(jié)而成。一種低溫?zé)Y(jié)材料的制備方法，包括所述的鐵氧體組合物，將(以wt％計(jì))Fe2O365％、ZnO10％、Ni2O310％、CuO9.5％、Co3O40.5％、Bi2O35％、PbO0.5％充分混合進(jìn)行一次配料→一次球磨→干燥→預(yù)燒→二次配料→研磨→燒結(jié)，所述的制備方法干燥后還需打粉或過(guò)篩，或研磨后還需混漿→干燥→打粉或過(guò)篩即可。
表1．
權(quán)利要求
1.一種鐵氧體組合物，它包括Fe2O3、ZnO、Ni2O3、CuO、Co3O4、Bi2O3，其重量百分比為Fe2O348-75％、ZnO8-25％、Ni2O35-20％、CuO5-10％、Co3O40.05-0.5％、Bi2O30.5-5％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鐵氧體組合物，其特征在于它還包括Fe2O3、ZnO、CuO、Co3O4、Bi2O3、NiO、PbO，其重量百分比為Fe2O345-75％、ZnO10-25％、Ni2O35-20％、CuO5-10％、Co3O40.05-0.5％、Bi2O32.5-5％、NiO0.5-1.5、PbO0.5-3％。
3.一種低溫?zé)Y(jié)材料，其特征在于它是由權(quán)利要求1的鐵氧體組合物在900℃或900℃以下燒結(jié)而成。
4.一種低溫?zé)Y(jié)材料，其特征在于它是由權(quán)利要求2的鐵氧體組合物在900℃或900℃以下燒結(jié)而成。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低溫?zé)Y(jié)材料，其特征在于所述的鐵氧體組合物還可以在850-896℃以下燒結(jié)而成。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低溫?zé)Y(jié)材料，其特征在于所述的的鐵氧體組合物還可以在865℃燒結(jié)而成。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低溫?zé)Y(jié)材料，其特征在于所述的鐵氧體組合物還可以在896℃以下燒結(jié)而成。
8.一種低溫?zé)Y(jié)材料的制備方法，其特征在于包括權(quán)利要求1所述的鐵氧體組合物，它包括Fe2O3、ZnO、Ni2O3、CuO、Co3O4、Bi2O3，將(以wt％計(jì))Fe2O348-75％、ZnO8-25％、Ni2O35-25％、CuO5-10％、Co3O40.05-0.5％、Bi2O30.5-5％充分混合進(jìn)行一次配料→一次球磨→干燥→預(yù)燒→二次配料→研磨→燒結(jié)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的低溫?zé)Y(jié)材料的制備方法，其特征在于所述的制備方法干燥后還需打粉或過(guò)篩或研磨后還需混漿→干燥→打粉/過(guò)篩。
10.一種低溫?zé)Y(jié)材料的制備方法，其特征在于包括權(quán)利要求1所述的鐵氧體組合物，它包括Fe2O3、ZnO、Ni2O3、CuO、Co3O4、Bi2O3，將(以wt％計(jì))Fe2O348-75％、ZnO8-25％、NiO5-25％、CuO5-10％、Co3O40.05-0.5％、Bi2O30.5-5％充分混合進(jìn)行一次配料→一次球磨→干燥→預(yù)燒→二次配料→研磨→燒結(jié)。
全文摘要
本發(fā)明涉及低溫?zé)Y(jié)材料,特別是一種低溫?zé)Y(jié)材料。它包括Fe
文檔編號(hào)H01F17/00GK1304905SQ00117538
公開(kāi)日2001年7月25日 申請(qǐng)日期2000年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2000年10月30日
發(fā)明者徐尚炎, 王其春, 歐明, 熊茂仁, 陳志華, 凌志遠(yuǎn) 申請(qǐng)人:廣東肇慶風(fēng)華電子工程開(kāi)發(fā)有限公司